JP2023175872A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2023175872A5
JP2023175872A5 JP2023163712A JP2023163712A JP2023175872A5 JP 2023175872 A5 JP2023175872 A5 JP 2023175872A5 JP 2023163712 A JP2023163712 A JP 2023163712A JP 2023163712 A JP2023163712 A JP 2023163712A JP 2023175872 A5 JP2023175872 A5 JP 2023175872A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
underlayer film
resist
formula
resist underlayer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2023163712A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7769309B2 (ja
JP2023175872A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2020507800A external-priority patent/JP7587984B2/ja
Application filed filed Critical
Publication of JP2023175872A publication Critical patent/JP2023175872A/ja
Publication of JP2023175872A5 publication Critical patent/JP2023175872A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7769309B2 publication Critical patent/JP7769309B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2023163712A 2018-03-19 2023-09-26 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 Active JP7769309B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018051617 2018-03-19
JP2018051617 2018-03-19
JP2020507800A JP7587984B2 (ja) 2018-03-19 2019-03-18 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
PCT/JP2019/011245 WO2019181873A1 (ja) 2018-03-19 2019-03-18 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020507800A Division JP7587984B2 (ja) 2018-03-19 2019-03-18 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2023175872A JP2023175872A (ja) 2023-12-12
JP2023175872A5 true JP2023175872A5 (https=) 2025-03-31
JP7769309B2 JP7769309B2 (ja) 2025-11-13

Family

ID=67986297

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020507800A Active JP7587984B2 (ja) 2018-03-19 2019-03-18 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
JP2023163753A Active JP7684640B2 (ja) 2018-03-19 2023-09-26 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
JP2023163712A Active JP7769309B2 (ja) 2018-03-19 2023-09-26 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
JP2023163948A Active JP7602212B2 (ja) 2018-03-19 2023-09-26 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020507800A Active JP7587984B2 (ja) 2018-03-19 2019-03-18 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
JP2023163753A Active JP7684640B2 (ja) 2018-03-19 2023-09-26 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023163948A Active JP7602212B2 (ja) 2018-03-19 2023-09-26 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210018840A1 (https=)
JP (4) JP7587984B2 (https=)
KR (1) KR102779929B1 (https=)
CN (1) CN111902774B (https=)
TW (1) TW201945848A (https=)
WO (1) WO2019181873A1 (https=)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202238274A (zh) * 2020-11-27 2022-10-01 日商日產化學股份有限公司 含有矽之阻劑下層膜形成用組成物
CN117396811A (zh) * 2021-03-31 2024-01-12 日产化学株式会社 含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2008001679A1 (ja) * 2006-06-27 2009-11-26 Jsr株式会社 パターン形成方法及びそれに用いる有機薄膜形成用組成物
EP2249204A4 (en) * 2008-02-18 2012-01-11 Nissan Chemical Ind Ltd SILICULAR RESISTANT LAYERING COMPOSITION COMPOSITION CONTAINING A CYCLIC AMINO GROUP
JP5038354B2 (ja) * 2009-05-11 2012-10-03 信越化学工業株式会社 ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法
KR101400182B1 (ko) * 2009-12-31 2014-05-27 제일모직 주식회사 포토레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
JP5679129B2 (ja) * 2010-02-19 2015-03-04 日産化学工業株式会社 窒素含有環を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
JP5650086B2 (ja) * 2011-06-28 2015-01-07 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
JP6065230B2 (ja) * 2011-10-06 2017-01-25 日産化学工業株式会社 ケイ素含有ｅｕｖレジスト下層膜形成組成物
JP5882776B2 (ja) * 2012-02-14 2016-03-09 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
JP5739360B2 (ja) * 2012-02-14 2015-06-24 信越化学工業株式会社 ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
KR102044968B1 (ko) * 2012-04-23 2019-12-05 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 첨가제를 포함하는 규소함유 euv레지스트 하층막 형성 조성물
JP5833492B2 (ja) * 2012-04-23 2015-12-16 信越化学工業株式会社 ケイ素化合物、ポリシロキサン化合物、これを含むレジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
JP5886804B2 (ja) * 2013-09-02 2016-03-16 信越化学工業株式会社 レジスト組成物の製造方法
KR102314080B1 (ko) * 2014-06-17 2021-10-18 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 페닐기 함유 크로모퍼를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물
JP6597980B2 (ja) * 2014-07-15 2019-10-30 日産化学株式会社 ハロゲン化スルホニルアルキル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
JP6243815B2 (ja) * 2014-09-01 2017-12-06 信越化学工業株式会社 半導体装置基板の製造方法
JP6250513B2 (ja) * 2014-10-03 2017-12-20 信越化学工業株式会社 塗布型ケイ素含有膜形成用組成物、基板、及びパターン形成方法
CN107077072B (zh) * 2014-11-19 2021-05-25 日产化学工业株式会社 能够湿式除去的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
JP6788222B2 (ja) * 2014-11-19 2020-11-25 日産化学株式会社 架橋反応性シリコン含有膜形成組成物
US9580623B2 (en) * 2015-03-20 2017-02-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process using a boron phosphorus silicon glass film
JP6445382B2 (ja) * 2015-04-24 2018-12-26 信越化学工業株式会社 リソグラフィー用塗布膜形成用組成物の製造方法及びパターン形成方法
CN107615168B (zh) * 2015-06-11 2023-12-19 日产化学工业株式会社 感放射线性组合物
KR102038942B1 (ko) * 2015-06-24 2019-10-31 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 적층체, 및 유기 용제 현상용 레지스트 조성물
KR20190072515A (ko) * 2016-10-27 2019-06-25 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 디하이드록시기를 갖는 유기기를 포함하는 실리콘함유 레지스트 하층막 형성 조성물
KR102785062B1 (ko) * 2017-10-25 2025-03-21 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 암모늄기를 갖는 유기기를 포함하는 실리콘함유 레지스트 하층막 형성 조성물을 이용하는 반도체장치의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113015940B (zh) 用于高分辨率图案化的含硅烷醇有机-无机杂化涂层
JP2023175872A5 (https=)
KR101523393B1 (ko) 규소를 주성분으로 하는 반사 방지 코팅 조성물
KR101849638B1 (ko) 습식-박리성 실리콘-함유 반사방지제
KR101677289B1 (ko) 실리콘 함유 막 형성용 조성물 및 실리콘 함유 막 및 패턴 형성 방법
KR101767692B1 (ko) 규소 함유 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법
KR20190101296A (ko) 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR100238567B1 (ko) 화학적으로 증폭된 포지티브형 레지스트 조성물
JP5835587B2 (ja) 単分子層又は多分子層形成用組成物
US20120196225A1 (en) Photo Patternable Coating Compositions of Silicones and Organic-Inorganic Hybrids
TWI842839B (zh) 官能性聚氫倍半矽氧烷樹脂組成物、產生其的方法及其用途
WO2016111210A1 (ja) シリコン含有膜形成用組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
KR102395936B1 (ko) 규소-풍부 실세스퀴옥산 수지
CN115362216A (zh) 膜形成用组合物
JP2025134863A (ja) 添加剤含有シリコン含有レジスト下層膜形成組成物
JP5835593B2 (ja) シラン化合物及びそれを用いた単分子層又は多分子層形成用組成物
US7026497B2 (en) Adhesive compound and method for forming photoresist pattern using the same
US11518909B2 (en) Composition for forming silica layer, manufacturing method for silica layer, and silica layer
KR20220095940A (ko) 반도체 포토레지스트용 조성물, 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
JP3636242B2 (ja) 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3695486B2 (ja) 化学増幅ポジ型レジスト材料及びその製造方法
TW202507419A (zh) 濕式可去除之含矽抗蝕下層膜形成組合物
JPH0829987A (ja) ポジ型シリコーンレジスト材料
WO2024237188A1 (ja) 積層体、積層体の製造方法、及び感光性表面改質剤
JPH046563A (ja) ３層レジスト中間層用材料およびパターン形成方法