JP2023138369A - Ｒ－ｔ－ｂ系焼結磁石の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】拡散源にＬａを使用しつつ、高いＢｒ及び高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法の提供。【解決手段】本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程と、Ｒ１－Ｍ系合金を準備する工程と、前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材と前記Ｒ１－Ｍ系合金を真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱し、Ｒ１およびＭをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材内部に拡散させる拡散工程と、を含み、前記Ｒ１－Ｍ系合金における、Ｒ１の含有量はＲ１－Ｍ合金全体の７０ｍａｓｓ％以上９５ｍａｓｓ％以下であり、Ｒ１中のＬａの含有割合は５％以上４０％未満であり、Ｍの含有量はＲ１－Ｍ合金全体の５ｍａｓｓ％以上３０ｍａｓｓ％以下であり、M中のＢおよびＣの合計含有割合は５%以上２０%未満である。【選択図】図２
Description
本発明はＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法に関する。
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石（Ｒは希土類元素であり、Ｎｄ、ＰｒおよびＣｅからなる群から選択される少なくとも１つを必ず含み、ＴはＦｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｍｎ、およびＳｉからなる群から選択された少なくとも１つであり、必ずＦｅを含む、Ｂはホウ素である）は、Ｒ２Ｆｅ１４Ｂ型結晶構造を有する化合物の主相と、この主相の粒界部分に位置する粒界相および微量添加元素や不純物の影響により生成する化合物相とから構成されている。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、高い残留磁束密度Ｂｒ（以下、単に「Ｂｒ」と記載する場合がある）と、高い保磁力ＨｃＪ（以下、単に「ＨｃＪ」と記載する場合がある）を示し、永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られている。
このため、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、電気自動車（ＥＶ、ＨＶ、ＰＨＶ）等の自動車分野、風力発電等の再生可能エネルギー分野、家電分野、産業分野等のさまざまなモーターに使用されている。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、これらモーターの小型・軽量化、高効率・省エネルギー化（エネルギー効率の改善）に欠かせない材料である。また、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、電気自動車用の駆動モーターに使用されており、内燃機関エンジン自動車から電気自動車へ代替されることで、二酸化炭素等の温室効果ガスの削減（燃料・排ガスの削減）による地球温暖化防止にも寄与している。このように、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、クリーンエネルギー社会の実現に大きく貢献している。
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石において、Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物中のＲに含まれる軽希土類元素ＲＬ（例えば、ＮｄやＰｒ）の一部を重希土類元素ＲＨ（ＲＨは、ＴｂおよびＤｙの少なくとも一方）で置換すると、ＨｃＪが向上することが知られている。ＲＨの置換量の増加に伴い、ＨｃＪは向上する。しかし、Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物中のＲＬをＲＨで置換すると、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石のＨｃＪが向上する一方、残留磁束密度Ｂｒが低下する。また重希土類元素は資源リスクの高い原料であることから、その使用量を削減し、または使用せずにＨｃＪを向上させることが求められている。
特許文献１には、特定組成のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面の少なくとも一部に、R２－Ｇａ合金の少なくとも一部を接触させた状態で熱処理することで、ＲＨ、ＰｒおよびＧａを拡散させることが記載されている。これにより、ＲＨの含有量を低減しつつ、高いＢｒと高いＨｃＪを得ることができる。
特許文献１に記載されている方法は、重希土類元素の含有量を抑制しつつ高いＢｒと高いＨｃＪを得るＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石が得られる点で注目に値する。しかし、近年、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、特に電気自動車用モーター向けなどで需要が今後大きく拡大することが予想されている。そのため、重希土類元素の含有量だけでなく、それ以外でも資源の有効活用、低コスト化の観点からは、重希土類元素の使用に偏らず、他の希土類元素も含めてバランスよく希土類元素を利用する必要がある。具体的な手段として希土類元素の中で存在量が比較的豊富なＬａ（ほかにＣｅ）などを使用することが挙げられる。特にＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石における主要な元素である、ＮｄやＰｒの代わりにＬａなどを使用することは有効である。しかし、ＮｄやＰｒの代わりにＬａなどを用いると磁気特性が大幅に低下することが知られている。
本開示の実施形態は、拡散源にＬａを使用しつつ、高いＢｒ及び高いＨｃＪが維持されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供する。
本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、例示的な実施形態において、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材（Ｒは希土類元素であり、Ｎｄ、ＰｒおよびＣｅからなる群から選択された少なくとも１つを必ず含み、ＴはＦｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｍｎ、およびＳｉからなる群から選択された少なくとも１つであり、必ずＦｅを含む）を準備する工程と、Ｒ１－Ｍ系合金（Ｒ１はＲＨとＲＬからなり、ＲＨはＴｂおよびＤｙの少なくとも一方であり、ＲＬは、ＲＨ以外の希土類元素であり、ＮｄおよびＰｒの少なくとも一方と、Ｌａを必ず含み、ＭはＢおよびＣの少なくとも一方と、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる群から選択された少なくとも１つを必ず含む）を準備する工程と、前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材と前記Ｒ１－Ｍ系合金を真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱し、Ｒ１およびＭをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材内部に拡散させる拡散工程と、を含み、
前記Ｒ１－Ｍ系合金における、Ｒ１の含有量はＲ１－Ｍ系合金全体の７０ｍａｓｓ％以上９５ｍａｓｓ％以下であり、Ｒ１中のＬａの含有割合は５％以上４０％未満であり、Ｍの含有量はＲ１－Ｍ系合金全体の５ｍａｓｓ％以上３０ｍａｓｓ％以下であり，Ｍ中のＢおよびＣの合計含有割合は５％以上２０％未満である。
前記Ｒ１－Ｍ系合金における、Ｒ１の含有量はＲ１－Ｍ系合金全体の７０ｍａｓｓ％以上９５ｍａｓｓ％以下であり、Ｒ１中のＬａの含有割合は５％以上４０％未満であり、Ｍの含有量はＲ１－Ｍ系合金全体の５ｍａｓｓ％以上３０ｍａｓｓ％以下であり，Ｍ中のＢおよびＣの合計含有割合は５％以上２０％未満である。
ある実施形態において、前記Ｒ１－Ｍ系合金における、Ｒ１中のＬａの含有割合は５％以上３０％以下である。
ある実施形態において、Ｒ１中のＲＨの含有割合は５％以上２０％以下であり、Ｒ１中のＮｄおよびＰｒの少なくとも一方の合計含有割合は２５％以上％９０％以下である。
ある実施形態において、ＣｕおよびＧａの少なくとも一方を必ず含み、前記Ｍ中のＣｕおよびＧａの合計含有割合は８０％以上９５％未満である。
ある実施形態において、前記R１－Ｍ系合金のR１は、Ｐｒを必ず含み、前記Ｒ１中のＰｒの含有割合は２５％以上９５％以下である。
ある実施形態において、前記Ｒ１－Ｍ系合金のＭは、Ｂを必ず含み、前記Ｍ中のＢの含有割合は５％以上１５％未満である。
本開示の実施形態によると、拡散源にＬａを使用しつつ、高いＢｒ及び高いＨｃＪが維持されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供することができる。
まず、本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の基本構造について説明をする。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、原料合金の粉末粒子が焼結によって結合した構造を有しており、主としてＲ２Ｔ１４Ｂ化合物粒子からなる主相と、この主相の粒界部分に位置する粒界相とから構成されている。
図１Ａは、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の一部を拡大して模式的に示す断面図であり、図１Ｂは図１Ａの破線矩形領域内を更に拡大して模式的に示す断面図である。図１Ａには、一例として長さ５μｍの矢印が大きさを示す基準の長さとして参考のために記載されている。図１Ａおよび図１Ｂに示されるように、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、主としてＲ２Ｔ１４Ｂ化合物からなる主相１２と、主相１２の粒界部分に位置する粒界相１４とから構成されている。また、粒界相１４は、図１Ｂに示されるように、２つのＲ２Ｔ１４Ｂ化合物粒子（グレイン）が隣接する二粒子粒界相１４ａと、３つのＲ２Ｔ１４Ｂ化合物粒子が隣接する粒界三重点１４ｂとを含む。典型的な主相結晶粒径は磁石断面の円相当径の平均値で２．５μｍ以上１０μｍ以下である。主相１２であるＲ２Ｔ１４Ｂ化合物は高い飽和磁化と異方性磁界を持つ強磁性材料である。したがって、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石では、主相１２であるＲ２Ｔ１４Ｂ化合物の存在比率を高めることによってＢｒを向上させることができる。Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物の存在比率を高めるためには、原料合金中のＲ量、Ｔ量、Ｂ量を、Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物の化学量論比（Ｒ量：Ｔ量：Ｂ量＝２：１４：１）に近づければよい。
また、主相であるＲ２Ｔ１４Ｂ化合物のＲの一部をＤｙ、Ｔｂ、Ｈｏなどの重希土類元素で置換することによって飽和磁化を下げつつ、主相の異方性磁界を高められることが知られている。特に二粒子粒界相と接する主相外殻は磁化反転の起点となりやすいため、主相外殻に優先的に重希土類元素を置換できる重希土類拡散技術は、飽和磁化の低下を抑制しつつ効率的に高いＨｃＪが得られる。
本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法では、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面から粒界を通じて磁石素材内部へ、Ｒ１－Ｍ系合金に含有されるＲ１とＭを拡散させている。
本発明者らは、Ｒ１－Ｍ系合金をＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石表面に存在させた状態で熱処理し拡散させる方法について詳細に検討した。その結果、Ｒ１－Ｍ系合金のＲ１にＲＨを含有させた上で、Ｒ1とＭを拡散させると、ＲLとして、ＮｄやＰｒの代わりにＬａを特定の範囲で含有させても、Ｌａを入れたことによる磁気特性の低下を抑制することができることを見出した。後述する実施例に示すように、これは、ＬａではなくＣｅを使用した場合には、このような効果を得ることが出来ない。また、さらに好ましい形態として、Ｒ１－Ｍ系合金におけるＬａを狭い特定の範囲にすることにより、ほとんど磁気特性が低下しないことを見出した。このように、ＮｄやＰｒの代わりにＬａを含有させても、高いＢｒを維持しつつ，ＨｃＪの低下量を１０％未満に抑制でき，磁気特性の低下が抑制される。ほとんど磁気特性が低下しない理由は、拡散工程で磁石内部に入ったＬａはＮｄやＰｒに比べＲ２Ｔ１４Ｂ化合物内に含有されにくく，主に粒界相側に存在するためＲ２Ｔ１４Ｂ化合物の磁気物性に大きな影響を与えないためと考えられる。さらに、本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法では、１５０℃ならびに１８０℃雰囲気下の磁気特性においても高いＢｒが得ることができる。これはＲとしてＣｅを用いた場合のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石のキュリー温度が１５０℃近傍であり，その温度域において磁化の低下が生じることに対して，ＲとしてＬａを用いたばあいのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石のキュリー温度が２６０℃近傍と高いことが影響していると考えられる。これにより、拡散源にＬａを使用しつつ、高いＢｒ及び高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることが可能となる。
本発明者らは、Ｒ１－Ｍ系合金をＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石表面に存在させた状態で熱処理し拡散させる方法について詳細に検討した。その結果、Ｒ１－Ｍ系合金のＲ１にＲＨを含有させた上で、Ｒ1とＭを拡散させると、ＲLとして、ＮｄやＰｒの代わりにＬａを特定の範囲で含有させても、Ｌａを入れたことによる磁気特性の低下を抑制することができることを見出した。後述する実施例に示すように、これは、ＬａではなくＣｅを使用した場合には、このような効果を得ることが出来ない。また、さらに好ましい形態として、Ｒ１－Ｍ系合金におけるＬａを狭い特定の範囲にすることにより、ほとんど磁気特性が低下しないことを見出した。このように、ＮｄやＰｒの代わりにＬａを含有させても、高いＢｒを維持しつつ，ＨｃＪの低下量を１０％未満に抑制でき，磁気特性の低下が抑制される。ほとんど磁気特性が低下しない理由は、拡散工程で磁石内部に入ったＬａはＮｄやＰｒに比べＲ２Ｔ１４Ｂ化合物内に含有されにくく，主に粒界相側に存在するためＲ２Ｔ１４Ｂ化合物の磁気物性に大きな影響を与えないためと考えられる。さらに、本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法では、１５０℃ならびに１８０℃雰囲気下の磁気特性においても高いＢｒが得ることができる。これはＲとしてＣｅを用いた場合のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石のキュリー温度が１５０℃近傍であり，その温度域において磁化の低下が生じることに対して，ＲとしてＬａを用いたばあいのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石のキュリー温度が２６０℃近傍と高いことが影響していると考えられる。これにより、拡散源にＬａを使用しつつ、高いＢｒ及び高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることが可能となる。
本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、図２に示すように、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程Ｓ１０とＲ１－M系合金を準備する工程Ｓ２０とを含む。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程Ｓ１０とＲ１－Ｍ系合金を準備する工程Ｓ２０との順序は任意である。
本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、図２に示すように、更に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材と前記Ｒ１－Ｍ系合金を真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱し、Ｒ１およびＭをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材内部に拡散させる拡散工程Ｓ３０を含む。
なお、本開示において、拡散工程前および拡散工程中のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を「Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材」と称し、拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を単に「Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石」と称する。
本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、図２に示すように、更に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材と前記Ｒ１－Ｍ系合金を真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱し、Ｒ１およびＭをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材内部に拡散させる拡散工程Ｓ３０を含む。
なお、本開示において、拡散工程前および拡散工程中のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を「Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材」と称し、拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を単に「Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石」と称する。
（Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程）
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材において、Ｒは希土類元素であり、Ｎｄ、ＰｒおよびＣｅからなる群から選択された少なくとも１つを必ず含み、Ｒの含有量は、例えば、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材全体の２７ｍａｓｓ％以上３５ｍａｓｓ％以下である。ＴはＦｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｍｎ、およびＳｉからなる群から選択された少なくとも１つであり、Ｔは必ずＦｅを含み、Ｔ全体に対するＦｅの含有量が８０ｍａｓｓ％以上である。
Ｒが２７ｍａｓｓ％未満では焼結過程で液相が十分に生成せず、焼結体を充分に緻密化することが困難になる可能性がある。一方、Ｒが３５ｍａｓｓ％を超えると焼結時に粒成長が起こり、ＨｃＪが低下する可能性がある。Ｒは２８ｍａｓｓ％以上３３ｍａｓｓ％以下であることが好ましい。
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材において、Ｒは希土類元素であり、Ｎｄ、ＰｒおよびＣｅからなる群から選択された少なくとも１つを必ず含み、Ｒの含有量は、例えば、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材全体の２７ｍａｓｓ％以上３５ｍａｓｓ％以下である。ＴはＦｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｍｎ、およびＳｉからなる群から選択された少なくとも１つであり、Ｔは必ずＦｅを含み、Ｔ全体に対するＦｅの含有量が８０ｍａｓｓ％以上である。
Ｒが２７ｍａｓｓ％未満では焼結過程で液相が十分に生成せず、焼結体を充分に緻密化することが困難になる可能性がある。一方、Ｒが３５ｍａｓｓ％を超えると焼結時に粒成長が起こり、ＨｃＪが低下する可能性がある。Ｒは２８ｍａｓｓ％以上３３ｍａｓｓ％以下であることが好ましい。
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は例えば、以下の組成範囲を有する。
Ｒ：２７～３５ｍａｓｓ％、
Ｂ：０．８０～１．２０ｍａｓｓ％、
Ｇａ：０～１．０ｍａｓｓ％、
Ｘ：０～２ｍａｓｓ％（ＸはＣｕ、Ｎｂ、Ａｌの少なくとも一種）、
Ｔ：６０ｍａｓｓ％以上を含有する。
Ｒ：２７～３５ｍａｓｓ％、
Ｂ：０．８０～１．２０ｍａｓｓ％、
Ｇａ：０～１．０ｍａｓｓ％、
Ｘ：０～２ｍａｓｓ％（ＸはＣｕ、Ｎｂ、Ａｌの少なくとも一種）、
Ｔ：６０ｍａｓｓ％以上を含有する。
好ましくは、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材において、Ｂに対するＴのｍｏｌ比［Ｔ］／［Ｂ］が１４．０超１５．０以下である。より高いＨｃＪを得ることができる。本開示における［Ｔ］／［Ｂ］とは、Ｔを構成する各元素（Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌ、ＭｎおよびＳｉからなる群から選択された少なくとも１つであり、Ｔは必ずＦｅを含み、Ｔ全体に対するＦｅの含有量が８０ｍａｓｓ％以上）の分析値（ｍａｓｓ％）をそれぞれの元素の原子量で除したものを求め、それらの値を合計したもの[Ｔ]と、Ｂの分析値（ｍａｓｓ％）をＢの原子量で除したもの［Ｂ］との比である。ｍｏｌ比［Ｔ］／［Ｂ］が１４．０を超えるという条件は、主相（Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物）形成に使われるＴ量に対して相対的にＢ量が少ないことを示している。ｍｏｌ比［Ｔ］／［Ｂ］は１４．３以上１５．０以下であることがさらに好ましい。さらに高いＨｃＪを得ることができる。Ｂの含有量はＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体全体の０．９ｍａｓｓ％以上１．０ｍａｓｓ％未満が好ましい。
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は、Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石に代表される一般的なＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法を用いて準備することができる。一例を挙げると、ストリップキャスト法等で作製された原料合金を、ジェットミルなどを用いて粒径Ｄ５０が２．０μｍ以上４．５μｍ以下に粉砕した後、磁界中で成形し、９００℃以上１１００℃以下の温度で焼結することにより焼結体を作製して準備することができる。粒径Ｄ５０が２．０μｍ以上４．５μｍ以下に粉砕することにより、高いＢｒと高いＨｃＪを得ることができる。好ましくは、粒径Ｄ５０は、２．５μｍ以上３．５μｍ以下である。生産性の悪化を抑制した上で貴重なＲＨを削減しつつ、より高いＢｒと高いＨｃＪを得ることができる。なお、粒径Ｄ５０は、気流分散法によるレーザー回折法で得られる粒度分布において、小径側からの積算粒度分布（体積基準）が５０％になる粒径である。また、粒径Ｄ５０は、例えば、Ｓｙｍｐａｔｅｃ社製の粒度分布計測装置「ＨＥＬＯＳ＆ＲＯＤＯＳ」を用いて、分散圧：４ｂａｒ、測定レンジ：Ｒ２、計測モード：ＨＲＬＤの条件にて測定することができる。
（Ｒ１－Ｍ系合金を準備する工程）
前記Ｒ１－Ｍ系合金において、Ｒ１はＲＨとＲＬからなり、ＲＨはＴｂおよびＤｙの少なくとも一方であり、ＲＬは、ＲＨ以外の希土類元素であり、ＮｄおよびＰｒの少なくとも一方と、Ｌａを必ず含み、ＭはBおよびCの少なくとも一方と、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる群から選択された少なくとも１つを必ず含む。Ｒ１の含有量はＲ１－Ｍ合金全体の７０ｍａｓｓ％以上９５ｍａｓｓ％以下である。これにより高い磁気特性を得ることが出来る。また、Ｒ１中のＬａの含有割合は５％以上４０％未満である。ここで、本開示における「Ｒ１中のＬａの含有割合」とは、Ｒ１中の質量％（ｍａｓｓ％）対比でＬａの割合を算出した値である。上述したようにＲ１－Ｍ系合金のＲ１にＲＨを含有させた上で、Ｒ１とＭを拡散させると、ＲＬとして、ＮｄやＰｒの代わりにＬａをＲ１中に５％以上４０％未満含有させても磁気特性の低下が抑制されるため、高いＢｒ及び高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることができる。より高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得るには、Ｒ１中のＬａの含有割合は５％以上３０％以下である。この範囲であれば、Ｌａを添加してもほとんど磁気特性が低下しない。また、より高いＢｒ及び高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得るためには、Ｒ１中のＲＨの含有割合は５％以上２０％以下が好ましく、Ｒ１中のＮｄおよびＰｒの少なくとも一方の合計含有割合は２５％以上％９０％以下が好ましい。また、前記Ｒ１－Ｍ系合金のR１は、Ｐｒを必ず含み、前記R１中のＰｒの含有割合は２５％以上９０％以下であることが好ましい。さらに、Ｒ１中は、ＲH、ＰrおよびLaの合計含有割合が５０％以上であることがさらに好ましい。
前記Ｒ１－Ｍ系合金において、Ｒ１はＲＨとＲＬからなり、ＲＨはＴｂおよびＤｙの少なくとも一方であり、ＲＬは、ＲＨ以外の希土類元素であり、ＮｄおよびＰｒの少なくとも一方と、Ｌａを必ず含み、ＭはBおよびCの少なくとも一方と、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる群から選択された少なくとも１つを必ず含む。Ｒ１の含有量はＲ１－Ｍ合金全体の７０ｍａｓｓ％以上９５ｍａｓｓ％以下である。これにより高い磁気特性を得ることが出来る。また、Ｒ１中のＬａの含有割合は５％以上４０％未満である。ここで、本開示における「Ｒ１中のＬａの含有割合」とは、Ｒ１中の質量％（ｍａｓｓ％）対比でＬａの割合を算出した値である。上述したようにＲ１－Ｍ系合金のＲ１にＲＨを含有させた上で、Ｒ１とＭを拡散させると、ＲＬとして、ＮｄやＰｒの代わりにＬａをＲ１中に５％以上４０％未満含有させても磁気特性の低下が抑制されるため、高いＢｒ及び高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることができる。より高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得るには、Ｒ１中のＬａの含有割合は５％以上３０％以下である。この範囲であれば、Ｌａを添加してもほとんど磁気特性が低下しない。また、より高いＢｒ及び高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得るためには、Ｒ１中のＲＨの含有割合は５％以上２０％以下が好ましく、Ｒ１中のＮｄおよびＰｒの少なくとも一方の合計含有割合は２５％以上％９０％以下が好ましい。また、前記Ｒ１－Ｍ系合金のR１は、Ｐｒを必ず含み、前記R１中のＰｒの含有割合は２５％以上９０％以下であることが好ましい。さらに、Ｒ１中は、ＲH、ＰrおよびLaの合計含有割合が５０％以上であることがさらに好ましい。
また、Ｍは、BおよびCの少なくとも一方と，Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる群から選択された少なくとも１つである。Ｍの含有量はＲ１－Ｍ合金全体の５ｍａｓｓ％以上３０ｍａｓｓ％以下である。好ましくは、Ｍの含有量は、Ｒ１－Ｍ系合金全体の７ｍａｓｓ％以上１５ｍａｓｓ％以下である。より高いＨｃＪを得ることができる。また、ＭはＣｕおよびＧａの少なくとも一方を含有した方が好ましく、ＣｕおよびＧａの両方を含有した方がさらに好ましい。前記Ｍ中のＣｕおよびＧａの合計含有割合は８０％以上９５％未満であることが好ましい。ＣｕおよびＧａを含有することで、より高いＨｃＪを得ることができる。M中のBおよびCの合計含有割合は５％以上２０％未満である。BおよびCの少なくとも一方を５％以上２０％未満含有することで、安定して高い磁気特性を得ることができる。好ましくは，前記R１―M系合金のMは、Bを必ず含み，前記M中のBの含有割合は５％以上１５％未満である。M中のBの含有割合を５％以上１５％未満にすることにより，より安定して高い磁気特性を得ることができる。
Ｒ１－Ｍ系合金の典型例は、ＴｂＮｄＰｒＬａＣｕ合金、ＴｂＮｄＬａＧａ合金、ＴｂＰｒＬａＧａ合金などである。上記元素の他にＭｎ、Ｏ、Ｃ、Ｎ等の不可避不純物等の元素を少量含有してもよい。
Ｒ１－Ｍ系合金の典型例は、ＴｂＮｄＰｒＬａＣｕ合金、ＴｂＮｄＬａＧａ合金、ＴｂＰｒＬａＧａ合金などである。上記元素の他にＭｎ、Ｏ、Ｃ、Ｎ等の不可避不純物等の元素を少量含有してもよい。
Ｒ１－Ｍ系合金の作製方法は、特に限定されない。ロール急冷法によって作製してもよいし、鋳造法で作製してもよい。また、これらの合金を粉砕して合金粉末にしてもよい。遠心アトマイズ法、回転電極法、ガスアトマイズ法、プラズマアトマイズ法などの公知のアトマイズ法で作製してもよい。
（拡散工程）
前述の方法によって準備した前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材と前記Ｒ１－Ｍ系合金を真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱し、Ｒ１およびＭをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材内部に拡散させる拡散工程を行う。これにより、Ｒ１－Ｍ系合金からＲ１およびＭを含む液相が生成し、その液相がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。
前述の方法によって準備した前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材と前記Ｒ１－Ｍ系合金を真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱し、Ｒ１およびＭをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材内部に拡散させる拡散工程を行う。これにより、Ｒ１－Ｍ系合金からＲ１およびＭを含む液相が生成し、その液相がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。
拡散工程における加熱する温度が７００℃未満であると、Ｒ１およびＭを含む液相量が少なすぎて高いＨｃＪを得ることができない可能性がある。一方、１１００℃を超えるとＨｃＪが大幅に低下する可能性がある。好ましくは、拡散工程における加熱する温度は８００℃以上１０００℃以下である。より高いＨｃＪを得ることができる。また、好ましくは、拡散工程（７００℃以上１１００℃以下）が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に対し、拡散工程を実施した温度から１５℃／分以上の冷却速度で３００℃まで冷却した方が好ましい。より高いＨｃＪを得ることができる。
拡散処理工程は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面に、任意形状のＲ１－Ｍ系合金を配置し、公知の熱処理装置を用いて行ってもよい。例えば、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面をＲ１-Ｍ合金の粉末層で覆い、熱処理を行うことができる。例えば、Ｒ１－Ｍ系合金を分散媒中に分散させたスラリーをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面に塗布した後、分散媒を蒸発させＲ１－Ｍ系合金とＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材とを接触させてもよい。この場合、拡散工程におけるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲ１－Ｍ系合金の付着量は１ｍａｓｓ%以上６ｍａｓｓ%以下が好ましく、さらに好ましくは、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲ１－Ｍ系合金の付着量は１．５ｍａｓｓ%以上３ｍａｓｓ%以下である。より高いＨｃＪを得ることができる。なお、分散媒として、アルコール（エタノール等）、アルデヒドおよびケトンを例示できる。また、重希土類元素ＲＨは、Ｒ１－Ｍ合金からだけでなく、Ｒ１－Ｍ系合金と共に重希土類元素ＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物等をＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石表面に配置することにより重希土類元素ＲＨを導入してもよい。すなわち、重希土類元素ＲＨと共に軽希土類元素ＲＬおよびＭを同時に拡散させることができればその方法は特に問わない。重希土類元素ＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物としては、例えば、ＴｂＦ３ 、ＤｙＦ３ 、Ｔｂ２Ｏ３ 、Ｄｙ２Ｏ３ 、Ｔｂ４ＯＦ、Ｄｙ４ＯＦが挙げられる。
（熱処理を実施する工程）
好ましくは、拡散工程が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に対して、真空又は不活性ガス雰囲気中、４００℃以上７５０℃以下で、かつ、前記拡散工程で実施した温度よりも低い温度で熱処理を行う。熱処理を行うことにより、より高いＨｃＪを得ることができる。
好ましくは、拡散工程が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に対して、真空又は不活性ガス雰囲気中、４００℃以上７５０℃以下で、かつ、前記拡散工程で実施した温度よりも低い温度で熱処理を行う。熱処理を行うことにより、より高いＨｃＪを得ることができる。
本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
実施例１
［Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程]
表1に示すＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の組成になるように各元素を秤量し、ストリップキャスト法により原料合金を作製した。得られた各合金を水素粉砕法により粗粉砕し粗粉砕粉を得た。次に、前記粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０３５ｍａｓｓ％添加し混合した。潤滑剤を含有した粗粉砕粉をジェットミルにより微粉砕を行った。粉砕により粒径Ｄ５０：３．０μｍの微粉末を得た。D５０は、Ｓｙｍｐａｔｅｃ社製の粒度分布計測装置「ＨＥＬＯＳ＆ＲＯＤＯＳ」を用いて、分散圧：４ｂａｒ、測定レンジ：Ｒ２、計測モード：ＨＲＬＤの条件にて測定した。
［Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程]
表1に示すＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の組成になるように各元素を秤量し、ストリップキャスト法により原料合金を作製した。得られた各合金を水素粉砕法により粗粉砕し粗粉砕粉を得た。次に、前記粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０３５ｍａｓｓ％添加し混合した。潤滑剤を含有した粗粉砕粉をジェットミルにより微粉砕を行った。粉砕により粒径Ｄ５０：３．０μｍの微粉末を得た。D５０は、Ｓｙｍｐａｔｅｃ社製の粒度分布計測装置「ＨＥＬＯＳ＆ＲＯＤＯＳ」を用いて、分散圧：４ｂａｒ、測定レンジ：Ｒ２、計測モード：ＨＲＬＤの条件にて測定した。
得られたれた微粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を微粉砕粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０５ｍａｓｓ％添加、混合した後に磁界中で成形し成形体を得た。なお、成形装置には、磁界印加方向と加圧方向とが直交するいわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。得られた成形体を、真空中で４時間焼結（焼結による緻密化が十分起こる温度を選定）した後、急冷し、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を得た。得られたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の密度は７．５Ｍｇ／ｍ３以上であった。
得られたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の成分を求めるために、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｆｅ、Dy、Tb、Ｃｏ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｂの含有量を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）により測定した。なお、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の酸素量はガス融解―赤外線吸収法、窒素量はガス融解―熱伝導法、炭素量は焼結―赤外線吸収法、によるガス分析装置を使用して測定した。なお、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の成分は合計で１００ｍａｓｓ％にならない場合がある。これは、上述したように測定方法が異なるためと、不可避的不純物で他の元素を含有する場合があるからである。なお、ＴＲＥは、Ｎｄ、Ｐｒ、Dyの合計値である。
［Ｒ1－Ｍ系合金を準備する工程］
表２のＮｏ．１－Ａ～１－Fに示すようなＲ1－Ｍ系合金の組成になるように、各元素を秤量し、それらの原料を溶解して、単ロール超急冷法によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られたＲ1－Ｍ系合金の組成を表２に示す。なお、表２における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法を使用して測定した。
表２のＮｏ．１－Ａ～１－Fに示すようなＲ1－Ｍ系合金の組成になるように、各元素を秤量し、それらの原料を溶解して、単ロール超急冷法によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られたＲ1－Ｍ系合金の組成を表２に示す。なお、表２における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法を使用して測定した。
［拡散工程］
表１のNo.１～２のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を切断、切削加工し、７．２ｍｍ角の立方体にした。加工後のＲ－Ｔ－Ｂ系磁石素材にディッピング法により粘着剤としてＰＶＡをＲ－Ｔ－Ｂ系磁石素材の全面に塗布した。次に表３に示す作製条件で粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面にＲ1－Ｍ系合金を付着させた。なお、Ｒ1－Ｍ系合金付着量は、乳鉢を用いてＲ1－Ｍ系合金をアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き４５～１０００μｍの数種類の篩を通過させ、粒度の異なるＲ1－Ｍ系合金を用いることにより調整した。付着量は２ｍａｓｓ％又は３ｍａｓｓ％前後とした。そして、真空熱処理炉を用いて、１００Ｐａに制御した減圧アルゴン雰囲気中で、表３の拡散工程に示す条件でＲ1－Ｍ系合金およびＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱した後、冷却した。
表１のNo.１～２のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を切断、切削加工し、７．２ｍｍ角の立方体にした。加工後のＲ－Ｔ－Ｂ系磁石素材にディッピング法により粘着剤としてＰＶＡをＲ－Ｔ－Ｂ系磁石素材の全面に塗布した。次に表３に示す作製条件で粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面にＲ1－Ｍ系合金を付着させた。なお、Ｒ1－Ｍ系合金付着量は、乳鉢を用いてＲ1－Ｍ系合金をアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き４５～１０００μｍの数種類の篩を通過させ、粒度の異なるＲ1－Ｍ系合金を用いることにより調整した。付着量は２ｍａｓｓ％又は３ｍａｓｓ％前後とした。そして、真空熱処理炉を用いて、１００Ｐａに制御した減圧アルゴン雰囲気中で、表３の拡散工程に示す条件でＲ1－Ｍ系合金およびＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱した後、冷却した。
［熱処理を実施する工程］
前記拡散工程で加熱したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材に対し、真空熱処理炉を用いて１００Ｐａに制御した減圧アルゴン中にて５００℃の加熱する熱処理を行った。熱処理後の各サンプルに対し表面研削盤を用いて、全面を切削加工し、７．０ｍｍ×７．０ｍｍ×７．０ｍｍの立方体形状のサンプル（Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石）を得た。なお、拡散工程におけるＲ1－Ｍ系合金およびＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の加熱温度、ならびに、拡散工程後の熱処理を実施する工程におけるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の加熱温度は、それぞれ熱電対を用いて測定した。
前記拡散工程で加熱したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材に対し、真空熱処理炉を用いて１００Ｐａに制御した減圧アルゴン中にて５００℃の加熱する熱処理を行った。熱処理後の各サンプルに対し表面研削盤を用いて、全面を切削加工し、７．０ｍｍ×７．０ｍｍ×７．０ｍｍの立方体形状のサンプル（Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石）を得た。なお、拡散工程におけるＲ1－Ｍ系合金およびＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の加熱温度、ならびに、拡散工程後の熱処理を実施する工程におけるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の加熱温度は、それぞれ熱電対を用いて測定した。
［サンプル評価１］
得られたサンプルを、Ｂ－Ｈトレーサによって残留磁束密度Ｂｒおよび保磁力ＨｃＪを測定した。結果を表３に示す。表3に示すよう、Ｒ１－Ｍ系合金にＣｅを添加した比較例（試料Ｎｏ．１－５～１－６、１－１１～１－１２）は、ＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１、（基準１）、試料No．１－７（基準２）と比べてＣｅ添加量が多くなるにつれてそれぞれ大きくHcJが低下した。これに対して、Ｌａを添加した本発明例（１－２～１－３、１－８～１－９）は、ＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１（基準１）、１－７（基準２）に対して、本発明例のNo．１－２、１－３、１－７、１－８ではＢｒの低下はなく、ＨｃＪの低下量も基準特性の１０％未満であり、Ｌａを添加してもほとんど磁気特性は低下していない。また、本発明例の１－２、１－３、１－８、１－９とＣｅを添加した比較例（１－５、１－６、１－１０、１－１１）と比べると、ＣｅよりもＬａの方が置換を高くしても磁気特性の低下が大きく抑制されている。
得られたサンプルを、Ｂ－Ｈトレーサによって残留磁束密度Ｂｒおよび保磁力ＨｃＪを測定した。結果を表３に示す。表3に示すよう、Ｒ１－Ｍ系合金にＣｅを添加した比較例（試料Ｎｏ．１－５～１－６、１－１１～１－１２）は、ＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１、（基準１）、試料No．１－７（基準２）と比べてＣｅ添加量が多くなるにつれてそれぞれ大きくHcJが低下した。これに対して、Ｌａを添加した本発明例（１－２～１－３、１－８～１－９）は、ＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１（基準１）、１－７（基準２）に対して、本発明例のNo．１－２、１－３、１－７、１－８ではＢｒの低下はなく、ＨｃＪの低下量も基準特性の１０％未満であり、Ｌａを添加してもほとんど磁気特性は低下していない。また、本発明例の１－２、１－３、１－８、１－９とＣｅを添加した比較例（１－５、１－６、１－１０、１－１１）と比べると、ＣｅよりもＬａの方が置換を高くしても磁気特性の低下が大きく抑制されている。
［サンプル評価２］
得られたサンプルの１５０℃雰囲気下での磁気特性を評価した。１５０℃雰囲気下測定結果を表４に示す。表４に示すように、Ｒ１－Ｍ系合金にＣｅを添加した比較例（試料Ｎｏ．１－５～１－６）は、ＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１、（基準１）と比べてＣｅ添加量が多くなるにつれて大きくHｃＪが低下した。これに対してＬａを添加した本発明例（１－２、１－３）はＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１（基準１）に対して１５０℃雰囲気下でもＨｃＪ低下量は基準特性の１０%未満であり、さらにＢｒは増加していた。さらに、Ｌａ添加したＲ１－Ｍ系合金を多く付着させた本発明例（試料Ｎｏ．１－８、１－９）においても試料Ｎｏ．１－７（基準２）に対して１５０℃雰囲気下でもＨｃＪ低下量は基準特性の１０%未満であり、Ｂｒも増加していた。
得られたサンプルの１５０℃雰囲気下での磁気特性を評価した。１５０℃雰囲気下測定結果を表４に示す。表４に示すように、Ｒ１－Ｍ系合金にＣｅを添加した比較例（試料Ｎｏ．１－５～１－６）は、ＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１、（基準１）と比べてＣｅ添加量が多くなるにつれて大きくHｃＪが低下した。これに対してＬａを添加した本発明例（１－２、１－３）はＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１（基準１）に対して１５０℃雰囲気下でもＨｃＪ低下量は基準特性の１０%未満であり、さらにＢｒは増加していた。さらに、Ｌａ添加したＲ１－Ｍ系合金を多く付着させた本発明例（試料Ｎｏ．１－８、１－９）においても試料Ｎｏ．１－７（基準２）に対して１５０℃雰囲気下でもＨｃＪ低下量は基準特性の１０%未満であり、Ｂｒも増加していた。
［サンプル評価３］
得られたサンプルの１８０℃雰囲気下での磁気特性を評価した。１８０℃雰囲気下測定結果を表４に示す。表４に示すように、Ｒ１－Ｍ系合金にＣｅを添加した比較例（試料Ｎｏ．１－５～１－６）は、ＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１、（基準１）と比べてＣｅ添加量が多くなるにつれて大きくHｃＪが低下した。これに対してＬａを添加した本発明例（１－２、１－３）はＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１（基準１）に対して１８０℃雰囲気下でもＨｃＪ低下量は基準特性の１０%未満であり、さらにＢｒは増加していた。さらに、Ｌａ添加したＲ１－Ｍ系合金を多く付着させた本発明例（試料Ｎｏ．１－８、１－９）においても試料Ｎｏ．１－７（基準２）に対して１８０℃雰囲気下でもＨｃＪ低下量は基準特性の１０%未満であり、Ｂｒも増加していた。
得られたサンプルの１８０℃雰囲気下での磁気特性を評価した。１８０℃雰囲気下測定結果を表４に示す。表４に示すように、Ｒ１－Ｍ系合金にＣｅを添加した比較例（試料Ｎｏ．１－５～１－６）は、ＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１、（基準１）と比べてＣｅ添加量が多くなるにつれて大きくHｃＪが低下した。これに対してＬａを添加した本発明例（１－２、１－３）はＬａやＣｅを添加しないＲ１－Ｍ系合金を用いた試料No．１－１（基準１）に対して１８０℃雰囲気下でもＨｃＪ低下量は基準特性の１０%未満であり、さらにＢｒは増加していた。さらに、Ｌａ添加したＲ１－Ｍ系合金を多く付着させた本発明例（試料Ｎｏ．１－８、１－９）においても試料Ｎｏ．１－７（基準２）に対して１８０℃雰囲気下でもＨｃＪ低下量は基準特性の１０%未満であり、Ｂｒも増加していた。
Claims (6)
- Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材（Ｒは希土類元素であり、Ｎｄ、ＰｒおよびＣｅからなる群から選択された少なくとも１つを必ず含み、ＴはＦｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｍｎ、およびＳｉからなる群から選択された少なくとも１つであり、必ずＦｅを含む）を準備する工程と、
Ｒ１－Ｍ系合金（Ｒ１はＲＨとＲＬからなり、ＲＨはＴｂおよびＤｙの少なくとも一方であり、ＲＬは、ＲＨ以外の希土
類元素であり、ＮｄおよびＰｒの少なくとも一方と、Ｌａを必ず含み、ＭはＢおよびＣの少なくとも一方と、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる群から選択された少なくとも１つを必ず含む）を準備する工程と、
前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材と前記Ｒ１－Ｍ系合金を真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱し、Ｒ１およびＭをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材内部に拡散させる拡散工程と、を含み、
前記Ｒ１－Ｍ系合金における、Ｒ１の含有量はＲ１－Ｍ系合金全体の７０ｍａｓｓ％以上９５ｍａｓｓ％以下であり、Ｒ１中のＬａの含有割合は５％以上４０％未満であり、Ｍの含有量はＲ１－Ｍ系合金全体の５ｍａｓｓ％以上３０ｍａｓｓ％以下であり、Ｍ中のＢおよびＣの合計含有割合は５％以上２０％未満である、
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。 - 前記Ｒ１－Ｍ系合金における、Ｒ１中のＬａの含有割合は５％以上３０％以下である、
請求項1に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。 - 前記Ｒ１－Ｍ系合金における、Ｒ１中のＲＨの含有割合は５％以上２０％以下であり、Ｒ１中のＮｄおよびＰｒの少なくとも一方の合計含有割合は２５％以上％９０％以下である、請求項１に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。
- 前記Ｒ１－Ｍ系合金のＭは、ＣｕおよびＧａの少なくとも一方を必ず含み、前記Ｍ中のＣｕおよびＧａの合計含有割合は８０％以上９５％未満である、請求項１または２に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。
- 前記Ｒ１－Ｍ系合金のＲ１は、Ｐｒを必ず含み、前記Ｒ１中のＰｒの含有割合は２５％以上９５％以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。
- 前記Ｒ１－Ｍ系合金のＭは、Ｂを必ず含み、前記Ｍ中のＢの含有割合は５％以上１５％未満である、請求項１または２に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。
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