JP2023160629A - 成膜方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】自己組織化単分子膜を用いて所望の領域に絶縁膜を選択的に形成する際の選択性を向上する成膜方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】第１領域の表面に形成された金属膜と、第２領域の表面に形成された第１絶縁膜と、を有する基板を準備する工程と、鎖部と、前記鎖部の一端に設けられた第１機能基と、前記鎖部の他端に設けられた第２機能基と、を有する有機化合物を含むガスを前記基板の表面に供給して、前記第１領域に前記有機化合物の自己組織化単分子膜を形成する工程と、前駆体ガス及び反応ガスを前記基板の表面に供給して、前記第２領域に第２絶縁膜を形成する工程と、前記第１領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、を有する、成膜方法。【選択図】図４
Description
本開示は、成膜方法及び基板処理装置に関する。
特許文献１には、第１領域の表面に形成された第１の金属製の金属層と、第２領域の表面に形成された絶縁層とを有する基板を準備する工程と、自己組織化膜の原料ガスを供給し、前記金属層の表面に自己組織化膜を形成する工程と、前記自己組織化膜を形成した後に、第２の金属を含有する前駆体ガスの供給と、酸化ガスの供給とを繰り返し、原子層堆積法により前記絶縁層の上に第２の金属の酸化膜を形成する工程と、前記酸化ガスの供給の後で前記前駆体ガスの供給の前に、還元ガスを供給して前記第１の金属の表面に形成された前記第１の金属の酸化膜を還元する工程とを含む、成膜方法が開示されている。
本開示は、自己組織化単分子膜を用いて所望の領域に絶縁膜を選択的に形成する際の選択性を向上する成膜方法及び基板処理装置を提供する。
本開示の一態様による成膜方法は、第１領域の表面に形成された金属膜と、第２領域の表面に形成された第１絶縁膜と、を有する基板を準備する工程と、鎖部と、前記鎖部の一端に設けられた第１機能基と、前記鎖部の他端に設けられた第２機能基と、を有する有機化合物を含むガスを前記基板の表面に供給して、前記第１領域に前記有機化合物の自己組織化単分子膜を形成する工程と、前駆体ガス及び反応ガスを前記基板の表面に供給して、前記第２領域に第２絶縁膜を形成する工程と、前記第１領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、を有する。
本開示によれば、自己組織化単分子膜を用いて所望の領域に絶縁膜を選択的に形成する際の選択性を向上する成膜方法及び基板処理装置を提供することができる。
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
実施形態の成膜装置の一例について、図１を用いて説明する。図１は、実施形態の成膜装置の一例を示す概略断面図である。成膜装置は、処理容器１、載置台（保持部）２、シャワーヘッド３、排気部４、ガス供給部５、ＲＦ電力供給部８、制御部９等を有する。
処理容器１は、アルミニウム等の金属により構成され、略円筒状を有している。処理容器１は、ウエハ等の基板Ｗを収容する。処理容器１の側壁には、基板Ｗを搬入又は搬出するための搬入出口１１が形成されている。搬入出口１１は、ゲートバルブ１２により開閉される。処理容器１の本体の上には、断面が矩形状をなす円環状の排気ダクト１３が設けられている。排気ダクト１３には、内周面に沿ってスリット１３ａが形成されている。排気ダクト１３の外壁には、排気口１３ｂが形成されている。排気ダクト１３の上面には、絶縁体部材１６を介して処理容器１の上部開口を塞ぐように天壁１４が設けられている。排気ダクト１３と絶縁体部材１６との間はシールリング１５で気密に封止されている。区画部材１７は、載置台２（及びカバー部材２２）が後述する処理位置へと上昇した際、処理容器１の内部を上下に区画する。
載置台２は、処理容器１内で基板Ｗを水平に支持（保持）する。載置台２は、基板Ｗに対応した大きさの円板状に形成されており、支持部材２３に支持されている。載置台２は、ＡｌＮ等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料で形成されており、内部に基板Ｗを加熱するためのヒータ２１が埋め込まれている。ヒータ２１は、ヒータ電源（図示せず）から給電されて発熱する。そして、載置台２の上面の近傍に設けられた熱電対（図示せず）の温度信号によりヒータ２１の出力を制御することで、基板Ｗが所定の温度に制御される。載置台２には、上面の外周領域及び側面を覆うようにアルミナ等のセラミックスにより形成されたカバー部材２２が設けられている。
載置台２の底面には、載置台２を支持する支持部材２３が設けられている。支持部材２３は、載置台２の底面の中央から処理容器１の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器１の下方に延び、その下端が昇降機構２４に接続されている。昇降機構２４により載置台２が支持部材２３を介して、図１で示す処理位置と、その下方の二点鎖線で示す基板Ｗの搬送が可能な搬送位置との間で昇降する。支持部材２３の処理容器１の下方には、鍔部２５が取り付けられている。処理容器１の底面と鍔部２５との間には、ベローズ２６が設けられている。ベローズ２６は、処理容器１内の雰囲気を外気と区画し、載置台２の昇降動作にともなって伸縮する。
処理容器１の底面の近傍には、昇降板２７ａから上方に突出するように３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン２７が設けられている。ウエハ支持ピン２７は、処理容器１の下方に設けられた昇降機構２８により昇降板２７ａを介して昇降する。ウエハ支持ピン２７は、搬送位置にある載置台２に設けられた貫通孔２ａに挿通されて載置台２の上面に対して突没可能となっている。ウエハ支持ピン２７を昇降させることにより、搬送機構（図示せず）と載置台２との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。
シャワーヘッド３は、処理容器１内に処理ガスをシャワー状に供給する。シャワーヘッド３は、金属製であり、載置台２に対向するように設けられており、載置台２とほぼ同じ直径を有している。シャワーヘッド３は、本体部３１及びシャワープレート３２を有する。本体部３１は、処理容器１の天壁１４に固定されている。シャワープレート３２は、本体部３１の下に接続されている。本体部３１とシャワープレート３２との間には、ガス拡散空間３３が形成されている。ガス拡散空間３３には、処理容器１の天壁１４及び本体部３１の中央を貫通するようにガス導入孔３６が設けられている。シャワープレート３２の周縁部には下方に突出する環状突起部３４が形成されている。環状突起部３４の内側の平坦部には、ガス吐出孔３５が形成されている。載置台２が処理位置に存在した状態では、載置台２とシャワープレート３２との間に処理空間３８が形成され、カバー部材２２の上面と環状突起部３４とが近接して環状隙間３９が形成される。
排気部４は、処理容器１の内部を排気する。排気部４は、排気口１３ｂに接続された排気配管４１と、排気配管４１に接続された真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気機構４２とを有する。処理に際しては、処理容器１内のガスがスリット１３ａを介して排気ダクト１３に至り、排気ダクト１３から排気配管４１を通って排気機構４２により排気される。
ガス供給部５は、シャワーヘッド３に各種の処理ガスを供給する。ガス供給部５は、ガス源５１及びガスライン５２を含む。ガス源５１は、例えば各種の処理ガスの供給源、マスフローコントローラ、バルブ（いずれも図示せず）を含む。各種の処理ガスは、ガス源５１からガスライン５２及びガス導入孔３６を介してガス拡散空間３３に導入される。
また、成膜装置は、容量結合プラズマ装置であって、載置台２が下部電極として機能し、シャワーヘッド３が上部電極として機能する。載置台２は、コンデンサ（図示せず）を介して接地されている。ただし、載置台２は、例えばコンデンサを介さずに接地されていてもよく、コンデンサとコイルを組み合わせた回路を介して接地されていてもよい。シャワーヘッド３は、ＲＦ電力供給部８に接続されている。
ＲＦ電力供給部８は、高周波電力（以下、「ＲＦ電力」ともいう。）をシャワーヘッド３に供給する。ＲＦ電力供給部８は、ＲＦ電源８１、整合器８２及び給電ライン８３を有する。ＲＦ電源８１は、ＲＦ電力を発生する電源である。ＲＦ電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。ＲＦ電力の周波数は、例えば低周波数帯の４５０ＫＨｚからマイクロ波帯の２．４５ＧＨｚの範囲内の周波数である。ＲＦ電源８１は、整合器８２及び給電ライン８３を介してシャワーヘッド３の本体部３１に接続されている。整合器８２は、ＲＦ電源８１の内部インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるための回路を有する。なお、ＲＦ電力供給部８は、上部電極となるシャワーヘッド３にＲＦ電力を供給するものとして説明したが、これに限られるものではない。下部電極となる載置台２にＲＦ電力を供給する構成であってもよい。
制御部９は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、成膜装置の動作を制御する。制御部９は、成膜装置の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御部９が成膜装置の外部に設けられている場合、制御部９は、有線又は無線等の通信手段によって、成膜装置を制御できる。
次に、実施形態の成膜方法の一例について、図２及び図３を用いて説明する。図２は、成膜方法の一例を示すフローチャートである。図３は、各工程での基板Ｗの状態を示す断面模式図の一例である。
ステップＳ１０１において、制御部９は、基板Ｗを準備する。ここで、準備された基板Ｗの断面模式図の一例を図３（ａ）に示す。基板Ｗは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を有する。第１領域Ａ１には、金属膜１１０が形成されている。金属膜１１０は、例えば、銅（Ｃｕ）膜、ルテニウム（Ｒｕ）膜等の導電膜である。また、金属膜１１０の表面には、自然酸化膜１１１が形成されている。第２領域Ａ２には、絶縁膜である第１絶縁膜１２０が形成されている。第１絶縁膜１２０は、例えば、ばケイ素（Ｓｉ）を含む絶縁材料であり、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素、又は酸炭窒化ケイ素等である。制御部９は、昇降機構２４を制御して載置台２を搬送位置に下降させた状態で、ゲートバルブ１２を開く。続いて、搬送アーム（図示せず）により、搬入出口１１を介して処理容器１内に基板Ｗを搬入し、ヒータ２１により所定の温度（例えば６００℃以下）に加熱された載置台２上に載置する。続いて、制御部９は、昇降機構２４を制御して載置台２を処理位置まで上昇させ、排気機構４２により処理容器１内を所定の真空度まで減圧する。
ステップＳ１０２において、制御部９は、後述する自己組織化単分子膜１３０の形成や第２絶縁膜１４０の形成のための下地処理（前処理）を行う。ステップＳ１０２の下地処理は、例えば、基板Ｗの表面に形成された自然酸化膜の除去や汚染物質の除去を含む。また、例えば、基板Ｗの表面に形成された自然酸化膜の除去や汚染物質の除去した後の表面を改質する処理を含む。例えば、ステップＳ１０２において、制御部９は、基板Ｗの自然酸化膜１１１を除去する処理を施す。例えば、処理容器１内に還元ガス（例えば、水素、アルコール等）を供給して基板Ｗを、例えば、２００℃で加熱することにより、金属膜１１０の表面に形成された自然酸化膜１１１を除去する。これにより、図３（ｂ）に示すように、金属膜１１０の表面から自然酸化膜１１１が除去される。
ステップＳ１０３において、制御部９は、自己組織化単分子膜１３０を形成する。例えば、処理容器１内に有機化合物１３１（後述する図４参照）ガスを供給する。有機化合物１３１は、主鎖（鎖部）１３１ａと、主鎖１３１ａの一端に形成される第１機能基１３１ｂと、主鎖１３１ａの他端に形成される第２機能基１３１ｃと、を有する。
主鎖１３１ａは、炭素（Ｃ）が連なって形成される。主鎖１３１ａは、例えば、アルキル鎖で形成される。
第１機能基１３１ｂは、金属膜１１０に対して選択的に吸着（結合）する官能基である。第１機能基１３１ｂは、例えば、チオール、カルボン酸、スルホン酸、リン酸、オレフィン等のうち少なくとも一つを含む。
第２機能基１３１ｃは、後述する前駆体ガスを吸着（結合）する官能基である。また、第２機能基１３１ｃは、第１機能基１３１ｂと比較して、金属膜１１０に対する吸着が等しい又は小さい官能基である。第２機能基１３１ｃは、酸素（Ｏ）を含有する官能基であってよい。酸素（Ｏ)を含有する官能基である場合、第２機能基１３１ｃは、例えばアルコール、カルボン酸、エステル等のうち少なくとも一つを含む。また、第２機能基１３１ｃは、硫黄（Ｓ）を含有する官能基であってよい。硫黄（Ｓ）を含有する官能基である場合、第２機能基１３１ｃは、例えばチオール、チオエステル、スルホン酸等のうち少なくとも一つを含む。また、第１機能基１３１ｂと第２機能基１３１ｃとは、同じ官能基であってもよい。
これにより、後述する図４に示すように、有機化合物１３１の第１機能基１３１ｂが金属膜１１０の表面に吸着し、有機化合物１３１間の相互作用によって有機化合物１３１が配向することで、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ：Self-Assembled Monolayer）１３０を形成する。これにより、図３（ｃ）に示すように、金属膜１１０の表面に自己組織化単分子膜１３０を形成する。また、図４に示すように、金属膜１１０と自己組織化単分子膜１３０との界面側に有機化合物１３１の第１機能基１３１ｂが配置され、自己組織化単分子膜１３０の表面側に有機化合物１３１の第２機能基１３１ｃが配置される。
一方、第１絶縁膜１２０（及び後述する第２絶縁膜１４０）に対しては、有機化合物１３１の第１機能基１３１ｂ及び第２機能基１３１ｃが吸着することが抑制される。これにより、金属膜１１０の上に選択的に自己組織化単分子膜１３０が形成される。
なお、有機化合物１３１の主鎖１３１ａは、アルキル鎖であって、アルキル鎖の炭素原子の数ｎは、３０以下が好ましい（ｎ≦３０）。有機化合物１３１の主鎖１３１ａが長いと、主鎖１３１ａが屈曲して第１機能基１３１ｂ及び第２機能基１３１ｃが金属膜１１０の表面に吸着されるおそれがある。これに対し、アルキル鎖の炭素原子の数ｎを３０以下とすることにより、第１機能基１３１ｂが金属膜１１０の表面に吸着し、第２機能基１３１ｃが金属膜１１０の表面に吸着せず、有機化合物１３１間の相互作用によって有機化合物１３１を配向させ、自己組織化単分子膜１３０を好適に形成することができる。
また、有機化合物１３１の主鎖１３１ａは、アルキル鎖であって、アルキル鎖の炭素原子の数ｎは、１０以下がより好ましい（ｎ≦１０）。これにより、有機化合物１３１の第２機能基１３１ｃがより金属膜１１０の表面近傍に現れるため、前駆体ガスとしてのＴＭＡ分子２００（後述する図４参照）のトラップを促進することができる。
次に、制御部９は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）プロセスによって、第２領域Ａ２の第１絶縁膜１２０の上に第２絶縁膜１４０を形成する（Ｓ１０４～Ｓ１０６）。
ステップＳ１０４において、制御部９は、第２絶縁膜１４０の前駆体（プリカーサ）ガスを供給する。ここでは、第２絶縁膜１４０の前駆体ガスとして、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガスを供給する。これにより、第２領域Ａ２の第１絶縁膜１２０の表面にＴＭＡが吸着して吸着層を形成する。一方、第１領域Ａ１には、金属膜１１０の上に自己組織化単分子膜１３０が形成されており、前駆体ガスが金属膜１１０の表面に吸着することを抑制する。即ち、金属膜１１０の上に形成された自己組織化単分子膜１３０は、金属膜１１０の上に前駆体ガスが吸着することをブロックするブロック膜として機能する。
次に、ステップＳ１０５において、制御部９は、第２絶縁膜１４０の前駆体と反応する反応ガスを供給する。ここでは、第２絶縁膜１４０の反応ガスとして、Ｈ２Ｏガスを供給する。これにより、第１絶縁膜１２０の表面に吸着したＴＭＡが反応して、第２領域Ａ２にＡｌＯ層（Ａｌ２Ｏ３層）が形成される。
次に、ステップＳ１０６において、制御部９は、ステップＳ３０１及びステップＳ３０２の処理を１サイクルとして、所定のサイクル数を繰り返したか否かを判定する（ＡＬＤサイクル終了？）。所定のサイクル数を繰り返していない場合（Ｓ１０６・ＮＯ）、制御部９の処理はステップＳ１０４に戻る。所定のサイクル数を繰り返した場合（Ｓ１０６・ＹＥＳ）、制御部９の処理は、ステップＳ１０７に進む。
このように、第２絶縁膜１４０の前駆体ガスを供給する工程（Ｓ１０４）と、第２絶縁膜１４０の反応ガスを供給する工程（Ｓ１０５）とを、１サイクルとして、ＡＬＤサイクルを複数サイクル繰り返す（Ｓ１０６）。これにより、図３（ｄ）に示すように、第２領域Ａ２の第１絶縁膜１２０の上にＡＬＤプロセスでＡｌＯ膜を成膜して、第２絶縁膜１４０を形成する。また、金属膜１１０の上に形成された自己組織化単分子膜１３０は、金属膜１１０の上に第２絶縁膜１４０が成膜されることをブロックするブロック膜として機能する。
ステップＳ１０７において、制御部９は、エッチングにより、自己組織化単分子膜１３０を除去する。これにより、図３（ｅ）に示すように、第１領域Ａ１に形成された自己組織化単分子膜１３０が除去される。
ステップＳ１０８において、制御部９は、所定の繰り返し回数を経過したか否かを判定する。所定の繰り返し回数を経過していない場合（Ｓ１０８・ＮＯ）、制御部９の処理はステップＳ１０３に戻る。所定の繰り返し回数を経過した場合（Ｓ１０８・ＹＥＳ）、制御部９の処理は、ステップＳ１０９に進む。
これにより、第１領域Ａ１への自己組織化単分子膜１３０の形成（Ｓ１０３）、第２領域Ａ２への第２絶縁膜１４０の成膜（Ｓ１０４～Ｓ１０６）、第１領域Ａ１の自己組織化単分子膜１３０の除去（Ｓ１０７）を繰り返すことで、第２領域Ａ２に選択的に第２絶縁膜１４０を成膜することができる。
ステップＳ１０９において、制御部９は、金属膜１５０を成膜する。これにより、図３（ｆ）に示すように、第１領域Ａ１の金属膜１１０の上に金属膜１５０が形成される。
次に、自己組織化単分子膜について、図４及び図５を用いてさらに説明する。図４は、実施形態に係る自己組織化単分子膜１３０を説明する断面模式図の一例である。図５は、参考例に係る自己組織化単分子膜１３０Ｃを説明する断面模式図の一例である。
ここで、参考例に係る成膜方法において、ステップＳ１０３において自己組織化単分子膜１３０を形成する際に供給する有機化合物ガスが異なっている。具体的には、図５に示すように、制御部９は、処理容器１内に有機化合物１３２ガスを供給して、自己組織化単分子膜１３０Ｃを形成する。有機化合物１３２ガスは、主鎖１３２ａ及び機能基１３２ｂを有する。ここで、主鎖１３２ａは、炭素（Ｃ）が連なって形成される。機能基１３２ｂは、金属膜１１０に対して選択的に吸着する官能基である。その他は、図２に示す実施形態に係る成膜方法と同様である。
参考例に係る成膜方法において、図５に示すように、有機化合物１３２の機能基１３２ｂが金属膜１１０の表面に吸着し、有機化合物１３２間の相互作用によって配向することで、自己組織化単分子膜１３０Ｃを形成する。ここで、自己組織化単分子膜１３０Ｃは、有機化合物１３２間に空隙１３５を有する。このため、前駆体ガスとしてのＴＭＡ分子２００が空隙１３５を介して自己組織化単分子膜１３０Ｃ内に侵入し、ＴＭＡ分子２００が金属膜１１０の表面（金属膜１１０と自己組織化単分子膜１３０Ｃの界面）に到達して、ＴＭＡ分子２００が金属膜１１０の表面に吸着するおそれがある。また、前駆体ガス（ＴＭＡ）は、反応性が高いため、ＡＬＤプロセス（ステップＳ１０４～Ｓ１０６）のサイクルを繰り返すことにより、金属膜１１０の表面（金属膜１１０と自己組織化単分子膜１３０Ｃの界面）に吸着したＴＭＡ分子２００を起点として、金属膜１１０と自己組織化単分子膜１３０Ｃの界面にＡｌＯ膜が形成されるおそれがある。また、金属膜１１０と自己組織化単分子膜１３０Ｃの界面に形成されたＡｌＯ膜は、自己組織化単分子膜１３０Ｃを除去（ステップＳ１０７）しても金属膜１１０の表面に残存するおそれがある。これにより、第２絶縁膜１４０の成膜における選択性が低下するおそれがある。
これに対し、実施形態に係る成膜方法において、図４に示すように、有機化合物１３１の第１機能基１３１ｂが金属膜１１０の表面に吸着し、有機化合物１３２間の相互作用によって配向することで、自己組織化単分子膜１３０を形成する。ここで、自己組織化単分子膜１３０は、有機化合物１３２間に空隙１３５を有する。ここで、空隙１３５の上方側（自己組織化単分子膜１３０の表面側）には、有機化合物１３１の第２機能基１３１ｃが配置される。これにより、前駆体ガスとしてのＴＭＡ分子２００は、空隙１３５に侵入して金属膜１１０と自己組織化単分子膜１３０Ｃの界面に向かう前に、第２機能基１３１ｃと吸着して、トラップされる。これにより、前駆体ガスとしてのＴＭＡ分子２００が空隙１３５を介して自己組織化単分子膜１３０Ｃ内に侵入することを抑制する。また、金属膜１１０と自己組織化単分子膜１３０の界面にＴＭＡ分子２００が吸着することを抑制する。また、金属膜１１０と自己組織化単分子膜１３０の界面にＡｌＯ膜が形成されることを抑制する。
また、実施形態に係る成膜方法において、自己組織化単分子膜１３０の表面には、第２機能基１３１ｃでトラップされたＴＭＡ分子２００を起点として、ＡｌＯ膜が形成される。しかしながら、第２領域Ａ２の第１絶縁膜１２０の上に成膜される第２絶縁膜１４０の成膜量と比較して、第１領域Ａ１の自己組織化単分子膜１３０の上に成膜される、ＡｌＯ膜の成膜量は、小さくなる。このため、自己組織化単分子膜１３０の表面に形成されたＡｌＯ膜は、自己組織化単分子膜１３０を除去（Ｓ１０７）する際、自己組織化単分子膜１３０とともに第１領域Ａ１から除去される。これにより、第２絶縁膜１４０を第２領域Ａ２に選択的に成膜することができる。即ち、第２絶縁膜１４０の成膜における選択性を向上させることができる。
また、実施形態に係る成膜方法において、自己組織化単分子膜１３０の形成（Ｓ１０３）、第２絶縁膜１４０の成膜（Ｓ１０４～Ｓ１０６）、自己組織化単分子膜１３０の除去（Ｓ１０７）を繰り返す。これにより、第１領域Ａ１の自己組織化単分子膜１３０の表面に形成されたＡｌＯ膜を除去することができるので、第２絶縁膜１４０の成膜における選択性を向上させることができる。
なお、前駆体ガスは、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を例に説明したが、これに限られるものではない。前駆体ガスは、トリアルキルアルミニウム、三ハロゲン化アルミニウム、アルコキシドのうち少なくとも一つを含んでいてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ 基板
１ 処理容器
２ 載置台（保持部）２
３ シャワーヘッド
４ 排気部
５ ガス供給部
８ ＲＦ電力供給部
９ 制御部
１１０ 金属膜
１１１ 自然酸化膜
１２０ 第１絶縁膜
１３０ 自己組織化単分子膜
１３１ 有機化合物
１３１ａ 主鎖
１３１ｂ 第１機能基
１３１ｃ 第２機能基
１４０ 第２絶縁膜
１５０ 金属膜
１ 処理容器
２ 載置台（保持部）２
３ シャワーヘッド
４ 排気部
５ ガス供給部
８ ＲＦ電力供給部
９ 制御部
１１０ 金属膜
１１１ 自然酸化膜
１２０ 第１絶縁膜
１３０ 自己組織化単分子膜
１３１ 有機化合物
１３１ａ 主鎖
１３１ｂ 第１機能基
１３１ｃ 第２機能基
１４０ 第２絶縁膜
１５０ 金属膜
Claims (11)
- 第１領域の表面に形成された金属膜と、第２領域の表面に形成された第１絶縁膜と、を有する基板を準備する工程と、
鎖部と、前記鎖部の一端に設けられた第１機能基と、前記鎖部の他端に設けられた第２機能基と、を有する有機化合物を含むガスを前記基板の表面に供給して、前記第１領域に前記有機化合物の自己組織化単分子膜を形成する工程と、
前駆体ガス及び反応ガスを前記基板の表面に供給して、前記第２領域に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第１領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、を有する、成膜方法。 - 前記第１機能基は、前記金属膜に選択的に吸着する官能基であり、
前記第２機能基は、前記前駆体ガスと吸着する官能基である、
請求項１に記載の成膜方法。 - 前記第１機能基は、チオール、カルボン酸、スルホン酸、リン酸、オレフィンのうち少なくとも一つを含む、
請求項１に記載の成膜方法。 - 前記第２機能基は、アルコール、カルボン酸、エステルのうち少なくとも一つを含む、
請求項１に記載の成膜方法。 - 前記第２機能基は、チオール、チオエステル、スルホン酸のうち少なくとも一つを含む、
請求項１に記載の成膜方法。 - 前記前駆体ガスは、トリメチルアルミニウム、トリアルキルアルミニウム、三ハロゲン化アルミニウム、アルコキシドのうち少なくとも一つを含む、
請求項１に記載の成膜方法。 - 前記鎖部は、アルキル鎖であり、該アルキル鎖の炭素数は３０以下である、
請求項１に記載の成膜方法。 - 前記アルキル鎖の炭素数は１０以下である、
請求項７に記載の成膜方法。 - 前記第２領域に第２絶縁膜を形成する工程は、
前記前駆体ガスを前記基板の表面に供給して、前記第２領域の前記第１絶縁膜の表面及び前記第１領域の前記自己組織化単分子膜の表面に有する前記第２機能基に吸着させる工程と、
前記反応ガスを前記基板の表面に供給して、前記前駆体ガスと反応させる工程と、を繰り返す、
請求項１に記載の成膜方法。 - 前記第１領域に前記自己組織化単分子膜を形成する工程と、前記第２領域に前記第２絶縁膜を形成する工程と、前記第１領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、を繰り返す、
請求項１に記載の成膜方法。 - 基板を保持する保持部と、
前記保持部を収容する処理容器と、
前記処理容器にガスを供給するガス供給部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
第１領域の表面に形成された金属膜と、第２領域の表面に形成された第１絶縁膜と、を有する基板を前記保持部に保持させる工程と、
鎖部と、前記鎖部の一端に設けられた第１機能基と、前記鎖部の他端に設けられた第２機能基と、を有する有機化合物を含むガスを前記基板の表面に供給して、前記第１領域に前記有機化合物の自己組織化単分子膜を形成する工程と、
前駆体ガス及び反応ガスを前記基板の表面に供給して、前記第２領域に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第１領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、実行可能に構成される、
基板処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022071107A JP2023160629A (ja) | 2022-04-22 | 2022-04-22 | 成膜方法及び基板処理装置 |
| PCT/JP2023/014772 WO2023204112A1 (ja) | 2022-04-22 | 2023-04-11 | 成膜方法及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022071107A JP2023160629A (ja) | 2022-04-22 | 2022-04-22 | 成膜方法及び基板処理装置 |
Publications (1)
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| JP2023160629A true JP2023160629A (ja) | 2023-11-02 |
Family
ID=88419974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022071107A Pending JP2023160629A (ja) | 2022-04-22 | 2022-04-22 | 成膜方法及び基板処理装置 |
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| WO2023204112A1 (ja) | 2023-10-26 |
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