CN110767539A - 一种显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，解决同时刻蚀平坦层形成暴露输出电极的过孔和暴露补偿阴极图形的过孔时，输出电极容易被过刻蚀，导致后续与阳极搭接不良的问题。该制作方法包括：对光刻胶层曝光，形成的光刻胶半保留区域在基底上的正投影位于输出电极在基底上的正投影内部，光刻胶完全去除区域在基底上的正投影位于补偿阴极图形在基底上的正投影内部；对位于光刻胶半保留区域的光刻胶，与光刻胶半保留区域对应的平坦层，以及与光刻胶完全去除区域对应的平坦层刻蚀，同时形成将输出电极背向基底的表面暴露的第一过孔和将补偿阴极图形背向基底的表面暴露的第二过孔。本发明提供的制作方法用于制作显示基板。

Description

一种显示基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

在制作大尺寸的有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示基板时，一般会在显示基板中设置补偿阴极图形，并将该补偿阴极图形与OLED显示基板中的阴极耦接，以降低所述阴极的电阻。显示基板中还包括用于输出驱动信号的晶体管，而该晶体管输出电极的正下方一般设置有遮光层和导电功能图形，使得在垂直于显示基板的基底的方向上，所述输出电极背向基底的表面的高度高于所述补偿阴极图形背向基底的表面的高度。

上述OLED显示基板还包括覆盖在所述输出电极和所述补偿阴极图形上的平坦层，而由于显示基板的结构需要，要在所述平坦层上制作两个过孔，其中一个过孔用于将所述输出电极暴露，另一个过孔用于将所述补偿阴极图形暴露，以便于后续所述输出电极与显示基板中阳极图形的连接，以及所述补偿阴极图形与所述阴极的耦接。

但是由于所述输出电极背向基底的表面的高度高于所述补偿阴极图形背向基底的表面的高度，使得形成在所述输出电极正上方的平坦层的厚度比形成在所述补偿阴极图形正上方的平坦层的厚度薄，这样在相同的刻蚀条件下，同时刻蚀形成所述两个过孔时，由于刻蚀速率和时间相同，使得所述输出电极容易被过刻蚀，这样就会损伤所述输出电极，造成后续与阳极的搭接不良，影响产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，用于解决在相同的刻蚀条件下，同时刻蚀平坦层形成用于暴露所述输出电极的过孔和暴露所述补偿阴极图形的过孔时，所述输出电极容易被过刻蚀，导致后续与阳极的搭接不良，影响产品良率的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种显示基板的制作方法，包括：

在基底上制作薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括用于输出驱动信号的第一晶体管，以及补偿阴极图形；

在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶半保留区域在所述基底上的正投影位于所述第一晶体管的输出电极在所述基底上的正投影的内部，所述光刻胶完全去除区域在所述基底上的正投影位于所述补偿阴极图形在所述基底上的正投影内部，所述光刻胶完全保留区域对应所述光刻胶层中，除所述光刻胶半保留区域和所述光刻胶完全去除区域之外的其它区域；

同时对位于所述光刻胶半保留区域的第一部分光刻胶，与所述光刻胶半保留区域对应的第一部分平坦层，以及与所述光刻胶完全去除区域对应的第二部分平坦层进行刻蚀，在相同的刻蚀时间内，形成能够将所述输出电极背向所述基底的表面至少部分暴露的第一过孔，以及能够将所述补偿阴极图形背向所述基底的表面至少部分暴露的第二过孔。

可选的，所述在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层的步骤具体包括：

采用第一平坦材料形成所述平坦层；

采用第一光刻胶材料形成所述光刻胶层，在相同的刻蚀条件下，所述平坦层被刻蚀的第一速率与所述光刻胶层被刻蚀的第二速率之间的差值小于或等于第一阈值；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光的步骤具体包括：

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，在垂直于所述基底方向上，所述第一部分光刻胶背向所述基底的表面，与所述输出电极被所述第一过孔暴露的部分背向所述基底的表面之间具有第一距离，所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面具有第二距离，所述第一距离与所述第二距离之间的差值小于或等于第二阈值。

可选的，所述在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层的步骤具体包括：

采用第二平坦材料形成所述平坦层；

采用第二光刻胶材料形成所述光刻胶层，在相同的刻蚀条件下，所述平坦层被刻蚀的第三速率大于所述光刻胶层被刻蚀的第四速率；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光的步骤具体包括：

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，在垂直于所述基底方向上，所述第一部分光刻胶背向所述基底的表面，与所述输出电极被所述第一过孔暴露的部分背向所述基底的表面之间具有第三距离，所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面具有第四距离，所述第三距离小于所述第四距离。

可选的，制作所述光刻胶层和所述平坦层的步骤具体包括：

在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧制作所述平坦层；

在所述平坦层背向所述基底的表面制作在垂直于所述基底的方向上具有第一厚度的光刻胶层，所述第一厚度大于所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面之间的距离；

所述制作方法还包括：

在进行刻蚀工艺后，将位于所述光刻胶保留区域的剩余光刻胶去除。

可选的，制作所述光刻胶层和所述平坦层的步骤具体包括：

在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧制作所述平坦层；

在所述平坦层背向所述基底的表面制作在垂直于所述基底的方向上具有第一厚度的光刻胶层，所述第一厚度小于所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面之间的距离。

可选的，制作所述平坦层的步骤具体包括：

采用有机硅氧烷聚合物材料形成所述平坦层；

对所述第一部分光刻胶，所述第一部分平坦层和所述第二部分平坦层进行刻蚀的步骤具体包括：

采用干刻工艺，对所述第一部分光刻胶，所述第一部分平坦层和所述第二部分平坦层进行刻蚀。

可选的，所述制作方法还包括：

在进行刻蚀工艺后，在所述平坦层背向所述基底的一侧制作阳极图形和第一阴极图形，所述阳极图形通过所述第一过孔与所述第一晶体管的输出电极耦接，所述第一阴极图形通过所述第二过孔与所述补偿阴极图形耦接。

可选的，所述制作方法还包括：

在制作所述平坦层之前，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述基底的一侧制作钝化层。

基于上述显示基板的制作方法的技术方案，本发明的第二方面提供一种显示基板，采用上述显示基板的制作方法制作，所述显示基板中的第一晶体管的输出电极与补偿阴极图形同层同材料设置，在垂直于所述基底的方向上，所述输出电极与显示基板中的阳极图形接触的部分的厚度，与所述补偿阴极图形的厚度相同。

基于上述显示基板的技术方案，本发明的第三方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。

采用本发明实施例提供的技术方案制作显示基板时，先在所述平坦层背向所述基底的表面制作光刻胶层，然后利用半色调掩膜板对该光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶半保留区域位于所述第一晶体管的输出电极的正上方，所述光刻胶完全去除区域位于所述补偿阴极图形的正上方，这样在进行刻蚀工艺时，需要先将位于光刻胶半保留区域的光刻胶去除，才能够开始刻蚀所述第一部分平坦层，而这段刻蚀位于光刻胶半保留区域的光刻胶的过程，刚好能够补偿所述第二部分平坦层与所述第一部分平坦层的厚度相差部分的去除过程，使得在将位于光刻胶半保留区域的光刻胶去除后，所述距离x1和所述距离x2大致相同，这样在继续进行后续的刻蚀工艺时，在相同的刻蚀时间内，能够同时形成用于将所述输出电极背向所述基底的上表面的至少部分暴露的第一过孔，以及用于将所述补偿阴极图形背向所述基底的上表面的至少部分暴露的第二过孔，从而避免了所述输出电极会被过刻蚀，保证了所述输出电极与后续制作的阳极之间具有良好的搭接性能，提升了产品良率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为相关技术中显示基板的截面示意图；

图2a为本发明实施例提供的在显示基板上形成光刻胶层的示意图；

图2b为本发明实施例提供的对光刻胶层进行曝光的示意图；

图2c为本发明实施例提供的曝光后光刻胶层的第一示意图；

图2d为本发明实施例提供的经过一段时间的刻蚀后剩余待刻蚀结构的截面示意图；

图2e为本发明实施例提供的刻蚀后剩余光刻胶的示意图；

图2f为本发明实施例提供的形成两个过孔的示意图；

图3为本发明实施例提供的曝光后光刻胶层的第二示意图。

附图标记：

10-基底， 20-遮光层，

31-缓冲层， 32-栅极绝缘层，

33-第一绝缘层， 41-半导体有源层，

42-导体化连接结构， 50-栅极，

61-输入电极， 62-输出电极，

63-补偿阴极图形， 70-钝化层，

80-平坦层， 90-光刻胶层，

Via1-第一过孔， Via2-第二过孔。

具体实施方式

为了进一步说明本发明实施例提供的显示基板及其制作方法、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。

以顶发射结构的OLED显示基板为例，如图1和图2f所示，用于输出驱动信号的第一晶体管包括：半导体有源层41，位于半导体有源层41两侧，且与半导体有源层41耦接的导体化连接结构42，栅极绝缘层32，栅极50，第一绝缘层33，输入电极61和输出电极62。第一晶体管的输出电极62与基底10之间设置有遮光层20和导体化连接结构42，使得在垂直于所述基底10的方向上，所述输出电极62中与第一过孔Via1对应的部分背向所述基底10的表面，高于补偿阴极图形63背向所述基底10的高度，这样在后续形成平坦层80后，在垂直于所述基底10的方向上，所述输出电极62与所述平坦层80背向所述基底10的表面之间的距离h1，小于所述补偿阴极图形63与所述平坦层80背向所述基底10的表面之间的距离h2，这样在相同的刻蚀条件下，在同时刻蚀形成用于将所述输出电极62暴露的过孔，以及形成用于将所述补偿阴极图形63暴露的过孔的过程中，当刚好将所述输出电极62背向所述基底10的表面暴露出来时，所述补偿阴极图形63仍然被平坦层80覆盖，因此，仍然需要继续对覆盖所述补偿阴极图形63的平坦层80进行刻蚀，这样就使得所述输出电极62会被过刻蚀，造成后续与阳极的搭接不良，影响产品良率。

基于上述问题的存在，本发明提供如下技术方案：

请参阅图2a～图2f，本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括：

在基底10上制作薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括用于输出驱动信号的第一晶体管，以及补偿阴极图形63，如图2a所示；

在所述薄膜晶体管背向所述基底10的一侧依次形成层叠设置的平坦层80和光刻胶层90，如图2a所示；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层90进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶半保留区域在所述基底10上的正投影位于所述第一晶体管的输出电极62在所述基底10上的正投影的内部，所述光刻胶完全去除区域在所述基底10上的正投影位于所述补偿阴极图形63在所述基底10上的正投影内部，所述光刻胶完全保留区域对应所述光刻胶层90中，除所述光刻胶半保留区域和所述光刻胶完全去除区域之外的其它区域，如图2b和图2c所示；

同时对位于所述光刻胶半保留区域的第一部分光刻胶，与所述光刻胶半保留区域对应的第一部分平坦层，以及与所述光刻胶完全去除区域对应的第二部分平坦层进行刻蚀，在相同的刻蚀时间内，形成能够将所述输出电极62背向所述基底10的表面至少部分暴露的第一过孔Via1，以及能够将所述补偿阴极图形63背向所述基底10的表面至少部分暴露的第二过孔Via2，如图2f所示。

具体地，所述薄膜晶体管阵列层包括阵列分布的多个子像素驱动电路，每个子像素驱动电路均包括多个薄膜晶体管，示例性的，所述多个薄膜晶体管包括一个驱动晶体管和多个开关晶体管，当所述驱动晶体管的输出电极与所述显示基板中发光元件的阳极直接耦接时，将所述驱动晶体管作为所述第一晶体管，当所述驱动晶体管的输出电极通过一个开关晶体管耦接至所述发光元件的阳极时，即该开关晶体管的输出电极直接与所述发光元件的阳极耦接时，将该发光元件作为所述第一晶体管。

所述补偿阴极图形63可与所述第一晶体管的输出电极62和输入电极61在同一次构图工艺中形成，所述补偿阴极图形63的具体结构多种多样，示例性的，在俯视所述显示基板时，所述补偿阴极图形63可沿Y方向延伸知所述显示基板的上边缘区域和下边缘区域。

在形成所述平坦层80和所述光刻胶层90后，可利用半色调掩膜板(Half ToneMask)对所述光刻胶层90进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域。

所述光刻胶半保留区域在所述基底10上的正投影位于所述第一晶体管的输出电极62在所述基底10上的正投影的内部，即包括所述光刻胶半保留区域在所述基底10上的正投影被所述第一晶体管的输出电极62在所述基底10上的正投影包围的情况，以及包括所述光刻胶半保留区域在所述基底10上的正投影与所述第一晶体管的输出电极62在所述基底10上的正投影重合的情况。

所述光刻胶完全去除区域在所述基底10上的正投影位于所述补偿阴极图形63在所述基底10上的正投影内部，即包括所述光刻胶完全去除区域在所述基底10上的正投影被所述补偿阴极图形63在所述基底10上的正投影包围的情况，以及包括所述光刻胶完全去除区域在所述基底10上的正投影与所述补偿阴极图形63在所述基底10上的正投影重合的情况。

在对所述光刻胶层90进行曝光后，继续进行刻蚀工艺，该刻蚀工艺流程具体包括：在相同的刻蚀条件下，同时对位于所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，位于所述光刻胶半保留区域的第一部分光刻胶，与所述光刻胶半保留区域对应的第一部分平坦层，以及与所述光刻胶完全去除区域对应的第二部分平坦层进行刻蚀，如图2d所示，在刻蚀一段时间后，位于所述光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度减薄，位于所述光刻胶半保留区域的第一部分光刻胶被去除，与所述光刻胶完全去除区域对应的第二部分平坦层被部分刻蚀，且此时所述第一部分平坦层背向所述基底10的表面，与所述第一晶体管的输出电极62背向所述基底10的表面之间具有距离x1，剩余的所述第二部分平坦层背向所述基底10的表面，与所述补偿阴极图形63背向所述基底10的表面之间具有距离x2，该距离x1和距离x2大致相同；如图2f所示，继续对位于所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，所述第一部分平坦层和剩余的所述第二部分平坦层进行刻蚀，在相同的刻蚀时间内，形成能够将所述输出电极62背向所述基底10的上表面的至少部分暴露的第一过孔Via1，以及能够将所述补偿阴极图形63背向所述基底10的上表面的至少部分暴露的第二过孔Via2。

基于上述分析可知，采用本发明实施例提供的显示基板的制作方法制作显示基板时，先在所述平坦层80背向所述基底10的表面制作光刻胶层90，然后利用半色调掩膜板对该光刻胶层90进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶半保留区域位于所述第一晶体管的输出电极62的正上方，所述光刻胶完全去除区域位于所述补偿阴极图形63的正上方，这样在进行刻蚀工艺时，需要先将位于光刻胶半保留区域的光刻胶去除，才能够开始刻蚀所述第一部分平坦层，而这段刻蚀位于光刻胶半保留区域的光刻胶的过程，刚好能够补偿所述第二部分平坦层与所述第一部分平坦层的厚度相差部分的去除过程，使得在将位于光刻胶半保留区域的光刻胶去除后，所述距离x1和所述距离x2大致相同，这样在继续进行后续的刻蚀工艺时，在相同的刻蚀时间内，能够同时形成用于将所述输出电极62背向所述基底10的上表面的至少部分暴露的第一过孔Via1，以及用于将所述补偿阴极图形63背向所述基底10的上表面的至少部分暴露的第二过孔Via2，从而避免了所述输出电极62会被过刻蚀，保证了所述输出电极62与后续制作的阳极之间具有良好的搭接性能，提升了产品良率。

如图2c所示，在一些实施例中，所述在所述薄膜晶体管背向所述基底10的一侧依次形成层叠设置的平坦层80和光刻胶层90的步骤具体包括：

采用第一平坦材料形成所述平坦层80；

采用第一光刻胶材料形成所述光刻胶层90，在相同的刻蚀条件下，所述平坦层80被刻蚀的第一速率与所述光刻胶层90被刻蚀的第二速率之间的差值小于或等于第一阈值；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层90进行曝光的步骤具体包括：

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层90进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，在垂直于所述基底10方向上，所述第一部分光刻胶背向所述基底10的表面，与所述输出电极62被所述第一过孔Via1暴露的部分背向所述基底10的表面之间具有第一距离d1，所述第二部分平坦层背向所述基底10的表面与所述补偿阴极图形63背向所述基底10的表面具有第二距离d2，所述第一距离d1与所述第二距离d2之间的差值小于或等于第二阈值。

具体地，在制作所述平坦层80和所述光刻胶层90时，所述平坦层80和所述光刻胶层90的具体材料均可根据实际需要选择，示例性的，采用第一平坦材料形成所述平坦层80，采用第一光刻胶材料形成所述光刻胶层90，且在相同的刻蚀条件下，所述平坦层80被刻蚀的第一速率与所述光刻胶层90被刻蚀的第二速率之间的差值小于第一阈值。

需要说明，上述相同的刻蚀条件是指：处于相同的刻蚀环境，采用相同的刻蚀手段。

如图2c所示，当所述平坦层80采用所述第一平坦材料制作，所述光刻胶层90采用所述第一光刻胶材料制作时，在对进行曝光工艺时，可通过选用合适的掩膜板，来控制对光刻胶层90不同区域的曝光量，从而使得在曝光后，所述第一距离d1与所述第二距离d2之间的差值小于第二阈值。

值得注意，所述第一阈值和所述第二阈值均可根据实际需要设置，示例性的，所述第一阈值的范围所述第二阈值的范围(0.05μm～0.1μm)。

更详细地说，以所述第一阈值为0为例，即在相同的刻蚀条件下，所述平坦层80被刻蚀的第一速率与所述光刻胶层90被刻蚀的第二速率相等，在这种情况下，可通过选用合适的掩膜板，来控制对光刻胶层90不同区域的曝光量，使得在曝光后，所述第一距离d1与所述第二距离d2大致相同，即第二阈值近似为0。

上述实施例提供的制作方法中，通过设置平坦层80和光刻胶层90的材料，以及通过控制对所述光刻胶层90不同区域的曝光量，使得所述距离x1和所述距离x2大致相同，这样在继续进行后续的刻蚀工艺时，在相同的刻蚀时间内，能够同时形成用于将所述输出电极62背向所述基底10的上表面的至少部分暴露的第一过孔Via1，以及用于将所述补偿阴极图形63背向所述基底10的上表面的至少部分暴露的第二过孔Via2，从而避免了所述输出电极62会被过刻蚀，保证了所述输出电极62与后续制作的阳极之间具有良好的搭接性能，提升了产品良率。

如图3所示，在一些实施例中，所述在所述薄膜晶体管背向所述基底10的一侧依次形成层叠设置的平坦层80和光刻胶层90的步骤具体包括：

采用第二平坦材料形成所述平坦层80；

采用第二光刻胶材料形成所述光刻胶层90，在相同的刻蚀条件下，所述平坦层80被刻蚀的第三速率大于所述光刻胶层90被刻蚀的第四速率；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层90进行曝光的步骤具体包括：

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层90进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，在垂直于所述基底10方向上，所述第一部分光刻胶背向所述基底10的表面，与所述输出电极62被所述第一过孔Via1暴露的部分背向所述基底10的表面之间具有第三距离d3，所述第二部分平坦层背向所述基底10的表面与所述补偿阴极图形63背向所述基底10的表面具有第四距离d4，所述第三距离d3小于所述第四距离d4。

具体地，在制作所述平坦层80和所述光刻胶层90时，所述平坦层80和所述光刻胶层90的具体材料均可根据实际需要选择，示例性的，采用第二平坦材料形成所述平坦层80，采用第二光刻胶材料形成所述光刻胶层90，且在相同的刻蚀条件下，所述平坦层80被刻蚀的第三速率大于所述光刻胶层90被刻蚀的第四速率。

如图3所示，当所述平坦层80采用所述第二平坦材料制作，所述光刻胶层90采用所述第二光刻胶材料制作时，在对进行曝光工艺时，可通过选用合适的掩膜板，来控制对光刻胶层90不同区域的曝光量，从而使得在曝光后，所述第三距离d3小于所述第四距离d4。

上述实施例提供的制作方法中，当所述平坦层80被刻蚀的第三速率大于所述光刻胶层90被刻蚀的第四速率，且所述第三距离d3小于所述第四距离d4时，先将位于光刻胶半保留区域的光刻胶去除的过程，刚好能够补偿所述第二部分平坦层与所述第一部分平坦层的厚度相差部分的去除过程，使得在将位于光刻胶半保留区域的光刻胶去除后，所述距离x1和所述距离x2大致相同，这样在继续进行后续的刻蚀工艺时，在相同的刻蚀时间内，能够同时形成用于将所述输出电极62背向所述基底10的上表面的至少部分暴露的第一过孔Via1，以及用于将所述补偿阴极图形63背向所述基底10的上表面的至少部分暴露的第二过孔Via2，从而避免了所述输出电极62会被过刻蚀，保证了所述输出电极62与后续制作的阳极之间具有良好的搭接性能，提升了产品良率。

如图2b～图2e所示，在一些实施例中，制作所述光刻胶层90和所述平坦层80的步骤具体包括：

在所述薄膜晶体管背向所述基底10的一侧制作所述平坦层80；

在所述平坦层80背向所述基底10的表面制作在垂直于所述基底10的方向上具有第一厚度的光刻胶层90，所述第一厚度大于所述第二部分平坦层背向所述基底10的表面与所述补偿阴极图形63背向所述基底10的表面之间的距离；

所述制作方法还包括：

在进行刻蚀工艺后，将位于所述光刻胶保留区域的剩余光刻胶去除。

具体地，当设置在垂直于所述基底10的方向上，所述光刻胶层90具有的第一厚度，大于所述第二部分平坦层背向所述基底10的表面与所述补偿阴极图形63背向所述基底10的表面之间的距离时，在刻蚀形成所述第一过孔Via1和所述第二过孔Via2后，在光刻胶保留区域仍然保留有光刻胶，这样在完成过孔的刻蚀后，需将位于所述光刻胶保留区域的剩余光刻胶去除。

上述实施例提供的制作方法中，通过设置在垂直于所述基底10的方向上，所述光刻胶层90具有的第一厚度，大于所述第二部分平坦层背向所述基底10的表面与所述补偿阴极图形63背向所述基底10的表面之间的距离，使得在过孔刻蚀的整个过程中，与光刻胶完全保留区域对应的平坦层80不会被刻蚀，从而保证了在形成所述第一过孔Via1和所述第二过孔Via2后，所述平坦层80背向所述基底10的表面仍然具有较高的平坦度。

在一些实施例中，制作所述光刻胶层90和所述平坦层80的步骤具体包括：

在所述薄膜晶体管背向所述基底10的一侧制作所述平坦层80；

在所述平坦层80背向所述基底10的表面制作在垂直于所述基底10的方向上具有第一厚度的光刻胶层90，所述第一厚度小于所述第二部分平坦层背向所述基底10的表面与所述补偿阴极图形63背向所述基底10的表面之间的距离。

具体地，当设置在垂直于所述基底10的方向上，所述光刻胶层90具有的第一厚度，小于所述第二部分平坦层背向所述基底10的表面与所述补偿阴极图形63背向所述基底10的表面之间的距离时，在刻蚀形成所述第一过孔Via1和所述第二过孔Via2后，位于光刻胶保留区域的光刻胶均被刻蚀掉，且与光刻胶完全保留区域对应的平坦层80会被部分刻蚀，这样在完成过孔的刻蚀后，不需要将位于所述光刻胶保留区域的剩余光刻胶去除。

上述实施例提供的制作方法中，通过设置在垂直于所述基底10的方向上，所述光刻胶层90具有的第一厚度，小于所述第二部分平坦层背向所述基底10的表面与所述补偿阴极图形63背向所述基底10的表面之间的距离，使得在刻蚀形成所述第一过孔Via1和所述第二过孔Via2后，位于光刻胶保留区域的光刻胶均被刻蚀掉，这样在完成过孔的刻蚀后，不需要将位于所述光刻胶保留区域的剩余光刻胶去除，从而简化了显示基板的制作工艺流程。

另外，上述实施例提供的制作方法中，由于是对所述平坦层80背向所述基底10的表面均匀刻蚀，因此，即使光刻胶完全保留区域对应的平坦层80会被部分刻蚀，刻蚀后的所述平坦层80背向所述基底10的表面仍然能够具有较高的平坦度。

上述实施例提供的制作所述平坦层80的步骤还可具体包括：

采用有机硅氧烷聚合物材料形成所述平坦层80；

对所述第一部分光刻胶，所述第一部分平坦层和所述第二部分平坦层进行刻蚀的步骤具体包括：

采用干刻工艺，对所述第一部分光刻胶，所述第一部分平坦层和所述第二部分平坦层进行刻蚀。

具体地，在制作所述平坦层80时，可具体采用有机硅氧烷聚合物材料材料，这种材料具有很好的流动性，采用这种材料制作的平坦层80平坦化效果更好，从而更有利于形成在该平坦层80上的阳极图形的平坦度。

在对所述第一部分光刻胶，所述第一部分平坦层和所述第二部分平坦层进行刻蚀时，所采用的具体刻蚀工艺可根据实际需要进行选择，示例性的，可采用干刻工艺，对所述第一部分光刻胶，所述第一部分平坦层和所述第二部分平坦层进行刻蚀。

在一些实施例中，所述制作方法还包括：

在进行刻蚀工艺后，在所述平坦层80背向所述基底10的一侧制作阳极图形和第一阴极图形，所述阳极图形通过所述第一过孔Via1与所述第一晶体管的输出电极62耦接，所述第一阴极图形通过所述第二过孔Via2与所述补偿阴极图形63耦接。

具体地，在刻蚀形成所述第一过孔Via1和所述第二过孔Via2后，所述制作方法还包括在所述平坦层80背向所述基底10的一侧继续制作阳极图形和第一阴极图形的步骤，所制作的阳极图形能够通过所述第一过孔Via1与所述第一晶体管的输出电极62耦接，接收来自所述第一晶体管的输出电极62的驱动信号；所述第一阴极图形能够通过所述第二过孔Via2与所述补偿阴极图形63耦接，从而降低所述第一阴极图形的电阻。

在一些实施例中，所述制作方法还包括：在制作所述平坦层80之前，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述基底10的一侧制作钝化层70。

具体地，在制作所述平坦层80之前，还可以在所述薄膜晶体管阵列层背向所述基底10的一侧制作钝化层70，通过该钝化层70覆盖所述薄膜晶体管阵列层，将所述薄膜晶体管阵列层包括的各薄膜晶体管与外界隔绝，从而保证了各薄膜晶体管稳定的工作性能。

本发明实施例还提供了一种显示基板，采用上述实施例提供的显示基板的制作方法制作，所述显示基板中的第一晶体管的输出电极62与补偿阴极图形63同层同材料设置，在垂直于所述基底10的方向上，所述输出电极62与显示基板中的阳极图形接触的部分的厚度，与所述补偿阴极图形63的厚度相同。

采用上述实施例提供的制作方法制作本发明实施例提供的显示基板时，先在所述平坦层80背向所述基底10的表面制作光刻胶层90，然后利用半色调掩膜板对该光刻胶层90进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶半保留区域位于所述第一晶体管的输出电极62的正上方，所述光刻胶完全去除区域位于所述补偿阴极图形63的正上方，这样在进行刻蚀工艺时，需要先将位于光刻胶半保留区域的光刻胶去除，才能够开始刻蚀所述第一部分平坦层，而这段刻蚀位于光刻胶半保留区域的光刻胶的过程，刚好能够补偿所述第二部分平坦层与所述第一部分平坦层的厚度相差部分的去除过程，使得在将位于光刻胶半保留区域的光刻胶去除后，所述距离x1和所述距离x2大致相同，这样在继续进行后续的刻蚀工艺时，在相同的刻蚀时间内，能够同时形成用于将所述输出电极62背向所述基底10的上表面的至少部分暴露的第一过孔Via1，以及用于将所述补偿阴极图形63背向所述基底10的上表面的至少部分暴露的第二过孔Via2。

因此，本发明实施例提供的显示基板中，不仅能够将所述第一晶体管的输出电极62与补偿阴极图形63在同一次构图工艺中形成，还使得在形成所述第一过孔Via1和所述第二过孔Via2时，避免了所述输出电极62被过刻蚀，使得在垂直于所述基底10的方向上，所述输出电极62与显示基板中的阳极图形接触的部分的厚度，与所述补偿阴极图形63的厚度仍然保持相同，从而保证了所述输出电极62与后续制作的阳极之间具有良好的搭接性能，提升了产品良率。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。

由于上述实施例提供的显示基板中避免了所述输出电极62被过刻蚀，保证了所述输出电极62与后续制作的阳极之间具有良好的搭接性能，提升了产品良率；因此，本发明实施例提供的显示装置在包括上述实施例提供的显示基板时，同样具有上述有益效果，此处不再赘述。

需要说明的是，所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基底上制作薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括用于输出驱动信号的第一晶体管，以及补偿阴极图形；

在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶半保留区域在所述基底上的正投影位于所述第一晶体管的输出电极在所述基底上的正投影的内部，所述光刻胶完全去除区域在所述基底上的正投影位于所述补偿阴极图形在所述基底上的正投影内部，所述光刻胶完全保留区域对应所述光刻胶层中，除所述光刻胶半保留区域和所述光刻胶完全去除区域之外的其它区域；

同时对位于所述光刻胶半保留区域的第一部分光刻胶，与所述光刻胶半保留区域对应的第一部分平坦层，以及与所述光刻胶完全去除区域对应的第二部分平坦层进行刻蚀，在相同的刻蚀时间内，形成能够将所述输出电极背向所述基底的表面至少部分暴露的第一过孔，以及能够将所述补偿阴极图形背向所述基底的表面至少部分暴露的第二过孔。

2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层的步骤具体包括：

采用第一平坦材料形成所述平坦层；

采用第一光刻胶材料形成所述光刻胶层，在相同的刻蚀条件下，所述平坦层被刻蚀的第一速率与所述光刻胶层被刻蚀的第二速率之间的差值小于或等于第一阈值；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光的步骤具体包括：

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，在垂直于所述基底方向上，所述第一部分光刻胶背向所述基底的表面，与所述输出电极被所述第一过孔暴露的部分背向所述基底的表面之间具有第一距离，所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面具有第二距离，所述第一距离与所述第二距离之间的差值小于或等于第二阈值。

3.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层的步骤具体包括：

采用第二平坦材料形成所述平坦层；

采用第二光刻胶材料形成所述光刻胶层，在相同的刻蚀条件下，所述平坦层被刻蚀的第三速率大于所述光刻胶层被刻蚀的第四速率；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光的步骤具体包括：

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，在垂直于所述基底方向上，所述第一部分光刻胶背向所述基底的表面，与所述输出电极被所述第一过孔暴露的部分背向所述基底的表面之间具有第三距离，所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面具有第四距离，所述第三距离小于所述第四距离。

4.根据权利要求2或3所述的显示基板的制作方法，其特征在于，制作所述光刻胶层和所述平坦层的步骤具体包括：

在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧制作所述平坦层；

在所述平坦层背向所述基底的表面制作在垂直于所述基底的方向上具有第一厚度的光刻胶层，所述第一厚度大于所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面之间的距离；

所述制作方法还包括：

在进行刻蚀工艺后，将位于所述光刻胶保留区域的剩余光刻胶去除。

5.根据权利要求2或3所述的显示基板的制作方法，其特征在于，制作所述光刻胶层和所述平坦层的步骤具体包括：

在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧制作所述平坦层；

在所述平坦层背向所述基底的表面制作在垂直于所述基底的方向上具有第一厚度的光刻胶层，所述第一厚度小于所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面之间的距离。

6.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，制作所述平坦层的步骤具体包括：

采用有机硅氧烷聚合物材料形成所述平坦层；

对所述第一部分光刻胶，所述第一部分平坦层和所述第二部分平坦层进行刻蚀的步骤具体包括：

采用干刻工艺，对所述第一部分光刻胶，所述第一部分平坦层和所述第二部分平坦层进行刻蚀。

7.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在进行刻蚀工艺后，在所述平坦层背向所述基底的一侧制作阳极图形和第一阴极图形，所述阳极图形通过所述第一过孔与所述第一晶体管的输出电极耦接，所述第一阴极图形通过所述第二过孔与所述补偿阴极图形耦接。

8.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在制作所述平坦层之前，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述基底的一侧制作钝化层。

9.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求1～8中任一项所述的显示基板的制作方法制作，所述显示基板中的第一晶体管的输出电极与补偿阴极图形同层同材料设置，在垂直于所述基底的方向上，所述输出电极与显示基板中的阳极图形接触的部分的厚度，与所述补偿阴极图形的厚度相同。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示基板。

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