JP2024067844A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板搬出後の載置台の温度を基板処理のための設定温度まで戻す時間を短縮する。【解決手段】処理容器と、前記処理容器内にて基板を吸着保持する静電チャックを有し、回転可能に構成される載置台と、前記載置台の下部にて前記載置台と接触又は離間し、前記静電チャックを冷却するように構成される冷凍装置と、前記冷凍装置を昇降させる昇降装置と、前記冷凍装置の周辺部材であり、前記周辺部材の母材よりも低い放射率の材料によりコーティングされた前記周辺部材と、を備える基板処理装置が提供される。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置に関する。
例えば、特許文献１は、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）装置におけるスパッタ法を用いた銅膜の形成方法を提案する。特許文献１は、被加工物の絶縁膜の表面に沿って窒化チタン膜、タングステン膜、または窒化タングステン膜である下地膜を形成する工程と、２０９ケルビン以下の温度に冷却された下地膜上に銅膜を形成する工程と、を含む方法を提案する。
例えば、特許文献２は、真空内で被処理物を極低温に冷却しながら回転自在に保持することができる保持装置を提供する。
特許第６７８８３９３号公報 特許第６５５９３４７号公報
本開示は、基板搬出後の載置台の温度を基板処理のための設定温度まで戻す時間を短縮する技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、処理容器と、前記処理容器内にて基板を吸着保持する静電チャックを有し、回転可能に構成される載置台と、前記載置台の下部にて前記載置台と接触又は離間し、前記静電チャックを冷却するように構成される冷凍装置と、前記冷凍装置を昇降させる昇降装置と、前記冷凍装置の周辺部材であり、前記周辺部材の母材よりも低い放射率の材料によりコーティングされた前記周辺部材と、を備える基板処理装置が提供される。
一の側面によれば、基板搬出後の載置台の温度を基板処理のための設定温度まで戻す時間を短縮することができる。
一実施形態に係る基板処理装置の載置台の回転時における一例の構成を示す断面図。 一実施形態に係る基板処理装置の載置台の冷却時における一例の構成を示す断面図。 一実施形態に係る載置台（静電チャック）の動作を説明するための図。 一実施形態に係る載置台下部のベローズの部分拡大断面図。 図５（ａ）は参考例に係る基板処理装置の基板搬出後の静電チャックの温度を示し、図５（ｂ）は一実施形態に係る基板処理装置の基板搬出後の静電チャックの温度を示す。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
本明細書において平行、直角、直交、水平、垂直、上下、左右などの方向には、実施形態の効果を損なわない程度のずれが許容される。角部の形状は、直角に限られず、弓状に丸みを帯びてもよい。平行、直角、直交、水平、垂直、円、一致には、略平行、略直角、略直交、略水平、略垂直、略円、略一致が含まれてもよい。
［基板処理装置］
一実施形態に係る基板処理装置１の一例について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の載置台２０の回転時における一例の構成を示す断面図である。図２は、一実施形態に係る基板処理装置１の載置台２０冷却時における一例の構成を示す断面図である。
なお、基板処理装置１は、例えば、処理容器１０内に処理ガスを供給して基板Ｗに所望の処理（例えば成膜処理等）を施す例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置であってよい。また、基板処理装置１は、例えば、処理容器１０内に処理ガスを供給し処理容器１０内に設けられたターゲットをスパッタして基板Ｗに所望の処理（例えば成膜処理等）を施す例えばＰＶＤ装置であってよい。
基板処理装置１は、処理容器１０と、処理容器１０の内部において基板Ｗを載置する載置台２０と、冷凍装置３０と、載置台２０を回転させる回転装置４０と、冷凍装置３０を昇降させる昇降装置５０と、を備える。処理容器１０の内部には、基板Ｗを載置する載置台２０が設けられている。また、基板処理装置１は、冷凍装置３０、回転装置４０、昇降装置５０等の各種装置を制御する制御装置８０を備える。
処理容器１０は、内部空間１０Ｓを形成する。処理容器１０は、真空ポンプ等の排気装置（図示せず）を作動することにより、その内部空間１０Ｓが超高真空に減圧されるように構成されている。また、処理容器１０は、処理ガス供給装置（図示せず）に連通するガス供給管（図示せず）を介して、基板処理に用いる所望のガスが供給されるように構成されている。
載置台２０は、熱伝導性の高い材料（例えば、Ｃｕ）により形成されている。載置台２０は、静電チャック２１を含む。静電チャック２１は、誘電体膜内に埋設されたチャック電極２１ａを有する。基板処理装置１は、回転する載置台２０のチャック電極２１ａに電力を供給するためのスリップリング６０を備える。チャック電極２１ａには、スリップリング６０及び配線６３を介して所定の電位が与えられるようになっている。この構成により、基板Ｗを静電チャック２１により載置面に吸着保持し、載置台２０の上面（載置面）に基板Ｗを固定することができる。
冷凍装置３０は、載置台２０の下部にて載置台２０と接触又は離間し、載置台２０（静電チャック２１）を冷却するように構成される。冷凍装置３０は、冷凍機３１と、冷凍熱媒体３２と、を積層して構成される。なお、冷凍熱媒体３２は、コールドリンクと称することもできる。冷凍機３１は、冷凍熱媒体３２を保持し、冷凍熱媒体３２の上面を極低温に冷却する。冷凍機３１には、冷却能力の観点から、ＧＭ（Gifford-McMahon）サイクルを利用する形態が好ましい。冷凍熱媒体３２は、冷凍機３１の上に固定されており、その上部が処理容器１０の内部に収容されている。冷凍熱媒体３２は、熱伝導性の高い材料（例えば、Ｃｕ）等により形成されており、その外形は略円柱状を呈している。冷凍熱媒体３２は、載置台２０の中心軸ＣＬにその中心が一致するように配置されている。
また、載置台２０は、回転装置４０によって回転自在に支持されている。回転装置４０は、回転駆動装置４１と、固定シャフト４５と、回転シャフト４４と、ハウジング４６と、磁性流体シール４７，４８と、スタンド４９と、を有する。
回転駆動装置４１は、ロータ４２及びステータ４３を有するダイレクトドライブモータである。ロータ４２は、回転シャフト４４と同軸に延在する略円筒状を有し、回転シャフト４４に固定されている。ステータ４３は、その内径がロータ４２の外径よりも大きい略円筒状を有する。回転駆動装置４１は、ダイレクトドライブモータ以外の形態であってもよく、サーボモータと伝達ベルトを備えている形態等であってもよい。
回転シャフト４４は、載置台２０の中心軸ＣＬと同軸に延在する略円筒状を有する。回転シャフト４４の径方向内側には、固定シャフト４５が設けられる。固定シャフト４５は、載置台２０の中心軸ＣＬと同軸に延在する略円筒状を有する。回転シャフト４４の径方向外側には、ハウジング４６が設けられる。ハウジング４６は、載置台２０の中心軸ＣＬと同軸に延在する略円筒状を有し、処理容器１０に固定される。
また、固定シャフト４５の外周面と回転シャフト４４の内周円との間には、磁性流体シール４７が設けられている。磁性流体シール４７は、固定シャフト４５に対して回転シャフト４４を回転自在に支持するとともに、固定シャフト４５の外周面と回転シャフト４４の内周円との間を封止して、減圧自在な処理容器１０の内部空間１０Ｓと処理容器１０の外部空間とを分離する。また、ハウジング４６の内周面と回転シャフト４４の外周円との間には、磁性流体シール４８が設けられている。磁性流体シール４８は、ハウジング４６に対して回転シャフト４４を回転自在に支持するとともに、ハウジング４６の内周面と回転シャフト４４の外周円との間を封止して、減圧自在な処理容器１０の内部空間１０Ｓと処理容器１０の外部空間とを分離する。これにより、回転シャフト４４は、固定シャフト４５及びハウジング４６によって回転自在に支持されている。また、固定シャフト４５の径方向内側には、略円筒状の第１のシールド部材７１を介して冷凍熱媒体３２が挿通する。
スタンド４９は、回転シャフト４４と載置台２０との間に上下方向に設けられ、回転シャフト４４の回転を載置台２０に伝達するように構成されている。スタンド４９の内周側には略円筒状の第２のシールド部材７２が設けられている。なお、スタンド４９の外周側に略円筒状の第３のシールド部材７２'が設けられてもよい（図１。図２に点線にて表示）。第１のシールド部材７１、第２のシールド部材７２、第３のシールド部材７２'は少なくともいずれかが配置されることが好ましい。
以上の構成により、回転駆動装置４１のロータ４２が回転すると、回転シャフト４４、スタンド４９及び載置台２０が、冷凍熱媒体３２に対して相対的にＸ１方向（図１）に回転する。
また、冷凍装置３０は、昇降装置５０によって昇降自在に支持されている。昇降装置５０は、エアシリンダ５１と、リンク機構５２と、冷凍装置支持部５３と、リニアガイド５４と、固定部５５と、ベローズ５６と、を有する。
エアシリンダ５１は、空気圧によりロッドが直線運動する機械装置である。リンク機構５２は、エアシリンダ５１のロッドの直線運動を冷凍装置支持部５３の昇降運動に変換する。また、リンク機構５２は、一端がエアシリンダ５１と連結され、他端が冷凍装置支持部５３と連結された、てこ構造を有する。これにより、エアシリンダ５１の小さな推力で、大きな押し付け力を発生させることができる。冷凍装置支持部５３は、冷凍装置３０（冷凍機３１、冷凍熱媒体３２）を支持する。また、冷凍装置支持部５３は、リニアガイド５４によって移動方向が昇降方向にガイドされる。
固定部５５は、固定シャフト４５の下面に固定される。固定部５５の下面と冷凍装置支持部５３の上面との間には、冷凍機３１を包囲する略円筒状のベローズ５６が設けられている。ベローズ５６は、上下方向に伸縮自在な金属製の蛇腹構造体である。これにより、固定部５５、ベローズ５６及び冷凍装置支持部５３は、固定シャフト４５の内周面と冷凍熱媒体３２の外周円との間を封止して、減圧自在な処理容器１０の内部空間１０Ｓと処理容器１０の外部空間とを分離する。また、冷凍装置支持部５３の下面側は、処理容器１０の外部空間に隣接し、冷凍装置支持部５３の上面側のうちベローズ５６で囲まれた領域は、処理容器１０の内部空間１０Ｓに隣接する。
基板処理装置１は、チャック電極２１ａに直流電圧（直流電圧、ＤＣ電圧）を供給するために、回転シャフト４４及びハウジング４６の下方に金属から構成されたスリップリング６０を有する。
スリップリング６０は、金属リングを含む回転体６１と、ブラシを含む固定体６２と、を有する。回転体６１は、回転シャフト４４と同軸に延在する略円筒状を有し、回転シャフト４４の下面に固定されている。固定体６２は、その内径が回転体６１の外径よりも僅かに大きい略円筒状を有し、ハウジング４６の下面に固定されている。スリップリング６０は、直流電源（図示せず）と電気的に接続されており、直流電源から供給される電力を、固定体６２のブラシと回転体６１の金属リングを介して、配線６３に供給する。この構成により、配線６３にねじれ等を発生させることなく、直流電源からチャック電極２１ａに電位を与えることができる。なお、スリップリング６０の構造は、ブラシ構造以外の構造であってもよく、例えば、非接触給電構造や、無水銀や導電性液体を有する構造等であってもよい。
処理容器１０の上部には、載置台２０に対向して設けられ、複数のターゲットをスパッタするように構成されるカソード部（図示せず）を有する。カソード部に接続する電源は、ＤＣ（直流）電源、ＲＦ（高周波）電源のいずれかであってもよく、ＤＣ電源及びＲＦ電源であってもよいが、これに限定しない。直流電源及び／又は高周波電源から直流電圧及び高周波電圧の少なくともいずれかがカソード部に印加されてもよい。
載置台２０の下面と処理容器１０の底面との間には、冷凍装置３０を覆うようにベローズ７０が設けられている。ベローズ７０は、上下方向に伸縮自在な金属製の蛇腹構造体である。これにより、載置台２０、ベローズ７０及び処理容器１０は、冷凍装置３０がある載置台２０下の空間とベローズ７０よりも外側の減圧自在な処理容器１０の内部空間１０Ｓとを分離する。ベローズ７０、第１のシールド部材７１，第２のシールド部材７２、第３のシールド部材７２'、ベローズ５６は、冷凍装置３０の周辺部材の一例であり、周辺部材の母材よりも低い放射率の材料によりコーティングされた部材である。これらの冷凍装置３０の周辺部材については後述する。
制御装置８０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、基板処理装置１の動作を制御する。制御装置８０は、有線又は無線等の通信手段によって、基板処理装置１を制御できる。
上記構成の基板処理装置１における載置台２０（静電チャック２１）の動作について、図３を参照しながら説明する。図３は、一実施形態に係る載置台２０（静電チャック２１）の動作を説明するための図である。図３（ａ）に示す基板Ｗの搬入時、制御装置８０は、載置台２０を冷凍装置３０に接触させる。この状態で載置台２０の温度は、基板処理のための設定温度である極低温に冷却されている。基板Ｗの搬入後、制御装置８０は、直流電源（図示しない）から直流電圧をチャック電極２１ａに印加し、図３（ｂ）に示すように、基板Ｗを静電チャック２１に静電吸着させる。更に、基板Ｗと載置台２０との間に伝熱ガスを供給し、伝熱効率を上昇させてもよい。
基板Ｗの処理時、図３（ｃ）及び図１に示すように、制御装置８０は、昇降装置５０（エアシリンダ５１）を開放して載置台２０と冷凍装置３０とを離間させる。制御装置８０は、回転装置４０（回転駆動装置４１：図１）を制御して基板Ｗを吸着保持した載置台２０（静電チャック２１）を回転させる。これにより、基板Ｗの処理（例えば、Ｃｕ膜等の成膜処理等）の面内均一性を向上させることができる。
基板Ｗの処理後、制御装置８０は、回転装置４０（回転駆動装置４１）を停止させ載置台２０の回転を停止させる。これとともに、直流電源（図示しない）からチャック時とは正負が逆の直流電圧をチャック電極２１ａに印加して基板Ｗをデチャックし、図３（ｄ）に示すように、支持ピンにより基板Ｗを静電チャック２１から剥がして、図示しない搬送アームにより搬出する。
次の基板Ｗの処理の待ち時間に載置台２０を冷却する。その際、図３（ｅ）及び図２に示すように、昇降装置５０（エアシリンダ５１）を制御して冷凍装置３０を載置台２０に押し付けることで、載置台２０の冷却効率を上げることができる。図３（ｄ）に示す載置台２０の回転を停止させた後、基板Ｗの搬出前に昇降装置５０（エアシリンダ５１）を制御して冷凍装置３０を載置台２０に接触させてもよい。
基板Ｗを冷却する際、基板Ｗは７２Ｋ（ケルビン）程度、すなわち－２００℃程度の極低温に冷却される。ただし、極低温は－２００℃に限られず、－２３３℃～－１２３℃であってもよい。例えば基板Ｗを極低温に冷却した状態で基板Ｗ上にＣｕ膜を成膜すると、Ｃｕ粒子の凝集を減少させることができ、Ｃｕ膜のシート抵抗及び表面粗さを室温成膜時と比較して低減させることができ、良質なＣｕ膜を形成することができる。
Ｃｕ膜以外においても、ＭＲＡＭ、ＨＤＤ Ｈｅａｄに用いられるＭＴＪ（磁気トンネル接合）素子では、数種類に及ぶ材料を使った多層薄膜中のＭＲＡＭの特性を決定づける磁性層の結晶構造のアモルファス化を促進するために極低温まで基板Ｗを冷却する。そして、極低温に冷却した基板Ｗに成膜を施す。
しかしながら、載置台２０（静電チャック２１）と冷凍装置３０（冷凍熱媒体３２）との接触面の接触率によっては、載置台２０（及び基板Ｗ）を極低温まで冷却するのに時間がかかり生産性を低下させてしまう。冷却時間を短縮するために、載置台２０と冷凍装置３０との接触面の接触率を上げることが好ましいが、現状以上に接触率を上げるように接触面の構造（ハードウェア）を改造することは難しい。
図３（ｄ）に示す基板Ｗの搬出時、基板Ｗからの入熱、成膜処理時のカソード部（図示しない）のスパッタによる入熱、及び外部からの室温ガスの流入により、載置台２０の温度が基板Ｗの搬入前より１．５Ｋ（ケルビン）程度上がることが実験からわかった。図３（ｅ）において次の基板Ｗの処理を開始する前に載置台２０の温度を設定温度である極低温まで冷却しきれずに図３（ａ）の次の基板Ｗの処理を開始すると、載置台２０に熱が蓄積され、一定枚数の基板Ｗを処理する間、載置台２０の温度が上昇し続ける。このため、基板Ｗ毎の膜品質を一定に保つことができなくなる。
そのため、基板Ｗ毎の膜品質を一定に保つために、図３（ｅ）に示すように、図３（ａ）の基板Ｗを搬入する前に載置台２０の温度を基板処理のための設定温度である極低温まで戻す必要がある。しかしながら図３（ｅ）の冷却中も冷凍装置３０には周囲に設置している周辺部材から放射熱（輻射熱）が伝わり続けている。
そこで、本実施形態に係る基板処理装置１では、冷凍装置３０の周辺部材を、その周辺部材の母材よりも低い放射率の材料によりコーティングする。これにより、冷凍装置３０を囲む周辺部材から冷凍装置３０への輻射熱を低減する。
例えば、放射率の低い材料を冷凍装置３０の周辺部材の母材の表面に塗布することにより、周辺部材から冷凍装置３０への輻射伝熱量を下げ、冷凍装置３０と載置台２０との冷却効率を上げる。これにより、基板Ｗの搬出後、次の基板Ｗの処理を開始する前に載置台２０の温度を設定温度の極低温まで戻す時間（以下、「リカバリー時間」という。）を短縮し、生産性を高めることができる。
例えば、冷凍装置３０の周辺部材の一例として、図４には、載置台２０下部に配置され、冷凍装置３０の周囲を囲むベローズ７０の部分拡大断面図が示されている。ベローズ７０は、その母材７０ａがステンレス（ＳＵＳ）等の金属で形成されている。ベローズ７０は、母材よりも低い放射率の材料によりコーティングされている。具体的には、ベローズ７０の母材７０ａは、金によりコーティングされている（金メッキ加工）。金は酸化膜を作りにくく、メッキ材料の中では安定して輻射伝熱を低減することができる。ベローズ７０は、載置台２０の下面と処理容器１０の底面との間に設けられている。よって、ベローズ７０の母材を介してベローズ７０の外部から冷凍装置３０へ伝わる輻射熱を、母材よりも放射率の低い金メッキにより低減することができる。これにより、冷凍装置３０による載置台２０の冷却効率を上げ、載置台２０の温度のリカバリー時間を短縮することができる。
本実施形態では、冷凍装置３０に隣接する第１のシールド部材７１にも金メッキ加工が施されている。第１のシールド部材７１の母材はステンレスで形成され、その母材よりも低い放射率の材料である金によりコーティングされている。
また、本実施形態では、回転装置４０の回転を載置台２０に伝達するスタンド４９の内周を囲む第２のシールド部材７２及び／又は外周を囲む第３のシールド部材７２'の母材はステンレスで形成されている。そして、その母材よりも低い放射率の材料である金によりコーティングされている。
このため、第１のシールド部材７１、第２のシールド部材７２及び／又は第３のシールド部材７２'の母材を介して外部から冷凍装置３０へ伝わる輻射熱を各シールド部材の金メッキにより低減することができる。これにより、冷凍装置３０による載置台２０の冷却効率を上げ、載置台２０の温度のリカバリー時間を短縮することができる。
更に、本実施形態では、回転装置４０を固定する固定部５５と、冷凍装置３０を支持する冷凍装置支持部５３との間にて、冷凍装置支持部５３にねじ止めされているベローズ５６の母材が金でコーティングされてもよい。これによっても、ベローズ５６内の空間へベローズ５６の外部から伝わる輻射熱をベローズ５６の金メッキにより低減することができる。
２平板間の輻射熱の式は、式（１）で示される。
Figure 2024067844000002
 ここで、Ｑは熱量、Ａは対向する２平板の各平板の表面積、σはステファン・ボルツマン定数、εは放射率、Ｔは温度、ｈは高温面、ｃは低温面を示す。例えば第１のシールド部材７１の場合、Ａは第１のシールド部材７１と冷凍装置３０との対向する面の表面積である。金の放射率は、ステンレスや銅の放射率よりも十分に低く、周辺部材に金メッキを施した場合、周辺部材に金メッキを施さない場合と比較して、式（１）のεｈをεｃよりも十分に小さくできる。これにより、周辺部材に金メッキを施すことにより、周辺部材に金メッキを施さない場合と比較して、式（１）により示される熱量Ｑ（輻射熱）を充分に低減させることができる。
図５（ａ）は、周辺部材に金メッキを施していない参考例に係る基板処理装置の基板Ｗ搬出後の載置台（静電チャック２１）の温度を示し、図５（ｂ）は本実施形態に係る基板処理装置１の基板Ｗ搬出後の載置台（静電チャック２１）の温度を示す。
図５（ａ）の参考例に係る基板処理装置１は、冷凍装置３０の周辺部材（ベローズ７０、ベローズ５６、第１のシールド７１、第２のシールド部材７２及び第３のシールド部材７２'）に金メッキが施されていない場合である。図５（ｂ）の一実施形態に係る基板処理装置１は、周辺部材（ベローズ７０、ベローズ５６、第１のシールド７１、第２のシールド部材７２及び第３のシールド部材７２'）のうちベローズ７０に金メッキが施されている場合である。
図５（ａ）及び（ｂ）の横軸は時間であり、縦軸は静電チャック２１の温度である。静電チャック２１の温度は、基板Ｗと接触する静電チャック２１の載置面の温度である。図５（ａ）及び（ｂ）の時間０秒は、基板Ｗの搬出時の静電チャック２１の載置面の温度である。図５（ａ）及び（ｂ）の時間０秒には、基板Ｗの搬出によって静電チャック２１の載置面の温度が約１．５Ｋ上がった。そして、図５（ａ）の参考例に係る基板処理装置では、基板処理のための設定温度に戻るまでのリカバリー時間に２０分かかった。つまり、１枚の基板Ｗを処理する毎に２０分のリカバリー時間を要した。
これに対して、図５（ｂ）の本実施形態に係る基板処理装置１では、基板処理のための設定温度に戻るまでのリカバリー時間は１２分と短縮された。これにより、本実施形態に係る基板処理装置１では、冷凍装置３０と載置台２０との冷却効率を上げ、載置台２０（静電チャック２１）の温度のリカバリー時間を、参考例の基板処理装置の場合のリカバリー時間の約２／３に短縮でき、生産性を上げることができた。
以上に説明したように、本実施形態の基板処理装置１によれば、基板Ｗの搬出後の載置台２０の温度を基板処理のための設定温度まで戻すリカバリー時間を短縮することができる。
今回開示された実施形態に係る基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
Ｗ 基板
ＣＬ 中心軸
１ 基板処理装置
１０ 処理容器
１０Ｓ 内部空間
２０ 載置台
２１ 静電チャック２１
２１ａ チャック電極
３０ 冷凍装置
３１ 冷凍機
３２ 冷凍熱媒体
４０ 回転装置
４１ 回転駆動装置
４２ ロータ
４３ ステータ
４４ 回転シャフト
４５ 固定シャフト
４６ ハウジング
４７，４８ 磁性流体シール
４９ スタンド
５０ 昇降装置
５１ エアシリンダ
５２ リンク機構
５３ 冷凍装置支持部
５４ リニアガイド
５５ 固定部
５６、７０ ベローズ
６０ スリップリング
６１ 回転体
６２ 固定体
６３ 配線
７１ 第１のシールド部材
７２ 第２のシールド部材
７２' 第３のシールド部材
８０ 制御装置

Claims (7)

  1. 処理容器と、
    前記処理容器内にて基板を吸着保持する静電チャックを有し、回転可能に構成される載置台と、
    前記載置台の下部にて前記載置台と接触又は離間し、前記静電チャックを冷却するように構成される冷凍装置と、
    前記冷凍装置を昇降させる昇降装置と、
    前記冷凍装置の周辺部材であり、前記周辺部材の母材よりも低い放射率の材料によりコーティングされた前記周辺部材と、
    を備える基板処理装置。
  2. 前記周辺部材の母材よりも低い放射率の材料は、金である、
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記周辺部材は、前記冷凍装置の周囲を囲むベローズである、
    請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記ベローズは、前記載置台の下面と前記処理容器の底面との間に設けられている、
    請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記周辺部材は、前記冷凍装置に隣接する筒状のシールド部材である、
    請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  6. 前記載置台を回転させる回転装置と、
    前記回転装置と前記載置台との間に設けられ、前記回転装置の回転を前記載置台に伝達するように構成されるスタンドと、を有し、
    前記周辺部材は、前記スタンドの内周及び／又は外周を囲む筒状のシールド部材である、
    請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  7. 前記載置台を回転させる回転装置を有し、
    前記ベローズは、前記回転装置を固定する固定部と、前記冷凍装置を支持する冷凍装置支持部との間に設けられている、
    請求項３に記載の基板処理装置。
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