JP2024031788A - 処理システム及び処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施すること。【解決手段】ＰＦＡＳ無毒化システム１は、半導体製造装置１００から排出された、ＰＦＡＳを含む廃液を濃縮する濃縮器１１と、濃縮器１１によって濃縮された濃縮液を濃硫酸を含む液体で分解及び蒸発させる硫酸処理槽１２と、硫酸処理槽１２によって蒸発させられたガスを液化して捕集する冷却装置１３と、を備える。【選択図】図１

Description

本開示は、処理システム及び処理方法に関する。

特許文献１には、有機フッ素化合物等の含有比率を低減する処理装置と、アニオン交換体を含むイオン交換体を充填したアニオン交換棟と、アニオン交換棟に流通した再生液を分解処理する分解装置と、を含む排水処理システムが記載されている。

特開２０１０－１２５３５２号公報

本開示は、有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施することができる処理システム及び処理方法を提供する。

本開示の一側面に係る処理システムは、半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮部と、濃縮部によって濃縮された濃縮液を濃硫酸で分解及び蒸発させる薬液処理部と、薬液処理部によって蒸発させられたガスを液化して捕集する捕集部と、を備える。

本開示によれば、有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施することができる。

本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システムの構成図である。 硫酸処理槽及び冷却装置の一例を示す模式図である。 硫酸処理槽及び冷却装置の他の例を示す模式図である。 ＰＦＡＳ無毒化処理を示すフローチャートである。 変形例に係るＰＦＡＳ無毒化システムの構成図である。 変形例に係る硫酸処理槽の模式図である。 硫酸処理槽における第１の処理イメージを示す図である。 硫酸処理槽における第２の処理イメージを示す図である。 硫酸処理槽における第３の処理イメージを示す図である。

以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

本実施形態に係る処理システムは、図１に示されるように、半導体製造装置１００から排出された、ＰＦＡＳを無毒化するＰＦＡＳ無毒化システム１である。ＰＦＡＳとは、有機フッ素化合物であるペルフルオロアルキル物質及びポリフルオロアルキル化合物（ＰＦＡＳ：Per- and PolyFluoroAlkyl Substances）である。

ＰＦＡＳとは、少なくとも１つ以上の-ＣＦ２-又は-ＣＦ３の脂肪族分子を含む化合物であり、テフロンのような有機高分子化合物（ポリマー）も含む。ペルフルオロオクタンスルホン酸（ＰＦＯＳ：Per Fluoro Octane Sulfonic Acid）及びペルフルオロオクタン酸（ＰＦＯＡ：Per Fluoro Octanoic Acid）は、ＰＦＡＳの一種である。ＰＦＯＳは、例えば、泡消火剤、めっき液、航空機作動油、撥水剤、フロアワックス等に含まれている。また、ＰＦＯＡは、例えば、繊維、医療、電子基板、自動車、食品包装紙、石材、フローリング、皮革等に含まれている。半導体の製造工程においては、例えばノンポリマーのＰＦＡＳがフォトレジストで用いられている。また、ポリマーのＰＦＡＳが、半導体製造装置の配管、バルブ、ポンプ等の接液部材、フォトレジスト、反射防止膜等に用いられている。

ＰＦＡＳは自然界において安定しており、分解されにくい。そのため、ＰＦＡＳは、残留性が高く、生体内に蓄積されやすい性質があり、害性が高い。本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システム１は、半導体製造装置１００から排出されるＰＦＡＳを無毒化することにより、ＰＦＡＳが外部に排出されることを抑制するシステムである。

図１に示されるように、ＰＦＡＳ無毒化システム１は、濃縮器１１（濃縮部）と、硫酸処理槽１２（薬液処理部）と、冷却装置１３（捕集部）と、無毒化装置１４（無毒化部）と、を含んで構成されている。なお、本実施形態では、ＰＦＡＳ無毒化システム１が複数の装置を含む装置群であるとして説明するが、ＰＦＡＳ無毒化システム１は１つの装置で構成されていてもよい。また、半導体製造装置１００は、リソグラフィー装置１１１と、洗浄装置１１２と、エッチング装置１１３と、成膜装置１１４と、を含んで構成されている。半導体製造装置１００の各構成は、実施する処理に伴って、ＰＦＡＳを含んだ物質を排出する。なお、ＰＦＡＳ無毒化システム１を構成する各処理部は、同じ空間（場所）に設置されていてもよいし、同じ空間に設置されていなくてもよい。例えば、各処理部は、リソグラフィー装置１１１、洗浄装置１１２、或いはエッチング装置１１３が設置されている建物内に設置されていてもよいし、該建物の外や隣接した空間に設置されていてもよい。各処理部は、上記建物内と建物外とで互いに分かれて設置されていてもよい。また、濃縮器１１、硫酸処理槽１２、冷却装置１３、及び無毒化装置１４のうち不使用のものは、常時設置されていなくてもよい。

リソグラフィー装置１１１は、塗布・現像装置と、露光装置とを含んで構成されている。なお、リソグラフィー装置１１１は、露光装置を含んでいなくてもよく、塗布・現像装置単体で構成されていてもよい。更に、リソグラフィー装置１１１は、塗布装置又は現像装置単体で構成されていてもよい。露光装置は、レジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置は、露光装置による露光処理の前に、基板の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。このようなリソグラフィー装置１１１から排出される液体又は気体には、ＰＦＡＳが含まれている。例えば、レジスト廃液、現像処理に係るアルカリ廃液、レジスト剥離に係る酸廃液、有機排気、熱排気、昇華物の固化物等には、ＰＦＡＳが含まれている。本実施形態では、レジスト廃液に含まれるＰＦＡＳについて主に説明する。レジスト廃液に含まれるＰＦＡＳの例として、例えば光酸発生材（ＰＡＧ：Photo Acid Generator）がある。リソグラフィー装置１１１から排出されるレジスト廃液は、ＰＦＡＳ無毒化システム１の濃縮器１１に導入される。

洗浄装置１１２は、基板に対する洗浄処理を行う。洗浄装置１１２は、例えば、レジスト等の有機物の除去にはＨ_２Ｏ_２と硫酸とを混合したＳＰＭ：Sulfuric. Acid Hydrogen Peroxide Mixtureを用いる。洗浄装置１１２は、金属の除去にはＨ_２Ｏ_２と塩酸とを混合した混合水溶液（ＳＣ２：Standard Clean 2）を用い、パーティクルの除去にはＨ_２Ｏ_２とアンモニアとを混合した混合水溶液（ＳＣ１）を用いる。また、濃硫酸のみも廃液処理中に出る。洗浄装置１１２は、ＰＦＡＳを含んだＳＰＭ廃液を排出する。洗浄装置１１２から排出されるＳＰＭ廃液や濃硫酸は、硫酸処理槽１２に導入される。また、洗浄装置１１２は、ＰＦＡＳを含んだ酸廃気を排出する。洗浄装置１１２から排出される酸廃気は、無毒化装置１４に導入される。

エッチング装置１１３は、形成されたレジスト膜のパターンに沿って、酸化膜・薄膜を削り取るエッチング処理を行う。エッチング装置１１３は、ＰＦＡＳを含んだ排ガスを排出する。エッチング装置１１３から排出される排ガスは、無毒化装置１４に導入される。

成膜装置１１４は、基板に配線膜及び絶縁膜を形成する。成膜装置１１４は、各種プロセスガス（ＰＦＡＳ含有又は非含有ガス）を用いており、その排ガスを排出する。成膜装置１１４から排出される排ガスは、無毒化装置１４に導入される。

濃縮器１１は、半導体製造装置１００のリソグラフィー装置１１１から排出されたＰＦＡＳを含むレジスト廃液を濃縮する。すなわち、濃縮器１１は、ＰＦＡＳを含む廃液として、リソグラフィー装置１１１における基板処理廃液を濃縮する。濃縮器１１は、例えば限界ろ過膜や逆浸透膜等を用いて、レジスト廃液を濃縮すると共に、レジスト廃液に含まれる溶媒を分離させる。レジスト廃液の濃縮液は、ポリマーを含む濃縮液なので、粘度が高くなっている。レジスト廃液の濃縮液は、硫酸処理槽１２に導入される。なお、リソグラフィー装置１１１から排出されたアルカリ廃液が濃縮器１１によって濃縮される場合には、アルカリ廃液が中和後に逆浸透膜に導入されてもよい。

レジスト廃液から分離された溶媒は、リサイクルソルベントとして半導体製造装置１００におけるカップ洗浄等に利用されてもよいし、ソルベント回収業者に回収されてもよい。従来の場合、ソルベント回収業者がレジスト廃液から再生溶媒を精製しようとするときに成分分析をするとレジストメーカーの機密物質を含んだ廃液も回収してしまう可能性がある。この点、本実施形態のように濃縮器１１を通したレジスト廃液は、固形分成分が濃縮液に含まれるため、ソルベント回収業者への機密漏洩を防ぐことができる。

硫酸処理槽１２は、濃縮器１１によって濃縮された濃縮液を、ＳＰＭ廃液にて分解及び蒸発させる。すなわち、硫酸処理槽１２は、洗浄装置１１２のＳＰＭ廃液を利用する。ＳＰＭ廃液中においては、溶媒及びポリマーは、酸化反応や脱水反応の分解反応が生じ、低分子化する（低粘度化する）。このとき、ＳＰＭ廃液は発熱反応によって温度が高くなる（ＳＰＭ廃液中の濃硫酸の温度が高くなる）。ＰＦＡＳは基本的に分解されないが、ＰＡＧ等の成分は沸点が低いため高温のＳＰＭ廃液により蒸発する（特にＳＰＭ廃液中に含まれる濃硫酸の効果で蒸発する）。また、その際にＰＦＡＳも一緒に蒸発する。従来、ＳＰＭ廃液は、発泡の抑制をするためにカタラーゼを添加して廃液処理を行っているが、硫酸処理槽１２で有機物と反応させてＨ_２Ｏ_２の成分を使い切って脱気すれば、下流の硫酸廃液で発泡せず処理が容易になる。また、カタラーゼを減らすことができる。この反応によって例えば３００℃程度の熱が発生するため、排熱を利用した温度差発電や硫酸処理槽１２を冷却するための循環水から発生する蒸気で蒸気発電が行われてもよい。なお、硫酸処理槽１２から排出される硫酸廃液は、例えばリサイクル業者にて回収される。該硫酸廃液は、従来の廃液よりも硫酸の純度を高くすることができている。なお、硫酸処理槽１２は、不慮の発火を抑制するために不活性ガスである窒素雰囲気中で実施することが望ましい。また、上記ＳＰＭ廃液は濃硫酸廃液でも良く、濃硫酸の場合は、溶媒及びポリマーで、脱水反応の分解反応が生じ、低分化する（低粘度化する）。このとき濃硫酸は発熱反応によって濃硫酸の温度が高くなりＰＦＡＳ、ＰＡＧなどを蒸発させる。

硫酸処理槽１２に溜めたＳＰＭ廃液に、レジスト廃液の濃縮液を加え処理していくと次第にＨ_２Ｏ_２が消費され、処理能力が低下する。レジスト廃液の濃縮液を適切量供給したのち、反応が落ち着きガスの発生が終了するまで硫酸処理槽１２は待機させる。洗浄装置１１２からのＳＰＭ廃液が多いため、洗浄装置１１２からのＳＰＭ廃液も滞ることなく処理する必要がある。そのため、硫酸処理槽１２は、複数の処理槽で構成されていてもよい。この場合、１つの処理槽が処理している間に、他の処理槽にて液の注入等の準備を行ってもよい。また、１つ目の処理槽、次に２つ目の処理槽、次に３つ目の処理槽、のように、反応の進行の程度を見て、液を下流に流していってもよい。なお、レジスト廃液がメタル含有レジストである場合には、上述した各工程と同様の工程で、メタル成分のみ蒸発せずに沈殿し、硫酸廃液と共に処理される。

ＳＰＭ廃液は、過酸化水素水が含まれているため、そのまま廃液にすると発泡して装置に負担をかけること、或いは、発泡ガスで環境を悪化させることがある。この点、本実施形態に係る構成では、残留の過酸化水素水が有効的に活用されて、発泡したガスも燃料として無毒化装置１４で燃やされることから、装置や環境への負担を小さくすることができる。

図２は、硫酸処理槽１２及び冷却装置１３の一例を示す模式図である。図２に示される例では、硫酸処理槽１２と冷却装置１３とが連続的に構成されている。硫酸処理槽１２は、洗浄装置１１２のＳＰＭ廃液を貯留する硫酸貯留部１２１（第１貯留部）と、硫酸貯留部１２１に連続すると共に傾斜状に延びる傾斜部１２２と、を有している。そして、硫酸処理槽１２では、濃縮器１１によって濃縮された濃縮液が傾斜部１２２に滴下される。傾斜部１２２は、滴下される濃縮液を受け、該濃縮液を硫酸貯留部１２１に向かってガイドする。多量の硫酸に濃縮液を入れた場合には、激しい反応が生じ危険である。この点、傾斜部１２２に濃縮液が滴下されて、傾斜部１２２における波打ち際で硫酸に接する濃縮液の量が限定的とされることにより、上記激しい反応が生じることを抑制することができる。硫酸処理槽１２では、反応により生じる熱によってタービン１２３を回し、発電してもよい。濃硫酸よって蒸発したＰＦＡＳを含むガスは、冷却装置１３に向かって流れる。なお、濃縮液を硫酸処理槽１２に加えるときには、激しい反応を抑制するために、濃縮液と窒素とを二流体スプレーノズルを介して投入してもよい。濃硫酸を小滴にすることによって、ＳＰＭ廃液の液面に到達する前に蒸発しやすくなり、また、ＳＰＭ廃液の液面で反応するときにも大きな接触界面とならないため、比較的緩やかな反応におさえることができる。また窒素で供給することによって、不慮の発火を抑制することができる。

図３は、硫酸処理槽１２及び冷却装置１３の他の例を示す模式図である。図３に示される例では、硫酸処理槽１２が、濃縮液を貯留する濃縮液貯留部１２５（第２貯留部）を更に有している。そして、濃縮液貯留部１２５において、洗浄装置１１２のＳＰＭ廃液が所定量だけ加えられて濃縮液と混ぜ合わされ、混ぜ合わされた液体が傾斜部１２２を介して硫酸貯留部１２１に流し込まれる。このように、濃縮液貯留部１２５において、激しい反応とならない程度にＳＰＭ廃液と濃縮液との混ぜ合わせが実施され、混ぜ合わされた液体が傾斜部１２２を介して硫酸貯留部１２１に流し込まれる。このことにより、ＳＰＭ廃液と濃縮液との反応を効果的に加速させることができる。

図１に戻り、冷却装置１３は、硫酸処理槽１２によって蒸発させられたＰＦＡＳを含むガスを液化して捕集する。冷却装置１３は、ガスを気体成分である低分子ガスと、液体成分である炭化水素（ＨＣ）抽出液とに分離して捕集する。図２に示されるように、硫酸処理槽１２からのガスが、冷却装置１３の冷却部１３１において冷却されることにより、液化したものはＨＣ抽出液として捕集されるともに、結露しなかった低分子ガスについても捕集される。硫酸処理槽１２から発生したガスは、窒素雰囲気にて処理しているため、窒素との混合ガスになっている。窒素を多量に含んだ混合ガスについては、後段の無毒化装置１４における処理量が多くなるため、例えば、冷却装置１３で結露しなかった低分子ガスを、ナノサブセラミッグフィルタを用いて、窒素とそれ以外に分離し濃縮してもよい。

上述した硫酸処理槽１２からは、多種の有機ガス及びその他のガスが排出される。ＰＡＧ等のＰＦＡＳもガスとして排出されている。無毒化装置１４にこれらのガスを直接導入することも考えられるが、室温で液体となるガスについては冷却装置１３において一旦液化することによって運搬性を向上させることができる。なお、液化せずに運搬した場合には、配管の途中で液溜りができ制御が難しくなることがある。液化したＨＣ抽出液及び結露しなかった低分子ガスの双方に、ＰＦＡＳが含まれている。ＨＣ抽出液及び低分子ガスは、無毒化装置１４に導入される。なお、ガスの運搬性をより向上させるために、低分子ガスも含めてすべて液化してから無毒化装置に導入してもよい。

無毒化装置１４は、冷却装置１３による処理後の物質を無毒化する。無毒化装置１４は、冷却装置１３による処理後の物質を燃焼除害する燃焼除害装置であってもよい。無毒化装置１４は、冷却装置１３から導入されたＨＣ抽出液及び低分子ガスを焼却する。ＨＣ抽出液の多くは炭化水素であるので、燃料として燃やすことができる。また、低分子ガスの多くは、炭素数が１０以下の炭化水素であるので、同様に燃料として燃やすことができる。従来、燃焼除害装置では燃料としてプロパンガスや都市ガスが用いられているが、上記のようにＨＣ抽出液等が燃料として用いられるので、プロパンガス等を減量することができる。

更に、無毒化装置１４は、エッチング装置１１３から導入された排ガス、成膜装置１１４から導入された排ガス、及び、洗浄装置１１２から導入された酸廃気についても同時に燃焼除害してもよい。これらのガスは、各装置において使用されたＰＦＡＳを含む排ガスである。これらのガスが同時に燃焼除害されることによって、プロパンガス等をより減量することができる。なお、燃焼除害の際には、ガスタービン等の内燃機関を用いて燃焼させることにより、電力発電をしてもよい。二酸化炭素等の無毒化されたガスは、回収しギ酸やメタノール等の有機物合成に利用してもよい。また、無毒化装置１４は、冷却装置１３による処理後の物質を亜臨界処理する亜臨界処理装置、超臨界処理する超臨界処理装置であってもよい。また、無毒化した廃ガスをスクラバ装置（排ガスを水洗、薬液中和処理、又は吸着し、大気中に放出する装置）を通して、Ｆイオン含有のスクラバ水と廃ガスに処理してもよい。

次に、ＰＦＡＳ無毒化システム１において実施されるＰＦＡＳ無毒化処理について、図４を参照して説明する。図４は、ＰＦＡＳ無毒化処理を示すフローチャートである。

図４に示されるように、ＰＦＡＳ無毒化システム１では、濃縮器１１において、半導体製造装置１００のリソグラフィー装置１１１から排出されたＰＦＡＳを含むレジスト廃液が濃縮される（ステップＳ１，濃縮ステップ）。濃縮ステップでは、レジスト廃液を濃縮すると共にレジスト廃液に含まれる溶媒が分離されてもよい。

つづいて、硫酸処理槽１２において、濃縮器１１によって濃縮された濃縮液が、洗浄装置１１２からのＳＰＭ廃液（又は濃硫酸廃液）で分解及び蒸発させられる（ステップＳ２，薬液処理ステップ）。薬液処理ステップでは、ＳＰＭ廃液を貯留する硫酸貯留部１２１に連続すると共に傾斜状に延びる傾斜部１２２に対して濃縮液が滴下されてもよい。また、薬液処理ステップでは、濃縮液を貯留する濃縮液貯留部１２５において、洗浄装置１１２のＳＰＭ廃液が所定量だけ加えられて濃縮液と混ぜ合わされ、混ぜ合わされた液体が傾斜部１２２を介して硫酸貯留部１２１に流し込まれてもよい。

つづいて、冷却装置１３において、硫酸処理槽１２によって蒸発させられたＰＦＡＳを含むガスが液化されて捕集される（ステップＳ３，捕集ステップ）。捕集ステップでは、ガスが気体成分（低分子ガス）と液体成分（ＨＣ抽出液）とに分離して捕集される。

つづいて、無毒化装置１４において、捕集ステップにおける処理後の物質（低分子ガス及びＨＣ抽出液）を無毒化する無毒化処理が実施される（ステップＳ４，無毒化ステップ）。無毒化ステップでは、捕集ステップにおける処理後の物質が燃焼除害されてもよいし、亜臨界処理されてもよい。また、無毒化ステップでは、エッチング装置１１３及び成膜装置１１４において使用されたＰＦＡＳを含む排ガスを利用して燃焼除害処理が行われてもよい。

次に、本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システム１の作用効果について説明する。

本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システム１は、半導体製造装置１００から排出された、ＰＦＡＳを含む廃液を濃縮する濃縮器１１と、濃縮器１１によって濃縮された濃縮液を濃硫酸を含む液体で分解及び蒸発させる硫酸処理槽１２と、を備える。更に、ＰＦＡＳ無毒化システム１は、硫酸処理槽１２によって蒸発させられたガスを液化して捕集する冷却装置１３を備える。

本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システム１では、ＰＦＡＳを含む廃液が濃縮された後に、濃縮液が濃硫酸を含む液体（ＳＰＭ廃液又は濃硫酸）で分解及び蒸発させられ、蒸発したガスが液化される。このように、濃縮液が濃硫酸を含む液体に混ぜ合わされることにより、ポリマーや溶媒等については脱水反応の分解反応により低分子化されると共に、有機フッ素化合物については蒸発する。上記混ぜ合わされた液体において有機物反応により脱気することにより、後段の処理において液体が発泡しにくくなり、後段で実施される処理が容易になる。そして、蒸発したガスが液化されることにより、上記無毒化処理が行われる物質の運搬性を向上させることができる。以上のように、本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システム１によれば、ＰＦＡＳの無毒化処理を円滑に実施することができる。

冷却装置１３は、ガスを気体成分と液体成分とに分離して捕集してもよい。このように、液化が可能なものは液化して運搬性を高めると共に、液化しなかった低分子ガス（気体成分）についても捕集することにより、ＰＦＡＳが含まれる物質を適切に捕集することができる。

本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システム１は、冷却装置１３による処理後の物質を無毒化する無毒化装置１４を更に備えていてもよい。これにより、ＰＦＡＳ無毒化システム１内においてＰＦＡＳの無毒化処理を適切に実施することができる。

無毒化装置１４は、冷却装置１３による処理後の物質を燃焼除害する燃焼除害装置であってもよい。このような構成によれば、ＰＦＡＳの無毒化処理を適切に実施することができる。

無毒化装置１４は、冷却装置１３による処理後の物質を亜臨界処理する亜臨界処理装置であってもよい。このような構成によれば、ＰＦＡＳの無毒化処理を適切に実施することができる。

濃縮器１１は、廃液を濃縮すると共に廃液に含まれる溶媒を分離させてもよい。このように、排液に含まれる溶媒が分離されることによって、該溶媒をリサイクルソルベントとして再利用したり回収業者に販売すること等が可能になる。

半導体製造装置１００は、少なくとも、リソグラフィー装置１１１及び洗浄装置１１２を有している。濃縮器１１は、ＰＦＡＳを含む廃液として、リソグラフィー装置１１１における基板処理廃液を濃縮し、硫酸処理槽１２は、濃硫酸を含む液体として、洗浄装置１１２の廃棄する濃硫酸を含む液体（ＳＰＭ廃液等）を利用してもよい。濃縮器１１がリソグラフィー装置１１１における基板処理廃液を濃縮することにより、ＰＦＡＳを多く含むレジスト廃液等を無毒化処理の対象とすることができる。また、洗浄装置１１２のＳＰＭ廃液が利用されることにより、本来廃棄される洗浄装置１１２のＳＰＭ廃液を有効利用することができる。また、洗浄装置１１２のＳＰＭ廃液にもＰＦＡＳが含まれているところ、ＳＰＭ廃液に含まれる有機フッ素化合物についても適切に無毒化処理を行うことができる。

半導体製造装置１００は、少なくとも、エッチング装置１１３及び成膜装置１１４を有しており、無毒化装置１４は、エッチング装置１１３及び成膜装置１１４において使用された、ＰＦＡＳを含む排ガスを利用して燃焼除害処理を行ってもよい。このように排ガスが利用されることにより、無毒化装置１４に導入される燃料を減量することができ、トータル的にＣＯ２排出量を抑制し、焼却施設が大型化することを回避することができる。また、排ガスに含まれるＰＦＡＳについても無毒化処理を行うことができる。

硫酸処理槽１２は、ＳＰＭ廃液を貯留する硫酸貯留部１２１と、硫酸貯留部１２１に連続すると共に傾斜状に延びる傾斜部１２２と、を有し、傾斜部１２２は、滴下される濃縮液を受け、該濃縮液を硫酸貯留部１２１に向かってガイドしてもよい。このように、傾斜部１２２に濃縮液が滴下されることにより、ＳＰＭ廃液と濃縮液とで激しい反応が生じることを抑制することができる。

硫酸処理槽１２は、濃縮液を貯留する濃縮液貯留部１２５を更に有し、濃縮液貯留部１２５において、ＳＰＭ廃液が所定量だけ加えられて濃縮液と混ぜ合わされ、混ぜ合わされた液体が傾斜部１２２を介して硫酸貯留部１２１に流し込まれてもよい。これにより、濃縮液貯留部１２５において激しい反応とならない程度にＳＰＭ廃液と濃縮液との混ぜ合わせが実施された後に、混ぜ合わされた液体が傾斜部１２２を介して硫酸貯留部１２１に流し込まれる。このことで、ＳＰＭ廃液と濃縮液との反応を効果的に加速させることができる。

以上、本実施形態について説明したが、本実施形態は上記に限定されない。例えば、図５に示されるＰＦＡＳ無毒化システム１Ａのように、リソグラフィー装置１１１からの排ガスが直接、無毒化装置１４に導入される構成であってもよい。当該排ガスは、例えば、成膜／現像／加熱／光照射処理等により発生するＰＦＡＳ含有ガスである。なお、このような構成においても、リソグラフィー装置１１１における一部処理からＰＦＡＳ含有液が発生する場合には、当該ＰＦＡＳ含有液が濃縮器１１に導入されてもよい。また、図５に示されるように、洗浄装置１１２が乾式、すなわちガスによる処理を含む場合においては、ＰＦＡＳ含有ガスである排ガスが直接、無毒化装置１４に導入されてもよい。そして、無毒化装置１４において、これらの排ガスを含めて無毒化処理が実施されてもよい。

図６は、変形例に係る硫酸処理槽３１２の模式図である。硫酸処理槽３１２は、硫酸貯留部４２１（第１貯留部）と、ＳＰＭ用ノズル４２２と、撹拌機４２３と、濃縮液用ノズル４２４（濃縮液吐出部）と、気体放出口４２５（排気部）と、を備えている。硫酸処理槽３１２は、さらに、ＳＰＭ排出口４２６（排出口）と、冷却水流路４２７と、ガス放出口４２８と、を備えている。

硫酸貯留部４２１は、廃棄する濃硫酸を含む液体であるＳＰＭ廃液を貯留する貯留部である。なお、硫酸貯留部４２１が貯留する液体は、ＳＰＭ廃液に限定されず、濃硫酸を含むその他の液体であってもよい。ＳＰＭ用ノズル４２２は、洗浄装置から排出されたＳＰＭ廃液を硫酸貯留部４２１に供給するノズルである。撹拌機４２３は、硫酸貯留部４２１に貯留されたＳＰＭ廃液の攪拌を行う構成である。濃縮液用ノズル４２４は、上述した濃縮液をミスト状にして硫酸貯留部４２１に入れる構成である。濃縮液用ノズル４２４は、濃縮液を不活性ガス（例えば窒素ガス）と共にミスト状にして噴霧する。このように、濃縮液がミスト状にして噴霧されることにより、レジスト濃縮液をゆっくりと間欠的に入れることができ、安全性を高くすることができる（詳細は後述）。また、濃縮液がミスト状に噴霧されることにより、界面最小化が実現され、乾燥を促進することができる。また、不活性ガスが窒素ガスとされることにより、反応における発火を防止することができる。なお、濃縮液用ノズル４２４は、必ずしも濃縮液をミスト状に噴霧するものでなくてもよく、通常の液体として硫酸貯留部４２１に送り込む構成であってもよい。

気体放出口４２５は、硫酸貯留部４２１に溜まったガスを排気する排気部である。ＳＰＭ排出口４２６は、硫酸貯留部４２１からＳＰＭ廃液を廃液する排出口である。冷却水流路４２７は、硫酸貯留部４２１底面及び側面を囲うように設けられた流路であり、流れる冷却水によって硫酸貯留部４２１を冷却する構成である。ガス放出口４２８は、冷却水流路４２７の上端部側に設けられており、蒸発した冷却水のガスを排気する排気部である。

以下では、上述した硫酸処理槽３１２を用いたＳＰＭ廃液に係る処理（第１～第３の処理）について図７～図９を参照して説明する。ここで、硫酸過水に濃縮液を入れると、分子内及び分子間脱水反応により有機物は低分子化する。硫酸過水は硫酸よりも反応性が高く危険である。また、硫酸密度（１．８４）は濃縮液と比べて重いため、そのままでは混ざらない。そのため、界面では積極的に反応するが混ざらないため、突沸が発生する場合がある。そして、発生したガスには、自然発火点が２００℃以下のガスも含まれているところ、濃硫酸の温度は２９０℃程度とされるため、発火のおそれがある。上述した第１～第３の処理は、ＳＰＭ廃液に濃縮液を入れる処理をより安全に行うための処理である。

図７は、硫酸処理槽３１２における第１の処理イメージを示す図である。第１の処理では、最初に、図７（ａ）に示されるように、硫酸貯留部４２１が空の状態とされると共に、冷却水流路４２７に冷却水が貯留された状態とされる。つづいて、図７（ｂ）に示されるように、ＳＰＭ用ノズル４２２を介して硫酸貯留部４２１にＳＰＭ廃液が貯留される。つづいて、図７（ｃ）に示されるように、濃縮液用ノズル４２４によって、レジストの濃縮液が窒素ガスと共にミスト状に噴霧される。濃縮液の噴霧は、ゆっくりと間欠的に行われる。濃縮液は硫酸よりも比重が重いため、ＳＰＭ廃液の表面に浮いているような状態で供給される。この状態において、撹拌機４２３によってゆっくりと攪拌が行われる。これにより、濃縮液がＳＰＭ廃液の表面に留められることとなる。濃縮液の界面とＳＰＭ廃液の界面では、酸化反応と脱水反応が激しく行われるが、ＳＰＭ廃液に触れていない内側の成分は、反応熱をもらい反応せずにそのまま蒸発する。蒸発した溶媒は、再びＳＰＭ廃液に触れることなく放出されるため、分解されず、燃焼除害装置における燃料として利用することができる。

そして、図７（ｄ）に示されるように、ＳＰＭ廃液の過水の能力が衰えて有機物の炭化が進み、液が褐色になっていくと、濃縮液用ノズル４２４からの濃縮液の噴霧が終了される。なお、気体放出口４２５からのガス放出が加速されるように、真空排気が行われてもよい。図７（ｅ）に示されるように、ガスの放出が終了すると、ＳＰＭ排出口４２６から硫酸を含む液体の廃液が行われ、図７（ａ）の状態に戻る。

上記処理において、液が褐色になっていない状態においては、炭素が二酸化炭素として放出される。硫酸処理槽３１２における工程で可燃物質を燃やしてしまうと、燃焼除害を行う際に燃やすための燃料として活用できなくなる。しかし、亜臨界分解の際に可燃物質が分解の邪魔になることがあるので、硫酸処理槽３１２において燃やすことが好ましい。

上述した第１処理では、ミスト状の噴霧によってゆっくりと濃縮液が入れられるので、安全性が極めて高くなっている（後述する第２処理よりも安全性が高くなっている）。また、蒸発した溶媒成分が分解されないため、該蒸発した溶媒成分を、燃焼除害装置の燃料として利用することができる。

図８は、硫酸処理槽３１２における第２の処理イメージを示す図である。第２の処理では、最初に、図８（ａ）に示されるように、硫酸貯留部４２１が空の状態とされると共に、冷却水流路４２７に冷却水が貯留された状態とされる。つづいて、図８（ｂ）に示されるように、濃縮液用ノズル４２４から、レジストの濃縮液が硫酸貯留部４２１に供給される。この場合、濃縮液用ノズル４２４は、ミスト状の噴霧でなく、通常の液体として濃縮液を供給してもよい。つづいて、図８（ｃ）に示されるように、ＳＰＭ用ノズル４２２を介して硫酸貯留部４２１にＳＰＭ廃液が貯留される。これにより、一気に濃縮液とＳＰＭ廃液との処理が進む。この状態において、撹拌機４２３によって素早く攪拌が行われる。

そして、気体放出口４２５から、硫酸貯留部４２１に溜まったガスの排気が行われ、反応が落ち着きガスの放出が終了するまで待機される。または、真空状態でガスの排気が行われる。これにより、図８（ｄ）に示されるように、ＳＰＭ廃液の過水の能力が衰えて有機物の炭化が進み、液が褐色になっていく。最後に、図８（ｅ）に示されるように、ＳＰＭ排出口４２６から硫酸を含む液体の廃液が行われ、図８（ａ）の状態に戻る。

上記処理において、液が褐色になっていない状態においては、炭素が二酸化炭素として放出される。硫酸処理槽３１２における工程で可燃物質を燃やしてしまうと、燃焼除害を行う際に燃やすための燃料として活用できなくなる。しかし、亜臨界分解の際に可燃物質が分解の邪魔になることがあるので、硫酸処理槽３１２において燃やすことが好ましい。

上述した第２処理では、先に濃縮液が入れられてその後にＳＰＭ廃液が入れられる。このため、蒸発した溶媒成分についても、周囲にあるＳＰＭ廃液にて酸化反応及び脱水反応が進む。これにより、上述した第１処理よりも高速処理が期待でき、発熱量も多くなる。そして、分子内脱水反応の割合が多くなり、結果、低分子量の炭化水素ガスが多く放出される。

図９は、硫酸処理槽３１２における第３の処理イメージを示す図である。第３の処理では、最初に、図９（ａ）に示されるように、硫酸貯留部４２１が空の状態とされると共に、冷却水流路４２７に冷却水が貯留された状態とされる。つづいて、図９（ｂ）に示されるように、ＳＰＭ用ノズル４２２を介して硫酸貯留部４２１にＳＰＭ廃液が貯留される。第３の処理では、この状態で、過水の成分が蒸発するまで硫酸貯留部４２１内が真空状態とされる。この際、必要に応じて水が入れられて、ＳＰＭ温度が上げられる。また、撹拌機４２３によってゆっくりと攪拌が行われる。

つづいて、図９（ｃ）に示されるように、濃縮液用ノズル４２４によって、レジストの濃縮液が窒素ガスと共にミスト状に噴霧される。濃縮液の噴霧は、ゆっくりと間欠的に行われる。濃縮液は硫酸よりも比重が重いため、ＳＰＭ廃液の表面に浮いているような状態で供給される。この状態において、撹拌機４２３によってゆっくりと攪拌が行われる。これにより、濃縮液がＳＰＭ廃液の表面に留められることとなる。濃縮液の界面とＳＰＭ廃液の界面では、酸化反応と脱水反応が激しく行われるが、ＳＰＭ廃液に触れていない内側の成分は、反応熱をもらい反応せずにそのまま蒸発する。蒸発した溶媒は、再びＳＰＭ廃液に触れることなく放出されるため、分解されず、燃焼除害装置における燃料として利用することができる。

そして、図９（ｄ）に示されるように、ＳＰＭ廃液の過水の能力が衰えて有機物の炭化が進み、液が褐色になっていくと、濃縮液用ノズル４２４からの濃縮液の噴霧が終了される。なお、気体放出口４２５からのガス放出が加速されるように、真空排気が行われてもよい。図９（ｅ）に示されるように、ガスの放出が終了すると、ＳＰＭ排出口４２６から硫酸を含む液体の廃液が行われ、図９（ａ）の状態に戻る。

上述した第３の処理では、硫酸貯留部４２１にＳＰＭ廃液が貯留された状態において過水を失活させることにより、可燃性物質の分解反応を極力減らすことができる。このため、第３の処理は、各処理の中で最も安全性が高くなっている。

最後に、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ２６］に記載する。

［Ｅ１］
処理システムは、半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮部と、濃縮部によって濃縮された濃縮液を濃硫酸を含む液体で分解及び蒸発させる薬液処理部と、を備える。また、処理システムは、薬液処理部によって蒸発させられたガスを液化して捕集する捕集部を備える。

［Ｅ２］
捕集部は、ガスを気体成分と液体成分とに分離して捕集する、［Ｅ１］記載の処理システム。

［Ｅ３］
捕集部による処理後の物質を無毒化する無毒化部を更に備える、［Ｅ１］又は［Ｅ２］記載の処理システム。

［Ｅ４］
無毒化部は、捕集部による処理後の物質を燃焼除害する燃焼除害装置である、［Ｅ３］記載の処理システム。

［Ｅ５］
無毒化部は、捕集部による処理後の物質を亜臨界処理する亜臨界処理装置、又は超臨界処理をする超臨界処理装置である、［Ｅ３］記載の処理システム。

［Ｅ６］
濃縮部は、廃液を濃縮すると共に廃液に含まれる溶媒を分離させる、［Ｅ１］～［Ｅ５］のいずれか一項記載の処理システム。

［Ｅ７］
半導体製造装置は、少なくとも、リソグラフィー装置及び洗浄装置を有しており、濃縮部は、有機フッ素化合物を含む廃液として、リソグラフィー装置における基板処理廃液を濃縮する。そして、薬液処理部は、濃硫酸を含む液体として、洗浄装置の廃棄する濃硫酸を含む液体を利用する、［Ｅ１］～［Ｅ６］のいずれか一項記載の処理システム。

［Ｅ８］
半導体製造装置は、少なくとも、エッチング装置及び成膜装置を有しており、燃焼除害装置は、エッチング装置及び成膜装置において使用された、有機フッ素化合物を含む排ガスを利用して燃焼除害処理を行う、［Ｅ４］記載の処理システム。

［Ｅ９］
薬液処理部は、廃棄する濃硫酸を含む液体を貯留する第１貯留部と、第１貯留部に連続すると共に傾斜状に延びる傾斜部と、を有し、傾斜部は、滴下される濃縮液を受け、該濃縮液を第１貯留部に向かってガイドする、［Ｅ７］記載の処理システム。

［Ｅ１０］
薬液処理部は、濃縮液を貯留する第２貯留部を更に有し、第２貯留部において、廃棄する濃硫酸を含む液体が所定量だけ加えられて濃縮液と混ぜ合わされ、混ぜ合わされた液体が傾斜部を介して第１貯留部に流し込まれる、［Ｅ９］記載の処理システム。

［Ｅ１１］
処理方法は、半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮ステップと、濃縮ステップにおいて濃縮された濃縮液を濃硫酸を含む液体で分解及び蒸発させる薬液処理ステップと、を含む。更に、本処理方法は、薬液処理ステップにおいて蒸発させられたガスを液化して捕集する捕集ステップを含む。

［Ｅ１２］
捕集ステップでは、ガスを気体成分と液体成分とに分離して捕集する、［Ｅ１１］記載の処理方法。

［Ｅ１３］
捕集ステップにおける処理後の物質を無毒化する無毒化ステップを更に含む、［Ｅ１１］又は［Ｅ１２］記載の処理方法。

［Ｅ１４］
無毒化ステップでは、捕集ステップにおける処理後の物質を燃焼除害する、［Ｅ１３］記載の処理方法。

［Ｅ１５］
無毒化ステップでは、捕集ステップにおける処理後の物質を亜臨界処理する、［Ｅ１３］記載の処理方法。

［Ｅ１６］
濃縮ステップでは、廃液を濃縮すると共に廃液に含まれる溶媒を分離させる、［Ｅ１１］～［Ｅ１５］のいずれか一項記載の処理方法。

［Ｅ１７］
濃縮ステップでは、有機フッ素化合物を含む廃液として、リソグラフィー装置における基板処理廃液を濃縮する。薬液処理ステップでは、濃硫酸を含む液体として、洗浄装置の廃棄する濃硫酸を含む液体を利用する、［Ｅ１１］～［Ｅ１６］のいずれか一項記載の処理方法。

［Ｅ１８］
無毒化ステップでは、エッチング装置及び成膜装置において使用された、有機フッ素化合物を含む排ガスを利用して燃焼除害処理を行う、［Ｅ１４］記載の処理方法。

［Ｅ１９］
薬液処理ステップでは、廃棄する濃硫酸を含む液体を貯留する第１貯留部に連続すると共に傾斜状に延びる傾斜部に対して濃縮液を滴下する、［Ｅ１７］記載の処理方法。

［Ｅ２０］
薬液処理ステップでは、濃縮液を貯留する第２貯留部において、廃棄する濃硫酸を含む液体を所定量だけ加えて濃縮液と混ぜ合わせ、混ぜ合わせた液体を、傾斜部を介して第１貯留部に流し込む、［Ｅ９］記載の処理方法。

［Ｅ２１］
前記薬液処理部は、前記廃棄する濃硫酸を含む液体を貯留する第１貯留部と、前記濃縮液をミスト状にして前記第１貯留部に入れる濃縮液吐出部と、を有する、［Ｅ７］記載の処理システム。

［Ｅ２２］
前記濃縮液吐出部は、前記濃縮液を不活性ガスと共にミスト状にして噴霧する、［Ｅ２１］記載の処理システム。

［Ｅ２３］
前記薬液処理部は、前記第１貯留部に溜まったガスを排気する排気部と、前記濃硫酸を含む液体を廃液する排出口と、を有し、
前記薬液処理部における処理では、
前記第１貯留部に前記濃硫酸を含む液体を入れることと、
前記濃縮液吐出部が、前記濃縮液を不活性ガスと共にミスト状にして前記第１貯留部に噴霧することと、
前記排気部が、前記第１貯留部に溜まったガスを排気することと、
前記排出口から、前記濃硫酸を含む液体を廃液することと、が順次実行される、［Ｅ２２］記載の処理システム。

［Ｅ２４］
前記薬液処理部は、前記廃棄する濃硫酸を含む液体を貯留する第１貯留部と、前記濃縮液を前記第１貯留部に入れる濃縮液吐出部と、前記第１貯留部に溜まったガスを排気する排気部と、前記濃硫酸を含む液体を廃液する排出口と、を有し、
前記薬液処理部における処理では、
前記濃縮液吐出部が、前記濃縮液を前記第１貯留部に入れることと、
前記第１貯留部に前記濃硫酸を含む液体を入れることと、
前記排気部が、前記第１貯留部に溜まったガスを排気することと、
前記排出口から、前記濃硫酸を含む液体を廃液することと、が順次実行される、［Ｅ７］記載の処理システム。

［Ｅ２５］
前記濃硫酸を含む液体は、ＳＰＭ廃液である、［Ｅ２３］記載の処理システム。

［Ｅ２６］
前記薬液処理部における処理では、
前記第１貯留部に前記濃硫酸を含む液体を入れた後、前記濃縮液が噴霧される前において、過水の成分が蒸発するまで前記第１貯留部内を真空状態とすること、が実行される、［Ｅ２５］記載の処理システム。

［Ｅ２７］
前記不活性ガスは、窒素ガスである、［Ｅ２１］又は［Ｅ２２］記載の処理システム。

１，１Ａ…ＰＦＡＳ無毒化システム、１１…濃縮器（濃縮部）、１２…硫酸処理槽（薬液処理部）、１３…冷却装置（捕集部）、１４…無毒化装置（無毒化部）、１００…半導体製造装置、１１１…リソグラフィー装置、１１２…洗浄装置、１１３…エッチング装置、１１４…成膜装置、１２１…硫酸貯留部（第１貯留部）、１２２…傾斜部、１２５…濃縮液貯留部（第２貯留部）。

Claims (20)

1. 半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮部と、
   前記濃縮部によって濃縮された濃縮液を濃硫酸を含む液体で分解及び蒸発させる薬液処理部と、
   前記薬液処理部によって蒸発させられたガスを液化して捕集する捕集部と、を備える処理システム。
2. 前記捕集部は、前記ガスを気体成分と液体成分とに分離して捕集する、請求項１記載の処理システム。
3. 前記捕集部による処理後の物質を無毒化する無毒化部を更に備える、請求項１記載の処理システム。
4. 前記無毒化部は、前記捕集部による処理後の物質を燃焼除害する燃焼除害装置である、請求項３記載の処理システム。
5. 前記無毒化部は、前記捕集部による処理後の物質を亜臨界処理する亜臨界処理装置である、請求項３記載の処理システム。
6. 前記濃縮部は、前記廃液を濃縮すると共に前記廃液に含まれる溶媒を分離させる、請求項１～５のいずれか一項記載の処理システム。
7. 前記半導体製造装置は、少なくとも、リソグラフィー装置及び洗浄装置を有しており、
   前記濃縮部は、前記有機フッ素化合物を含む前記廃液として、前記リソグラフィー装置における基板処理廃液を濃縮し、
   前記薬液処理部は、前記濃硫酸を含む液体として、前記洗浄装置の廃棄する濃硫酸を含む液体を利用する、請求項１～５のいずれか一項記載の処理システム。
8. 前記半導体製造装置は、少なくとも、エッチング装置及び成膜装置を有しており、
   前記燃焼除害装置は、前記エッチング装置及び前記成膜装置において使用された、有機フッ素化合物を含む排ガスを利用して燃焼除害処理を行う、請求項４記載の処理システム。
9. 前記薬液処理部は、前記廃棄する濃硫酸を含む液体を貯留する第１貯留部と、前記第１貯留部に連続すると共に傾斜状に延びる傾斜部と、を有し、
   前記傾斜部は、滴下される前記濃縮液を受け、該濃縮液を前記第１貯留部に向かってガイドする、請求項７記載の処理システム。
10. 前記薬液処理部は、前記濃縮液を貯留する第２貯留部を更に有し、
    前記第２貯留部において、前記廃棄する濃硫酸を含む液体が所定量だけ加えられて前記濃縮液と混ぜ合わされ、混ぜ合わされた液体が前記傾斜部を介して前記第１貯留部に流し込まれる、請求項９記載の処理システム。
11. 前記薬液処理部は、前記廃棄する濃硫酸を含む液体を貯留する第１貯留部と、前記濃縮液をミスト状にして前記第１貯留部に入れる濃縮液吐出部と、を有する、請求項７記載の処理システム。
12. 前記濃縮液吐出部は、前記濃縮液を不活性ガスと共にミスト状にして噴霧する、請求項１１記載の処理システム。
13. 前記薬液処理部は、前記第１貯留部に溜まったガスを排気する排気部と、前記濃硫酸を含む液体を廃液する排出口と、を有し、
    前記薬液処理部における処理では、
    前記第１貯留部に前記濃硫酸を含む液体を入れることと、
    前記濃縮液吐出部が、前記濃縮液を不活性ガスと共にミスト状にして前記第１貯留部に噴霧することと、
    前記排気部が、前記第１貯留部に溜まったガスを排気することと、
    前記排出口から、前記濃硫酸を含む液体を廃液することと、が順次実行される、請求項１２記載の処理システム。
14. 前記薬液処理部は、前記廃棄する濃硫酸を含む液体を貯留する第１貯留部と、前記濃縮液を前記第１貯留部に入れる濃縮液吐出部と、前記第１貯留部に溜まったガスを排気する排気部と、前記濃硫酸を含む液体を廃液する排出口と、を有し、
    前記薬液処理部における処理では、
    前記濃縮液吐出部が、前記濃縮液を前記第１貯留部に入れることと、
    前記第１貯留部に前記濃硫酸を含む液体を入れることと、
    前記排気部が、前記第１貯留部に溜まったガスを排気することと、
    前記排出口から、前記濃硫酸を含む液体を廃液することと、が順次実行される、請求項７記載の処理システム。
15. 前記濃硫酸を含む液体は、ＳＰＭ廃液である、請求項１３記載の処理システム。
16. 前記薬液処理部における処理では、
    前記第１貯留部に前記濃硫酸を含む液体を入れた後、前記濃縮液が噴霧される前において、過水の成分が蒸発するまで前記第１貯留部内を真空状態とすること、が実行される、請求項１５記載の処理システム。
17. 前記不活性ガスは、窒素ガスである、請求項１２記載の処理システム。
18. 半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮ステップと、
    前記濃縮ステップにおいて濃縮された濃縮液を濃硫酸を含む液体で分解及び蒸発させる薬液処理ステップと、
    前記薬液処理ステップにおいて蒸発させられたガスを液化して捕集する捕集ステップと、を含む処理方法。
19. 前記捕集ステップでは、前記ガスを気体成分と液体成分とに分離して捕集する、請求項１８記載の処理方法。
20. 前記捕集ステップにおける処理後の物質を無毒化する無毒化ステップを更に含む、請求項１８記載の処理方法。

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