JP4088686B2 - 自己組織化分子膜で被覆された金属、その製造方法及びそれを用いた摩擦低減方法 - Google Patents
自己組織化分子膜で被覆された金属、その製造方法及びそれを用いた摩擦低減方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4088686B2 JP4088686B2 JP2003287078A JP2003287078A JP4088686B2 JP 4088686 B2 JP4088686 B2 JP 4088686B2 JP 2003287078 A JP2003287078 A JP 2003287078A JP 2003287078 A JP2003287078 A JP 2003287078A JP 4088686 B2 JP4088686 B2 JP 4088686B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular film
- self
- metal
- general formula
- represented
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 30
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- HDFRDWFLWVCOGP-UHFFFAOYSA-N carbonothioic O,S-acid Chemical compound OC(S)=O HDFRDWFLWVCOGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 claims description 8
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 copper carboxylate Chemical class 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 claims 1
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 16
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N octadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCS QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TZVOTYCXLFYAPY-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylhexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC(S)C(O)=O TZVOTYCXLFYAPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 2
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- INOAASCWQMFJQA-UHFFFAOYSA-N 16-sulfanylhexadecanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCS INOAASCWQMFJQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
本発明は、金属表面にお互いに結合した多層の分子膜を設けることによる金属表面改質、潤滑、摩擦、及び摩耗に関する技術を提供する。
より詳しくは、組織化された多層の分子膜を金属表面に設けることによる組織化分子膜で被覆された金属、その製造方法及びこれを用いる摩擦低減方法を提供する。
より詳しくは、組織化された多層の分子膜を金属表面に設けることによる組織化分子膜で被覆された金属、その製造方法及びこれを用いる摩擦低減方法を提供する。
これまでは一般的にアルカンチオールと呼ばれている分子を金属表面に並べて、自己組織化単分子膜を形成してきたが摩擦係数が0.2-0.4以上であり、これ以上小さな摩擦係数は得られなかった(非特許文献１）。また、多層の分子膜については、メルカプトカルボン酸と銅イオンを用いて多層の分子膜を形成する方法が報告されているが、メルカプトカルボン酸の二層膜では、小さな摩擦係数は得られなかった(非特許文献２参照）。
M. Nakano et al. Jpn. J. Appl. Phys.42(2003)4734 S.D. Evans et al. J. Am. Chem. Soc. 113 (1991)5866
M. Nakano et al. Jpn. J. Appl. Phys.42(2003)4734 S.D. Evans et al. J. Am. Chem. Soc. 113 (1991)5866
本発明においては、金属の表面に組織化された複数の分子膜の被膜を設けて、金属表面の摩擦の改善を行うべく研究を続けたところ、組織化された分子膜のうち、特定の組み合わせにおいて、摩擦係数が著しく小さくなることを見出し、本発明を完成させるに至った。
これまでは一般的にアルカンチオールの分子を金属表面に並べて、自己組織化単分子膜を形成してきたが、摩擦係数が0.2-0.4以上と大きく、この課題を解決すべく、単分子膜の上に更に２層目の単分子層を形成して、この層を柔軟な層として摩擦係数を低減することを提案する。
すなわち、金属表面に、図1に示すように一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（式中、ｎは３〜３０の整数である。）で表わされるメルカプトカルボン酸の分子膜を有し、その上に、一層目と二層目の結合のためのCuイオン、さらにその上に、一般式ＨＳ−Ｒ（式中、Ｒは炭素数５〜３０のアルキル基を表わす。）で表わされるアルキルチオールが結合した分子膜を有する自己組織化分子膜（SAM（Self-Assembled Monolayer）で被覆された金属である。
また、本発明は、金属を、図１に示すように一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（式中、ｎは３〜３０の整数である。）で表わされるメルカプトカルボン酸のアルコール溶液に浸漬し２〜７２時間放置し、続いて、一般式Ｃｕ−（ＣＯＯＨ）２で表わされるカルボン酸銅のアルコール溶液に１〜３０分浸漬し、さらに、一般式ＨＳ−Ｒ（式中、Ｒは炭素数５〜３０のアルキル基を表わす。）で表わされるアルキルチオールのアルコール溶液に、浸漬し２〜７２時間放置する自己組織化分子膜（SAM（Self-Assembled Monolayer）で被覆された金属の製造方法である。
さらに、本発明は、金属表面に、図１に示すように一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（式中、ｎは３〜３０の整数である。）で表わされるメルカプトカルボン酸の分子膜を有し、その上に一層目と二層目の結合のためのCuイオン、さらにその上に、一般式ＨＳ−Ｒ（式中、Ｒは炭素数５〜３０のアルキル基を表わす。）で表わされるアルキルチオールが結合した分子膜を有する自己組織化分子膜（SAM（Self-Assembled Monolayer）で被覆された金属を用いる摩擦低減方法でもある。
すなわち、金属表面に、図1に示すように一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（式中、ｎは３〜３０の整数である。）で表わされるメルカプトカルボン酸の分子膜を有し、その上に、一層目と二層目の結合のためのCuイオン、さらにその上に、一般式ＨＳ−Ｒ（式中、Ｒは炭素数５〜３０のアルキル基を表わす。）で表わされるアルキルチオールが結合した分子膜を有する自己組織化分子膜（SAM（Self-Assembled Monolayer）で被覆された金属である。
また、本発明は、金属を、図１に示すように一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（式中、ｎは３〜３０の整数である。）で表わされるメルカプトカルボン酸のアルコール溶液に浸漬し２〜７２時間放置し、続いて、一般式Ｃｕ−（ＣＯＯＨ）２で表わされるカルボン酸銅のアルコール溶液に１〜３０分浸漬し、さらに、一般式ＨＳ−Ｒ（式中、Ｒは炭素数５〜３０のアルキル基を表わす。）で表わされるアルキルチオールのアルコール溶液に、浸漬し２〜７２時間放置する自己組織化分子膜（SAM（Self-Assembled Monolayer）で被覆された金属の製造方法である。
さらに、本発明は、金属表面に、図１に示すように一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（式中、ｎは３〜３０の整数である。）で表わされるメルカプトカルボン酸の分子膜を有し、その上に一層目と二層目の結合のためのCuイオン、さらにその上に、一般式ＨＳ−Ｒ（式中、Ｒは炭素数５〜３０のアルキル基を表わす。）で表わされるアルキルチオールが結合した分子膜を有する自己組織化分子膜（SAM（Self-Assembled Monolayer）で被覆された金属を用いる摩擦低減方法でもある。
本発明により、組織化分子膜を利用することで摩擦係数を自己組織化単分子膜より低い0.15と言う値を達成することができた。
本発明で用いる金属は、金、銀、銅、パラジウム及びその合金から選ばれる金属であり、これらの金属は、自己組織化単分子膜の基板として用いられている金属として知られている。
さらに、本発明においては、メルカプトカルボン酸が、一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨにおいて、n＝１０〜１６の場合が好ましい。
さらに、本発明においては、メルカプトカルボン酸が、一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨにおいて、n＝１０〜１６の場合が好ましい。
本発明において、用いるメルカプトカルボン酸としては、具体的にはとくに、メルカプトヘキサデカン酸が好ましく用いられる。
本発明において用いるアルキルチオールとしては、とくに、オクタデカンチオールが好ましく用いられる。
本発明において用いるアルキルチオールとしては、とくに、オクタデカンチオールが好ましく用いられる。
本発明において、一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（式中、ｎは３〜３０の整数である。）で表わされるメルカプトカルボン酸のアルコール溶液に浸漬し、２〜７２時間放置するが、放置する温度は室温であり、放置する時間は１６〜３２時間が好ましい。
本発明において、一般式Ｃｕ−（ＣＯＯＨ）２で表わされるカルボン酸銅のアルコール溶液に１〜３０分浸漬するが、浸漬する温度はおよそ室温であり、浸漬時間は１5分が好ましい。
本発明において、ＨＳ−Ｒ（式中、Ｒは炭素数５〜３０のアルキル基を表わす。）で表わされるアルキルチオールのアルコール溶液に、浸漬し２〜７２時間放置するが、放置する温度は室温であり、放置する時間は１６〜３２時間が好ましい。
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はそれらの実施例のみに限定されるものではない。
（実施例１）
次の手順により、二層構造の自己組織化膜の形成を行った。
初めに、一層目の自己組織化膜形成のため、有機硫黄化合物の一種である、メルカプトヘキサデカン酸（HS(CH2)15COOH、以後MHDAと略す）をエタノール中に1mMの濃度に希釈した溶液中に金基板を24時間浸漬した。
続いて、一層目と二層目の分子の結合に用いる金属イオンの供給のため、酢酸銅（(CH3COO)2Cu）をエタノール中に1 mMの濃度に希釈した溶液に、一層目を形成した金基板を5分間浸漬させる。
次に酢酸銅溶液から取り出した金基板をオクタデカンチオールをエタノール中に1 mMの濃度に希釈した溶液中に24時間浸漬し、自己組織化二分子膜を生成させた。
（比較例1）
（実施例１）
次の手順により、二層構造の自己組織化膜の形成を行った。
初めに、一層目の自己組織化膜形成のため、有機硫黄化合物の一種である、メルカプトヘキサデカン酸（HS(CH2)15COOH、以後MHDAと略す）をエタノール中に1mMの濃度に希釈した溶液中に金基板を24時間浸漬した。
続いて、一層目と二層目の分子の結合に用いる金属イオンの供給のため、酢酸銅（(CH3COO)2Cu）をエタノール中に1 mMの濃度に希釈した溶液に、一層目を形成した金基板を5分間浸漬させる。
次に酢酸銅溶液から取り出した金基板をオクタデカンチオールをエタノール中に1 mMの濃度に希釈した溶液中に24時間浸漬し、自己組織化二分子膜を生成させた。
（比較例1）
自己組織化二分子膜と比較するため、オクタデカンチオール（CH3(CH2)17SH、以後C18と略する）自己組織化膜（SAM（Self-Assembled Monolayer）も同様に評価した。C18 SAM作成方法は、室温でC18をエタノール中に1 mMの濃度に希釈した溶液中に金基板を24時間浸漬し、SAMを生成させたものである。
（組織化分子膜の確認）
（組織化分子膜の確認）
まず、得られた二層構造SAM試料のX線光電子スペクトル（XPS）を測定した。その結果、C(1s)領域（束縛エネルギー284.6eV）およびS(2p)領域(162eV）に金に吸着した分子の硫黄に由来するピークが検出された。比較に用いた、C18 SAMとC(1s)/Au(4f)比を比較することで、二層膜の形成を確認した。
（摩擦係数の測定）
得られた試料の摩擦測定をピン・オン・プレート摩擦試験器によって行った。荷重は30 mN、摩擦速度は1 mm/s (0.2 Hz)、ピンにはSUS304をDLC (Diamond-Like Carbon) コートしたものを用いた。摩擦係数を調べたところ、およそ30分間、0.1-0.15の摩擦係数を保った。同じ条件で、比較対象のC18SAMについて調べたところ、0.2-0.4の摩擦係数であった。
得られた試料の摩擦測定をピン・オン・プレート摩擦試験器によって行った。荷重は30 mN、摩擦速度は1 mm/s (0.2 Hz)、ピンにはSUS304をDLC (Diamond-Like Carbon) コートしたものを用いた。摩擦係数を調べたところ、およそ30分間、0.1-0.15の摩擦係数を保った。同じ条件で、比較対象のC18SAMについて調べたところ、0.2-0.4の摩擦係数であった。
（測定結果の考察）
次に、摩擦試験後の二層構造のSAMにおいて、摩耗痕上でXPS測定を行った結果、C(1s)ピークの強度が摩擦前と比べて減少していた。しかし、単層構造のC18 SAMよりも強いピーク強度を示したことから、2層目の分子が動くことで、摩擦係数の低減が実現されたものと結論した。
次に、摩擦試験後の二層構造のSAMにおいて、摩耗痕上でXPS測定を行った結果、C(1s)ピークの強度が摩擦前と比べて減少していた。しかし、単層構造のC18 SAMよりも強いピーク強度を示したことから、2層目の分子が動くことで、摩擦係数の低減が実現されたものと結論した。
本発明の組織化分子膜で被覆された金属は、あらゆる摺動部材に適用することが出来るが、とくに、微小なマシンの摺動部材として有望である。
Claims (5)
- 金属表面に、一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（式中、ｎは３〜３０の整数である。）で表わされるメルカプトカルボン酸の分子膜を有し、その上に、一層目と二層目の結合のためのCuイオン、さらにその上に、一般式ＨＳ−Ｒ（式中、Ｒは炭素数５〜３０のアルキル基を表わす。）で表わされるアルキルチオールが結合した分子膜を有する自己組織化分子膜で被覆された金属。
- 金属が、金、銀、銅、パラジウム及びその合金から選ばれる金属である請求項１に記載した自己組織化分子膜で被覆された金属。
- メルカプトカルボン酸が、n＝１０〜１６である請求項１又は請求項２に記載した自己組織化分子膜で被覆された金属。
- 金属を、一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（式中、ｎは３〜３０の整数である。）で表わされるメルカプトカルボン酸のアルコール溶液に浸漬し、２〜７２時間放置し、続いて、一般式Ｃｕ−（ＣＯＯＨ）２で表わされるカルボン酸銅のアルコール溶液に１〜３０分浸漬し、さらに、一般式ＨＳ−Ｒ（式中、Ｒは炭素数５〜３０のアルキル基を表わす。）で表わされるアルキルチオールのアルコール溶液に浸漬し、２〜７２時間放置する自己組織化分子膜で被覆された金属の製造方法。
- 金属表面に、一般式ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（式中、ｎは３〜３０の整数である。）で表わされるメルカプトカルボン酸の分子膜を有し、一層目と二層目の結合のためのCuイオン、さらにその上に、一般式ＨＳ−Ｒ（式中、Ｒは炭素数５〜３０のアルキル基を表わす。）で表わされるアルキルチオールが結合した分子膜を有する自己組織化分子膜で被覆された金属を用いる摩擦低減方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003287078A JP4088686B2 (ja) | 2003-08-05 | 2003-08-05 | 自己組織化分子膜で被覆された金属、その製造方法及びそれを用いた摩擦低減方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003287078A JP4088686B2 (ja) | 2003-08-05 | 2003-08-05 | 自己組織化分子膜で被覆された金属、その製造方法及びそれを用いた摩擦低減方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005053116A JP2005053116A (ja) | 2005-03-03 |
| JP4088686B2 true JP4088686B2 (ja) | 2008-05-21 |
Family
ID=34366193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003287078A Expired - Lifetime JP4088686B2 (ja) | 2003-08-05 | 2003-08-05 | 自己組織化分子膜で被覆された金属、その製造方法及びそれを用いた摩擦低減方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4088686B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4863645B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2012-01-25 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 分子マクロクラスターの形成方法と高分子薄膜の製造方法 |
| JP5445886B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2014-03-19 | 静岡県 | 改質された固体表面を形成する方法および改質された固体表面 |
| JP7486321B2 (ja) | 2020-02-14 | 2024-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| JP2023160629A (ja) * | 2022-04-22 | 2023-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び基板処理装置 |
| WO2023210285A1 (ja) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | 株式会社ダイセル | 接合体、及び、接合体の製造方法 |
-
2003
- 2003-08-05 JP JP2003287078A patent/JP4088686B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005053116A (ja) | 2005-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mekhalif et al. | Elaboration of self-assembled monolayers of n-alkanethiols on nickel polycrystalline substrates: Time, concentration, and solvent effects | |
| Chinwangso et al. | Multidentate adsorbates for self-assembled monolayer films | |
| Scherer et al. | Corrosion of alkanethiol-covered Cu (100) surfaces in hydrochloric acid solution studied by in-situ scanning tunneling microscopy | |
| US20090056991A1 (en) | Methods of Treating a Surface to Promote Binding of Molecule(s) of Interest, Coatings and Devices Formed Therefrom | |
| Fonder et al. | Alkanethiol-oxidized copper interface: The critical influence of concentration | |
| Brewer et al. | Photooxidation of self-assembled monolayers by exposure to light of wavelength 254 nm: a static SIMS study | |
| Loglio et al. | In situ characterization of self-assembled butanethiol monolayers on Au (100) electrodes | |
| Jacob et al. | In situ vibrational study of the reductive desorption of alkanethiol monolayers on gold by sum frequency generation spectroscopy | |
| Mioč et al. | Modification of cupronickel alloy surface with octadecylphosphonic acid self–assembled films for improved corrosion resistance | |
| TWI628184B (zh) | Surface modification agent for metal electrode, surface modified metal electrode, and surface-modified metal electrode manufacturing method | |
| JP2009170416A (ja) | 電気接点材料、その製造方法、及び電気接点 | |
| JP4088686B2 (ja) | 自己組織化分子膜で被覆された金属、その製造方法及びそれを用いた摩擦低減方法 | |
| JP2019104169A (ja) | 金属被覆樹脂基材 | |
| US20140311966A1 (en) | Modified surfaces | |
| Maxisch et al. | PM-IRRAS studies of the adsorption and stability of organophosphonate monolayers on passivated NiTi surfaces | |
| JP5665169B2 (ja) | 金型製造方法およびその方法により形成された金型 | |
| US6822833B2 (en) | Disc drive magnetic component with self assembled features | |
| Berchmans et al. | Templated synthesis of silver nanowires based on the layer-by-layer assembly of silver with dithiodipropionic acid molecules as spacers | |
| Zhang et al. | Ligand-exchange dynamics on gold nanocrystals: direct monitoring of nanoscale polyvinylpyrrolidone–thiol domain surface morphology | |
| Rechmann et al. | Carbon–sulfur bond cleavage during adsorption of octadecane thiol to copper in ethanol | |
| US8506751B2 (en) | Implementing self-assembly nanometer-sized structures within metal—polymer interface | |
| Vaish et al. | Dithiol-based modification of poly (dopamine): enabling protein resistance via short-chain ethylene oxide oligomers | |
| EP2009970A3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektisch leitfähigen Struktur | |
| JP2010166044A (ja) | 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 | |
| Billon et al. | No more compromise: a facile route towards functionalized surfaces with stable monolayers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050315 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070518 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080129 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4088686 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |