JP2023551326A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。積層セラミックコンデンサは、第１の端部と、横方向に垂直な長手方向に、第１の端部から離間された第２の端部とを備え、横方向および長手方向は、それぞれＺ方向に垂直である。積層セラミックコンデンサは、横方向に平行な複数の誘電層と複数の電極層とを備えるモノリシックボディを備える。少なくとも１層の電極層は、接続部分と、接続部分から長手方向に延在する中央部分とを備える、第１の電極を具備し、中央部分は、Ｚ方向の縁を有し、接続部分は、長手方向とＺ方向との両方に延びる縁を有し、中央部分のＺ方向の縁は、接続部分の縁と、９０°超から１８０°未満の第１の角度を形成する。第１の端部に沿って配設された第１の外部終端、および第２の端部に沿って配設された第２の外部終端。【選択図】図１Ａ

Description

関連出願の相互参照
[001]本出願は、出願日が２０２０年１１月３０日である米国仮特許出願第６３／１１９，１８４号の出願利益を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0001]近代の技術的用途の多様性は、その用途で使用する効率的な電子構成要素および集積回路の必要性をもたらしている。コンデンサは、無線通信、警報システム、レーダシステム、回路切換え、整合化回路網、および他の多くの用途を含み得る、かかる近代の用途におけるフィルタ処理、結合、バイパス形成、および他の態様のために使用される、基本的な構成要素である。集積回路の速度の劇的な高速化および実装密度の劇的な増加は、とりわけ、結合コンデンサ技術の進歩を要求している。高静電容量結合コンデンサが、多くの現在の用途で高い周波数に曝される場合、性能特性がますます重要になる。コンデンサは、かかる多種多様な用途に対する基本となるものであるため、コンデンサの精度および効率は不可欠である。したがって、コンデンサ設計の多くの特定の態様は、コンデンサの性能特性を高めることに的が絞られている。

[0002]本発明の一実施形態によれば、積層セラミックコンデンサが開示されている。積層セラミックコンデンサは、第１の端部、および横方向に垂直な長手方向に、第１の端部から離間された第２の端部を備え、横方向および長手方向は、それぞれＺ方向に垂直である。積層セラミックコンデンサは、横方向に平行な複数の誘電層と複数の電極層とを備えるモノリシックボディを備える。少なくとも１層の電極層は、接続部分と、接続部分から長手方向に延在する中央部分とを備える、第１の電極を具備し、中央部分は、Ｚ方向の縁を有し、接続部分は、長手方向とＺ方向との両方に延びる縁を有し、中央部分のＺ方向の縁は、接続部分の縁と、９０°超から１８０°未満の第１の角度を形成する。第１の端部に沿って配設された第１の外部終端、および第２の端部に沿って配設された第２の外部終端。

[0003]本発明の、当業者にとって最良の方式を含む、本発明の完全かつ実施可能な開示は、添付の図の参照を含む本明細書の残りの部分に、より具体的に記載されている。

[0004]本発明の電極の一実施形態の、上面図である。 [0005]本発明の電極層の配置の一実施形態の、斜視図である。 [0006]本発明のコンデンサの一実施形態の、上断面図である。 [0007]図１Ｃのコンデンサの、側断面図である。 図１Ｃのコンデンサの、側断面図である。 図１Ｃのコンデンサの、側断面図である。 [0008]本発明の電極の別の実施形態の、上面図である。

[0009]当業者には、本考察が例示的実施形態の説明にすぎず、本発明のより広義の態様を制限することは意図されていないことを、理解されたい。

[0010]本発明は、概して言えば、積層セラミックコンデンサに関する。積層セラミックコンデンサは、単一のモノリシックボディ内に、誘電層および電極層を交互に収容している。電極層は、取付け面に対して垂直になるように、横方向に積み重ねられ得る。この点に関連して、各電極層は、その両方が横方向に垂直である長手方向およびＺ方向に広がる。電極層はさらに、特定の外形を有する第１の電極を備えることができる。第１の電極は、たとえば、本明細書で規定されている接続部分および中央部分を備えることができ、中央部分のＺ方向の縁と接続部分の縁との間で、９０°超から１８０°未満の角度が形成される。かかる角度は、理論によって制限されることを意図するものではないが、第１の電極にほぼＹ字形の外形をもたらすことができる。

[0011]本発明者らは、コンデンサおよびコンデンサ内の電極層のかかる外形を利用すること、ならびに本明細書で説明される電極および誘電体に特定の材料を利用することによって、積層セラミックコンデンサが、とりわけ広い範囲の周波数にわたって、低い等価直列抵抗値を有し得ることを発見した。かかる低い等価直列抵抗値は、とりわけ、比較的高い周波数で実現され、有益となり得る。

[0012]この点に関連して、コンデンサは、７５オーム以下など、５０オーム以下など、４０オーム以下など、３０オーム以下など、２５オーム以下など、２０オーム以下など、１５オーム以下など、１０オーム以下など、８オーム以下など、５オーム以下など、３オーム以下など、２オーム以下など、１オーム以下など、１００オーム以下の等価直列抵抗値を有することができる。等価直列抵抗値は、０．１オーム以上など、０．２オーム以上など、０．３オーム以上など、０．５オーム以上など、０．８オーム以上など、１オーム以上など、２オーム以上など、３オーム以上など、５オーム以上など、８オーム以上など、１０オーム以上など、０．０１オーム以上であり得る。かかる等価直列抵抗値は、２ＧＨｚから１０ＧＨｚなど、３ＧＨｚから１０ＧＨｚなど、４ＧＨｚから９ＧＨｚなど、１ＧＨｚから１０ＧＨｚの周波数範囲にわたって測定される場合に、実現され得る。等価直列抵抗値は、当技術分野で知られており、本明細書で説明される、汎用の技法を使用して測定され得る。

[0013]いくつかの実施形態では、コンデンサは、ほぼ単一の周波数において、前述の等価直列抵抗値を示すことができる。コンデンサは、たとえば、一実施形態では、約２ＧＨｚ、約３ＧＨｚなど、約４ＧＨｚなど、約５ＧＨｚなど、約６ＧＨｚなど、約７ＧＨｚなど、約８ＧＨｚなど、約９ＧＨｚなど、約１０ＧＨｚなどで、前述の等価直列抵抗値を示すことができる。一実施形態では、コンデンサは、前述の周波数のうちの２つ以上で、前述の等価直列抵抗値を示すことができる。

[0014]結果的に得られるコンデンサは、電極およびコンデンサの特定の外形、ならびに電極および誘電体の材料の選択的制御により、比較的低い等価直列抵抗値を示すことに加えて、低い等価直列インダクタンスを示すこともできる。等価直列インダクタンスは、たとえば、約１ナノヘンリー以下、いくつかの実施形態では約７５０ピコヘンリー以下、いくつかの実施形態では約３５０ピコヘンリー以下、いくつかの実施形態では約１フェムトヘンリーから約１００ピコヘンリー、またいくつかの実施形態では、約５０フェムトヘンリーから約１０ピコヘンリーであり得る。低い等価直列インダクタンス値はまた、寄生インダクタンスを反映した低いインピーダンス値によっても特徴づけられ得る。

[0015]本発明のコンデンサは、図１Ａ～図１Ｆおよび図２に示される実施形態に従って、さらに説明され得る。

[0016]図１Ａ～図１Ｆに目を向けると、積層セラミックコンデンサ１００の一実施形態が開示されている。コンデンサ１００は、概して、誘電層および電極層１０２、１０４を交互に収容する、積層体１０１を備える。積層体１０１は、６つの面を備える。積層体１０１は、たとえば、Ｚ方向１３６、すなわち幅方向に、上面１８および反対側の底面２０を備える。積層体１０１は、上面と底面との間に広がる、２つの端面２６、２８も備えることができる。端面２６、２８は、長手方向１３２、すなわち長さ方向に、互いに対向され得る。端面２６、２８は、横方向１３４およびＺ方向１３６に広がることができる。積層体１０１は、やはり上面と底面との間に広がる、２つの側面２２、２４も備えることができる。側面は、長手方向１３２およびＺ方向１３６に広がることができる。一実施形態では、側面は、電極の主面と平行であり得る。同様に、一実施形態では、上面および底面は、電極の主面と垂直であり得る。したがって、一実施形態では、積層体１０１は、合計で少なくとも６つの面（たとえば、１つの上面、１つの底面、２つの側面、および２つの端面）を備える。この点に関連して、積層体１０１は、方形の平行６面体形状などの、平行六面体形状を有することができる。コンデンサ１００はさらに、図１Ｄ～図１Ｆに示されているように、プリント回路基板または基材などの取付け面１１０に取り付けられ得る。この点に関連して、積層セラミックコンデンサは、電極層が取付け面に対して垂直になるように、取付け面に取付けるよう構成され得る。

[0017]積層セラミックコンデンサ１００は、横方向１３４に積み重ねられた複数の電極層１０２、１０４、および誘電層を備えることができる。いくつかの誘電層は、誘電層上に形成された電極層を備えることができる。誘電層および電極層の厚さは、制限されるものではなく、概して、コンデンサの性能特性に応じて必要な、任意の厚さであり得る。電極層の厚さは、たとえば、これらに限定されるものではないが、約１μｍ以上など、約１．５μｍ以上など、約２μｍ以上など、約３μｍ以上など、約４μｍ以上など、約５００ｎｍ以上であり得る。電極層の厚さは、約５μｍ以下など、約４μｍ以下など、約３μｍ以下など、約２．５μｍ以下など、約２μｍなど、約１０μｍ以下であり得る。電極層は、たとえば、約１μｍから約２μｍの厚さを有することができる。加えて、一実施形態では、誘電層の厚さは、電極層の前述の厚さに応じて規定され得る。また、誘電層のかかる厚さは、任意の電極層間にある層にも当てはまり得ることを理解されたい。

[0018]図１Ａは、本開示の態様による、電極の外形の一実施形態の上面図を示している。電極層は、より具体的には、たとえば、図１Ｂを参照して下記で説明されるように、交互に配置された第１の電極層１０２および第２の電極層１０４を備えることができる。図１Ａを参照すると、各電極層１０２、１０４は、第１の電極１０６および第２の電極１０８を備えることができる。第１の電極１０６は、ベース部分１１４を有することができる。たとえば、第１の電極１０６のベース部分１１４は長手方向に広がり、Ｚ方向に延びる横方向の縁を有することができる。第２の電極１０８は、ベース部分１１４を有することができる。たとえば、第２の電極１０８のベース部分１１４はやはり長手方向に広がり、Ｚ方向に延びる横方向の縁を有することができる。

[0019]第１の電極１０６は、中央部分１１２も有することができる。中央部分１１２は、ベース部分１１４から長手方向１３２に広がることができる。第１の電極１０６の中央部分１１２は、たとえば、Ｚ方向１３６に延びる第１の幅２７を有することができる。加えて、第１の電極のベース部分１１４は、たとえば、Ｚ方向に延びる第２の幅２９を有することができる。この点に関連して、第１の幅２７の位置は、第２の幅２９の位置が、電気的に接続される外部終端により近くなるように、第２の幅２９の位置から長手方向１３２にオフセットされ得る。かかる外形は、横方向１３４に隣り合う電極の中央部分１１２間の、重なる領域の調整を可能にし得る。一実施形態では、ベース部分１１４の第２の幅２９は、中央部分１１２の第１の幅２７より長くすることができる。かかる幅の差異は、図１Ｃのコンデンサの、それぞれ線ａ～ａ、ｂ～ｂ、およびｃ～ｃに沿った断面図を示す、図１Ｄ～図１Ｆに示されている。

[0020]加えて、中央端部ギャップ距離３３は、長手方向に、第１の電極１０６の中央部分１１２の長手方向の端部と、第２の電極１０８のベース部分１１４の長手方向の端部との間に形成され得る。したがって、一実施形態では、コンデンサの長さ３７に対する中央端部ギャップ距離３３の比は、０．０５以上など、０．１以上など、０．２以上など、０．３以上など、０．４以上など、０．０１以上であり得る。この比は、０．５以下など、０．４以下など、０．３以下など、０．２以下など、０．１以下などであり得る。

[0021]さらに、第１電極１０６は、接続部分１１６も有することができる。接続部分１１６は、ベース部分１１４から長手方向１３２に広がることができる。接続部分１１６は、とりわけ、ベース部分１１４と中央部分１１２との間に広がり、ベース部分１１４と中央部分１１２とを接続することができる。接続部分１１６は、たとえばＺ方向１３６に延びる第３の幅３１を有することができる。この点に関連して、第３の幅３１の位置は、第１の幅２７の位置および第２の幅２９の位置から、長手方向１３２にオフセットされ得る。一実施形態では、接続部分の第３の幅３１は、ベース部分１１４の第２の幅２９より短くすることができる。また、接続部分の第３の幅３１は、中央部分１１２の第１の幅２７より長くすることができる。この点に関連して、第３の幅３１の位置は、第１の幅２７の位置と第２の幅２９の位置との間にあり得る。

[0022]一実施形態では、中央部分１１２は、長手方向１３２に延びるＺ方向の縁１１２ａを有することができる。かかるＺ方向の縁は、接続部分１１６の縁１１６ａと、角度４１を形成することができる。かかる角度４１は、９０°より大きく、１８０°未満であり得る。かかる角度４１は、たとえば、９５°以上など、１００°以上など、１１０°以上など、１２０°以上など、１３０°以上など、１４０°以上など、９０°超であり得る。かかる角度４１は、１７５°以下など、１７０°以下など、１６０°以下など、１５０°以下など、１４０°以下など、１３０°以下など、１２０°以下など、１１０°以下など、１８０°未満であり得る。かかる外形は、理論によって制限されることを意図するものではないが、ほぼＹ字形の電極の外形をもたらすことができる。

[0023]図２に示されている別の実施形態では、接続部分１１６は、ベース部分１１４と、やはり角度４３を形成することができる。ベース部分１１４は、たとえば、Ｚ方向１３６に延びる、長手方向の縁１３０を有することができる。かかる長手方向の縁は、接続部分１１６の縁１１６ａと、角度４３を形成することができる。かかる角度４３は、９０°より大きく、１８０°未満であり得る。かかる角度４３は、たとえば、９５°以上など、１００°以上など、１１０°以上など、１２０°以上など、１３０°以上など、１４０°以上など、９０°超であり得る。かかる角度４３は、１７５°以下など、１７０°以下など、１６０°以下など、１５０°以下など、１４０°以下など、１３０°以下など、１２０°以下など、１１０°以下など、１８０°未満であり得る。

[0024]接続部分１１６のかかる縁１１６ａは、長手方向１３２とＺ方向１３６との両方に延びることができる。一実施形態では、かかる縁は、縁が実質的に直線状であるような、直線の縁であり得る。かかる直線の縁が、図１Ａおよび図２に示されている。別の実施形態では、かかる縁は、湾曲した／丸みを帯びた外形を有する、湾曲した縁であってもよい。

[0025]図１Ａおよび図２に示されているように、第１の電極１０６のベース部分１１４はまた、長手方向１３２に延びる特定の長さ３５も有することができる。この点に関連して、ベース部分は、長手方向に延びるＺ方向の縁１１４ａを有することができる。ベース部分のかかる長さは、概ね、第１の電極の前縁と、側面および外部終端に隣り合うベース部分との間の距離、ならびにベース部分と接続部分との間の移行箇所として規定され得る。たとえば、前述のＺ方向の縁１１４ａは、ほぼ０°の勾配を有することができ、勾配が変化する箇所は、前述の移行箇所とみなされ得る。いずれにせよ、かかる長さは、本明細書で規定されるコンデンサの長さ３７の０．１以上など、０．１５以上など、０．２以上など、０．３以上など、０．０５以上であり得る。かかる長さ３５は、コンデンサの長さ３７の０．４以下など、０．３以下など、０．２５以下など、０．２以下など、０．１５以下など、０．５以下であり得る。

[0026]やはり図１Ａおよび図２に示されているように、第２の電極１０８のベース部分１１４もまた、長手方向１３２に延びる特定の長さ４５を有することができる。かかる長さは、コンデンサの長さ３７の０．１以上など、０．１５以上など、０．２以上など、０．３以上など、０．０５以上であり得る。かかる長さ３５は、コンデンサの長さ３７の０．４以下など、０．３以下など、０．２５以下など、０．２以下など、０．１５以下など、０．５以下であり得る。

[0027]一実施形態では、前述の長さ３５と４５とは、相異なり得る。特定の一実施形態では、前述の長さ３５と４５とは、実質的に同じであり得る。

[0028]さらに、第１の外部終端１１８は、第１の長手方向の縁１２２を有することができる。第１の長手方向の縁は、Ｚ方向１３６および／または横方向１３４に延びることができる。第１の外部終端１１８の第１の長手方向の縁１２２は、第１の電極１０６のベース部分１１４の長手方向の縁１３０と、長手方向に実質的に整列することができる。かかる長手方向の縁は、ベース部分１１４が終わり、接続部分１１６が始まる位置にあり得る。第１の外部終端１１８の第１の長手方向の縁１２２は、たとえば、長手方向に、第１の電極１０６のベース部分１１４の長さを基準として、第１の電極１０６のベース部分１１４の長手方向の縁１３０の４％以内など、３％以内など、２％以内など、１％以内など、０．８％以内など、０．６％以内など、０．５％以内など、０．４％以内など、０．３％以内など、０．２％以内など、０．１％以内など、５％以内であり得る。

[0029]同様に、第２の外部終端１２０は、第２の長手方向の縁１２４を有することができる。第２の長手方向の縁は、Ｚ方向１３６および／または横方向１３４に延びることができる。第２の外部終端１２０の第２の長手方向の縁１２４は、第１の電極１０６のベース部分１１４の長手方向の縁１３０と、長手方向に実質的に整列することができる。かかる長手方向の縁は、ベース部分１１４が終わり、接続部分１１６が始まる位置にあり得る。第２の外部終端１２０の第２の長手方向の縁１２４は、たとえば、長手方向に、第１の電極１０６のベース部分１１４の長さを基準として、第１の電極１０６のベース部分１１４の長手方向の縁１３０の４％以内など、３％以内など、２％以内など、１％以内など、０．８％以内など、０．６％以内など、０．５％以内など、０．４％以内など、０．３％以内など、０．２％以内など、０．１％以内など、５％以内であり得る。

[0030]加えて、第１の外部終端１１８の第１の長手方向の縁１２２は、第２の電極１０８のベース部分１１４の長手方向の縁１２６と、長手方向に実質的に整列することができる。第１の外部終端１１８の第１の長手方向の縁１２２は、たとえば、長手方向に、第２の電極１０８のベース部分１１４の長さを基準として、第２の電極１０８のベース部分１１４の長手方向の縁１２６の４％以内など、３％以内など、２％以内など、１％以内など、０．８％以内など、０．６％以内など、０．５％以内など、０．４％以内など、０．３％以内など、０．２％以内など、０．１％以内など、５％以内であり得る。

[0031]同様に、第２の外部終端１２０の第２の長手方向の縁１２４は、第２の電極１０８のベース部分１１４の長手方向の縁１２８と、長手方向に実質的に整列することができる。第２の外部終端１２０の第２の長手方向の縁１２４は、たとえば、長手方向に、第２の電極１０８のベース部分１１４の長さを基準として、第２の電極１０８のベース部分１１４の長手方向の縁１２８の４％以内など、３％以内など、２％以内など、１％以内など、０．８％以内など、０．６％以内など、０．５％以内など、０．４％以内など、０．３％以内など、０．２％以内など、０．１％以内など、５％以内であり得る。

[0032]本明細書に示されているように、誘電層および電極層は、積層体を形成するよう積み重ねられ得る。図１Ｂを参照すると、複数の第１の電極層１０２および複数の第２の電極層１０４が、交互に左右反対の構造で配置され得る。たとえば、電極層が、各電極層間に位置する誘電層と対向し、離間した関係で交互配置され得る。図示されているように、それぞれの電極層の中央部分１１２は、少なくとも部分的に重なっている。図１Ｂは、合計４つの電極層を示しているが、所望の用途に向けた所望の静電容量を得るために、任意の数の電極層が使用され得ることを理解されたい。コンデンサは、たとえば、２５層以上など、５０層以上など、１００層以上など、２００層以上など、３００層以上など、５００層以上など、６００層など、７５０層以上など、１，０００層以上など、１０層以上の内部電極層を備えることができる。コンデンサは、４，０００層以下など、３，０００層以下など、２，０００層以下など、１，５００層以下など、１，０００層以下など、７５０層以下など、５００層以下など、４００層以下など、３００層以下など、２５０層以下など、２００層以下など、１７５層以下など、１５０層以下など、５，０００層以下の内部電極層を備えることができる。

[0033]本発明は、本明細書で示されているように、様々な利益および利点をもたらす、独自の電極の配置および外形を有する積層セラミックコンデンサを提供する。この点に関連して、コンデンサを構築するのに使用される材料は、制限されるものではあり得ず、当技術分野で広く使用されているどんなものであってもよく、当技術分野で広く使用されているどんな方法を使用して生成されてもよいことを理解されたい。

[0034]概して、誘電層は、典型的には、特定の誘電率を有する特定のタイプの材料で生成され得る。誘電層は、たとえば、一実施形態では、比較的高い誘電率（Κ）を有する材料で生成され得る。かかる誘電率は、２００以上など、５００以上など、１，０００以上などの１２５超から、約３０，０００以下など、約２０，０００以下などの、約４０，０００以下であり得る。他の実施形態では、誘電層は、比較的低い誘電率（Κ）を有する材料で生成され得る。誘電率は、たとえば、１５以上など、２０以上など、３０以上など、４０以上など、５０以上など、６０以上など、７０以上など、８０以上など、９０以上など、１０以上であり得る。誘電率は、１１０以下など、１００以下など、９０以下など、８０以下など、７０以下など、６０以下など、５０以下など、４０以下など、３０以下など、２０以下など、１２５以下であり得る。

[0035]こうした材料は、概して、セラミックを含み得る。セラミックは、ウェーハ（たとえば事前焼成された）、またはデバイス自体の中で共焼成される誘電材料などの、様々な形態で提供され得る。こうしたタイプの材料の特定の例は、たとえばＮＰＯ（ＣＯＧ）、Ｘ７Ｒ（約３，０００から約７，０００）、Ｘ７Ｓ、Ｚ５Ｕ、および／またはＹ５Ｖ材料を含む。前述の材料は、その産業分野で認められた規定によって説明されたものであり、規定の一部は、米国電子工業会（ＥＩＡ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ａｌｌｉａｎｃｅ）によって確立された標準分類であり、そういうものとして、当業者によって認識されるべきであることを理解されたい。

[0036]特定の一実施形態では、誘電層は、ＮＰＯ（ＣＯＧ）材料を含むことができる。この材料は、一般に、ＥＩＡクラスＩのセラミック材料として認識されている。この材料は、比較的低い温度係数を有することができる。この材料は、理論によって制限されることを意図するものではないが、たとえば、温度の関数である静電容量の変動が最小限であり得る。かかる材料は、加えて、上記で示されたように、比較的低い誘電率も有することができる。かかる材料は、したがって、比較的小さい、体積当たりの静電容量を有することができる。

[0037]この材料は、たとえば、０±２５ｐｐｍ／℃など、０±２０ｐｐｍ／℃など、０±１５ｐｐｍ／℃など、０±１０ｐｐｍ／℃など、０±５ｐｐｍ／℃など、０ｐｐｍ／℃など、０±３０ｐｐｍ／℃の、温度に応じた静電容量の変化があり得る。言い換えると、この材料は、－５５℃から１２５℃で、±０．２５％など、±０．２％など、±０．１５％など。±０．１％など、±０．０５％など、０％など、±０．３％の変化を起こす可能性がある。前述については、２５℃における静電容量値が、基準点として使用され得る。この点に関連して、静電容量は、１０ｐＦから０．０１μＦの範囲であり得る。静電容量は、たとえば、１ｐＦ以上など、５ｐＦ以上など、１０ｐＦ以上など、５０ｐＦ以上など、１００ｐＦ以上など、２００ｐＦなど、５００ｐＦ以上など、８００ｐＦ以上など、１ｎＦ以上など、５ｎＦ以上など、０．５ｐＦ以上であり得る。静電容量は、８ｎＦ以下など、５ｎＦ以下など、３ｎＦ以下など、１ｎＦ以下など、９００ｐＦ以下など、７００ｐＦ以下など、５００ｐＦ以下など、３００ｐＦ以下など、２００ｐＦ以下など、１００ｐＦ以下など、５０ｐＦ以下など、２０ｐＦ以下など、１０ｎＦ以下であり得る。前述の静電容量への言及は、コンデンサの静電容量を指すものであり得る。

[0038]ＮＰＯ（ＣＯＧ）セラミック材料を含むこうしたセラミック材料、および結果的に得られる誘電層は、チタン酸バリウムおよび関連する固溶体（たとえばチタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウムカルシウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコン酸チタン酸バリウムカルシウムなど）、チタン酸鉛および関連する固溶体（たとえばジルコン酸チタン酸鉛、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン）、ビスマスチタン酸ナトリウムなどの、ペロブスカイトを含むことができる。特定の一実施形態では、たとえば、化学式Ｂａ_ｘＳｒ_１－ｘＴｉＯ_３のチタン酸バリウムストロンチウム（「ＢＳＴＯ」）が使用され得、ここでｘは０から１、いくつかの実施形態では約０．１５から約０．６５、またいくつかの実施形態では約０．２５から約０．６である。この点に関連して、一実施形態では、誘電層はチタン酸を含むことができる。他の好適なペロブスカイトは、たとえば、ｘが約０．２から約０．８であり、いくつかの実施形態では約０．４から約０．６であるＢａ_ｘＣａ_１－ｘＴｉＯ_３、ｘが約０．０５から約０．４の範囲であるＰｂ_ｘＺｒ_１－ｘＴｉＯ_３（「ＰＺＴ」）、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン（「ＰＬＺＴ」）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ_３）、ジルコン酸チタン酸バリウムカルシウム（ＢａＣａＺｒＴｉＯ_３）、硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ_３）、ＫＮｂＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３、ＬｉＴａＯ_３、ＰｂＮｂ_２Ｏ_６、ＰｂＴａ_２Ｏ_６、ＫＳｒ（ＮｂＯ_３）、およびＮａＢａ_２（ＮｂＯ_３）_５ＫＨｂ_２ＰＯ_４を含むことができる。なおかつ、さらなる複雑なペロブスカイトは、Ａ［Ｂ１_１／３Ｂ２_２／３］Ｏ_３材料を含むことができ、ここでＡはＢａ_ｘＳｒ_１－ｘ（ｘは０から１までの値であり得る）、Ｂ１はＭｇ_ｙＺｎ_１－ｙ（ｙは０から１までの値であり得る）、Ｂ２はＴａ_ｚＮｂ_１－ｚ（ｚは０から１までの値であり得る）である。この点に関連して、一実施形態では、材料および対応する誘電層は、チタン酸バリウムなどのチタン酸を含むことができる。

[0039]さらなる実施形態では、ＮＰＯ（ＣＯＧ）セラミック材料を含むこのセラミック材料、および結果的に得られる誘電層は、酸化物を含むことができる。酸化物は、たとえば、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、マグネシウム、タンタル、チタン、コバルト、ストロンチウム、ネオジム、サマリウム、シリコンなど、またはこれらの混合物を含むことができる。一実施形態では、酸化物は、希土類酸化物を含むことができる。一実施形態では、セラミック材料は、少なくとも二酸化チタンを含むことができる。一実施形態では、セラミック材料は、二酸化ジルコニウムを含むことができる。さらなる実施形態では、セラミック材料は、二酸化ケイ素を含むことができる。一実施形態では、セラミック材料は、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、二酸化ケイ素、またはこれらの混合物を含むことができる。

[0040]さらなる実施形態では、ＮＰＯ（ＣＯＧ）セラミック材料を含むこのセラミック材料、および結果的に得られる誘電層は、チタン酸塩と酸化物との組合せを含むことができる。セラミック材料および誘電層は、とりわけ、チタン酸バリウムと酸化物との組合せを含むことができる。

[0041]電極および電極層は、当技術分野で知られている様々な相異なる金属のうちのいずれかで生成され得る。電極層は、導電性金属などの金属で作られ得る。材料は、貴金属（たとえば銀、金、パラジウム、白金など）、卑金属（たとえば銅、スズ、ニッケル、クロム、チタン、タングステン、アルミニウム、亜鉛など）などばかりでなく、これらの様々な組合せも含むことができる。スパッタされたチタン／タングステン（Ｔｉ／Ｗ）合金、ならびにクロム、ニッケル、および金の、それぞれのスパッタされた層も好適であり得る。電極もまた、銀、銅、金、アルミニウム、パラジウムなどの、低抵抗性材料で作られ得る。特定の一実施形態では、電極層は、ニッケルまたはニッケルの合金を含むことができる。別の特定の実施形態では、電極層は、銅または銅の合金を含むことができる。

[0042]各電極層１０２、１０４は、たとえば、図１Ａ～図１Ｃを参照して下記で説明されるように、１つまたは複数の電極を備えることができる。各電極層１０２、１０４は、たとえば、いくつかの実施形態では、第１の電極１０６および第２の（対向）電極１０８を備えることができる。

[0043]本明細書で説明されているコンデンサは、概して、特定の電極の外形を参照している。しかし、当技術分野で知られている他のタイプの電極および／または電極層も、コンデンサ内で利用され得ることを理解されたい。こうした他の電極および／または電極層は、たとえば、シールド電極、ダミー電極、フローティング電極などを含むことができるが、これらに限定されるものではない。コンデンサは、たとえば、一実施形態では、シールド電極を備えることができる。別の実施形態では、コンデンサは、ダミー電極を備えることができる。さらなる実施形態では、コンデンサは、フローティング電極を備えることができる。かかる電極は、加えて、当技術分野で広く知られている、どんな形状も有することができる。しかし、一実施形態では、コンデンサは、シールド電極、ダミー電極、および／またはフローティング電極を備えなくてもよい。コンデンサは、たとえば、一実施形態では、シールド電極を備えなくてもよい。別の実施形態では、コンデンサは、ダミー電極を備えなくてもよい。さらなる実施形態では、コンデンサは、フローティング電極を備えなくてもよい。

[0044]積層セラミックコンデンサ１００は、誘電層および電極層１０２、１０４を備える積層体１０１に加えて、第１の外部終端１１８および第２の外部終端１２０も収容することができる。第１の外部終端１１８は、第１の電極層１０２の第１の電極１０６および第２の電極層１０４の第２の（対向）電極１０８に、電気的に接続されるなど、接続され得る。第２の外部終端１２０は、第２の電極層１０４の第１の電極１０６および第１の電極層１０２の第２の（対向）電極１０８に、電気的に接続されるなど、接続され得る。

[0045]外部終端１１８および１２０は、積層体１０１のそれぞれの端面２６および２８上に形成され得る。しかし、外部終端１１８および１２０はまた、他の面上に存在してもよい。外部終端は、たとえば、２つの側面２２、２４のみならず、上面および底面に広がってもよい。外部終端１１８は、とりわけ、上面１８、底面２０、および側面２２、２４に広がってもよい。外部終端１２０も同様に、上面１８、底面２０、および側面２２、２４に広がってもよい。

[0046]外部終端は、概して、約４００μｍ以下など、約２５０μｍ以下など、約１５０μｍ以下など、約１００μｍ以下など、約５０μｍ以下など、約４０μｍ以下など、約３０μｍ以下など、約２５μｍ以下など、約２０μｍ以下など、約５００μｍ以下の平均厚さであり得る。外部終端は、約１０μｍ以上など、約１５μｍ以上など、約２５μｍ以上など、約５０μｍ以上など、約など、約５μｍ以上の平均厚さであり得る。外部終端は、たとえば、約１０μｍから約４０μｍなど、約１５μｍから約３０μｍなど、約１５μｍから約２５μｍなど、約５μｍから約５０μｍの平均厚さであり得る。一実施形態では、前述の厚さは、たとえば２層以上を含む外部終端全体の、平均厚さを指す。別の実施形態では、前述の厚さは、単一の層の外部終端の平均厚さを指す。

[0047]本明細書で論じられている実施形態に関して、外部終端は、当技術分野で知られている様々な相異なる金属のうちのいずれで生成され得る。外部終端は、導電性金属などの金属で作られ得る。材料は、貴金属（たとえば銀、金、パラジウム、白金など）、卑金属（たとえば銅、スズ、ニッケル、クロム、チタン、タングステンなど）などばかりでなく、これらの様々な組合せを含むことができる。特定の一実施形態では、外部終端は、銅または銅の合金を含むことができる。

[0048]外部終端は、当技術分野で広く知られている任意の方法を使用して生成され得る。外部終端は、スパッタリング、塗装、印刷、無電解めっきまたは微細銅終端（ＦＣＴ：ｆｉｎｅ ｃｏｐｐｅｒ ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ）、電気めっき、プラズマ堆積、推進剤噴霧／エアブラシなどの技法を使用して、生成され得る。

[0049]一実施形態では、外部終端は、外部終端が比較的厚くなるように生成され得る。かかる端子は、たとえば、電極層の露出された部分に金属の厚い膜の条片を付着させることによって（たとえば、コンデンサを液体の外部終端材料に浸漬することによって）生成され得る。かかる金属は、ガラス母材中に存在し得、銀または銅を含むことができる。かかる条片は、例として、コンデンサ上に印刷され、焼成され得る。その後、コンデンサが基材へはんだづけ可能になるように、金属（たとえばニッケル、スズ、はんだなど）の追加めっき層が、終端条片の上に作り出され得る。厚い膜の条片のかかる付着は、当技術分野で広く知られている任意の方法を使用して（たとえば、終端機械、および金属含有ペースト（ｍｅｔａｌ－ｌｏａｄｅｄ ｐａｓｔｅ）を露出された電極層の上に転写する印刷車輪によって）行われ得る。

[0050]厚くめっきされた外部終端は、約３００μｍ以下など、約２００μｍ以下など、約１５０μｍ以下など、約１００μｍ以下など、約８０μｍ以下など、約５００μｍ以下の平均厚さであり得る。厚くめっきされた外部終端は、約３５μｍ以上など、約５０μｍ以上など、約７５μｍ以上など、約２５μｍ以上の平均厚さであり得る。厚くめっきされた外部終端は、たとえば、約３５μｍから約１２５μｍなど、約５０μｍから約１００μｍなど、約２５μｍから約１５０μｍの平均厚さであり得る。一実施形態では、前述の厚さは、たとえば２層以上を含む外部終端全体の、平均厚さを指す。別の実施形態では、前述の厚さは、単一の層の外部終端の平均厚さを指す。

[0051]別の実施形態では、外部終端は、外部終端が金属の薄膜めっきとなるように生成され得る。かかる薄膜めっきは、電極層の露出された部分に、導電性金属などの導電材料を堆積させることによって生成され得る。電極層の前縁は、たとえば、めっきされた終端の生成を可能にし得るように、露出され得る。

[0052]薄くめっきされた外部終端は、約４０μｍ以下など、約３０μｍ以下など、約２５μｍ以下など、約５０μｍ以下の平均厚さであり得る。薄くめっきされた外部終端は、約１０μｍ以上など、約１５μｍ以上など、約５μｍ以上の平均厚さであり得る。外部終端は、たとえば、約１０μｍから約４０μｍなど、約１５μｍから約３０μｍなど、約１５μｍから約２５μｍなど、約５μｍから約５０μｍの平均厚さであり得る。一実施形態では、前述の厚さは、たとえば２層以上を含む外部終端全体の、平均厚さを指す。別の実施形態では、前述の厚さは、単一の層の外部終端の平均厚さを指す。

[0053]外部終端は、概して、めっきされた終端を含むことができる。外部終端は、たとえば、電気めっき終端、無電解めっき終端、またはこれらの組合せを含むことができる。電気めっき終端は、たとえば、電解めっきによって生成され得る。無電解めっき終端は、無電解めっきによって生成され得る。

[0054]外部終端は、複数の層が外部終端を構成する場合、電気めっき終端および無電解めっき終端を含むことができる。たとえば、初めに、材料の最初の層を堆積させるために、無電解めっきが使用され得る。めっき技法は、次いで、材料のより速い蓄積を可能にし得る、電気化学めっきシステムに切り替えられ得る。

[0055]いずれかのめっき法を使って、めっきされた終端を生成する場合、コンデンサの主体から露出される電極層の前縁が、めっき溶液に曝される。一実施形態では、コンデンサは、曝すことにより、めっき溶液に浸漬され得る。

[0056]めっき溶液は、めっきされた終端を生成するために使用される、導電性金属などの導電材料を含んでいる。かかる導電材料は、前述の材料のうちのいずれか、または当技術分野で広く知られているいずれかであり得る。めっき溶液は、たとえば、スルファミン酸ニッケル槽溶液または他のニッケル溶液であり得、その結果、めっきされた層および外部終端は、ニッケルを含む。別法として、めっき溶液は、銅酸槽または他の好適な銅溶液であり得、その結果、めっきされた層および外部終端は銅を含む。

[0057]さらに、めっき溶液は、当技術分野で広く知られている、他の添加剤を含み得ることを理解されたい。添加剤は、たとえば、めっきプロセスに役立ち得る、他の有機添加剤および媒体を含むことができる。添加剤は、さらに、めっき溶液を所望のｐＨで使用するために使用され得る。一実施形態では、コンデンサ、および電極の露出された前縁に対する、完全なめっき被覆およびめっき材料の接合を補助する、抵抗低減添加剤が溶液中に使用され得る。

[0058]コンデンサは、所定の時間、めっき溶液に露出、沈没、または浸漬され得る。かかる露出時間は、必ずしも制限されるものではないが、めっきされた終端を生成するために十分なめっき材料を堆積させることが可能な、十分な時間であり得る。この点に関連して、この時間は、電極の所望の露出した隣り合う前縁間に、連続した接続を生成可能にするのに十分でなければならない。

[0059]電解めっきと無電解めっきとの相違は、概ね、電解めっきが、外部電源の使用などによる電気バイアスを使用することである。電解めっき溶液は、典型的には、高電流密度範囲、たとえば１０８から１６１アンペア／ｍ^２（１０から１５アンペア／ｆｔ^２）（定格９．４ボルト）に曝され得る。接続は、めっきされた終端の生成を必要とするコンデンサへの負の接続、および同じめっき溶液中の固体材料（たとえばＣｕめっき溶液中のＣｕ）への正の接続によって、生成され得る。すなわち、コンデンサは、めっき溶液の極性とは反対の極性にバイアスされる。かかる方法を使用して、めっき溶液の導電材料が、電極層の露出された前縁の金属に引き付けられる。

[0060]コンデンサをめっき溶液に沈没させるか、または曝す前に、様々な前処理ステップが使用され得る。かかるステップは、電極の前縁へのめっき材料の付着に触媒作用を及ぼすこと、付着を加速すること、および／または付着を改善することを含む、様々な目的のために行われ得る。

[0061]さらに、めっきまたは他の任意の前処理ステップの前に、初期クリーニングステップが使用され得る。かかるステップは、電極の露出された縁に生じる、どんな酸化物の蓄積も除去するために使用され得る。このクリーニングステップは特に、内部電極または他の導電性要素がニッケルで生成されている場合、酸化ニッケルのどんな蓄積をも除去するのに役立つので、有用であり得る。構成要素のクリーニングは、酸クリーナを含むものなど、プレクリーン槽中へ完全に液浸させることによって達成され得る。一実施形態では、露出は、約１０分程度など、所定の時間にわたり得る。クリーニングはまた、別法として、化学研磨またはハーパライジングステップによっても達成され得る。

[0062]加えて、導電材料の堆積を容易にするために、電極層の露出された金属の前縁を活性化するステップが実行され得る。活性化は、パラジウム塩、光パターン化パラジウム有機金属前駆体（マスクまたはレーザを介した）、スクリーン印刷もしくはインクジェット堆積パラジウム化合物、または電気泳動パラジウム堆積物へ液浸させることによって達成され得る。ここでは、パラジウムベースの活性化は、多くの場合、ニッケルまたはニッケルの合金で生成された、露出されたタブ部分の活性化で良好に機能する、活性化溶液の単なる例として開示されていることを理解されたい。しかし、他の活性化溶液も利用され得ることを理解されたい。

[0063]また、前述の活性化ステップの代わりに、または活性化ステップに加えて、コンデンサの電極層を生成するときに、導電材料に活性化ドーパントが導入され得る。たとえば電極層がニッケルを含み、また、活性化ドーパントがパラジウムを含んでいる場合、電極層を生成するニッケルインクまたは組成物中にパラジウムドーパントが導入され得る。そうすることで、パラジウム活性化ステップを不要にすることができる。有機金属前駆体など、上記の活性化方法のうちのいくつかが、コンデンサの概してセラミックの本体への付着を強化する、ガラス形成剤の共堆積に役立つことも、さらに理解されたい。活性化ステップが、上記で説明されたように実施される場合、終端をめっきする前後に、露出された導電性部分に、多くの場合、活性剤材料の痕跡が残り得る。

[0064]さらに、めっき後の後処理ステップも使用され得る。かかるステップは、材料の付着の強化および／または改善を含む、様々な目的のために行われ得る。たとえば、めっきステップを実行した後に、加熱（または焼きなまし）ステップが使用され得る。かかる加熱は、焼付け、レーザサブジェクション、ＵＶ露光、マイクロ波露出、アーク溶接などによって、行われ得る。

[0065]外部終端は、本明細書で示されているように、少なくとも１層のめっき層を備えることができる。一実施形態では、外部終端は、１層のめっき層だけを備えることができる。しかし、外部終端は、複数のめっき層を備えることができることを理解されたい。外部終端は、たとえば、第１のめっき層および第２のめっき層を備えることができる。外部終端は、加えて、第３のめっき層も備えることができる。これらのめっき層の材料は、前述のもの、および当技術分野で広く知られているものの、いずれであってもよい。

[0066]第１のめっき層などの、１層のめっき層は、たとえば、銅または銅の合金を含むことができる。第２のめっき層などの別のめっき層は、ニッケルまたはニッケルの合金を含むことができる。第３のめっき層などの別のめっき層は、スズ、鉛、金、または合金などの組合せを含むことができる。別法としては、最初のめっき層がニッケルを含み、スズまたは金のめっき層がそれに続いてもよい。別の実施形態では、銅の最初のめっき層が、次いでニッケル層が生成され得る。

[0067]一実施形態では、最初の、すなわち第１のめっき層は、導電性金属（たとえば銅）であり得る。この領域は、次いで、密封するために、抵抗体高分子材料を含む第２の層で被覆され得る。この領域は、次いで、抵抗性高分子材料を選択的に除去するために研磨され、次いで、導電性金属材料（たとえば銅）を含む第３の層で、再びめっきされ得る。

[0068]最初のめっき層の上にある、前述の第２の層は、はんだバリア層、たとえばニッケルはんだバリア層に相当し得る。いくつかの実施形態では、前述の層は、最初の無電解または電解めっき層（たとえばめっきされた銅）の上に、金属（たとえばニッケル）の追加層を電気めっきすることによって生成され得る。層、前述のはんだバリア層の、他の例示的な材料は、ニッケル－リン、金、および銀を含む。前述のはんだバリア層上の第３の層は、いくつかの実施形態では、めっきされたＮｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ／Ｓｎ、または他の好適なめっきされたはんだなどの、導電層に相当し得る。

[0069]加えて、抵抗性合金、または抵抗値がより高い金属合金の被覆、たとえば無電解Ｎｉ－Ｐ合金を、かかる金属めっきの上に設けるために、その後に電気めっきステップが続く、金属めっきの層が生成され得る。しかし、本明細書における完全な開示から当業者が理解することになるように、どんな金属被覆を備えることも可能であることを理解されたい。

[0070]前述のステップのいずれも、バレルめっき、流動床めっき、および／またはフロースルーめっきの終端プロセスなどの、バルクプロセスとして行われ得、これらのすべてが、当技術分野で広く知られていることを理解されたい。かかるバルクプロセスは、複数の構成要素が一度に処理されることを可能にし、効率的で迅速な終端プロセスを実現する。これは、個々の構成要素の処理を必要とする、厚膜の終端の印刷など、従来の終端の方法に比べて特に有利である。

[0071]本明細書で説明されているように、外部終端の生成は、概ね、電極の露出された縁の場所によって導かれる。かかる現象は、コンデンサの選択された周辺位置での、電極層の露出された導電性金属の外形によって、外部めっき終端の生成が決定されるので、「自己決定」と呼ばれ得る。いくつかの実施形態では、コンデンサは、コンデンサのモノリシックボディの一部に沿って、露出された導電性金属を設ける、「ダミータブ」を備えることができる。

[0072]コンデンサの端子を生成するための追加の技術も、本技術の範囲内であり得ることを理解されたい。例示的な代替形態は、これらに限定されるものではないが、厚膜導電層または薄膜導電層の両方を生成するための、めっき、磁気作用、マスキング、電気泳動／静電気、スパッタリング、真空蒸着、印刷、または他の技法による終端の生成を含む。

[0073]図、特に図１Ｃに戻って参照すると、いくつかの実施形態では、第１の外部終端１１８は、第１の長手方向の縁１２２を有することができる。この縁は、長手方向１３２にオフセットされ、端面２６とは反対側に面することができる。第２の外部終端１２０は、第２の長手方向の縁１２４を有することができる。この縁は、長手方向にオフセットされ、端面２８とは反対側に面することができる。第２の長手方向の縁１２４は、第１の長手方向の縁１２２から長手方向１３２に、外部終端ギャップ距離３９だけオフセットされ得る。この点に関連して、外部終端ギャップ距離３９は、長手方向１３２に形成され得る。

[0074]外部終端ギャップ距離は、約１５０μｍ以上など、約２００μｍ以上など、約３００μｍ以上など、約４００μｍ以上など、約５００μｍ以上など、約６００μｍ以上など、約１００μｍ以上であり得る。外部終端ギャップ距離は、約９００μｍ以下など、約８００μｍ以下など、約７００μｍ以下など、約６００μｍ以下など、約１０００μｍ以下であり得る。

[0075]図１Ｃを参照すると、いくつかの実施形態では、積層セラミックコンデンサ１００は、長手方向１３２に、コンデンサの端部間の、コンデンサの長さ３７を有することができる。コンデンサの長さは、約７００μｍ以上など、約８００μｍ以上など、約９００μｍ以上など、約１，０００μｍ以上など、約１，２００μｍ以上など、約１，４００μｍ以上など、約６００μｍ以上であり得る。コンデンサの長さは、約２，５００μｍ以下など、約２，２００μｍ以下など、約１，８００μｍ以下など、約１，６００μｍ以下など、約１，５００μｍ以下など、約１，４００μｍ以下など、約１，３００μｍ以下など、約１，２００μｍ以下など、約１，１００μｍ以下など、約３，０００μｍ以下であり得る。したがって、一実施形態では、コンデンサの長さ３７に対する外部終端ギャップ距離３９の比は、０．２以上など、０．３以上など、０．４以上など、０．５以上など、０．６以上など、０．７以上など、０．１以上であり得る。この比は、０．８以下など、０．７以下など、０．６以下など、０．５以下など、０．９以下であり得る。

[0076]同様に、いくつかの実施形態では、コンデンサ１００の積層体１０１は、長手方向１３２に、コンデンサの端面２６と２８との間に、本体の長さ４７を有することができる。本体の長さは、約７００μｍ以上など、約８００μｍ以上など、約９００μｍ以上など、約１，０００μｍ以上など、約１，２００μｍ以上など、約１，４００μｍ以上など、約６００μｍ以上であり得る。本体の長さは、約２，５００μｍ以下など、約２，２００μｍ以下など、約１，８００μｍ以下など、約１，６００μｍ以下など、約１，５００μｍ以下など、約１，４００μｍ以下など、約１，３００μｍ以下など、約１，２００μｍ以下など、ば約１，１００μｍ以下など、約３，０００μｍ以下であり得る。したがって、一実施形態では、本体の長さ３７に対する外部終端ギャップ距離３９の比は、０．２以上など、０．３以上など、０．４以上など、０．５以上など、０．６以上など、０．７以上など、０．１以上であり得る。この比は、０．８以下など、０．７以下など、０．６以下など、０．５以下など、０．９以下であり得る。

[0077]一実施形態では、コンデンサ１００またはコンデンサの一部は、長手方向１３２に延びる長手方向の中心線に関して、対称であり得る。別の実施形態では、コンデンサ１００またはコンデンサの一部は、横方向１３４に延びる横方向の中心線に関して、対称であり得る。さらなる実施形態では、コンデンサ１００またはコンデンサの一部は、Ｚ方向１３６に延びるＺ方向の中心線に関して、対称であり得る。

[0078]本開示の態様は、たとえば比較的低い等価直列抵抗値を有する、積層セラミックコンデンサに関する。一実施形態では、コンデンサは、向きの影響を受けやすい特性を示し得る。積層セラミックコンデンサは、たとえば、第２の向きでは、第１の向きでの価直列抵抗値よりも、約１０％以上など、約１５％以上など、約２０％以上など、約５％以上の等価直列抵抗値を示し得る。第１の向きでは、積層セラミックコンデンサ１００の長手方向１３２は、取付け面１１０と平行であり得る（たとえば、図１Ｄ～図１Ｆに示されているように）。第１の向きでは、電極（たとえば、電極１０６、１０８）は、取付け面１１０にほぼ垂直であり得る。積層セラミックコンデンサ１００は、第２の向きでは、第１の向きに対して、長手方向１３２を中心に９０度回転され得る。したがって、第２の向きでは、電極（たとえば、電極１０６、１０８）は、取付け面１１０とほぼ平行であり得る。一方、コンデンサ１００は、第１の向き（図示されている）において、コンデンサ１００が長手方向１３２を中心に１８０度回転された（図示と実質的に同様に見える）第３の向きと、同等の等価直列抵抗特性を示し得る。

[0079]開示されたコンデンサは、様々な用途に使用され得る。この用途は、たとえば、通信に関係する用途を含み得る。この用途は、５Ｇ、携帯型デバイス、高周波通信を必要とするデバイス、基地局、Ｖ２Ｘ（ｖｅｈｉｃｌｅ ｔｏ ｅｖｅｒｙｔｈｉｎｇ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：車車間／路車間通信技術）などを含み得る。この用途は、動力伝導機構、安全装置、ＡＤＡなども含み得る。

試験方法
[0080]試験用組立体が、本開示の態様によるコンデンサの、等価直列抵抗値などの性能特性を試験するために、使用され得る。コンデンサが、たとえば、試験基板に取り付けられ得る。入力線および出力線がそれぞれ、試験基板に接続され得る。試験基板は、入力線および出力線を、コンデンサのそれぞれの外部終端に電気的に接続する、マイクロストリップラインまたは試験用トレースを備えることができる。試験用トレースは、約０．４３２ｍｍ（０．０１７インチ）または約０．６１０ｍｍ（０．０２４インチ）だけ離間され得る。

[0081]入力信号は、元信号発生器（たとえば、１８０６ Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４００シリーズの電圧電流発生および測定ユニット（ＳＭＵ：Ｓｏｕｒｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅ Ｕｎｉｔ）、たとえば、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４１０－Ｃ ＳＭＵ）を使用して、入力線に印加され得、その結果得られるコンデンサの出力信号は、出力線において測定され得る（たとえば、元信号発生器を使用して）。等価直列抵抗値は、１ＧＨｚから１０ＧＨｚの周波数範囲にわたって判定され得る。この試験方法が、同じ設計および公称寸法の複数のコンデンサについて、繰り返され得る。

[0082]本発明のこれらの修正形態および変形形態、ならびに他の修正形態および変形形態が、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、当業者によって実践され得る。加えて、様々な実施形態の態様は、全体的または部分的の両方において、相互に交換され得ることを理解されたい。さらに、当業者は、上述の説明は単なる例にすぎず、かかる添付の特許請求の範囲でさらに説明される本発明を、制限することは意図されていないことを理解されよう。

Claims (23)

1. 第１の端部と、前記第１の端部から、横方向に垂直な長手方向に離間された第２の端部とを有する、積層セラミックコンデンサであって、前記横方向および前記長手方向が、それぞれＺ方向に垂直であり、前記積層セラミックコンデンサが、
   前記横方向に平行な、複数の誘電層および複数の電極層を備える、積層体と、
   前記第１の端部に沿って配設された第１の外部終端、および前記第２の端部に沿って配設された第２の外部終端と
   を備え、少なくとも１層の電極層が、接続部分と、前記接続部分から前記長手方向に延在する中央部分とを備える、第１の電極を具備し、前記中央部分が、Ｚ方向の縁を有し、前記接続部分が、前記長手方向と前記Ｚ方向との両方に延びる縁を有し、前記中央部分の前記Ｚ方向の縁が、前記接続部分の前記縁と、９０°超から１８０°未満の第１の角度を形成する、積層セラミックコンデンサ。
2. 前記第１の角度が、１００°から１６０°である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記接続部分の前記縁が、直線の縁である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 前記接続部分の前記縁が、湾曲した縁である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 前記第１の電極が、前記第１の外部終端と電気的に接続されたベース部分をさらに備え、前記接続部分が、前記ベース部分から前記長手方向に延在する、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
6. 前記第１の電極の前記ベース部分が、前記Ｚ方向に延びる長手方向縁と、前記長手方向に延びる長さとを有し、前記第１の外部終端が、前記横方向に延びる第１の長手方向の縁を有し、前記第１の外部終端の第１の長手方向の縁が、前記ベース部分の前記長さを基準として、前記ベース部分の前記長手方向の縁の５％以内である、請求項５に記載の積層セラミックコンデンサ。
7. 前記ベース部分が、長手方向の縁を有し、前記ベース部分の前記長手方向の縁が、前記接続部分の前記縁と、９０°超から１８０°未満の第２の角度を形成する、請求項５に記載の積層セラミックコンデンサ。
8. 前記第２の角度が、１００°から１６０°である、請求項７に記載の積層セラミックコンデンサ。
9. 前記積層体が、前記長手方向に、前記積層セラミックコンデンサの前記第１の端部と前記第２の端部との間に、本体の長さを有し、前記第１の外部終端が、第１の長手方向の縁を有し、前記第２の外部終端が、第２の長手方向の縁を有し、前記第２の長手方向の縁が、前記長手方向に、前記第１の長手方向の縁から、外部終端ギャップ距離だけオフセットされており、前記本体長さ対前記外部終端ギャップ距離の比が、０．２から０．８である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
10. 前記積層セラミックコンデンサが、前記長手方向に延びる長手方向の中心線に関して、前記横方向に対称である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
11. 前記積層セラミックコンデンサが、前記横方向に延びる横方向の中心線に関して、前記Ｚ方向に対称である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
12. 前記積層セラミックコンデンサが、前記電極層が取付け面に垂直になるように、前記取付け面に取付けるよう構成された、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
13. 前記電極層のうちの前記少なくとも１層が、前記第２の外部終端と電気的に接続されたベース部分を備える、第２の電極を具備し、中央端部ギャップ距離が、前記長手方向に、前記第１の電極の前記中央部分と前記第２の電極の前記ベース部分との間に形成される、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
14. 前記第１の電極が、銅を含む、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
15. 前記少なくとも１層の電極層が、第２の電極をさらに備え、前記第１の電極および前記第２の電極が、銅を含む、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
16. 前記誘電層が、ＮＰＯ材料を含む、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
17. 前記誘電層が、チタン酸塩を含む、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
18. 前記誘電層が、酸化物をさらに含む、請求項１７に記載の積層セラミックコンデンサ。
19. 前記積層セラミックコンデンサが、１０ＧＨｚにおいて約３０オーム未満の等価直列抵抗値を示す、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
20. 前記積層セラミックコンデンサが、５ＧＨｚにおいて約２０オーム未満の等価直列抵抗値を示す、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
21. 前記積層セラミックコンデンサが、３ＧＨｚにおいて約１０オーム未満の等価直列抵抗値を示す、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
22. 前記積層セラミックコンデンサが、約２ＧＨｚから約１０ＧＨｚにおいて、約０．１オームから約３０オームの等価直列抵抗値を示す、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
23. 前記積層セラミックコンデンサが、約４ＧＨｚから約１０ＧＨｚにおいて、約２オームから約２０オームの等価直列抵抗値を示す、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。

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