JP2023545142A - 表示パネル及びその製造方法並びに表示装置 - Google Patents

表示パネル及びその製造方法並びに表示装置 Download PDF

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Abstract

本願は表示パネル及びその製造方法並びに表示装置を提供する。表示パネルは、ベース基板と、前記ベース基板の一側に設置された第一の絶縁層であって、かつ前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた側に、複数の順次交互に設置された凹溝及び突起を有する第一の絶縁層と、前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた側に設置された配線と、を含み、前記配線は、前記第一の絶縁層の突起の頂面の前記ベース基板から離れた側に設置された第一の配線及び前記凹溝の底面に設置された第二の配線を含む。

Description

本願は表示技術分野に関するものであり、具体的には、表示パネル及びその製造方法並びに表示装置に関するものである。
現在、携帯電話などの表示装置の機能はますます多く、表示パネルに対する画面比率などの要求はますます高くなっており、かくして表示パネルにおける配線はますます複雑に、配線数はますます多くなることから、限られたスペース内で如何にしてより多くの配線を配置するかは表示パネルの製造において特に重要である。
よって、表示パネルに関する研究はさらに掘り下げる余地がある。
本願は関連技術における技術課題の一つを少なくともある程度解決することを目的とする。このために、本願の目的の一つは、表示パネル上の配線間の間隔が小さく、同じ寸法の範囲内でより合理的により多くの配線を配置することができ、使用需要を満たす表示パネルを提供することである。
本願の一態様において、本願は表示パネルを提供する。本願の実施例によれば、表示パネルは、ベース基板と、前記ベース基板の一側に設置された第一の絶縁層であって、かつ前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた側に、複数の順次交互に設置された、側壁と底面を含む凹溝及び頂面を含む突起を有する第一の絶縁層と、前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた側に設置された配線と、を含み、前記配線は、前記突起頂面の前記ベース基板から離れた側に設置された第一の配線及び前記凹溝の前記底面に設置された第二の配線を含み、かつ前記第一の配線と前記第二の配線は切り離されて設置され、即ち第一の配線と第二の配線は接続されていない。これにより、第一の配線と第二の配線は第一の絶縁層の突起の頂面と凹溝の底面にそれぞれ設置され、凹溝の設置によって第一の配線と第二の配線との間が段差の存在により切り離され、第一の配線と第二の配線を同一平面内に設置し（即ち第一の絶縁層に凹溝を設置せず、第一の配線と第二の配線のいずれも、第一の絶縁層の平らな同一面に設置する）、第一の配線と第二の配線との間の水平間隔を大幅に縮小することができ、さらには同じ寸法内でより多くの配線を配置することができる。
本願の実施例によれば、表示パネルは、第一の表示領域及び前記第一の表示領域の外縁に設置された第二の表示領域を含み、前記表示パネルは、ベース基板と、前記ベース基板と前記第一の絶縁層との間に設置された第一の画素回路であって、かつ前記第二の表示領域内に位置する複数の第一の画素回路と、前記配線の前記ベース基板から離れた側に設置され、かつ前記第一の表示領域内に位置する発光素子と、を含み、前記第一の画素回路が前記発光素子を駆動して発光させるように、前記配線が前記第一の画素回路と前記発光素子を電気的に接続するために用いられる。
本願の実施例によれば、前記凹溝の前記側壁と前記凹溝の前記底面が位置する平面との間の夾角が６５°～９０°であり、前記凹溝の深さが１００～４８０ナノメートルである。
本願の実施例によれば、前記第一の配線と前記第二の配線との間の水平間隔が１．８～２．５ミクロンである。
本願の実施例によれば、前記凹溝は前記第一の絶縁層を貫通せず、前記底面における前記第一の絶縁層の厚さは２０～５０ナノメートルである。
本願の実施例によれば、前記表示パネルはアンダーディスプレイ機能領域をさらに有し、前記第一の表示領域の前記ベース基板での正投影と前記アンダーディスプレイ機能領域の前記ベース基板で正投影に重複領域がある。
本願の実施例によれば、表示パネルは、前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた表面に設置された第二の絶縁層をさらに含み、かつ前記第二の絶縁層を貫通する貫通孔を有し、かつ前記貫通孔の前記ベース基板での正投影と前記凹溝の前記ベース基板での正投影に重複領域があり、前記第一の配線が前記第二の絶縁層の前記ベース基板から離れた表面に設置される。
本願の実施例によれば、前記貫通孔の側壁と前記第二の絶縁層が位置する平面との間の夾角が鈍角である。
本願の実施例によれば、前記第二の絶縁層の厚さが１５０～５００ナノメートルである。
本願の実施例によれば、前記第一の絶縁層と前記第二の絶縁層の材料が異なる。
本願の実施例によれば、前記第一の絶縁層の材料は窒化ケイ素を含み、前記第二の絶縁層の材料は酸化ケイ素を含む。
本願の実施例によれば、表示パネルは、前記第一の絶縁層の前記ベース基板に近い表面に設置された第三の絶縁層をさらに含み、前記第一の絶縁層の前記ベース基板での正投影が前記第三の絶縁層の前記ベース基板での正投影を覆い、かつ前記第三の絶縁層の前記ベース基板での正投影と前記凹溝の前記ベース基板での正投影に重複領域がある。
本願の実施例によれば、表示パネルは、前記第一の絶縁層の前記ベース基板に近い表面に設置された第四の絶縁層をさらに含み、かつ前記第四の絶縁層の前記ベース基板での正投影が前記凹溝の前記ベース基板での正投影を覆う。
本願の実施例によれば、前記凹溝は前記第一の絶縁層を貫通し、前記第二の配線は前記凹溝において露出した前記第四の絶縁層の表面に設置される。
本願の実施例によれば、前記第四の絶縁層は凹部を有し、前記凹溝の前記ベース基板での正投影と前記凹部の前記ベース基板での正投影に重複領域があり、前記第二の配線は前記凹部の底面に形成される。
本願の別の態様において、本願は表示パネルを製造する方法を提供する。本願の実施例によれば、ベース基板を提供することと、前記ベース基板の一側に第一の初期絶縁層を形成することと、前記第一の初期絶縁層をエッチングして、複数の順次交互に設置された、側壁と底面を含む凹溝及び頂面を含む突起を有する第一の絶縁層を得ることと、前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた側に配線を形成し、前記配線は、前記突起の前記頂面の前記ベース基板から離れた側に設置された第一の配線及び前記凹溝の前記底面に設置された第二の配線を含み、かつ前記第一の配線と前記第二の配線は切り離されて設置される。これにより、上記製造方法において、第一の配線と第二の配線は第一の絶縁層の突起の頂面と凹溝内にそれぞれ形成され、凹溝の設置によって第一の配線と第二の配線との間が段差の存在により切り離され、第一の配線と第二の配線を同一平面内に設置し（即ち第一の絶縁層には凹溝を設置せず、第一の配線と第二の配線のいずれも、第一の絶縁層の平らな同一面に設置する）、第一の配線と第二の配線との間の間隔を大幅に縮小することができ、さらには同じ寸法内において、より多くの配線を配置することができる。さらに、上記製造方法は製造プロセスが簡単かつ成熟したものであって、実施及び工業化量産に有利である。
本願の実施例によれば、表示パネルは第一の表示領域及び前記第一の表示領域の外縁に設置された第二の表示領域を含み、前記表示パネルを製造する方法は、前記ベース基板の表面に複数の第一の画素回路を形成し、かつ前記第一の画素回路が前記第二の表示領域内に位置するステップと、前記第一の画素回路の前記ベース基板から離れた側に前記第一の絶縁層を形成するステップと、前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた側に前記配線を形成するステップと、前記配線の前記ベース基板から離れた側に発光素子を形成し、かつ前記発光素子が前記第一の表示領域に位置し、前記第一の画素回路が前記発光素子を駆動して発光させるように、前記配線が前記第一の画素回路と前記発光素子を電気的に接続するために用いられるステップと、を含む。
本願の実施例によれば、前記第一の初期絶縁層をエッチングして前記第一の絶縁層を得るステップは、前記第一の初期絶縁層の表面に全面フォトレジスト層を形成するステップと、前記全面フォトレジスト層の所定の領域に露光、現像を行い、開口を有するフォトレジスト層を得るステップと、エッチングガスにより前記開口に露出した前記第一の初期絶縁層をエッチングして、前記第一の絶縁層を得るステップと、を含み、前記露光過程での露光量は１００～１６０ｍＪ、現像時間は４０～８０ｓである、及び／又は前記エッチング過程におけるエッチング速度は２５００～３５００Ａ／ｍｉｎである。
本願の実施例によれば、表示パネルを製造する方法は、第一の初期絶縁層の前記ベース基板から離れた表面に第二の初期絶縁層を形成することと、前記第二の初期絶縁層の表面に前記全面フォトレジスト層を形成することと、前記全面フォトレジスト層の所定の領域に露光、現像を行い、前記開口を有する前記フォトレジスト層を得ることと、を含み、前記エッチングガスにより前記開口に露出した前記第二の初期絶縁層及び前記第一の初期絶縁層をエッチングし、貫通孔を有する第二の絶縁層及び前記凹溝を有する前記第一の絶縁層を得、かつ前記貫通孔の前記ベース基板での正投影と前記凹溝の前記ベース基板での正投影に重複領域があり、前記第一の配線が前記第二の絶縁層の前記ベース基板から離れた表面に設置される。
本願の実施例によれば、前記第一の初期絶縁層を形成する前に、表示パネルを製造する方法は、第三の初期絶縁層を予め形成することをさらに含み、前記第三の初期絶縁層をエッチングして、パターン化された第三の絶縁層を得、前記第一の絶縁層の前記ベース基板での正投影は前記第三の絶縁層の前記ベース基板での正投影を覆い、かつ前記第三の絶縁層の前記ベース基板での正投影と前記凹溝の前記ベース基板での正投影には重複しない領域が存在する。
本願の実施例によれば、表示パネルを製造する方法は、前記第一の初期絶縁層を形成する前に、第四の初期絶縁層を予め形成し、前記第一の初期絶縁層は前記第四の初期絶縁層の前記ベース基板から離れた表面に形成されることと、前記第一の初期絶縁層及び前記第四の初期絶縁層をエッチングして、前記凹溝を有する前記第一の絶縁層及び凹部を有する第四の絶縁層を得ることと、をさらに含み、前記凹溝が前記第一の絶縁層を貫通し、かつ前記凹溝の前記ベース基板での正投影と前記凹部の前記ベース基板での正投影に重複領域があり、前記第二の配線が前記凹部の底面に形成される。
本願のさらなる態様において、本願は表示装置を提供する。本願の実施例によれば、表示装置は前述の表示パネルを含み、前述の表示パネルは第一の表示領域及び第二の表示領域を有し、前記表示パネルはアンダーディスプレイ機能領域を有し、前記アンダーディスプレイ機能領域の前記表示パネルにおける正投影と前記第一の表示領域に重複領域がある。これにより、当該表示装置は大型のアンダーディスプレイ機能領域を設計することができる。当業者であれば、該表示装置は前述の表示パネルの全ての特徴及び利点を有すると理解することができ、ここでは改めて説明しない。
本願の一実施例における表示パネルの構造模式図である。 本願の別の実施例における表示パネルの平面模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの平面レイアウト模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの平面レイアウト模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの平面模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの構造模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの構造模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの構造模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの構造模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの構造模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの構造模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの構造模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの構造模式図である。 本願のさらなる実施例における表示パネルの構造模式図である。 一例における表示パネルの構造模式図である。 本願のさらなる実施例において表示パネルを製造する構造模式図である。 本願のさらなる実施例において表示パネルを製造する構造模式図である。 本願のさらなる実施例において表示パネルを製造する構造模式図である。 本願のさらなる実施例において表示パネルを製造する構造模式図である。 本願のさらなる実施例において表示パネルを製造する構造模式図である。 本願のさらなる実施例において表示パネルを製造する構造模式図である。 本願のさらなる実施例における表示装置の構造模式図である。
以下、本願の実施例について詳細に説明する。以下に説明する実施例は例示的なものであり、本願を解釈するためにだけ用いられ、本願を限定するものと理解すべきではない。実施例において具体的な技術又は条件について明記していないものは、本分野における文献に記載の技術又は条件に従って、或いは製品の説明書に従って行うものとする。
本願の一態様において、図１に示すように、本願は表示パネルを提供する。本願の実施例によれば、表示パネルは、ベース基板１０と、ベース基板１０の一側に設置された第一の絶縁層２０であって、かつ前記ベース基板１０から離れた側に、複数の順次交互に設置された、側壁２１１と底面２１２を含む凹溝２１及び頂面２２１（図１に示すように、側壁がそれぞれ底面及び頂面に接続される）を含む突起２２を有する第一の絶縁層２０と、前記第一の絶縁層２０の前記ベース基板１０から離れた側に設置された配線３０と、を含み、ここで、前記配線３０は、前記第一の絶縁層２０の突起２２の頂面２２１のベース基板から離れた側に設置された第一の配線３１及び前記凹溝２１の底面２１２に設置された第二の配線３２を含み、かつ前記第一の配線３１と前記第二の配線３２は切り離されて設置され、即ち第一の配線３１と第二の配線３２は接続されていない。これにより、第一の配線３１と第二の配線３２は第一の絶縁層２０の突起２２の頂面２２１と凹溝２１の底面２１２にそれぞれ設置され、凹溝２１の設置によって第一の配線３１と第二の配線３２との間が段差の存在により切り離され、第一の配線と第二の配線を同一平面内に設置し（即ち第一の絶縁層に凹溝を設置せず、第一の配線と第二の配線のいずれも、第一の絶縁層の平らな同一面に設置し、この時に第一の配線と第二の配線が完全に切り離されることを保証するために、両者の間の間隔は通常３．５～４ミクロンメートルである）、第一の配線３１と第二の配線３２との間の水平間隔ｄを大幅に縮小することができ、さらには同じ寸法内でより多くの配線を配置することができる。
なお、第一の配線及び第二の配線は製造過程において、同一の堆積ステップにより同時に形成されるため、第一の絶縁層２０の突起頂面２２１と底面２１２との間の段差により、堆積時に配線が段差の存在により切り離され、さらには突起頂面２２１と底面２１２おいて、切り離された第一の配線及び第二の配線がそれぞれ形成される。また、第一の配線３１と第二の配線３２との間の水平間隔ｄは、隣接する第一の配線と第二の配線との間の、第一の配線の第二の配線に近い一端と第二の配線の第一の配線に近い一端との間の水平間隔である。
さらに、配線３０の材質はＩＴＯ、ＡＺＯなどの透明導電材料を含むがこれらに限定されないため、光透過率が好ましく、表示パネルの光透過率の向上に有利である。
本願の実施例によれば、図２に示すように、表示パネルは第一の表示領域ｂと第一の表示領域ｂの外縁ｂ１に設置された第二の表示領域ａを含み、ここで、上記第二の表示領域ａは第一の表示領域ｂの外縁に設置され、即ち第二の表示領域ａが第一の表示領域ｂの外側に設置される、又は、第二の表示領域ａが第一の表示領域ｂの周辺に設置されることを指す。また、第一の表示領域ｂの具体的な設置位置についても特別な要求はなく、当業者はアンダーディスプレイ機能領域の実際の設計要件に応じて柔軟に選択することができ、例えば、第二の表示領域は表示パネルの中央であってよく、表示パネルの一つの隅であってもよく、図２に示すように表示パネルのフレームに近接した中央に位置する位置に位置してもよい。
本願の実施例によれば、図２における（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、第一の表示領域ｂのベース基板での正投影とアンダーディスプレイ機能領域ｅのベース基板での正投影に重複領域がある。いくつかの具体的な実施例において、第一の表示領域ｂのベース基板での正投影とアンダーディスプレイ機能領域ｅのベース基板での正投影は重複する。別の実施例において、図２（Ｃ）に示すように、第一の表示領域ｂのベース基板での正投影はアンダーディスプレイ機能領域ｅのベース基板での正投影で覆われる。さらなるいくつかの実施例において、図２（Ｄ）に示すように、アンダーディスプレイ機能領域ｅのベース基板での正投影は第一の表示領域ｂのベース基板での正投影に覆われる。
ここで、アンダーディスプレイ機能領域を設置する縦方向位置に特別な要求はなく、当業者が実際の設計要件に応じて柔軟に選択することができる。いくつかの具体的な実施例において、アンダーディスプレイ機能領域は表示パネルの画面から離れた側に設置されてよい。アンダーディスプレイ機能領域はアンダーディスプレイ機能層構造を設置するために用いることができ、アンダーディスプレイ機能層構造の具体的な構造に特別な要求はなく、当業者は実際の状況に応じて柔軟に選択することができ、いくつかの具体的な実施例において、アンダーディスプレイ機能領域はアンダーディスプレイカメラであり、本願の上記表示パネルの構造はアンダーディスプレイカメラの高い光透過率に対する要求を満たすことができるだけでなく、大型のアンダーディスプレイカメラの設計要件を実現することができる。
さらに、図３～図７（図５は一行の画素のみを示した構造模式図、図６は図５におけるｍ－ｍ’に沿った断面図、図７は図５におけるｎ－ｎ’に沿った断面図である）である。表示パネルは、ベース基板１０と、ベース基板１０と第一の絶縁層２０との間に設置された第一の画素回路１１であって、かつ第二の表示領域ａに位置する複数の第一の画素回路１１と、配線３０のベース基板１０から離れた側に設置され、かつ前記第一の表示領域ｂに位置する発光素子４０とを含み、ここで、第一の画素回路１１が発光素子４０を駆動して発光させるように、配線３０が第一の画素回路１１と発光素子４０を電気的に接続するために用いられる。よって、第一の配線３１と第二の配線３２との間の水平間隔ｄが小さいため、一定の寸法範囲内の第一の絶縁層の表面に多くの第一の配線３１及び第二の配線３２を設置することができることから、第一の表示領域ｂにおいて多くの発光素子４０を設置することができ、大型のアンダーディスプレイ機能領域の設計要件を満たす。なお、一本の第一の配線又は一本の第二の配線はそれぞれ一つの第一の画素回路及び一つの発光素子と電気的に接続されている。本願において発光素子の具体的な構造に特別な要求はなく、当業者は実際の設計要件に応じて柔軟に選択することができる。本願の実施例によれば、発光素子は、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、陰極を含んでよい。
また、第一の画素回路の具体的な設置位置に特別な要求はなく、当業者は画素に対する設計要件に応じて柔軟に選択することができる。いくつかの具体的な実施例において、第一の画素回路１１は第二の表示領域ａ全体に分布するものではなく、第二の表示領域ａの第一の表示領域ｂに近い一部領域にのみ設けてよく、図２における右の図の矩形枠内のように、第一の画素回路は第二の表示領域ａにおける矩形枠内にのみ分布する。
さらに、図３、図４、図５に示すように、第二の表示領域ａは第二の画素回路１２をさらに含み、第一の画素回路と第二の画素回路との間の具体的な相対的な設置位置に特別な要求はない。第一の画素回路１１は異なる二つの第二の画素回路１２の間に設置されてよく、ここで、隣接する二つの第一の画素回路の間に一つ又は複数の第二の画素回路が置かれてよく、つまり同じ行の複数の画素回路において、第一の画素回路１１は隣接して設置されなくてもよく、いくつかの実施例では、同じ行の複数の画素回路において、隣接する二つの第一の画素回路１１の間に少なくとも一つの第二の画素回路１２が設置される。いくつかの具体的な実施例では、同じ行の複数の画素回路において、図５に示すように、一つの第二の画素回路１２おきに一つの第一の画素回路１１が設置される。別のいくつかの具体的な実施例では、図３及び４に示すように、三つの第二の画素回路１２おきに一つの第一の画素回路１１が設置される。また、いくつかの具体的な実施例において、第一の画素回路１１の間に第二の画素回路１２を置かなくてもよく、即ち第一の画素回路１１は隣接して設置してもよい。
ここで、第一の画素回路１１の具体的な構造に特別な要求はなく、当業者は実際の状況に応じて柔軟に選択することができる。いくつかの実施例において、第一の画素回路１１は７Ｔ１Ｃ回路（即ち七つのトランジスタ及び一つのコンデンサ）構造であり、例えば駆動トランジスタ、データ書き込みトランジスタ、蓄積コンデンサ、閾値補償トランジスタ、第一のリセットトランジスタ、第二のリセットトランジスタ、第一発光制御トランジスタ、第二の発光制御トランジスタを含む。第一の画素回路１１の縦方向構造にも特別な要求はなく、いくつかの実施例において、第一の画素回路１１は活性層、ゲート絶縁層、ゲート、層間誘電体層、ソース電極、ドレイン電極、蓄積コンデンサなどの構造を含む。ここで、いくつかの実施例において、配線３０は貫通孔２３を介して（図７及び図８に示すとおりであり、図８は図５におけるｋ－ｋ’に沿った断面図である）駆動トランジスタにおけるドレイン１１１と電気的に接続され（図４に示すとおりである）、第一の画素回路１１での対応する画素ユニットには発光素子が設けられず、第一の表示領域における発光素子４０の発光を駆動するためにのみ用いられる。第一の表示領域ｂにおける発光素子は第二の表示領域における第一の画素回路１１により駆動されて発光し、第一の表示領域には画素回路を設置する必要がなく、さらには第一の表示領域内の光透過率を大幅に向上させることができ、アンダーディスプレイ機能領域の高い光透過率に対する要件を満たす。
図４及び図８において、図４における右の図は図４における破線枠Ａ及び破線枠Ｂ部分の拡大図をそれぞれ示し、配線３０は貫通孔４３を介して発光素子４０における陽極４１と電気的に接続され、陽極４１のベース基板での正投影は画素定義層により画定された開口４２のベース基板上での正投影を覆う。いくつかの具体的な実施例において、陽極４１は突起部４１１を有し、配線３０は貫通孔４３を介してＥＬ発光素子４０における陽極４１の突起部４１１と電気的に接続されている。
配線３０と陽極４１を隔絶するために、配線３０と陽極４１との間に絶縁媒体層を設置することができる。いくつかの実施例において、配線３０と発光素子との間に絶縁媒体層５０が設置され、陽極４３は絶縁媒体層５０を貫通する貫通孔４３を介して配線３０（図８に示す第二の配線３２）と電気的に接続される。
本願の実施例によれば、図６に示すように、凹溝２１の側壁２１１と前記凹溝２１の底面２１２が位置する平面との間の夾角αは６５°～９０°で、例えば６５°、６８°、７０°、７２°、７５°、７８°、８０°、８２°、８５°、８８°、９０°であり、凹溝の深さは１００～４８０ナノメートルで、例えば１００ナノメートル、１２０ナノメートル、１３０ナノメートル、１５０ナノメートル、１８０ナノメートル、２００ナノメートル、２３０ナノメートル、２５０ナノメートル、２８０ナノメートル、３００ナノメートル、３２０ナノメートル、３５０ナノメートル、３８０ナノメートル、４００ナノメートル、４２０ナノメートル、４５０ナノメートル、４８０ナノメートルである。これにより、上記夾角と凹溝の深さの限定は、第一の配線と第二の配線が凹溝の突起の頂面２２１と凹溝の底面２１２との間の段差により切り離されることをよりよく確保することができる。αが６５°より小さい場合、凹溝２１の側壁２１１が比較的緩やかであるため、相対的に第一の配線３１と第二の配線３２を完全に切り離すのは容易でなく、このような場合、第一の表示領域における一部の発光素子の正常な発光に影響を与える。さらに、αが６５°より小さい場合、第一の配線と第二の配線を切り離すことができたとしても、側壁２１１が比較的緩やかであるため、側壁２１１の幅が広く、第一の配線と第二の配線との間の水平間隔ｄを短くすることに不利である。
なお、凹溝の深さは突起の頂面と凹溝の底面との間の垂直間隔を指す。
さらに、凹溝２１は第一の絶縁層２０を貫通せず、底面２１２における第一の絶縁層２０の厚さは２０～５０ナノメートル（例えば２０ナノメートル、２３ナノメートル、２５ナノメートル、２８ナノメートル、３０ナノメートル、３３ナノメートル、３５ナノメートル、３８ナノメートル、４０ナノメートル、４３ナノメートル、４５ナノメートル、４８ナノメートル、５０ナノメートルである）である。これにより、突起の頂面と凹溝の底面との間の段差が大きく、第一の配線と第二の配線が堆積して形成される過程において該段差により完全に切り離されることを効果的に確保することができる。
本願の実施例によれば、図１、図６、図７に示すように、第一の配線３１と第二の配線３２との間の水平間隔ｄは１．８～２．５ミクロンメートルであり、例えば１．８ミクロンメートル、１．９ミクロンメートル、２．０ミクロンメートル、２．１ミクロンメートル、２．２ミクロンメートル、２．３ミクロンメートル、２．４ミクロンメートル、２．５ミクロンメートルである。このことから分かるように、第一の配線と第二の配線との間の水平間隔は比較的小さいことから、一定の寸法範囲内において、より多くの配線を設置することができるため、第一の表示領域がより多くの数の発光素子を有する場合、依然として一定の空間内に複数本の第一の配線と第二の配線を合理的に配置することができ、又は、第一の表示領域ｂにおいて複数の発光素子４０を設置することができ、大型のアンダーディスプレイ機能層の設計要件を満たす。
本願の実施例によれば、図９に示すように、表示パネルは、第一の絶縁層２０のベース基板１０から離れた表面に設置された第二の絶縁層６２と、第二の絶縁層６２のベース基板１０から離れた表面に設置された第一の配線３１とをさらに含み、かつ第二の絶縁層６２を貫通する貫通孔６２１を有し、かつ貫通孔６２１のベース基板１０での正投影Ｓ１と凹溝２１のベース基板１０での正投影Ｓ２に重複領域があり、前記第一の配線が前記第二の絶縁層の前記ベース基板から離れた表面に設置される。これにより、第二の絶縁層の設置は第一の配線３１と第二の配線３２との間の段差をさらに大きくでき、さらには第一の配線３１と第二の配線３２をより切り離しやすくし、第一の配線３１と第二の配線３２との間の接続のリスクをさらに低減することができる。さらに、図９に示すように、貫通孔６２１のベース基板１０での正投影Ｓ１と凹溝２１のベース基板１０での正投影Ｓ２は完全に重複する。
本願の実施例によれば、貫通孔６２１の側壁と第二の絶縁層が位置する平面との間の夾角βは鈍角である（即ち、貫通孔６２１の側壁と第二の絶縁層の底面との間の夾角は鈍角βである）。これにより、エッチングによって得られた第二の絶縁層は逆台形形状を呈することから、第一の配線と第二の配線の切り離しにより有利である。
本願の実施例によれば、第二の絶縁層の厚さは１５０～５００ナノメートルであり、例えば１５０ナノメートル、１８０ナノメートル、２００ナノメートル、２３０ナノメートル、２５０ナノメートル、２８０ナノメートル、３００ナノメートル、３２０ナノメートル、３５０ナノメートル、３８０ナノメートル、４００ナノメートル、４２０ナノメートル、４５０ナノメートル、４８０ナノメートル、５００ナノメートルである。これにより、上述の厚さの第二の絶縁層は第一の配線及び第二の配線が堆積して形成される過程において比較的容易に切り離されることを保証できるだけでなく、厚さが厚すぎることにより後続の表示パネルのパッケージに不利になることもない。なお、第二の絶縁層の厚さは、第二の絶縁層のベース基板から離れた表面と第二の絶縁層のベース基板に近い表面との間の間隔の大きさを指す。
本願の実施例によれば、第一の絶縁層と第二の絶縁層の材料は異なり、このようにして得られたαとβの角度には差異があり、さらには第一の配線と第二の配線の切り離しにより有利である。いくつかの実施例において、第一の絶縁層及び第二の絶縁層は窒化ケイ素、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素をそれぞれ含み、上述の材料は良好な絶縁性を有するだけでなく、製造された第一の絶縁層及び第二の絶縁層の性能が好ましく、表示パネルにおける絶縁層に対する各要件をよく満たすことができる。
いくつかの具体的な実施例において、第一の絶縁層の材料は窒化ケイ素を含み、第二の絶縁層の材料は酸化ケイ素を含む。これにより、所望の角度の大きさのα及びβを効果的に得ることができる。
本願の実施例によれば、図１０に示すように、表示パネルは、第一の絶縁層２０のベース基板１０に近い表面に設置された第三の絶縁層６３をさらに含み、第一の絶縁層２０のベース基板１０での正投影が第三の絶縁層６３のベース基板１０での正投影を覆い、かつ第三の絶縁層６３のベース基板１０での正投影と凹溝２１のベース基板１０での正投影には重複しない領域が存在する。これにより、第三の絶縁層の設置は、第一の絶縁層２０の突起２２の頂面２２１と凹溝２１の底面２１２との間の段差をさらに大きくでき、即ち第一の配線と第二の配線との間の段差が大きくなるため、堆積して配線を形成する際に、第一の配線と第二の配線はより容易に全て完全に切り離すことができる。いくつかの実施例において、図１０（Ａ）に示すように、第三の絶縁層６３のベース基板１０での正投影は凹溝２１のベース基板１０での正投影と全く重複しない領域である。別の実施例において、図１０（Ｂ）に示すように、第三の絶縁層６３のベース基板１０での正投影と凹溝２１のベース基板１０での正投影は重複しない領域もあれば、一部が重複する領域もある。
本願の実施例によれば、第三の絶縁層６３の厚さは１０００～２５００ナノメートルであり、例えば１０００ナノメートル、１１００ナノメートル、１２００ナノメートル、１３００ナノメートル、１４００ナノメートル、１５００ナノメートル、１６００ナノメートル、１７００ナノメートル、１８００ナノメートル、１９００ナノメートル、２０００ナノメートル、２１００ナノメートル、２２００ナノメートル、２３００ナノメートル、２４００ナノメートル、２５００ナノメートルである。これにより、第一の絶縁層２０の突起２２の頂面２２１と凹溝２１の底面２１２との間の段差を効果的に大きくでき、第一の配線と第二の配線がより容易に全て完全に切り離されることを確保し、さらには製品歩留まりを向上させる。なお、第三の絶縁層の厚さは、第三の絶縁層のベース基板から離れた表面と第三の絶縁層のベース基板に近い表面との間の間隔の大きさを指す。
本願の実施例によれば、図１１に示すように、表示パネルは、第一の絶縁層２０のベース基板１０に近い表面に設置された第四の絶縁層６４をさらに含み、かつ第四の絶縁層６４のベース基板１０での正投影が凹溝２１のベース基板での正投影を覆う。これにより、依然として第一の配線と第二の配線の切り離しを効果的に実現することができる。
本願の実施例によれば、図１２に示すように、凹溝２１は第一の絶縁層２０を貫通し、第二の配線３２は凹溝２１において露出した第四の絶縁層６４の表面に設置される。これにより、凹溝が第一の絶縁層を貫通するため、第一の配線３１と第二の配線３２との間の段差をより一層大きくでき、第一の配線と第二の配線が全て完全に切り離されることをよりよく確保し、さらには製品歩留まりを向上させる。
本願の実施例によれば、図１３に示すように、第四の絶縁層６４は凹部６４１を有し、凹溝２１のベース基板１０での正投影と凹部６４１のベース基板１０での正投影に重複領域があり、第二の配線３２は凹部６４１の底面に形成される。これにより、凹部６４１の設置は、第一の配線３１と第二の配線３２との間の段差をより一層大きくでき、第一の配線と第二の配線が全て完全に切り離されることをよりよく確保し、さらには製品歩留まりを向上させる。ここで、凹部の深さと第二の配線の厚さとの間に特別な限定関係はなく、当業者は第一の配線と第二の配線との間の段差などの設計要件に応じて柔軟に選択することができ、例えば凹部の深さは第二の配線の厚さよりも大きく、又は凹部の深さは第二の配線の厚さよりも小さく、或いは凹部の深さは第二の配線の厚さに等しい（図１３では凹部の深さが第二の配線の厚さに等しいことのみを例としている）。
本願の実施例によれば、第四の絶縁層の最大厚さは１０００～２５００ナノメートルであり、例えば１０００ナノメートル、１１００ナノメートル、１２００ナノメートル、１３００ナノメートル、１４００ナノメートル、１５００ナノメートル、１６００ナノメートル、１７００ナノメートル、１８００ナノメートル、１９００ナノメートル、２０００ナノメートル、２１００ナノメートル、２２００ナノメートル、２３００ナノメートル、２４００ナノメートル、２５００ナノメートルである。なお、第四の絶縁層の最大厚さは、非凹部での第四の絶縁層の厚さが１０００～２５００ナノメートルであるということである。なお、第四の絶縁層の厚さは、非凹部における第四の絶縁層のベース基板から離れた表面と第四の絶縁層のベース基板に近い表面との間の間隔の大きさを指す。
さらに、第三の絶縁層及び第四の絶縁層の材料に特別な要求はなく、良好な絶縁性を有するものであればよく、具体的な材料は当業者が実際の状況に応じて柔軟に選択することができる。いくつかの実施例において、第三の絶縁層及び第四の絶縁層の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素などの無機材料、及びＰＲゴムなどの有機材料をそれぞれ含むがこれらに限定されない。
本願の実施例によれば、第一の表示領域の寸法が大きく、即ち第一の表示領域により多くの発光素子を有し、一層の第一の絶縁層２０の基板から離れた側にのみ設置された第一の配線３１と第二の配線３２の数が依然として一つずつ全ての第一の表示領域の発光素子と電気的に接続することができない場合は、二層の積層設置された第一の絶縁層２０を設置することができ、図１４に示すように、各層の第一の絶縁層２０はいずれも凹溝２１を有し、各層の第一の絶縁層２０の突起の頂面及び凹溝の底面にいずれも第一の配線３１及び第二の配線３２がそれぞれ設置される。順次類推して、配線の本数がさらに多くなる場合、当業者は三層又はより多くの層の第一の絶縁層を設置することができ、これによりさらに多くの配線を配置することができる。
本願の実施例によれば、同じ寸法の第一の表示領域、同じ数の第一の表示領域に対する発光素子、及び同じ本数の第一の配線及び第二の配線であれば、本願の技術手段においてＮ（Ｎは１以上の整数である）層の第一の絶縁層２０を要するだけで複数本の第一の配線と第二の配線を合理的に配置することができる。しかし、第一の配線と第二の配線を、凹溝のない平らな絶縁層の表面に設置する場合、第一の配線と第二の配線が効果的に切り離されることを確保するために、第一の配線と第二の配線との間の水平間隔は約３．５～４ミクロンメートルであり、このようにすると一層の絶縁層の表面に配置される第一の配線と第二の配線の本数は本願の技術案より少ないため（図６及び図１５に示すように、同じ寸法の配線配列空間であり、図６では六本の配線を配置することができるが図１５では四本の配線しか配置することができない）、同じ数の第一の配線と第二の配線を配置しようとする場合、少なくともＮ＋１層を積層設置した絶縁層を設置することができ、複数本の第一の配線と第二の配線をＮ＋１層の絶縁層の表面に分散して設置する（図１５に示すとおり）が、このような技術案は表示パネルの全体の厚さが増し、パッケージＤａｍの高さが増すことになるため、表示パネルのパッケージに不利であり、さらにＭＡＳＫプロセスを増やし、製造コストが上がる。
本願の別の態様において、本願は表示パネルを製造する方法を提供する。本願の実施例によれば、図１６に示すように、表示パネルを製造する方法は以下のステップを含む。
Ｓ１００：ベース基板１０を提供する。
Ｓ２００：ベース基板１０の一側に第一の初期絶縁層２００を形成する。
Ｓ３００：第一の初期絶縁層２００をエッチングし、順次交互に設置された、側壁２１１と底面２１２を含む複数の凹溝及び頂面２１１を含む突起を有する第一の絶縁層２０を得る。
ここで、第一の初期絶縁層をエッチングし、第一の絶縁層２０を得るステップは次のステップを含む。
Ｓ３１０：第一の初期絶縁層の表面に全面フォトレジスト層７０を形成する。
Ｓ３２０：全面フォトレジスト層７０の所定領域に露光、現像を行い、開口７２を有するフォトレジスト層７１を得る。
Ｓ３３０：エッチングガスにより開口７２に露出した第一の初期絶縁層２００をエッチングし、第一の絶縁層２０を得る。ここで、露光過程での露光量は１００～１６０ｍＪ、現像時間は４０～８０ｓである、及び／又はエッチング過程でのエッチング速度は２５００～３５００Ａ／ｍｉｎである。上記露光量、現像時間及びエッチング速度下で、得られる凹溝２１の側壁２１１と凹溝２１の底面２１２が位置する平面との間の夾角αは６５°～９０°であり、ここで、凹溝の深さは１００～４８０ナノメートルである。これにより、後続の堆積により形成する第一の配線及び第二の配線が、突起の頂面２２１と凹溝の底面２１２との間の段差により切り離されることをよりよく確保することができる。αが６５°より小さい場合、凹溝２１の側壁２１１が相対的に緩やかであるため、相対的に第一の配線３１と第二の配線３２を完全に切り離すのは容易でなく、このような場合、第一の表示領域における一部の発光素子の正常な発光に影響を与える。また、αが６５°より小さい場合、第一の配線と第二の配線を切り離すことはできるが、側壁２１１が比較的緩やかであるため、側壁２１１の幅が広く、第一の配線と第二の配線との間の間隔ｄを短くすることに不利である。
Ｓ４００：第一の絶縁層２０のベース基板１０から離れた側に配線３０を形成し、配線３０は、第一の絶縁層２０の突起２２の頂面２２１に設置された第一の配線３１及び凹溝２１の底面２１２に設置された第二の配線３２を含む。第一の配線と第二の配線は同じ堆積ステップにより同時に形成され、第一の絶縁層２０の突起２２の頂面２２１と凹溝の底面２１２との間の段差により、堆積時に配線が段差の存在により切り離され、さらには突起２２の頂面２２１と凹溝の底面２１２において、切り離された第一の配線及び第二の配線がそれぞれ形成される。
これにより、上記製造方法において、第一の配線と第二の配線は第一の絶縁層の突起の頂面（又は第一の絶縁層の頂面とも言う）と凹溝内にそれぞれ形成され、凹溝の設置によって第一の配線と第二の配線との間が段差の存在により切り離され、第一の配線と第二の配線を同一平面内に設置し（即ち第一の絶縁層には凹溝を設置せず、第一の配線と第二の配線のいずれも、第一の絶縁層の平らな同一面に設置する）、第一の配線と第二の配線との間の間隔を大幅に縮小することができ、さらには同じ寸法内において、より多くの配線を配置することができる。さらに、上記製造方法は製造プロセスが簡単かつ成熟したものであって、実施及び工業化量産に有利である。
本願の実施例によれば、表示パネルは、第一の表示領域ｂ及び第一の表示領域ｂの外縁に設置された第二の表示領域ａを含み、ここで、第一の表示領域ｂの前記ベース基板１０での正投影とアンダーディスプレイ機能領域のベース基板１０での正投影に重複領域があり、前記表示パネルを製造する方法は次のものを含む。
前記ベース基板１０の表面に複数の第一の画素回路１１を形成し、かつ第一の画素回路１１は第二の表示領域ａに位置する。第一の画素回路１１のベース基板１０から離れた側に第一の絶縁層２０を形成する。第一の絶縁層２０のベース基板１０から離れた表面に配線３０を形成する。配線３０のベース基板１０から離れた側に発光素子４０を形成し、かつ発光素子４０は第一の表示領域ｂに位置し、ここで、第一の画素回路１１が発光素子４０を駆動して発光させるように、配線３０が第一の画素回路１１と発光素子４０を電気的に接続するために用いられ、構造模式図は図２～図８を参照されたい。よって、第一の配線３１と第二の配線３２との間の間隔ｄが小さいため、一定の寸法範囲内の第一の絶縁層の表面に多くの第一の配線３１及び第二の配線３２を設置することができることから、第一の表示領域ｂにおいて多くの発光素子４０を設置することができ、大型のアンダーディスプレイ機能層の設計要求を満たす。なお、一本の第一の配線又は一本の第二の配線がそれぞれ一つの第一の画素回路及び一つの発光素子と電気的に接続されている。
また、第一の画素回路の具体的な設置位置に特別な要求はなく、当業者は画素に対する設計要件に応じて柔軟に選択することができる。いくつかの具体的な実施例において、第一の画素回路１１は第二の表示領域ａ全体に分布するものではなく、第二の表示領域ａの第一の表示領域ｂに近い一部領域にのみ設けてよく、図２における右の図の矩形枠内のように、第一の画素回路は第二の表示領域ａにおける矩形枠内にのみ分布する。
また、図３、図４、図５に示すように、第二の表示領域ａは第二の画素回路１２をさらに含み、第一の画素回路と第二の画素回路との間の具体的な相対的な設置位置に特別な要求はない。第一の画素回路１１は異なる二つの第二の画素回路１２の間に設置することができ、そのうち、隣接する二つの第一の画素回路の間に一つ又は複数の第二の画素回路を置くことができ、即ち同じ行の複数の画素回路において、第一の画素回路１１は隣接して設置されず、つまり、同じ行の複数の画素回路において隣接する二つの第一の画素回路１１の間に少なくとも一つの第二の画素回路１２が設置される。いくつかの実施例において、同じ行の複数の画素回路において、図５に示すように、一つの第二の画素回路１２おきに一つの第一の画素回路１１が設置される。別の実施例において、図３及び４に示すように、三つの第二の画素回路１２おきに一つの第一の画素回路１１が設置される。また、いくつかの具体的な実施例において、第一の画素回路１１の間に第二の画素回路１２を置かなくてもよく、即ち第一の画素回路１１は隣接して設置してもよい。
ここで、第一の画素回路１１の具体的な構造に特別な要求はなく、当業者は実際の状況に応じて柔軟に選択することができ、いくつかの実施例において、第一の画素回路１１は７Ｔ１Ｃ回路（即ち七つのトランジスタ及び一つのコンデンサ）構造であり、例えば、駆動トランジスタ、データ書き込みトランジスタ、蓄積コンデンサ、閾値補償トランジスタ、第一のリセットトランジスタ、第二のリセットトランジスタ、第一発光制御トランジスタ、第二の発光制御トランジスタを含む。第一の画素回路１１の縦方向構造にも特別な要求はなく、いくつかの実施例において、第一の画素回路１１は活性層、ゲート絶縁層、ゲート、層間誘電体層、ソース電極、ドレイン電極、蓄積コンデンサなどの構造を含む。ここで、配線３０は貫通孔２３を介して（図７及び図８に示すとおりであり、図８は図５におけるｋ－ｋ’に沿った断面図である）駆動トランジスタにおけるドレイン１１１と電気的に接続され（図４に示すとおりである）、第一の画素回路１１での対応する画素ユニットには発光素子が設けられず、第一の表示領域における発光素子４０の発光を駆動するためにのみ用いられる。第一の表示領域ｂにおける発光素子は第二の表示領域における第一の画素回路１１により駆動されて発光し、第一の表示領域には画素回路を設置する必要がなく、さらには第一の表示領域内の光透過率を大幅に向上させることができ、アンダーディスプレイ機能層の高い光透過率に対する要求を満たす。
図４及び図８において、図４における右の図は図４における破線枠Ａ及び破線枠Ｂ部分の拡大図をそれぞれ示し、配線３０は、貫通孔４３を介して発光素子４０における陽極４１と電気的に接続され、陽極４１のベース基板での正投影が画素定義層により限定された開口４２のベース基板での正投影を覆う。いくつかの具体的な実施例において、陽極４１は突起部４１１を有し、配線３０は貫通孔４３を介して発光素子４０における陽極４１の突起部４１１と電気的に接続される。
配線３０と陽極４１を隔絶するために、配線３０と陽極４１との間に絶縁媒体層５０を設置することができる。いくつかの実施例において、配線３０と発光素子との間に絶縁媒体層５０を設置し、陽極４３は絶縁媒体層５０を貫通する貫通孔４３を介して配線３０（図８に示す第二の配線３２）と電気的に接続される。
本願の実施例によれば、図１７に示すように、表示パネルを製造する方法は次のステップを含む。
Ｓ５１０：第一の初期絶縁層２００のベース基板から離れた表面に第二の初期絶縁層６２０を形成する。
Ｓ５２０：第二の初期絶縁層６２０の表面に全面フォトレジスト層７０を形成する。
Ｓ５３０：全面フォトレジスト層７０全体の所定領域に露光、現像を行い、開口７２を有するフォトレジスト層７１を得る。
Ｓ５４０：エッチングガスにより開口７２に露出した第二の初期絶縁層６２０及び第一の初期絶縁層２００をエッチングし、貫通孔６２１を有する第二の絶縁層６２及び凹溝２１を有する第一の絶縁層２０を得、かつ貫通孔６２１のベース基板１０での正投影Ｓ１と凹溝２１のベース基板１０での正投影Ｓ２に重複領域があり、ここで、前記第一の配線３１は前記第二の絶縁層６２の前記ベース基板１０から離れた表面に設置される。これにより、第二の絶縁層の設置は第一の配線３１と第二の配線３２との間の段差をさらに大きくし、さらには第一の配線３１と第二の配線３２をより切り離しやすくし、第一の配線３１と第二の配線３２との間の接続のリスクをさらに低減することができる。さらに、図９に示すように、貫通孔６２１のベース基板１０での正投影Ｓ１と凹溝２１のベース基板１０での正投影Ｓ２は完全に重複する。
さらに、貫通孔６２１の側壁と第二の絶縁層が位置する平面との間の夾角βは鈍角である。これにより、エッチングして得られた第二の絶縁層は逆台形形状を呈することから、第一の配線と第二の配線の切り離しにより有利である。
本願の実施例によれば、図１８に示すように、前記第一の初期絶縁層を形成する前に、表示パネルを製造する方法はさらに次のステップを含む。
Ｓ６１０：第三の初期絶縁層６３０を予め形成し、即ち第一の画素回路１１のベース基板１０から離れた側に第三の初期絶縁層６３０を形成する。
Ｓ６２０：第三の初期絶縁層６３０をエッチングし、パターン化された第三の絶縁層６３を得る。ここで、第一の絶縁層２０のベース基板１０での正投影は第三の絶縁層６３のベース基板１０での正投影を覆い、かつ第三の絶縁層６３のベース基板１０での正投影と凹溝２１のベース基板１０での正投影には重複しない領域が存在する。これにより、第三の絶縁層の設置は、第一の絶縁層２０の突起２２の頂面２２１と凹溝２１の底面２１２との間の段差をさらに大きくでき、即ち第一の配線と第二の配線との間の段差が大きくなるため、堆積して配線を形成する際に、第一の配線と第二の配線はより容易に全て完全に切り離すことができる。
当業者であれば、第一の初期絶縁層は第三の絶縁層を形成した後にだけ形成され、その後に第一の初期絶縁層をエッチングすることにより第一の絶縁層を得ると理解できる。
本願の実施例によれば、図１９及び図２０に示すように、表示パネルを製造する方法は、前記第一の初期絶縁層２００を形成する前に、第四の初期絶縁層６４０を予め形成し、第一の初期絶縁層２００を第四の初期絶縁層６４０のベース基板から離れた表面に形成することをさらに含む。これにより、依然として第一の配線と第二の配線の切り離しを効果的に実現することができる。
ここで、第一の初期絶縁層をエッチングして、凹溝２１を有する第一の絶縁層２０を形成する際に、いくつかの実施例において、凹溝２１は第一の絶縁層２０を貫通せず、図１９に示すように、第二の配線３２は凹溝２１の底面２１２に形成される。別の実施例において、図２０に示すように、凹溝２１は第一の絶縁層２０を貫通し、第二の配線３２は凹溝２１において露出した第四の絶縁層６４の表面に設置され、この時、凹溝は第一の絶縁層を貫通するため、第一の配線３１と第二の配線３２との間の段差をより一層大きくでき、第一の配線と第二の配線が全て完全に切り離されることをよりよく確保し、さらには製品歩留まりを向上させる。なお、第四の初期絶縁層６４０をエッチングしてパターン化しない場合、第四の初期絶縁層６４０は第四の絶縁層６４である。
本願の実施例によれば、図２１に示すように、表示パネルを製造する方法は、第一の初期絶縁層２００及び第四の初期絶縁層６４０をエッチングし（即ち、さらなるエッチングステップにより第一の初期絶縁層及び第二の初期絶縁層に対するエッチングを同時に完了する）、凹溝２１を有する第一の絶縁層２０及び凹部６４１を有する第四の絶縁層６４を同時に得、ここで、凹溝２１が前記第一の絶縁層２０を貫通し、かつ凹溝２１のベース基板１０での正投影と凹部６４１のベース基板１０での正投影に重複領域があり、第二の配線３２は前記凹部６４１の底面に形成される。これにより、凹部６４１の設置は、第一の配線３１と第二の配線３２との間の段差をより一層大きくでき、第一の配線と第二の配線が全て完全に切り離されることをよりよく確保し、さらには製品歩留まりを向上させる。
当業者であれば、上記表示パネルを製造する方法は前述の表示パネルを製造するために用いることができ、上記製造方法において、第一の絶縁層、第二の絶縁層、第三の絶縁層、第四の絶縁層、凹溝、凹部、第一の画素回路、発光素子などの構造に対する要件は前述部分で述べたものと一致していると理解でき、ここでは改めて説明しない。
本願のさらなる態様において、本願は表示装置を提供する。本願の実施例によれば、図２２に示すように、表示装置は前述の表示パネル１００を含み、表示パネル１００は第一の表示領域ｂ及び第二の表示領域ａを有し、表示パネル１００はアンダーディスプレイ機能領域（図示せず）を有し、アンダーディスプレイ機能領域の表示パネル１００での正投影と第一の表示領域ｂに重複領域がある。ここで、アンダーディスプレイ機能領域はアンダーディスプレイ機能層構造２００を設置するために用いられ、即ちアンダーディスプレイ機能領域はアンダーディスプレイ機能層構造の横方向被覆領域であり、アンダーディスプレイ機能層構造２００は水平方向において表示パネル１００上のアンダーディスプレイ機能領域を形成する。これにより、当該表示装置は大型のアンダーディスプレイ機能層を設計することができる。当業者であれば、該表示装置は前述の表示パネルの全ての特徴及び利点を有すると理解することができ、ここでは改めて説明しない。
ここで、アンダーディスプレイ機能層構造の具体的な構造に特別な要求はなく、当業者は実際の状況に応じて柔軟に選択することができ、いくつかの具体的な実施例において、アンダーディスプレイ機能層構造はアンダーディスプレイカメラであり、本願の上述の表示パネルの構造はアンダーディスプレイカメラの高い光透過率に対する要求を満たすだけでなく、大型のアンダーディスプレイカメラの設計要件を実現することができる。
本願の実施例によれば、上記表示装置の具体的な種類に特別な要求はなく、当業者は実際の需要に応じて柔軟に選択することができ、例えば携帯電話、ｉＰａｄ（登録商標）、ノートパソコンなどの表示装置であってよい。
当業者であれば、当該表示装置は前述の表示パネル及びアンダーディスプレイ機能領域のほかに、従来の表示装置に必須の構造及び部材をさらに有し、携帯電話を例として述べれば、前記表示パネル及びアンダーディスプレイ機能層のほかに、電池パックカバー、中枠、タッチパネル、オーディオモジュール、マザーボードなどの必須の構造及び部品をさらに含むと理解できる。
本明細書における「第一の」、「第二の」という用語は対象物を説明するためにだけ用いられ、相対的な重要性を示す又は暗示する、或いは示している技術特徴の数を明示又は暗示すると理解することはできない。これにより、「第一の」、「第二の」という限定を有する特徴は、一つ以上の当該特徴を含むということを明示又は暗示することができる。本発明の記載において、特に明確な具体的な限定がない限り「複数」の意味は二つ又は二つ以上である。
本明細書の説明における、「一実施例」、「いくつかの実施例」、「例示」、「具体的な例」又は「いくつかの例示」などの参考技術用語の記載は、当該実施例又は例示的な記載の具体的な特徴、構造、材料又は特色が本願の少なくとも一つの実施例又は例示に含まれることを意味する。本明細書において、上記用語の概略的な記述は必ずしも同一の実施例又は例示を対象とする必要はない。さらに、説明の具体的な特徴、構造、材料又は特色はいずれか一つ又は複数の実施例或いは例示において適切な方式で組み合わせることができる。また、互いに矛盾しなければ、当業者は本明細書に記載の異なる実施例又は例示及び異なる実施例又は例示的な特徴を組み合わせることができる。
以上、本願の実施例について開示及び説明をしたが、上記実施例は例示的なものであり、本願を限定するものと理解すべきではなく、当業者は本願の範囲内において上記実施例に対して変更、修正、置換及び変形を加えることができる。

Claims (22)

  1. ベース基板と、
    前記ベース基板の一側に設置された第一の絶縁層であって、かつ前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた側に、複数の順次交互に設置された、側壁と底面を含む凹溝及び頂面を含む突起を有する第一の絶縁層と、
    前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた側に設置された配線と、を含み、前記配線は、前記突起の前記頂面の前記ベース基板から離れた側に設置された第一の配線及び前記凹溝の前記底面に設置された第二の配線を含み、かつ前記第一の配線と前記第二の配線は切り離されて設置されることを特徴とする
    表示パネル。
  2. 第一の表示領域及び前記第一の表示領域の外縁に設置された第二の表示領域を含み、前記表示パネルは、
    前記ベース基板と前記第一の絶縁層との間に設置され、かつ前記第二の表示領域内に位置する複数の第一の画素回路と、
    前記配線の前記ベース基板から離れた側に設置され、かつ前記第一の表示領域内に位置する発光素子と、を含み、前記第一の画素回路が前記発光素子を駆動して発光させるように、前記配線が前記第一の画素回路と前記発光素子を電気的に接続するために用いられることを特徴とする
    請求項１に記載の表示パネル。
  3. 前記凹溝の前記側壁と前記凹溝の前記底面が位置する平面との間の夾角が６５°～９０°であり、前記凹溝の深さが１００～４８０ナノメートルであることを特徴とする
    請求項１に記載の表示パネル。
  4. 前記第一の配線と前記第二の配線との間の水平間隔が１．８～２．５ミクロンであることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  5. 前記凹溝は前記第一の絶縁層を貫通せず、前記底面における前記第一の絶縁層の厚さは２０～５０ナノメートルであることを特徴とする
    請求項１に記載の表示パネル。
  6. 前記表示パネルはアンダーディスプレイ機能領域をさらに有し、前記第一の表示領域の前記ベース基板での正投影と前記アンダーディスプレイ機能領域の前記ベース基板での正投影に重複領域があることを特徴とする
    請求項１～５のいずれか１項に記載の表示パネル。
  7. 前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた表面に設置された第二の絶縁層をさらに含み、かつ前記第二の絶縁層を貫通する貫通孔を有し、かつ前記貫通孔の前記ベース基板での正投影と前記凹溝の前記ベース基板での正投影に重複領域があり、前記第一の配線が前記第二の絶縁層の前記ベース基板から離れた表面に設置されることを特徴とする
    請求項１～５のいずれか１項に記載の表示パネル。
  8. 前記貫通孔の側壁と前記第二の絶縁層が位置する平面との間の夾角が鈍角であることを特徴とする
    請求項７に記載の表示パネル。
  9. 前記第二の絶縁層の厚さが１５０～５００ナノメートルであることを特徴とする
    請求項７に記載の表示パネル。
  10. 前記第一の絶縁層と前記第二の絶縁層の材料が異なることを特徴とする
    請求項７に記載の表示パネル。
  11. 前記第一の絶縁層の材料は窒化ケイ素を含み、前記第二の絶縁層の材料は酸化ケイ素を含むことを特徴とする
    請求項１０に記載の表示パネル。
  12. 前記第一の絶縁層の前記ベース基板に近い表面に設置された第三の絶縁層をさらに含み、前記第一の絶縁層の前記ベース基板での正投影が前記第三の絶縁層の前記ベース基板での正投影を覆い、かつ前記第三の絶縁層の前記ベース基板での正投影と前記凹溝の前記ベース基板での正投影に重複領域があることを特徴とする
    請求項１～５のいずれか１項に記載の表示パネル。
  13. 前記第一の絶縁層の前記ベース基板に近い表面に設置された第四の絶縁層をさらに含み、かつ前記第四の絶縁層の前記ベース基板での正投影が前記凹溝の前記ベース基板での正投影を覆うことを特徴とする
    請求項１～５のいずれか１項に記載の表示パネル。
  14. 前記凹溝は前記第一の絶縁層を貫通し、前記第二の配線は前記凹溝において露出した前記第四の絶縁層の表面に設置されることを特徴とする
    請求項１３に記載の表示パネル。
  15. 前記第四の絶縁層は凹部を有し、前記凹溝の前記ベース基板での正投影と前記凹部の前記ベース基板での正投影に重複領域があり、前記第二の配線は前記凹部の底面に形成されることを特徴とする
    請求項１４に記載の表示パネル。
  16. ベース基板を提供することと、
    前記ベース基板の一側に第一の初期絶縁層を形成することと、
    前記第一の初期絶縁層をエッチングして、複数の順次交互に設置された、側壁と底面を含む凹溝及び頂面を含む突起を有する第一の絶縁層を得ることと、
    前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた側に配線を形成し、前記配線は、前記突起の前記頂面の前記ベース基板から離れた側に設置された第一の配線及び前記凹溝の前記底面に設置された第二の配線を含み、かつ前記第一の配線と前記第二の配線は切り離されて設置されることと、を含むことを特徴とする
    表示パネルを製造する方法。
  17. 表示パネルは第一の表示領域及び前記第一の表示領域の外縁に設置された第二の表示領域を含み、前記表示パネルを製造する方法は、
    前記ベース基板の表面に複数の第一の画素回路を形成し、かつ前記第一の画素回路が前記第二の表示領域内に位置するステップと、
    前記第一の画素回路の前記ベース基板から離れた側に前記第一の絶縁層を形成するステップと、
    前記第一の絶縁層の前記ベース基板から離れた側に前記配線を堆積して形成するステップと、
    前記配線の前記ベース基板から離れた側に発光素子を形成し、かつ前記発光素子が前記第一の表示領域に位置し、前記第一の画素回路が前記発光素子を駆動して発光させるように、前記配線が前記第一の画素回路と前記発光素子を電気的に接続するために用いられるステップと、を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
  18. 前記第一の初期絶縁層をエッチングして前記第一の絶縁層を得るステップは、
    前記第一の初期絶縁層の表面に全面フォトレジスト層を形成するステップと、
    前記全面フォトレジスト層の所定の領域に露光、現像を行い、開口を有するフォトレジスト層を得るステップと、
    エッチングガスにより前記開口に露出した前記第一の初期絶縁層をエッチングして、前記第一の絶縁層を得るステップと、を含み、
    前記露光過程での露光量は１００～１６０ｍＪ、現像時間は４０～８０ｓである、及び／又は
    前記エッチング過程におけるエッチング速度は２５００～３５００Ａ／ｍｉｎであることを特徴とする
    請求項１６又は１７に記載の方法。
  19. 第一の初期絶縁層の前記ベース基板から離れた表面に第二の初期絶縁層を形成することと、
    前記第二の初期絶縁層の表面に前記全面フォトレジスト層を形成することと、
    前記全面フォトレジスト層の所定の領域に露光、現像を行い、前記開口を有する前記フォトレジスト層を得ることと、を含み、
    前記エッチングガスにより前記開口に露出した前記第二の初期絶縁層及び前記第一の初期絶縁層をエッチングし、貫通孔を有する第二の絶縁層及び前記凹溝を有する前記第一の絶縁層を得、かつ前記貫通孔の前記ベース基板での正投影と前記凹溝の前記ベース基板での正投影に重複領域があり、前記第一の配線が前記第二の絶縁層の前記ベース基板から離れた表面に設置されることを特徴とする
    請求項１８に記載の方法。
  20. 前記第一の初期絶縁層を形成する前に、
    第三の初期絶縁層を予め形成することをさらに含み、
    前記第三の初期絶縁層をエッチングして、パターン化された第三の絶縁層を得、前記第一の絶縁層の前記ベース基板での正投影は前記第三の絶縁層の前記ベース基板での正投影を覆い、かつ前記第三の絶縁層の前記ベース基板での正投影と前記凹溝の前記ベース基板での正投影には重複しない領域が存在することを特徴とする
    請求項１６又は１７に記載の方法。
  21. 前記第一の初期絶縁層を形成する前に、第四の初期絶縁層を予め形成し、前記第一の初期絶縁層は前記第四の初期絶縁層の前記ベース基板から離れた表面に形成されることと、
    前記第一の初期絶縁層及び前記第四の初期絶縁層をエッチングして、前記凹溝を有する前記第一の絶縁層及び凹部を有する第四の絶縁層を得ることと、をさらに含み、
    前記凹溝が前記第一の絶縁層を貫通し、かつ前記凹溝の前記ベース基板での正投影と前記凹部の前記ベース基板での正投影に重複領域があり、前記第二の配線が前記凹部の底面に形成されることを特徴とする
    請求項１６又は１７に記載の方法。
  22. 請求項１～１５のいずれか１項に記載の表示パネルであって、前記表示パネルは第一の表示領域及び第二の表示領域を有し、
    前記表示パネルはアンダーディスプレイ機能領域を有し、前記アンダーディスプレイ機能領域の前記表示パネルにおける正投影と前記第一の表示領域に重複領域があることを特徴とする
    表示装置。
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