JP2023116037A - 圧電トランスデューサ - Google Patents
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Abstract
【課題】送受信感度の向上が図られた圧電トランスデューサを提供する。【解決手段】 超音波トランスデューサ1においては、圧電振動子20の第2電極層22Bと第2配線24Bとの間の電気的接続は、音響整合層30の第1端面30aに設けられた導体膜40を介して実現されている。そのため、超音波トランスデューサ1では、第2配線24Bは圧電振動子20の動きを拘束せず、そのため、高い送受信感度が実現されている。【選択図】図2
Description
本発明は、圧電トランスデューサに関する。
従来、圧電振動体を備え、気体や液体を計測するための圧電トランスデューサが知られている。たとえば下記特許文献1には、圧電振動体の超音波が出力される側のケース端部に音響整合層が設けられた圧電トランスデューサが開示されている。
上述した圧電トランスデューサでは、圧電振動体の動きが拘束された場合には送受信感度の低下が招かれ得る。発明者らは、鋭意研究の末、圧電振動体に対する拘束を低減することで送受信感度を高めることができる技術を新たに見出した。
本発明は、送受信感度の向上が図られた圧電トランスデューサを提供することを目的とする。
本発明の一形態に係る圧電トランスデューサは、第1端面を有する音響整合層と、音響整合層の第1端面に搭載され、第1電極層と第2電極層とを含む圧電振動体と、音響整合層の第1端面を覆い、圧電振動体の第2電極層と電気的に接続された導体膜と、圧電振動体の第1電極層に取り付けられて、第1電極層と電気的に接続された第1配線と、導体膜に取り付けられ、導体膜を介して圧電振動体の第2電極層と電気的に接続された第2配線とを備える。
上記圧電トランスデューサにおいては、圧電振動体の第2電極層と第2配線との間の電気的接続は、音響整合層の第1端面に設けられた導体膜を介して実現されている。そのため、上記圧電トランスデューサでは、第2配線は圧電振動体の動きを拘束せず、送受信感度の向上を図ることができる。
他の形態に係る圧電トランスデューサは、音響整合層は、第1端面を構成する第1領域と、第1端面から離れた第2領域とを含む。
他の形態に係る圧電トランスデューサは、音響整合層の第1領域の密度が第2領域の密度より高い。
他の形態に係る圧電トランスデューサは、音響整合層の第1領域と第2領域とは主材が同一材料である。
他の形態に係る圧電トランスデューサは、導体膜が金属で構成されており、導体膜を構成する金属と同じ金属成分を音響整合層の第1領域が含んでいる。
他の形態に係る圧電トランスデューサは、音響整合層の第2領域が第1領域より厚い。
他の形態に係る圧電トランスデューサは、導体膜の厚さ方向から見たときに、導体膜の面積が圧電振動体の面積より広い。
他の形態に係る圧電トランスデューサは、圧電振動体の第2電極層は導体膜と一体化している。
他の形態に係る圧電トランスデューサは、導体膜が圧電振動体より薄い。
本発明によれば、送受信感度の向上が図られた圧電トランスデューサを提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
図1、2を参照して、実施形態に係る超音波トランスデューサ1(圧電トランスデューサ)の構成を説明する。
超音波トランスデューサ1は、外部から入力された電気信号に応じて発振し、超音波信号を出力することができる。また、超音波トランスデューサ1は、外部から超音波信号を受信すると、その信号を電気信号として外部に送信することができる。超音波トランスデューサ1は、気体や液体を計測するために用いることができ、たとえばガススマートメータに採用され得る。
超音波トランスデューサ1は、超音波を送受信できる構成を有し、具体的には、収容空間Sを画成するハウジング10と、ハウジング10の収容空間S内に収容された圧電振動子20(圧電振動体)と、圧電振動子20の超音波が出力される側のハウジング10の端部に設けられた音響整合層30とを備えた構成を有する。
ハウジング10は、一方向に延びる円筒状を有するケース12を備えている。ケース12は、アルミニウムやステンレス鋼等の金属で構成することができ、PBT樹脂やPC樹脂、PPS樹脂等の樹脂材料で構成することもできる。ケース12は、圧電振動子20の超音波が出力される側の端部12aと、それとは反対側の端部12bとを有する。ハウジング10は、ケース12の端部12bの外周を覆うように設けられた円筒状のスリーブ14をさらに備えている。本実施形態では、ハウジング10の収容空間Sはケース12とスリーブ14とにより画成されている。
音響整合層30は、ケース12の端部12aの開口に、開口を完全に塞ぐように設けられている。音響整合層30は、略円柱状の外形を有し、第1端面30aおよび第2端面30bを有する。音響整合層30の第1端面30aは、ハウジング10の収容空間S側を向いており、ハウジング10の収容空間Sの底面を画成している。本実施形態では、音響整合層30は、ケース12の端部12a側(すなわち、圧電振動子20の超音波が出力される側)において、一部がケース12内に埋め込まれており、かつ、残部が端部12aの開口から突出している。本実施形態では、音響整合層30は、エポキシ系樹脂等の接着材を用いて、ケース12の端部12aに接着固定されている。音響整合層30の厚さは、1.5~5mm(一例として2.5mm)である。
音響整合層30は、第1領域31と第2領域32とを含んで構成されている。第1領域31と第2領域32とは、互いに層を構成するようにして、ケース12の延在方向に並んでいる。本実施形態においては、第2領域32が第1領域31より厚くなるように設計されている。第1領域31は、第2領域32より第1端面30a側に位置しており、第1端面30aを構成している。第1領域31は、ケース12の端部12aによって画成された領域を埋める部分である。第1領域31と第2領域32とでは、構成する材料が異なっている。本実施形態では、第1領域31と第2領域32とは、主材は同一であり、添加物が異なっている。より詳しくは、第1領域31および第2領域32はいずれもエポキシ樹脂で構成されており、第1領域31にのみ金属粒子(たとえば、Ag粒子、Cu粒子、Fe粒子、Pt粒子、Ti粒子)が分散配置されている。第1領域31に含まれる金属の種類は、導体膜40を構成する金属の種類と同じにすることができる。第1領域31における金属粒子の含有率は1~10wt%(一例として5wt%)である。第1領域31にのみ金属粒子が分散配置されているため、第1領域31の密度は第2領域32の密度より高くなっている。なお、第1領域31および第2領域32はいずれもエポキシ樹脂とガラスビーズとを含む複合材料で構成されていてもよい。または、第1領域31および第2領域32がいずれも発泡材料で構成されており、第1領域31にのみ金属を含浸させてもよい。
音響整合層30の第2領域32は、第1端面30aから離れており、先端部33を有する。先端部33は、第2領域32の先端側(すなわち、圧電振動子20の超音波が出力される側、第2端面30b側)に位置している。本実施形態では、先端部33にはC面取り部30cが設けられており、C面取り部30cは第2端面30bの外縁に設けられている。先端部33は円錐台形状を有し、図2に示すように先端部33の断面形状は先端側に向かって漸次幅が狭まる台形状を呈する。C面取り部30cにより、ケース12の延在方向から見たときに、第1端面30aの面積が第2端面30bの面積より広くなっている。
圧電振動子20は、ケース12内に位置する音響整合層30の第1端面30a上に配置されている。圧電振動子20は、たとえば板状の外形を有する。本実施形態では、圧電振動子20は円板状の外形を有し、その厚さ方向(すなわち、ケース12の延在方向)から見たときに円形を呈する。また、本実施形態では、圧電振動子20の厚さより、音響整合層30の厚さのほうが厚くなるように設計されており、0.2~1mm(一例として0.6mm)である。さらに、本実施形態では、圧電振動子20は圧電材料層21を第1電極層22Aと第2電極層22Bとで挟んだ構成を有する。圧電振動子20は、一層の圧電材料層を含む単層構造であってもよく、複数の圧電材料層と内部電極層とが交互に積層された多層構造であってもよい。圧電材料層は、たとえばPZT等の圧電セラミックス材料で構成することができる。
ここで、音響整合層30の第1端面30aは、全体的に導体膜40で覆われている。導体膜40は、導体で構成されており、本実施形態では金属材料(たとえば、Ag)で構成されている。導体膜40の厚さは、圧電振動子20の厚さより薄くなるように設計されており、1~20μm(一例として10μm)である。導体膜40は、たとえば音響整合層30の第1端面30aに成膜される。成膜方法としては、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等が採用され得る。本実施形態では、導体膜40の音響インピーダンスは、音響整合層30の音響インピーダンスより大きく、かつ、圧電振動子20の音響インピーダンスより小さくなるように設計されている。
圧電振動子20と音響整合層30との間には導体膜40が介在しており、圧電振動子20は導体膜40上に設けられている。導体膜40の上面40aは圧電振動子20に接している。圧電振動子20は、音響整合層30上に直接設けられておらず、音響整合層30とは接していない。導体膜40は、圧電振動子20の第2電極層22Bと重なっており、第2電極層22Bと電気的に接続されている。導体膜40は、圧電振動子20の第2電極層22Bに直接接合されていてもよく、導電性を有する接着材を介して圧電振動子20の第2電極層22Bに接着されていてもよい。
ケース12の延在方向から見たときに、圧電振動子20と、音響整合層30の第1端面30aの形状と一致する導体膜40とはいずれも円形を呈し、同心の位置関係を有する。導体膜40の直径は圧電振動子20の直径より大きく、そのため、導体膜40の面積は圧電振動子20の面積より広くなっている。
ハウジング10内には、圧電振動子20に対して電圧を印加する一対の配線24A、24Bが引き込まれている。第1配線24Aは、一例としてリード線であり、圧電振動子20の第1電極層22Aにたとえばはんだ付けで接続されている。第2配線24Bは、一例としてリード線であり、圧電振動子20から露出している導体膜40の外縁領域にたとえばはんだ付けで接続されている。第1配線24Aおよび第2配線24Bに用いられる部材は、FPC、ピン、リードフレーム,板ばね、ACP、ACF、公知の導電性樹脂等であってもよく、いずれか単体または複数組み合わせで用いられてもよい。上述したとおり、導体膜40と圧電振動子20の第2電極層22Bとは電気的に接続されているため、第2配線24Bは導体膜40を介して圧電振動子20の第2電極層22Bと間接的に電気的に接続されている。圧電振動子20は、一対の配線24A、24Bから入力された信号に応じて振動する。圧電振動子20が振動した際、その厚さ方向に超音波周期の機械的振動が生じるともに、厚さ方向および厚さ方向に直交する方向に超音波振動が生じる。振動モードに関しては、圧電振動子20単体では径方向共振のモードとなるが、本実施形態では圧電振動子20と導体膜40とが一体的に振動してベンディング振動のモードとなる。
スリーブ14は、ケース12の端部12bに設けられており、図2に示すように、端部12bの外周を覆うとともに端部12bから上方に延びている。スリーブ14は、ゴム(一例としてニトリルゴム)やシリコーン、ウレタン樹脂等で構成することができる。スリーブ14は、ケース12の端部12bの外周を覆っている。ケース12とスリーブ14とにより画成された収容空間Sは、防振材50で充たされている。防振材としては、たとえばウレタン樹脂を採用することができる。
超音波トランスデューサ1においては、圧電振動子20の第2電極層22Bと第2配線24Bとの間の電気的接続は、音響整合層30の第1端面30aに設けられた導体膜40を介して実現されている。そのため、超音波トランスデューサ1では、第2配線24Bは圧電振動子20の動きを拘束せず、そのため、高い送受信感度が実現されている。圧電振動子20の第2電極層22Bは導体膜40と一体化された態様であってもよい。
導体膜40は薄化することで、圧電振動子20に対する拘束をより低減することができる。この場合、受信時において、音響整合層30から圧電振動子20まで到達するまでの超音波のロスが低減され、受信感度の向上が図られる。
また、超音波トランスデューサ1は、第1配線24Aは圧電振動子20の第1電極層22Aに取り付けられて圧電振動子20と直接的に電気的接続されるとともに、第2配線24Bは導体膜40に取り付けられて圧電振動子20の第2電極層22Bと間接的に電気的接続されている。圧電振動子20の第2電極層22Bに第2配線24Bを直接取り付ける場合には、圧電振動子20に取り付け用スペースを設ける必要がある上、第2配線24Bの引き回しが複雑になるため、超音波トランスデューサ1の構造の複雑化が招かれ得る。超音波トランスデューサ1では、第2配線24Bを導体膜40に取り付けたシンプルな構成であるため、超音波トランスデューサ1の構造の複雑化が効果的に回避されている。
さらに、超音波トランスデューサ1では、ケース12の端部12bを覆うスリーブ14を備えており、スリーブ14により残響が減少される。
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。たとえば、圧電振動子、振動板および音響整合層の形状は適宜変更することができ、円形に限らず、矩形状や楕円形状とすることができる。また、圧電振動子、振動板および音響整合層の形状は、相似の関係であってもよく、相似の関係でなくてもよい。超音波トランスデューサは、ケースがなくても作動する場合には、適宜ケースを省略することができる。
1…超音波トランスデューサ、10…ハウジング、12…ケース、20…圧電振動子、30…音響整合層、40…導体膜。
Claims (9)
- 第1端面を有する音響整合層と、
前記音響整合層の前記第1端面に搭載され、第1電極層と第2電極層とを含む圧電振動体と、
前記音響整合層の前記第1端面を覆い、前記圧電振動体の前記第2電極層と電気的に接続された導体膜と、
前記圧電振動体の前記第1電極層に取り付けられて、前記第1電極層と電気的に接続された第1配線と、
前記導体膜に取り付けられ、前記導体膜を介して前記圧電振動体の前記第2電極層と電気的に接続された第2配線と
を備える、圧電トランスデューサ。 - 前記音響整合層は、前記第1端面を構成する第1領域と、前記第1端面から離れた第2領域とを含む、請求項1に記載の圧電トランスデューサ。
- 前記音響整合層の第1領域の密度が第2領域の密度より高い、請求項2に記載の圧電トランスデューサ。
- 前記音響整合層の前記第1領域と前記第2領域とは主材が同一材料である、請求項2または3に記載の圧電トランスデューサ。
- 前記導体膜が金属で構成されており、前記導体膜を構成する金属と同じ金属成分を前記音響整合層の前記第1領域が含んでいる、請求項4に記載の圧電トランスデューサ。
- 前記音響整合層の前記第2領域が第1領域より厚い、請求項2~5のいずれか一項に記載の圧電トランスデューサ。
- 前記導体膜の厚さ方向から見たときに、前記導体膜の面積が前記圧電振動体の面積より広い、請求項1~6のいずれか一項に記載の圧電トランスデューサ。
- 前記圧電振動体の前記第2電極層は前記導体膜と一体化している、請求項1~7のいずれか一項に記載の圧電トランスデューサ。
- 前記導体膜が前記圧電振動体より薄い、請求項1~8のいずれか一項に記載の圧電トランスデューサ。
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