JP2023151011A - 発光装置、発光装置の製造方法、測距装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性に優れた発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１０であって、第１基体２０を備え、第１基体２０は、第１基板２１と、第１基板２１の第１面Ｓ１上に配置され、多層膜２２Ｌを有する発光素子２２と、第１面Ｓ１上における発光素子２２の素子間領域に配置された構造体２３と、を有し、構造体２３は、発光素子２２と同じ多層膜２２Ｌを有する、又は、第１基板２１と同じ材料によって構成される。【選択図】図１

Description

本開示は、発光装置、発光装置の製造方法、測距装置に関する。

近年、半導体レーザの一種として、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の面発光レーザが注目されている（特許文献１参照）。ＶＣＳＥＬは、低消費電力であり、低コストで大量生産でき、かつ二次元アレイ化も容易であるという優れた特徴を持っている。特に、裏面出射型のＶＣＳＥＬは、ワイヤボンディングを必要とせず、ＬＤＤ（Laser Diode Driver）基板に直接接続できるため、小型化及び多機能化を容易に実現できる。

特表２０２１－５０９９５６号公報

本開示は、信頼性に優れた発光装置及び測距装置を提供することを目的とする。

本開示の一側面による発光装置は、第１基体を備え、前記第１基体は、第１基板と、前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される。

前記第１基体は、さらに、前記第１面上に、前記発光素子と前記構造体との間隙部を埋めるように、積層された絶縁膜を有してもよい。前記絶縁膜は、無機材料によって構成されてもよい。前記第１基体は、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドを有し、前記構造体の頂部の高さは、前記第１電極パッドの頂部の高さよりも低くてもよい。

前記発光装置は、前記第１基体が、さらに、前記発光素子と前記構造体との間隙部の底面となる前記第１基板の前記第１面上まで引かれた共通電極を有してもよい。

前記発光装置は、前記第１基体が、さらに、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、前記構造体の頂部に配置されたダミー電極パッドと、を有してもよい。

前記発光装置は、前記第１基体が、さらに、前記第１基板の前記第１面とは反対の面である第２面上に設けられ、前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を有してもよい。

前記発光装置は、さらに、前記第１基体に接合する第２基体を備え、前記第２基体は、第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有し、前記第１基体の第１電極パッドと、前記第２基体の前記第２電極パッドと、が接合されていてもよい。前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとが直接接合によって接合されていてもよい。

本開示の一側面による発光装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、前記第１面上の前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、を有し、前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される、第１基体を作製する第１工程と、第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有する第２基体の前記第２電極パッドに、前記第１基体の前記第１電極パッドを接合する第２工程と、前記第１基板を、前記第１面とは反対の面である第２面側から薄化する第３工程と、を備える。

前記発光装置の製造方法は、さらに、前記第１基板の前記第２面上に前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を形成する第４工程を備えてもよい。

本開示の一側面による測距装置は、発光装置と、受光部と、前記発光装置の発光信号が対象物で反射されて前記受光部で受光されたときに、前記発光装置の発光信号と前記受光部の受光信号とに基づいて対象物までの距離を計測する距離計測部と、を備え、前記発光装置は、第１基板と、前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料、によって構成される。

第１実施形態の発光装置の構成を示す縦断面図である。 第１実施形態の発光装置の構成を示す横断面図であり、図１のＡ－Ａ断面を示す。 第１実施形態の発光装置の発光素子周辺の構成を示す拡大縦断面図であり、図１のＢ領域を示す。 第１実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す正面図である。 第１実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図であり、図４のＣ－Ｃ断面を示す。 第１実施形態の発光装置の製造方法の概略を示す縦断面図である。 図６Ａに続く縦断面図である。 図６Ｂに続く縦断面図である。 比較例の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 比較例の発光装置の製造方法の概略を示す縦断面図である。 図８Ａに続く縦断面図である。 第１実施形態の発光装置の製造方法の一例を示す縦断面図である。 図９Ａに続く縦断面図である。 図９Ｂに続く縦断面図である。 図９Ｃに続く縦断面図である。 図９Ｄに続く縦断面図である。 図９Ｅに続く縦断面図である。 図９Ｆに続く縦断面図である。 図９Ｇに続く縦断面図である。 図９Ｈに続く縦断面図である。 図９Ｉに続く縦断面図である。 図９Ｊに続く縦断面図である。 図９Ｋに続く縦断面図である。 第２実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 第２実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す横断面図であり、図１０のＤ－Ｄ断面を示す。 第２実施形態の発光装置の製造方法の一例を示す縦断面図である。 図１２Ａに続く縦断面図である。 図１２Ｂに続く縦断面図である。 図１２Ｃに続く縦断面図である。 図１２Ｄに続く縦断面図である。 第３実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 第３実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す横断面図であり、図１３のＥ－Ｅ断面を示す。 第４実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 第４実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す横断面図であり、図１５のＦ－Ｆ断面を示す。 第５実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す正面図である。 第５実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図であり、図１７のＧ－Ｇ断面を示す。 第５実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す横断面図であり、図１８のＨ－Ｈ断面を示す。 第６実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 第６実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す横断面図であり、図２０のＩ－Ｉ断面を示す。 第７実施形態の発光装置におけるＬＤチップの構成を示す縦断面図である。 第７実施形態の発光装置の製造方法の一例を示す縦断面図である。 図２３Ａに続く縦断面図である。 図２３Ｂに続く縦断面図である。 図２３Ｃに続く縦断面図である。 図２３Ｄに続く縦断面図である。 図２３Ｅに続く縦断面図である。 図２３Ｆに続く縦断面図である。 本開示の実施形態による発光装置の一実装例としての測距装置の構成例を示すブロック図である。 ＳＴＬ方式の説明図である。 ＳＴＬ方式の測距原理についての説明図である。 移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。 撮像部の設置位置の例を示す図である。

以下、本開示の実施形態の一例について、図面を参照しつつ説明する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の発光装置１０の構成を示す縦断面図である。図２は、第１実施形態の発光装置１０の構成を示す横断面図であり、図１のＡ－Ａ断面を示す。図３は、第１実施形態の発光装置１０の発光素子２２周辺の構成を示す拡大縦断面図であり、図１のＢ領域を示す。

第１実施形態の発光装置１０は、ＬＤ（Laser Diode）チップ２０と、ＬＤチップ２０に接合するＬＤＤ基板３０と、を備える。本明細書においては、ＬＤチップ２０を「第１基体」と呼び、ＬＤＤ基板３０を「第２基体」と呼ぶこともある。

ＬＤチップ２０は、基板２１と、複数の発光素子２２と、構造体２３と、絶縁膜２４と、個別電極２５と、共通電極２６と、を有する。また、基板２１は、複数のレンズ部２１ａを有する。また、ＬＤチップ２０は、発光素子２２と構造体２３との間に、絶縁膜２４で埋められた間隙部２７を有する。

基板２１は、ＧａＡｓなどの化合物半導体を材料とする基板である。基板２１のＬＤＤ基板３０と対向する面が表（おもて）面Ｓ１であり、その反対の面が裏面Ｓ２である。本明細書においては、基板２１の表（おもて）面Ｓ１を「第１面」と呼び、裏面Ｓ２を「第２面」と呼ぶこととする。また、ＬＤチップ２０の基板２１を「第１基板」と呼ぶこともある。

発光素子２２は、それぞれがメサ構造を有する裏面照射型のＶＣＳＥＬである。複数の発光素子２２が、基板２１の第１面Ｓ１上に分散配置されている。また、発光素子２２は、図３に示すように、多層膜２２Ｌによって構成される。つまり、発光素子２２は、多層膜２２Ｌを有する。

多層膜２２Ｌは、基板２１側から、第１ミラー層２２１、第１スペーサ層２２２、活性層２２３、第２スペーサ層２２４及び第２ミラー層２２５が順次積層された構造を有する。第１ミラー層２２１及び第２ミラー層２２５は、例えば、多層膜反射鏡によって構成される。発光素子２２は、活性層２２３で発生したレーザ光を、第１ミラー層２２１と第２ミラー層２２５との間で共振させて、光強度を向上させ、基板２１の第２面Ｓ２側から出射させる。

なお、第１実施形態のＬＤチップ２０は、複数の発光素子２２を有しているが、本開示の技術のＬＤチップ２０は、１つの発光素子２２を有するものであってもよい。ただし、本開示の技術は、複数の発光素子２２を有するＬＤチップ２０への適用に適したものとなっている。そのため、ＬＤチップ２０は、基板２１上に分散配置された複数の発光素子２２を有しているのが好ましい。

構造体２３は、基板２１の第１面Ｓ１上であって、分散配置された発光素子２２の素子間領域に配置されている。素子間領域とは、複数の発光素子２２の間の領域をいうものとする。また、ＬＤチップ２０が１つの発光素子２２のみを有するものである場合、素子間領域とは、発光素子２２が配置されている領域以外の領域をいうものとする。

構造体２３は、発光素子２２と同じ多層膜２２Ｌによって構成される。構造体２３は、ＬＤチップ２０の強度を補強する。つまり、構造体２３は、発光素子２２と同じ多層膜２２Ｌを有する。また、構造体２３は、構造体２３が存在しない場合と比較して、絶縁膜２４の体積を小さくしている。

構造体２３は、図３に示すように、その頂部の高さＨ２が個別電極２５の頂部の高さＨ１よりも低くなっている。これは、ＬＤチップ２０を、構造体２３が絶縁膜２４で覆われたものとするためである。

間隙部２７は、図２に示すように、基板２１の法線方向からの観察において、それぞれの発光素子２２の外周を取り囲むように配置される。つまり、間隙部２７は、基板２１の法線方向からの観察において、環状の形状を有する。また、間隙部２７の底面は、基板２１の第１面Ｓ１である。

絶縁膜２４は、基板２１の第１面Ｓ１上に、発光素子２２と構造体２３との間隙部２７を埋めるように、積層されている。また、絶縁膜２４は、発光素子２２、構造体２３、個別電極２５及び共通電極２６のうち、個別電極２５及び共通電極２６のみが外部に露出するように、積層されている。上述の構造体２３の存在によって、絶縁膜２４の体積は小さく抑えられている。絶縁膜２４は、発光素子２２におけるノイズの発生を抑制し、ひいては、発光装置１０の信頼性を向上させる。

なお、絶縁膜２４は、発光素子２２と構造体２３との間隙部２７を埋めるものであればよく、発光素子２２や構造体２３の一部が絶縁膜２４から外部に露出するものであってもよい。ただし、発光素子２２におけるノイズの発生の抑制などの観点から、個別電極２５及び共通電極２６のみが絶縁膜２４から外部に露出するものが好ましい。

絶縁膜２４は、絶縁性を有するとともに、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）による研磨が可能な材料によって構成される。絶縁膜２４を無機材料によって構成することによって、ＬＤチップ２０の強度をさらに補強することが可能となる。また、絶縁膜２４を無機材料によって構成することによって、高温環境下におけるＬＤチップ２０の反りの発生を抑えることができる。そのため、絶縁膜２４は、好ましくは、無機材料によって構成され、さらに好ましくは、ＳｉＯ_２又はＳｉＮによって構成される。

個別電極２５は、それぞれの発光素子２２の頂部に配置されている。個別電極２５は、電極パッドとして構成される。個別電極２５は、ＬＤＤ基板３０の電極パッド３２と、熱圧着などの直接接合によって接合している。個別電極２５は、熱圧着などの直接接合に適した材料によって構成される。個別電極２５は、好ましくは、金属材料によって構成され、さらに好ましくは、Ｃｕ又はＡｕによって構成される。本明細書においては、個別電極２５を「第１電極パッド」と呼ぶこともある。

共通電極２６は、ＬＤチップ２０の端部付近に配置されている構造体２３上から基板２１の第１面Ｓ１上に亘って配置されるとともに、基板２１と電気的に接続している。共通電極２６は、その構造体２３上の部分が電極パッドとして構成される。共通電極２６の電極パッドは、ＬＤＤ基板３０の電極パッド３２と、熱圧着などの直接接合によって接合している。共通電極２６は、熱圧着などの直接接合に適した材料によって構成される。共通電極２６は、好ましくは、金属材料によって構成され、さらに好ましくは、Ｃｕ又はＡｕによって構成される。

レンズ部２１ａは、基板２１の第２面Ｓ２側の発光素子２２と重なる領域に設けられている。レンズ部２１ａは、発光素子２２から出射されたレーザ光を集光する。

ＬＤＤ基板３０は、基板３１と、基板３１上に分散配置された複数の電極パッド３２と、を有する。電極パッド３２は、ＬＤチップ２０の発光素子２２に駆動信号を供給する。ＬＤＤ基板３０の電極パッド３２は、ＬＤチップ２０の個別電極２５及び共通電極２６と、熱圧着などの直接接合によって、接合している。電極パッド３２は、熱圧着などの直接接合に適した材料によって構成される。電極パッド３２は、好ましくは、金属材料によって構成され、さらに好ましくは、Ｃｕ又はＡｕによって構成される。本明細書においては、ＬＤＤ基板３０を「第２基体」と呼び、基板３１を「第２基板」と呼び、電極パッド３２を「第２電極パッド」と呼ぶこともある。

なお、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との接合は、直接接合ではなく、はんだ等の接合部材を介するものであってもよい。しかし、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０とが直接接合により接合された発光装置１０は、平坦度がより良いものとなる。そのため、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０と接合は、直接接合によるのが好ましい。

ＬＤＤ基板３０は、駆動信号を生成する駆動回路を有していてもよい。この場合、ＬＤＤ基板３０は、アクティブ駆動を行う。あるいは、ＬＤＤ基板３０は、外部の駆動回路で生成された駆動信号に応じた電圧を電極パッド３２に供給していてもよい。この場合、ＬＤＤ基板３０は、パッシブ駆動を行う。

ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との間の空間は、アンダーフィルによって埋められていてもよい。つまり、発光装置１０は、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との間にアンダーフィル層を有するものであってもよい。

図４は、第１実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す正面図である。図５は、第１実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図であり、図４のＣ－Ｃ断面を示す。図６Ａから図６Ｃは、第１実施形態の発光装置１０の製造方法の概略を示す縦断面図である。

図４及び図５は、ＬＤＤ基板３０に接合される前のＬＤチップ２０を示す。図４及び図５に示すとおり、ＬＤチップ２０の第１面Ｓ１側は、絶縁膜２４で覆われており、発光素子２２、構造体２３、個別電極２５及び共通電極２６のうち、個別電極２５及び共通電極２６のみが外部に露出したものとなっている。この構成により、発光素子２２におけるノイズの発生がより抑制され、発光装置１０がより信頼性に優れたものとなる。

このようなＬＤチップ２０を用いた発光装置１０の製造方法の概略は次のとおりである。

まず、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、ＬＤチップ２０の個別電極２５及び共通電極２６とＬＤＤ基板３０の電極パッド３２とを熱圧着などの直接接合によって接続する。その後、図６Ｃに示すように、ＬＤチップ２０の基板２１の厚みを薄くし、さらに、レンズ部２１ａを形成することによって製造される。

ＬＤチップ２０は、構造体２３及び絶縁膜２４の存在によって、その強度が補強されている。また、ＬＤチップ２０は、構造体２３の存在によって、その絶縁膜２４の体積が小さく抑えられたものとなっている。そのため、ＬＤチップ２０は、高温の環境下でも、反りの発生が抑えられ、フラットな接合面を維持できるものとなっている。

このように、ＬＤチップ２０がフラットな接合面を維持できるものとなっていることから、ＬＤチップ２０の個別電極２５及び共通電極２６とＬＤＤ基板３０の電極パッド３２とを、熱圧着などの直接接合によって接合することが可能となっている。さらに、ＬＤチップ２０の強度が補強され、ＬＤチップ２０がフラットな接合面を維持できることから、ＬＤチップ２０をＬＤＤ基板３０に接合した後に、ＬＤチップ２０の基板２１の厚みをＣＭＰでの研磨によって薄くし、さらに、基板２１の第２面Ｓ２上にレンズ部２１ａを形成することが可能となっている。そのため、従来の発光装置１０と比較して、良好な平坦度を実現できる。

次に、比較例の発光装置１０を参照にして、本開示の開示者らが、第１実施形態の発光装置１０をはじめとする本開示の実施形態の発光装置１０の想到に至った経緯を説明する。

図７は、比較例の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、比較例の発光装置１０の製造方法の概略を示す縦断面図である。

まず、本開示の開示者らは、ＬＤ基板２１の薄化のプロセスでの平坦性の改善や、発光装置１０の信頼性の向上のために、図７に示すように、ＬＤチップの複数の発光素子２２の素子間領域にポリイミドなどの絶縁性を有する樹脂を埋め込むことを考えた。

しかし、本開示の開示者らは、研究の結果、このようなＬＤチップ２０によっても期待されたような効果が得られないことを見出した。さらに、本開示の開示者らは、その理由が、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、高温の環境下でＬＤチップ２０をＬＤＤ基板３０に接続するとき、樹脂と基板２１との熱膨張率の違いによって、ＬＤチップ２０にわずかな反りが発生してしまうことに起因することを見出した。なお、図８Ａにおいては、ＬＤチップ２０の反りの大きさが誇張されて描かれている。

そこで、本開示の開示者らは、発光素子２２の素子間領域を絶縁性の材料で埋めるとともに、ＬＤチップ２０の反りの発生を抑制するための研究を進めた結果、本開示の実施形態の発光装置１０の想到に至った。

このような経緯によって想到された本開示の実施形態の発光装置１０は、従来の発光装置１０と比較して、ＬＤチップ２０の基板２１が良好な平坦度を有するとともに、信頼性に優れたものとなっている。

まとめると、第１実施形態の発光装置１０は、ＬＤチップ２０（第１基体）を備え、ＬＤチップ２０（第１基体）は、基板２１（第１基板）と、基板２１（第１基板）の第１面Ｓ１上に配置され、多層膜２２Ｌを有する発光素子２２と、第１面Ｓ１上における発光素子２２の素子間領域に配置された構造体２３と、を有する。そして、構造体２３は、発光素子２２と同じ多層膜２２Ｌを有する。

このような発光装置１０は、ＬＤチップ２０（第１基体）が良好な平坦度を有し、信頼性に優れる。

次に、第１実施形態の発光装置１０の製造方法の一例について説明する。なお、共通電極２６については、説明の便宜のため省略している。共通電極２６は、公知の技術を適宜適用することにより形成できる。

図９Ａから図９Ｌは、第１実施形態の発光装置１０の製造方法の一例を示す縦断面図である。

第１実施形態の発光装置１０の製造においては、まず、図９Ａに示すように、基板２１の第１面Ｓ１上に発光素子２２を構成する多層膜２２Ｌを形成する。基板２１は、ＧａＡｓなどの化合物半導体を材料とする基板である。多層膜２２Ａは、基板２１側から、第１ミラー層２２１、第１スペーサ層２２２、活性層２２３、第２スペーサ層２２４及び第２ミラー層２２５（図３参照）を順次積層することによって形成する。多層膜２２Ｌの形成は、例えば、エピタキシャル成長の技術を用いて実現できる。

次に、図９Ｂに示すように、多層膜２２Ｌ上の発光素子２２が形成される領域に個別電極２５を形成する。個別電極２５は、熱圧着などの直接接合に適した材料によって構成される。個別電極２５は、好ましくは、金属材料によって構成され、さらに好ましくは、Ｃｕ又はＡｕによって構成される。個別電極２５の形成は、例えば、レジストの塗布、金属の蒸着及びレジストの除去を順次行うことによって実現できる。

次に、図９Ｃ及び図９Ｄに示すように、発光素子２２と構造体２３との間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去することによって、発光素子２２及び構造体２３を形成する。この発光素子２２及び構造体２３の形成では、まず、図９Ｃに示すように、多層膜２２Ｌ及び個別電極２５上の間隙部２７が形成される領域以外の領域にレジスト９１を塗布する。その後、図９Ｄに示すように、エッチングによって、間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去し、さらに、レジスト９１も除去する。

次に、図９Ｅに示すように、基板２１の第１面Ｓ１上に絶縁膜２４を積層する。絶縁膜２４は、発光素子２２と構造体２３との間隙部２７を埋めるように積層される。絶縁膜２４は、ＳｉＯ_２又はＳｉＮなどの無機材料によって構成されるものが好ましい。絶縁膜２４の積層は、例えば、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、ＣＶＤ（Chemical Vaper Deposition）法によって実現できる。

次に、図９Ｆに示すように、絶縁膜２４をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により研磨することによって、個別電極２５を露出させる。これにより、ＬＤＤ基板３０に接続可能なＬＤチップ２０が得られる。

次に、図９Ｇ及び図９Ｈに示すように、上述の工程によって得られたＬＤチップ２０をＬＤＤ基板３０に接合する。このとき、ＬＤチップ２０の個別電極２５をＬＤＤ基板３０の電極パッド３２に熱圧着などによって直接接合する。なお、この後、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との間の空間をアンダーフィルによって埋めてもよい。

次に、図９Ｉに示すように、ＬＤチップ２０の基板２１の第２面Ｓ２側をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により研磨することによって、ＬＤチップ２０の基板２１の厚みを薄くする。

次に、図９Ｊ及び図９Ｋに示すように、ＬＤチップ２０の基板２１の第２面Ｓ２にレンズ部２１ａを形成する。このレンズ部２１ａの形成では、まず、図９Ｊに示すように、基板２１の第２面Ｓ２上のレンズ部２１ａが形成される領域にレジスト９１を塗布する。その後、図９Ｋに示すように、エッチングによって、レンズ部２１ａが形成される領域以外の基板２１の厚みを薄くすることによってレンズ部２１ａを形成し、さらに、レジスト９１も除去する。

最後に、図９Ｌに示すように、必要に応じてダイシングする。ＬＤチップ２０及びＬＤＤ基板３０を有する発光装置１０は、通常、複数個の発光素子２２を単位として個片化される。以上の工程によって、第１実施形態の発光装置１０が製造される。

まとめると、第１実施形態の発光装置１０の製造方法は、上述のＬＤチップ２０（第１基体）を作製する第１工程と、基板３１（第２基板）と、基板３１（第２基板）上に配置された電極パッド３２（第２電極パッド）と、を有するＬＤＤ基板３０（第２基体）の電極パッド３２（第２電極パッド）に、ＬＤチップ２０（第１基体）の個別電極２５（第１電極パッド）を接合する第２工程と、ＬＤチップ２０（第１基体）の基板２１（第１基板）を、第２面Ｓ２側から薄化する第３工程と、を備える。

このような、発光装置１０の製造方法によれば、良好な平坦度を有し、信頼性に優れる発光装置１０を製造できる。

以下、第２から第７実施形態の発光装置１０について説明する。これらの実施形態については、第１実施形態との相違点を中心に説明し、第１実施形態との共通点の説明は適宜省略する。

（第２実施形態）
図１０は、第２実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。図１１は、第２実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す横断面図であり、図１０のＤ－Ｄ断面を示す。

第２実施形態の発光装置１０は、第１実施形態の発光装置１０とは異なり、ＬＤチップ２０の構造体２３，２１が基板２１と同じ材料によって構成されている。図１０に示す例では、構造体２３，２１と基板２１とが一体的に構成されている。構造体２３，２１は、基板２１と一体的に構成されたものである必要はない。しかし、ＬＤチップ２０の強度及び平坦度などの観点から、構造体２３，２１は、基板２１と一体的に構成されているのが好ましい。

第２実施形態のその他の構成は、第１実施形態の発光装置１０と同じである。

第２実施形態の発光装置１０は、ＬＤチップ２０の構造体２３，２１が基板２１と同じ材料によって構成されていることから、第１実施形態の発光装置１０と比較して、ＬＤチップ２０の強度をより補強し、ＬＤチップ２０の反りの発生がより抑制されたものとなっている。

ここで、第２実施形態の発光装置１０の製造方法の一例について説明する。

図１２Ａから図１２Ｅは、第２実施形態の発光装置１０の製造方法の一例を示す縦断面図である。

第２実施形態の発光装置１０の製造においては、まず、図１２Ａに示すように、ＬＤチップ２０の基板２１の第１面Ｓ１上の構造体２３となる領域以外の領域を一定の深さまで掘り込んで、縦穴部２１Ｈ及び構造体２３，２１を形成する。基板２１は、ＧａＡｓなどの化合物半導体を材料とする基板である。縦穴部２１Ｈの形成は、例えば、ハードマスクの形成、ドライエッチング及びハードマスクの除去を順次行うことによって実現できる。

次に、図１２Ｂに示すように、縦穴部２１Ｈの内部に発光素子２２を構成する多層膜２２Ｌを形成する。多層膜２２Ａは、基板２１側から、第１ミラー層２２１、第１スペーサ層２２２、活性層２２３、第２スペーサ層２２４及び第２ミラー層２２５（図３参照）を順次積層することによって形成する。多層膜２２Ｌの形成は、例えば、エピタキシャル成長の技術を用いて実現できる。

次に、図１２Ｃに示すように、多層膜２２Ｌ上の発光素子２２が形成される領域に個別電極２５を形成する。個別電極２５は、熱圧着などの直接接合に適した材料によって構成される。個別電極２５は、好ましくは、金属材料によって構成され、さらに好ましくは、Ｃｕ又はＡｕによって構成される。個別電極２５の形成は、例えば、レジストの塗布、金属の蒸着及びレジストの除去を順次行うことによって実現できる。

次に、図１２Ｄ及び図１２Ｅに示すように、発光素子２２と構造体２３，２１との間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去することによって、発光素子２２及び構造体２３，２１を形成する。この発光素子２２及び構造体２３，２１の形成では、まず、図１２Ｄに示すように、多層膜２２Ｌ、構造体２３，２１及び個別電極２５上の間隙部２７が形成される領域以外の領域にレジスト９１を塗布する。その後、図１２Ｅに示すように、エッチングによって、間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去し、さらに、レジスト９１も除去する。

これ以降の工程は、図９Ｅから図９Ｌに示す第１実施形態の発光装置１０の製造方法と同じである。以上の工程により、第２実施形態の発光装置１０が製造される。

（第３実施形態）
図１３は、第３実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。図１４は、第３実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す横断面図であり、図１３のＥ－Ｅ断面を示す。

第３実施形態の発光装置１０は、第１実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の共通電極２６を、それぞれの発光素子２２と構造体２３との間隙部２７の底面となる基板２１の第１面Ｓ１上まで引き延ばしたものである。つまり、第３実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ３０は、発光素子２２と構造体２３との間隙部２７の底面となる基板２１の第１面Ｓ１上まで引かれた共通電極２６を有する。

図１４に示す例では、複数の発光素子２２に対応する複数の間隙部２７に亘って共通電極２６を引き延ばすために、隣接する間隙部２７を接続する接続部２７Ｃが設けられている。そして、間隙部２７及び接続部２７Ｃの底面となる基板２１の第１面Ｓ１上に、引き延ばされた共通電極が配置されている。

第３実施形態の発光装置１０のその他の構成は、第１実施形態の発光装置１０と同じである。

第３実施形態の発光装置１０は、共通電極２５がそれぞれの発光素子２２の外周部近傍において基板２１と接続していることから、第１実施形態の発光装置１０と比較して、より精密で安定的な発光素子２２の制御が可能なものとなっている。

第３実施形態の発光装置１０は、第１実施形態の発光装置１０と同様の方法で、製造できる。ただし、第３実施形態の発光装置１０の製造においては、図９Ｃ及び図９Ｄに示す間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去する工程において、接続部２７Ｃが形成される領域の多層膜２２Ｌも除去することになる。また、図９Ｅに示す絶縁膜２４を積層する工程の前に、間隙部２７及び接続部２７Ｃの底面となる基板２１の第１面Ｓ１上に共通電極２６を積層する工程を追加することになる。

（第４実施形態）
図１５は、第４実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。図１６は、第４実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す横断面図であり、図１５のＦ－Ｆ断面を示す。

第４実施形態の発光装置１０は、第２実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の共通電極２６を、それぞれの発光素子２２と構造体２３，２１との間隙部２７の底面となる基板２１の第１面Ｓ１上まで引き延ばしたものである。つまり、第４実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ３０は、発光素子２２と構造体２３，２１との間隙部２７の底面となる基板２１の第１面Ｓ１上まで引かれた共通電極２６を有する。

図１４に示す例では、複数の発光素子２２に対応する複数の間隙部２７に亘って共通電極２６を引き延ばすために、隣接する間隙部２７を互いに接続する接続部２７Ｃが設けられている。そして、間隙部２７及び接続部２７Ｃの底面となる基板２１の第１面Ｓ１上に、引き延ばされた共通電極が配置されている。

第３実施形態の発光装置１０のその他の構成は、第１実施形態の発光装置１０と同じである。

第４実施形態の発光装置１０は、共通電極２５がそれぞれの発光素子２２の外周部近傍において基板２１と接続していることから、第２実施形態の発光装置１０と比較して、より精密で安定的な発光素子２２の制御が可能なものとなっている。

第４実施形態の発光装置１０は、第２実施形態の発光装置１０と同様の方法で、製造できる。ただし、第４実施形態の発光装置１０の製造においては、図１２Ａに示す縦穴部２１Ｈ及び構造体２３，２１を形成する工程において、接続部２７Ｃが形成される領域にも縦穴部２１Ｈを形成する。また、図１２Ｄ及び図１２Ｅに示す間隙部２７が形成される領域の多層膜２２Ｌを除去する工程において、接続部２７Ｃが形成される領域の多層膜２２Ｌも除去することになる。また、その後の絶縁膜２４を積層する工程（図９Ｅ参照）の前に、間隙部２７及び接続部２７Ｃの底面となる基板２１の第１面Ｓ１に共通電極２６を積層する工程を追加することになる。

（第５実施形態）
図１７は、第５実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す正面図である。図１８は、第５実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図であり、図１７のＧ－Ｇ断面を示す。図１９は、第５実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す横断面図であり、図１８のＨ－Ｈ断面を示す。

第５実施形態の発光装置１０は、第１実施形態の発光装置１０の構成に加えて、ＬＤチップ２０が、その構造体２３の頂部に配置されたダミー電極パッド２５Ｄを有するものである。

ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と同じ材料によって構成される。また、ダミー電極パッド２５Ｄの頂部の高さＨ３は、個別電極の頂部の高さＨ１と同じである。また、ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と同様、絶縁膜２４から外部に露出したものとなっている。しかし、ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と異なり、ＬＤＤ基板３０の電極パッド３２と接合されず、ＬＤＤ基板３０から駆動信号が供給されることはない。

第５実施形態の発光装置１０のその他の構成は、第１実施形態の発光装置１０と同じである。

第５実施形態の発光装置１０は、ダミー電極パッド２５Ｄの存在によって、ＬＤチップ２０の基板２１の第１面Ｓ１側の面内均一性が向上することから、第１実施形態の発光装置１０と比較して、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との接合がより良好となる

第５実施形態の発光装置１０は、第１実施形態の発光装置１０と同様の方法で、製造できる。ただし、第５実施形態の発光装置１０の製造においては、図９Ｂに示す個別電極２５を形成する工程において、同時に、多層膜２２Ｌ上の構造体２３が形成される領域にダミー電極パッド２５Ｄを形成する。また、図９Ｆに示す、絶縁膜２４をＣＭＰにより研磨することによって個別電極２５を露出させる工程において、同時に、ダミー電極パッド２５Ｄも露出させる。

（第６実施形態）
図２０は、第６実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。図２１は、第６実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す横断面図であり、図２０のＩ－Ｉ断面を示す。

第６実施形態の発光装置１０は、第２実施形態の発光装置１０の構成に加えて、ＬＤチップ２０が、その構造体２３，２１の頂部に配置されたダミー電極パッド２５Ｄを有するものである。

ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と同じ材料によって構成される。また、ダミー電極パッド２５Ｄの頂部の高さＨ３は、個別電極の頂部の高さＨ１と同じである。また、ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と同様、絶縁膜２４から外部に露出したものとなっている。しかし、ダミー電極パッド２５Ｄは、個別電極２５と異なり、ＬＤＤ基板３０の電極パッド３２と接合されず、ＬＤＤ基板３０から駆動信号が供給されることはない。

第６実施形態の発光装置１０のその他の構成は、第２実施形態の発光装置１０と同じである。

第５実施形態の発光装置１０は、ダミー電極パッド２５Ｄの存在によって、ＬＤチップ２０の第１面Ｓ１側の面内均一性が向上することから、第２実施形態の発光装置１０と比較して、ＬＤチップ２０とＬＤＤ基板３０との接合がより良好となる

第６実施形態の発光装置１０は、第２実施形態の発光装置１０と同様の方法で、製造できる。ただし、第６実施形態の発光装置１０の製造においては、図１２Ｃに示す個別電極２５を形成する工程において、同時に、構造体２３，２１上にダミー電極パッド２５Ｄを形成する。また、絶縁膜２４をＣＭＰにより研磨することによって個別電極２５を露出させる工程（図９Ｆ）において、同時に、ダミー電極パッド２５Ｄも露出させる。

（第７実施形態）
図２２は、第７実施形態の発光装置１０におけるＬＤチップ２０の構成を示す縦断面図である。

第７実施形態の発光装置１０は、ＬＤチップ２０のみを備える。この点において、第７実施形態の発光装置１０は、ＬＤチップ２０接合されたＬＤＤ基板３０を備える第１実施形態の発光装置１０と異なっている。第７実施形態の発光装置１０のＬＤチップ２０の構成は、図１に示す第１実施形態の発光装置１０のＬＤチップ２０と同じである。

第７実施形態の発光装置１０は、ＬＤチップ２０の基板２１が良好な平坦度を有するとともに、信頼性に優れたものとなっている。また、この発光装置１０は、ＬＤＤ基板３０に接合する際の反りの発生が抑制されたものとなっており、ＬＤＤ基板に接合した後も、良好な平坦度を維持するとともに、信頼性に優れたものとなる。

ここで、第７実施形態の発光装置１０の製造方法の一例について説明する。

図２３Ａから図２３Ｇは、第７実施形態の発光装置１０の製造方法の一例を示す縦断面図である。

第７実施形態の発光装置１０の製造方法は、ＬＤＤ基板３０に接続可能なＬＤチップ２０を得るまでは、図９Ａから図９Ｆに示す第１実施形態の発光装置１０の製造方法と同じである。

第７実施形態の発光装置１０の製造では、ＬＤＤ基板３０に接続可能なＬＤチップ２０を得た後、図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように、ＬＤチップ２０を仮基板９２に貼り付ける。このとき、ＬＤチップ２０の個別電極２５側を仮基板９２に貼り付ける。なお、仮基板９２は、ＬＤチップ２０を保持するための粘着層９２ａを有する。粘着層９２ａは、例えば、加熱によって粘着力が低下する材料によって構成される。

次に、図２３Ｃに示すように、ＬＤチップ２０の基板２１の厚みを薄くした後、基板２１にレンズ部２１ａを形成する。この工程は、図９Ｈから図９Ｋに示す第１実施形態の発光装置１０の製造方法と同じである。

次に、図２３Ｄ及び図２３Ｅに示すように、仮基板９２に貼り付けられたＬＤチップ２０をマウントシート９３に貼り付ける。このとき、ＬＤチップ２０のレンズ部２１ａ側をマウントシート９３に貼り付ける。

次に、図２３Ｆに示すように、ＬＤチップ２０から仮基板９２を取り外す。仮基板９２の粘着層９２ａが加熱によって粘着力が低下する材料によって構成されるものである場合、粘着層９２ａを加熱することによって、ＬＤチップ２０から仮基板９２を取り外すことができる。

最後に、図２３Ｇに示すように、必要に応じてダイシングする。ＬＤチップ２０は、通常、複数個の発光素子２２を単位として個片化される。以上の工程によって、第７実施形態の発光装置１０が製造される。

次に、本開示の実施形態による発光装置１０の適用例について説明する。

（測距装置への適用例）
本開示の実施形態による発光装置１０は、例えば、非接触で物体までの距離を計測する測距装置（測距モジュールとも呼ばれる）４０で用いることができる。

図２４は、本開示の実施形態による発光装置１０の一実装例としての測距装置４０の構成例を示すブロック図である。

図示のように測距装置４０は、発光部５１、駆動部５２、電源回路５３、発光側光学系５４、受光側光学系５５、受光部５６、信号処理部５７、制御部５８、及び温度検出部５９を備えている。

発光部５１は、複数の光源により光を発する。後述するように、本例の発光部５１は、各光源としてＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER：垂直共振器面発光レーザ）による発光素子を有しており、それら発光素子が例えばマトリクス状等の所定態様により配列されて構成されている。

駆動部５２は、発光部５１を駆動するための電源回路５３を有して構成される。電源回路５３は、例えば測距装置４０に設けられた不図示のバッテリ等からの入力電圧（後述する入力電圧Ｖｉｎ）に基づき、駆動部５２の電源電圧（後述する駆動電圧Ｖｄ）を生成する。駆動部５２は、該電源電圧に基づいて発光部５１を駆動する。

発光部５１より発せられた光は、発光側光学系５４を介して測距対象としての被写体（対象物）Ｓに照射される。そして、このように照射された光の被写体Ｓからの反射光は、受光側光学系５５を介して受光部５６の受光面に入射する。

受光部５６は、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサやＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサ等の受光素子とされ、上記のように受光側光学系５５を介して入射する被写体Ｓからの反射光を受光し、電気信号に変換して出力する。

受光部５６は、受光した光を光電変換して得た電気信号について、例えばＣＤＳ（Correlated Double Sampling）処理、ＡＧＣ（Automatic Gain Control）処理などを実行し、さらにＡ／Ｄ（Analog／Digital）変換処理を行う。そしてデジタルデータとしての信号を、後段の信号処理部５７に出力する。

また、本例の受光部５６は、フレーム同期信号Ｆｓを駆動部５２に出力する。これにより駆動部５２は、発光部５１における発光素子２２を受光部５６のフレーム周期に応じたタイミングで発光させることが可能とされる。

信号処理部５７は、例えばＤＳＰ（Digital Signal Processor）等により信号処理プロセッサとして構成される。信号処理部５７は、受光部５６から入力されるデジタル信号に対して、各種の信号処理を施す。

制御部５８は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を有するマイクロコンピュータ、或いはＤＳＰ等の情報処理装置を備えて構成され、発光部５１による発光動作を制御するための駆動部５２の制御や、受光部５６による受光動作に係る制御を行う。

制御部５８は、測距部５８ａとしての機能を有する。測距部５８ａは、信号処理部５７を介して入力される信号（つまり被写体Ｓからの反射光を受光して得られる信号）に基づき、被写体Ｓまでの距離を測定する。本例の測距部５８ａは、被写体Ｓの三次元形状の特定を可能とするために、被写体Ｓの各部について距離の測定を行う。

ここで、測距装置４０における具体的な測距の手法については後に改めて説明する。

温度検出部５９は、発光部５１の温度を検出する。温度検出部５９としては、例えばダイオードを用いて温度検出を行う構成を採ることができる。本例では、温度検出部５９により検出された温度の情報は駆動部５２に供給され、これにより駆動部５２は該温度の情報に基づいて発光部５１の駆動を行うことが可能とされる。

測距装置４０における測距手法としては、例えばＳＴＬ（Structured Light：構造化光）方式やＴｏＦ（Time of Flight：光飛行時間）方式による測距手法を採用することができる。

ＳＴＬ方式は、例えばドットパターンや格子パターン等の所定の明／暗パターンを有する光を照射された被写体Ｓの画像に基づいて距離を測定する方式である。

図２５Ａは、ＳＴＬ方式の説明図である。ＳＴＬ方式では、例えば図２５Ａに示すようなドットパターンによるパターン光Ｌｐを被写体Ｓに照射する。パターン光Ｌｐは、複数のブロックＢＬに分割されており、各ブロックＢＬにはそれぞれ異なるドットパターンが割当てられている（ブロックＢ間でドットパターンが重複しないようにされている）。

図２５Ｂは、ＳＴＬ方式の測距原理についての説明図である。ここでは、壁Ｗとその前に配置された箱ＢＸとが被写体Ｓとされ、該被写体Ｓに対してパターン光Ｌｐが照射された例としている。図中の「Ｇ」は受光部５６による画角を模式的に表している。

また、図中の「ＢＬｎ」はパターン光Ｌｐにおける或るブロックＢＬの光を意味し、「ｄｎ」は受光部５６による受光画像に映し出されるブロックＢＬｎのドットパターンを意味している。

ここで、壁Ｗの前の箱ＢＸが存在しない場合、受光画像においてブロックＢＬｎのドットパターンは図中の「ｄｎ’」の位置に映し出される。すなわち、箱ＢＸが存在する場合と箱ＢＸが存在しない場合とで、受光画像においてブロックＢＬｎのパターンが映し出される位置が異なるものであり、具体的には、パターンの歪みが生じる。

ＳＴＬ方式は、このように照射したパターンが被写体Ｓの物体形状によって歪むことを利用して被写体Ｓの形状や奥行きを求める方式となる。具体的には、パターンの歪み方から被写体Ｓの形状や奥行きを求める方式である。

ＳＴＬ方式を採用する場合、受光部５６としては、例えばグローバルシャッタ方式によるＩＲ（Infrared：赤外線）受光部が用いられる。そして、ＳＴＬ方式の場合、測距部５８ａは、発光部５１がパターン光を発光するように駆動部５２を制御すると共に、信号処理部５７を介して得られる画像信号についてパターンの歪みを検出し、パターンの歪み方に基づいて距離を計算する。

続いて、ＴｏＦ方式は、発光部５１より発された光が対象物で反射されて受光部５６に到達するまでの光の飛行時間（時間差）を検出することで、対象物までの距離を測定する方式である。

ＴｏＦ方式として、いわゆるダイレクトＴｏＦ（dTOF）方式を採用する場合、受光部５６としてはＳＰＡＤ（Single Photon Avalanche Diode）を用い、また発光部５１はパルス駆動する。この場合、測距部５８ａは、信号処理部５７を介して入力される信号に基づき、発光部５１より発せられ受光部５６により受光される光について発光から受光までの時間差を計算し、該時間差と光の速度とに基づいて被写体Ｓの各部の距離を計算する。

なお、ＴｏＦ方式として、いわゆるインダイレクトＴｏＦ（iTOF）方式（位相差法）を採用する場合、受光部５６としては例えばＩＲを受光することのできる受光部が用いられる。

以上、本開示の実施形態による発光装置１０が適用されうる測距装置の一例について説明した。本開示の実施形態による発光装置１０は、以上で説明した構成のうち、発光部５１及び発光側光学系５４に適用されうる。具体的には、本開示の実施形態による発光装置１０と、受光部５６と、発光装置１０の発光信号が対象物で反射されて受光部５６で受光されたときに、発光装置１０の発光信号と受光部５６の受光信号とに基づいて対象物までの距離を計測する距離計測部（測距部５８ａ）と、を備える測距装置４０が構成されうる。発光部５１及び発光側光学系５４に本開示の実施形態による発光装置１０を適用することにより、測距装置４０の信頼性を向上させることができる。

（移動体への適用例）
本開示に係る技術は、様々な製品へ適用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

図２６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム１２０００の概略的な構成例を示すブロック図である。

車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムに従って車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２６の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

図２７は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

図２７では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。

撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図２７には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１に適用され得る。具体的には、撮像部１２０３１とともに、本開示による発光装置１０を設ければよい。撮像部１２０３１に、本開示に係る技術を適用することにより、電磁ノイズの発生を抑制しつつ、距離画像の解像度を向上させることができ、車両１２１００の機能性および安全性を高めることができる。

＜６．まとめ＞
以上、本開示の実施の形態の一例を説明したが、本開示は、その他の様々な形態で実施することが可能である。例えば、本開示の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変形、置換、省略又はこれらの組み合わせが可能である。そのような変形、置換、省略等を行った形態も、本開示の範囲に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

また、本明細書に記載された本開示の効果は例示に過ぎず、その他の効果があってもよい。

なお、本開示は以下のような構成をとることも可能である。
［項目１］
第１基体を備え、
前記第１基体は、
第１基板と、
前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、
前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、
前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される
発光装置。
［項目２］
項目１に記載の発光装置であって、
前記第１基体は、さらに、前記第１面上に、前記発光素子と前記構造体との間隙部を埋めるように、積層された絶縁膜を有する発光装置。
［項目３］
項目２に記載の発光装置であって、
前記絶縁膜は、無機材料によって構成される発光装置。
［項目４］
項目１から３のいずれか１つに記載の発光装置であって、
前記第１基体は、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドを有し、
前記構造体の頂部の高さは、前記第１電極パッドの頂部の高さよりも低い
発光装置。
［項目５］
項目１から４のいずれか１つに記載の発光装置であって、
前記第１基体は、さらに、前記発光素子と前記構造体との間隙部の底面となる前記第１基板の前記第１面上まで引かれた共通電極を有する発光装置。
［項目６］
請求項１から５のいずれか１つに記載の発光装置であって、
前記第１基体は、さらに、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、前記構造体の頂部に配置されたダミー電極パッドと、を有する発光装置。
［項目７］
項目１から６のいずれか１つに記載の発光装置であって、
前記第１基体は、さらに、前記第１基板の前記第１面とは反対の面である第２面上に設けられ、前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を有する発光装置。
［項目８］
項目１から７のいずれか１つに記載の発光装置であって、
さらに、前記第１基体に接合する第２基体を備え、
前記第２基体は、第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有し、
前記第１基体の第１電極パッドと、前記第２基体の前記第２電極パッドと、が接合されている
発光装置。
［項目９］
項目８に記載の発光装置であって、
前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとが直接接合によって接合されている発光装置。
［項目１０］
第１基板と、前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、前記第１面上の前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、を有し、前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される、第１基体を作製する第１工程と、
第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有する第２基体の前記第２電極パッドに、前記第１基体の前記第１電極パッドを接合する第２工程と、
前記第１基板を、前記第１面とは反対の面である第２面側から薄化する第３工程と、を備える
発光装置の製造方法。
［項目１１］
項目１０に記載の発光装置の製造方法であって、
さらに、前記第１基板の前記第２面上に前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を形成する第４工程を備える発光装置の製造方法。
［項目１２］
発光装置と、受光部と、前記発光装置の発光信号が対象物で反射されて前記受光部で受光されたときに、前記発光装置の発光信号と前記受光部の受光信号とに基づいて対象物までの距離を計測する距離計測部と、を備え、
前記発光装置は、
第１基板と、
前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、
前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、
前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料、によって構成される
測距装置。

１０ 発光装置
２０ ＬＤチップ（第１基体）
２１ 基板（第１基板）
２１ａ レンズ部
２１Ｈ 縦穴部
２２ 発光素子
２２Ｌ 多層膜
２２１ 第１ミラー層
２２２ 第１スペーサ層
２２３ 活性層
２２４ 第２スペーサ層
２２５ 第２ミラー層
２３ 構造体
２４ 絶縁膜
２５ 個別電極（第１電極パッド）
２５Ｄ ダミー電極パッド
２６ 共通電極
２７ 間隙部
２７Ｃ 接続部
３０ ＬＤＤ基板（第２基体）
３１ 基板（第２基板）
３２ 電極パッド（第２電極パッド）
９１ レジスタ
９２ 仮基板
９２ａ 粘着層
９３ マウントシート

Claims (12)

1. 第１基体を備え、
   前記第１基体は、
   第１基板と、
   前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、
   前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、
   前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される
   発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置であって、
   前記第１基体は、さらに、前記第１面上に、前記発光素子と前記構造体との間隙部を埋めるように、積層された絶縁膜を有する発光装置。
3. 請求項２に記載の発光装置であって、
   前記絶縁膜は、無機材料によって構成される発光装置。
4. 請求項１に記載の発光装置であって、
   前記第１基体は、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドを有し、
   前記構造体の頂部の高さは、前記第１電極パッドの頂部の高さよりも低い
   発光装置。
5. 請求項１に記載の発光装置であって、
   前記第１基体は、さらに、前記発光素子と前記構造体との間隙部の底面となる前記第１基板の前記第１面上まで引かれた共通電極を有する発光装置。
6. 請求項１に記載の発光装置であって、
   前記第１基体は、さらに、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、前記構造体の頂部に配置されたダミー電極パッドと、を有する発光装置。
7. 請求項１に記載の発光装置であって、
   前記第１基体は、さらに、前記第１基板の前記第１面とは反対の面である第２面上に設けられ、前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を有する発光装置。
8. 請求項１に記載の発光装置であって、
   さらに、前記第１基体に接合する第２基体を備え、
   前記第２基体は、第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有し、
   前記第１基体の第１電極パッドと、前記第２基体の前記第２電極パッドと、が接合されている
   発光装置。
9. 請求項８に記載の発光装置であって、
   前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとが直接接合によって接合されている発光装置。
10. 第１基板と、前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、前記第１面上の前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、前記発光素子の頂部に配置された第１電極パッドと、を有し、前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料によって構成される、第１基体を作製する第１工程と、
    第２基板と、前記第２基板上に配置された第２電極パッドと、を有する第２基体の前記第２電極パッドに、前記第１基体の前記第１電極パッドを接合する第２工程と、
    前記第１基板を、前記第１面とは反対の面である第２面側から薄化する第３工程と、を備える
    発光装置の製造方法。
11. 請求項１０に記載の発光装置の製造方法であって、
    さらに、前記第１基板の前記第２面上に前記発光素子から出射された光を集光するレンズ部を形成する第４工程を備える発光装置の製造方法。
12. 発光装置と、受光部と、前記発光装置の発光信号が対象物で反射されて前記受光部で受光されたときに、前記発光装置の発光信号と前記受光部の受光信号とに基づいて対象物までの距離を計測する距離計測部と、を備え、
    前記発光装置は、
    第１基板と、
    前記第１基板の第１面上に配置され、多層膜を有する発光素子と、
    前記第１面上における前記発光素子の素子間領域に配置された構造体と、を有し、
    前記構造体は、前記発光素子と同じ前記多層膜を有する、又は、前記第１基板と同じ材料、によって構成される
    測距装置。