JP2023160629A - 成膜方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】自己組織化単分子膜を用いて所望の領域に絶縁膜を選択的に形成する際の選択性を向上する成膜方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】第1領域の表面に形成された金属膜と、第2領域の表面に形成された第1絶縁膜と、を有する基板を準備する工程と、鎖部と、前記鎖部の一端に設けられた第1機能基と、前記鎖部の他端に設けられた第2機能基と、を有する有機化合物を含むガスを前記基板の表面に供給して、前記第1領域に前記有機化合物の自己組織化単分子膜を形成する工程と、前駆体ガス及び反応ガスを前記基板の表面に供給して、前記第2領域に第2絶縁膜を形成する工程と、前記第1領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、を有する、成膜方法。【選択図】図4

Description

本開示は、成膜方法及び基板処理装置に関する。
特許文献1には、第1領域の表面に形成された第1の金属製の金属層と、第2領域の表面に形成された絶縁層とを有する基板を準備する工程と、自己組織化膜の原料ガスを供給し、前記金属層の表面に自己組織化膜を形成する工程と、前記自己組織化膜を形成した後に、第2の金属を含有する前駆体ガスの供給と、酸化ガスの供給とを繰り返し、原子層堆積法により前記絶縁層の上に第2の金属の酸化膜を形成する工程と、前記酸化ガスの供給の後で前記前駆体ガスの供給の前に、還元ガスを供給して前記第1の金属の表面に形成された前記第1の金属の酸化膜を還元する工程とを含む、成膜方法が開示されている。
特開2021-125607号公報
本開示は、自己組織化単分子膜を用いて所望の領域に絶縁膜を選択的に形成する際の選択性を向上する成膜方法及び基板処理装置を提供する。
本開示の一態様による成膜方法は、第1領域の表面に形成された金属膜と、第2領域の表面に形成された第1絶縁膜と、を有する基板を準備する工程と、鎖部と、前記鎖部の一端に設けられた第1機能基と、前記鎖部の他端に設けられた第2機能基と、を有する有機化合物を含むガスを前記基板の表面に供給して、前記第1領域に前記有機化合物の自己組織化単分子膜を形成する工程と、前駆体ガス及び反応ガスを前記基板の表面に供給して、前記第2領域に第2絶縁膜を形成する工程と、前記第1領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、を有する。
本開示によれば、自己組織化単分子膜を用いて所望の領域に絶縁膜を選択的に形成する際の選択性を向上する成膜方法及び基板処理装置を提供することができる。
実施形態の成膜装置の一例を示す概略断面図。 成膜方法の一例を示すフローチャート。 各工程での基板の状態を示す断面模式図の一例。 実施形態に係る自己組織化膜を説明する断面模式図の一例。 参考例に係る自己組織化膜を説明する断面模式図の一例。
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
実施形態の成膜装置の一例について、図1を用いて説明する。図1は、実施形態の成膜装置の一例を示す概略断面図である。成膜装置は、処理容器1、載置台(保持部)2、シャワーヘッド3、排気部4、ガス供給部5、RF電力供給部8、制御部9等を有する。
処理容器1は、アルミニウム等の金属により構成され、略円筒状を有している。処理容器1は、ウエハ等の基板Wを収容する。処理容器1の側壁には、基板Wを搬入又は搬出するための搬入出口11が形成されている。搬入出口11は、ゲートバルブ12により開閉される。処理容器1の本体の上には、断面が矩形状をなす円環状の排気ダクト13が設けられている。排気ダクト13には、内周面に沿ってスリット13aが形成されている。排気ダクト13の外壁には、排気口13bが形成されている。排気ダクト13の上面には、絶縁体部材16を介して処理容器1の上部開口を塞ぐように天壁14が設けられている。排気ダクト13と絶縁体部材16との間はシールリング15で気密に封止されている。区画部材17は、載置台2(及びカバー部材22)が後述する処理位置へと上昇した際、処理容器1の内部を上下に区画する。
載置台2は、処理容器1内で基板Wを水平に支持(保持)する。載置台2は、基板Wに対応した大きさの円板状に形成されており、支持部材23に支持されている。載置台2は、AlN等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料で形成されており、内部に基板Wを加熱するためのヒータ21が埋め込まれている。ヒータ21は、ヒータ電源(図示せず)から給電されて発熱する。そして、載置台2の上面の近傍に設けられた熱電対(図示せず)の温度信号によりヒータ21の出力を制御することで、基板Wが所定の温度に制御される。載置台2には、上面の外周領域及び側面を覆うようにアルミナ等のセラミックスにより形成されたカバー部材22が設けられている。
載置台2の底面には、載置台2を支持する支持部材23が設けられている。支持部材23は、載置台2の底面の中央から処理容器1の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器1の下方に延び、その下端が昇降機構24に接続されている。昇降機構24により載置台2が支持部材23を介して、図1で示す処理位置と、その下方の二点鎖線で示す基板Wの搬送が可能な搬送位置との間で昇降する。支持部材23の処理容器1の下方には、鍔部25が取り付けられている。処理容器1の底面と鍔部25との間には、ベローズ26が設けられている。ベローズ26は、処理容器1内の雰囲気を外気と区画し、載置台2の昇降動作にともなって伸縮する。
処理容器1の底面の近傍には、昇降板27aから上方に突出するように3本(2本のみ図示)のウエハ支持ピン27が設けられている。ウエハ支持ピン27は、処理容器1の下方に設けられた昇降機構28により昇降板27aを介して昇降する。ウエハ支持ピン27は、搬送位置にある載置台2に設けられた貫通孔2aに挿通されて載置台2の上面に対して突没可能となっている。ウエハ支持ピン27を昇降させることにより、搬送機構(図示せず)と載置台2との間で基板Wの受け渡しが行われる。
シャワーヘッド3は、処理容器1内に処理ガスをシャワー状に供給する。シャワーヘッド3は、金属製であり、載置台2に対向するように設けられており、載置台2とほぼ同じ直径を有している。シャワーヘッド3は、本体部31及びシャワープレート32を有する。本体部31は、処理容器1の天壁14に固定されている。シャワープレート32は、本体部31の下に接続されている。本体部31とシャワープレート32との間には、ガス拡散空間33が形成されている。ガス拡散空間33には、処理容器1の天壁14及び本体部31の中央を貫通するようにガス導入孔36が設けられている。シャワープレート32の周縁部には下方に突出する環状突起部34が形成されている。環状突起部34の内側の平坦部には、ガス吐出孔35が形成されている。載置台2が処理位置に存在した状態では、載置台2とシャワープレート32との間に処理空間38が形成され、カバー部材22の上面と環状突起部34とが近接して環状隙間39が形成される。
排気部4は、処理容器1の内部を排気する。排気部4は、排気口13bに接続された排気配管41と、排気配管41に接続された真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気機構42とを有する。処理に際しては、処理容器1内のガスがスリット13aを介して排気ダクト13に至り、排気ダクト13から排気配管41を通って排気機構42により排気される。
ガス供給部5は、シャワーヘッド3に各種の処理ガスを供給する。ガス供給部5は、ガス源51及びガスライン52を含む。ガス源51は、例えば各種の処理ガスの供給源、マスフローコントローラ、バルブ(いずれも図示せず)を含む。各種の処理ガスは、ガス源51からガスライン52及びガス導入孔36を介してガス拡散空間33に導入される。
また、成膜装置は、容量結合プラズマ装置であって、載置台2が下部電極として機能し、シャワーヘッド3が上部電極として機能する。載置台2は、コンデンサ(図示せず)を介して接地されている。ただし、載置台2は、例えばコンデンサを介さずに接地されていてもよく、コンデンサとコイルを組み合わせた回路を介して接地されていてもよい。シャワーヘッド3は、RF電力供給部8に接続されている。
RF電力供給部8は、高周波電力(以下、「RF電力」ともいう。)をシャワーヘッド3に供給する。RF電力供給部8は、RF電源81、整合器82及び給電ライン83を有する。RF電源81は、RF電力を発生する電源である。RF電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。RF電力の周波数は、例えば低周波数帯の450KHzからマイクロ波帯の2.45GHzの範囲内の周波数である。RF電源81は、整合器82及び給電ライン83を介してシャワーヘッド3の本体部31に接続されている。整合器82は、RF電源81の内部インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるための回路を有する。なお、RF電力供給部8は、上部電極となるシャワーヘッド3にRF電力を供給するものとして説明したが、これに限られるものではない。下部電極となる載置台2にRF電力を供給する構成であってもよい。
制御部9は、例えばコンピュータであり、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、補助記憶装置等を備える。CPUは、ROM又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、成膜装置の動作を制御する。制御部9は、成膜装置の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御部9が成膜装置の外部に設けられている場合、制御部9は、有線又は無線等の通信手段によって、成膜装置を制御できる。
次に、実施形態の成膜方法の一例について、図2及び図3を用いて説明する。図2は、成膜方法の一例を示すフローチャートである。図3は、各工程での基板Wの状態を示す断面模式図の一例である。
ステップS101において、制御部9は、基板Wを準備する。ここで、準備された基板Wの断面模式図の一例を図3(a)に示す。基板Wは、第1領域A1及び第2領域A2を有する。第1領域A1には、金属膜110が形成されている。金属膜110は、例えば、銅(Cu)膜、ルテニウム(Ru)膜等の導電膜である。また、金属膜110の表面には、自然酸化膜111が形成されている。第2領域A2には、絶縁膜である第1絶縁膜120が形成されている。第1絶縁膜120は、例えば、ばケイ素(Si)を含む絶縁材料であり、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素、又は酸炭窒化ケイ素等である。制御部9は、昇降機構24を制御して載置台2を搬送位置に下降させた状態で、ゲートバルブ12を開く。続いて、搬送アーム(図示せず)により、搬入出口11を介して処理容器1内に基板Wを搬入し、ヒータ21により所定の温度(例えば600℃以下)に加熱された載置台2上に載置する。続いて、制御部9は、昇降機構24を制御して載置台2を処理位置まで上昇させ、排気機構42により処理容器1内を所定の真空度まで減圧する。
ステップS102において、制御部9は、後述する自己組織化単分子膜130の形成や第2絶縁膜140の形成のための下地処理(前処理)を行う。ステップS102の下地処理は、例えば、基板Wの表面に形成された自然酸化膜の除去や汚染物質の除去を含む。また、例えば、基板Wの表面に形成された自然酸化膜の除去や汚染物質の除去した後の表面を改質する処理を含む。例えば、ステップS102において、制御部9は、基板Wの自然酸化膜111を除去する処理を施す。例えば、処理容器1内に還元ガス(例えば、水素、アルコール等)を供給して基板Wを、例えば、200℃で加熱することにより、金属膜110の表面に形成された自然酸化膜111を除去する。これにより、図3(b)に示すように、金属膜110の表面から自然酸化膜111が除去される。
ステップS103において、制御部9は、自己組織化単分子膜130を形成する。例えば、処理容器1内に有機化合物131(後述する図4参照)ガスを供給する。有機化合物131は、主鎖(鎖部)131aと、主鎖131aの一端に形成される第1機能基131bと、主鎖131aの他端に形成される第2機能基131cと、を有する。
主鎖131aは、炭素(C)が連なって形成される。主鎖131aは、例えば、アルキル鎖で形成される。
第1機能基131bは、金属膜110に対して選択的に吸着(結合)する官能基である。第1機能基131bは、例えば、チオール、カルボン酸、スルホン酸、リン酸、オレフィン等のうち少なくとも一つを含む。
第2機能基131cは、後述する前駆体ガスを吸着(結合)する官能基である。また、第2機能基131cは、第1機能基131bと比較して、金属膜110に対する吸着が等しい又は小さい官能基である。第2機能基131cは、酸素(O)を含有する官能基であってよい。酸素(O)を含有する官能基である場合、第2機能基131cは、例えばアルコール、カルボン酸、エステル等のうち少なくとも一つを含む。また、第2機能基131cは、硫黄(S)を含有する官能基であってよい。硫黄(S)を含有する官能基である場合、第2機能基131cは、例えばチオール、チオエステル、スルホン酸等のうち少なくとも一つを含む。また、第1機能基131bと第2機能基131cとは、同じ官能基であってもよい。
これにより、後述する図4に示すように、有機化合物131の第1機能基131bが金属膜110の表面に吸着し、有機化合物131間の相互作用によって有機化合物131が配向することで、自己組織化単分子膜(SAM:Self-Assembled Monolayer)130を形成する。これにより、図3(c)に示すように、金属膜110の表面に自己組織化単分子膜130を形成する。また、図4に示すように、金属膜110と自己組織化単分子膜130との界面側に有機化合物131の第1機能基131bが配置され、自己組織化単分子膜130の表面側に有機化合物131の第2機能基131cが配置される。
一方、第1絶縁膜120(及び後述する第2絶縁膜140)に対しては、有機化合物131の第1機能基131b及び第2機能基131cが吸着することが抑制される。これにより、金属膜110の上に選択的に自己組織化単分子膜130が形成される。
なお、有機化合物131の主鎖131aは、アルキル鎖であって、アルキル鎖の炭素原子の数nは、30以下が好ましい(n≦30)。有機化合物131の主鎖131aが長いと、主鎖131aが屈曲して第1機能基131b及び第2機能基131cが金属膜110の表面に吸着されるおそれがある。これに対し、アルキル鎖の炭素原子の数nを30以下とすることにより、第1機能基131bが金属膜110の表面に吸着し、第2機能基131cが金属膜110の表面に吸着せず、有機化合物131間の相互作用によって有機化合物131を配向させ、自己組織化単分子膜130を好適に形成することができる。
また、有機化合物131の主鎖131aは、アルキル鎖であって、アルキル鎖の炭素原子の数nは、10以下がより好ましい(n≦10)。これにより、有機化合物131の第2機能基131cがより金属膜110の表面近傍に現れるため、前駆体ガスとしてのTMA分子200(後述する図4参照)のトラップを促進することができる。
次に、制御部9は、ALD(Atomic Layer Deposition)プロセスによって、第2領域A2の第1絶縁膜120の上に第2絶縁膜140を形成する(S104~S106)。
ステップS104において、制御部9は、第2絶縁膜140の前駆体(プリカーサ)ガスを供給する。ここでは、第2絶縁膜140の前駆体ガスとして、TMA(トリメチルアルミニウム)ガスを供給する。これにより、第2領域A2の第1絶縁膜120の表面にTMAが吸着して吸着層を形成する。一方、第1領域A1には、金属膜110の上に自己組織化単分子膜130が形成されており、前駆体ガスが金属膜110の表面に吸着することを抑制する。即ち、金属膜110の上に形成された自己組織化単分子膜130は、金属膜110の上に前駆体ガスが吸着することをブロックするブロック膜として機能する。
次に、ステップS105において、制御部9は、第2絶縁膜140の前駆体と反応する反応ガスを供給する。ここでは、第2絶縁膜140の反応ガスとして、HOガスを供給する。これにより、第1絶縁膜120の表面に吸着したTMAが反応して、第2領域A2にAlO層(Al層)が形成される。
次に、ステップS106において、制御部9は、ステップS301及びステップS302の処理を1サイクルとして、所定のサイクル数を繰り返したか否かを判定する(ALDサイクル終了?)。所定のサイクル数を繰り返していない場合(S106・NO)、制御部9の処理はステップS104に戻る。所定のサイクル数を繰り返した場合(S106・YES)、制御部9の処理は、ステップS107に進む。
このように、第2絶縁膜140の前駆体ガスを供給する工程(S104)と、第2絶縁膜140の反応ガスを供給する工程(S105)とを、1サイクルとして、ALDサイクルを複数サイクル繰り返す(S106)。これにより、図3(d)に示すように、第2領域A2の第1絶縁膜120の上にALDプロセスでAlO膜を成膜して、第2絶縁膜140を形成する。また、金属膜110の上に形成された自己組織化単分子膜130は、金属膜110の上に第2絶縁膜140が成膜されることをブロックするブロック膜として機能する。
ステップS107において、制御部9は、エッチングにより、自己組織化単分子膜130を除去する。これにより、図3(e)に示すように、第1領域A1に形成された自己組織化単分子膜130が除去される。
ステップS108において、制御部9は、所定の繰り返し回数を経過したか否かを判定する。所定の繰り返し回数を経過していない場合(S108・NO)、制御部9の処理はステップS103に戻る。所定の繰り返し回数を経過した場合(S108・YES)、制御部9の処理は、ステップS109に進む。
これにより、第1領域A1への自己組織化単分子膜130の形成(S103)、第2領域A2への第2絶縁膜140の成膜(S104~S106)、第1領域A1の自己組織化単分子膜130の除去(S107)を繰り返すことで、第2領域A2に選択的に第2絶縁膜140を成膜することができる。
ステップS109において、制御部9は、金属膜150を成膜する。これにより、図3(f)に示すように、第1領域A1の金属膜110の上に金属膜150が形成される。
次に、自己組織化単分子膜について、図4及び図5を用いてさらに説明する。図4は、実施形態に係る自己組織化単分子膜130を説明する断面模式図の一例である。図5は、参考例に係る自己組織化単分子膜130Cを説明する断面模式図の一例である。
ここで、参考例に係る成膜方法において、ステップS103において自己組織化単分子膜130を形成する際に供給する有機化合物ガスが異なっている。具体的には、図5に示すように、制御部9は、処理容器1内に有機化合物132ガスを供給して、自己組織化単分子膜130Cを形成する。有機化合物132ガスは、主鎖132a及び機能基132bを有する。ここで、主鎖132aは、炭素(C)が連なって形成される。機能基132bは、金属膜110に対して選択的に吸着する官能基である。その他は、図2に示す実施形態に係る成膜方法と同様である。
参考例に係る成膜方法において、図5に示すように、有機化合物132の機能基132bが金属膜110の表面に吸着し、有機化合物132間の相互作用によって配向することで、自己組織化単分子膜130Cを形成する。ここで、自己組織化単分子膜130Cは、有機化合物132間に空隙135を有する。このため、前駆体ガスとしてのTMA分子200が空隙135を介して自己組織化単分子膜130C内に侵入し、TMA分子200が金属膜110の表面(金属膜110と自己組織化単分子膜130Cの界面)に到達して、TMA分子200が金属膜110の表面に吸着するおそれがある。また、前駆体ガス(TMA)は、反応性が高いため、ALDプロセス(ステップS104~S106)のサイクルを繰り返すことにより、金属膜110の表面(金属膜110と自己組織化単分子膜130Cの界面)に吸着したTMA分子200を起点として、金属膜110と自己組織化単分子膜130Cの界面にAlO膜が形成されるおそれがある。また、金属膜110と自己組織化単分子膜130Cの界面に形成されたAlO膜は、自己組織化単分子膜130Cを除去(ステップS107)しても金属膜110の表面に残存するおそれがある。これにより、第2絶縁膜140の成膜における選択性が低下するおそれがある。
これに対し、実施形態に係る成膜方法において、図4に示すように、有機化合物131の第1機能基131bが金属膜110の表面に吸着し、有機化合物132間の相互作用によって配向することで、自己組織化単分子膜130を形成する。ここで、自己組織化単分子膜130は、有機化合物132間に空隙135を有する。ここで、空隙135の上方側(自己組織化単分子膜130の表面側)には、有機化合物131の第2機能基131cが配置される。これにより、前駆体ガスとしてのTMA分子200は、空隙135に侵入して金属膜110と自己組織化単分子膜130Cの界面に向かう前に、第2機能基131cと吸着して、トラップされる。これにより、前駆体ガスとしてのTMA分子200が空隙135を介して自己組織化単分子膜130C内に侵入することを抑制する。また、金属膜110と自己組織化単分子膜130の界面にTMA分子200が吸着することを抑制する。また、金属膜110と自己組織化単分子膜130の界面にAlO膜が形成されることを抑制する。
また、実施形態に係る成膜方法において、自己組織化単分子膜130の表面には、第2機能基131cでトラップされたTMA分子200を起点として、AlO膜が形成される。しかしながら、第2領域A2の第1絶縁膜120の上に成膜される第2絶縁膜140の成膜量と比較して、第1領域A1の自己組織化単分子膜130の上に成膜される、AlO膜の成膜量は、小さくなる。このため、自己組織化単分子膜130の表面に形成されたAlO膜は、自己組織化単分子膜130を除去(S107)する際、自己組織化単分子膜130とともに第1領域A1から除去される。これにより、第2絶縁膜140を第2領域A2に選択的に成膜することができる。即ち、第2絶縁膜140の成膜における選択性を向上させることができる。
また、実施形態に係る成膜方法において、自己組織化単分子膜130の形成(S103)、第2絶縁膜140の成膜(S104~S106)、自己組織化単分子膜130の除去(S107)を繰り返す。これにより、第1領域A1の自己組織化単分子膜130の表面に形成されたAlO膜を除去することができるので、第2絶縁膜140の成膜における選択性を向上させることができる。
なお、前駆体ガスは、TMA(トリメチルアルミニウム)を例に説明したが、これに限られるものではない。前駆体ガスは、トリアルキルアルミニウム、三ハロゲン化アルミニウム、アルコキシドのうち少なくとも一つを含んでいてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
W 基板
1 処理容器
2 載置台(保持部)2
3 シャワーヘッド
4 排気部
5 ガス供給部
8 RF電力供給部
9 制御部
110 金属膜
111 自然酸化膜
120 第1絶縁膜
130 自己組織化単分子膜
131 有機化合物
131a 主鎖
131b 第1機能基
131c 第2機能基
140 第2絶縁膜
150 金属膜

Claims (11)

  1. 第1領域の表面に形成された金属膜と、第2領域の表面に形成された第1絶縁膜と、を有する基板を準備する工程と、
    鎖部と、前記鎖部の一端に設けられた第1機能基と、前記鎖部の他端に設けられた第2機能基と、を有する有機化合物を含むガスを前記基板の表面に供給して、前記第1領域に前記有機化合物の自己組織化単分子膜を形成する工程と、
    前駆体ガス及び反応ガスを前記基板の表面に供給して、前記第2領域に第2絶縁膜を形成する工程と、
    前記第1領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、を有する、成膜方法。
  2. 前記第1機能基は、前記金属膜に選択的に吸着する官能基であり、
    前記第2機能基は、前記前駆体ガスと吸着する官能基である、
    請求項1に記載の成膜方法。
  3. 前記第1機能基は、チオール、カルボン酸、スルホン酸、リン酸、オレフィンのうち少なくとも一つを含む、
    請求項1に記載の成膜方法。
  4. 前記第2機能基は、アルコール、カルボン酸、エステルのうち少なくとも一つを含む、
    請求項1に記載の成膜方法。
  5. 前記第2機能基は、チオール、チオエステル、スルホン酸のうち少なくとも一つを含む、
    請求項1に記載の成膜方法。
  6. 前記前駆体ガスは、トリメチルアルミニウム、トリアルキルアルミニウム、三ハロゲン化アルミニウム、アルコキシドのうち少なくとも一つを含む、
    請求項1に記載の成膜方法。
  7. 前記鎖部は、アルキル鎖であり、該アルキル鎖の炭素数は30以下である、
    請求項1に記載の成膜方法。
  8. 前記アルキル鎖の炭素数は10以下である、
    請求項7に記載の成膜方法。
  9. 前記第2領域に第2絶縁膜を形成する工程は、
    前記前駆体ガスを前記基板の表面に供給して、前記第2領域の前記第1絶縁膜の表面及び前記第1領域の前記自己組織化単分子膜の表面に有する前記第2機能基に吸着させる工程と、
    前記反応ガスを前記基板の表面に供給して、前記前駆体ガスと反応させる工程と、を繰り返す、
    請求項1に記載の成膜方法。
  10. 前記第1領域に前記自己組織化単分子膜を形成する工程と、前記第2領域に前記第2絶縁膜を形成する工程と、前記第1領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、を繰り返す、
    請求項1に記載の成膜方法。
  11. 基板を保持する保持部と、
    前記保持部を収容する処理容器と、
    前記処理容器にガスを供給するガス供給部と、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    第1領域の表面に形成された金属膜と、第2領域の表面に形成された第1絶縁膜と、を有する基板を前記保持部に保持させる工程と、
    鎖部と、前記鎖部の一端に設けられた第1機能基と、前記鎖部の他端に設けられた第2機能基と、を有する有機化合物を含むガスを前記基板の表面に供給して、前記第1領域に前記有機化合物の自己組織化単分子膜を形成する工程と、
    前駆体ガス及び反応ガスを前記基板の表面に供給して、前記第2領域に第2絶縁膜を形成する工程と、
    前記第1領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、実行可能に構成される、
    基板処理装置。
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