JP2024022331A - 研磨パッド及び研磨方法 - Google Patents

Abstract

【課題】炭化ケイ素の単結晶基板を研磨する際に、研磨レートを所定値以上としつつ、被研磨面のスクラッチの数の低減と、被研磨面に形成されるうねりの程度の低減と、を両立する。【解決手段】炭化ケイ素基板を研磨するための研磨パッドであって、ポリウレタンと、ポリウレタンで固定された砥粒と、を含み、３０℃における損失弾性率（Ｅ´´）／貯蔵弾性率（Ｅ´）で表される正接損失（ｔａｎδ）が０．１以上０．３５以下であり、且つ、ガラス転移温度が４０℃以上６５℃以下である研磨パッドを提供する。【選択図】図２

Description

本発明は、炭化ケイ素基板を研磨するための研磨パッドと、炭化ケイ素基板を研磨する研磨方法と、に関する。

近年、高耐圧であり且つ大電流を制御可能な所謂パワー半導体デバイスが注目されている。パワー半導体デバイスは、例えば、シリコン（Ｓｉ）の単結晶基板よりも電気特性が良好な炭化ケイ素（ＳｉＣ）の単結晶基板の一面側に形成される。

炭化ケイ素の単結晶基板の一面側にパワー半導体デバイスを形成する前には、単結晶基板の一面側を化学機械研磨（ＣＭＰ）によって研磨して平坦化することが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、砥粒が固定された研磨パッドと、酸性の研磨液と、を用いて、炭化ケイ素の単結晶基板の研磨レートを向上させることが記載されている。

しかし、従来の研磨パッドでは、研磨に起因する傷（スクラッチ）の形成を抑制すると被研磨面にうねりが形成され、一方で、うねりを抑制すると被研磨面にスクラッチが形成されるという問題があった。

特開２０１２－２５３２５９号公報

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、炭化ケイ素の単結晶基板を研磨する際に、研磨レートを所定値以上としつつ、被研磨面のスクラッチの数の低減と、被研磨面に形成されるうねりの程度の低減と、を両立することを目的とする。

本発明の一態様によれば、炭化ケイ素基板を研磨するための研磨パッドであって、ポリウレタンと、該ポリウレタンで固定された砥粒と、を含み、損失弾性率（Ｅ´´）／貯蔵弾性率（Ｅ´）で表される正接損失（ｔａｎδ）が３０℃において０．１以上０．３５以下であり、且つ、ガラス転移温度が４０℃以上６５℃以下である研磨パッドが提供される。

本発明の他の態様によれば、炭化ケイ素基板を研磨する研磨方法であって、該炭化ケイ素基板を有する被加工物を研磨装置のチャックテーブルで保持する保持工程と、各々円盤状のベース基板及び研磨パッドを有し、且つ、径方向の中央部において該ベース基板及び該研磨パッドを貫通する貫通孔が形成された研磨工具の該貫通孔から研磨液を供給しながら、ポリウレタンと、該ポリウレタンで固定された砥粒と、を含み、損失弾性率（Ｅ´´）／貯蔵弾性率（Ｅ´）で表される正接損失（ｔａｎδ）が３０℃において０．１以上０．３５以下であり、且つ、ガラス転移温度が４０℃以上６５℃以下である該研磨パッドで該炭化ケイ素基板を研磨する研磨工程と、を備える研磨方法が提供される。

本発明の一態様に係る研磨パッドを用いて炭化ケイ素基板を研磨すれば、研磨レートを所定値以上としつつ、被研磨面のスクラッチの数の低減と、被研磨面に形成されるうねりの程度の低減と、を両立できる。

研磨装置の一部断面側面図である。 研磨工具の斜視図である。 図３（Ａ）は研磨パッドＰ１で研磨した場合の被研磨面のスクラッチの画像であり、図３（Ｂ）は研磨パッドＰ３で研磨した場合の被研磨面のスクラッチの画像であり、図３（Ｃ）は研磨パッドＰ５で研磨した場合の被研磨面のスクラッチの画像である。 図４（Ａ）は研磨パッドＰ１で研磨した場合の被研磨面のうねりの程度を示す画像であり、図４（Ｂ）は研磨パッドＰ３で研磨した場合の被研磨面のうねりの程度を示す画像であり、図４（Ｃ）は研磨パッドＰ５で研磨した場合の被研磨面のうねりの程度を示す画像である。 温度（横軸）とｔａｎδ（縦軸）とを示すグラフである。 研磨方法のフロー図である。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、研磨装置２の一部断面側面図である。なお、図１に示すＺ軸方向は、鉛直方向と略平行である。図２は、後述する研磨工具１６を研磨パッド２０側から見た斜視図である。

研磨装置２は、円盤状のチャックテーブル４を有する。チャックテーブル４の下面側には、長手方向がＺ軸方向に沿って配置された回転軸（不図示）が連結されている。回転軸には、従動プーリ（不図示）が設けられている。

チャックテーブル４の近傍には、モータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。また、回転駆動源の出力軸には、駆動プーリ（不図示）が設けられている。駆動プーリ及び従動プーリには、歯付き無端ベルト（不図示）がかけられている。

回転駆動源を動作させると、出力軸の回転がチャックテーブル４の回転軸に伝達され、チャックテーブル４は回転軸の周りで回転する。チャックテーブル４は、アルミナ等のセラミックスで形成された非多孔質の円盤状の枠体６を有する。

枠体６の上部には、円盤状の凹部が形成されている。この凹部にはアルミナ等のセラミックスで形成された円盤状の多孔質板８が固定されている。多孔質板８の上面と、枠体６の上面とは、略面一となっており、略平坦な保持面４ａを形成している。

多孔質板８は、枠体６の凹部の底面に放射状に形成されている流路６ａや、枠体６の凹部の底面の径方向の中心を貫通するように形成されている流路６ｂを介して、真空ポンプ等の吸引源（不図示）に接続されている。吸引源を動作させれば、多孔質板８の上面には負圧が伝達される。

保持面４ａ上には、被加工物１１が載置される。被加工物１１は、炭化ケイ素で形成された円盤状の単結晶基板である炭化ケイ素基板１３を有する。炭化ケイ素基板１３の一面１３ａ側には、複数の分割予定ライン（不図示）が格子状に設定されてる。

複数の分割予定ラインで区画された矩形状の各領域には、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等のデバイス（不図示）が形成されている。

一面１３ａ側には、炭化ケイ素基板１３の汚染や、デバイスへの衝撃等を防ぐために、樹脂で形成された円形の保護テープ１５が貼り付けられている。なお、被加工物１１におけるデバイスの数、種類、配置等は特に限定されない。被加工物１１にはデバイスが無くてもよい。

被加工物１１は、保護テープ１５を介してその一面１３ａ側が保持面４ａで吸引保持される。このとき、炭化ケイ素基板１３の他面１３ｂは、上方を向く様に露出する。他面１３ｂ側には、デバイスは設けられておらず、この他面１３ｂが被研磨面となる。

保持面４ａの上方には、研磨ユニット１０が配置されている。研磨ユニット１０は、長手方向がＺ軸方向と略平行に配置された円筒状のスピンドルハウジング（不図示）を有する。

スピンドルハウジングには、ボールねじ式のＺ軸方向移動ユニット（不図示）が連結されている。Ｚ軸方向移動ユニットは、例えば、研磨ユニット１０をＺ軸方向に沿って移動させるボールねじ式の移動機構である。

スピンドルハウジング内には、長手方向がＺ軸方向と略平行に配置された円柱状のスピンドル１２の一部が回転可能に収容されている。スピンドル１２における上側の一部には、スピンドル１２を回転させるためのモータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。

スピンドル１２の下端部は、スピンドルハウジングの下端部よりも下方に突出している。スピンドル１２の下端部には、円盤状のマウント１４の上面の中心部が連結されている。マウント１４は、保持面４ａの径よりも大きな径を有する。

マウント１４の下面には、マウント１４と略同径の円盤状の研磨工具１６が、ボルト等の固定部材（不図示）を利用して装着されている。研磨工具１６は、マウント１４の下面に連結された円盤状のプラテン（ベース基板）１８を有する。

プラテン１８は、硬質の樹脂で形成されている。プラテン１８は、マウント１４と略同じ径を有する。プラテン１８の下面側には、プラテン１８と略同径の円盤状の研磨パッド２０が両面テープ（不図示）を介して固定されている。

研磨パッド２０は、硬質発泡ポリウレタンで形成された本体部を有する。この本体部には、シリカ製の砥粒２０ａが分散されている。即ち、研磨パッド２０は、砥粒２０ａが本体部で固定された、所謂、固定砥粒方式の研磨パッドである。

研磨工具１６は、スピンドル１２及びマウント１４と同心状に配置されている。研磨工具１６の径方向の中央部には、研磨パッド２０及びプラテン１８を貫通する貫通孔１６ａが形成されている。

貫通孔１６ａは、スピンドル１２の径方向の中央部心を貫通する貫通孔１２ａと、マウント１４の径方向の中央部を貫通する貫通孔１４ａと共に、１つの流路を構成している。貫通孔１２ａの上端部には、導管２６ａを介して研磨液供給源２６が接続されている。

研磨液供給源２６は、研磨液１７の貯留槽（不図示）と、貯留槽から研磨液１７を導管２６ａへ送るためのポンプ（不図示）と、を含む。研磨液供給源２６から供給される研磨液１７は、貫通孔１２ａ、１４ａ、１６ａを介して、保持面４ａで吸引保持された被加工物１１及び研磨パッド２０へ供給される。

研磨液１７は、砥粒２０ａを含まない酸性の液体である。研磨液１７は、例えば、過マンガン酸塩と、硝酸塩と、が溶解した水溶液を含む。過マンガン酸塩としては、過マンガン酸ナトリウム（ＮａＭｎＯ_４）、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ_４）等が用いられる。

また、硝酸塩としては、硝酸イットリウム（Ｙ（ＮＯ_３）_３）、硝酸ランタン（Ｌａ（ＮＯ_３）_３）、硝酸セリウム（Ｃｅ（ＮＯ_３）_３）、硝酸ジルコニル（オキシ硝酸ジルコニウムとも呼ばれる）（ＺｒＯ（ＮＯ_３）_２）等の、硝酸及び遷移金属元素を有する水溶性化合物が用いられる。

過マンガン酸塩と、硝酸塩と、が溶解した水溶液を含む研磨液１７は、強酸性（例えば、ｐＨが３未満の所定値）である。研磨液１７を強酸性とすることで、研磨液１７を弱酸性（ｐＨが３以上の所定値）にする場合に比べて、高い研磨レートを実現できる。

次に、実験結果に基づいて、研磨パッドのパッド特性と、研磨パッドを用いたときの研磨特性について説明する。Ｐ１からＰ５までの５種類の研磨パッドを製造し、研磨レート、被研磨面のスクラッチの多寡、及び、被研磨面に形成されるうねりの程度をそれぞれ評価した（下記の表１参照）。

Ｐ１からＰ５の各研磨パッドを製造する際には、まず、ポリオールＡ、ポリオールＢ、イソシアネート、及び、シリカ製の砥粒、を所定割合（質量部）で配合して、液状樹脂混合物を作成した。

実験で使用したポリオールＡは、水酸基価３７０ｍｇのポリオキシアルキレンポリオールであり、ポリオールＢは、水酸基価１７２ｍｇのポリオキシアルキレンポリオールであり、イソシアネートは４，４－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）であった。

しかし、本発明に係る研磨パッドを製造する際には、ポリオキシアルキレンポリオールに限定されず、ポリオールとして、ビニル重合体含有ポリオキシアルキレンポリオール、ポリエステルポリオール、ポリオキシアルキレンポリエステルブロック共重合体ポリオール等も使用可能である。

また、イソシアネートも４，４－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）に限定されるものではなく、他の芳香族イソシアネート、脂肪族イソシアネート、脂環族イソシアネート、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート等も使用可能である。

ポリオールについては、ポリオールＡ及びポリオールＢの合計が１００質量部となる様に、ポリオールＡを７．０質量部から５９．０質量部まで変化させ、ポリオールＢを４１．０質量部から９３．０質量部まで変化させた。

更に、ポリオールＡ及びポリオールＢの合計１００質量部に対して、イソシアネートを３７質量部から８１質量部まで変化させた。また、ポリオールＡ及びポリオールＢの合計１００質量部に対して、砥粒を１１０質量部から１４５質量部まで変化させた。

この様に配合比を変化させることで、それぞれ砥粒が混入された５種類の液状樹脂混合物を作成した後、この液状樹脂混合物を金型に注入して、２０℃から３０℃の室温で２４時間放置し、発泡硬化させて発泡ポリウレタン研磨パッドを作成した。

その後、発泡ポリウレタン研磨パッドを上述のプラテン１８の下面側に貼り付けた後、ダイヤモンド製の砥粒が電着された修正リングを用いて、発泡ポリウレタン研磨パッドの表面を修正し、発泡構造が表面に露出した厚み２ｍｍの発泡ポリウレタン研磨パッド（Ｐ１からＰ５）を作成した。

そして、炭化ケイ素で形成された円盤状の単結晶基板である炭化ケイ素基板（以下、実験に関する説明では、ＳｉＣウェーハ）のＣ面側を上述のチャックテーブル４の保持面４ａで直接吸引保持し、ＳｉＣウェーハのＳｉ面を上方に露出させた。

次いで、チャックテーブル４及びスピンドル１２を所定の回転数で回転させると共に、研磨工具の貫通孔からＳｉＣウェーハのＳｉ面と、研磨パッドと、の間に、過マンガン酸塩及び硝酸塩が溶解した強酸性の研磨液１７を供給しながら、ＳｉＣウェーハのＳｉ面に対して研磨パッドを押圧し、ＳｉＣウェーハのＳｉ面を研磨した。

研磨条件は、以下の通りとした。

スピンドル回転数 ：７４５ｒｐｍ
チャックテーブル回転数：７５０ｒｐｍ
研磨圧力 ：４０ｋＰａ
研磨液の流量 ：２００ｍｌ／ｍｉｎ
研磨パッドの径 ：φ４５０ｍｍ
ＳｉＣウェーハ ：φ６インチ（約１５０ｍｍ）

パッド特性については、比重（ｇ／ｃｍ^３）、ガラス転移温度（℃）、及び、３０℃における正接損失（ｔａｎδ）を評価した。なお、ｔａｎδは、損失弾性率（Ｅ´´）を貯蔵弾性率（Ｅ´）で除することで算出される。即ち、ｔａｎδ＝損失弾性率（Ｅ´´）／貯蔵弾性率（Ｅ´）である。

損失弾性率（Ｅ´´）及び貯蔵弾性率（Ｅ´）の測定には、セイコーインスツルメンツ株式会社製の弾性測定装置（ＥＸＳＴＡＲ ＤＭＳ６１００）を用いた。

弾性測定装置に圧縮試験治具を用いて、長さ２ｍｍ及び直径８ｍｍの円柱体サンプル片に対して、温度範囲を室温から１４０℃近傍まで昇温速度２℃／ｍｉｎで変化させながら、周波数２Ｈｚの条件で測定を行った。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、横軸を温度とし縦軸をｔａｎδとしたグラフにおけるｔａｎδのピーク温度とした。

研磨特性については、研磨レート（μｍ／ｈ）を測定すると共に、スクラッチの多寡及びうねりの程度を、研磨後の被研磨面の画像に基づいて評価した。

スクラッチの多寡は、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社により製造販売された光学式検査装置（Ｃａｎｄｅｌａ ＣＳ９２０）を用いて評価した。画像に基づいた検査の結果、スクラッチが少ないものをＡ（良）とし、スクラッチが多いものをＢ（不良）とした。研磨パッドＰ１からＰ４はＡであり、研磨パッドＰ５はＢであった。

図３（Ａ）は、研磨パッドＰ１で研磨した場合の被研磨面のスクラッチの画像であり、図３（Ｂ）は、研磨パッドＰ３で研磨した場合の被研磨面のスクラッチの画像であり、図３（Ｃ）は、研磨パッドＰ５で研磨した場合の被研磨面のスクラッチの画像である。

うねりの程度は、山下電装株式会社により製造販売された表面欠陥検査装置（ＹＩＳ－３００ＳＰ）を用いて評価した。なお、表面欠陥検査装置は、魔境の原理を応用して被研磨面の表面状態を高感度で検査する装置である。

画像に基づいた検査の結果、うねりの程度が小さいものをＡ（良）とし、うねりの程度が大きいものをＢ（不良）とした。研磨パッドＰ１はＢであったが、研磨パッドＰ２からＰ５はＡであった。

図４（Ａ）は、研磨パッドＰ１で研磨した場合の被研磨面のうねりの程度を示す画像である、図４（Ａ）に見える放射状の線が、被研磨面に形成されたうねりに対応する。

図４（Ｂ）は、研磨パッドＰ３で研磨した場合の被研磨面のうねりの程度を示す画像であり、図４（Ｃ）は、研磨パッドＰ５で研磨した場合の被研磨面のうねりの程度を示す画像である。図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）では、図４（Ａ）の様なうねりが無かった。

以上の実験に関する内容を下記の表１にまとめて示す。

表１に示す様に、総合判定では、研磨レートが６．００（μｍ／ｈ）以上、スクラッチが少なく（即ち、Ａであり）、且つ、うねりの程度が小さい（即ち、Ａである）ものをＡ（良）とし、どれか一つでも満たしていないものをＢ（不良）とした。

研磨パッドＰ２、Ｐ３及びＰ４では、研磨レートが６．００（μｍ／ｈ）以上であり、スクラッチが少なく、且つ、うねりの程度が小さい。それゆえ、研磨パッドＰ２、Ｐ３及びＰ４は、ＳｉＣウェーハの研磨に適した良好な研磨パッドであると言える。

これに対して、研磨パッドＰ１では、研磨レートが６．００（μｍ／ｈ）以上であるが、うねりの程度が大きい。また、研磨パッドＰ５では、研磨レートが６．００（μｍ／ｈ）未満であり、更に、スクラッチが多い。即ち、研磨パッドＰ１及びＰ５は、研磨パッドＰ２、Ｐ３及びＰ４と比較して、ＳｉＣウェーハの研磨に不適である。

ＳｉＣウェーハの研磨における適・不適は、パッド特性におけるガラス転移温度と、３０℃におけるｔａｎδと、に表れている。図５は、研磨パッドＰ１、Ｐ３及びＰ５について、温度（横軸）と、ｔａｎδ（縦軸）と、を示すグラフである。

図５においてピークが最も左側（低温側）に位置する曲線は、研磨パッドＰ１のｔａｎδの温度変化である。また、図５においてピークが中央部（４０℃以上６５℃以下の範囲）に位置する曲線は、研磨パッドＰ３のｔａｎδの温度変化である。

更に、図５においてピークが最も右側（高温側）に位置する曲線は、研磨パッドＰ５のｔａｎδの温度変化である。上述の表１に示す実験結果に基づけば、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、４０℃以上６５℃以下とするのが好ましい（図５におけるＴｇの範囲参照）。

同様に、上述の表１に示す実験結果に基づけば、３０℃でのｔａｎδは、研磨パッドＰ５の３０℃でのｔａｎδ超、且つ、研磨パッドＰ１の３０℃でのｔａｎδ未満とするのが好ましい。

具体的には、３０℃でのｔａｎδは、０．０４超且つ０．４０未満とするのが好ましいが、より好適な範囲は、０．１以上０．３５以下である。なお、０．１２以上０．２０以下としてもよい。

ここで、ガラス転移温度及び３０℃でのｔａｎδについて考察を述べる。まずは、ガラス転移温度の最適な温度範囲について述べる。

研磨パッドの硬軟は、ポリオールの水酸基価と、イソシアネートの配合量と、により調節可能である。ポリオールの水酸基価を高くする、及び／又は、イソシアネートの配合量を増やすことで、ガラス転移温度を上げることができる。ガラス転移温度が高いと研磨パッドは硬質になる。

これに対して、ポリオールの水酸基価を低くする、及び／又は、イソシアネートの配合量を減らすことで、ガラス転移温度を下げることができる。ガラス転移温度が低いと研磨パッドは軟質となる。

研磨パッドの硬軟は、研磨レート、被研磨面のスクラッチの多寡、及び、うねりの程度に影響する。ＳｉＣウェーハの研磨では、シリコンで形成された円盤状の単結晶基板（以下、Ｓｉウェーハ）の研磨に比べて、化学的な反応が主となり化学機械研磨が進行する。

Ｓｉウェーハを研磨する場合、例えば、ガラス転移温度が８５℃以上１００℃以下である（即ち、比較的硬い）研磨パッドが用いられる。しかし、ＳｉＣウェーハを研磨する場合は、表１に示す実験結果から明らかな様に、ガラス転移温度が６５℃以下である（即ち、比較的軟らかい）研磨パッドを用いる方がよい。

つまり、ＳｉＣウェーハを研磨する場合、Ｓｉウェーハを研磨する場合に比べて、比較的軟らかい研磨パッドを使用する方が、被研磨面に研磨パッドが密着するので、研磨レートの向上を図ることができる。更に、スクラッチの数を低減できる。

しかし、上述の表１の研磨パッドＰ１の実験結果で示す様に、研磨パッドが軟らか過ぎると、今度は、うねりの程度が大きくなる。それゆえ、ＳｉＣウェーハを研磨する場合、ガラス転移温度を４０℃以上とするのがよい。即ち、ガラス転移温度は、４０℃以上６５℃以下が最適である。

次に、３０℃でのｔａｎδの意義について述べる。ｔａｎδの値が小さいほど、砥粒が研磨パッドに沈み込み難いので、スクラッチが多くなる。これに対して、ｔａｎδの値が大きいほど、砥粒が研磨パッドに沈み込み易いので、スクラッチが少なくなる。

ところで、ＳｉＣウェーハの研磨を開始するときには、ＳｉＣウェーハ及び研磨パッドは、共に、クリーンルームの室温（例えば、２２℃から２４度）と略同じ温度である。研磨の進行に伴い、ＳｉＣウェーハの被研磨面及び研磨パッドの研磨面の温度は、３０℃、４０℃と徐々に上昇するが、やがて温度上昇は止まり、５０℃程度で略一定になる。

ここで、研磨開始時に近いタイミングにおいて研磨パッドの研磨面から突き出ている砥粒が研磨パッドに沈み込み難いと、被研磨面にスクラッチが形成される原因となり得る。例えば、３０℃でのｔａｎδが０．１未満（例えば、表１の研磨パッドＰ５：０．０４）である場合、研磨面から突き出ている砥粒により、被研磨面にスクラッチが形成され得る。

これに対して、３０℃でのｔａｎδが０．３５超（例えば、表１の研磨パッドＰ１：０．４０）である場合、研磨パッドの研磨面から突き出ている砥粒が研磨パッドに沈み込み易くなるが、今度は、被研磨面に形成されるうねりの程度が大きくなる。それゆえ、３０℃でのｔａｎδは、０．１以上０．３５以下とすることが好ましい。

次に、図６を参照し、上述の研磨装置２を用いて、被加工物１１における炭化ケイ素基板１３を研磨する研磨方法について説明する。図６は、研磨方法のフロー図である。まず、被加工物１１をチャックテーブル４の保持面４ａで吸引保持する（保持工程Ｓ１０）。

保持工程Ｓ１０では、一面１３ａに保護テープ１５を貼り付けた状態で保護テープ１５を介して被加工物１１を吸引保持してよく、保護テープ１５を用いずに被加工物１１を直接保持面４ａで吸引保持してもよい。

次いで、チャックテーブル４及びスピンドル１２をそれぞれ所定の回転速度で回転させると共に、研磨工具１６の貫通孔１６ａから強酸性の研磨液１７を供給しながら、研磨パッド２０を被加工物１１の他面１３ｂ側に所定の圧力で押し付ける。これにより、炭化ケイ素基板１３の他面１３ｂ側を研磨する（研磨工程Ｓ２０）。

なお、チャックテーブル４の回転数は、４００ｒｐｍ以上９００ｒｐｍ以下としてよい。より好ましくは、５００ｒｐｍ以上７５０ｒｐｍ以下である。但し、スピンドル１２の回転数は、チャックテーブル４の回転数よりも所定数（例えば、５ｒｐｍ）だけ低い値とする。

研磨圧力は、１９ｋＰａ以上６０ｋＰａ以下としてよい。より好ましくは、２９ｋＰａ以上５０ｋＰａ以下である。また、研磨液１７の流量は、５０ｍｌ／ｍｉｎ以上３００ｍｌ／ｍｉｎ以下としてよい。より好ましくは、１５０ｍｌ／ｍｉｎ以上３００ｍｌ／ｍｉｎ以下である。

上述の様に、研磨パッド２０を用いて炭化ケイ素基板１３を研磨すれば、研磨レートを所定値（例えば、６．００μｍ／ｈ）以上としつつ、被研磨面のスクラッチの数の低減と、被研磨面に形成されるうねりの程度の低減と、を両立できる。

その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

炭化ケイ素基板１３の製法については、特に限定されない。炭化ケイ素基板１３はインゴットから切り出されたものであってもよく剥離されたものであってもよい。また、種結晶基板上にエピタキシャル成長で形成されたものであってもよい。

２：研磨装置、４：チャックテーブル、４ａ：保持面
６：枠体、６ａ，６ｂ：流路、８：多孔質板
１０：研磨ユニット、１２：スピンドル、１２ａ：貫通孔
１１：被加工物、１３：炭化ケイ素基板、１３ａ：一面、１３ｂ：他面
１４：マウント、１４ａ：貫通孔
１５：保護テープ、１７：研磨液
１６：研磨工具、１６ａ：貫通孔、１８：プラテン（ベース基板）
２０：研磨パッド、２０ａ：砥粒
２６：研磨液供給源、２６ａ：導管
Ｓ１０：保持工程、Ｓ２０：研磨工程

Claims (2)

1. 炭化ケイ素を研磨するための研磨パッドであって、
   ポリウレタンと、該ポリウレタンで固定された砥粒と、を含み、損失弾性率（Ｅ´´）／貯蔵弾性率（Ｅ´）で表される正接損失（ｔａｎδ）が３０℃において０．１以上０．３５以下であり、且つ、ガラス転移温度が４０℃以上６５℃以下であることを特徴とする研磨パッド。
2. 炭化ケイ素基板を研磨する研磨方法であって、
   該炭化ケイ素基板を有する被加工物を研磨装置のチャックテーブルで保持する保持工程と、
   各々円盤状のベース基板及び研磨パッドを有し、且つ、径方向の中央部において該ベース基板及び該研磨パッドを貫通する貫通孔が形成された研磨工具の該貫通孔から研磨液を供給しながら、ポリウレタンと、該ポリウレタンで固定された砥粒と、を含み、損失弾性率（Ｅ´´）／貯蔵弾性率（Ｅ´）で表される正接損失（ｔａｎδ）が３０℃において０．１以上０．３５以下であり、且つ、ガラス転移温度が４０℃以上６５℃以下である該研磨パッドで該炭化ケイ素基板を研磨する研磨工程と、
   を備えることを特徴とする研磨方法。

Images