JP2023112572A - 基板処理装置 - Google Patents

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浩 曽根
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正人 品田
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Abstract

【課題】冷却性能を改善する基板処理装置を提供する。【解決手段】処理容器内に設けられ、基板を載置する載置台と、前記載置台の被接触面と接触または離間する接触面を有し、前記載置台を冷却する冷凍装置と、前記冷凍装置を昇降させ、前記載置台に前記冷凍装置を押し付ける押し付け力を発生させる昇降装置と、を備える、基板処理装置。【選択図】図2

Description

本開示は、基板処理装置に関する。
特許文献1には、基板が載置される載置台と、ターゲットを保持するターゲットホルダとを内部に備えている処理容器と、前記載置台の下面との間に隙間を備えて配設され、冷凍機と前記冷凍機に積層される冷凍熱媒体とを備えている冷凍装置と、前記載置台を回転させる回転装置と、前記載置台を昇降させる第一昇降装置と、前記冷凍装置の内部に設けられ、前記隙間に冷媒を供給する冷媒流路と、前記隙間に配設されて、前記載置台と前記冷凍熱媒体の双方に熱伝導自在に接している冷熱伝達材と、を有する、基板処理装置が開示されている。
特開2021-139017号公報
本開示の一態様は、冷却性能を改善する基板処理装置を提供する。
本開示の一態様に係る基板処理装置は、処理容器内に設けられ、基板を載置する載置台と、前記載置台の被接触面と接触または離間する接触面を有し、前記載置台を冷却する冷凍装置と、前記冷凍装置を昇降させ、前記載置台に前記冷凍装置を押し付ける押し付け力を発生させる昇降装置と、を備える。
本開示の一態様によれば、冷却性能を改善する基板処理装置を提供することができる。
一実施形態に係る基板処理装置の載置台回転時における一例の構成を示す断面図。 一実施形態に係る基板処理装置の載置台冷却時における一例の構成を示す断面図。 載置台の温度変化の一例を示すグラフ。 載置台回転時における載置台の支持構造の一例の構成を示す断面図。 載置台冷却時における載置台の支持構造の一例の構成を示す断面図。 参考例における載置台の支持構造の一例の構成を示す断面図。 載置台の付勢構造の一例の構成を示す断面図。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
<基板処理装置1>
一実施形態に係る基板処理装置1の一例について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、一実施形態に係る基板処理装置1の載置台20回転時における一例の構成を示す断面図である。図2は、一実施形態に係る基板処理装置1の載置台20冷却時における一例の構成を示す断面図である。
なお、基板処理装置1は、例えば、処理容器10内に処理ガスを供給して基板Wに所望の処理(例えば成膜処理等)を施す基板処理装置(例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)装置、ALD(Atomic Layer Deposition)装置等)であってもよい。また、基板処理装置1は、例えば、処理容器10内に処理ガスを供給し処理容器10内に設けられたターゲットをスパッタして基板Wに所望の処理(例えば成膜処理等)を施す基板処理装置(例えばPVD(Physical Vapor Deposition)装置等)であってもよい。
基板処理装置1は、処理容器10と、処理容器10の内部において基板Wを載置する載置台20と、冷凍装置30と、載置台20を回転させる回転装置40と、冷凍装置30を昇降させる昇降装置50と、を備える。また、基板処理装置1は、回転する載置台20のチャック電極21に電力を供給するためのスリップリング60を備える。また、基板処理装置1は、冷凍装置30、回転装置40、昇降装置50等の各種装置を制御する制御装置70を備える。
処理容器10は、内部空間10Sを形成する。処理容器10は、真空ポンプ等の排気装置(図示せず)を作動することにより、その内部空間10Sが超高真空に減圧されるように構成されている。また、処理容器10は、処理ガス供給装置(図示せず)に連通するガス供給管(図示せず)を介して、基板処理に用いる所望のガスが供給されるように構成されている。
処理容器10の内部には、基板Wを載置する載置台20が設けられている。載置台20は、熱伝導性の高い材料(例えば、Cu)により形成されている。載置台20は、静電チャックを含む。静電チャックは、誘電体膜内に埋設されたチャック電極21を有する。チャック電極21には、後述するスリップリング60及び配線63を介して所定の電位が与えられるようになっている。この構成により、基板Wを静電チャックにより吸着し、載置台20の上面に基板Wを固定することができる。
載置台20の下方には、冷凍装置30が設けられている。冷凍装置30は、冷凍機31と、冷凍熱媒体32と、を積層して構成される。なお、冷凍熱媒体32は、コールドリンクと称することもできる。冷凍機31は、冷凍熱媒体32を保持し、冷凍熱媒体32の上面を極低温に冷却する。冷凍機31には、冷却能力の観点から、GM(Gifford-McMahon)サイクルを利用する形態が好ましい。冷凍熱媒体32は、冷凍機31の上に固定されており、その上部が処理容器10の内部に収容されている。冷凍熱媒体32は、熱伝導性の高い材料(例えば、Cu)等により形成されており、その外形は略円柱状を呈している。冷凍熱媒体32は、載置台20の中心軸CLにその中心が一致するように配置されている。
また、載置台20は、回転装置40によって回転自在に支持されている。回転装置40は、回転駆動装置41と、固定シャフト45と、回転シャフト44と、ハウジング46と、磁性流体シール47,48と、スタンド49と、を有する。
回転駆動装置41は、ロータ42及びステータ43を有するダイレクトドライブモータである。ロータ42は、回転シャフト44と同軸に延在する略円筒状を有し、回転シャフト44に固定されている。ステータ43は、その内径がロータ42の外径よりも大きい略円筒状を有する。回転駆動装置41は、ダイレクトドライブモータ以外の形態であってもよく、サーボモータと伝達ベルトを備えている形態等であってもよい。
回転シャフト44は、載置台20の中心軸CLと同軸に延在する略円筒状を有する。回転シャフト44の径方向内側には、固定シャフト45が設けられる。固定シャフト45は、載置台20の中心軸CLと同軸に延在する略円筒状を有する。回転シャフト44の径方向外側には、ハウジング46が設けられる。ハウジング46は、載置台20の中心軸CLと同軸に延在する略円筒状を有し、処理容器10に固定される。
また、固定シャフト45の外周面と回転シャフト44の内周円との間には、磁性流体シール47が設けられている。磁性流体シール47は、固定シャフト45に対して回転シャフト44を回転自在に支持するとともに、固定シャフト45の外周面と回転シャフト44の内周円との間を封止して、減圧自在な処理容器10の内部空間10Sと処理容器10の外部空間とを分離する。また、ハウジング46の内周面と回転シャフト44の外周円との間には、磁性流体シール48が設けられている。磁性流体シール48は、ハウジング46に対して回転シャフト44を回転自在に支持するとともに、ハウジング46の内周面と回転シャフト44の外周円との間を封止して、減圧自在な処理容器10の内部空間10Sと処理容器10の外部空間とを分離する。これにより、回転シャフト44は、固定シャフト45及びハウジング46によって回転自在に支持されている。
また、固定シャフト45の径方向内側には、冷凍熱媒体32が挿通する。
スタンド49は、回転シャフト44と載置台20との間に設けられ、回転シャフト44の回転をスタンド49に伝達するように構成されている。なお、スタンド49の構造は、図4,及び図5を用いて後述する。
以上の構成により、回転駆動装置41のロータ42が回転すると、回転シャフト44、スタンド49及び載置台20が、冷凍熱媒体32に対して相対的にX1方向に回転する。
また、冷凍装置30は、昇降装置50によって昇降自在に支持されている。昇降装置50は、エアシリンダ51と、リンク機構52と、冷凍装置支持部53と、リニアガイド54と、固定部55と、ベローズ56と、を有する。
エアシリンダ51は、空気圧によりロッドが直線運動する機械装置である。リンク機構52は、エアシリンダ51のロッドの直線運動を冷凍装置支持部53の昇降運動に変換する。また、リンク機構52は、一端がエアシリンダ51と連結され、他端が冷凍装置支持部53と連結された、てこ構造を有する。これにより、エアシリンダ51の小さな推力で、大きな押し付け力を発生させることができる。冷凍装置支持部53は、冷凍装置30(冷凍機31、冷凍熱媒体32)を支持する。また、冷凍装置支持部53は、リニアガイド54によって移動方向が昇降方向にガイドされる。
固定部55は、固定シャフト45の下面に固定される。固定部55の下面と冷凍装置支持部53の上面との間には、冷凍機31を包囲する略円筒状のベローズ56が設けられている。ベローズ56は、上下方向に伸縮自在な金属製の蛇腹構造体である。これにより、固定部55、ベローズ56及び冷凍装置支持部53は、固定シャフト45の内周面と冷凍熱媒体32の外周円との間を封止して、減圧自在な処理容器10の内部空間10Sと処理容器10の外部空間とを分離する。また、冷凍装置支持部53の下面側は、処理容器10の外部空間に隣接し、冷凍装置支持部53の上面側のうちベローズ56で囲まれた領域は、処理容器10の内部空間10Sに隣接する。
回転シャフト44及びハウジング46の下方には、スリップリング60が設けられている。スリップリング60は、金属リングを含む回転体61と、ブラシを含む固定体62と、を有する。回転体61は、回転シャフト44と同軸に延在する略円筒状を有し、回転シャフト44の下面に固定されている。固定体62は、その内径が回転体61の外径よりも僅かに大きい略円筒状を有し、ハウジング46の下面に固定されている。スリップリング60は、直流電源(図示せず)と電気的に接続されており、直流電源から供給される電力を、固定体62のブラシと回転体61の金属リングを介して、配線63に供給する。この構成により、配線63にねじれ等を発生させることなく、直流電源からチャック電極21に電位を与えることができる。なお、スリップリング60の構造は、ブラシ構造以外の構造であってもよく、例えば、非接触給電構造や、無水銀や導電性液体を有する構造等であってもよい。
制御装置70は、例えばコンピュータであり、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、補助記憶装置等を備える。CPUは、ROM又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、基板処理装置1の動作を制御する。制御装置70は、基板処理装置1の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御装置70が基板処理装置1の外部に設けられている場合、制御装置70は、有線又は無線等の通信手段によって、基板処理装置1を制御できる。
基板Wに所望の処理を施す際、図1に示すように、制御装置70は、昇降装置50(エアシリンダ51)を制御して載置台20と冷凍熱媒体32とを離間させ、回転装置40(回転駆動装置41)を制御して基板Wを載置した載置台20を回転させる。これにより、基板Wの基板処理(例えば、成膜処理等)の面内均一性を向上させることができる。
また、載置台20及び載置台20に載置された基板Wを冷却する際、図2に示すように、制御装置70は、回転装置40(回転駆動装置41)を停止させ載置台20の回転を停止させるとともに、昇降装置50(エアシリンダ51)を制御して載置台20と冷凍熱媒体32とを接触させる。これにより、載置台20に載置された基板Wを冷却することができる。
ここで、載置台20に冷凍熱媒体32を押し付ける押し付け力が不足すると、熱伝導にロスが発生し、載置台20への冷却能力が不足する。
これに対し、基板処理装置1では、冷凍熱媒体32の上面(接触面)が載置台20の下面(被接触面)と直接接触し、冷凍熱媒体32が載置台20に当接して当たり止まりされる。これにより、冷凍熱媒体32が載置台20と直接接することにより、載置台20への冷却性を向上させることができる。
また、処理容器10の内部空間10Sを減圧して真空雰囲気とすることにより、真空雰囲気となる冷凍装置支持部53の上面と大気雰囲気となる冷凍装置支持部53の下面との間に生じる差圧(真空差圧)が生じ、冷凍熱媒体32を載置台20に向けて押し付ける押し付け力を生じる。このため、冷凍熱媒体32は、エアシリンダ51の推力と、冷凍装置支持部53の上面と下面との間に生じる差圧(真空差圧)と、によって押し付け力が付与されている。これにより、冷凍熱媒体32を載置台20に接触させて載置台20を冷却する際、載置台20が熱収縮した場合であっても、押し付け力によって、載置台20の熱収縮に追随して冷凍熱媒体32を上昇させることができる。
また、冷凍熱媒体32の昇降は、冷凍装置支持部53及びリニアガイド54によってガイドされる。これにより、載置台20の下面(被接触面)と冷凍熱媒体32の上面(接触面)との平行を保った状態で、冷凍熱媒体32を昇降させることができる。
なお、冷凍熱媒体32には、シム(図示せず)が挿入され、載置台20の下面(被接触面)に対する冷凍熱媒体32の上面(接触面)の平行度を調整するように構成されていてもよい。
また、エア駆動するエアシリンダ51を用いることにより、エア圧により押し付け力を容易に調整することができる。
図3は、載置台20の温度変化の一例を示すグラフである。横軸は、冷凍熱媒体32を載置台20に接触させてからの時間を示す。縦軸は、載置台20の温度を示す。また、図1及び図2に示す一実施形態に係る基板処理装置1における載置台20の温度変化を実線301で示す。第1参考例に係る基板処理装置における載置台の温度変化を破線302で示す。
ここで、第1参考例の基板処理装置では、載置台と冷凍熱媒体との間にバネ等の弾性変形する熱伝導部材が設けられている。また、冷凍装置を昇降する昇降装置は、例えばボールネジ等のストローク量を制御可能な直動機構が用いられている。載置台を冷却する際は、冷凍熱媒体を所定のストローク量で上昇させる。載置台と冷凍熱媒体との間で弾性変形した熱伝導部材の反発力を押し付け力として用いる。第1参考例に係る基板処理装置では、冷凍熱媒体から熱伝導部材を介して載置台を冷却する。
第1参考例の基板処理装置では、押し付け力の不足により伝熱性が不足するおそれがある。また、載置台の冷却収縮時には、押し付け力が更に低下して、伝熱性が低下するおそれがある。
これに対し、一実施形態に係る基板処理装置1によれば、矢印303に示すように、所定の温度に冷却するまでの冷却時間を短縮することができる。また、一実施形態に係る基板処理装置1によれば、矢印304に示すように、載置台20の冷却温度を低くすることができる。このように、一実施形態に係る基板処理装置1によれば、第1参考例の基板処理装置と比較して、載置台20の冷却性能を向上させることができる。
次に、スタンド49の構造について、図4及び図5を用いて更に説明する。図4は、載置台20回転時における載置台20の支持構造の一例の構成を示す断面図である。図5は、載置台20冷却時における載置台20の支持構造の一例の構成を示す断面図である。
スタンド49は、支持部材110と、係止部材120と、を有する。
支持部材110は、例えば柱状の部材であり、載置台20の周方向に複数設けられている。支持部材110の上方は、載置台20に固定される。支持部材110の下方は、回転シャフト44に載置される。ここで、支持部材110が載置される回転シャフト44の載置面には、凸部441が形成されている。また、支持部材110の下面には、凸部441と係合する凹部111が設けられている。また、支持部材110は、係止部115を有する。
係止部材120は、ハウジング46に固定されている。また、係止部材120は、係止部125を有する。
図4に示すように、載置台20の被接触面201と冷凍熱媒体32の接触面321とが離間している状態において、回転シャフト44の上端に設けられた凸部441が支持部材110の下端に設けられた凹部111と係合する。これにより、回転駆動装置41が回転シャフト44を回転させることで、スタンド49(支持部材110)が載置台20に回転駆動力を伝達して、載置台20が回転する。
一方、図5に示すように、冷凍熱媒体32の接触面321が載置台20の被接触面201を押し付ける状態において、回転シャフト44の載置面と支持部材110の下面とは離間する。そして、支持部材110の係止部115が係止部材120の係止部115に係止される。
ここで、第2参考例の基板処理装置について、図6を用いて説明する。図6は、第2参考例における載置台20の支持構造の一例の構成を示す断面図である。図6に示す載置台20の支持構造では、スタンド49Aは、支持部材110Aを有し、支持部材110Aの上方が載置台20と固定され、支持部材110Aの下方が回転シャフト44と固定されている。
このため、冷凍熱媒体32を載置台20に押し付けた際、支持部材110Aを介して、回転シャフト44に負荷がかかる。また、載置台20の被接触面201と、冷凍熱媒体32の接触面321とが非平行である場合、載置台20は冷凍熱媒体32から傾いた荷重を受ける。このため、回転シャフト44が傾いて固定シャフト45やハウジング46と接触したり、磁性流体シール47,48のシール性が低下して内部空間10Sの真空が破れるおそれがある。
これに対し、図5に示すように、一実施形態に係る基板処理装置1では、冷凍熱媒体32を載置台20に押し付けた際、支持部材110は回転シャフト44から離間し、支持部材110が係止部材120に係止される。これにより、冷凍熱媒体32を載置台20に押し付けた際、支持部材110及び係止部材120を介して、処理容器10に固定されるハウジング46に負荷がかかる。これにより、回転シャフト44が傾いて固定シャフト45やハウジング46と接触することを防止するとともに、磁性流体シール47,48のシール性が低下することを防止し、内部空間10Sの真空が破れることを防止する。
図7は、載置台20の付勢構造の一例の構成を示す断面図である。載置台20の付勢構造は、例えば、軸部材112と、付勢部材113と、を有する。軸部材112は、軸部と、軸部よりも拡径した頭部と、を有し、軸部が支持部材110を挿通して、回転シャフト44に固定される。付勢部材113は、例えば押しバネであって、軸部材112の頭部と支持部材110との間に配置され、支持部材110を回転シャフト44に向けて押し付ける。
これにより、載置台20の被接触面201と冷凍熱媒体32の接触面321とが離間している状態(図4参照)において、付勢部材113によって、支持部材110は回転シャフト44に押し付けられる。一方、冷凍熱媒体32の接触面321が載置台20の被接触面201を押し付ける状態(図5参照)において、付勢部材113は弾性変形して、回転シャフト44と支持部材110とを離間させることができる。
以上、基板処理装置1について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
W 基板
CL 中心軸
1 基板処理装置
10 処理容器
10S 内部空間
20 載置台
21 チャック電極
30 冷凍装置
31 冷凍機
32 冷凍熱媒体
40 回転装置
41 回転駆動装置
42 ロータ
43 ステータ
44 回転シャフト
45 固定シャフト
46 ハウジング
47,48 磁性流体シール
49 スタンド
50 昇降装置
51 エアシリンダ
52 リンク機構
53 冷凍装置支持部
54 リニアガイド
55 固定部
56 ベローズ
60 スリップリング
61 回転体
62 固定体
63 配線
70 制御装置
110 支持部材
111 凹部
441 凸部
120 係止部材
115 係止部
125 係止部
201 被接触面
321 接触面

Claims (5)

  1. 処理容器内に設けられ、基板を載置する載置台と、
    前記載置台の被接触面と接触または離間する接触面を有し、前記載置台を冷却する冷凍装置と、
    前記冷凍装置を昇降させ、前記載置台に前記冷凍装置を押し付ける押し付け力を発生させる昇降装置と、を備える、
    基板処理装置。
  2. 前記処理容器の内部空間と外部空間との差圧により前記冷凍装置を前記載置台に押し付ける押し付け力を発生させるように構成される、
    請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記昇降装置は、エアシリンダを有する、
    請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 前記昇降装置は、てこ構造を有する、
    請求項3に記載の基板処理装置。
  5. 回転可能に支持される回転シャフトと、
    前記回転シャフトを回転自在に支持するハウジングと、
    前記回転シャフトを回転駆動する回転駆動装置と、
    前記載置台に固定され、前記回転シャフトと係合することにより前記回転シャフトの回転を前記載置台に伝達する支持部材と、
    前記ハウジングに固定された係止部材と、を更に備え、
    前記冷凍装置の接触面を前記載置台の被接触面に接触させた際、前記支持部材と前記回転シャフトとの係合が解除され、前記支持部材は前記係止部材に係止されるように構成される、
    請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368062A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2004235291A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Nec Kansai Ltd 半導体ウェーハピックアップ装置
JP2013004810A (ja) * 2011-06-17 2013-01-07 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハ加熱用ヒータ
JP2016053202A (ja) * 2014-09-04 2016-04-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2016082216A (ja) * 2014-10-09 2016-05-16 東京エレクトロン株式会社 被処理体の温度制御機構、及び多層膜から窒化膜を選択的にエッチングする方法
JP6671217B2 (ja) * 2016-03-31 2020-03-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7134039B2 (ja) * 2018-09-14 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板載置機構、成膜装置、および成膜方法
JP7233266B2 (ja) * 2018-10-25 2023-03-06 東京エレクトロン株式会社 ステージ装置および処理装置
JP7154160B2 (ja) * 2019-03-18 2022-10-17 東京エレクトロン株式会社 温度測定機構、温度測定方法、およびステージ装置

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