JP2023161772A5 - - Google Patents
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Description
次に、図15(a)に示すように、ダイオード領域20にn+型カソード層26を形成する。n+型カソード層26は、例えば、リン(P)を注入して形成してよい。図15(a)に示すように、IGBT領域10とダイオード領域20との境界からダイオード領域20側に距離U1の位置に、p型コレクタ層16とn+型カソード層26との境界が位置するように、リンが第2主面側からマスク処理により選択的に注入される。n+型カソード層26を形成するためのn型不純物の注入量は、p型コレクタ層16を形成するためのp型不純物の注入量より多い。図15(a)では、第2主面からのp型コレクタ層16とn+型カソード層26の深さを同じに示しているが、n+型カソード層26の深さはp型コレクタ層16の深さ以上である。n+型カソード層26が形成される領域は、p型不純物が注入された領域にn型不純物を注入してn型半導体にする必要があるので、n+型カソード層26が形成される領域の全てで注入されたp型不純物の濃度をn型不純物の濃度より高くする。
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