JP2023123752A - 光導波路モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】 低背化された光導波モジュールを提供する。【解決手段】 基板１と、基板１の上面２に位置するとともに、クラッド層３およびクラッド層３内に位置するコア層４を有し、コア層４の出射端面４２がクラッド層３の外方に露出する光導波路５と、出射端面４２および基板１の出射端面４２側の側面に対向して位置する集光レンズ４５と、集光レンズ４５と基板１の側面とを接合する接合層１７と、を備える。【選択図】 図３

Description

本開示は、光導波路モジュールに関する。

従来技術の光導波路モジュールは、たとえば特許文献１に記載されている。この従来技術では、複数のレンズユニットのそれぞれがレーザ光源から出力されるレーザ光を集光するレンズ部と、レンズユニットを支持する凸状のガイドが設けられた支持部とを有する。光導波路としてのキャリア基板は、複数のレーザ光源が搭載される第１主面と、複数のレンズユニットを支持する段差面と、光合波器が搭載される第２主面とを有する。段差面および第２主面の少なくとも一方には、凹状のガイドが設けられ、各レンズユニットは凸状のガイドが凹状のガイドに案内され、レーザ光源の光軸とレンズ部の光軸とが一致するように位置決めされて、接着剤によってキャリア基板に固定され、このキャリア基板がパッケージ基板に固定されている。

特開２０１７－１３０５４３号公報

上記特許文献１に記載される従来技術では、レンズユニットの支持部がキャリア基板の段差面に接着剤によって固定され、レンズユニットのレンズ部およびレンズ部を保持する保持部は、キャリア基板の上面から上方に位置している。そのため、レンズユニットのパッケージ基板からの突出高さが大きく、低背化を図ることができる光導波路モジュールが求められている。

本開示の光導波路モジュールは、基板と、前記基板の上面に位置するとともに、クラッド層および前記クラッド層内に位置するコア層を有し、前記コア層の出射端面が前記クラッド層の外方に露出する光導波路と、前記出射端面および前記基板の前記出射端面側の側面に対向して位置する光学部材と、前記光学部材と前記基板の前記側面とを接合する接合層と、を備えていることを特徴とする。

本開示の光導波路モジュールによれば、出射端面および基板の出射端面側の側面に対向して光学部材が位置し、光学部材と基板の側面とを接合層によって接合する。これによって、光学部材の基板からの突出高さが基板の厚み分だけ少なくすることができ、低背化された光導波モジュールを提供することができる。

本開示の実施形態１の光導波路モジュールを示す分解斜視図である。 図１に示される光導波路パッケージの側面図である。 集光レンズ付近の拡大断面図である。 本開示の実施形態２の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態３の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態４の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態５の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態６の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態７の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態８の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態９の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態１０の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態１１の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態１２の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態１３の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態１４の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。 本開示の実施形態１５の光導波路モジュールを備える光導波路パッケージを示す分解斜視図である。 図１７に示される光導波路パッケージの側面図である。

（実施形態１）
図１は本開示の実施形態１の光導波路モジュールを示す分解斜視図であり、図２は図１に示される光導波路パッケージの側面図である。図３は集光レンズ付近の拡大断面図である。なお、以下の各実施形態において、図２に示される光導波路パッケージが水平に配置させているものとし、図２の上下方向が光導波路パッケージの厚み方向、図２の左右方向が光導波路パッケージの長手方向、図２の紙面に垂直な方向が光導波路パッケージの幅方向にそれぞれ対応するものとして説明する。

本実施形態の光導波路パッケージは、基板１と、基板１の上面２に位置するとともに、クラッド層３およびクラッド層３内に位置するコア層４を有する光導波路５と、を備える。クラッド層３は、底面６と該底面６を囲むように位置した、複数の凹部８を有している。複数の凹部８のそれぞれによって、素子搭載部が構成される。これらの凹部８を覆うように、封止蓋体１１が積層される。なお、複数の凹部８は、下辺よりも上辺が外側に位置するように傾斜している内壁面７を有していてもよい。

本実施形態に光導波路パッケージでは、発光素子１０をそれぞれ収容する複数（本実施形態では３）の凹部８を有し、各発光素子１０を含んで発光装置２０が構成される。発光素子１０としては、レーザーダイオードなどが適用される。光導波路５は、コア層４とクラッド層３とが一体に結合されて構成される。基板１は、複数の誘電体層が積層されて形成されていてもよい。

基板１は、誘電体層がセラミック材料から成るセラミック配線基板であってもよい。セラミック配線基板で用いられるセラミック材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化ケイ素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体等が挙げられる。基板１がセラミック配線基板である場合、誘電体層には、発光素子および受光素子と外部回路との電気的接続のための接続パッド、内部配線導体、外部接続端子等の各導体が配設される。

基板１の材料としては、例えば誘電体層が有機材料から成る有機配線基板であってもよい。有機配線基板は、例えば、プリント配線基板、ビルドアップ配線基板、フレキシブル配線基板等である。有機配線基板に用いられる有機材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。

光導波路５は、例えば、石英などのガラス、樹脂等であってもよい。光導波路５は、コア層４と、クラッド層３を構成する材料としては、いずれもガラスあるいは樹脂であってもよく、一方がガラスで一方が樹脂であってもよい。この場合には、コア層４とクラッド層３との屈折率が異なっており、コア層４はクラッド層３よりも屈折率が高い。この屈折率の違いを利用して、光の全反射をさせる。つまり、屈折率の高い材料で路を作り、周りを屈折率の低い材料で囲んでおくと、光は屈折率の高いコア層４内に閉じ込めることができる。

コア層４は、複数の入射端面４ａ，４ｂ，４ｃと１つの出射端面４２との間を、入射端面４ａ～４ｃを一端とする複数の分割路４１ａ，４１ｂ，４１ｃと、複数の分割路４１ａ，４１ｂ，４１ｃが会合する合波部４３と、出射端面４２を一端とする統合路４４とを介して繋ぐ合波路を構成する。

光学部材である集光レンズ４５は、コア層４の出射端面４２および基板１の出射端面４２側の側面に対向して配置される。出射端面４２の中心軸上に集光レンズ４５の光軸が位置している。なお、このとき、光学部材である集光レンズ４５は、コア層４の出射端面４２および基板１の出射端面４２側の側面の少なくとも一部が対向していればよい。

各発光素子１０から出射された赤色（Ｒ）光、緑色（Ｇ）光、青色（Ｂ）光の各光は、入射端面４ａ，４ｂ，４ｃから分割路４１ａ，４１ｂ，４１ｃに入射し、合波部４３および統合路４４を経て、集光レンズ４５によって集光し、出射する。

集光レンズ４５は、例えば、入射面が平面に形成され、出射面が凸面の平凸レンズである。各分割路４１ａ，４１ｂ，４１ｃの各光軸と、各発光素子１０の発光部の中心とが一致するように、光導波層と発光素子１０と集光レンズ４５とが組み立てられ、光導波路モジュールを構成する。

本実施形態の光導波路モジュールは、基板１と、基板１の上面２に位置するとともに、クラッド層およびクラッド層３内に位置するコア層４を有し、コア層４の出射端面４２がクラッド層３の外方に露出する光導波路５と、出射端面４２および基板１の出射端面４２側の側面に対向して位置する集光レンズ４５と、集光レンズ４５と基板１の側面とを接合する接合層１７と、を備えている。接合層１７の下端部は、基板１の下面よりも上方に位置している。

このような構成を採用することによって、集光レンズ４５を支持するための基板１の厚み分を省略して、上下方向の厚みを抑制し、光導波路モジュールの低背化を図ることができる。

接合層１７としては、例えばエポキシ系接着剤を集光レンズ４５のレンズ領域の下部側面に塗布した後、集光レンズ４５をその光軸がコア層４の光軸に一致するように位置決めして基板１の側面に貼付け、接着剤を硬化させることに実現されてもよい。

このような接着剤としては、エポキシ系接着剤に限らず、例えば紫外線硬化型接着剤を用いるようにしてもよい。紫外線硬化型接着剤としては、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系、エステル系、シリコン系等を用いることができる。このような接合層１７の厚さは、例えば０．０１μｍ～１０００μｍ程度であってもよい。

接合層１７が形成される領域としては、基板１の側面１ａと集光レンズ４５とが対向する領域全面であってよく、あるいは一部である幅方向両側部だけに形成されてもよく、あるいは幅方向中央部だけに形成されてもよい。

（実施形態２）
図４は本開示の実施形態２の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、基板１の側面１ａが、光導波路５の出射端面４２が露出する表面を含む一平面ｍよりも集光レンズ４５に近接して位置している。近接しているとは、所望の光軸の調整に合わせて突出していることであり、接合層１７の厚み０．０１μｍ～１０００μｍと同程度であってもよい。

このような構成を採用することによって、基板１の側面が光導波路５の端面よりも集光レンズ４５側に突出させ、接合層１７によって光軸調整することができる。このような光軸調整においても、基板１の側面に集光レンズ４５が接合層１７によって接合されているので、光の通過領域に干渉することはない。

（実施形態３）
図５本開示の実施形態３の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、集光レンズ４５は、接合層１７と接する表面の少なくとも一部が粗面化されている。粗面化される領域としては、前述の接合層１７が形成される領域と同様に、基板１の側面１ａと集光レンズ４５とが対向する領域全面であってよく、あるいは一部である幅方向両側部だけに形成されてもよく、あるいは幅方向中央部だけに形成されてもよい。

本実施形態では、集光レンズ４５が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板１の側面１ａに対向する領域であってもよい。また、基板１の側面と集光レンズ４５との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば１０％～６０％程度であってもよい。

また集光レンズ４５の粗面化は、例えば表面粗さＲａが０．０５μｍ～１０μｍ程度であってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さＲａのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。

このような構成を採用することによって、集光レンズ４５の下部側面４５ａが粗面化されることによって、接合層１７による接合力が増大し、集光レンズ４５の支持安定性を向上することができる。

（実施形態４）
図６は本開示の実施形態４の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、接合層１７は、集光レンズ４５の下面に接する支持部１７ａを有している。

このような構成を採用することによって、接合層１７による接合領域が集光レンズ４５の下面まで延在し、これによって集光レンズ４５の支持安定性を向上することができる。この場合においても、集光レンズ４５の下面に接する接合層１７が粗面化されてもよく、残余の接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。

本実施形態では、集光レンズ４５が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板１の側面１ａに対向する領域であってもよい。また、基板１の側面と集光レンズ４５との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば１０％～６０％程度であってもよい。

また集光レンズ４５の粗面化は、例えば表面粗さＲａが０．０５μｍ～１０μｍ程度であってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さＲａのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。

（実施形態５）
図７は本開示の実施形態５の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、集光レンズ４５は、接合層１７の支持部１７ａに接する表面の少なくとも一部が粗面化されている。

本実施形態では、集光レンズ４５が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板１の側面１ａに対向する領域であってもよい。また、基板１の側面と集光レンズ４５との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば１０％～６０％程度であってもよい。

また集光レンズ４５の粗面化は、例えば表面粗さＲａが０．０５μｍ～１０μｍ程度であってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さＲａのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。

このような構成を採用することによって、集光レンズ４５の接合層１７による接合をより強固にすることができ、支持安定性が向上される。この場合においても、集光レンズ４５の下面に接する接合層１７が粗面化されてもよく、残余の接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。

（実施形態６）
図８本開示の実施形態６の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、接合層１７の上端部は、基板１の上面２に接している。

このような構成を採用することによって、接合層１７の基板１に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ４５の支持安定性を向上することができる。この場合においても、集光レンズ４５の下面に接する接合層１７が粗面化されてもよく、残余の接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。

本実施形態では、集光レンズ４５が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板１の側面１ａに対向する領域であってもよい。また、基板１の側面と集光レンズ４５との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば１０％～６０％程度であってもよい。

また集光レンズ４５の粗面化は、例えば表面粗さＲａが０．０５μｍ～１０μｍ程度であってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さＲａのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。

（実施形態７）
図９は本開示の実施形態７の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、接合層１７の上端部が光導波路５の出射端面４２に臨んでいる。この臨むとは、接合層１７の上端部が基板１の上面よりも上方にまで位置していることをいう。

このような構成を採用することによって、接合層１７の基板１に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ４５の支持安定性を向上することができるとともに、出射光の拡散を抑制することができる。この場合においても、集光レンズ４５の下面に接する接合層１７が粗面化されてもよく、前述の上端部を含む残余の接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。

本実施形態では、集光レンズ４５が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板１の側面１ａに対向する領域であってもよい。また、基板１の側面と集光レンズ４５との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば１０％～６０％程度であってもよい。

また集光レンズ４５の粗面化は、例えば表面粗さＲａが０．０５μｍ～１０μｍ程度であってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さＲａのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。

（実施形態８）
図１０は本開示の実施形態８の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、接合層１７のレンズ下部側面が集光レンズ４５の出射端面４２側の表面に接している。

このような構成を採用することによって、接合層１７の基板１に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ４５の支持安定性を向上することができる。

（実施形態９）
図１１は本開示の実施形態９の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、集光レンズ４５は、接合層１７のレンズ下部側面に対向する表面４５ｂの少なくとも一部が粗面化されている。

本実施形態では、集光レンズ４５が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板１の側面１ａに対向する領域であってもよい。また、基板１の側面１ａと集光レンズ４５との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば１０％～６０％程度であってもよい。

また集光レンズ４５の粗面化は、例えば表表面粗さＲａが０．０５μｍ～１０μｍであってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さＲａのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。

このような構成を採用することによって、接合層１７による集光レンズ４５と基板１との接合強度を高くし、集光レンズ４５の支持安定性を向上することができる。この場合においても、集光レンズ４５の下面に接する接合層１７が粗面化されてもよく、残余の接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。

（実施形態１０）
図１２は本開示の実施形態１０の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、接合層１７は、光導波路５の出射端面４２と光導波路５の上面とにわたる上部領域と、集光レンズ４５とを接合する上接合部１７ｃを、含んでいる。

このような構成を採用することによって、接合層１７の基板１に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ４５の支持安定性を向上することができるとともに、出射光の拡散を抑制することができる。この場合においても、集光レンズ４５の上接合部１７ｃを含む接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。

本実施形態では、集光レンズ４５が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板１の側面１ａに対向する領域であってもよい。また、基板１の側面と集光レンズ４５との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば１０％～６０％程度であってもよい。

また集光レンズ４５の粗面化は、例えば表面粗さＲａが０．０５μｍ～１０μｍであってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さＲａのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。

（実施形態１１）
図１３は本開示の実施形態１１の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、上接合部１７ｃは、光導波路５の上面に延在している。なお、延在しているとは、上接合部１７ｃがコア層４と重ならないように集光レンズ４５の上端側にも位置していることを指す。つまり、接合層１７は、コア層４と重ならないようにするとともに、光軸上にないところに位置していてもよい。

このような構成を採用することによって、接合層１７の基板１に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ４５の支持安定性を向上することができるとともに、出射光の拡散を抑制することができる。この場合においても、集光レンズ４５と基板１との接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。

本実施形態では、集光レンズ４５が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板１の側面１ａに対向する領域であってもよい。また、基板１の側面と集光レンズ４５との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば１０％～６０％程度であってもよい。

また集光レンズ４５の粗面化は、例えば表面粗さＲａが０．０５μｍ～１０μｍであってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さＲａのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。

（実施形態１２）
図１４は本開示の実施形態１２の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、集光レンズ４５は、上接合部１７ｃに対向する表面が粗面化されている。

本実施形態では、集光レンズ４５が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板１の側面１ａに対向する領域であってもよい。また、基板１の側面と集光レンズ４５との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば１０％～６０％程度であってもよい。

また集光レンズ４５の粗面化は、例えば表面粗さＲａが０．０５μｍ～１０μｍであってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さＲａのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。

このような構成を採用することによって、接合層１７の基板１に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ４５の支持安定性を向上することができるとともに、出射光の拡散を抑制することができる。この場合においても、集光レンズ４５と基板１との接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。

（実施形態１３）
図１５は本開示の実施形態１３の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、光導波路５の上面は、粗面化されている。

本実施形態では、集光レンズ４５が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板１の側面１ａに対向する領域であってもよい。また、基板１の側面と集光レンズ４５との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば１０％～６０％程度であってもよい。

また集光レンズ４５の粗面化は、例えば表面粗さＲａが０．０５μｍ～１０μｍであってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さＲａのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。

このような構成を採用することによって、接合層１７の基板１に対する上接合部１７ｃによる接合領域が増加し、集光レンズ４５の支持安定性を向上することができる。

（実施形態１４）
図１６は本開示の実施形態１４の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、集光レンズとして、回折格子１４５を含んでいる。

このような構成を採用することによって、光導波路モジュールの光軸方向の長さを短くすることが可能となる。この場合においても、前述の各実施形態と同様に、集光レンズ４５と基板１との接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。

図１７は本開示の実施形態１５の光導波路モジュールを備える光導波路パッケージを示す分解斜視図であり、図１８は図１７に示される光導波路パッケージの側面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。前述の実施形態では、各凹部８から発光素子１０の上部が突出し、これが覆われるように箱状の封止蓋体１１を用いる構成について述べたが、他の実施形態では、発光素子１０の全体が凹部８に収容される構成とし、この凹部８を板状の封止蓋体１１ａによって覆い、封止する構成であってもよい。このような構成を採用することによって、封止蓋体１１ａの構成が簡素化することができる。

本開示のさらに他の実施形態では、発光素子１０は、発光ダイオード（Light EmittingDiode；ＬＥＤ）に限るものではなく、例えば、ＬＤ（Laser Diode）、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）などであってもよい。また、光学部品は、前述の集光レンズ、回折格子に代えて、例えばセルフォックレンズ、ロッドレンズなどの各種のレンズなどの光学素子であってもよい。

以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、また、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

１ 基板
２ 上面
３ クラッド層
４ コア層
４ａ，４ｂ，４ｃ 入射端面
５ 光導波路
６ 底面
７ 内壁面
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ 壁面
８ 凹部
９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄ 角部支持面
１０ 発光素子
１７ 接合層
２０ 発光装置
４１ａ，４１ｂ，４１ｃ 分割路
４２ 出射端面
４３ 合波部
４４ 統合路
４５ 集光レンズ

Claims (15)

1. 基板と、
   前記基板の上面に位置するとともに、クラッド層および前記クラッド層内に位置するコア層を有し、前記コア層の出射端面が前記クラッド層の外方に露出する光導波路と、
   前記出射端面および前記基板の前記出射端面側の側面に対向して位置する光学部材と、
   前記光学部材と前記基板の前記側面とを接合する接合層と、を備えている光導波路モジュール。
2. 前記接合層の下端部は、前記基板の下面よりも上方に位置する、請求項１に記載の光導波路モジュール。
3. 前記基板の前記側面は、前記光導波路の前記出射端面よりも前記光学部材に近接して位置している、請求項１または２に記載の光導波路モジュール。
4. 前記光学部材は、前記接合層と接する表面の少なくとも一部が粗面化されている、請求項１～３のいずれかに記載の光導波路モジュール。
5. 前記接合層は、前記光学部材の下面に接する支持部を有している、請求項１～４のいずれかに記載の光導波路モジュール。
6. 前記光学部材は、前記接合層の前記支持部に接する表面の少なくとも一部が粗面化されている、請求項５に記載の光導波路モジュール。
7. 前記接合層の上端部は、前記基板の前記上面に接している、請求項１～５のいずれかに記載の光導波路モジュール。
8. 前記上端部は、前記光導波路の前記出射端面に臨んでいる、請求項７に記載の光導波路モジュール。
9. 前記接合層は、前記光学部材の前記出射端面側の表面に接しているレンズ下部側面を有している、請求項５または請求項５を引用する請求項６～８のいずれかに記載の光導波路モジュール。
10. 前記光学部材は、前記接合層の前記レンズ下部側面に対向する表面の少なくとも一部が粗面化されている、請求項９に記載の光導波路モジュール。
11. 前記接合層は、前記光導波路の前記出射端面と前記光導波路の上面とにわたる上部領域と、前記光学部材とを接合する上接合部を、含んでいる請求項１～１０のいずれかに記載の光導波路モジュール。
12. 前記上接合部は、前記光導波路の前記上面に延在している、請求項１１に記載の光導波路モジュール。
13. 前記光学部材は、前記上接合部に対向する表面が粗面化されている、請求項１１または１２に記載の光導波路モジュール。
14. 前記光導波路の前記上面は、粗面化されている、請求項１１～１４のいずれかに記載の光導波路モジュール。
15. 前記光学部材は、回折格子を含んでいる、請求項１～１４のいずれかに記載の光導波路モジュール。