JP2023505782A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JP2023505782A5
JP2023505782A5 JP2022534154A JP2022534154A JP2023505782A5 JP 2023505782 A5 JP2023505782 A5 JP 2023505782A5 JP 2022534154 A JP2022534154 A JP 2022534154A JP 2022534154 A JP2022534154 A JP 2022534154A JP 2023505782 A5 JP2023505782 A5 JP 2023505782A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
state
signal
power level
primary
duty cycle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022534154A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7662638B2 (ja
JP2023505782A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2020/063142 external-priority patent/WO2021118862A2/en
Publication of JP2023505782A publication Critical patent/JP2023505782A/ja
Publication of JP2023505782A5 publication Critical patent/JP2023505782A5/ja
Priority to JP2025061531A priority Critical patent/JP2025102932A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7662638B2 publication Critical patent/JP7662638B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2022534154A 2019-12-13 2020-12-03 反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化 Active JP7662638B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2025061531A JP2025102932A (ja) 2019-12-13 2025-04-03 反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962948180P 2019-12-13 2019-12-13
US62/948,180 2019-12-13
US202062961358P 2020-01-15 2020-01-15
US62/961,358 2020-01-15
PCT/US2020/063142 WO2021118862A2 (en) 2019-12-13 2020-12-03 Multi-state pulsing for achieving a balance between bow control and mask selectivity

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2025061531A Division JP2025102932A (ja) 2019-12-13 2025-04-03 反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2023505782A JP2023505782A (ja) 2023-02-13
JP2023505782A5 true JP2023505782A5 (https=) 2024-11-19
JP7662638B2 JP7662638B2 (ja) 2025-04-15

Family

ID=76330734

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022534154A Active JP7662638B2 (ja) 2019-12-13 2020-12-03 反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化
JP2025061531A Pending JP2025102932A (ja) 2019-12-13 2025-04-03 反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2025061531A Pending JP2025102932A (ja) 2019-12-13 2025-04-03 反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化

Country Status (5)

Country Link
US (2) US12217972B2 (https=)
JP (2) JP7662638B2 (https=)
KR (1) KR20220113502A (https=)
CN (1) CN114787972A (https=)
WO (1) WO2021118862A2 (https=)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7562637B2 (ja) * 2019-08-22 2024-10-07 ラム リサーチ コーポレーション マスク形状を制御し、選択性対プロセスマージンのトレードオフを破壊するためのマルチステートrfパルス
JP2023530125A (ja) * 2020-06-15 2023-07-13 ラム リサーチ コーポレーション Rf信号のパラメータのパルス化周波数およびデューティサイクルの制御
WO2022169518A1 (en) * 2021-02-05 2022-08-11 Lam Research Corporation Duty cycle control to achieve uniformity
US11694876B2 (en) * 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
US12456607B2 (en) 2021-12-15 2025-10-28 Applied Materials, Inc. Auxiliary plasma source for robust ignition and restrikes in a plasma chamber
WO2023136913A1 (en) * 2022-01-14 2023-07-20 Lam Research Corporation Method to control etch profile by rf pulsing
JP2025537557A (ja) * 2022-11-16 2025-11-18 ラム リサーチ コーポレーション 不動態化を進めてエッチング速度を上昇させるためのシステムおよび方法
CN119170473B (zh) * 2023-06-19 2025-10-10 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其脉冲调节等离子体方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9462672B2 (en) * 2012-02-22 2016-10-04 Lam Research Corporation Adjustment of power and frequency based on three or more states
JP6002556B2 (ja) * 2012-11-27 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9748105B2 (en) * 2013-08-16 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Tungsten deposition with tungsten hexafluoride (WF6) etchback
JP6320248B2 (ja) * 2014-03-04 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
US9691625B2 (en) * 2015-11-04 2017-06-27 Lam Research Corporation Methods and systems for plasma etching using bi-modal process gas composition responsive to plasma power level
JP6568822B2 (ja) * 2016-05-16 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10553465B2 (en) * 2016-07-25 2020-02-04 Lam Research Corporation Control of water bow in multiple stations
US10347498B2 (en) * 2016-12-31 2019-07-09 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Methods of minimizing plasma-induced sidewall damage during low K etch processes
JP6883495B2 (ja) 2017-09-04 2021-06-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10002746B1 (en) * 2017-09-13 2018-06-19 Lam Research Corporation Multi regime plasma wafer processing to increase directionality of ions
CN118588548A (zh) * 2018-03-16 2024-09-03 朗姆研究公司 在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程
US10504744B1 (en) * 2018-07-19 2019-12-10 Lam Research Corporation Three or more states for achieving high aspect ratio dielectric etch

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2023505782A5 (https=)
US10978274B2 (en) Plasma processing apparatus and method for generating plasma
US9197196B2 (en) State-based adjustment of power and frequency
JP5718124B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2018026331A5 (https=)
KR102887088B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP7662638B2 (ja) 反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化
JP5841917B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US10964511B2 (en) Semiconductor manufacturing device and method of operating the same
KR20230073145A (ko) Rf 생성기들의 동기화
JP2026062660A (ja) プラズマチャンバのrfコイルを逆同期でパルシングすること
KR20220029426A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP6180890B2 (ja) プラズマ処理方法
WO2020001361A1 (zh) 射频脉冲匹配方法及其装置、脉冲等离子体产生系统
JP2023530125A5 (https=)
TW202601723A (zh) 電漿處理的時間控制
JP7061140B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP4537188B2 (ja) プラズマ処理装置
US20220359160A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR100557607B1 (ko) 클럭 발생 장치
JP3681718B2 (ja) プラズマ処理装置及び方法
JP2025507374A5 (https=)
JP2022177082A (ja) プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法
KR102850016B1 (ko) 펄스 이니셜 타임 제어 기능이 구비된 플라즈마 제너레이터
JP2026504729A (ja) 選択性を高めるためにlf rfパルス発生器を制御するシステム及び方法