JP2023129862A - 磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】リトラクト動作において磁気ヘッドの速度を速やかにターゲット速度に近づけることができる磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】一つの実施形態に係る磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、磁気ヘッドと、アクチュエータと、コントローラと、ランプとを備える。前記コントローラは、前記アクチュエータに前記磁気ヘッドを前記ランプへ退避させるリトラクト動作において、前記アクチュエータの逆起電力の検出と、前記逆起電力に応じた電圧の前記アクチュエータへの印加と、を交互に行い、前記磁気ヘッドの速度が所定の範囲から外れた場合に前記逆起電力の検出を所定の回数に亘ってスキップするよう構成される。
【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置に関する。

ハードディスクドライブのような磁気ディスク装置は、例えば、電源供給が切断されたとき、リトラクト動作を行う。リトラクト動作では、ボイスコイルモータのようなアクチュエータが磁気ヘッドをランプへ退避させる。

リトラクト動作において、磁気ディスク装置は、一般的に、アクチュエータの逆起電力に基づき、磁気ヘッドの速度のフィードバック制御を行う。磁気ディスクは、逆起電力の検出と、アクチュエータへの電圧の印加とを交互に行う。

米国特許第６６３１０４５号明細書

リトラクト動作において、磁気ヘッドの速度とターゲット速度との差が大きい場合、磁気ヘッドの速度がターゲット速度に到達するまでに時間がかかることがある。

本発明が解決する課題の一例は、リトラクト動作において磁気ヘッドの速度を速やかにターゲット速度に近づけることができる磁気ディスク装置を提供することである。

一つの実施形態に係る磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、磁気ヘッドと、アクチュエータと、コントローラと、ランプとを備える。前記磁気ヘッドは、前記磁気ディスクに対してデータの記録及び再生を行うよう構成される。前記アクチュエータは、前記磁気ヘッドを前記磁気ディスクに対して移動させるよう構成される。前記コントローラは、前記アクチュエータを制御するよう構成される。前記ランプは、前記磁気ヘッドを保持可能である。前記コントローラは、前記アクチュエータに前記磁気ヘッドを前記ランプへ退避させるリトラクト動作において、前記アクチュエータの逆起電力の検出と、前記逆起電力に応じた電圧の前記アクチュエータへの印加と、を交互に行い、前記磁気ヘッドの速度が所定の範囲から外れた場合に前記逆起電力の検出を所定の回数に亘ってスキップするよう構成される。

図１は、第１の実施形態に係る磁気ディスク装置の構成の一例を示す例示的な図である。 図２は、第１の実施形態の磁気ディスク装置を概略的に示す例示的な平面図である。 図３は、第１の実施形態の磁気ディスク装置のリトラクト動作に関する例示的な制御ブロック図である。 図４は、第１の実施形態の磁気ディスク装置の動作の一例を示す例示的なフローチャートである。 図５は、第１の実施形態における電圧差の閾値の一例を示す例示的な表である。 図６は、第１の実施形態のリトラクト動作におけるＶＣＭの駆動電圧とＢＥＭＦの検出値との一例を示す例示的なグラフである。 図７は、第２の実施形態に係る磁気ディスク装置の動作の一例を示す例示的なフローチャートである。 図８は、第２の実施形態のリトラクト動作におけるＶＣＭの駆動電圧とＢＥＭＦの検出値との一例を示す例示的なグラフである。

（第１の実施形態）
以下に、第１の実施形態について、図１乃至図６を参照して説明する。なお、本明細書において、実施形態に係る構成要素及び当該要素の説明が、複数の表現で記載されることがある。構成要素及びその説明は、一例であり、本明細書の表現によって限定されない。構成要素は、本明細書におけるものとは異なる名称でも特定され得る。また、構成要素は、本明細書の表現とは異なる表現によっても説明され得る。

図１は、第１の実施形態に係る磁気ディスク装置１０の構成の一例を示す例示的な図である。磁気ディスク装置１０は、例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）である。なお、磁気ディスク装置１０は、ハイブリッドＨＤＤのような他の磁気ディスク装置であっても良い。

磁気ディスク装置１０は、ホスト２に接続可能である。磁気ディスク装置１０とホスト２とは、例えば、ＳＡＳ（Ｓｅｒｉａｌ Ａｔｔａｃｈｅｄ ＳＣＳＩ）規格に準拠した通信を行うことができる。なお、磁気ディスク装置１０とホスト２との間の通信路の規格は、この例に限ら得ない。

ホスト２は、例えばプロセッサ、パーソナルコンピュータ、又はサーバである。磁気ディスク装置１０は、ホスト２からアクセスコマンド（リードコマンド及びライトコマンド）を受け付けることができる。

図２は、第１の実施形態の磁気ディスク装置１０を概略的に示す例示的な平面図である。図１及び図２に示すように、磁気ディスク装置１０は、スピンドルモータ（ＳＰＭ）１１と、複数の磁気ディスク１２と、複数の磁気ヘッド１３と、アクチュエータ系１４と、ランプロード機構１５と、ヘッドアンプ１６と、ＳｏＣ１７と、サーボコントローラ（ＳＶＣ）１８とを有する。ランプロード機構１５は、ランプの一例である。ＳＶＣ１８は、コントローラの一例であり、例えばサーボコンボとも称され得る。なお、コントローラは、他の部品であっても良い。

ＳＰＭ１１は、回転軸１９を有する。回転軸１９に、複数の磁気ディスク１２が、例えばクランプによって保持される。ＳＰＭ１１は、回転軸１９まわりに、複数の磁気ディスク１２を一体的に回転させることができる。

複数の磁気ディスク１２の両面には、データの記録が可能な記録面が形成される。複数の磁気ヘッド１３の数は、当該複数の磁気ヘッド１３が複数の磁気ディスク１２の記録面にアクセス可能なように設定される。

複数の磁気ヘッド１３のそれぞれは、対応する磁気ディスク１２の記録面に対向可能なように設けられる。複数の磁気ヘッド１３のそれぞれは、当該磁気ヘッド１３が対向する磁気ディスク１２の記録面に対し、データの記録及びデータの再生を行うことができる。

図２に示すように、アクチュエータ系１４は、複数のサスペンション２１と、複数のアクチュエータアーム２２と、回転軸２３と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２４と、複数のマイクロアクチュエータ（ＭＡ）２５とを有する。ＶＣＭ２４は、アクチュエータの一例である。サスペンション２１、アクチュエータアーム２２、及びＭＡ２５の数は、磁気ヘッド１３の数に対応して設定される。また、アクチュエータ系１４が複数のＶＣＭ２４を有しても良い。

複数のサスペンション２１のそれぞれは、弾性変形可能な板状に形成される。複数のサスペンション２１のそれぞれは、複数の磁気ヘッド１３のうちの対応する一つを、当該サスペンション２１の先端の近傍で支持する。

複数のアクチュエータアーム２２の一方の端部は、回転軸２３まわりに回転可能に、当該回転軸２３に支持される。複数のアクチュエータアーム２２のそれぞれの他方の端部に、複数のサスペンション２１のうち対応する一つが取り付けられる。

ＶＣＭ２４は、アクチュエータアーム２２と、当該アクチュエータアーム２２に取り付けられたサスペンション２１とを、回転軸２３まわりに所定の範囲内で回転させる。ＳＰＭ１１の回転軸１９とアクチュエータ系１４の回転軸２３とは、略平行且つ互いに離間した位置に設けられる。このため、ＶＣＭ２４は、サスペンション２１に支持された磁気ヘッド１３を磁気ディスク１２に対して移動させることができる。

ＶＣＭ２４は、アクチュエータアーム２２を磁気ディスク１２の記録面に対して略平行に移動させる。本実施形態のＶＣＭ２４は、磁気ヘッド１３を、磁気ディスク１２に対して、回転軸１９と略直交する径方向に移動させる。

ＭＡ２５は、サスペンション２１とアクチュエータアーム２２との接続部分に設けられる。ＭＡ２５は、例えば、圧電素子のようなアクチュエータ素子である。ＭＡ２５は、サスペンション２１を磁気ディスク１２の記録面に対して略平行に移動させることができる。すなわち、アクチュエータ系１４は、ＶＣＭ２４とＭＡ２５とによって磁気ヘッド１３を移動させる、二段アクチュエータとして構成される。

アクチュエータ系１４は、ＶＣＭ２４とＭＡ２５とによって、磁気ディスク１２の記録面に対し、軌跡Ｔに沿って磁気ヘッド１３を移動させることができる。磁気ディスク１２の外端近傍の軌跡Ｔ上に、ランプロード機構１５が設けられる。このため、ＶＣＭ２４は、磁気ヘッド１３を、ランプロード機構１５と回転軸１９との間で移動させることができる。

ランプロード機構１５は、例えば、アンロード時及びリトラクト時に、複数の磁気ヘッド１３をパーキングする。例えば、ランプロード機構１５は、サスペンション２１の先端に設けられたリフトタブを支持することで、サスペンション２１に支持された磁気ヘッド１３を退避位置に保持することができる。

図１に示すヘッドアンプ１６は、磁気ヘッド１３が磁気ディスク１２から読み取った信号を増幅して出力してＳｏＣ１７に供給する。ＳｏＣ１７は、ヘッドアンプ１６から供給された信号を、リードチャネル回路によってデジタルデータに復調する。

さらに、ヘッドアンプ１６は、デジタルデータに対応した信号をＳｏＣ１７から供給される。ヘッドアンプ１６は、ＳｏＣ１７から供給された信号を増幅して、磁気ヘッド１３に供給する。磁気ヘッド１３は、ヘッドアンプ１６から供給された信号を磁気ディスク１２の記録面に記録する。

ＳＶＣ１８は、アクチュエータ系１４のＶＣＭ２４及びＭＡ２５を制御する。具体的には、ＳＶＣ１８は、ＳｏＣ１７からの指示に基づいてアクチュエータ系１４を駆動することによって、磁気ヘッド１３をＳｏＣ１７から指示された位置に位置決めする。

さらに、ＳＶＣ１８は、ＳｏＣ１７からの指示に基づいてＳＰＭ１１を駆動する。ＳＶＣ１８は、ＳＰＭ１１の回転速度が予め決められた目標速度で一定となるように、ＳＰＭ１１を駆動する。

ＳＶＣ１８は、磁気ディスク装置１０への電源供給が切断されたときに、磁気ヘッド１３をリトラクトする。さらに、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の位置決め制御においてシークエラーが発生した場合に、磁気ヘッド１３をリトラクトしても良い。

磁気ヘッド１３のリトラクトは、磁気ヘッド１３をランプロード機構１５に退避する動作である。以下の記載において、磁気ヘッド１３をリトラクトする動作は、リトラクト動作（ｒｅｔｒａｃｔ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）と称され得る。

ＳｏＣ１７は、ホスト２に電気的に接続される。ＳｏＣ１７は、ホスト２からのアクセスコマンドを解釈して、解釈結果に基づき、磁気ディスク１２へのアクセスのような種々の制御を実行する。

ＳｏＣ１７は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ－Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１７ａを有する。ＭＰＵ１７ａは、ファームウェアプログラムに従って動作する。ファームウェアプログラムは、所定の不揮発性の記憶領域に格納されている。所定の不揮発性の記憶領域は、磁気ディスク１２であっても良いし、ＳｏＣ１７のＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）であっても良い。

ＭＰＵ１７ａは、磁気ディスク装置１０全体の動作を制御する。例えば、ＭＰＵ１７ａは、ヘッドアンプ１６を介して磁気ヘッド１３を用いた磁気ディスク１２へのアクセスを制御する。また、ＭＰＵ１７ａは、ＳＶＣ１８に対してＳＰＭ１１の回転制御を指示したり、ＳＶＣ１８を介してアクチュエータ系１４のロード／アンロードの制御を実行したりする。

また、ＭＰＵ１７ａは、位置決め制御では、磁気ヘッド１３の位置を目標位置ｐｏｓ＿ｔａｒｇｅｔに追従させるため、ＶＣＭ２４の駆動電圧の指示値及びＭＡ２５の駆動電圧の指示値を演算する。ＭＰＵ１７ａは、磁気ヘッド１３が磁気ディスク１２の記録面に形成されたサーボ情報から読み出した位置信号ｐｏｓをフィードバック入力として用いて各指示値を演算し、得られた各指示値をＳＶＣ１８に送信する。

ＳＶＣ１８は、ＶＣＭ２４の駆動電圧の指示値に応じた電圧をＶＣＭ２４に印加し、ＭＡ２５の駆動電圧の指示値に応じた電圧をＭＡ２５に印加する。これによって、磁気ヘッド１３が目標位置ｐｏｓ＿ｔａｒｇｅｔに位置決めされる。

以下、磁気ディスク装置１０におけるリトラクト動作について説明する。磁気ディスク装置１０への電源供給が切断され、磁気ディスク１２の回転が止まると、磁気ヘッド１３が磁気ディスク１２に接触してしまう虞がある。このため、磁気ディスク装置１０は、電源供給が切断されると、リトラクト動作を実行する。これによって、磁気ディスク装置１０は、安全に磁気ヘッド１３をランプロード機構１５に退避させる。

ＳＶＣ１８は、例えば、当該ＳＶＣ１８に供給される電源電圧が所定の電圧を下回ると、リトラクト動作の制御を開始する。磁気ディスク装置１０への電源供給が切断されると、ＳＶＣ１８に供給される電源電圧が上記所定の電圧を下回り、ＳＶＣ１８がリトラクト動作の制御を開始する。

ＳＶＣ１８は、ＭＰＵ１７ａに介在されることなく、リトラクト動作が完了するまでリトラクト動作の制御を続けることができる。なお、例えば位置決め制御中にシークエラーが発生した場合には、ＳＶＣ１８は、ＭＰＵ１７ａの指示に基づいてリトラクト動作の制御を行っても良い。

リトラクト動作では、ＳＶＣ１８は、ＶＣＭ２４に対して矩形波状に電圧を印加する。つまり、ＳＶＣ１８は、ＶＣＭ２４の駆動電圧をオン／オフ制御する。ＳＶＣ１８は、ＶＣＭ２４の駆動電圧がオフである期間に、ＶＣＭ２４の逆起電力（Ｂａｃｋ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ:ＢＥＭＦ）を検出する。

ＳＶＣ１８は、検出したＢＥＭＦに応じた駆動電圧を、ＶＣＭ２４に印加する。すなわち、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出値をフィードバック入力として用いて、磁気ヘッド１３の移動速度を一定のターゲット速度に保って動かす。これにより、ＳＶＣ１８は、ＶＣＭ２４に磁気ヘッド１３を安全な速度でランプロード機構１５へ退避させることができる。

以上のように、ＳＶＣ１８は、リトラクト動作において、基本的に、ＶＣＭ２４のＢＥＭＦの検出と、ＢＥＭＦに応じた電圧のＶＣＭ２４への印加と、を交互に行う。しかし、本実施形態のＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出をスキップすることができる。

図３は、第１の実施形態の磁気ディスク装置１０のリトラクト動作に関する例示的な制御ブロック図である。図３に示すように、ＳＶＣ１８は、加算器４１と、ＶＣＭデジタルアナログコンバータ（Ｄｉｇｉｔａｌ－Ａｎａｌｏｇ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ：ＤＡＣ）４２と、ＶＣＭドライバ４３と、アンプ４４と、ＢＥＭＦサンプリング回路４５と、セレクタ４６と、アナログデジタルコンバータ（Ａｎａｌｏｇ－Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ：ＡＤＣ）４７と、ＢＥＭＦモニタ回路４８と、を備える。これらの要素は、例えば、ハードウェア回路によって構成され得る。

加算器４１には、ＶＣＭ２４のＢＥＭＦの目標値（ターゲット電圧）Ｖ_ＴＲＧと、ＶＣＭ２４のＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦと、が入力される。Ｖ_ＢＥＭＦは、ＶＣＭ２４のモータ速度と、磁気ヘッド１３、サスペンション２１、及びアクチュエータアーム２２の速度と、のそれぞれに対応する。すなわち、ターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧは、磁気ヘッド１３のターゲット速度に対応する。ターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧは、予め決定されてＳＶＣ１８のレジスタに記憶されている。

加算器４１は、ターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧからＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦを減算する。加算器４１から出力された値は、ＶＣＭ２４の駆動電圧Ｖ_ＡＰの指示値としてＶＣＭ ＤＡＣ４２に入力される。ＶＣＭ ＤＡＣ４２は、入力された値をアナログ値に変換し、アナログ値に変換された値をＶＣＭドライバ４３に入力する。ＶＣＭドライバ４３は、入力された値に応じた値の駆動電圧Ｖ_ＡＰをＶＣＭ２４に印加する。

図３の例では、加算器４１から出力された値がそのままＶＣＭ ＤＡＣ４２に入力される。しかし、加算器４１から出力された値は、ゲインを乗算するフィルタのような少なくとも一つのフィルタを介してＶＣＭ ＤＡＣ４２に入力されても良い。

ＶＣＭドライバ４３が出力する電圧の値は、アンプ４４によって増幅される。アンプ４４は、増幅した電圧の値を、セレクタ４６が備える二つの入力端子のうちの一つに出力する。

ＢＥＭＦモニタ回路４８は、ＶＣＭ２４のＢＥＭＦを検出する。ＢＥＭＦモニタ回路４８から出力されるＶＣＭ２４のＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦは、ＢＥＭＦサンプリング回路４５に入力される。

ＢＥＭＦサンプリング回路４５は、スイッチ５１と、キャパシタ５２とを備える。キャパシタ５２の一方の電極は接地されている。スイッチ５１は、セレクタ４６に入力されるＭＰＸ切り替え信号が「入力１」を示す場合には、非導通状態とされ、ＢＥＭＦモニタ回路４８から入力された検出値Ｖ_ＢＥＭＦの出力を遮断する。スイッチ５１は、ＭＰＸ切り替え信号が「入力２」を示す場合には、導通状態とされ、ＢＥＭＦモニタ回路４８から入力された検出値Ｖ_ＢＥＭＦを、セレクタ４６が備える二つの入力端子のうちの他の一つに入力する。

ＭＰＸ切り替え信号は、ＶＣＭ２４の駆動電圧Ｖ_ＡＰのオン／オフ制御の状態に対応する。ＶＣＭ２４の駆動電圧Ｖ_ＡＰがオン状態であり、ＶＣＭ２４に非ゼロの駆動電圧Ｖ_ＡＰが印加されているとき、ＭＰＸ切り替え信号によって「入力１」が選択される。ＶＣＭ２４の駆動電圧Ｖ_ＡＰがオフ状態であり、ＶＣＭ２４に印加されている駆動電圧Ｖ_ＡＰの値がゼロであるときに、ＭＰＸ切り替え信号によって「入力２」が選択される。

セレクタ４６は、ＭＰＸ切り替え信号が「入力１」を示す場合、アンプ４４から入力された値をＡＤＣ４７に入力する。ＡＤＣ４７は、ＭＰＸ切り替え信号が「入力１」を示す場合、アンプ４４が出力した値をデジタル値に変換し、デジタル値に変換された値は、例えばＭＰＵ１７ａに送られる。

アンプ４４が出力する値は、ＶＣＭ２４に印加された電圧の値を増幅したものであり、ＶＣＭ２４に印加された電圧の検出値に相当する。すなわち、リトラクト動作を実行中のアクチュエータ系１４では、ＶＣＭ２４に印加された電圧の検出値は、ＡＤＣ４７によってデジタル値に変換されて、ＭＰＵ１７ａに送られる。

セレクタ４６は、ＭＰＸ切り替え信号が「入力２」を示す場合、ＢＥＭＦサンプリング回路４５を介して入力された検出値Ｖ_ＢＥＭＦをＡＤＣ４７に入力する。ＡＤＣ４７は、ＭＰＸ切り替え信号が「入力２」を示す場合、検出値Ｖ_ＢＥＭＦをデジタル値に変換し、デジタル値に変換された検出値Ｖ_ＢＥＭＦを加算器４１に入力する。これによって、検出値Ｖ_ＢＥＭＦをフィードバック入力としたＶＣＭ２４の速度制御が実現する。

ＭＰＵ１７ａは、例えば、磁気ヘッド１３の位置を目標位置ｐｏｓ＿ｔａｒｇｅｔに追従させるため、ＶＣＭ２４の駆動電圧Ｖ_ＡＰの指示値の計算を実行する。当該計算のための機能は、例えば、ＭＰＵ１７ａがファームウェアを実行することによって実現する。なお、ＭＰＵ１７ａは、ＭＡ２５の駆動電圧の指示値の計算をさらに実行しても良い。

ＶＣＭ２４に駆動電圧Ｖ_ＡＰが印加されることによって、アクチュエータ系１４は、磁気ヘッド１３を移動させる。磁気ヘッド１３は、現在位置において磁気ディスク１２から位置信号ｐｏｓを読み取り、位置信号ｐｏｓは、ＭＰＵ１７ａに入力される。

ＭＰＵ１７ａは、入力された位置信号ｐｏｓをフィードバック入力として用いて、ＶＣＭ２４の駆動電圧Ｖ_ＡＰの指示値を計算する。つまり、ＭＰＵ１７ａは、位置信号ｐｏｓをフィードバック入力として用いて、磁気ヘッド１３の位置決め制御を実行することができる。なお、ＭＰＵ１７ａに介在されることなく、ＳＶＣ１８が単独で磁気ヘッド１３の位置決め制御を行っても良い。

図４は、第１の実施形態の磁気ディスク装置１０の動作の一例を示す例示的なフローチャートである。上述のように、本実施形態のＳＶＣ１８は、リトラクト動作において、ＢＥＭＦの検出をスキップすることができる。以下、図４を参考に、本実施形態におけるリトラクト動作の一例について説明する。

まず、磁気ディスク装置１０の稼働中に、ＳＶＣ１８は、電源供給が切断されたか否かを判定する（Ｓ１０１）。ＳＶＣ１８は、例えば磁気ディスク装置１０の電源回路を通じて当該ＳＶＣ１８に供給される電圧が所定の閾値を上回る場合は、電源供給が切断されていないと判定し（Ｓ１０１：Ｎｏ）、リトラクト動作を開始せずにＳ１０１を繰り返す。

ＳＶＣ１８は、当該ＳＶＣ１８に供給される電圧が上記閾値を下回る場合、電源供給が切断されたと判定し（Ｓ１０１：Ｙｅｓ）、リトラクト動作を開始する（Ｓ１０２）。以降、ＭＰＵ１７ａに指示され、又は単独で、ＳＶＣ１８が上述の磁気ヘッド１３の位置決め制御を行う。

図２に示すように、磁気ディスク装置１０において、ＶＣＭ２４は、磁気ヘッド１３を第１の方向Ｄ１及び第２の方向Ｄ２に移動させることができる。第１の方向Ｄ１は、軌跡Ｔに沿ってランプロード機構１５に向かう方向である。第２の方向Ｄ２は、第１の方向Ｄ１の反対方向である。第２の方向Ｄ２は、軌跡Ｔに沿って回転軸１９に向かう方向である。

ＳＶＣ１８は、リトラクト動作において、上述のＢＥＭＦに基づくフィードバック制御により、磁気ヘッド１３の速度を安全なターゲット速度に近づける。本実施形態において、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の第１の方向Ｄ１における速度をターゲット速度に近づけた後、磁気ヘッド１３をランプロード機構１５にパーキングさせる。

磁気ヘッド１３が第１の方向Ｄ１に高速でシーク（移動）しているときに、磁気ディスク装置１０への電源供給が切断されることがある。この場合、磁気ヘッド１３の速度がターゲット速度まで減速される前に磁気ヘッド１３がランプロード機構１５に到達すると、磁気ヘッド１３が損傷する虞がある。このため、本実施形態のＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の第１の方向Ｄ１における速度を速やかにターゲット速度まで減速させる。

図４のＳ１０２でリトラクト動作が開始されると、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３が第１の方向Ｄ１に移動しているか否かを判定する（Ｓ１０３）。ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３が第２の方向Ｄ２に移動している場合（Ｓ１０３：Ｎｏ）、磁気ヘッド１３が第１の方向Ｄ１に移動するまでＳ１０３を繰り返す。

ＳＶＣ１８は、例えば、リトラクト動作が開始される直前のＢＥＭＦの向き（正負）に基づき、磁気ヘッド１３の移動方向を判定する。なお、ＳＶＣ１８は、他の方法により、磁気ヘッド１３の移動方向を判定しても良い。

Ｓ１０３が繰り返される間、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出をスキップせずにリトラクト動作を継続する。磁気ヘッド１３が第２の方向Ｄ２に移動している場合、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３が第１の方向Ｄ１へ移動するように、ＶＣＭ２４に電圧を印加する。ＶＣＭ２４は、ＳＶＣ１８に電圧を印加されることで、第２の方向Ｄ２における磁気ヘッド１３の速度を減速させ、磁気ヘッド１３を第１の方向Ｄ１に加速する。

ＳＶＣ１８は、Ｓ１０３において磁気ヘッド１３が第１の方向Ｄ１に移動していると判定すると（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、それ以降のリトラクト動作ではＢＥＭＦの検出をスキップし得る。以下、ＢＥＭＦの検出をスキップし得るリトラクト動作について説明する。

Ｓ１０３以降のリトラクト動作において、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦと当該ＢＥＭＦの目標値（ターゲット電圧）Ｖ_ＴＲＧとの差（電圧差）が所定の閾値を上回る場合に、ＢＥＭＦの検出を所定の回数に亘ってスキップする。上述のように、ＢＥＭＦは、磁気ヘッド１３の速度に対応する。このため、ＳＶＣ１８は、電圧差が所定の閾値を上回るか否かの判定により、磁気ヘッド１３が所定の速度を上回るか否かを判定する。

図５は、第１の実施形態における電圧差の閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）の一例を示す例示的な表である。電圧差の閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）は、例えば、予め決定されてＳＶＣ１８のレジスタに記憶されている。図５に示すように、本実施形態における所定の閾値は、十個の閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）を含む。

例えば、Ｖ_ｔｈ（３）が第１の閾値の一例であり、Ｖ_ｔｈ（２）が第２の閾値の一例である。閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）における数（Ｎ）が小さいほど、閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）の値も低い。このため、閾値Ｖ_ｔｈ（２）は、閾値Ｖ_ｔｈ（３）よりも低い。

最大の閾値Ｖ_ｔｈ（１０）は、例えば、キャパシタ５２から得られる最大の電圧とターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差を下回るように設定される。すなわち、キャパシタ５２に最大限の電荷が蓄えられたとき、電圧差は閾値Ｖ_ｔｈ（１０）を上回る。なお、閾値Ｖ_ｔｈ（１０）は、この例に限られない。

本実施形態において、数（Ｎ）は、閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）における序数であるとともに、電圧差が当該閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）を上回る場合にＢＥＭＦの検出がスキップされる所定の回数でもある。このため、数（Ｎ＝３）は第１の回数の一例であり、数（Ｎ＝２）は第２の回数の一例である。なお、閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）における序数と所定の回数とが異なっても良い。

電圧差の閾値は、図５の例に限られない。図５における閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）は数（Ｎ）に応じて均等に変動するが、閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）の変動はこの例に限られない。また、電圧差の所定の閾値は、単一の閾値であっても良い。

図４に示すように、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出をスキップし得るリトラクト動作において、まず、ＶＣＭ２４のＢＥＭＦを検出する（Ｓ１０４）。次に、ＳＶＣ１８は、数（Ｎ）を（Ｎ＝１０）と設定する（Ｓ１０５）。

次に、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦとターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差（電圧差）が、閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）以上であるか否かを判定する（Ｓ１０６）。言い換えると、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦが閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）とターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧの和以上であるかを判定する。

電圧差が閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）を下回る場合（Ｓ１０６：Ｎｏ）、ＳＶＣ１８は、数（Ｎ）を（Ｎ＝Ｎ－１）と設定する（Ｓ１０７）。ＳＶＣ１８は、Ｓ１０６に戻り、再び電圧差が閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）以上であるか否かを判定する。ＳＶＣ１８は、電圧差が閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）以上となるまで、Ｓ１０６及びＳ１０７を繰り返す。

Ｓ１０６において電圧差が閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）以上である場合（Ｓ１０６：Ｙｅｓ）、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦ検出をＮ回に亘ってスキップして、ＶＣＭ２４にＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦに応じた駆動電圧Ｖ_ＡＰを印加する（Ｓ１０８）。言い換えると、ＳＶＣ１８は、（Ｎ＋１）回に亘ってＶＣＭ２４に継続的に電圧を印加する。

例えば、電圧差が３００ｍＶ以上で４００ｍＶより低い場合、電圧差はＶ_ｔｈ（３）を上回る。このため、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦ検出を３回に亘ってスキップする。一方、電圧差が２００ｍＶ以上で３００ｍＶより低い場合、電圧差はＶ_ｔｈ（２）を上回る。このため、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦ検出を２回に亘ってスキップする。

次に、ＳＶＣ１８は、リトラクト動作が終了したか否かを判定する（Ｓ１０９）。例えば、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３が目標位置ｐｏｓ＿ｔａｒｇｅｔに位置するか否かを判定する。ＳＶＣ１８は、例えばＭＰＵ１７ａから、磁気ヘッド１３の位置に関する情報を取得しても良い。

Ｓ１０９においてリトラクト動作が終了していない場合（Ｓ１０９：Ｎｏ）、ＳＶＣ１８は、Ｓ１０４に戻り、再びＢＥＭＦを検出する。ＳＶＣ１８は、リトラクト動作が終了するまで、Ｓ１０４～Ｓ１０９を繰り返す。ＳＶＣ１８は、Ｓ１０９においてリトラクト動作が終了していると判定した場合（Ｓ１０９：Ｙｅｓ）、動作を終了する。

図４の例のリトラクト動作において、ＳＶＣ１８は、第１の方向Ｄ１における磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回る場合に、ＢＥＭＦの検出を所定の回数に亘ってスキップする。一方、ＳＶＣ１８は、第２の方向Ｄ２における磁気ヘッド１３が所定の速度を上回る場合に、ＢＥＭＦの検出をスキップしない。しかし、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３が第２の方向Ｄ２に移動している場合にも、リトラクト動作においてＢＥＭＦの検出をスキップしても良い。この場合、Ｓ１０３が省略される。

さらに、図４の例のリトラクト動作において、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回る場合に、所定の回数に亘ってＢＥＭＦの検出をスキップする。言い換えると、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の速度が上記所定の速度を上限とする所定の範囲から外れた場合に、ＢＥＭＦの検出を所定の回数に亘ってスキップする。

一方で、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を下回る場合にも、所定の回数に亘ってＢＥＭＦの検出をスキップしても良い。すなわち、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の速度が下限となる閾値を有する所定の範囲から外れた場合に、ＢＥＭＦの検出を所定の回数に亘ってスキップしても良い。

例えば、磁気ヘッド１３がランプロード機構１５にパーキングされるとき、サスペンション２１のリフトタブがランプロード機構１５に設けられた斜面を上る。このとき、リフトタブとランプロード機構１５との間の摩擦により、磁気ヘッド１３の速度がターゲット速度を大きく下回る虞がある。

磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を下回った場合に、ＳＶＣ１８がＢＥＭＦの検出を所定の回数（例えば一回又は二回）に亘ってスキップする。これにより、磁気ヘッド１３の速度が速やかにターゲット速度に近づき、磁気ヘッド１３がランプロード機構１５にスムーズにパーキングされる。

さらに、図４の例のリトラクト動作において、ＳＶＣ１８は、Ｓ１０３以降のリトラクト動作ではＢＥＭＦの検出をスキップし得る。すなわち、本実施形態のＳＶＣ１８は、Ｓ１０３以降のリトラクト動作で少なくとも最初に検出されたＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦとターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差が閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）を上回る場合に、ＢＥＭＦの検出を所定の回数に亘ってスキップする。しかし、ＳＶＣ１８は、二回目以降に検出された検出値ＶＥＭＦとターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差にかかわらず、ＢＥＭＦの検出とＶＣＭ２４への電圧の印加とを交互に行っても良い。この場合、Ｓ１０９においてリトラクト動作が終了していない場合、ＳＶＣ１８は、Ｓ１０４に戻らずにＳ１０９を繰り返し、ＢＥＭＦの検出をスキップしないリトラクト動作を継続する。

図６は、第１の実施形態のリトラクト動作におけるＶＣＭ２４の駆動電圧Ｖ_ＡＰとＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦとの一例を示す例示的なグラフである。図６の例では、ＳＶＣ１８は、リトラクト動作の最初に、ＢＥＭＦの検出値Ｖ_{ＢＥＭＦ１１}を検出する。

リトラクト動作で最初に検出されたＢＥＭＦの検出値Ｖ_{ＢＥＭＦ１１}とターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差は、例えば閾値Ｖ_ｔｈ（６）を上回る。このため、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出を６回に亘ってスキップし、７回に亘って継続的に駆動電圧Ｖ_ＡＰ１１をＶＣＭ２４に印加する。

次に、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出値Ｖ_{ＢＥＭＦ１２}を検出する。検出値Ｖ_{ＢＥＭＦ１２}とターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差は、例えば閾値Ｖ_ｔｈ（０）を上回る。このため、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出を０回に亘ってスキップする。言い換えると、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出をスキップせず、駆動電圧Ｖ_ＡＰ１２をＶＣＭ２４に１回印加した後、ＢＥＭＦの検出値Ｖ_{ＢＥＭＦ１３}を検出する。以降、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出とＶＣＭ２４への電圧の印加とを交互に行う。

本実施形態において、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出をスキップしている間、当該ＳＶＣ１８がＶＣＭ２４に印加可能な最大の駆動電圧Ｖ_ＡＰを印加する。なお、ＢＥＭＦの検出をスキップしている間にＳＶＣ１８がＶＣＭ２４に印加する電圧は、この例に限られない。

閾値Ｖ_ｔｈ（１～１０）は、例えば、ＳＶＣ１８がＶＣＭ２４に印加可能な最大の駆動電圧Ｖ_ＡＰを継続して印加したときに、磁気ヘッド１３の速度がターゲット速度を下回らないように設定される。このため、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出をスキップしてＶＣＭ２４に駆動電圧Ｖ_ＡＰを印加することで、磁気ヘッド１３の速度を急速にターゲット速度に近づけるが、磁気ヘッド１３の速度がターゲット速度を下回ることを抑制できる。

図６の例のリトラクト動作において、パルス幅（周期）は一定である。しかし、ＳＶＣ１８は、例えば磁気ヘッド１３の位置信号ｐｏｓに応じてパルス幅を変化させても良い。このため、例えば、パルス幅の変化前の１周期と、パルス幅の変化後においてＢＥＭＦ検出がスキップされることによりＳＶＣ１８がＶＣＭ２４に駆動電圧Ｖ_ＡＰを継続的に印加する時間と、が略同一になっても良い。

以上説明された第１の実施形態に係る磁気ディスク装置１０において、ＳＶＣ１８は、ＶＣＭ２４に磁気ヘッド１３をランプロード機構１５へ退避させるリトラクト動作において、ＶＣＭ２４のＢＥＭＦの検出と、当該ＢＥＭＦに応じた電圧のＶＣＭ２４への印加と、を交互に行う。さらに、ＳＶＣ１８は、当該リトラクト動作において、磁気ヘッド１３の速度が所定の範囲から外れた場合に、ＢＥＭＦの検出を所定の回数に亘ってスキップする。言い換えると、ＳＶＣ１８は、電圧のＶＣＭ２４への印加を所定の回数に亘って継続して行う。ＳＶＣ１８がＶＣＭ２４へ印加する電圧が磁気ヘッド１３を減速させる場合、ＳＶＣ１８は、継続的な電圧の印加により急速に磁気ヘッド１３を減速させる。これにより、磁気ディスク装置１０は、リトラクト動作において磁気ヘッド１３の速度を速やかにターゲット速度に近づけることができ、磁気ヘッド１３の高速移動により生じる磁気ヘッド１３の損傷を抑制することができる。また、ＳＶＣ１８がＶＣＭ２４へ印加する電圧が磁気ヘッド１３を加速させる場合、ＳＶＣ１８は、継続的な電圧の印加により急速に磁気ヘッド１３を加速させる。これにより、磁気ディスク装置１０は、リトラクト動作において磁気ヘッド１３が停止してしまうことを抑制し、磁気ヘッド１３の速度を速やかにターゲット速度に近づけることができる。

ＳＶＣ１８は、リトラクト動作において、磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回る場合に、磁気ヘッド１３の速度が所定の範囲から外れたと判定する。すなわち、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回る場合に、ＢＥＭＦの検出を所定の回数に亘ってスキップする。ＳＶＣ１８は、高速でシークしていた磁気ヘッド１３を、継続的な電圧の印加により急速に減速させる。これにより、磁気ディスク装置１０は、リトラクト動作において磁気ヘッド１３の速度を速やかにターゲット速度まで低下させることができ、磁気ヘッド１３の高速移動により生じる磁気ヘッド１３の損傷を抑制することができる。

ＳＶＣ１８は、リトラクト動作において、ＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦと当該ＢＥＭＦの目標値であるターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差が所定の閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）を上回る場合に、磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回ると判定する。すなわち、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦを測定することで、磁気ヘッド１３の速度を測定することができる。これにより、磁気ディスク装置１０は、磁気ヘッド１３の速度を測定する他の装置を不要とし、コストの増大を抑制することができる。

閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）は、閾値Ｖ_ｔｈ（３）と、閾値Ｖ_ｔｈ（３）よりも低い閾値Ｖ_ｔｈ（２）と、を含む。ＳＶＣ１８は、リトラクト動作において、検出値Ｖ_ＢＥＭＦとターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差が閾値Ｖ_ｔｈ（３）を上回る場合に３回に亘ってＢＥＭＦの検出をスキップする。また、ＳＶＣ１８は、リトラクト動作において、検出値Ｖ_ＢＥＭＦとターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差が閾値Ｖ_ｔｈ（３）を下回るとともに閾値Ｖ_ｔｈ（２）を上回る場合に、３回よりも少ない２回に亘ってＢＥＭＦの検出をスキップする。これにより、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の速度に応じた回数に亘って継続的に磁気ヘッド１３を減速させることができ、よりスムーズに磁気ヘッド１３の速度をターゲット速度に近づけることができる。

ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出をスキップしている間、当該ＳＶＣ１８がＶＣＭ２４に印加可能な最大の電圧を印加する。これにより、ＳＶＣ１８は、高速でシークしていた磁気ヘッド１３を急速に減速させることができる。別の表現によれば、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の速度が、最大の電圧の印加による減速が不要な程度である場合、ＢＥＭＦの検出をスキップしない。これにより、ＳＶＣ１８は、よりスムーズに磁気ヘッド１３の速度をターゲット速度に近づけることができる。

ＶＣＭ２４は、磁気ヘッド１３を、ランプロード機構１５に向かう第１の方向Ｄ１と、第１の方向Ｄ１の反対の第２の方向Ｄ２と、に移動させる。第１の方向Ｄ１における磁気ヘッド１３の速度が高いまま磁気ヘッド１３がランプロード機構１５に到達すると、磁気ヘッド１３が損傷する虞がある。本実施形態のＳＶＣ１８は、リトラクト動作において、第１の方向Ｄ１における磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回る場合にＢＥＭＦの検出を所定の回数に亘ってスキップする。一方、ＳＶＣ１８は、リトラクト動作において、第２の方向Ｄ２における磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回る場合にＢＥＭＦの検出をスキップしない。これにより、磁気ディスク装置１０は、磁気ヘッド１３の高速移動により生じる磁気ヘッド１３の損傷を抑制することができる。また、磁気ディスク装置１０は、磁気ヘッド１３が第２の方向Ｄ２に移動する間にＢＥＭＦの検出をスキップしないため、リトラクト動作における電力消費の増大を抑制することができる。

ＳＶＣ１８のハードウェア回路が、リトラクト動作において、ＢＥＭＦの検出と、ＢＥＭＦに応じた電圧のＶＣＭ２４への印加と、を交互に行い、磁気ヘッド１３の速度が所定の範囲から外れた場合にＢＥＭＦの検出を所定の回数に亘ってスキップする。これにより、ＳＶＣ１８は、ＭＰＵ１７ａのような他の処理装置によるソフトウェア制御を不要とし、リトラクト動作における電力消費の増大を抑制することができる。

ＳＶＣ１８は、リトラクト動作で最初に検出されたＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦとターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差が閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）を上回る場合に、ＢＥＭＦの検出を所定の回数に亘ってスキップしても良い。これにより、ＳＶＣ１８は、リトラクト動作の最初以外で判定を行う必要が無く、制御を簡素化することができる。

（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態について、図７及び図８を参照して説明する。なお、以下の実施形態の説明において、既に説明された構成要素と同様の機能を持つ構成要素は、当該既述の構成要素と同じ符号が付され、さらに説明が省略される場合がある。また、同じ符号が付された複数の構成要素は、全ての機能及び性質が共通するとは限らず、各実施形態に応じた異なる機能及び性質を有していても良い。

図７は、第２の実施形態に係る磁気ディスク装置１０の動作の一例を示す例示的なフローチャートである。第２の実施形態の磁気ディスク装置１０のリトラクト動作は、第１の実施形態の磁気ディスク装置１０のリトラクト動作と部分的に異なる。以下、図７を参考に、本実施形態におけるリトラクト動作の一例について説明する。

まず、磁気ディスク装置１０の稼働中に、ＳＶＣ１８は、電源供給が切断されたか否かを判定する（Ｓ１０１）。ＳＶＣ１８は、電源供給が切断されたと判定した場合（Ｓ１０１：Ｙｅｓ）、リトラクト動作を開始する（Ｓ１０２）。

リトラクト動作が開始されると、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３が第１の方向Ｄ１に移動しているか否かを判定する（Ｓ１０３）。ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３が第１の方向Ｄ１に移動していると判定すると（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、リトラクト動作の開始時の磁気ヘッド１３の速度に応じてＢＥＭＦの検出をスキップする。

例えば、リトラクト動作の開始前に、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の速度に応じた情報（速度情報）を記憶する。例えば、ＭＰＵ１７ａのファームウェアプログラムは、第１の方向Ｄ１における磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回り、当該磁気ヘッド１３が高速でシーク（移動）している場合に、ＳＶＣ１８のレジスタにおける所定のビットに１を立てる。当該ビットは、速度情報の一例である。

上記ビットは、例えば、ＢＥＭＦに基づいてＳＶＣ１８により立てられても良い。また、速度情報は、レジスタにおけるビットに限られず、ＲＡＭ、フラッシュメモリ、又は磁気ディスク１２に記憶された情報であっても良い。

Ｓ１０３以降のリトラクト動作において、ＳＶＣ１８は、当該ＳＶＣ１８の上記レジスタのビットを読み出す（Ｓ２０１）。次に、ＳＶＣ１８は、ビットに１が立っているか否かを判定する（Ｓ２０２）。

ビットに１が立っている場合（Ｓ２０２：Ｙｅｓ）、磁気ヘッド１３は、リトラクト動作が開始された時点で、第１の方向Ｄ１に高速でシーク（移動）している。このため、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦを所定の回数（Ｎ_Ｐ回）に亘ってスキップして、ＶＣＭ２４にＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦに応じた駆動電圧Ｖ_ＡＰを印加し（Ｓ２０３）、磁気ヘッド１３を減速させる。数（Ｎ_Ｐ）は、予め決定されてＳＶＣ１８のレジスタに記憶されている。

次に、ＳＶＣ１８は、ＶＣＭ２４のＢＥＭＦを検出する（Ｓ１０４）。なお、Ｓ２０２においてビットが０に落ちている場合（Ｓ２０２：Ｎｏ）、ＳＶＣ１８はＳ２０３をスキップしてＳ１０４に移行する。次に、ＳＶＣ１８は、数（Ｎ）を（Ｎ＝１０）と設定する（Ｓ１０５）。

次に、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦとターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差（電圧差）が、閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）以上であるか否かを判定する（Ｓ１０６）。電圧差が閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）を下回る場合（Ｓ１０６：Ｎｏ）、ＳＶＣ１８は、数（Ｎ）を（Ｎ＝Ｎ－１）と設定する（Ｓ１０７）。ＳＶＣ１８は、Ｓ１０６に戻り、再び電圧差が閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）以上であるか否かを判定する。ＳＶＣ１８は、電圧差が閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）以上となるまで、Ｓ１０６及びＳ１０７を繰り返す。

Ｓ１０６において電圧差が閾値Ｖ_ｔｈ（Ｎ）以上である場合（Ｓ１０６：Ｙｅｓ）、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦ検出をＮ回に亘ってスキップして、ＶＣＭ２４にＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦに応じた駆動電圧Ｖ_ＡＰを印加する（Ｓ１０８）。

次に、ＳＶＣ１８は、リトラクト動作が終了したか否かを判定する（Ｓ１０９）。リトラクト動作が終了していない場合（Ｓ１０９：Ｎｏ）、ＳＶＣ１８は、Ｓ１０４に戻り、再びＢＥＭＦを検出する。ＳＶＣ１８は、リトラクト動作が終了するまで、Ｓ１０４～Ｓ１０９を繰り返す。ＳＶＣ１８は、Ｓ１０９においてリトラクト動作が終了していると判定した場合（Ｓ１０９：Ｙｅｓ）、動作を終了する。

図７の例のリトラクト動作において、ＳＶＣ１８は、リトラクト動作が開始されたときに、レジスタのビット（速度情報）に基づいて磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回るか否かを判定する。しかし、ＳＶＣ１８は、レジスタのビットに基づいて、磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回るかの二回目以降の判定を行っても良い。

図８は、第２の実施形態のリトラクト動作におけるＶＣＭ２４の駆動電圧Ｖ_ＡＰとＢＥＭＦの検出値Ｖ_ＢＥＭＦとの一例を示す例示的なグラフである。図８の例では、ＳＶＣ１８は、リトラクト動作が開始されたときに、レジスタのビットに基づいて磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回るか否かを判定する。

リトラクト動作が開始されたときにビットに１が立っていた場合、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出をＮ_Ｐ回（例えば６回）に亘ってスキップする。このため、ＳＶＣ１８は、７回に亘って継続的に駆動電圧Ｖ_ＡＰ２０をＶＣＭ２４に印加する。

次に、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出値Ｖ_{ＢＥＭＦ２１}を検出する。検出値Ｖ_{ＢＥＭＦ２１}とターゲット電圧Ｖ_ＴＲＧとの差は、例えば閾値Ｖ_ｔｈ（０）を上回る。このため、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出を０回に亘ってスキップする。言い換えると、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出をスキップせず、駆動電圧Ｖ_ＡＰ２１をＶＣＭ２４に１回印加した後、ＢＥＭＦの検出値Ｖ_{ＢＥＭＦ２２}を検出する。以降、ＳＶＣ１８は、ＢＥＭＦの検出とＶＣＭ２４への電圧の印加とを交互に行う。

以上説明された第２の実施形態の磁気ディスク装置１０において、ＳＶＣ１８は、磁気ヘッド１３の速度に応じた速度情報（レジスタのビット）を記憶する。ＳＶＣ１８は、リトラクト動作において、速度情報に基づいて磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回るか否かを判定する。すなわち、ＳＶＣ１８は、予め測定された速度情報を読み出すことで、磁気ヘッド１３の速度を判定することができる。これにより、磁気ディスク装置１０は、磁気ヘッド１３の速度を再度測定することなく、速やかにＢＥＭＦの検出をスキップすることができる。

ＳＶＣ１８は、リトラクト動作が開始されたときに、速度情報に基づいて磁気ヘッド１３の速度が所定の速度を上回るか否かを判定する。これにより、磁気ディスク装置は、リトラクト動作の開始と同時に速やかにＢＥＭＦの検出をスキップすることができる。

以上の説明において、抑制は、例えば、事象、作用、若しくは影響の発生を防ぐこと、又は事象、作用、若しくは影響の度合いを低減させること、として定義される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…磁気ディスク装置、１２…磁気ディスク、１３…磁気ヘッド、１５…ランプロード機構、１８…サーボコントローラ（ＳＶＣ）、２４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、Ｄ１…第１の方向、Ｄ２…第２の方向。

Claims (10)

1. 磁気ディスクと、
   前記磁気ディスクに対してデータの記録及び再生を行うよう構成された磁気ヘッドと、
   前記磁気ヘッドを前記磁気ディスクに対して移動させるよう構成されたアクチュエータと、
   前記アクチュエータを制御するよう構成されたコントローラと、
   前記磁気ヘッドを保持可能なランプと、
   を具備し、
   前記コントローラは、前記アクチュエータに前記磁気ヘッドを前記ランプへ退避させるリトラクト動作において、前記アクチュエータの逆起電力の検出と、前記逆起電力に応じた電圧の前記アクチュエータへの印加と、を交互に行い、前記磁気ヘッドの速度が所定の範囲から外れた場合に前記逆起電力の検出を所定の回数に亘ってスキップするよう構成された、
   磁気ディスク装置。
2. 前記コントローラは、前記リトラクト動作において、前記磁気ヘッドの速度が所定の速度を上回る場合に、前記磁気ヘッドの速度が所定の範囲から外れたと判定するよう構成された、
   請求項１の磁気ディスク装置。
3. 前記コントローラは、前記リトラクト動作において、前記逆起電力と当該逆起電力の目標値との差が所定の閾値を上回る場合に、前記磁気ヘッドの速度が前記所定の速度を上回ると判定するよう構成された、
   請求項２の磁気ディスク装置。
4. 前記コントローラは、前記リトラクト動作で最初に検出された前記逆起電力と前記目標値との差が前記所定の閾値を上回る場合に、前記逆起電力の検出を所定の回数に亘ってスキップするよう構成された、
   請求項３の磁気ディスク装置。
5. 前記所定の閾値は、第１の閾値と、前記第１の閾値よりも低い第２の閾値と、を含み、
   前記コントローラは、前記リトラクト動作において、前記逆起電力と前記目標値との差が前記第１の閾値を上回る場合に第１の回数に亘って前記逆起電力の検出をスキップし、前記逆起電力と前記目標値との差が前記第１の閾値を下回るとともに前記第２の閾値を上回る場合に前記第１の回数よりも少ない第２の回数に亘って前記逆起電力の検出をスキップするよう構成された、
   請求項３又は請求項４の磁気ディスク装置。
6. 前記コントローラは、前記磁気ヘッドの速度に応じた速度情報を記憶し、
   前記コントローラは、前記リトラクト動作において、前記速度情報に基づいて前記磁気ヘッドの速度が前記所定の速度を上回るか否かを判定するよう構成された、
   請求項２の磁気ディスク装置。
7. 前記コントローラは、前記リトラクト動作が開始されたときに、前記速度情報に基づいて前記磁気ヘッドの速度が前記所定の速度を上回るか否かを判定するよう構成された、
   請求項６の磁気ディスク装置。
8. 前記コントローラは、前記逆起電力の検出をスキップしている間、当該コントローラが前記アクチュエータに印加可能な最大の電圧を印加するよう構成された、
   請求項４又は請求項７の磁気ディスク装置。
9. 前記アクチュエータは、前記磁気ヘッドを、前記ランプに向かう第１の方向と、前記第１の方向の反対の第２の方向と、に移動させるよう構成され、
   前記コントローラは、前記リトラクト動作において、第１の方向における前記磁気ヘッドの速度が前記所定の速度を上回る場合に前記逆起電力の検出を所定の回数に亘ってスキップし、前記第２の方向における前記磁気ヘッドの速度が前記所定の速度を上回る場合に前記逆起電力の検出をスキップしないよう構成された、
   請求項２乃至請求項８のいずれか一つの磁気ディスク装置。
10. 前記コントローラは、前記リトラクト動作において、前記逆起電力の検出と、前記逆起電力に応じた電圧の前記アクチュエータへの印加と、を交互に行い、前記磁気ヘッドの速度が前記所定の範囲から外れた場合に前記逆起電力の検出を所定の回数に亘ってスキップするよう構成されたハードウェア回路、を有する、
    請求項１乃至請求項９のいずれか一つの磁気ディスク装置。

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