JP2024022955A - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents
液処理装置及び液処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024022955A JP2024022955A JP2022126419A JP2022126419A JP2024022955A JP 2024022955 A JP2024022955 A JP 2024022955A JP 2022126419 A JP2022126419 A JP 2022126419A JP 2022126419 A JP2022126419 A JP 2022126419A JP 2024022955 A JP2024022955 A JP 2024022955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cup
- flow path
- annular body
- exhaust port
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 67
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 description 9
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 101150038956 cup-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】カップ内における排気の流路を切り替え可能な液処理装置について、大型化を防止すること【解決手段】載置部に載置された基板を囲むカップと、前記カップの底部に設けられ、当該カップ内を排気する排気口と、平面視で前記基板を囲むように前記カップ内に設けられ、前記カップの開口から当該カップ内に流入する気体の流路を形成する環状体と、前記環状体を第1相対高さに位置させて、前記カップの中心側から前記排気口へ前記気体を流入させる第1流路による排気を行う第1状態と、前記環状体を第2相対高さに位置させて、前記カップの外周側から前記排気口へ前記気体を流入させる第2流路による排気を行う第2状態と、を切り替えるために前記カップに対して前記環状体を相対的に昇降させる昇降機構と、前記第1流路、前記第2流路の各々において前記排気口の上流側に開口する排液口と、を備える。【選択図】図3
Description
本開示は、液処理装置及び液処理方法に関する。
半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ(以下、ウエハと記載する)に対して各種の処理液が供給されることで、処理が行われる。特許文献1には、カップ(外カップ)内にウエハが収納されて、第1の現像液(ポジティブトーン現像液)及び第2の現像液(ネガティブトーン現像液)のうちから選択される現像液がウエハに供給されて、処理が行われる現像装置について記載されている。当該現像装置では、第1の現像液用の排気口、第1の現像液用の排液口、第2の現像液用の排気口、第2の現像液用の排液口が、外カップの径方向における互いに異なる位置に配置されている。そして、使用する現像液に応じて外カップ内に設けられる環状体(内カップ)の高さが変化することで、外カップ内における排気及び排液の流路が変化する。
本開示は、カップ内における排気の流路を切り替え可能な液処理装置について、大型化を防止することができる技術を提供する。
本開示の液処理装置は、基板を載置する載置部と、
前記載置部に載置された基板を囲むカップと、
前記基板に処理液を供給して処理を行う処理液供給部と、
前記カップの底部に設けられ、当該カップ内を排気する排気口と、
平面視で前記基板を囲むように前記カップ内に設けられ、前記カップの開口から当該カップ内に流入する気体の流路を形成する環状体と、
前記環状体を第1相対高さに位置させて、前記カップの中心側から前記排気口へ前記気体を流入させる第1流路による排気を行う第1状態と、前記環状体を第2相対高さに位置させて、前記カップの外周側から前記排気口へ前記気体を流入させる第2流路による排気を行う第2状態と、を切り替えるために前記カップに対して前記環状体を相対的に昇降させる昇降機構と、
前記第1流路、前記第2流路の各々において前記排気口の上流側に開口する排液口と、
を備える。
前記載置部に載置された基板を囲むカップと、
前記基板に処理液を供給して処理を行う処理液供給部と、
前記カップの底部に設けられ、当該カップ内を排気する排気口と、
平面視で前記基板を囲むように前記カップ内に設けられ、前記カップの開口から当該カップ内に流入する気体の流路を形成する環状体と、
前記環状体を第1相対高さに位置させて、前記カップの中心側から前記排気口へ前記気体を流入させる第1流路による排気を行う第1状態と、前記環状体を第2相対高さに位置させて、前記カップの外周側から前記排気口へ前記気体を流入させる第2流路による排気を行う第2状態と、を切り替えるために前記カップに対して前記環状体を相対的に昇降させる昇降機構と、
前記第1流路、前記第2流路の各々において前記排気口の上流側に開口する排液口と、
を備える。
本開示によれば、カップ内における排気の流路を切り替え可能な液処理装置について、大型化を防止することができる。
本開示の液処理装置の一実施形態に係る現像装置1について、図1の平面図を参照して説明する。現像装置1に対しては図示しない搬送機構によって、円形の基板であるウエハWが搬送される。このウエハWの表面には所定のパターンに沿って露光されたレジスト膜が形成されており、このレジスト膜は、ポジ型またはネガ型のレジストにより構成される。現像装置1は、ウエハWに形成されたレジスト膜に応じて、ポジ型レジスト用の現像液(ポジ型現像液)D1またはネガ型レジスト用の現像液(ネガ型現像液)D2を、当該ウエハWに供給して現像処理を行う。なお現像装置1では、現像処理後において洗浄液をウエハWの表面に供給することによる洗浄処理も行われる。従って、現像液(ポジ型現像液D1、ネガ型現像液D2)及び洗浄液が、ウエハWを処理する処理液である。
現像装置1は、スピンチャック11と、カップ2と、昇降機構50と、環状体4と、ポジ型現像液処理機構8Aと、ネガ型現像液処理機構8Bと、洗浄液処理機構8Cと、を備えている。図示しない搬送機構によってカップ2の後方側から搬送されたウエハWが当該カップ2内に収納され、載置部であるスピンチャック11に載置された状態で、上記の現像処理及び洗浄処理が行われる。カップ2内には排気口20が形成されており、カップ2の周囲の雰囲気を形成する気体が、当該カップ2の開口から流入して当該排気口20から排気されることで、処理時に発生するミストがカップ2の外部へ漏洩することが防止される。
環状体4はカップ2内に設けられ、昇降機構50によって当該カップ2内における上方位置(第1相対高さ)と下方位置(第2相対高さ)との間を昇降することで、カップ2内にて使用される流路(排気経路)を、第1流路21と第2流路22との間で切り替える役割を有する。この切替えは、第1流路21及び第2流路22の一方を狭窄して圧力損失を高くすると共に、他方を拡張して圧力損失を低くすることで行われ、狭窄が行われた流路については排気量がゼロないしは微量となる。ポジ型現像液D1による処理時ではカップ2内の上方位置に、ネガ型現像液D2による処理時ではカップ2内の下方位置に、夫々環状体4が位置する。なお、流路の狭窄には、流路の幅が縮小化されることの他に、流路が閉鎖されることも含まれる。流路の狭窄は、環状体4が他の壁面(底壁35)に対して非接触の状態で成されてもよいし、接触した状態で成されてもよい。流路の狭窄が上記の非接触の状態で成される場合は、部材の摩耗や欠損による排気圧の不安定化を抑制できる。
第1流路21の下流端及び第2流路22の下流端は、上記の排気口20により構成される。従って、当該排気口20は第1流路21、第2流路22で共通であり、これらの流路の下流端として構成される。そして第1流路21、第2流路22において、当該排気口20の形成位置よりも上流側に、第1排液口23、第2排液口24が夫々開口する。互いに性質が異なるポジ型現像液D1とネガ型現像液D2とを分離して排液するという要請に対応できるように、ポジ型現像液D1、ネガ型現像液D2は、第1流路21、第2流路22を夫々通流し、第1排液口23、第2排液口24に夫々流入して除去されるようにカップ2が構成されている。以上のカップ2及び環状体4の構成については、後に詳述する。
続いて、ポジ型現像液処理機構8Aの構成について述べる。ポジ型現像液処理機構8Aには、ガイドレール81、移動機構82、アーム83、及びポジ型現像液ノズル84Aを備えている。ガイドレール81は、カップ2に対する前方側において左右方向に伸長して設けられている。ガイドレール81には移動機構82が接続されており、当該移動機構82はガイドレール81に沿って、左右に移動自在である。また移動機構82から後方に向けてアーム83が伸長しており、当該アーム83は、移動機構82により昇降自在である。
アーム83の先端側にポジ型現像液ノズル84Aが設けられており、ポジ型現像液ノズル84Aの下端部には左右に延びるスリットが吐出口85として開口している。ポジ型現像液ノズル84Aは図示しないポジ型現像液の供給機構に接続されており、当該供給機構から供給されたポジ型現像液D1が、吐出口85から下方に吐出される。移動機構82によってポジ型現像液ノズル84Aは、カップ2の外側において当該ポジ型現像液ノズル84Aを待機させる待機領域86Aと、スピンチャック11に載置されたウエハW上との間を移動し、当該ウエハW上でポジ型現像液D1を吐出する。
ネガ型現像液処理機構8Bについては、現像液ノズルがネガ型現像液D2の供給機構(不図示)に接続されることによって、ネガ型現像液D2を吐出することを除いて、ポジ型現像液処理機構8Aと同様の構成である。当該ネガ型現像液処理機構8Bが備える現像液ノズルについてはネガ型現像液ノズル84Bとして示している。
洗浄液処理機構8Cについては、ポジ型現像液ノズル84Aの代わりに洗浄液ノズル84Cを備えることを除いてポジ型現像液処理機構8Aと同様の構成であり、洗浄液ノズル84Cの下端には、比較的小さい円孔である吐出口(不図示)が形成されている。洗浄液ノズル84Cは図示しない洗浄液、例えば純水の供給機構に接続されており、当該供給機構から供給された洗浄液が、洗浄液ノズル84Cの吐出口から下方に吐出される。ネガ型現像液ノズル84B、洗浄液ノズル84Cの夫々についても、カップ2の外側に設けられる待機領域86B、86Cと、スピンチャック11に載置されたウエハW上との間を移動することができ、当該ウエハW上にてネガ型現像液D2、洗浄液を夫々吐出する。なお、以降の説明で現像液ノズル84A、84B、洗浄液ノズル84Cをまとめて、ノズル84として記載する場合が有り、ノズル84は、特許請求の範囲における処理液供給部に相当する。
続いて、図2~図5を参照して説明する。図2~図5は、環状体4及びカップ2の縦断面図であり、図2及び図4は環状体4が上方位置に位置する状態を、図3及び図5は環状体4が下方位置に位置する状態を夫々示している。また図4、図5ではポジ型現像液D1による現像処理中の状態、ネガ型現像液D2による現像処理中の状態を夫々示しており、カップ2の外部から、カップ2内の排気口20へと流れる気流を点線の矢印で示している。なお、図4、図5では上記の気流と共に、第1排液口23、第2排液口24へ夫々向うポジ型現像液D1の液流、ネガ型現像液D2の液流を示すために、これらの第1排液口23及び第2排液口24を、図2、図3に示す位置とはカップ2の周方向に異なる位置に表している。
上記したようにカップ2内にはスピンチャック11が設けられている。スピンチャック11は、ウエハWの下面の中心部を真空吸着することで、当該ウエハWを水平に保持する。スピンチャック11は、鉛直方向(垂直方向)に伸びるシャフト12上に設けられ、シャフト12の下部側は回転機構13に接続されている。当該回転機構13により、シャフト12を介してスピンチャック11が回転し、吸着されたウエハWが鉛直軸回りに回転する。
平面視でスピンチャック11を囲むように、ウエハWを支持するためのピン14が3本(図2~図5では2本のみ表示している)設けられており、昇降機構15によって昇降自在に構成されている。ピン14の昇降によって、ウエハWの搬送機構と、スピンチャック11との間でウエハWの受け渡しが行われる。
続いてカップ2について説明する。カップ2は円形であり、当該カップ2の中心軸は、スピンチャック11の回転軸に一致している。以後、上面視におけるカップ2の中心軸に向かう方向を「中心方向」といい、この中心方向の反対方向を「外周方向」という、これらを総じて「径方向」ということもある。カップ2は、スピンチャック11の下方に位置してシャフト12を囲むように設けられる水平な円環板25を備えている、上記のピン14は当該円環板25を貫通して設けられている。
円環板25の周縁部の下部側は、垂直下方(鉛直下方)に延びる垂直壁28を形成する。そして、円環板25の周縁部の上部側は、垂直上方(鉛直上方)に隆起して隆起部29をなし、この隆起部29が外周方向に張り出して、垂直壁28の外側に位置するフランジ部30を形成する。フランジ部30は、縦断面視で外周に向かうにつれて尖頭する形状とされることで、隆起部29の内縁からフランジ部30の上面の外周縁に亘って、下る傾斜面が形成されており、付着した液をカップ2の下方へとガイドする。この傾斜面は下降する途中、フランジ部30において傾斜が急になっており、当該傾斜が急な部位について、傾斜面30Aとして示している。
フランジ部30の内側には、隆起部29の内側面に沿う円環部材31が設けられ、円環部材31の上面周縁部には、上方に突出する環状のシール用突起31aが設けられている。シール用突起31a及びウエハWの距離は、フランジ部30及びウエハとの距離より小さく、微小である。円環部材31は、円環板25に対して高さが調整自在であり、従って、ウエハWの下面に対するシール用突起31aの距離は調整自在である。このシール用突起31aは、ウエハWの下面において当該ウエハWの中心側に向けて移動するミストを遮蔽したり、ウエハWの上面から回り込んでウエハWの中心側へと移動する液を遮蔽したりする。それによって、現像装置1での処理後の各処理で不具合が発生することを防止する。
カップ2は、垂直壁28の下端部から外周方向に広がる水平な環状壁33と、環状壁33の外側周縁部から上方に延びて円筒形状を有し、カップ2の外側面を構成する側壁34と、環状壁33の上方に設けられて側壁34及び垂直壁28を繋ぐ環状の壁である底壁35と、を備える。底壁35の幅中心部は盛り上がることで、縦断面視で上方へ向かうにつれて細る環状突部36を形成する。底壁35において、環状突部36より内側、外側に夫々設けられる部位を内側基壁35A、外側基壁35Bとする。以後、これらの内側基壁35A、外側基壁35Bをまとめて基壁35A、35Bということもある。
基壁35A、35Bは、径方向を環状突部36に向かうにつれて上がるようになだらかに傾斜する。内側基壁35Aには、カップ2の周方向に間隔を空けて配列される複数の第1排液口23が設けられ、外側基壁35Bには、カップ2の周方向に間隔を空けて配列される複数の第2排液口24が設けられている。第1排液口23、第2排液口24に流れる排液は、底壁35に接続された排液路形成部材71、72を夫々介してカップ2の外に排出される。
底壁35について、環状突部36の内側の側面を形成する部位、外側の側面を形成する部位を夫々内側傾斜壁36C、外側傾斜壁36Dとすると、内側傾斜壁36C及び外側傾斜壁36Dの傾斜は、基壁35A及び35Bの傾斜よりも急峻である。環状突部36の上端には水平面36Eが設けられ、当該水平面36Eの内周縁には、当該内周縁に沿って上方に突出する狭窄用突起36Fが設けられている。狭窄用突起36Fの内側面については、内側傾斜壁36Cがなす側面(傾斜面)に連続する。
環状突部36の水平面36Eにおける狭窄用突起36Fの外周側には、周方向に間隔を空けて設けられ、かつ上方に向かう複数の排気口20が開口している。底壁35及び環状壁33の間の空間は、複数の排気口20に繋がると共に、図示しない工場の排気路に接続されて負圧になるため、カップ2内は排気口20を介して工場の排気路に排気される。なお、図2、図3中で、排気口20を第1排液口23及び第2排液口24と同一平面に示しているが、これらはカップ2の平面視での直径に沿って配置されることには限られない。
側壁34上には、中心側に向かうように延びる環状の上壁部37が設けられており、上壁部37の内周縁はフランジ部30の傾斜面30A上に位置している。この上壁部37の内周縁に囲まれる領域がカップ2の開口部を形成し、当該開口部を介してウエハWがスピンチャック11に受け渡される。上壁部37は、特許請求の範囲における被覆部に相当する。上壁部37は、間隙をもってスピンチャック11上のウエハWの周縁端を囲っている。
上壁部37の下面は、中心側に向うにつれて上る狭窄用傾斜面37aとして構成され、この狭窄用傾斜面37aの上端が下方へと突出することで環状下方突起37bを形成しており、当該環状下方突起37bは、上壁部37の内周縁部を構成している。この上壁部37の構成について換言すると、上壁部37の下部には、上方に向かって凹む環状の凹部37cが設けられ、狭窄用傾斜面37aは、当該凹部37cの底面に相当する。
以上のようなカップ2は、円環板25、垂直壁28、及びフランジ部30を含む中心側構造2Aと、側壁34及び上壁部37を含む外周側構造2Bと、底壁35及び環状壁33を含むと共に中心側構造2A及び外周側構造2Bを繋ぐ底側構造2Cと、によって構成されている。カップ2は、中心側構造2A、外周側構造2B、及び底側構造2Cに囲まれる空間を有する。
続いて環状体4について説明すると、環状体4の中心軸は、スピンチャック11の回転軸と同一である。また、環状体4は、カップ2の中心側構造2A、外周側構造2B、及び底側構造2Cに囲まれる空間に設けられ、上面視において間隙をもってウエハWの周囲に設けられている。環状体4は、垂直に延びる円筒形状の垂直壁41と、垂直壁41の上端から内側上方に向けて延びる上側傾斜壁42と、垂直壁41の下端から内側下方と外側下方とに分岐して延びる伸長部である内側傾斜壁43及び外側傾斜壁44と、を有し、上側傾斜壁42、内側傾斜壁43、外側傾斜壁44の各々は円筒形状である。
上側傾斜壁42の外周面は、上壁部37の狭窄用傾斜面37aに対して、縦断面視で平行し、後に詳述するように環状体4が上方位置にある場合に、当該上壁部37の狭窄用傾斜面37aに近接する。補足しておくと、上側傾斜壁42の上端部については、上方に向うにつれて肉厚が小さくなることで、縦断面視で尖頭する。また、この上端部における外周面は、当該上端部よりも下方側の外周面に比べて傾斜が緩やかとなるように形成されている。以上の構成により、上記のように狭窄用傾斜面37aと上側傾斜壁42とが近接する際に、環状下方突起37bの下端と上側傾斜壁42の上端とについても近接し、第2流路22の狭窄される部位としては長く、圧力損失を十分に高めることができるように構成されている。
環状体4の内側傾斜壁43について、先端側は基端側に対して傾斜が急になるように屈曲されており、基端側、先端側を基端側傾斜部43a、先端側傾斜部43bとして夫々示している。先端側傾斜部43bは、環状突部36を形成する内側傾斜壁36Cに対して平行に設けられている。先端側傾斜部43bの先端部の厚さは、先端に向かうにつれて徐々に小さくなり、縦断面視で当該先端は尖ることで、第1流路21の拡張時における圧力損失の低下が防止されるように構成されている。
外側傾斜壁44についても、内側傾斜壁43同様、先端側は基端側に対して屈曲されることで、基端側よりも傾斜が急である。そして、外側傾斜壁44の先端部の厚さは、先端に向かうにつれて徐々に小さくなり、縦断面視で当該先端は尖り、第2流路22の拡張時における圧力損失の低下が防止されるように構成されている。そして、外側傾斜壁44の先端(下端)は、内側傾斜壁43の先端(下端)よりも上方に位置している。なお、外側傾斜壁44の外周面の一部が支持部材を介してカップ2の外部に設けられる昇降機構50に接続されている。
カップ2と環状体4との位置関係を述べる。環状体4の上側傾斜壁42は、カップ2の上壁部37の下方、詳しくは直下域に設けられており、上側傾斜壁42の内周縁と、上壁部37の内周縁とは平面視で互いに揃い、上記したように環状下方突起37bと上側傾斜壁42とが近接可能である。環状体4の垂直壁41の外側面とカップ2の側壁34の内側面とは、相互に離隔し、カップ2の径方向において対向している。
環状体4の内側傾斜壁43及び外側傾斜壁44は、カップ2の垂直壁28及びフランジ部30と側壁34と底壁35とに囲まれる空間に設けられている。環状体4の内側傾斜壁43における基端側傾斜部43aは、底壁35の環状突部36の上方、つまり直上域に設けられ、基端側傾斜部43aの下面である対向傾斜面40は、排気口20に対向している。環状突部36の頂部をなす水平面36Eよりも中心側に環状体4の内側傾斜壁43の下端が、水平面36Eよりも外周側に環状体4の外側傾斜壁44の下端が、夫々位置している。また、内側傾斜壁43の下端、外側傾斜壁44の下端は、底壁35から各々浮いている。
上記した第1流路21及び第2流路22について詳しく述べると、これらの流路はカップ2の開口を基端とした環状の流路である。第1流路21は、環状体4の内側とカップ2との間、詳細にはカップ2の中心側構造2A及び底側構造2Cと環状体4との間に形成される流路である。さらに詳細に述べると、第1流路21は、環状体4の上側傾斜壁42、垂直壁41、内側傾斜壁43と、カップ2のフランジ部30、垂直壁28、内側基壁35A、環状突部36と、の間に形成され、ここで挙げた環状体4の各部、カップ2の各部は各々この順で第1流路21を上流から下流に向かって形成する。
第2流路22は、環状体4の外側とカップ2の間、詳細にはカップ2の外周側構造2B及び底側構造2Cと環状体4との間に形成される流路である。さらに詳細に述べると、第2流路22は、環状体4の上側傾斜壁42、垂直壁41、外側傾斜壁44、内側傾斜壁43の基端側傾斜部43aと、カップ2の上壁部37、側壁34、外側基壁35B、環状突部36と、の間に形成され、ここで挙げた環状体4の各部、カップ2の各部は各々この順で当該第2流路22を上流から下流に向かって形成する。また、第1流路21及び第2流路22の下流側は、環状体4の下側、詳細には、環状体4の内側傾斜壁43の基端側傾斜部43aとカップ2の底側構造2Cとの間に形成されている。
従って、第1流路21は、カップ2内の中心側寄りを屈曲しながら下方へと向かい、カップ2の底壁35上をカップ2の中心側から排気口20へと向かうように形成されている。そして、2流路22は、カップ2内の外周側寄りを屈曲しながら下方へと向かい、カップ2の底壁35上をカップ2の外周側から排気口20へと向かうように形成されている。
そして、底壁35の内側基壁35Aに形成される第1排液口23は、第1流路21において排気口20が形成される環状突部36の水平面36Eより上流に位置し、底壁35の外側基壁35Bに形成される第2排液口24は、第2流路22において水平面36Eより上流に位置する。
そして、底壁35の内側基壁35Aに形成される第1排液口23は、第1流路21において排気口20が形成される環状突部36の水平面36Eより上流に位置し、底壁35の外側基壁35Bに形成される第2排液口24は、第2流路22において水平面36Eより上流に位置する。
排液経路の切替えについて、環状体4が上方位置に配置される状態では、第1流路21が拡張され、かつ第2流路22が狭窄されることによって、第1流路21が排気経路として使用される。以後、環状体4が上方位置に配置される状態を「上方配置状態」といい、環状体4が下方位置に配置される状態を「下方配置状態」という。下方配置状態では、第1流路21が狭窄され、かつ第2流路22が拡張されることによって、第2流路21が排気経路として使用される。上方配置状態、下方配置状態は夫々第1状態、第2状態に相当する。
上方配置状態においては、カップ2の上壁部37の凹部37c内に、環状体4の上側傾斜壁42が進入し、凹部37cをなす狭窄用傾斜面37aと、上側傾斜壁42の外周面とが、近接して対向した状態となる。そのような近接及び対向によって、第2流路22のうちの比較的長い部位が狭窄された状態となり、当該部位における圧力損失は比較的大きくなる。そのように比較的大きな圧力損失によって、第2流路22による排気量はゼロないしは微量となる。即ち、第2流路22による排気が停止した状態となる。
その一方で、上方配置状態の第1流路21については狭窄される部位が形成されていない。より詳しくは、上方配置状態においては、後述するように下方配置状態にて第1流路21を狭窄することになる、環状体4の上側傾斜壁42の先端とカップ2のフランジ部30の傾斜面30Aとは比較的大きく離間し、また、カップ2の環状突部36の狭窄用突起36Fと環状体4の対向傾斜面40とについても比較的大きく離間している。そして、環状体4の内側傾斜壁43の先端側傾斜部43bと、環状突部36の内側傾斜壁36Cとの近接、対向が解除された状態となっている。このように第1流路21について、下方配置状態で狭窄される部位が、上方配置状態では拡張された状態となっているため、当該第1流路21では排気が行われる。
なお、この上方配置状態において、第2流路22の狭窄される部位としては、スピンチャック11に載置されるウエハWの上方である。この狭窄を行うカップ2と環状体4とは互いに近接するが非接触であるため、この狭窄する部位でのパーティクルの発生、及び当該パーティクルのウエハWの上面であるデバイス形成面への付着が防止される。
下方配置状態においては、環状体4の上側傾斜壁42の先端とフランジ部30の傾斜面30Aとが接触し、環状突部36の狭窄用突起36Fと、環状体4の対向傾斜面40とが近接し、さらに環状体4の内側傾斜壁43の先端側傾斜部43bと、環状突部36の内側傾斜壁36Cとが互いに対向して近接した状態となる。即ち、上側傾斜壁42の先端と傾斜面30Aとの間(上流隙間とする)、狭窄用突起36Fと環状体4の対向傾斜面40との間(下流隙間とする)、先端側傾斜部43bと傾斜壁36Cとの間の隙間(中流隙間とする)において、圧力損失が高くなる。
なおパーティクルの発生を抑制するために、上側傾斜壁42の先端はフランジ部30の傾斜面30Aに対する押圧、密着がなされていない。それ故に、上側傾斜壁42の先端と傾斜面30Aとの間には、上流隙間として記載した、ごく微小な隙間が形成されることになる。このように第1流路21における各部が狭窄された状態となり、そのように狭窄された部位である上流隙間、中流隙間、下流隙間の各々で圧力損失が比較的大きいことから、第1流路21による排気量がゼロないしは微量となる。即ち、第1流路21による排気が停止した状態となる。
その一方で、下方配置状態の第2流路22については狭窄される部位が形成されていない。より詳しくは、下方配置状態においては、上方配置状態にて第2流路22を狭窄する、カップ2の上壁部37の凹部37c及び上側傾斜壁42について、上側傾斜壁42がカップ2の上壁部37の凹部37cに進入せず、凹部37cの下方に位置し、当該凹部37cをなす狭窄用傾斜面37aと上側傾斜壁42とが比較的大きく離間した状態となっている。このように第2流路22について、上方配置状態で狭窄される部位が下方配置状態では拡張された状態となっているため、当該第2流路22では排気が行われる。
なお下方配置状態おいては、上側傾斜壁42の先端とフランジ部30の傾斜面30Aとが接触し、上記した上流隙間については微細であることで、ウエハWから落下した液が当該上流隙間を介して、第1流路21に流れて第1排液口23へ流入することが抑制される。そして、このように上側傾斜壁42とフランジ部30とが接触する部位としては、スピンチャック11上のウエハWの下方であるため、仮にパーティクルが発生してもウエハWの上面への付着が防止される。
以上のような第1流路21及び第2流路22においては、各部の幅、長さ、及び屈曲などの構成によって、上方配置状態のカップ2内の排気経路(第1流路21及び第2流路22)の総圧力損失と、下方配置状態のカップ2内の排気経路の総圧力損失とを同じもしくは概ね同一にしている。このため、ポジ型現像液D1による処理時とネガ型現像液D2による処理時とでカップ2の排気性能を同等にし、いずれの処理時でもカップ2外へのミストの流出を防止できるように構成されている。
ところで、上記のようなカップ2の環状突部36及び環状体4の下端部の各形状による流路形成の利点について、より明確に述べるために比較例を挙げる。仮に、環状体4の内側傾斜壁43の先端側傾斜部43bが垂直下方に延びる垂直壁Xであり、外側傾斜壁44が垂直下方に伸びる垂直壁Yであり、底壁35の環状突部36の内側傾斜壁36C、外側傾斜壁36Dが垂直壁であり、当該垂直壁が夫々中心側、外周側に向く垂直面α、βを形成するものとする。垂直壁Xは垂直面αよりもカップ2の中心側に位置し、垂直壁Yは垂直面βよりもカップ2の外周側に位置する。つまり傾斜壁として説明した各部について、カップ2の径方向における配置順は変わらずに、垂直壁をなすように形成されたものを比較例(第1比較例)とし、これまでに述べた構成は実施例とする。
その第1比較例において、上方配置状態では、環状体4の垂直壁Xの下端が環状突部36の垂直面αの上方に位置することで、第1流路21は拡張された状態であり、下方配置状態では、垂直壁Xと垂直面αとが近接して対向することで第1流路21が狭窄された状態であるようにする。その一方、環状体4の垂直壁Yと環状突部36の垂直面βとは比較的離れて対向することで、第2流路22は狭窄されていない状態とされるようにしてもよい。
ただしそのような構成とした場合、仮に垂直壁X及び/または垂直面αに関して製造誤差が生じたとすると、その誤差がこれら垂直壁Xと垂直面αとの間の隙間寸法に与える影響をキャンセルすることが困難となる場合が発生するおそれが有る。具体的に、隙間寸法が設計値よりも小さくなることで、環状体4の下方位置への移動時に、垂直壁Xが垂直面αに接触してしまうことが考えられる。また、上記の隙間寸法が設計値よりも大きくなることで、第1流路21が十分に狭窄しないことが考えられる。そのような不具合が発生した場合に、例えば環状体4や垂直壁Xを含むカップ2の部品の再製造が必要になってしまうおそれがある。垂直壁Y、垂直面β間の隙間については垂直壁X、垂直面α間の隙間よりも大きい分、垂直壁Y及び/または垂直面βの製造誤差に起因してこれらが互いに接触する懸念は低いが、第2流路22のコンダクタンス(conductance)が適正な範囲から外れるおそれが有る。
しかし、実施例のように、環状突部36において内側傾斜壁36C及び外側傾斜壁36Dを形成し、内側傾斜壁36Cと環状体4の内側傾斜壁43の先端側傾斜部43bとの間、外側傾斜壁36Dと、環状体4の外側傾斜壁44との間で各々流路を形成する構成とする。つまり、環状体4の昇降方向に対して、環状突部36の各側面、及び当該環状体4の下端部の各壁を傾けた構成とする。それにより、環状体4の高さを調整することで、環状突部36の各側面及び当該環状体4の各壁がなす流路の幅を調整可能である。
従って、第1流路21を狭窄するにあたっては先端側傾斜部43bと環状突部36の内側傾斜面35Cとの干渉を防ぎ、第2流路22のコンダクタンスを適正な範囲に収めることが容易となる。即ち、実施例の構成によれば製造誤差を許容できる範囲が広くなり、有利である。
ところで、環状体4の先端側傾斜部43bと、環状突部36の内側傾斜壁36Cとが互いに近接、対向することで第1流路21を狭窄するとして記載した。これら先端側傾斜部43bと内側傾斜壁36Cとがなす中流隙間の幅は比較的小さいので、そのように狭窄に寄与するが、狭窄用突起36Fと環状体4の基端側傾斜部43aの対向傾斜面40とがなす下流隙間の幅はより小さく、環状体4の上側傾斜壁42と、カップ2のフランジ部30の傾斜面30Aとがなす上流隙間の幅は、ゼロないし略ゼロである。それ故に、これらの狭窄用突起36F、対向傾斜面40、環状体4の上側傾斜壁42及びフランジ部30の傾斜面30Aが、第1流路21による排気を停止させることに、より大きく寄与する。
なお、環状突部36が内側傾斜壁36C、外側傾斜壁36Dを備えると共に、環状体4に内側傾斜壁43及び外側傾斜壁44が設けられることで、これらの傾斜壁を伝わって、第1排液口23、第2排液口24に処理液がガイドされ、カップ2内での滞留をより確実に防止することができる利点も有る。
また、環状体4に対向傾斜面40が形成されることは、上記のように第1流路21の狭窄を行うにあたり、第1流路21の隙間を狭めてより確実に第1流路21による排気を防止し、第2流路22についてはその狭窄に影響されずに十分なコンダクタンスを得る上で有効な構成である。これは、ネガ型現像液D2による処理中に第1流路21を介した排気によって当該ネガ型現像液D2が第1排液口23に流入することが抑制されるので、より確実にポジ型現像液D1と、ネガ型現像液D2とを分離して除去することに寄与する。
図1に戻って説明すると現像装置1は、制御部10を備えている。制御部10はコンピュータにより構成されており、プログラムを備えている。プログラムには、後述する現像装置1による一連の処理を実施することができるように、ステップ群が組み込まれている。そして、当該プログラムによって制御部10は現像装置1の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。具体的には、回転機構13によるスピンチャック11の回転数、昇降機構15によるピン14の昇降、各供給機構から各ノズル84への処理液の供給、各移動機構82によるノズル84の移動、昇降機構50による環状体4の昇降などの各動作が、上記の制御信号によって制御される。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、DVDなどの記憶媒体に格納されて、制御部10にインストールされる。
続いて現像装置1におけるウエハWの処理について、順を追って説明する。先ず、搬送機構によってポジ型レジスト膜が形成されたウエハWが、スピンチャック11上に搬送されると、ピン14を介して当該ウエハWがスピンチャック11上に載置されて吸着保持される。この際に環状体4が下方位置に位置しているものとすると、当該環状体4は上方位置に移動し、第2流路22については狭窄される一方、第1流路21については拡張される。それにより、カップ2の外部の気体が第2流路22を通過して排気口20へ流入する状態から、第1流路21を通過して排気口20へ流入する状態になるように切り替わる。
ポジ型現像液ノズル84Aが待機領域86AからウエハW上に移動する一方、ウエハWが回転する。そして、ポジ型現像液ノズル84Aは、ウエハWの周縁部上からポジ型現像液D1を吐出しつつ、ウエハWの径方向に沿ってウエハWの中心部上に向けて移動し、ウエハWの表面全体にポジ型現像液D1が供給されて、現像処理が行われる。この現像処理中にウエハW上面からこぼれ落ちたポジ型現像液D1は、図4に示すように、フランジ部30の傾斜面30Aに垂れる。
そのように第1流路21において、フランジ部30の傾斜面30Aに垂れたポジ型現像液D1は、第1流路21の底部である底壁35の内側基壁35A上に垂れ、当該内側基壁35Aを下って第1排液口23へ流入する。このように、ポジ型現像液D1は、第1流路21を流れて第1排液口23へ流入することで、カップ2内から除去される。また、ウエハWやカップ2からポジ型現像液D1が撥ねることで生じたミストについては、第1流路21を流れる上記の気体の排気流に乗って排気口20へ流入し、カップ2内から除去される。
その後、ポジ型現像液ノズル84Aからのポジ型現像液D1の吐出が停止し、待機領域86Aへ戻る一方、洗浄液ノズル84Cが待機領域86CからウエハWの中心部上に移動し、当該洗浄液ノズル84Cから回転するウエハWの中心部に洗浄液が吐出されて、ウエハW上からポジ型現像液D1が押し流されて除去される。これらのポジ型現像液D1及び洗浄液についても第1流路21を介して第1排液口23へと流れて除去され、ミスト化したものは排気口20に流入することでカップ2内から除去される。然る後、洗浄液ノズル84Cからの洗浄液の吐出が停止し、待機領域86Cへ戻る一方、ウエハWの回転が続けられて洗浄液が振り切られ、ウエハWが乾燥する。その後、ウエハWの回転が停止し、ピン14を介してウエハWが搬送機構に受け渡され、現像装置1から搬出される。
次に搬送機構によって、ネガ型レジスト膜が形成されたウエハWが、スピンチャック11上に搬送されるとする。環状体4は下方位置に移動し、第2流路22については拡張される一方、第1流路21については狭窄される。それにより、カップ2の外部の気体が第1流路21を通過して排気口20へ流入する状態から、第2流路22を通過して排気口20へ流入する状態となるように切り替わる。
ネガ型現像液ノズル84Bによってネガ型現像液D2が吐出されることを除き、ポジ型現像液D1の供給時と同様にして現像処理が行われる。図5に示すように、この現像処理中にウエハWからこぼれ落ちたネガ型現像液D2は、フランジ部30の傾斜面30Aに垂れ、環状体4の上側傾斜壁42の外周面を伝って流れる。このとき、当該傾斜面30Aと環状体4の上側傾斜壁42の先端とが接するため、ネガ型現像液D2の第1流路21への流入が抑止されている。
その後、ネガ型現像液D2は、環状体4の垂直壁41及び外側傾斜壁44の外側面を下方に伝い、第2流路22の底部である底壁35の外側基壁35B上に垂れ、当該外側基壁35Bを下って第2排液口24へ流入する。このように、ネガ型現像液D2は、第2流路22を流れて第2排液口24へ流入することで、カップ2内から除去される。また、ウエハWやカップ2からネガ型現像液D2が撥ねることで生じたミストについては、第2流路22を流れる上記の気体の排気流に乗って排気口20へ流入し、カップ2内から除去される。
ネガ型現像液D2の吐出終了後は、ポジ型現像液D1を処理する際と同様に、洗浄液ノズル84Cから洗浄液が吐出されてウエハWの洗浄が行われる。この洗浄中、ネガ型現像液D2及び洗浄液については、第2排液口24へ流入して除去され、ミスト化したものについては排気口20へ流入することでカップ2内から除去される。洗浄後は既述した洗浄液の振り切りによるウエハWの乾燥がなされ、乾燥後のウエハWは、ピン14を介して搬送機構により現像装置1から搬出される。その後、ポジ型レジスト膜が形成されたウエハWを処理する際には、環状体4が再度、上方位置に移動して処理が行われる。
本開示に係る現像装置1によれば、カップ2内での環状体4の昇降により、第1流路21及び第2流路22のうちの一方による排気が行われる。第1流路21による排気、第2流路22による排気は、カップ2の底壁35上を夫々中心側、外周側に向かうように、当該第1流路21、当該第2流路22で共通となる排気口20が開口することでなされ、当該排気口に至る途中に開口する第1排液口23、第2排液口24により、排液が行われる。そのような構成により、第1排液口23、第2排液口24の夫々に対して別々の液の排液を可能にしつつ、カップ2の径方向における大型化を防止することができる。より詳しくは、第1流路21専用の排気口、第2流路22専用の排気口を夫々設けて、それらがカップ2の径方向における異なる位置に配置され、環状体4の昇降に応じて使用される排気口が切り替わるとする。そのような構成(第2比較例とする)に比べて、カップ2を小型化することができるので、現像装置1を小型化することができる。
ところで、カップ2の側壁34は上下に分離可能であり、側壁34の上側を上壁部37と共に、側壁34の下部側に対して取り外すことができ、その取り外しによって、環状体4をカップ2外の空間へ露出させることができる。そのように露出させた環状体4は、カップ2からの取り外しが可能である。より詳しくは、側壁34の下部側、環状壁33、垂直壁28及び円環板25からなる構造体から取り外すことができ、洗浄処理を行うことができる。
一方、シール用突起31aが設けられる円環部材31については、この環状体4とは別体の部材として、円環板25に設けられているので、この環状体4の取り外しによって、シール用突起31aの高さは変動しない。上記したシール用突起31aの役割と、ウエハWへの接触防止の観点と、からシール用突起31aの高さについては精度高く調整される。その一方で、環状体4は流路を形成するために比較的汚れやすく、洗浄処理の頻度が比較的高くなる場合が有る。シール用突起31aと、環状体4とが別体であることで、作業者は環状体4の洗浄処理の度にシール用突起31aの高さ調整を行う必要が無くなり、当該高さ調整の頻度を低減させることができる。
ここで上記した第2比較例の構成を考える。排気口が径方向の異なる位置に設けられるとすると、各排気口の各々に排液が流入することを防止するために、中心側の排気口が設けられる位置から外周側の排気口が設けられる位置に亘って、これらの排気口を覆う被覆部材を設けることになる。この被覆部材は上面が傾斜面とされることで、カップの底部に液を流下させるガイドであるが、このような事情で当該ガイドについて、カップの径方向の長さは比較的大きい。そのため、当該径方向において、このガイドの位置と、シール用突起31aとを設けるべき位置とが重なり、ガイドにシール用突起31aが設けられることになる。しかしこのガイドは環状体4と同様、処理液の付着によって汚れるため、洗浄が必要となり、この洗浄の度にシール用突起31aの高さ調整が必要となる。しかし、現像装置1では第1流路21、第2流路22の共通の排気口を備えるため、このガイドの径方向の大きさとしては小さくて済む。具体的には、隆起部29、フランジ部30及び環状体4がこのガイドに相当し、これらの部材よりもカップ2の中心寄りに、これらの部材とは別体の部材として、シール用突起31aが設けられている。以上のことから、現像装置1の構成によれば、シール用突起31aの高さ調整の頻度を低減させ、装置のメンテナンスが容易化される。
現像装置1ではカップ2に対して環状体4が昇降して使用される流路が切り替わるが、環状体4に対してカップ2が昇降することで使用される流路が切り替わる構成としてもよい。また、ポジ型現像液D1及びネガ型現像液D2は、上述のような組み合わせで第1流路21及び第2流路22を介して第1排液口23及び第2排液口24から排出させることに限らない。例えば、ポジ型現像液D1を環状体4の外側の第2流路22を介して第2排液口24から排出させ、ネガ型現像液D2を環状体4の内側の第1流路21を介して第1排液口23から排出させてもよい。
ウエハWに供給する処理液としては、現像液や洗浄液であることに限られず、例えばレジスト、絶縁膜形成用の薬液、反射防止膜形成用の薬液などの塗布膜形成用の塗布液を用いてもよく、複数のウエハWを貼り合わせるための接着剤を用いてもよい。従って本技術の液処理装置は、現像装置1に限られるものではない。また処理対象の基板としてはウエハWであることに限られず、例えばフラットパネルディスプレイ(FPD)製造用の基板のような角型の基板であってもよい。
そして、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。
W ウエハ
1 現像装置
2 カップ
4 環状体
11 スピンチャック
20 排気口
21 第1流路
22 第2流路
23 第1排液口
24 第2排液口
35 底壁
50 昇降機構
84 ノズル
1 現像装置
2 カップ
4 環状体
11 スピンチャック
20 排気口
21 第1流路
22 第2流路
23 第1排液口
24 第2排液口
35 底壁
50 昇降機構
84 ノズル
Claims (8)
- 基板を載置する載置部と、
前記載置部に載置された基板を囲むカップと、
前記基板に処理液を供給して処理を行う処理液供給部と、
前記カップの底部に設けられ、当該カップ内を排気する排気口と、
平面視で前記基板を囲むように前記カップ内に設けられ、前記カップの開口から当該カップ内に流入する気体の流路を形成する環状体と、
前記環状体を第1相対高さに位置させて、前記カップの中心側から前記排気口へ前記気体を流入させる第1流路による排気を行う第1状態と、前記環状体を第2相対高さに位置させて、前記カップの外周側から前記排気口へ前記気体を流入させる第2流路による排気を行う第2状態と、を切り替えるために前記カップに対して前記環状体を相対的に昇降させる昇降機構と、
前記第1流路、前記第2流路の各々において前記排気口の上流側に開口する排液口と、
を備える液処理装置。 - 前記環状体は排気口の上方に位置する請求項1記載の液処理装置。
- 前記第1状態と前記第2状態との切り替えは、前記環状体の相対的な昇降により、
前記第1流路及び前記第2流路のうちの一方が狭窄されると共に、他方が拡張されることで行われる請求項2記載の液処理装置。 - 前記カップの底部に突部が形成され、当該突部の頂部に前記排気口が開口し、
前記突部における前記カップの中心側の側面、外周側の側面が第1傾斜面、第2傾斜面を夫々形成するように、当該突部は上方へ向かうにつれて縮幅され、
前記第1相対高さは、前記カップに対しての前記環状体の位置が前記第2相対高さよりも高くなる位置であり、
前記環状体は、前記カップの中心側、外周側に夫々向けて下方へと伸長する第1伸長部、第2伸長部と、を備え、
前記第1傾斜面及び前記第1伸長部が前記第1流路を形成し、前記第2傾斜面及び前記第2伸長部が前記第2流路を形成する請求項3記載の液処理装置。 - 前記環状体は、前記排気口に対向し、且つ前記カップの中心側に向うにつれて下る対向傾斜面を備え、
前記対向傾斜面の前記突部に対する相対的な昇降により、前記第1流路の狭窄と拡張とが行われる請求項3記載の液処理装置。 - 前記カップは前記環状体に対して上側から重なるように、当該カップの側壁から中心側へ向けて形成された被覆部を備え、
当該被覆部の下面に凹部が形成され、前記第1状態において前記環状体が前記凹部に進入して前記第2流路を狭窄する請求項3記載の液処理装置。 - 前記環状体は、前記カップの中心側から外周側へ向かうにつれて下る外周面を備えた筒部を含み、
前記凹部の底面は、前記第1状態において前記筒部の前記外周面に対向して前記第1流路を狭窄する対向面をなす請求項6記載の液処理装置。 - 基板を載置部に載置する工程と、
処理液供給部から前記基板に処理液を供給して処理を行う工程と、
前記載置部に載置された基板を囲むカップの底部に設けられる排気口から前記カップ内を排気する工程と、
平面視で前記基板を囲むように前記カップ内に設けられ、前記カップの開口から当該カップ内に流入する気体の流路を形成する環状体を、第1相対高さに位置させて、前記カップの中心側から前記排気口へ前記気体を流入させる第1流路による排気を行う第1状態にする工程と、
前記環状体を第2相対高さに位置させて、前記カップの外周側から前記排気口へ前記気体を流入させる第2流路による排気を行う第2状態にする工程と、
昇降機構により、前記カップに対して前記環状体を相対的に昇降させて前記第1状態と、前記第2状態とを切り替える工程と、
前記第1流路、前記第2流路の各々において前記排気口の上流側に開口する排液口から排液する工程と、
を備える液処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022126419A JP2024022955A (ja) | 2022-08-08 | 2022-08-08 | 液処理装置及び液処理方法 |
KR1020230098074A KR20240020667A (ko) | 2022-08-08 | 2023-07-27 | 액 처리 장치 및 액 처리 방법 |
CN202310959035.7A CN117539132A (zh) | 2022-08-08 | 2023-08-01 | 液处理装置和液处理方法 |
US18/228,905 US20240047237A1 (en) | 2022-08-08 | 2023-08-01 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
CN202322048740.XU CN220691256U (zh) | 2022-08-08 | 2023-08-01 | 液处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022126419A JP2024022955A (ja) | 2022-08-08 | 2022-08-08 | 液処理装置及び液処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024022955A true JP2024022955A (ja) | 2024-02-21 |
Family
ID=89769456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022126419A Pending JP2024022955A (ja) | 2022-08-08 | 2022-08-08 | 液処理装置及び液処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240047237A1 (ja) |
JP (1) | JP2024022955A (ja) |
KR (1) | KR20240020667A (ja) |
CN (2) | CN220691256U (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6799409B2 (ja) | 2016-07-25 | 2020-12-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
-
2022
- 2022-08-08 JP JP2022126419A patent/JP2024022955A/ja active Pending
-
2023
- 2023-07-27 KR KR1020230098074A patent/KR20240020667A/ko unknown
- 2023-08-01 US US18/228,905 patent/US20240047237A1/en active Pending
- 2023-08-01 CN CN202322048740.XU patent/CN220691256U/zh active Active
- 2023-08-01 CN CN202310959035.7A patent/CN117539132A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20240020667A (ko) | 2024-02-15 |
US20240047237A1 (en) | 2024-02-08 |
CN220691256U (zh) | 2024-03-29 |
CN117539132A (zh) | 2024-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111077742B (zh) | 液体分配喷嘴和基板处理装置 | |
JP4803592B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
US6533864B1 (en) | Solution processing apparatus and method | |
JP2010206019A (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
KR20050105166A (ko) | 회전식 분배 아암을 갖는 액체 분배용 장치 및 액체 분배방법 | |
WO2004059709A1 (ja) | 塗布処理装置および塗布膜形成方法 | |
US10847387B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium | |
KR20010050979A (ko) | 기판처리장치 | |
JP6447354B2 (ja) | 現像装置 | |
JP2012033886A (ja) | 基板処理システム | |
JP4410076B2 (ja) | 現像処理装置 | |
JP5208666B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3718647B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
JP3899319B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
JP7001400B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6778548B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR102607485B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 | |
KR101036603B1 (ko) | 노즐 및 이를 갖는 기판 처리 장치 | |
JP2024022955A (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
JP5036415B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
WO2023008249A1 (ja) | 現像処理装置及び現像処理方法 | |
JP4256583B2 (ja) | 塗布膜形成装置 | |
TW202414559A (zh) | 液處理裝置及液處理方法 | |
JP4799640B2 (ja) | 現像処理装置 | |
WO2004036633A1 (ja) | 液処理装置 |