JP2023183290A

JP2023183290A - 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器

Info

Publication number: JP2023183290A
Application number: JP2022096824A
Authority: JP
Inventors: 慎太郎伴; Shintaro Ban; 裕工藤; Yutaka Kudo; 圭吉田; Kei Yoshida; 士雄磨橋本; Shiguma Hashimoto; 良尚白崎; Yoshihisa Shirosaki
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2022-06-15
Filing date: 2022-06-15
Publication date: 2023-12-27
Also published as: US20240074311A1

Abstract

【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子を長寿命化させ、色度を改善させることができる化合物を提供すること。【解決手段】例えば、下記一般式（１１１）で表される化合物。TIFF2023183290000263.tif66143【選択図】なし

Description

本発明は、化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という場合がある。）は、携帯電話及びテレビ等のフルカラーディスプレイへ応用されている。有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が発光層に注入され、また陰極から電子が発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。このとき、電子スピンの統計則により、一重項励起子が２５％の割合で生成し、及び三重項励起子が７５％の割合で生成する。
有機ＥＬ素子の性能向上を図るため、例えば、特許文献１～特許文献５においては、有機ＥＬ素子に用いる化合物（例えば、ピレン化合物等）について検討がなされている。また、特許文献６には、有機ＥＬ素子の性能向上を図るため、２つの三重項励起子の衝突融合により一重項励起子が生成する現象（以下、Ｔｒｉｐｌｅｔ－ＴｒｉｐｌｅｔＦｕｓｉｏｎ＝ＴＴＦ現象と称する場合がある。）が記載されている。
有機ＥＬ素子の性能としては、例えば、輝度、発光波長、色度、発光効率、駆動電圧、及び寿命が挙げられる。

国際公開第２０２１／０４９６６３号中国特許出願公開第１０４６５００２９号明細書欧州特許出願公開第２４６３３５２号明細書米国特許出願公開第２００９／０１３１６７３号明細書米国特許出願公開第２００６／０２４０２８３号明細書国際公開第２０１０／１３４３５０号

青色で蛍光発光する有機エレクトロルミネッセンス素子については、寿命の改善及び色度の悪化の抑制が求められていた。

本発明の目的は、有機エレクトロルミネッセンス素子を長寿命化させ、色度を改善させることができる化合物を提供することである。本発明の別の目的は、長寿命かつ色度が改善された有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供することである。

本発明の一態様によれば、下記一般式（１）で表される化合物が提供される。

（前記一般式（１）において、
Ｒ_１～Ｒ_９、Ｒ_１０１～Ｒ_１０８およびＲ_１１１～Ｒ_１１８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～２１の複素環基であり、
であり、
Ａｒ_１２は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数１０～３０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数９～３１の複素環基であり、
Ａｒ_１２としての置換のアリール基は、置換基として置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～２１の複素環基からなる群から選択される基を少なくとも１つ有しているか又は有さず、
Ａｒ_１２としての置換の複素環基は、置換基として置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～２１の複素環基からなる群から選択される少なくとも１つを有しているか又は有さず、
Ｌ_１１およびＬ_１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１３の２価の複素環基であり、
ｐは、０又は１であり、
ｑは、０又は１であり、
ｐ＋ｑは、１又は２である。
ただし、
ｐが１のとき、Ｒ_１０１とＲ_１０２、Ｒ_１０２とＲ_１０３、又はＲ_１０３とＲ_１０４の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０１とＲ_１０２、Ｒ_１０２とＲ_１０３、又はＲ_１０３とＲ_１０４の他方が＊ｂに結合する単結合であり、
ｑが０のとき、Ｒ_１０５～Ｒ_１０８から選ばれる２つの内、一方は、＊ｅに結合する単結合であり、他方は、＊ｆに結合する単結合であり、
ｑが１のとき、Ｒ_１０５とＲ_１０６、Ｒ_１０６とＲ_１０７、又はＲ_１０７とＲ_１０８の一方が＊ｃに結合する単結合であり、Ｒ_１０５とＲ_１０６、Ｒ_１０６とＲ_１０７、又はＲ_１０７とＲ_１０８の他方が＊ｄに結合する単結合であり、＊ｃ及び＊ｄに結合する単結合ではないＲ_１０５～Ｒ_１０８、およびＲ_１１５～Ｒ_１１８から選ばれる２つの内、一方は、＊ｅに結合する単結合であり、他方は、＊ｆに結合する単結合である。）

本発明の一態様によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子であって、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された発光帯域と、を有し、前記発光帯域は、本発明の一態様に係る化合物を第一のホスト材料として含有する第一の発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

本発明の一態様によれば、本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器が提供される。

本発明の一態様によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子を長寿命化させ、色度を改善させることができる化合物を提供することができる。本発明の一態様によれば、長寿命かつ色度が改善された有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。本発明の一態様によれば、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供するができる。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の別の一例の概略構成を示す図である。本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の別の一例の概略構成を示す図である。

［定義］
本明細書において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、及び三重水素（tritium）を包含する。

本明細書において、化学構造式中、「Ｒ」等の記号や重水素原子を表す「Ｄ」が明示されていない結合可能位置には、水素原子、即ち、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子が結合しているものとする。

本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、例えば、９，９－ジフェニルフルオレニル基の環形成炭素数は１３であり、９，９’－スピロビフルオレニル基の環形成炭素数は２５である。
また、ベンゼン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ベンゼン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているベンゼン環の環形成炭素数は、６である。また、ナフタレン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ナフタレン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているナフタレン環の環形成炭素数は、１０である。

本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば、単環、縮合環、及び環集合）の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の結合を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。例えば、ピリジン環に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子の数は、ピリジン環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているピリジン環の環形成原子数は、６である。また、例えば、キナゾリン環の炭素原子に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子については、キナゾリン環の環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているキナゾリン環の環形成原子数は１０である。

本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基の炭素数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。

本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基の原子数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。

本明細書において、無置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「無置換のＺＺ基」である場合を表し、置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「置換のＺＺ基」である場合を表す。
本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換」とは、ＺＺ基における水素原子が置換基と置き換わっていないことを意味する。「無置換のＺＺ基」における水素原子は、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子である。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「置換」とは、ＺＺ基における１つ以上の水素原子が、置換基と置き換わっていることを意味する。「ＡＡ基で置換されたＢＢ基」という場合における「置換」も同様に、ＢＢ基における１つ以上の水素原子が、ＡＡ基と置き換わっていることを意味する。

「本明細書に記載の置換基」
以下、本明細書に記載の置換基について説明する。

本明細書に記載の「無置換のアリール基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
本明細書に記載の「無置換の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
本明細書に記載の「無置換のアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。
本明細書に記載の「無置換のアルケニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
本明細書に記載の「無置換のアルキニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
本明細書に記載の「無置換のシクロアルキル基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、３～５０であり、好ましくは３～２０、より好ましくは３～６である。
本明細書に記載の「無置換のアリーレン基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
本明細書に記載の「無置換の２価の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
本明細書に記載の「無置換のアルキレン基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。

・「置換もしくは無置換のアリール基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」の具体例（具体例群Ｇ１）としては、以下の無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）及び置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「無置換のアリール基」である場合を指し、置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「置換のアリール基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アリール基」という場合は、「無置換のアリール基」と「置換のアリール基」の両方を含む。
「置換のアリール基」は、「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアリール基」としては、例えば、下記具体例群Ｇ１Ａの「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの置換のアリール基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアリール基」の例、及び「置換のアリール基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアリール基」には、下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」におけるアリール基自体の炭素原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）：
フェニル基、
ｐ－ビフェニル基、
ｍ－ビフェニル基、
ｏ－ビフェニル基、
ｐ－ターフェニル－４－イル基、
ｐ－ターフェニル－３－イル基、
ｐ－ターフェニル－２－イル基、
ｍ－ターフェニル－４－イル基、
ｍ－ターフェニル－３－イル基、
ｍ－ターフェニル－２－イル基、
ｏ－ターフェニル－４－イル基、
ｏ－ターフェニル－３－イル基、
ｏ－ターフェニル－２－イル基、
１－ナフチル基、
２－ナフチル基、
アントリル基、
ベンゾアントリル基、
フェナントリル基、
ベンゾフェナントリル基、
フェナレニル基、
ピレニル基、
クリセニル基、
ベンゾクリセニル基、
トリフェニレニル基、
ベンゾトリフェニレニル基、
テトラセニル基、
ペンタセニル基、
フルオレニル基、
９，９’－スピロビフルオレニル基、
ベンゾフルオレニル基、
ジベンゾフルオレニル基、
フルオランテニル基、
ベンゾフルオランテニル基、
ペリレニル基、及び
下記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価のアリール基。

・置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）：
ｏ－トリル基、
ｍ－トリル基、
ｐ－トリル基、
パラ－キシリル基、
メタ－キシリル基、
オルト－キシリル基、
パラ－イソプロピルフェニル基、
メタ－イソプロピルフェニル基、
オルト－イソプロピルフェニル基、
パラ－ｔ－ブチルフェニル基、
メタ－ｔ－ブチルフェニル基、
オルト－ｔ－ブチルフェニル基、
３，４，５－トリメチルフェニル基、
９，９－ジメチルフルオレニル基、
９，９－ジフェニルフルオレニル基、
９，９－ビス（４－メチルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－イソプロピルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）フルオレニル基、
シアノフェニル基、
トリフェニルシリルフェニル基、
トリメチルシリルフェニル基、
フェニルナフチル基、
ナフチルフェニル基、及び
前記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から誘導される１価の基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基。

・「置換もしくは無置換の複素環基」
本明細書に記載の「複素環基」は、環形成原子にヘテロ原子を少なくとも１つ含む環状の基である。ヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、及びホウ素原子が挙げられる。
本明細書に記載の「複素環基」は、単環の基であるか、又は縮合環の基である。
本明細書に記載の「複素環基」は、芳香族複素環基であるか、又は非芳香族複素環基である。
本明細書に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ２）としては、以下の無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ）、及び置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「無置換の複素環基」である場合を指し、置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「置換の複素環基」である場合を指す。）本明細書において、単に「複素環基」という場合は、「無置換の複素環基」と「置換の複素環基」の両方を含む。
「置換の複素環基」は、「無置換の複素環基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換の複素環基」の具体例は、下記具体例群Ｇ２Ａの「無置換の複素環基」の水素原子が置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ２Ｂの置換の複素環基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換の複素環基」の例や「置換の複素環基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換の複素環基」には、具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における複素環基自体の環形成原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

具体例群Ｇ２Ａは、例えば、以下の窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）、酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）、硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）を含む。

具体例群Ｇ２Ｂは、例えば、以下の窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）、酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）、硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）を含む。

・窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）：
ピロリル基、
イミダゾリル基、
ピラゾリル基、
トリアゾリル基、
テトラゾリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ピリジル基、
ピリダジニル基、
ピリミジニル基、
ピラジニル基、
トリアジニル基、
インドリル基、
イソインドリル基、
インドリジニル基、
キノリジニル基、
キノリル基、
イソキノリル基、
シンノリル基、
フタラジニル基、
キナゾリニル基、
キノキサリニル基、
ベンゾイミダゾリル基、
インダゾリル基、
フェナントロリニル基、
フェナントリジニル基、
アクリジニル基、
フェナジニル基、
カルバゾリル基、
ベンゾカルバゾリル基、
モルホリノ基、
フェノキサジニル基、
フェノチアジニル基、
アザカルバゾリル基、及びジアザカルバゾリル基。

・酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）：
フリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
キサンテニル基、
ベンゾフラニル基、
イソベンゾフラニル基、
ジベンゾフラニル基、
ナフトベンゾフラニル基、
ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾイソキサゾリル基、
フェノキサジニル基、
モルホリノ基、
ジナフトフラニル基、
アザジベンゾフラニル基、
ジアザジベンゾフラニル基、
アザナフトベンゾフラニル基、及び
ジアザナフトベンゾフラニル基。

・硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）：
チエニル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ベンゾチオフェニル基（ベンゾチエニル基）、
イソベンゾチオフェニル基（イソベンゾチエニル基）、
ジベンゾチオフェニル基（ジベンゾチエニル基）、
ナフトベンゾチオフェニル基（ナフトベンゾチエニル基）、
ベンゾチアゾリル基、
ベンゾイソチアゾリル基、
フェノチアジニル基、
ジナフトチオフェニル基（ジナフトチエニル基）、
アザジベンゾチオフェニル基（アザジベンゾチエニル基）、
ジアザジベンゾチオフェニル基（ジアザジベンゾチエニル基）、
アザナフトベンゾチオフェニル基（アザナフトベンゾチエニル基）、及び
ジアザナフトベンゾチオフェニル基（ジアザナフトベンゾチエニル基）。

・下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）：

前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、又はＣＨ_２である。ただし、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａのうち少なくとも１つは、酸素原子、硫黄原子、又はＮＨである。
前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａの少なくともいずれかがＮＨ、又はＣＨ_２である場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基には、これらＮＨ、又はＣＨ_２から１つの水素原子を除いて得られる１価の基が含まれる。

・窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）：
（９－フェニル）カルバゾリル基、
（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、
（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、
（９－ナフチル）カルバゾリル基、
ジフェニルカルバゾール－９－イル基、
フェニルカルバゾール－９－イル基、
メチルベンゾイミダゾリル基、
エチルベンゾイミダゾリル基、
フェニルトリアジニル基、
ビフェニリルトリアジニル基、
ジフェニルトリアジニル基、
フェニルキナゾリニル基、及び
ビフェニリルキナゾリニル基。

・酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）：
フェニルジベンゾフラニル基、
メチルジベンゾフラニル基、
ｔ－ブチルジベンゾフラニル基、及び
スピロ［９Ｈ－キサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。

・硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）：
フェニルジベンゾチオフェニル基、
メチルジベンゾチオフェニル基、
ｔ－ブチルジベンゾチオフェニル基、及び
スピロ［９Ｈ－チオキサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。

・前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）：

前記「１価の複素環基の１つ以上の水素原子」とは、該１価の複素環基の環形成炭素原子に結合している水素原子、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａの少なくともいずれかがＮＨである場合の窒素原子に結合している水素原子、及びＸ_Ａ及びＹ_Ａの一方がＣＨ_２である場合のメチレン基の水素原子から選ばれる１つ以上の水素原子を意味する。

・「置換もしくは無置換のアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ３）としては、以下の無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）が挙げられる。（ここで、無置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「無置換のアルキル基」である場合を指し、置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「置換のアルキル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキル基」という場合は、「無置換のアルキル基」と「置換のアルキル基」の両方を含む。
「置換のアルキル基」は、「無置換のアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキル基」（具体例群Ｇ３Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）の例等が挙げられる。本明細書において、「無置換のアルキル基」におけるアルキル基は、鎖状のアルキル基を意味する。そのため、「無置換のアルキル基」は、直鎖である「無置換のアルキル基」、及び分岐状である「無置換のアルキル基」が含まれる。尚、ここに列挙した「無置換のアルキル基」の例や「置換のアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルキル基」には、具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」におけるアルキル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）：
メチル基、
エチル基、
ｎ－プロピル基、
イソプロピル基、
ｎ－ブチル基、
イソブチル基、
ｓ－ブチル基、及び
ｔ－ブチル基。

・置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）：
ヘプタフルオロプロピル基（異性体を含む）、
ペンタフルオロエチル基、
２，２，２－トリフルオロエチル基、及び
トリフルオロメチル基。

・「置換もしくは無置換のアルケニル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルケニル基」の具体例（具体例群Ｇ４）としては、以下の無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルケニル基とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「無置換のアルケニル基」である場合を指し、「置換のアルケニル基」とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「置換のアルケニル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アルケニル基」という場合は、「無置換のアルケニル基」と「置換のアルケニル基」の両方を含む。
「置換のアルケニル基」は、「無置換のアルケニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルケニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルケニル基」（具体例群Ｇ４Ａ）が置換基を有する基、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアルケニル基」の例や「置換のアルケニル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルケニル基」には、具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」におけるアルケニル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）：
ビニル基、
アリル基、
１－ブテニル基、
２－ブテニル基、及び
３－ブテニル基。

・置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）：
１，３－ブタンジエニル基、
１－メチルビニル基、
１－メチルアリル基、
１，１－ジメチルアリル基、
２－メチルアリル基、及び
１，２－ジメチルアリル基。

・「置換もしくは無置換のアルキニル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキニル基」の具体例（具体例群Ｇ５）としては、以下の無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルキニル基とは、「置換もしくは無置換のアルキニル基」が「無置換のアルキニル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキニル基」という場合は、「無置換のアルキニル基」と「置換のアルキニル基」の両方を含む。
「置換のアルキニル基」は、「無置換のアルキニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキニル基」（具体例群Ｇ５Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基等が挙げられる。

・無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）：
エチニル基。

・「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ６）としては、以下の無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「無置換のシクロアルキル基」である場合を指し、置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「置換のシクロアルキル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「シクロアルキル基」という場合は、「無置換のシクロアルキル基」と「置換のシクロアルキル基」の両方を含む。
「置換のシクロアルキル基」は、「無置換のシクロアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のシクロアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のシクロアルキル基」（具体例群Ｇ６Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のシクロアルキル基」の例や「置換のシクロアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のシクロアルキル基」には、具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」におけるシクロアルキル基自体の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。

・無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）：
シクロプロピル基、
シクロブチル基、
シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、
１－アダマンチル基、
２－アダマンチル基、
１－ノルボルニル基、及び
２－ノルボルニル基。

・置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）：
４－メチルシクロヘキシル基。

・「－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基」
本明細書に記載の－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基の具体例（具体例群Ｇ７）としては、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）、及び
－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。

・「－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基」
本明細書に記載の－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基の具体例（具体例群Ｇ８）としては、
－Ｏ（Ｇ１）、
－Ｏ（Ｇ２）、
－Ｏ（Ｇ３）、及び
－Ｏ（Ｇ６）
が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。

・「－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基」
本明細書に記載の－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基の具体例（具体例群Ｇ９）としては、
－Ｓ（Ｇ１）、
－Ｓ（Ｇ２）、
－Ｓ（Ｇ３）、及び
－Ｓ（Ｇ６）
が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。

・「－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基」
本明細書に記載の－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基の具体例（具体例群Ｇ１０）としては、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）、及び
－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。

・「ハロゲン原子」
本明細書に記載の「ハロゲン原子」の具体例（具体例群Ｇ１１）としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がフッ素原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がフッ素原子で置き換わった基（パーフルオロ基）も含む。「無置換のフルオロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のフルオロアルキル基」は、「フルオロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のフルオロアルキル基」には、「置換のフルオロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のフルオロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のフルオロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がフッ素原子と置き換わった基の例等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換のハロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のハロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がハロゲン原子で置き換わった基も含む。「無置換のハロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のハロアルキル基」は、「ハロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のハロアルキル基」には、「置換のハロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のハロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のハロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がハロゲン原子と置き換わった基の例等が挙げられる。ハロアルキル基をハロゲン化アルキル基と称する場合がある。

・「置換もしくは無置換のアルコキシ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルコキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルコキシ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。

・「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルキルチオ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。

・「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールオキシ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。

・「置換もしくは無置換のアリールチオ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールチオ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。

・「置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基」
本明細書に記載の「トリアルキルシリル基」の具体例としては、－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。「トリアルキルシリル基」の各アルキル基の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０であり、より好ましくは１～６である。

・「置換もしくは無置換のアラルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、－（Ｇ３）－（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」であり、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。従って、「アラルキル基」は、「アルキル基」の水素原子が置換基としての「アリール基」と置き換わった基であり、「置換のアルキル基」の一態様である。「無置換のアラルキル基」は、「無置換のアリール基」が置換した「無置換のアルキル基」であり、「無置換のアラルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、７～５０であり、好ましくは７～３０であり、より好ましくは７～１８である。
「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、ベンジル基、１－フェニルエチル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルイソプロピル基、２－フェニルイソプロピル基、フェニル－ｔ－ブチル基、α－ナフチルメチル基、１－α－ナフチルエチル基、２－α－ナフチルエチル基、１－α－ナフチルイソプロピル基、２－α－ナフチルイソプロピル基、β－ナフチルメチル基、１－β－ナフチルエチル基、２－β－ナフチルエチル基、１－β－ナフチルイソプロピル基、及び２－β－ナフチルイソプロピル基等が挙げられる。

本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリール基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはフェニル基、ｐ－ビフェニル基、ｍ－ビフェニル基、ｏ－ビフェニル基、ｐ－ターフェニル－４－イル基、ｐ－ターフェニル－３－イル基、ｐ－ターフェニル－２－イル基、ｍ－ターフェニル－４－イル基、ｍ－ターフェニル－３－イル基、ｍ－ターフェニル－２－イル基、ｏ－ターフェニル－４－イル基、ｏ－ターフェニル－３－イル基、ｏ－ターフェニル－２－イル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、９，９’－スピロビフルオレニル基、９，９－ジメチルフルオレニル基、及び９，９－ジフェニルフルオレニル基等である。

本明細書に記載の置換もしくは無置換の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、ベンゾイミダゾリル基、フェナントロリニル基、カルバゾリル基（１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、又は９－カルバゾリル基）、ベンゾカルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、（９－フェニル）カルバゾリル基（（９－フェニル）カルバゾール－１－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－２－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－３－イル基、又は（９－フェニル）カルバゾール－４－イル基）、（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、ジフェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルトリアジニル基、ビフェニリルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、フェニルジベンゾフラニル基、及びフェニルジベンゾチオフェニル基等である。

本明細書において、カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

本明細書において、（９－フェニル）カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

前記一般式（ＴＥＭＰ－Ｃｚ１）～（ＴＥＭＰ－Ｃｚ９）中、＊は、結合位置を表す。

本明細書において、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチオフェニル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

前記一般式（ＴＥＭＰ－３４）～（ＴＥＭＰ－４１）中、＊は、結合位置を表す。

本明細書に記載の置換もしくは無置換のアルキル基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等である。

・「置換もしくは無置換のアリーレン基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリーレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアリーレン基」の具体例（具体例群Ｇ１２）としては、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換の２価の複素環基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換の２価の複素環基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換の２価の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ１３）としては、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

・「置換もしくは無置換のアルキレン基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアルキレン基」の具体例（具体例群Ｇ１４）としては、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。

本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリーレン基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－６８）のいずれかの基である。

前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、Ｑ_１～Ｑ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、＊は、結合位置を表す。

前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、Ｑ_１～Ｑ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
式Ｑ_９及びＱ_１０は、単結合を介して互いに結合して環を形成してもよい。
前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、＊は、結合位置を表す。

前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、Ｑ_１～Ｑ_８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、＊は、結合位置を表す。

本明細書に記載の置換もしくは無置換の２価の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－１０２）のいずれかの基である。

前記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－８２）中、Ｑ_１～Ｑ_９は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。

前記一般式（ＴＥＭＰ－８３）～（ＴＥＭＰ－１０２）中、Ｑ_１～Ｑ_８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。

以上が、「本明細書に記載の置換基」についての説明である。

・「結合して環を形成する場合」
本明細書において、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は互いに結合せず」という場合は、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合しない」場合と、を意味する。
本明細書における、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（以下、これらの場合をまとめて「結合して環を形成する場合」と称する場合がある。）について、以下、説明する。母骨格がアントラセン環である下記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物の場合を例として説明する。

例えば、Ｒ_９２１～Ｒ_９３０のうちの「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、環を形成する」場合において、１組となる隣接する２つからなる組とは、Ｒ_９２１とＲ_９２２との組、Ｒ_９２２とＲ_９２３との組、Ｒ_９２３とＲ_９２４との組、Ｒ_９２４とＲ_９３０との組、Ｒ_９３０とＲ_９２５との組、Ｒ_９２５とＲ_９２６との組、Ｒ_９２６とＲ_９２７との組、Ｒ_９２７とＲ_９２８との組、Ｒ_９２８とＲ_９２９との組、並びにＲ_９２９とＲ_９２１との組である。

上記「１組以上」とは、上記隣接する２つ以上からなる組の２組以上が同時に環を形成してもよいことを意味する。例えば、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して環Ｑ_Ａを形成し、同時にＲ_９２５とＲ_９２６とが互いに結合して環Ｑ_Ｂを形成した場合は、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）で表される。

「隣接する２つ以上からなる組」が環を形成する場合とは、前述の例のように隣接する「２つ」からなる組が結合する場合だけではなく、隣接する「３つ以上」からなる組が結合する場合も含む。例えば、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して環Ｑ_Ａを形成し、かつ、Ｒ_９２２とＲ_９２３とが互いに結合して環Ｑ_Ｃを形成し、互いに隣接する３つ（Ｒ_９２１、Ｒ_９２２及びＲ_９２３）からなる組が互いに結合して環を形成して、アントラセン母骨格に縮合する場合を意味し、この場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）で表される。下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において、環Ｑ_Ａ及び環Ｑ_Ｃは、Ｒ_９２２を共有する。

形成される「単環」、又は「縮合環」は、形成された環のみの構造として、飽和の環であっても不飽和の環であってもよい。「隣接する２つからなる組の１組」が「単環」、又は「縮合環」を形成する場合であっても、当該「単環」、又は「縮合環」は、飽和の環、又は不飽和の環を形成することができる。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）において形成された環Ｑ_Ａ及び環Ｑ_Ｂは、それぞれ、「単環」又は「縮合環」である。また、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において形成された環Ｑ_Ａ、及び環Ｑ_Ｃは、「縮合環」である。前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）の環Ｑ_Ａと環Ｑ_Ｃとは、環Ｑ_Ａと環Ｑ_Ｃとが縮合することによって縮合環となっている。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環Ｑ_Ａがベンゼン環であれば、環Ｑ_Ａは、単環である。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環Ｑ_Ａがナフタレン環であれば、環Ｑ_Ａは、縮合環である。

「不飽和の環」とは、芳香族炭化水素環、又は芳香族複素環を意味する。「飽和の環」とは、脂肪族炭化水素環、又は非芳香族複素環を意味する。
芳香族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ１において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
芳香族複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２において具体例として挙げられた芳香族複素環基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
脂肪族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ６において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
「環を形成する」とは、母骨格の複数の原子のみ、あるいは母骨格の複数の原子とさらに１以上の任意の元素で環を形成することを意味する。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）に示す、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して形成された環Ｑ_Ａは、Ｒ_９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ_９２２が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、１以上の任意の元素とで形成する環を意味する。具体例としては、Ｒ_９２１とＲ_９２２とで環Ｑ_Ａを形成する場合において、Ｒ_９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ_９２２とが結合するアントラセン骨格の炭素原子と、４つの炭素原子とで単環の不飽和の環を形成する場合、Ｒ_９２１とＲ_９２２とで形成する環は、ベンゼン環である。

ここで、「任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素である。任意の元素において（例えば、炭素元素、又は窒素元素の場合）、環を形成しない結合は、水素原子等で終端されてもよいし、後述する「任意の置換基」で置換されてもよい。炭素元素以外の任意の元素を含む場合、形成される環は複素環である。
単環または縮合環を構成する「１以上の任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは２個以上１５個以下であり、より好ましくは３個以上１２個以下であり、さらに好ましくは３個以上５個以下である。
本明細書に別途記載のない限り、「単環」、及び「縮合環」のうち、好ましくは「単環」である。
本明細書に別途記載のない限り、「飽和の環」、及び「不飽和の環」のうち、好ましくは「不飽和の環」である。
本明細書に別途記載のない限り、「単環」は、好ましくはベンゼン環である。
本明細書に別途記載のない限り、「不飽和の環」は、好ましくはベンゼン環である。
「隣接する２つ以上からなる組の１組以上」が、「互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、又は「互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、母骨格の複数の原子と、１個以上１５個以下の炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素とからなる置換もしくは無置換の「不飽和の環」を形成する。

上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
上記の「飽和の環」、又は「不飽和の環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
以上が、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（「結合して環を形成する場合」）についての説明である。

・「置換もしくは無置換の」という場合の置換基
本明細書における一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基（本明細書において、「任意の置換基」と呼ぶことがある。）は、例えば、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
無置換の環形成原子数５～５０の複素環基
からなる群から選択される基等であり、
ここで、Ｒ_９０１～Ｒ_９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
Ｒ_９０１が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０２が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０３が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０３は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０４が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０４は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０５が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０５は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０６が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０６は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ_９０７が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なる。

一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～５０のアルキル基、
環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
環形成原子数５～５０の複素環基
からなる群から選択される基である。

一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～１８のアルキル基、
環形成炭素数６～１８のアリール基、及び
環形成原子数５～１８の複素環基
からなる群から選択される基である。

上記任意の置換基の各基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基の具体例である。

本明細書において別途記載のない限り、隣接する任意の置換基同士で、「飽和の環」、又は「不飽和の環」を形成してもよく、好ましくは、置換もしくは無置換の飽和の５員環、置換もしくは無置換の飽和の６員環、置換もしくは無置換の不飽和の５員環、又は置換もしくは無置換の不飽和の６員環を形成し、より好ましくは、ベンゼン環を形成する。
本明細書において別途記載のない限り、任意の置換基は、さらに置換基を有してもよい。任意の置換基がさらに有する置換基としては、上記任意の置換基と同様である。

本明細書において、「ＡＡ～ＢＢ」を用いて表される数値範囲は、「ＡＡ～ＢＢ」の前に記載される数値ＡＡを下限値とし、「ＡＡ～ＢＢ」の後に記載される数値ＢＢを上限値として含む範囲を意味する。

本明細書において、「Ａ≧Ｂ」で表される数式は、Ａの値とＢの値とが等しいか、又はＡの値がＢの値よりも大きいことを意味する。
本明細書において、「Ａ≦Ｂ」で表される数式は、Ａの値とＢの値とが等しいか、又はＡの値がＢの値よりも小さいことを意味する。

〔第一実施形態〕
（化合物）
本実施形態に係る化合物は、下記一般式（１）で表される化合物である。

本実施形態に係る化合物（前記一般式（１）で表される化合物）は、分子中に、下記一般式（１ａ）、（１ｂ）及び（１ｃ）で表される構造を有する。

（前記一般式（１ａ）、（１ｂ）及び（１ｃ）において、Ｒ_１～Ｒ_９、Ｒ_１０１～Ｒ_１０８、Ｒ_１１１～Ｒ_１１８、Ａｒ_１２、Ｌ_１１、Ｌ_１２、ｐ、ｑ、＊ａ、＊ｂ、＊ｃ、＊ｄ、＊ｅ及び＊ｆは、それぞれ、前記一般式（１）において定義した通りである。）

本実施形態に係る化合物において、前記一般式（１ａ）で表される構造（ピレン構造）に、前記一般式（１ｃ）で表される構造が結合し、さらに、前記一般式（１ｃ）で表される構造に、前記一般式（１ｂ）で表される構造（環形成原子数が１０以上の縮合アリール構造又は環形成原子数が１０以上である縮合複素環構造）が結合している。このような分子構造を有することで、本実施形態に係る化合物は、特定の範囲内の一重項エネルギー（一態様においては、２．９５ｅＶ以上、３．２５ｅＶ以下の一重項エネルギー）を有し、励起状態に対する耐久性が向上する。したがって、本実施形態に係る化合物を有機ＥＬ素子の有機層に用いることで、有機ＥＬ素子が長寿命化する。
本実施形態に係る化合物において、前記一般式（１ｃ）で表される構造中の一つの同じ単環に、前記一般式（１ａ）で表される構造（ピレン構造）及び前記一般式（１ｂ）で表される構造（環形成原子数が１０以上の縮合アリール構造又は環形成原子数が１０以上である縮合複素環構造）が結合している。その結果、本実施形態に係る化合物の分子の形状が丸くなるため、分子間の相互作用が抑制される。したがって、本実施形態に係る化合物を有機ＥＬ素子の有機層に用いることで、色度の改善が期待できる。

本実施形態に係る化合物において、ｐが１のとき、「Ｒ_１０１とＲ_１０２、Ｒ_１０２とＲ_１０３、又はＲ_１０３とＲ_１０４の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０１とＲ_１０２、Ｒ_１０２とＲ_１０３、又はＲ_１０３とＲ_１０４の他方が＊ｂに結合する単結合であり」とは、
Ｒ_１０１とＲ_１０２の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０１とＲ_１０２の他方が＊ｂに結合する単結合であるか、
Ｒ_１０２とＲ_１０３の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０２とＲ_１０３の他方が＊ｂに結合する単結合であるか、又は
Ｒ_１０３とＲ_１０４の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０３とＲ_１０４の他方が＊ｂに結合する単結合であることを意味する。

本実施形態に係る化合物において、ｑが１のとき、「Ｒ_１０５とＲ_１０６、Ｒ_１０６とＲ_１０７、又はＲ_１０７とＲ_１０８の一方が＊ｃに結合する単結合であり、Ｒ_１０５とＲ_１０６、Ｒ_１０６とＲ_１０７、又はＲ_１０７とＲ_１０８の他方が＊ｄに結合する単結合であり」とは、
Ｒ_１０５とＲ_１０６の一方が＊ｃに結合する単結合であり、Ｒ_１０５とＲ_１０６の他方が＊ｄに結合する単結合であるか、
Ｒ_１０６とＲ_１０７の一方が＊ｃに結合する単結合であり、Ｒ_１０６とＲ_１０７の他方が＊ｄに結合する単結合であるか、又は
Ｒ_１０７とＲ_１０８の一方が＊ｃに結合する単結合であり、Ｒ_１０７とＲ_１０８の他方が＊ｄに結合する単結合であることを意味する。

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（１０）で表されることが好ましい。

（前記一般式（１０）において、Ｒ_１～Ｒ_９、Ｒ_１０１～Ｒ_１０８、Ｒ_１１１～Ｒ_１１４、Ａｒ_１２、Ｌ_１１、Ｌ_１２、＊ａ、＊ｂ、＊ｅおよび＊ｆは、それぞれ、前記一般式（１）において定義したとおりである。）

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（１１）で表されることも好ましい。

（前記一般式（１１）において、Ｒ_１～Ｒ_９、Ｒ_１０１～Ｒ_１０７、Ｒ_１１１～Ｒ_１１４、Ａｒ_１２、Ｌ_１１、Ｌ_１２、＊ａ、＊ｂおよび＊ｆは、それぞれ、前記一般式（１）において定義した通りである。）

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＲ_１０５又はＲ_１０６が、＊ｆに結合する単結合であることが好ましい。

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＲ_１０２とＲ_１０３の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０２とＲ_１０３の他方が＊ｂに結合する単結合であることが好ましい。

前記一般式（１１）におけるＲ_１０２とＲ_１０３の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０２とＲ_１０３の他方が＊ｂに結合する単結合である場合、本実施形態に係る化合物は、下記一般式（１１１）で表される。

（前記一般式（１１１）において、Ｒ_１～Ｒ_９、Ｒ_１０１、Ｒ_１０４、Ｒ_１０５～Ｒ_１０７、Ｒ_１１１～Ｒ_１１４、Ａｒ_１２、Ｌ_１１、Ｌ_１２および＊ｆは、それぞれ、前記一般式（１）において定義した通りである。）

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＲ_１０３とＲ_１０４の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０３とＲ_１０４の他方が＊ｂに結合する単結合であることが好ましい。

前記一般式（１１）におけるＲ_１０３とＲ_１０４の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０３とＲ_１０４の他方が＊ｂに結合する単結合である場合、本実施形態に係る化合物は、下記一般式（１１２）で表される。

（前記一般式（１１２）において、Ｒ_１～Ｒ_９、Ｒ_１０１、Ｒ_１０２、Ｒ_１０５～Ｒ_１０７、Ｒ_１１１～Ｒ_１１４、Ａｒ_１２、Ｌ_１１、Ｌ_１２および＊ｆは、それぞれ、前記一般式（１）において定義した通りである。）

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＡｒ_１２は、４個以下の単環が縮合したアリール基であることが好ましい。
本実施形態に係る化合物において、一般式（１）で表される化合物におけるＡｒ_１２は、２個、３個又は４個の単環が縮合したアリール基であることが好ましい。

なお、第一のホスト材料において、例えば、ピレニル基及びベンズアントリル基は、４つの単環（６員環）が縮合したアリール基であり、アントリル基及びフェナントリル基は、３つの単環（６員環）が縮合したアリール基であり、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチエニル基は、３つの単環（２つの６員環及び１つの５員環）が縮合した複素環基である。

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＡｒ_１２としてのアリール基は、置換基として環形成炭素数６～１０のアリール基を有することも好ましい。

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＡｒ_１２は、無置換の環形成炭素数１０～３０のアリール基であることも好ましい。

本実施形態に係る化合物において、Ａｒ_１２は、下記一般式（１１００）又は（１２００）で表される基であることも好ましい。

（前記一般式（１１００）において、Ｒ_１１０１～Ｒ_１１１０のうち１つがＬ_１２との結合位置を示し、Ｌ_１２との結合位置ではないＲ_１１０１～Ｒ_１１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１７のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１７の複素環基である。）

本実施形態に係る化合物において、Ａｒ_１２は、下記一般式（１１１１）、一般式（１１１２）又は一般式（１１１３）で表される基であることも好ましい。

（前記一般式（１１１１）、（１１１２）及び一般式（１１１３）において、Ｒ_１１０１～Ｒ_１１１０は、それぞれ、前記一般式（１１００）におけるＲ_１１０１～Ｒ_１１１０と同義であり、＊は、Ｌ_１２との結合位置を示す。）

本実施形態に係る化合物において、Ｌ_１２との結合位置ではないＲ_１１０１～Ｒ_１１１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１４のアリール基であることが好ましく、水素原子、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１０のアリール基であることが好ましく、水素原子、又は置換もしくは無置換のフェニル基であることがさらに好ましい。

（前記一般式（１２００）において、Ｒ_１２０１～Ｒ_１２１２のうち１つがＬ_１２との結合位置を示し、Ｌ_１２との結合位置ではないＲ_１２０１～Ｒ_１２１２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１７のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１７の複素環基である。）

本実施形態に係る化合物において、前記一般式（１２００）中のＲ_１２１１又はＲ_１２１２が、Ｌ_１２との結合位置であることが好ましい。

本実施形態に係る化合物において、前記一般式（１２０）中のＲ_１２１１が、Ｌ_１２との結合位置であることが好ましい。

本実施形態に係る化合物において、Ａｒ_１２は、下記一般式（１２１）又は一般式（１２２）で表される基であることも好ましい。

（前記一般式（１２１）及び一般式（１２２）において、Ｒ_１２０１～Ｒ_１２１２は、それぞれ、前記一般式（１２０）におけるＲ_１２０１～Ｒ_１２１２と同義であり、＊は、Ｌ_１２との結合位置を示す。）

本実施形態に係る化合物において、Ｌ_１２との結合位置ではないＲ_１２０１～Ｒ_１２１２は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１４のアリール基であることが好ましく、水素原子、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１０のアリール基であることが好ましく、水素原子、又は置換もしくは無置換のフェニル基であることがさらに好ましい。

本実施形態に係る化合物において、Ｌ_１２との結合位置ではないＲ_１１０１～Ｒ_１１１０並びにＲ_１２０１～Ｒ_１２１２は、水素原子であることも好ましい。

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＬ_１１は、単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１０のアリーレン基であることも好ましい。

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＬ_１１は、単結合であることも好ましい。

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＬ_１２は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１０のアリーレン基であることが好ましい。

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＬ_１２は、単結合、置換もしくは無置換のフェニレン基又は置換もしくは無置換のナフチレン基であることが好ましい。

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＲ_１～Ｒ_９、単結合ではないＲ_１０１～Ｒ_１０８、および単結合ではないＲ_１１１～Ｒ_１１８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１０のアリール基であることが好ましい。

本実施形態において、一般式（１）で表される化合物におけるＲ_１～Ｒ_９、単結合ではないＲ_１０１～Ｒ_１０８、および単結合ではないＲ_１１１～Ｒ_１１８は、水素原子であることが好ましい。

本実施形態に係る化合物において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基であることが好ましい。

（本実施形態に係る化合物の製造方法）
本実施形態に係る化合物は、後述する実施例に記載の合成方法に従って、又は当該合成方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることで、製造できる。

（本実施形態に係る化合物の具体例）
本実施形態に係る化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、本発明は、これら具体例に限定されない。本明細書において、重水素原子は、化学式中でＤと表記し、軽水素原子は、Ｈと表記するか又は記載を省略する。

〔第二実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子用材料）
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、第一実施形態に係る化合物を含有する。一態様としては、第一実施形態に係る化合物のみを含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が挙げられ、別の一態様としては、第一実施形態に係る化合物と、第一実施形態における化合物とは異なる他の化合物とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が挙げられる。
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子材料において、第一実施形態に係る化合物がホスト材料であることが好ましい。この場合、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、ホスト材料としての第一実施形態に係る化合物と、例えば、ドーパント材料としての発光性化合物等の他の化合物とを含んでいてもよい。

〔第三実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に配置された発光帯域と、を有する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子の第一の発光層は、第一実施形態に係る化合物（一般式（１）で表される化合物）を第一のホスト材料として含有する。第一実施形態に係る化合物は、前述の通り、励起状態に対する耐久性が向上し、分子間の相互作用が抑制される。したがって、本実施形態によれば、長寿命化し、かつ、色度が改善された有機ＥＬ素子を提供できる。

（発光帯域）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の発光帯域は、１以上の発光層を含む。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、発光帯域は、第一の発光層を含む。本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、第一実施形態に係る化合物を第一のホスト材料として含有する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子の一態様において、発光帯域は、第一の発光層だけを含む。本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、第一の発光層と、さらに、１以上の有機層と、を含んでいてもよい。本実施形態に係る有機ＥＬ素子の一態様において、発光帯域は、第一の発光層及び第二の発光層を含む。

（第一の発光層）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、第一のホスト材料及び第一の発光性化合物を含むことが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物の最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示すことが好ましく、最大ピーク波長が４８０ｎｍ以下の発光を示すことがより好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物は、最大ピーク波長が４３０ｎｍ以上の発光を示すことが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物は、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示すことが好ましく、最大ピーク波長が４８０ｎｍ以下の蛍光発光を示すことがより好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物は、最大ピーク波長が４３０ｎｍ以上の蛍光発光を示すことが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物は、分子中にアジン環構造を含まない化合物であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物は、ホウ素含有錯体ではないことが好ましく、第一の発光性化合物は、錯体ではないことがより好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、金属錯体を含有しないことが好ましい。また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、ホウ素含有錯体を含有しないことも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
また、第一の発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。

化合物の最大のピーク波長の測定方法は、次の通りである。測定対象となる化合物の５μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の発光スペクトル（縦軸：発光強度、横軸：波長とする。）を測定する。発光スペクトルは、株式会社日立ハイテクサイエンス製の分光蛍光光度計（装置名：Ｆ－７０００）により測定できる。なお、発光スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。
発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を最大ピーク波長とする。なお、本明細書において、蛍光発光の最大ピーク波長を蛍光発光最大ピーク波長（ＦＬ－ｐｅａｋ）と称する場合がある。

第一の発光性化合物の発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となるピークを最大のピークとし、当該最大のピークの高さを１としたとき、当該発光スペクトルに現れる他のピークの高さは、０．６未満であることが好ましい。なお、発光スペクトルにおけるピークは、極大値とする。
また、第一の発光性化合物の発光スペクトルにおいて、ピークの数が３つ未満であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）とが下記数式（数６）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１） …（数６）

第一のホスト材料と第一の発光性化合物とが、数式（数６）の関係を満たすことにより、第一のホスト材料上で生成された三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを持つ第一の発光性化合物には移動しない。また、第一の発光性化合物上で生成された三重項励起子は、速やかに第一のホスト材料の分子にエネルギー移動する。即ち第一のホスト材料の三重項励起子が第一の発光性化合物に移動することなくＴＴＦ現象によって効率的に第一のホスト材料上で三重項励起子同士が衝突することで一重項励起子が生成される。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の一重項エネルギーＳ_１（Ｈ１）と、第一の発光性化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ１）とが下記数式（数５）の関係を満たすことが好ましい。一重項エネルギーＳ_１とは、最低励起一重項状態と基底状態とのエネルギー差を意味する。
Ｓ_１（Ｈ１）＞Ｓ_１（Ｄ１） …（数５）

第一のホスト材料と第一の発光性化合物とが、数式（数５）の関係を満たすことにより、第一のホスト材料上で生成された一重項励起子は、第一のホスト材料から第一の発光性化合物へエネルギー移動し易くなり、第一の発光性化合物の蛍光性発光に寄与する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物は、第一の発光層中に、０．５質量％以上、含有されることが好ましい。すなわち、第一の発光層は、第一の発光性化合物を、第一の発光層の全質量の０．５質量％以上、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の１．０質量％以上、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の１．２質量％以上、含有することがさらに好ましく、第一の発光層の全質量の１．５質量％以上、含有することがよりさらに好ましい。
第一の発光層は、第一の発光性化合物を、第一の発光層の全質量の１０質量％以下、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の７質量％以下、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の５質量％以下、含有することがさらに好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、第一の発光層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、第一の発光層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
第一の発光層は、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の９９質量％以下、含有することが好ましい。
ただし、第一の発光層が第一のホスト材料と第一の発光性化合物とを含有する場合、第一のホスト材料及び第一の発光性化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。

なお、本実施形態は、第一の発光層に、第一のホスト材料と第一の発光性化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
第一の発光層は、第一のホスト材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第一の発光層は、第一の発光性化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

（第二の発光層）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、発光帯域は、さらに、第二の発光層を含むことも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、第二のホスト材料を含むことが好ましい。第二のホスト材料は、第一の発光層が含有する第一のホスト材料とは、異なる化合物である。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、第二のホスト材料及び第二の発光性化合物を含含むことが好ましい。本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物と第二の発光性化合物とは、互いに同一であるか又は異なる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物の最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示すことが好ましい。第一の発光性化合物及び第二の発光性化合物は、それぞれ独立に、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す化合物である。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物は、最大ピーク波長が４８０ｎｍ以下の発光を示すことが好ましく、最大ピーク波長が４３０ｎｍ以上の発光を示すことがより好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示すことが好ましく、最大ピーク波長が４８０ｎｍ以下の蛍光発光を示すことがより好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物は、最大ピーク波長が４３０ｎｍ以上の蛍光発光を示すことが好ましい。
化合物の最大のピーク波長の測定方法は、前述の通りである。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物の最大のピークの半値幅が、１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、発光帯域は、第一の発光層及び第二の発光層を含み、第一の発光層は、第一のホスト材料及び第一の発光性化合物を含み、第二の発光層は、第二のホスト材料及び第二の発光性化合物を含み、第一のホスト材料と第二のホスト材料とは、互いに異なり、第一の発光性化合物と第二の発光性化合物とは、互いに同一であるか又は異なることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数１）

本実施形態の一態様によれば、発光効率が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できる。
従来、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させるための技術として、Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ａｎｎｈｉｌａｔｉｏｎ（ＴＴＡと称する場合がある。）が知られている。ＴＴＡは、三重項励起子と三重項励起子とが衝突して、一重項励起子を生成するという機構（メカニズム）である。なお、ＴＴＡメカニズムは、特許文献６に記載のようにＴＴＦメカニズムと称する場合もある。

ＴＴＦ現象を説明する。陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子とは、発光層内で再結合し励起子を生成する。そのスピン状態は、従来から知られているように、一重項励起子が２５％、三重項励起子が７５％の比率である。従来知られている蛍光素子においては、２５％の一重項励起子が基底状態に緩和するときに光を発するが、残りの７５％の三重項励起子については光を発することなく熱的失活過程を経て基底状態に戻る。従って、従来の蛍光素子の内部量子効率の理論限界値は２５％といわれていた。
一方、有機物内部で生成した三重項励起子の挙動が理論的に調べられている。Ｓ．Ｍ．Ｂａｃｈｉｌｏらによれば（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ａ，１０４，７７１１（２０００））、五重項等の高次の励起子がすぐに三重項に戻ると仮定すると、三重項励起子（以下、^３Ａ^＊と記載する）の密度が上がってきたとき、三重項励起子同士が衝突し下記式のような反応が起きる。ここで、^１Ａは、基底状態を表し、^１Ａ^＊は、最低励起一重項励起子を表す。
^３Ａ^＊＋^３Ａ^＊→（４／９）^１Ａ＋（１／９）^１Ａ^＊＋（１３／９）^３Ａ^＊
即ち、５^３Ａ^＊→４^１Ａ＋１Ａ^＊となり、当初生成した７５％の三重項励起子のうち、１／５即ち２０％が一重項励起子に変化することが予測されている。従って、光として寄与する一重項励起子は、当初生成する２５％分に７５％×（１／５）＝１５％を加えた４０％ということになる。このとき、全発光強度中に占めるＴＴＦ由来の発光比率（ＴＴＦ比率）は、１５／４０、すなわち３７．５％となる。また、当初生成した７５％の三重項励起子のお互いが衝突して一重項励起子が生成した（２つの三重項励起子から１つの一重項励起子が生成した）とすると、当初生成する一重項励起子２５％分に７５％×（１／２）＝３７．５％を加えた６２．５％という非常に高い内部量子効率が得られる。このとき、ＴＴＦ比率は、３７．５／６２．５＝６０％である。

本実施形態の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、第一の発光層で正孔と電子との再結合によって生成した三重項励起子は、当該第一の発光層と直接に接する有機層との界面にキャリアが過剰に存在していても、第一の発光層と当該有機層との界面に存在する三重項励起子がクエンチされ難くなると考えられる。例えば、再結合領域が、第一の発光層と正孔輸送層又は電子障壁層との界面に局所的に存在する場合には、過剰な電子によるクエンチが考えられる。一方、再結合領域が、第一の発光層と電子輸送層又は正孔障壁層との界面に局所的に存在する場合には、過剰な正孔によるクエンチが考えられる。
本実施形態の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、所定の関係を満たす、少なくとも２つの発光層（すなわち、第一の発光層及び第二の発光層）を備え、第一の発光層中の第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第二の発光層中の第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、前記数式（数１）の関係を満たす。
前記数式（数１）の関係を満たすように第一の発光層及び第二の発光層を備えることで、第一の発光層で生成した三重項励起子は、過剰キャリアによってクエンチされずに第二の発光層へと移動し、また、第二の発光層から第一の発光層へ逆移動することを抑制できる。その結果、第二の発光層において、ＴＴＦメカニズムが発現して、一重項励起子が効率良く生成され、発光効率が向上する。
このように、有機エレクトロルミネッセンス素子が、三重項励起子を主に生成させる第一の発光層と、第一の発光層から移動してきた三重項励起子を活用してＴＴＦメカニズムを主に発現させる第二の発光層と、を異なる領域として備え、第二の発光層中の第二のホスト材料として、第一の発光層中の第一のホスト材料よりも小さな三重項エネルギーを有する化合物を用いて、三重項エネルギーの差を設けることで、発光効率が向上する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）－Ｔ_１（Ｈ２）＞０．０３ｅＶ …（数１Ｂ）

本明細書において、「ホスト材料」とは、例えば「層の５０質量％以上」含まれる材料である。したがって、第一の発光層は、例えば、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。第二の発光層は、例えば、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、発光帯域が第一の発光層及び第二の発光層を含む場合に第一のホスト材料と第一の発光性化合物とが、前記数式（数６）の関係を満たす事により、第一の発光層内で生成した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを有する第一の発光性化合物ではなく、第一のホスト材料上を移動するため、第二の発光層へ移動し易くなる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、発光帯域が第一の発光層及び第二の発光層を含む場合に、下記数式（数２０Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数２０Ｂ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の一重項エネルギーＳ_１（Ｈ２）と第二の発光性化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｄ２）とが、下記数式（数７）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（Ｈ２）＞Ｓ_１（Ｄ２） …（数７）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物と、第二のホスト材料とが、前記数式（数７）の関係を満たすことにより、第二の発光性化合物の一重項エネルギーは、第二のホスト材料の一重項エネルギーより小さいため、ＴＴＦ現象によって生成された一重項励起子は、第二のホスト材料から第二の発光性化合物へエネルギー移動し、第二の発光性化合物の蛍光性発光に寄与する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）と、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが下記数式（数８）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｄ２）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数８）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物と、第二のホスト材料とが、前記数式（数８）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子は、第二の発光層に移動する際、より高い三重項エネルギーを有する第二の発光性化合物ではなく、第二のホスト材料の分子にエネルギー移動する。また、第二のホスト材料上で正孔及び電子が再結合して発生した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを持つ第二の発光性化合物には移動しない。第二の発光性化合物の分子上で再結合し発生した三重項励起子は、速やかに第二のホスト材料の分子にエネルギー移動する。
第二のホスト材料の三重項励起子が第二の発光性化合物に移動することなく、ＴＴＦ現象によって第二のホスト材料上で三重項励起子同士が効率的に衝突することで、一重項励起子が生成される。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物は、分子中にアジン環構造を含まない化合物であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物は、ホウ素含有錯体ではないことが好ましく、第二の発光性化合物は、錯体ではないことがより好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、金属錯体を含有しないことが好ましい。また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、ホウ素含有錯体を含有しないことも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
また、第二の発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物は、第二の発光層中に、０．５質量％以上、含有されることが好ましい。すなわち、第二の発光層は、第二の発光性化合物を、第二の発光層の全質量の０．５質量％以上、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の１．０質量％以上、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の１．２質量％以上、含有することがさらに好ましく、第二の発光層の全質量の１．５質量％以上、含有することがよりさらに好ましい。
第二の発光層は、第二の発光性化合物を、第二の発光層の全質量の１０質量％以下、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の７質量％以下、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の５質量％以下、含有することがさらに好ましい。

第二の発光層は、第二のホスト材料としての第二の化合物を、第二の発光層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、第二の発光層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、第二の発光層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
第二の発光層は、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の９９質量％以下、含有することが好ましい。
第二の発光層が第二のホスト材料と第二の発光性化合物とを含有する場合、第二のホスト材料及び第二の発光性化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。

なお、本実施形態は、第二の発光層に、第二のホスト材料と第二の発光性化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
第二の発光層は、第二のホスト材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第二の発光層は、第二の発光性化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物又は第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（ＤＸ）と、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１０）の関係を満たすことが好ましい。
２．６ｅＶ＞Ｔ_１（ＤＸ）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数１０）

第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）は、下記数式（数１０Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
２．６ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数１０Ａ）

第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）は、下記数式（数１０Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
２．６ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２）＞Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数１０Ｂ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物又は第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（ＤＸ）と、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）とが、下記数式（数１１）の関係を満たすことが好ましい。
０ｅＶ＜Ｔ_１（ＤＸ）－Ｔ_１（Ｈ１）＜０．６ｅＶ …（数１１）

第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）は、下記数式（数１１Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
０ｅＶ＜Ｔ_１（Ｄ１）－Ｔ_１（Ｈ１）＜０．６ｅＶ …（数１１Ａ）

第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）は、下記数式（数１１Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
０ｅＶ＜Ｔ_１（Ｄ２）－Ｔ_１（Ｈ２）＜０．８ｅＶ …（数１１Ｂ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１２）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）＞２．０ｅＶ …（数１２）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１２Ａ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１２Ｂ）
の関係を満たすことも好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）＞２．１０ｅＶ …（数１２Ａ）
Ｔ_１（Ｈ１）＞２．１５ｅＶ …（数１２Ｂ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、前記数式（数１２Ａ）又は前記数式（数１２Ｂ）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子は、第二の発光層へと移動し易くなり、また、第二の発光層から第一の発光層へ逆移動することを抑制し易くなる。その結果、第二の発光層において、一重項励起子が効率良く生成され、発光効率が向上する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、下記数式（数１２Ｃ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１２Ｄ）の関係を満たすことも好ましい。
２．０８ｅＶ＞Ｔ_１（Ｈ１）＞１．８７ｅＶ …（数１２Ｃ）
２．０５ｅＶ＞Ｔ_１（Ｈ１）＞１．９０ｅＶ …（数１２Ｄ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）が、前記数式（数１２Ｃ）又は前記数式（数１２Ｄ）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子のエネルギーが小さくなり、有機ＥＬ素子の長寿命化が期待できる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ１）が、下記数式（数１４Ａ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１４Ｂ）の関係を満たすことも好ましい。
２．６０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１） …（数１４Ａ）
２．５０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ１） …（数１４Ｂ）
第一の発光層が、前記数式（数１４Ａ）又は（数１４Ｂ）の関係を満たす第一の発光性化合物を含有することにより、有機ＥＬ素子が長寿命化する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光性化合物の三重項エネルギーＴ_１（Ｄ２）が、下記数式（数１４Ｃ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１４Ｄ）の関係を満たすことも好ましい。
２．６０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２） …（数１４Ｃ）
２．５０ｅＶ＞Ｔ_１（Ｄ２） …（数１４Ｄ）
第二の発光層が、前記数式（数１４Ｃ）又は（数１４Ｄ）の関係を満たす化合物を含有することにより、有機ＥＬ素子が長寿命化する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、下記数式（数１３）の関係を満たすことも好ましい。
Ｔ_１（Ｈ２）＞１．９ｅＶ …（数１３）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）が、下記数式（数１３Ａ）の関係を満たすことも好ましい。
１．９ｅＶ≧Ｔ_１（Ｈ２）≧１．８ｅＶ …（数１３Ａ）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、陽極と第二の発光層との間に配置されていることも好ましい。

本実施形態の有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、陽極と第一の発光層との間に配置されていることも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層及び第二の発光層の一方が、発光帯域が有する複数の層の内、最も陽極側に配置された層であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層及び第二の発光層の一方が、発光帯域が有する複数の層の内、最も陰極側に配置された層であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、陽極と、第一の発光層と、第二の発光層と、陰極とをこの順に有していてもよいし、第一の発光層と第二の発光層の順序が逆であってもよい。すなわち、陽極と、第二の発光層と、第一の発光層と、陰極とをこの順に有していてもよい。第一の発光層と第二の発光層の順序がいずれの場合も、前記数式（数１）の関係を満たす材料の組合せを選択することにより、第一の発光層と第二の発光層との積層構成であることによる効果が期待できる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３０）の関係を満たす。
μｅ（Ｈ２）＞μｅ（Ｈ１） …（数３０）
第一のホスト材料と第二のホスト材料とが、前記数式（数３０）の関係を満たすことで、第一の発光層でのホールと電子との再結合能が向上する。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）とが、下記数式（数３１）の関係を満たすことも好ましい。
μｈ（Ｈ１）＞μｈ（Ｈ２） …（数３１）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、第一のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ１）と、第一のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ１）と、第二のホスト材料の正孔移動度μｈ（Ｈ２）と、第二のホスト材料の電子移動度μｅ（Ｈ２）とが、下記数式（数３２）の関係を満たすことも好ましい。
（μｅ（Ｈ２）／μｈ（Ｈ２））＞（μｅ（Ｈ１）／μｈ（Ｈ１）） …（数３２）

電子移動度は、下記の手順で作製された移動度評価用素子を用い、インピーダンス測定を行うことで測定できる。移動度評価用素子は、例えば、下記の手順で作製される。
アルミニウム電極（陽極）付きガラス基板上に、アルミニウム電極を覆うようにして電子移動度の測定対象となる化合物Ｔａｒｇｅｔを蒸着して測定対象層を形成する。この測定対象層の上に、下記化合物ＥＴ－Ａを蒸着して電子輸送層を形成する。この電子輸送層の成膜の上に、ＬｉＦを蒸着して電子注入層を形成する。この電子注入層の成膜の上に金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着して金属陰極を形成する。
以上の移動度評価用素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
glass/Al(50)/Target(200)/ET-A(10)/LiF(1)/Al(50)
なお、括弧内の数字は、膜厚（ｎｍ）を示す。

電子移動度の移動度評価用素子を、インピーダンス測定装置に設置し、インピーダンス測定を行う。インピーダンス測定は、測定周波数を１Ｈｚから１ＭＨｚまで掃引して行う。その際、素子には交流振幅０．１Ｖと同時に、直流電圧Ｖを印加する。測定されたインピーダンスＺから、下記計算式（Ｃ１）の関係を用いて、モジュラスＭを計算する。
計算式（Ｃ１）：Ｍ＝ｊωＺ
上記計算式（Ｃ１）において、ｊは、その平方が－１になる虚数単位、ωは、角周波数［ｒａｄ／ｓ］である。
モジュラスＭの虚部を縦軸、周波数［Ｈｚ］を横軸にしたボーデプロットにおいて、ピークを示す周波数ｆｍａｘから移動度評価用素子の電気的な時定数τを下記計算式（Ｃ２）から求める。
計算式（Ｃ２）：τ＝１／（２πｆｍａｘ）
上記計算式（Ｃ２）のπは、円周率を表す記号である。
上記τを用いて、下記計算式（Ｃ３－１）の関係から電子移動度μｅを算出する。
計算式（Ｃ３－１）：μｅ＝ｄ^２／（Ｖτ）
上記計算式（Ｃ３－１）のｄは、素子を構成する有機薄膜の総膜厚であり、電子移動度の移動度評価用素子構成の場合、ｄ＝２１０［ｎｍ］である。

正孔移動度は、下記の手順で作製された移動度評価用素子を用い、インピーダンス測定を行うことで測定できる。移動度評価用素子は、例えば、下記の手順で作製される。
ＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板上に、透明電極を覆うようにして下記化合物ＨＡ－２を蒸着して正孔注入層を形成する。この正孔注入層の成膜の上に、下記化合物ＨＴ－Ａを蒸着して正孔輸送層を形成する。続けて、正孔移動度の測定対象となる化合物Ｔａｒｇｅｔを蒸着して測定対象層を形成する。この測定対象層の上に、金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着して金属陰極を形成する。
以上の移動度評価用素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA-2(5)/HT-A(10)/Target(200)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（ｎｍ）を示す。

正孔移動度の移動度評価用素子を、インピーダンス測定装置に設置し、インピーダンス測定を行う。インピーダンス測定は、測定周波数を１Ｈｚから１ＭＨｚまで掃引して行う。その際、素子には交流振幅０．１Ｖと同時に、直流電圧Ｖを印加する。測定されたインピーダンスＺから、前記計算式（Ｃ１）の関係を用いて、モジュラスＭを計算する。
モジュラスＭの虚部を縦軸、周波数［Ｈｚ］を横軸にしたボーデプロットにおいて、ピークを示す周波数ｆｍａｘから移動度評価用素子の電気的な時定数τを前記計算式（Ｃ２）から求める。
前記計算式（Ｃ２）から求めたτを用いて、下記計算式（Ｃ３－２）の関係から正孔移動度μｈを算出する。
計算式（Ｃ３－２）：μｈ＝ｄ^２／（Ｖτ）
上記計算式（Ｃ３－２）のｄは、素子を構成する有機薄膜の総膜厚であり、正孔移動度の移動度評価用素子構成の場合、ｄ＝２１５［ｎｍ］である。

本明細書における電子移動度及び正孔移動度は、電界強度の平方根Ｅ^１／２＝５００［Ｖ^１／２／ｃｍ^１／２］の際の値である。電界強度の平方根Ｅ^１／２は、下記計算式（Ｃ４）の関係から算出することができる。
計算式（Ｃ４）：Ｅ^１／２＝Ｖ^１／２／ｄ^１／２
前記インピーダンス測定にはインピーダンス測定装置としてソーラトロン社の１２６０型を用い、高精度化のため、ソーラトロン社の１２９６型誘電率測定インターフェイスを併せて用いることができる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接していることが好ましい。

本明細書において、「第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接している」層構造は、例えば、以下の態様（ＬＳ１）、（ＬＳ２）及び（ＬＳ３）のいずれかの態様も含み得る。
（ＬＳ１）第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一のホスト材料及び第二のホスト材料の両方が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
（ＬＳ２）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一のホスト材料、第二のホスト材料及び発光性の化合物が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
（ＬＳ３）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で当該発光性の化合物からなる領域、第一のホスト材料からなる領域、又は第二のホスト材料からなる領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。

（第二のホスト材料）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料は、特に限定されないが、例えば、下記一般式（２）で表される第二の化合物等が挙げられる。

（第二の化合物）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の化合物は、下記一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。第二のホスト材料は、下記一般式（２）で表される第二の化合物であることが好ましい。

（前記一般式（２）において、
Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ_２０１及びＬ_２０２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（第二のホスト材料中、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３、Ｒ_９０４、Ｒ_９０５、Ｒ_９０６、Ｒ_９０７、Ｒ_８０１及びＲ_８０２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０５が複数存在する場合、複数のＲ_９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０６が複数存在する場合、複数のＲ_９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０７が複数存在する場合、複数のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、又は
ニトロ基であり、
Ｌ_２０１及びＬ_２０２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｌ_２０１及びＬ_２０２は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ジフェニルフルオレニル基、ジメチルフルオレニル基、ベンゾジフェニルフルオレニル基、ベンゾジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフトベンゾフラニル基、又はナフトベンゾチエニル基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２０１）、一般式（２０２）、一般式（２０３）、一般式（２０４）、一般式（２０５）、一般式（２０６）、一般式（２０７）、一般式（２０８）又は一般式（２０９）で表される化合物であることが好ましい。

（前記一般式（２０１）～（２０９）中、
Ｌ_２０１及びＡｒ_２０１は、前記一般式（２）におけるＬ_２０１及びＡｒ_２０１と同義であり、
Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ_２０１～Ｒ_２０８と同義である。）

前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２２１）、一般式（２２２）、一般式（２２３）、一般式（２２４）、一般式（２２５）、一般式（２２６）、一般式（２２７）、一般式（２２８）又は一般式（２２９）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（２２１）、一般式（２２２）、一般式（２２３）、一般式（２２４）、一般式（２２５）、一般式（２２６）、一般式（２２７）、一般式（２２８）及び一般式（２２９）において、
Ｒ_２０１並びにＲ_２０３～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ_２０１並びにＲ_２０３～Ｒ_２０８と同義であり、
Ｌ_２０１及びＡｒ_２０１は、それぞれ、前記一般式（２）におけるＬ_２０１及びＡｒ_２０１と同義であり、
Ｌ_２０３は、前記一般式（２）におけるＬ_２０１と同義であり、
Ｌ_２０３とＬ_２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_２０３は、前記一般式（２）におけるＡｒ_２０１と同義であり、
Ａｒ_２０３とＡｒ_２０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２４１）、一般式（２４２）、一般式（２４３）、一般式（２４４）、一般式（２４５）、一般式（２４６）、一般式（２４７）、一般式（２４８）又は一般式（２４９）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（２４１）、一般式（２４２）、一般式（２４３）、一般式（２４４）、一般式（２４５）、一般式（２４６）、一般式（２４７）、一般式（２４８）及び一般式（２４９）において、
Ｒ_２０１、Ｒ_２０２並びにＲ_２０４～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ_２０１、Ｒ_２０２並びにＲ_２０４～Ｒ_２０８と同義であり、
Ｌ_２０１及びＡｒ_２０１は、それぞれ、前記一般式（２）におけるＬ_２０１及びＡｒ_２０１と同義であり、
Ｌ_２０３は、前記一般式（２）におけるＬ_２０１と同義であり、
Ｌ_２０３とＬ_２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ_２０３は、前記一般式（２）におけるＡｒ_２０１と同義であり、
Ａｒ_２０３とＡｒ_２０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）

前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基であることが好ましい。

Ｌ_２０１は、単結合、又は無置換の環形成炭素数６～２２のアリーレン基であり、Ａｒ_２０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２２のアリール基であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物中、アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８は、分子間の相互作用が抑制されることを防ぎ、電子移動度の低下を抑制する点から、水素原子であることが好ましいが、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基でもよい。
Ｒ_２０１～Ｒ_２０８がアルキル基及びシクロアルキル基等のかさ高い置換基となった場合、分子間の相互作用が抑制され、第一のホスト材料に対し電子移動度が低下し、前記数式（数３０）に記載のμｅ（Ｈ２）＞μｅ（Ｈ１）の関係を満たさなくなるおそれがある。第二の化合物を第二の発光層に用いた場合には、μｅ（Ｈ２）＞μｅ（Ｈ１）の関係を満たす事で第一の発光層でのホールと電子との再結合能の低下、及び発光効率の低下を抑制することが期待できる。なお、置換基としては、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基がかさ高くなるおそれがあり、アルキル基、及びシクロアルキル基がさらにかさ高くなるおそれがある。
前記一般式（２）で表される第二の化合物中、アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８は、かさ高い置換基ではないことが好ましく、アルキル基及びシクロアルキル基ではないことが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基ではないことがより好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基であることも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、水素原子であることが好ましい。

前記第二の化合物中、Ｒ_２０１～Ｒ_２０８における「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、前述のかさ高くなるおそれのある置換基、特に置換もしくは無置換のアルキル基、及び置換もしくは無置換のシクロアルキル基を含まないことも好ましい。Ｒ_２０１～Ｒ_２０８における「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、置換もしくは無置換のアルキル基、及び置換もしくは無置換のシクロアルキル基を含まないことにより、アルキル基及びシクロアルキル基等のかさ高い置換基が存在する事による分子間の相互作用が抑制されるのを防ぎ、電子移動度の低下を防ぐことができ、また、このような第二の化合物を第二の発光層に用いた場合には、第一の発光層でのホールと電子との再結合能の低下、及び発光効率の低下を抑制できる。

アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８がかさ高い置換基ではなく、置換基としてのＲ_２０１～Ｒ_２０８は、無置換であることがさらに好ましい。また、アントラセン骨格の置換基であるＲ_２０１～Ｒ_２０８がかさ高い置換基ではない場合において、かさ高くない置換基としてのＲ_２０１～Ｒ_２０８に置換基が結合する場合、当該置換基もかさ高い置換基ではないことが好ましく、置換基としてのＲ_２０１～Ｒ_２０８に結合する当該置換基は、アルキル基及びシクロアルキル基ではないことが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基ではないことがより好ましい。

第二の化合物において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基であることが好ましい。

（第二の化合物の製造方法）
第二の化合物は、公知の方法により製造できる。また、第二の化合物は、公知の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることによっても、製造できる。

（第二の化合物の具体例）
第二の化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、本発明は、これら第二の化合物の具体例に限定されない。

（発光性化合物）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光性化合物及び第二の発光性化合物等の発光性化合物は、特に限定されないが、例えば、それぞれ独立に、下記一般式（４）で表される化合物、下記一般式（５）で表される化合物及び下記一般式（６）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物であることも好ましい。

（一般式（４）で表される化合物）
一般式（４）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（４）において、
Ｚは、それぞれ独立に、ＣＲａ又は窒素原子であり、
Ａ１環及びＡ２環は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ｒａが複数存在する場合、複数のＲａのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
ｎ２１及びｎ２２は、それぞれ独立に、０、１、２、３又は４であり、
Ｒｂが複数存在する場合、複数のＲｂのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒｃが複数存在する場合、複数のＲｃのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（一般式（４）で表される化合物の具体例）
前記一般式（４）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。下記具体例中、Ｐｈは、フェニル基を示し、Ｄは、重水素原子を示す。

（一般式（５）で表される化合物）
一般式（５）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（５）中、
Ｒ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_５２１、Ｒ_５２２、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_５０１～Ｒ_５０７及びＲ_５１１～Ｒ_５１７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（一般式（５）で表される化合物の具体例）
前記一般式（５）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。

（一般式（６）で表される化合物）
一般式（６）で表される化合物について説明する。

（前記一般式（６）において、
ａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ｒ_６０１及びＲ_６０２は、それぞれ独立に、前記ａ環、ｂ環又はｃ環と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
前記置換もしくは無置換の複素環を形成しないＲ_６０１及びＲ_６０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）

（一般式（６）で表される化合物の具体例）
以下に、前記一般式（６）で表される化合物の具体例を記載するが、これらは例示に過ぎず、前記一般式（６）で表される化合物は下記具体例に限定されない。

第一の発光性化合物及び第二の発光性化合物等の発光性化合物中、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３、Ｒ_９０４、Ｒ_９０５、Ｒ_９０６及びＲ_９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０５が複数存在する場合、複数のＲ_９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０６が複数存在する場合、複数のＲ_９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０７が複数存在する場合、複数のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なる。

（有機ＥＬ素子のその他の層）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、第一の発光層及び第二の発光層以外に、１以上の有機層を有していてもよい。有機層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子障壁層、正孔障壁層、電子注入層及び電子輸送層からなる群から選択される少なくともいずれかの層が挙げられる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層及び第二の発光層だけで構成されていてもよいが、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子障壁層、正孔障壁層、電子注入層及び電子輸送層からなる群から選択される少なくともいずれかの層をさらに有していてもよい。

図１に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を含む。有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、第一の発光層５１、電子輸送層８、及び電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。有機ＥＬ素子１の発光帯域５は、１つの第一の発光層５１からなる。

図２に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
有機ＥＬ素子１Ａは、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０Ａと、を含む。有機層１０Ａは、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、第一の発光層５１、第二の発光層５２、電子輸送層８、及び電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。有機ＥＬ素子１Ａの発光帯域５Ａは、陽極３側に第一の発光層５１を含み、陰極４側に第二の発光層５２を含む。

図３に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の別の一例の概略構成を示す。
有機ＥＬ素子１Ｂは、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０Ｂと、を含む。有機層１０Ｂは、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、第二の発光層５２、第一の発光層５１、電子輸送層８、及び電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。有機ＥＬ素子１Ｂの発光帯域５Ｂは、陽極３側に第二の発光層５２を含み、陰極４側に第一の発光層５１を含む。

本発明は、図１、図２及び図３に示す有機ＥＬ素子の構成に限定されない。

有機ＥＬ素子の構成についてさらに説明する。以下、符号の記載は省略することがある。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層と第二の発光層との間に有機層が配置されていてもよい。

（介在層）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、第一の発光層と第二の発光層との間に配置される有機層として、介在層を有することもできる。
本実施形態において、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ発光領域とが重ならない様にする為、それを実現できる程度に介在層は発光性化合物を含まない。
例えば、発光性化合物の介在層における含有率が、０質量％だけでなく、例えば、製造の工程で意図せずに混入した成分、又は原材料に不純物として含まれる成分が発光性化合物である場合、介在層は、これらの成分を含むことを許容することである。
例えば、介在層を構成する全ての材料が、材料Ａ、材料Ｂ及び材料Ｃである場合、材料Ａ、材料Ｂ及び材料Ｃの介在層における各々の含有率は、いずれも１０質量％以上であり、材料Ａ、材料Ｂ及び材料Ｃの合計含有率は１００質量％である。
以下では、介在層を「ノンドープ層」と称することがある。また、発光性化合物を含む層を「ドープ層」と称することがある。

一般的に、発光層を積層構成とした場合、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ発光領域とが分離され易くなるため、発光効率を改善できるとされている。
本実施形態の有機ＥＬ素子において、発光帯域中の第一の発光層と第二の発光層との間に介在層（ノンドープ層）が配置されている場合、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ発光領域とが重なる領域が低減し、三重項励起子とキャリアとの衝突に起因するＴＴＦ効率の低下が抑制されることが期待される。つまり、発光層間への介在層（ノンドープ層）の挿入は、ＴＴＦ発光の効率向上に寄与すると考えられる。

介在層は、ノンドープ層である。
介在層は、金属原子を含まない。そのため、介在層は、金属錯体を含有しない。
介在層は、介在層材料を含む。介在層材料は、発光性化合物ではない。
介在層材料としては、発光性化合物以外の材料であれば、特に限定されない。
介在層材料としては、例えば、１）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、若しくはフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、２）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、若しくはクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、３）トリアリールアミン誘導体、若しくは縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が挙げられる。

介在層材料は、第一のホスト材料及び第二のホスト材料の一方、又は両方のホスト材料を用いる事もできるが、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ発光領域とを離間させ、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光とＴＴＦ発光とを阻害しない材料であれば、特に制限されない。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、介在層は、当該介在層を構成する全ての材料の前記介在層における各々の含有率が、いずれも１０質量％以上である。
介在層は、当該介在層を構成する材料として前記介在層材料を含む。
介在層は、前記介在層材料を、介在層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、介在層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、介在層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、介在層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、介在層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
介在層は、介在層材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。
介在層が介在層材料を２種以上含有する場合、２種以上の介在層材料の合計含有率の上限は、１００質量％である。
なお、本実施形態は、介在層に、介在層材料以外の材料が含まれることを除外しない。

介在層は単層で構成されていてもよいし、二層以上積層されて構成されていてもよい。

介在層の膜厚は、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ発光領域とが重なることを抑制できる形態であれば特に制限は無いが、１層あたり、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。
介在層の膜厚が３ｎｍ以上であれば、Ｓｉｎｇｌｅｔ発光領域とＴＴＦ由来の発光領域とを分離しやすくなる。
介在層の膜厚が１５ｎｍ以下であれば、介在層のホスト材料が発光してしまう現象を抑制しやすくなる。

介在層は、当該介在層を構成する材料として介在層材料を含み、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）と、少なくとも１つの介在層材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｍ_ｍｉｄ）が、下記数式（数２１）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）≧Ｔ_１（Ｍ_ｍｉｄ）≧Ｔ_１（Ｈ２） …（数２１）

介在層が、当該介在層を構成する材料として介在層材料を２以上含む場合、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）と、各々の介在層材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｍ_ＥＡ）とが、下記数式（数２１Ａ）の関係を満たすことがより好ましい。
Ｔ_１（Ｈ１）≧Ｔ_１（Ｍ_ＥＡ）≧Ｔ_１（Ｈ２） …（数２１Ａ）

（基板）
基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、及びプラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、プラスチック基板等が挙げられる。プラスチック基板を形成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレート等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。

陽極上に形成されるＥＬ層のうち、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることができる。

仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。

なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。

また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等やジピラジノ［２，３－ｆ：２０，３０－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）も挙げられる。

また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。

（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、正孔輸送層は、第三の化合物を含有することが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、陽極と発光帯域との間に、正孔輸送層が配置されていることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、正孔輸送層は、下記一般式（Ｈ１）又は下記一般式（Ｈ２）で表される第三の化合物を含有することが好ましい。

（前記一般式（Ｈ１）において、
Ｌ_３１、Ｌ_３２およびＬ_３３は、それぞれ独立に、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリーレン基であり、
Ａｒ_３１、Ａｒ_３２およびＡｒ_３３は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基、又は
－Ｓｉ（Ｒ_Ｃ１）（Ｒ_Ｃ２）（Ｒ_Ｃ３）で表される基であり、
Ｒ_Ｃ１、Ｒ_Ｃ２及びＲ_Ｃ３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基であり、
Ｒ_Ｃ１が複数存在する場合、複数のＲ_Ｃ１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_Ｃ２が複数存在する場合、複数のＲ_Ｃ２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_Ｃ３が複数存在する場合、複数のＲ_Ｃ３は、互いに同一であるか又は異なる。）

（前記一般式（Ｈ２）において、
Ａ_４１及びＡ_４２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基であり、
Ｒ_４１０～Ｒ_４１４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_４２０～Ｒ_４２４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_４１０～Ｒ_４１４並びにＲ_４２０～Ｒ_４２４は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
ハロゲン原子、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍ１は、３であり、３つのＲ_４１０は、互いに同一であるか又は異なり、
ｍ２は、３であり、３つのＲ_４２０は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_４１及びＬ_４２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基である。）

（前記一般式（Ｈ２）で表される第三の化合物中、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３およびＲ_９０４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なる。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、正孔輸送層は、第三の化合物として下記一般式（Ｈ３）で表される化合物を含有することも好ましい。

（前記一般式（Ｈ３）において、
Ｌ_３４、Ｌ_３５、Ｌ_３６及びＬ_３７は、それぞれ独立に、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリーレン基であり、
ｎ２は、１、２、３又は４であり、
ｎ２が１の場合、Ｌ_３８は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリーレン基であり、
ｎ２が２、３又は４の場合、複数のＬ_３８は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｎ２が２、３又は４の場合、複数のＬ_３８は、
互いに結合して置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＬ_３８は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリーレン基であり、
Ａｒ_３４、Ａｒ_３５、Ａｒ_３６及びＡｒ_３７は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基、又は
－Ｓｉ（Ｒ_Ｃ１）（Ｒ_Ｃ２）（Ｒ_Ｃ３）で表される基であり、
Ｒ_Ｃ１、Ｒ_Ｃ２及びＲ_Ｃ３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基であり、
Ｒ_Ｃ１が複数存在する場合、複数のＲ_Ｃ１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_Ｃ２が複数存在する場合、複数のＲ_Ｃ２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_Ｃ３が複数存在する場合、複数のＲ_Ｃ３は、互いに同一であるか又は異なる。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第三の化合物のＡｒ_３１、Ａｒ_３２及びＡｒ_３３の少なくとも１つが、下記一般式（Ｈ１１）で表される基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第三の化合物のＡｒ_３４、Ａｒ_３５、Ａｒ_３６及びＡｒ_３７の少なくとも１つが、下記一般式（Ｈ１１）で表される基であることも好ましい。

（前記一般式（Ｈ１１）中、
Ｘ_３は、酸素原子、硫黄原子、ＮＲ_３１９又はＣ（Ｒ_３２０）（Ｒ_３２１）であり、
Ｒ_３１１～Ｒ_３１８のうち隣接する２つ以上からなる組が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_３２０及びＲ_３２１からなる組が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_３１１～Ｒ_３２１のうち１つが、＊ｅに結合する単結合であるか、Ｒ_３１１～Ｒ_３１８のうち隣接する２つ以上からなる組が互いに結合して形成する前記置換もしくは無置換の単環又は前記置換もしくは無置換の縮合環の環骨格を構成する炭素原子が＊ａに単結合で結合するか、又はＲ_３２０及びＲ_３２１からなる組が互いに結合して形成する前記置換もしくは無置換の単環又は前記置換もしくは無置換の縮合環の環骨格を構成する炭素原子が＊ａに単結合で結合し、
前記置換もしくは無置換の単環又は前記置換もしくは無置換の縮合環を形成せず、＊ａに結合する単結合ではないＲ_３１１～Ｒ_３１８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～６のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１２のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１０の複素環基であり、
＊ａに結合する単結合ではないＲ_３１９は、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～６のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１２のアリール基であり、
＊ａに結合する単結合ではなく、かつ、前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_３２０及びＲ_３２１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～６のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１２のアリール基であり、
＊＊は、それぞれ独立に、Ｌ_３１、Ｌ_３２もしくはＬ_３３との結合位置であるか、Ｌ_３４、Ｌ_３５、Ｌ_３６もしくはＬ_３７との結合位置であるか、又は、アミノ基の窒素原子との結合位置である。）

第三の化合物の少なくとも１つの前記一般式（Ｈ１１）で表される基において、Ｒ_３１１～Ｒ_３１８のうち隣接する２つ以上からなる組の少なくとも１組が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成、又は置換もしくは無置換の縮合環を形成することも好ましい。

第三の化合物の少なくとも１つの前記一般式（Ｈ１１）で表される基において、Ｒ_３１１～Ｒ_３１８のうち隣接する２つ以上からなる組の少なくとも１組が、互いに結合して、置換もしくは無置換のベンゼン環を形成することも好ましい。

第三の化合物の少なくとも１つの前記一般式（Ｈ１１）で表される基において、Ｒ_３１１～Ｒ_３１８のうち隣接する２つ以上からなる組の１組又は２組が、互いに結合して、置換もしくは無置換のベンゼン環を形成することも好ましい。

第三の化合物の少なくとも１つの前記一般式（Ｈ１１）で表される基において、Ｒ_３１１～Ｒ_３１８のうち隣接する２つ以上からなる組が、いずれも互いに結合しないことも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第三の化合物は、
置換もしくは無置換のアミノ基を分子中に１つ有するモノアミン化合物、
置換もしくは無置換のアミノ基を分子中に２つ有するジアミン化合物、
置換もしくは無置換のアミノ基を分子中に３つ有するトリアミン化合物、及び
置換もしくは無置換のアミノ基を分子中に４つ有するテトラアミン化合物からなる群から選択される少なくとも１種のアミン化合物であることも好ましい。

前記一般式（Ｈ１）で表される化合物及び前記一般式（Ｈ３）で表される化合物において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、－Ｎ（Ｒ_Ｃ６）（Ｒ_Ｃ７）で表される基ではないことも好ましい。－Ｎ（Ｒ_Ｃ６）（Ｒ_Ｃ７）で表される基において、Ｒ_Ｃ６及びＲ_Ｃ７は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第三の化合物は、モノアミン化合物、及びジアミン化合物からなる群から選択される少なくとも１種のアミン化合物であることも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第三の化合物は、モノアミン化合物であることも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の正孔移動度を有する物質である。

正孔輸送層には、ＣＢＰ、９－［４－（Ｎ－カルバゾリル）］フェニル－１０－フェニルアントラセン（ＣｚＰＡ）、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（ＰＣｚＰＡ）のようなカルバゾール誘導体や、ｔ－ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。

但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

（第三の化合物の具体例）
第三の化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、本発明は、これら第三の化合物の具体例に限定されない。

（電子障壁層）
電子障壁層は、正孔を輸送し、かつ電子が当該電子障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層）に到達することを阻止する層であることが好ましい。電子障壁層が含有する化合物は、例えば、公知の電子障壁層に用いられている化合物であり、芳香族アミン化合物及びカルバゾール誘導体からなる群から選択される少なくともいずれかの化合物であることが好ましい。また、電子障壁層が含有する化合物は、置換もしくは無置換のアミノ基を分子中に１つだけ有するモノアミン化合物でもよい。また、電子障壁層が含有する化合物は、置換もしくは無置換のカルバゾリル基と、１つの置換もしくは無置換のアミノ基とを分子中に有する化合物でもよい。
電子障壁層は、励起エネルギーが発光層から周辺層に漏れ出さないように、発光層で生成した励起子が、電子障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層及び正孔注入層等）に移動することを阻止する層であってもよい。

（正孔障壁層）
正孔障壁層は、電子を輸送し、かつ正孔が当該正孔障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層）に到達することを阻止する層であることが好ましい。正孔障壁層が含有する化合物は、例えば、公知の正孔障壁層に用いられている化合物である。正孔障壁層が含有する化合物は、例えば、後述する電子輸送層に使用することができる化合物と同様、金属錯体、複素芳香族化合物及び高分子化合物からなる群から選択される少なくともいずれかの化合物であることが好ましい。また、正孔障壁層が含有する化合物は、例えば、イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体及びフェナントロリン誘導体からなる群から選択される少なくともいずれかの化合物でもよい。
正孔障壁層は、励起エネルギーが発光層から周辺層に漏れ出さないように、発光層で生成した励起子が、当該正孔障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層及び電子注入層等）に移動することを阻止する層であることも好ましい。

（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、電子輸送層は、第四の化合物を含有することが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、発光帯域及び陰極の間に、電子輸送層が配置されていることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、電子輸送層は、下記一般式（Ｅ１）で表される第四の化合物を含有することが好ましい。

（前記一般式（Ｅ１）において、
Ｘ_５１、Ｘ_５２及びＸ_５３は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ_５であり、
ただし、Ｘ_５１、Ｘ_５２及びＸ_５３のうち、１つ以上が窒素原子であり、
Ｒ_５は、
水素原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ａｘは、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１３の複素環基であり、
Ｂｘは、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１３の複素環基であり、
Ｌ_５は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８の（ｎ＋１）価の芳香族炭化水素環基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１３の（ｎ＋１）価の複素環基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８の芳香族炭化水素環基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～１３の複素環基からなる群から選択される２つ又は３つが結合してなる（ｎ＋１）価の基であり、
ｎは、１、２又は３であり、ｎが２又は３の場合、Ｌ_５は、単結合ではなく、
Ｃｘは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～６０の複素環基であり、
複数のＣｘが存在する場合、複数のＣｘは、互いに同一であるか又は異なる。）

（第四の化合物において、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３及びＲ_９０４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なる。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第四の化合物のＸ_５１、Ｘ_５２及びＸ_５３のうち、２つ又は３つが窒素原子であることが好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第四の化合物は、下記一般式（Ｅ１１）、（Ｅ１２）、（Ｅ１３）又は（Ｅ１４）で表される化合物であることが好ましい。

（前記一般式（Ｅ１１）～（Ｅ１４）において、Ａｘ、Ｂｘ、Ｃｘ、Ｒ_５、Ｌ_５及びｎは、それぞれ、前記一般式（Ｅ１）で定義したとおりである。）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、炭素数１～５０のアルキル基、環形成炭素数６～５０のアリール基、及び環形成原子数５～５０の複素環基からなる群から選択される基であることも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、炭素数１～１８のアルキル基、環形成炭素数６～１８のアリール基、及び環形成原子数５～１８の複素環基からなる群から選択される基であることも好ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。本実施態様においては、ベンゾイミダゾール化合物を好適に用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層で構成されていてもよいし、上記物質からなる層が二層以上積層されて構成されていてもよい。

また、電子輸送層には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）などを用いることができる。

（第四の化合物の具体例）
第四の化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、本発明は、これら第四の化合物の具体例に限定されない。

（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。

あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

（層形成方法）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、上記で特に言及した以外には制限されないが、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法などの乾式成膜法や、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法などの湿式成膜法などの公知の方法を採用することができる。

（膜厚）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した場合を除いて限定されない。一般に、膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、膜厚が厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常、有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

（有機ＥＬ素子の発光波長）
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子駆動時に最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子駆動時に最大のピーク波長が、４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の光を放射することがより好ましい。
素子駆動時に有機ＥＬ素子が放射する光の最大のピーク波長の測定は、以下のようにして行う。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を測定し、これを最大のピーク波長（単位：ｎｍ）とする。

〔第四実施形態〕
（電子機器）
本実施形態に係る電子機器は、上述の実施形態のいずれかの有機ＥＬ素子を搭載している。電子機器としては、例えば、表示装置及び発光装置等が挙げられる。表示装置としては、例えば、表示部品（例えば、有機ＥＬパネルモジュール等）、テレビ、携帯電話、タブレット、及びパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明及び車両用灯具等が挙げられる。発光装置は、表示装置に用いることもでき、例えば、表示装置のバックライトとして用いることもできる。

〔実施形態の変形〕
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良等は、本発明に含まれる。

例えば、有機ＥＬ素子が有する発光層の数は、１層又は２層に限られず、３層以上の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が２層以上の複数の発光層を有する場合、少なくとも１つの発光層（第一の発光層）が上記実施形態で説明した条件を満たしていればよい。例えば、その他の発光層が、蛍光発光型の発光層であっても、三重項励起状態から直接基底状態への電子遷移による発光を利用した燐光発光型の発光層であってもよい。

また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。

その他、本発明の実施における具体的な構造、及び形状等は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。

以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に何ら限定されない。

＜化合物＞
実施例１～４に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた一般式（１）で表される化合物の構造を以下に示す。

比較例１～３に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた比較化合物の構造を以下に示す。

実施例１～４及び比較例１～３に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた、他の化合物の構造を以下に示す。

＜有機ＥＬ素子の作製＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。

（実施例１）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして、化合物ＨＴ及び化合物ＨＡを共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。この正孔注入層中の化合物ＨＴの割合を９０質量％とし、化合物ＨＡの割合を１０質量％とした。
次に、この正孔注入層の上に、化合物ＨＴを蒸着し、膜厚８５ｎｍの第一の正孔輸送層を形成した。
次に、この第一の正孔輸送層の上に、化合物ＥＢＬを蒸着し、膜厚５ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層と称する場合もある。）を形成した。
次に、この第二の正孔輸送層の上に、化合物ＢＨ１－１（第一のホスト材料）及び化合物ＢＤ（第一の発光性化合物）を共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を形成した。第一の発光層における化合物ＢＨ１－１の割合を９８質量％とし、化合物ＢＤの割合を２質量％とした。
次に、第一の発光層の上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）及び化合物ＢＤ（第二の発光性化合物）を共蒸着し、膜厚１５ｎｍの第二の発光層を形成した。第二の発光層における化合物ＢＨ２の割合を９８質量％とし、化合物ＢＤの割合を２質量％とした。
次に、第二の発光層の上に化合物ＨＢＬを蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の電子輸送層（正孔障壁層と称する場合もある。）を形成した。
次に、第一の電子輸送層の上に化合物ＥＴ及び化合物Ｌｉｑを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの第二の電子輸送層を形成した。第二の電子輸送層における化合物ＥＴの割合を５０質量％とし、化合物Ｌｉｑの割合を５０質量％％とした。なお、Ｌｉｑは、（８－キノリノラト）リチウム（（８－Ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ｌｉｔｈｉｕｍ）の略称である。
次に、第二の電子輸送層の上に化合物Ｌｉｑを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
次に、電子注入層の上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
実施例１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HT:HA(10,90:10%)/HT(85)/EBL(5)/BH1-1:BD(5,98%:2%)/BH2:BD(15,98%:2%)/HBL(5)/ET:Liq(25,50%:50%)/Liq(1)/Al(80)
なお、略式的に示された素子構成において、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９０％：１０％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ及び化合物ＨＡの割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－１又はＢＨ２）及び発光性化合物（化合物ＢＤ）の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（５０％：５０％）は、第二の電子輸送層における化合物ＥＴ及び化合物Ｌｉｑの割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。

（実施例２～４）
実施例２～４の有機ＥＬ素子は、それぞれ、第一の発光層の形成に用いた第一のホスト材料としての化合物ＢＨ１－１を表１に示す化合物に変更したこと以外、実施例１の有機ＥＬ素子と同様にして作製した。

（比較例１～３）
比較例１～３の有機ＥＬ素子は、それぞれ、第一の発光層の形成に用いた第一のホスト材料としての化合物ＢＨ１－１を表１に示す化合物に変更したこと以外、実施例１の有機ＥＬ素子と同様にして作製した。

＜有機ＥＬ素子の評価＞
作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表１に示す。また、
各実施例の発光層で使用した化合物の一重項エネルギーＳ_１及び三重項エネルギーＴ_１も表１に示す。

（ＣＩＥ１９３１色度）
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加した時のＣＩＥ１９３１色度座標（ｘ、ｙ）を分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。表１にＣＩＥｙの値を示す。

（駆動電圧）
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子の陽極と陰極との間に通電したときの電圧（単位：Ｖ）を計測した。

（外部量子効率ＥＱＥ）
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。

（寿命ＬＴ９５）
作製した有機ＥＬ素子に、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が９５％となるまでの時間（ＬＴ９５（単位：時間））を寿命として測定した。輝度は、分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）を用いて測定した。

実施例１～４の有機ＥＬ素子においては、一般式（１）で表される化合物をホスト材料として用いた。その結果、実施例１～４の有機ＥＬ素子によれば、比較例１及び２の有機ＥＬ素子に比べて、寿命ＬＴ９５が長くなった。実施例１、２及び４の有機ＥＬ素子によれば、比較例３の有機ＥＬ素子に比べて、寿命ＬＴ９５が長くなった。実施例３の有機ＥＬ素子は、比較例１及び比較例２と同程度の色度を維持したまま寿命が伸長した。実施例１－４のいずれも、ＣＩＥｙが０．０９１未満であったので、ナフトベンゾフランの異なる環にアリールが結合している化合物を用いた比較例３と比較して、色度の悪化が抑制された。

＜化合物の評価＞
（三重項エネルギーＴ_１）
測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、濃度が１０μｍｏｌ／Ｌとなるように溶解して溶液を得て、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とした。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を三重項エネルギーＴ_１とした。なお、三重項エネルギーＴ_１は、測定条件によっては上下０．０２ｅＶ程度の誤差が生じ得る。
換算式（Ｆ１）：Ｔ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ

燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ－４５００形分光蛍光光度計本体を用いた。

（一重項エネルギーＳ_１）
測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定した。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して一重項エネルギーを算出した。
換算式（Ｆ２）：Ｓ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
吸収スペクトル測定装置としては、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）を用いた。

吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。

（蛍光発光最大ピーク波長（ＦＬ－ｐｅａｋ）の測定）
測定対象となる化合物を、４．９×１０^－６ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、トルエン溶液を調製した。蛍光スペクトル測定装置（分光蛍光光度計Ｆ－７０００（株式会社日立ハイテクサイエンス製））を用いて、トルエン溶液を３９０ｎｍで励起した場合の蛍光発光最大ピーク波長λ（単位：ｎｍ）を測定した。
化合物ＢＤの蛍光発光最大ピーク波長λは、４５５ｎｍであった。

＜合成例＞
（合成例１：ＢＨ１－１の合成）
下記合成スキームに従って化合物ＢＨ１－１を合成した。

（１）１０－ブロモナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７－オ－ル（中間体Ｍ１）の合成
［（１０－ブロモナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７－イル）オキシ］トリイソプロピルシラン（２．２６ｇ）、フッ化セシウム（１．８０ｇ）及びテトラヒドロフラン（５０ｍＬ）をフラスコに入れた後、室温にて５時間撹拌した。反応終了後、氷冷下、溶液に０．２ｍｏｌ／Ｌ塩酸を加え中和した。溶液に水を加え酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去しスラリーをろ取した。固体をジクロロメタンで洗浄し１０－ブロモナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７－オ－ルの白色固体（１．４７ｇ、収率９８％）を得た。

（２）１０－ブロモナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７－イルトリフルオロメタンスルホナート（中間体Ｍ２）の合成
１０－ブロモナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７－オ－ル（中間体Ｍ１）（１．４７ｇ）、及びジクロロメタン（４０ｍL）をフラスコに入れ、氷冷下、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン（０．５８ｇ）、及びピリジン（０．４０ｍL）を加え、次いでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１．３０ｍL）を滴下し、室温に昇温しながら４時間撹拌した。反応終了後、氷冷下、溶液に飽和重曹水を加えた。溶液をジクロロメタンで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１０－ブロモナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７－イルトリフルオロメタンスルホナートの白色固体（１．５０ｇ、収率７２％）を得た。

（３）７，１０－ジ（ピレン－１－イル）ナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン（化合物ＢＨ１－１）の合成
フラスコに１０－ブロモナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７－イルトリフルオロメタンスルホナート（中間体Ｍ２）（１．０ｇ）、ピレン－１－イルボロン酸（１．２ｇ）、ビス［ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（４－ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）（０．２０ｇ）、炭酸ナトリウム（０．５０ｇ）、１，４－ジオキサン（２０ｍＬ）、及びイオン交換水（２ｍＬ）を加えアルゴン雰囲気下、１８時間加熱還流撹拌した。反応終了後、溶液を室温まで放冷し、十分量の水を加えた。固体をろ取し、メタノールで洗浄した。固体をトルエンに加熱溶解し、シリカゲルショートカラムに通した。溶媒を留去し固体を得た。得られた固体をトルエンで再結晶し７，１０－ジ（ピレン－１－イル）ナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン（化合物ＢＨ１－１）の淡黄色固体（４０６ｍｇ、収率２９％）を得た。マススペクトル分析の結果、分子量６１８．７４に対してｍ／ｅ＝６１９であり、目的物であると同定した。

（合成例２：ＢＨ１－２の合成）
下記合成スキームに従って化合物ＢＨ１－２を合成した。

（１）４－ブロモナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－オ－ル（中間体Ｍ３）の合成
［（４－ブロモナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－イル）オキシ］トリイソプロピルシラン（５．００ｇ）、フッ化セシウム（４．００ｇ）及びテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）をフラスコに入れた後、室温にて５時間流拌した。反応終了後、氷冷下、溶液に０．２ｍｏｌ／Ｌ塩酸を加え中和した。溶液に水を加え酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去しスラリーをろ取した。固体をジクロロメタンで洗浄し４－ブロモナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－オ－ルの白色固体（３．２０ｇ、収率９６％）を得た。

（２）４－ブロモナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－イルトリフルオロメタンスルホナート（中間体Ｍ４）の合成
４－ブロモナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－オ－ル（中間体Ｍ３）（３．１ｇ）、及びジクロロメタン（１００ｍＬ）をフラスコに入れ、氷冷下、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン（１．２１ｇ）、及びピリジン（１．６ｍＬ）を加え、次いでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（２．０ｍＬ）を滴下し、室温に昇温しながら４時間撹拌した。反応終了後、氷冷下、溶液に飽和重曹水を加えた。溶液をジクロロメタンで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４－ブロモナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－イルトリフルオロメタンスルホナートの白色固体（３．５７ｇ、収率８１％）を得た。

（３）１，４－ジ（ピレン－１－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン（化合物ＢＨ１－２）の合成
フラスコに４－ブロモナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－イルトリフルオロメタンスルホナート（中間体Ｍ４）（１．７０ｇ）、ピレン－１－イルボロン酸（１．９７ｇ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（０．１０ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（５４ｍｇ）、リン酸三カリウム（１．６２ｇ）、及び１，４－ジオキサン（８０ｍＬ）を加えアルゴン雰囲気下、６時間加熱還流撹拌した。反応終了後、溶液を室温まで放冷し、十分量の水を加えた。固体をろ取し、メタノールで洗浄した。固体をトルエンに加熱溶解し、シリカゲルショートカラムに通した。溶媒を留去し固体を得た。得られた固体をトルエンで再結晶し１，４－ジ（ピレン－１－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン（化合物ＢＨ１－２）の淡黄色固体（９４５ｍｇ、収率４０％）を得た。マススペクトル分析の結果、分子量６１８．７４に対してｍ／ｅ＝６１９であり、目的物であると同定した。

（合成例３：ＢＨ１－３の合成）
下記合成スキームに従って化合物ＢＨ１－３を合成した。

（１）トリイソプロピル｛［４－（ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－イル］オキシ｝シラン（中間体Ｍ５）の合成
フラスコに［（４－ブロモナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－イル）オキシ］トリイソプロピルシラン（５．００ｇ）、ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イルボロン酸（４．３５ｇ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（０．３０ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．１５ｇ）、リン酸三カリウム（４．５０ｇ）、及び１，４－ジオキサン（１２０ｍＬ）を加えアルゴン雰囲気下、６時間加熱還流撹拌した。反応終了後、溶液を室温まで放冷し、十分量の水を加えた。固体をろ取し、メタノールで洗浄した。固体をトルエンに加熱溶解し、シリカゲルショートカラムに通した。溶媒を留去し固体を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製しトリイソプロピル｛［４－（ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－イル］オキシ｝シランの白色固体（４．６５ｇ、収率７１％）を得た。

（２）４－（ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－オ－ル（中間体Ｍ６）の合成
トリイソプロピル｛［４－（ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－イル］オキシ｝シラン（中間体Ｍ５）（４．６０ｇ）、フッ化セシウム（２．８３ｇ）及びテトラヒドロフラン（８０ｍＬ）をフラスコに入れた後、室温にて５時間流拌した。反応終了後、氷冷下、溶液に０．２ｍｏｌ／Ｌ塩酸を加え中和した。溶液に水を加えジクロロメタンで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去しスラリーをろ取した。固体をジクロロメタンで洗浄し４－（ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－オ－ルの白色固体（２．９２ｇ、収率８５％）を得た。

（３）４－（ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－イルトリフルオロメタンスルホナ－ト（中間体Ｍ７）の合成
４－（ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－オ－ル（中間体Ｍ６）（２．９ｇ）、及びジクロロメタン（１３０ｍＬ）をフラスコに入れ、氷冷下、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン（０．７７ｇ）、及びピリジン（１．０ｍＬ）を加え、次いでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１．３ｍＬ）を滴下し、室温に昇温しながら５時間撹拌した。反応終了後、氷冷下、溶液に飽和重曹水を加えた。溶液をジクロロメタンで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４－（ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－イルトリフルオロメタンスルホナートの白色固体（３．３０ｇ、収率８８％）を得た。

（４）１－（ピレン－１－イル）－４－（ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン（化合物ＢＨ１－３）の合成
フラスコに４－（ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン－１－イルトリフルオロメタンスルホナート（中間体Ｍ７）（１．７０ｇ）、ピレン－１－イルボロン酸（０．７５ｇ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（８１ｍｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（４１ｍｇ）、リン酸三カリウム（０．９１ｇ）、及び１，４－ジオキサン（５０ｍＬ）を加えアルゴン雰囲気下、６時間加熱還流撹拌した。反応終了後、溶液を室温まで放冷し、十分量の水を加えた。固体をろ取し、メタノールで洗浄した。固体をトルエンに加熱溶解し、シリカゲルショートカラムに通した。溶媒を留去し固体を得た。得られた固体をトルエンで再結晶し１－（ピレン－１－イル）－４－（ベンゾ［ａ］アントラセン－７－イル）ナフト［２，３－ｂ］ベンゾフラン（化合物ＢＨ１－３）の淡黄色固体（８１０ｍｇ、収率４４％）を得た。マススペクトル分析の結果、分子量６４４．７７に対してｍ／ｅ＝６４５であり、目的物であると同定した。

（合成例４：ＢＨ１－４の合成）
下記合成スキームに従って化合物ＢＨ１－４を合成した。

（１）１－フルオロ－２－（２，４，６－トリメトキシフェニル）ナフタレン（中間体Ｍ８）の合成
２－ブロモ－１，３，５－トリメトキシベンゼン（５．００ｇ）、（１－フルオロナフタレン－２－イル）ボロン酸（４．６１ｇ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（０．５７ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．２９ｇ）、リン酸三カリウム（６．４３ｇ）、及び１，４－ジオキサン（２００ｍＬ）をフラスコに加えアルゴン雰囲気下、５時間加熱還流撹拌した。反応終了後、溶液を室温まで放冷し、十分量の水を加えた。ジオキサンを留去し溶液をジクロロメタンで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１－フルオロ－２－（２，４，６－トリメトキシフェニル）ナフタレンの白色固体（５．９０ｇ、収率９３％）を得た。

（２）２－（１－フルオロナフタレン－２－イル）ベンゼン－１，３，５－トリオール（中間体Ｍ９）の合成
フラスコに１－フルオロ－２－（２，４，６－トリメトキシフェニル）ナフタレン（中間体Ｍ８）（４．９０ｇ）、及びジクロロメタン（１５０ｍＬ）を加え、アルゴン雰囲気下、氷冷し、１．０ｍｏｌ／Ｌの三臭化ホウ素ジクロロメタン溶液（９５ｍＬ）を滴下し室温で５時間撹拌した。反応終了後、氷冷下、溶液に冷水を滴下しジクロロメタンで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２－（１－フルオロナフタレン－２－イル）ベンゼン－１，３，５－トリオールの白色固体（３．４１ｇ、収率８０％）を得た。

（３）ナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７，９－ジオール（中間体Ｍ１０）の合成
フラスコに２－（１－フルオロナフタレン－２－イル）ベンゼン－１，３，５－トリオール（中間体Ｍ９）（２．９ｇ）、炭酸カリウム（２．２３ｇ）、及びＮ－メチル－２－ピロリドン（２１０ｍＬ）を加えアルゴン雰囲気下１５０℃で５時間加熱撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで放冷し、水５００ｍＬを加え、さらに希塩酸でｐＨを３にした。析出した固体をろ取し、固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７，９－ジオールの白色固体（１．７１ｇ、収率６４％）を得た。

（４）ナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７，９－ジイルビス（トリフルオロメタンスルホナート）（中間体Ｍ１１）の合成
ナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７，９－ジオール（中間体Ｍ１０）（１．６ｇ）、及びジクロロメタン（１３０ｍＬ）をフラスコに入れ、氷冷下、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン（０．７８ｇ）、及びピリジン（１．３ｍＬ）を加え、次いでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（２．６ｍＬ）を滴下し、室温に昇温しながら５時間撹拌した。反応終了後、氷冷下、溶液に飽和重曹水を加えた。溶液をジクロロメタンで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７，９－ジイルビス（トリフルオロメタンスルホナート）の白色固体（２．５５ｇ、収率７８％）を得た。

（５）７，９－ジ（ピレン－１－イル）ナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン（化合物ＢＨ１－４）の合成
フラスコにナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン－７，９－ジイルビス（トリフルオロメタンスルホナート）（中間体Ｍ１１）（１．２０ｇ）、ピレン－１－イルボロン酸（１．２０ｇ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（１３２ｍｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（６６ｍｇ）、リン酸三カリウム（１．２４ｇ）、及び１，４－ジオキサン（５０ｍＬ）を加えアルゴン雰囲気下、６時間加熱還流撹拌した。反応終了後、溶液を室温まで放冷し、十分量の水を加えた。固体をろ取し、メタノールで洗浄した。固体をトルエンに加熱溶解し、シリカゲルショートカラムに通した。溶媒を留去し固体を得た。得られた固体をトルエンで再結晶し７，９－ジ（ピレン－１－イル）ナフト［１，２－ｂ］ベンゾフラン（化合物ＢＨ１－４）の淡黄色固体（０．９５ｇ、収率６６％）を得た。マススペクトル分析の結果、分子量６１８．７４に対してｍ／ｅ＝６１９であり、目的物であると同定した。

１…有機エレクトロルミネッセンス素子、１Ａ…有機エレクトロルミネッセンス素子、１Ｂ…有機エレクトロルミネッセンス素子、１０…有機層、１０Ａ…有機層、１０Ｂ…有機層、２…基板、３…陽極、４…陰極、５…発光帯域、５Ａ…発光帯域、５Ｂ…発光帯域、５１…第一の発光層、５２…第二の発光層、６１…正孔注入層、６２…正孔輸送層、７１…電子輸送層、７２…電子注入層。

Claims

下記一般式（１）で表される化合物。

（前記一般式（１）において、
Ｒ_１～Ｒ_９、Ｒ_１０１～Ｒ_１０８およびＲ_１１１～Ｒ_１１８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～２１の複素環基であり、
であり、
Ａｒ_１２は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数１０～３０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数９～３１の複素環基であり、
Ａｒ_１２としての置換のアリール基は、置換基として置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～２１の複素環基からなる群から選択される基を少なくとも１つ有しているか又は有さず、
Ａｒ_１２としての置換の複素環基は、置換基として置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～２１の複素環基からなる群から選択される少なくとも１つを有しているか又は有さず、
Ｌ_１１およびＬ_１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１３の２価の複素環基であり、
ｐは、０又は１であり、
ｑは、０又は１であり、
ｐ＋ｑは、１又は２である。
ただし、
ｐが１のとき、Ｒ_１０１とＲ_１０２、Ｒ_１０２とＲ_１０３、又はＲ_１０３とＲ_１０４の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０１とＲ_１０２、Ｒ_１０２とＲ_１０３、又はＲ_１０３とＲ_１０４の他方が＊ｂに結合する単結合であり、
ｑが０のとき、Ｒ_１０５～Ｒ_１０８から選ばれる２つの内、一方は、＊ｅに結合する単結合であり、他方は、＊ｆに結合する単結合であり、
ｑが１のとき、Ｒ_１０５とＲ_１０６、Ｒ_１０６とＲ_１０７、又はＲ_１０７とＲ_１０８の一方が＊ｃに結合する単結合であり、Ｒ_１０５とＲ_１０６、Ｒ_１０６とＲ_１０７、又はＲ_１０７とＲ_１０８の他方が＊ｄに結合する単結合であり、＊ｃ及び＊ｄに結合する単結合ではないＲ_１０５～Ｒ_１０８、およびＲ_１１５～Ｒ_１１８から選ばれる２つの内、一方は、＊ｅに結合する単結合であり、他方は、＊ｆに結合する単結合である。）
前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（１０）で表される、
請求項１に記載の化合物。

（前記一般式（１０）において、Ｒ_１～Ｒ_９、Ｒ_１０１～Ｒ_１０８、Ｒ_１１１～Ｒ_１１４、Ａｒ_１２、Ｌ_１１、Ｌ_１２、＊ａ、＊ｂ、＊ｅおよび＊ｆは、それぞれ、前記一般式（１）において定義したとおりである。）
前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（１１）で表される、
請求項２に記載の化合物。

（前記一般式（１１）において、Ｒ_１～Ｒ_９、Ｒ_１０１～Ｒ_１０７、Ｒ_１１１～Ｒ_１１４、Ａｒ_１２、Ｌ_１１、Ｌ_１２、＊ａ、＊ｂおよび＊ｆは、それぞれ、前記一般式（１）において定義した通りである。）
前記一般式（１）で表される化合物において、Ｒ_１０５又はＲ_１０６が、＊ｆに結合する単結合である、
請求項２又は請求項３に記載の化合物。
前記一般式（１）で表される化合物において、Ｒ_１０２とＲ_１０３の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０２とＲ_１０３の他方が＊ｂに結合する単結合である、
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の化合物。
前記一般式（１）で表される化合物において、Ｒ_１０３とＲ_１０４の一方が＊ａに結合する単結合であり、Ｒ_１０３とＲ_１０４の他方が＊ｂに結合する単結合である、
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の化合物。
前記一般式（１）で表される化合物において、Ａｒ_１２は、４個以下の単環が縮合したアリール基である、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の化合物。
前記一般式（１）で表される化合物において、Ｒ_１～Ｒ_９、単結合ではないＲ_１０１～Ｒ_１０８、および単結合ではないＲ_１１１～Ｒ_１１８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１０のアリール基である、
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の化合物。
前記一般式（１）で表される化合物において、Ｒ_１～Ｒ_９、単結合ではないＲ_１０１～Ｒ_１０８、および単結合ではないＲ_１１１～Ｒ_１１８は、水素原子である、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の化合物。
前記一般式（１）で表される化合物において、Ａｒ_１２としてのアリール基は、置換基として環形成炭素数６～１０のアリール基を有する、
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の化合物。
前記一般式（１）で表される化合物において、Ａｒ_１２は、無置換の環形成炭素数１０～３０のアリール基である、
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の化合物。
前記一般式（１）で表される化合物において、Ｌ_１１は、単結合である、
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の化合物。
有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
陽極と、
陰極と、
前記陽極及び前記陰極の間に配置された発光帯域と、を有し、
前記発光帯域は、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の化合物を第一のホスト材料として含有する第一の発光層を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記発光帯域は、さらに、第二の発光層を含み、
前記第一の発光層は、前記第一のホスト材料及び第一の発光性化合物を含み、
前記第二の発光層は、第二のホスト材料及び第二の発光性化合物を含み、
前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは、互いに異なり、
前記第一の発光性化合物と前記第二の発光性化合物とは、互いに同一であるか又は異なる、
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ_１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たす、
請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｔ_１（Ｈ１）＞Ｔ_１（Ｈ２） …（数１）
前記第一の発光性化合物及び前記第二の発光性化合物は、それぞれ独立に、最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す化合物である、
請求項１４又は請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記第一の発光層は、前記陽極と前記第二の発光層との間に配置されている、
請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記第二のホスト材料は、下記一般式（２）で表される第二の化合物である、
請求項１４から請求項１７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（前記一般式（２）において、
Ｒ_２０１～Ｒ_２０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ_８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ_２０１及びＬ_２０２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ_２０１及びＡｒ_２０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
（前記第二のホスト材料中、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３、Ｒ_９０４、Ｒ_９０５、Ｒ_９０６、Ｒ_９０７、Ｒ_８０１及びＲ_８０２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０５が複数存在する場合、複数のＲ_９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０６が複数存在する場合、複数のＲ_９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０７が複数存在する場合、複数のＲ_９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０１が複数存在する場合、複数のＲ_８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_８０２が複数存在する場合、複数のＲ_８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）
前記陽極と前記発光帯域との間に、正孔輸送層が配置され、
前記正孔輸送層は、下記一般式（Ｈ１）又は下記一般式（Ｈ２）で表される第三の化合物を含有する、
請求項１３から請求項１８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（前記一般式（Ｈ１）において、
Ｌ_３１、Ｌ_３２およびＬ_３３は、それぞれ独立に、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリーレン基であり、
Ａｒ_３１、Ａｒ_３２およびＡｒ_３３は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基、又は
－Ｓｉ（Ｒ_Ｃ１）（Ｒ_Ｃ２）（Ｒ_Ｃ３）で表される基であり、
Ｒ_Ｃ１、Ｒ_Ｃ２及びＲ_Ｃ３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基であり、
Ｒ_Ｃ１が複数存在する場合、複数のＲ_Ｃ１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_Ｃ２が複数存在する場合、複数のＲ_Ｃ２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_Ｃ３が複数存在する場合、複数のＲ_Ｃ３は、互いに同一であるか又は異なる。）

（前記一般式（Ｈ２）において、
Ａ_４１及びＡ_４２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基であり、
Ｒ_４１０～Ｒ_４１４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_４２０～Ｒ_４２４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_４１０～Ｒ_４１４並びにＲ_４２０～Ｒ_４２４は、それぞれ独立に、
水素原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
ハロゲン原子、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍ１は、３であり、３つのＲ_４１０は、互いに同一であるか又は異なり、
ｍ２は、３であり、３つのＲ_４２０は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_４１及びＬ_４２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基である。）
（前記一般式（Ｈ２）で表される第三の化合物中、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３およびＲ_９０４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なる。）
前記発光帯域及び前記陰極の間に、電子輸送層が配置され、
前記電子輸送層は、下記一般式（Ｅ１）で表される第四の化合物を含有する、
請求項１３から請求項１９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（前記一般式（Ｅ１）において、
Ｘ_５１、Ｘ_５２及びＸ_５３は、それぞれ独立に、窒素原子又はＣＲ_５であり、
ただし、Ｘ_５１、Ｘ_５２及びＸ_５３のうち、１つ以上が窒素原子であり、
Ｒ_５は、
水素原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ａｘは、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１３の複素環基であり、
Ｂｘは、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１３の複素環基であり、
Ｌ_５は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８の（ｎ＋１）価の芳香族炭化水素環基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１３の（ｎ＋１）価の複素環基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８の芳香族炭化水素環基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～１３の複素環基からなる群から選択される２つ又は３つが結合してなる（ｎ＋１）価の基であり、
ｎは、１、２又は３であり、ｎが２又は３の場合、Ｌ_５は、単結合ではなく、
Ｃｘは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～６０の複素環基であり、
複数のＣｘが存在する場合、複数のＣｘは、互いに同一であるか又は異なる。）
（前記第四の化合物において、Ｒ_９０１、Ｒ_９０２、Ｒ_９０３及びＲ_９０４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９０１が複数存在する場合、複数のＲ_９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０２が複数存在する場合、複数のＲ_９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０３が複数存在する場合、複数のＲ_９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９０４が複数存在する場合、複数のＲ_９０４は、互いに同一であるか又は異なる。）
請求項１３から請求項２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した、電子機器。