JP2023109139A - Sputtering target material, target assembly and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、スパッタリングターゲット材の技術分野に関し、具体的には、スパッタリングターゲット材、ターゲットアセンブリおよびターゲットアセンブリの製造方法に関するものである。 The present invention relates to the technical field of sputtering target materials, and in particular to sputtering target materials, target assemblies and methods of manufacturing target assemblies.
バックプレートとスパッタリングターゲット材が一体成形されたターゲットアッセンブリでは、バックプレートが高純度材料で構成されているため、バックプレートが設計上や使用上の必要な強度にならない。 バックプレートにほかの合金材料を設けることで、バックプレートの強度を高めることができる。 In a target assembly in which a back plate and a sputtering target material are integrally formed, the back plate is made of a high-purity material, so the back plate does not have the strength required for design and use. By providing the back plate with other alloy materials, the strength of the back plate can be increased.
先行技術では、ターゲット材とバックプレートとの接合は、攪拌摩擦溶接（FSW）、電子ビーム溶接（EBW）などにより行われている。例えば、特許CN 111660003 AおよびCN 111496366 Aには、上記のような接合方法が開示されている。 In the prior art, the joining of the target material and the backplate is performed by stir friction welding (FSW), electron beam welding (EBW), or the like. For example, patents CN 111660003 A and CN 111496366 A disclose such joining methods.
特許CN 113529030 Aは、ターゲットアセンブリおよびその製造方法を開示し、ターゲットアセンブリは、ターゲット材およびバックプレートを含み、バックプレートはターゲット材の外周部に設けられ、ターゲット材のスパッタリング面はバックプレートの前端に対して突出する。 Patent CN 113529030 A discloses a target assembly and its manufacturing method, the target assembly includes a target material and a back plate, the back plate is provided on the outer periphery of the target material, and the sputtering surface of the target material is the front end of the back plate. protrude against
その製造方法は下記のステップを含む：バックプレートがターゲット材の外周に位置するようにターゲット材の外周をバックプレートに接合する、ターゲット材の外周とバックプレートとの接合の中心線からバックプレート側に向けて溶接用のドリルビットを所定距離オフセットし、ターゲット材の外周をバックプレートに溶接する。 The manufacturing method includes the following steps: bonding the outer circumference of the target material to the backplate so that the backplate is positioned on the outer circumference of the target material; The welding drill bit is offset a predetermined distance toward and welds the perimeter of the target material to the back plate.
この溶接技術は、溶接面積は狭く、溶接場所は主にターゲット材本体に集中し、ターゲット材本体の結晶相構造や結晶粒径に影響を与え、溶接面積が小さいため、溶接結合強度はまださらに改善する必要がある。 This welding technology has a small welding area, and the welding location is mainly concentrated on the target material body, which affects the crystal phase structure and grain size of the target material body. Need to improve.
本発明は、上記従来技術の欠点に対応し、スパッタリングに使用するターゲット材本体へのダメージが少なく、ターゲット材本体のスパッタリング部の結晶相構造、結晶粒径等の物理的・化学的状態や特性に影響を与えず、溶接部は主にアバットメントフランジとの固定接続に使用する接続部で、溶接面が大きく、バックプレートリング、フロントリングおよびスパッタリングターゲットの結合強度が高いスパッタリングターゲット、ターゲットアセンブリおよびその製造方法を提供する。 The present invention addresses the above-mentioned drawbacks of the prior art, reduces damage to the target material body used for sputtering, and provides physical and chemical conditions and characteristics such as the crystal phase structure and crystal grain size of the sputtering part of the target material body. The welding part is mainly used for fixed connection with the abutment flange, the welding area is large, the bonding strength of the back plate ring, the front ring and the sputtering target is high, and the sputtering target, target assembly and A method for producing the same is provided.
具体的な技術的解決策は以下の通りである。
ターゲット材本体からなるスパッタリングターゲット材であって
ターゲット材本体は、側面に凸の環状凸部を形成しており
ターゲット材本体の正面側は環状凸部の正面側に対して凸であり、ターゲット材の背面側は環状凸部の背面側に対して凸であることを特徴とする。
Specific technical solutions are as follows.
A sputtering target material comprising a target material main body, wherein the target material main body forms an annular protrusion convex on the side surface, the front side of the target material main body is convex with respect to the front side of the annular protrusion, and the target material is is convex with respect to the back side of the annular protrusion.
本発明のスパッタリングターゲット材の環状凸部は、バックプレートリング、あるいはバックプレートリングとフロントリングを溶接して全体を高強度接続部としてアバットメントフランジと固定的に接続することが可能である。 The annular convex portion of the sputtering target material of the present invention can be fixedly connected to the abutment flange as a high-strength joint by welding the back plate ring or the back plate ring and the front ring.
本発明では、ターゲット材本体の正面側がスパッタリング用の面であり、ターゲット材本体の背面側がスパッタリング用の面とは反対側の面である。 環状凸部は、ターゲット材本体の正面と背面側の間に位置し、正面側はターゲット材本体のスパッタリング面に比較的近い側であり、背面側は環状凸部の正面側と反対側でターゲット材本体の背面側に比較的近い側である。 In the present invention, the front side of the target material body is the surface for sputtering, and the back side of the target material body is the surface opposite to the surface for sputtering. The annular protrusion is located between the front and back sides of the target material body, the front side being relatively close to the sputtering surface of the target material body, and the back side being the opposite side of the annular protrusion to the target. It is the side relatively close to the back side of the material body.
また、本発明は、前記スパッタリングターゲットの上記形状構造に基づき、前記スパッタリングターゲット材と、前記環状凸部の背面側に設けられたバックプレートリングとを備えるターゲットアセンブリを提供し、アバットメントフランジとの接合強度を向上させることができる。 In addition, the present invention provides a target assembly comprising the sputtering target material and a back plate ring provided on the back side of the annular convex portion, based on the above-described shape structure of the sputtering target, and providing a target assembly with an abutment flange. Bonding strength can be improved.
バックプレートリングは、より確実にアバットメントフランジに装着できるよう、強度を向上させるためにスパッタリングターゲット材料とは異なる合金で作られることが好ましい。 The backplate ring is preferably made of a different alloy than the sputtering target material to improve strength so that it can be more securely attached to the abutment flange.
好ましくは、前記ターゲットアセンブリは、前記バックプレートリングの外周面が前記環状凸部の外周面と面一である。 Preferably, in the target assembly, the outer peripheral surface of the back plate ring is flush with the outer peripheral surface of the annular protrusion.
好ましくは、前記ターゲットアセンブリは、前記バックプレートリングの背面が前記ターゲット材本体の背面と面一である。 Preferably, the target assembly is such that the back surface of the backplate ring is flush with the back surface of the target material body.
本発明において、バックプレートリングの正面とは、環状凸部の背面に接する面を指し、バックプレートリングの正面と反対側の面は、バックプレートリングの背面である。 In the present invention, the front surface of the back plate ring refers to the surface in contact with the rear surface of the annular protrusion, and the surface opposite to the front surface of the back plate ring is the rear surface of the back plate ring.
好ましくは、前記ターゲットアセンブリのバックプレートリングの内側面が、前記環状凸部の背後に位置する前記ターゲット材本体の外側面と対向している。 Preferably, the inner surface of the backplate ring of the target assembly faces the outer surface of the target material body located behind the annular protrusion.
前記ターゲットアセンブリは、前記環状凸部の正面側に設けられたフロントリングを含んでもよい。 The target assembly may include a front ring provided on the front side of the annular projection.
本発明において、環状凸部が位置する位置は、アバットメントフランジに固定接続するための位置であり、その接続は、パンチングボルトによる固定接続であってもよい。 In the present invention, the position where the annular projection is located is the position for fixed connection to the abutment flange, and the connection may be fixed connection by punching bolts.
フロントリングとバックプレートリングを同時にセットすることで、相乗的な強度補充の役割を果たすことができるため、ターゲットアセンブリとアバットメントフランジの接続部分が高強度の一体部品を形成し、ターゲットアセンブリとアバットメントフランジの接続強度をさらに向上させることができる。 By setting the front ring and the back plate ring at the same time, it is possible to play a synergistic role of supplementing strength, so that the connection part of the target assembly and the abutment flange forms a high-strength integral part, and the target assembly and the abutment It is possible to further improve the connection strength of the flange.
好ましくは、前記ターゲットアセンブリは、前記フロントリングの外周側が前記環状凸部の外周側と面一である。 Preferably, in the target assembly, the outer peripheral side of the front ring is flush with the outer peripheral side of the annular protrusion.
好ましくは、前記ターゲットアセンブリは、前記ターゲット本体の正面が前記フロントリングの正面と面一であるか、または前記ターゲット材本体の正面が前記フロントリングの正面に対して突出していることを特徴とする。 Preferably, the target assembly is characterized in that the front surface of the target body is flush with the front surface of the front ring, or the front surface of the target material body protrudes with respect to the front surface of the front ring. .
本発明において、フロントリングの背面とは、環状凸部の正面に接する面を指し、フロントリングの背面に対向する面をフロントリングの正側とする。 In the present invention, the back surface of the front ring refers to the surface in contact with the front surface of the annular projection, and the surface facing the back surface of the front ring is the positive side of the front ring.
好ましくは、前記ターゲットアセンブリは、フロントリングの内側面が、環状突起の前にあるターゲット材本体の外側面に対向する。 Preferably, said target assembly has the inner surface of the front ring facing the outer surface of the target material body in front of the annular projection.
好ましくは、前記ターゲットアセンブリは、前記フロントリングの材料が前記バックプレートリングの材料と同じであり、ターゲットアセンブリの連結部の強度をさらに向上させることができる。 Preferably, in the target assembly, the material of the front ring is the same as the material of the back plate ring, so that the strength of the connecting portion of the target assembly can be further improved.
また、本発明は、前記ターゲットアセンブリの製造方法を提供し、溶接部は環状凸部（アバットメントフランジとの固定接続に用いる接続部）に集中し、スパッタリングに用いるターゲット材本体の損傷が小さく、ターゲット本体の結晶相構造、結晶粒径等のスパッタリング部の物理的・化学的状態・性質に影響を与えず、溶接面が大きく、バックプレートリング、フロントリング及びスパッタリングターゲットの結合強度が高くなる。 Further, the present invention provides a method for manufacturing the target assembly, wherein the welded portion concentrates on the annular convex portion (connection portion used for fixed connection with the abutment flange), the damage to the target material body used for sputtering is small, It does not affect the physical and chemical conditions and properties of the sputtering part such as the crystal phase structure of the target body and the crystal grain size, and the welding surface is large, and the bonding strength between the back plate ring, the front ring and the sputtering target is increased.
本発明で説明するターゲットアセンブリの製造方法は、攪拌摩擦溶接や電子ビーム溶接などの手段で溶接することができる。
本発明に記載のターゲット材の製造方法においては、溶接工程中に溶接ヘッドがターゲット材本体に接触するまでバックプレートリングの内側に向かって徐々に移動し、その後、溶接ヘッドの挿入深さを徐々に小さくしながらターゲット本体に向かって移動を続けるので、ターゲット材本体との接合強度をさらに向上させ、ターゲット材本体の結晶相構造や粒径などの物理化学状態や特性への影響を最小限に抑えることができる。
The method of manufacturing the target assembly described in this invention can be welded by means such as stir friction welding or electron beam welding.
In the target material manufacturing method according to the present invention, the welding head gradually moves toward the inside of the back plate ring until it contacts the target material body during the welding process, and then gradually increases the insertion depth of the welding head. Since it continues to move toward the target body while being reduced to a small size, the bonding strength with the target material body is further improved, and the effect on the physicochemical state and characteristics of the target material body, such as the crystal phase structure and grain size, is minimized. can be suppressed.
また、本発明のターゲットアセンブリは、使用前に切断等により所望の形状、構造にすることができる。 Moreover, the target assembly of the present invention can be formed into a desired shape and structure by cutting or the like before use.
本発明が先行技術に対して有する主な利点は以下の通りである。
本発明は、スパッタリングに使用するターゲット材本体へのダメージが少なく、ターゲット材本体のスパッタリング部の結晶相構造、結晶粒径等の物理的・化学的状態や特性に影響を与えず、溶接部は主にアバットメントフランジとの固定接続に使用する接続部で、溶接面が大きく、バックプレートリング、フロントリングおよびスパッタリングターゲットの結合強度が高いスパッタリングターゲット、ターゲットアセンブリおよびその製造方法を提供する。
The main advantages that the present invention has over the prior art are the following.
The present invention causes little damage to the target material body used for sputtering, does not affect the physical and chemical conditions and characteristics such as the crystal phase structure and crystal grain size of the sputtering part of the target material body, and the welded part Provided are a sputtering target, a target assembly, and a method for manufacturing the same, which are mainly used for fixed connection with an abutment flange, have a large welding surface, and have high bonding strength between a backplate ring, a front ring, and a sputtering target.
既存の技術は、通常、スパッタリングターゲットとバックプレート接合溶接で、この溶接方法は、スパッタリングターゲットとバックプレートの接合強度はまだ改善する必要があり、また、溶接面積は狭いので、実際の真空スパッタリングプロセスでは、ガス漏れ、水漏れやその他の問題を起こりやすくなる。
本発明は、スパッタリングターゲット材の環状凸部とバックプレートリング、またはバックプレートリングとフロントリングを一体として溶接成形することで、より強固であり、密閉性がよく、空気漏れ、水漏れなどの問題を防ぐことができる。
The existing technology is usually sputtering target and back plate bonding welding, this welding method still needs to improve the bonding strength of the sputtering target and back plate, and the welding area is small, so the actual vacuum sputtering process It is easy to cause gas leaks, water leaks and other problems.
The present invention solves the problem of air leakage, water leakage, etc. by welding and molding the annular convex portion of the sputtering target material and the back plate ring, or the back plate ring and the front ring as one unit. can be prevented.
以下、本発明を添付図面および具体的な実施例と合わせてさらに説明する。
これらの実施例は、本発明を説明することのみを目的としており、本発明を限定するものとして解釈されるものではない。 以下の実施例において、特定の条件が示されていない操作方法は、一般的に従来の条件、またはメーカーが推奨される条件に従って行われる。
The present invention will now be further described in conjunction with the accompanying drawings and specific examples.
These examples are for the purpose of illustrating the invention only and are not to be construed as limiting the invention. In the following examples, procedures for which no specific conditions are indicated are generally performed according to conventional conditions or conditions recommended by the manufacturer.
本実施形態は、本発明のスパッタリングターゲット材であり、その構造は図1に模式的に示すとおりである。
スパッタリングターゲット材は、ターゲット本体1を含む。
ターゲット本体1の側面は横方向に凸の環状凸部2を形成している。
ターゲット本体1の正面側は環状凸部2の正面側に対して凸であり、ターゲット本体1の背面側は環状凸部2の背面側に対して凸である。
ターゲット本体1の厚さをD、環状凸部2の厚さをd1、環状凸部2の背面とターゲット本体1の背面との距離をd2、環状凸部2の幅をSとする。
This embodiment is a sputtering target material of the present invention, and its structure is as schematically shown in FIG.
A sputtering target material includes a target body 1 .
The side surface of the target body 1 forms an annular protrusion 2 that is laterally convex.
The front side of the target body 1 is convex with respect to the front side of the annular protrusion 2, and the back side of the target body 1 is convex with respect to the back side of the annular protrusion 2.
Let D be the thickness of the target body 1, d1 be the thickness of the annular projection 2, d2 be the distance between the back surface of the annular projection 2 and the back surface of the target body 1, and S be the width of the annular projection 2.
本実施例は、本発明のターゲットアセンブリの構造、製造方法及び対応製品の一つである。
ターゲットアセンブリの構造は、図2の上側に示すように、実施例1で説明したスパッタリングターゲット材と、環状凸部2の背面に設けられたバックプレートリング3から構成されている。
バックプレートリング3の外周面は、環状凸部2の外周面と同一円筒面上にある。
バックプレートリング3の背面は、ターゲット本体1の背面と同一平面上にある。
バックプレートリング3の内側は、環状凸部2の背面側にあるターゲット本体1の外側に適合する。
This embodiment is one of the structures, manufacturing methods and corresponding products of the target assembly of the present invention.
The structure of the target assembly is composed of the sputtering target material described in Example 1 and the back plate ring 3 provided on the back surface of the annular projection 2, as shown in the upper side of FIG.
The outer peripheral surface of the back plate ring 3 and the outer peripheral surface of the annular protrusion 2 are on the same cylindrical surface.
The back surface of the backplate ring 3 is flush with the back surface of the target body 1 .
The inside of the backplate ring 3 fits the outside of the target body 1 on the back side of the annular projection 2 .
スパッタリングターゲットの材質は、純アルミニウム、アルミニウム-銅合金、アルミニウム-シリコン合金、銅-シリコン-アルミニウム合金のいずれかを使用することができる。
バックプレートリング3の材質は、A5000系アルミニウム、A6000系アルミニウム、A2000系アルミニウムのいずれかを用いることができる。
Any of pure aluminum, aluminum-copper alloy, aluminum-silicon alloy, and copper-silicon-aluminum alloy can be used as the material of the sputtering target.
Any of A5000 series aluminum, A6000 series aluminum, and A2000 series aluminum can be used as the material of the back plate ring 3 .
本実施例のターゲットアセンブリの製造工程は、図2の上図に示すように、環状凸部2が背面板リング3に溶接され、溶接ヘッド5がバックプレートリング3の外側付近から環状突起2に接触または入るまで挿入し、溶接工程中に溶接ヘッド5がバックプレートリング3の内側に向かって徐々に移動し、溶接ヘッド5がターゲット本体1に接触した後、ターゲット本体1に向かって移動し続けているうちに挿入深度が徐々に減少する。溶接終了後、設計に合わせた切削を行い、図2の下図に示すようなスパッタリングターゲットアセンブリ部品を得ることができる。 In the manufacturing process of the target assembly of this embodiment, as shown in the upper diagram of FIG. Insert until it touches or enters, the welding head 5 gradually moves toward the inside of the back plate ring 3 during the welding process, and after the welding head 5 contacts the target body 1, it continues to move toward the target body 1. The insertion depth gradually decreases over time. After the welding is completed, cutting is performed according to the design, and a sputtering target assembly part as shown in the lower drawing of Fig. 2 can be obtained.
溶接ヘッド5はターゲット本体１に移動する距離は、0.1～3mmとすることができる。
前述の製造工程は、攪拌摩擦溶接や、電子ビーム溶接で行うことができる。
The distance that the welding head 5 moves to the target body 1 can be 0.1 to 3 mm.
The aforementioned manufacturing process can be performed by stir friction welding or electron beam welding.
本実施例は、本発明のターゲットアセンブリの構造、製造方法及び対応製品のもう一つである。
ターゲットアセンブリの構造は、図３の上図に示すように、実施例1で説明したスパッタリングターゲット材と、環状凸部2の背面に設けられたバックプレートリング3と環状凸部2の正面に設けられたフロントリング４から構成されている。
This embodiment is another one of the target assembly structure, manufacturing method and corresponding product of the present invention.
The structure of the target assembly, as shown in the upper diagram of FIG. It is composed of a front ring 4 that is attached to the front ring.
バックプレートリング3の外周面は、環状凸部2の外周面と同一円筒面上にある。
バックプレートリング3の背面は、ターゲット本体1の背面と同一平面上にある。
バックプレートリング3の内側面は、環状凸部2の背面側にあるターゲット本体1の外側面に対向する。
スパッタリングターゲットの材質は、純アルミニウム、アルミニウム-銅合金、アルミニウム-シリコン合金、銅-シリコン-アルミニウム合金のいずれかを使用することができる。
バックプレートリング3の材質は、A5000系アルミニウム、A6000系アルミニウム、A2000系アルミニウムのいずれかを用いることができる。
The outer peripheral surface of the back plate ring 3 and the outer peripheral surface of the annular protrusion 2 are on the same cylindrical surface.
The back surface of the backplate ring 3 is flush with the back surface of the target body 1 .
The inner surface of the backplate ring 3 faces the outer surface of the target body 1 on the back side of the annular protrusion 2 .
Any of pure aluminum, aluminum-copper alloy, aluminum-silicon alloy, and copper-silicon-aluminum alloy can be used as the material of the sputtering target.
Any of A5000 series aluminum, A6000 series aluminum, and A2000 series aluminum can be used as the material of the back plate ring 3 .
フロントリング4の外周面は、環状凸部2の外周面と同一円筒面上にある。
ターゲット本体1の正面は、フロントリング4の正面と面一であるか、またはターゲット本体1の正面がフロントリング4の正面に対して突出している。
フロントリング4の内周面は、環状凸部2の前方でターゲット本体1の外周面に対向している。
フロントリング4の材質は、バックプレートリング3の材質と同じであってもよい。
The outer peripheral surface of the front ring 4 and the outer peripheral surface of the annular protrusion 2 are on the same cylindrical surface.
The front surface of the target body 1 is flush with the front surface of the front ring 4 , or the front surface of the target body 1 protrudes from the front surface of the front ring 4 .
The inner peripheral surface of the front ring 4 faces the outer peripheral surface of the target body 1 in front of the annular protrusion 2 .
The material of the front ring 4 may be the same as the material of the back plate ring 3 .
本実施例のターゲットアセンブリの製造工程は、図３の上図に示すように、環状凸部2が背面板リング3に溶接され、溶接ヘッド5がバックプレートリング3の背面から外側に近い側からフロントリング４に接触または入るまで挿入し、溶接工程中に溶接ヘッド5がバックプレートリング3の内側に向かって徐々に移動し、溶接ヘッド5がターゲット本体1に接触した後、ターゲット本体1に向かって移動し続けているうちに挿入深度が徐々に減少する。 溶接終了後、設計に合わせた切削を行い、図３の下図に示すようなスパッタリングターゲットアセンブリ部品を得ることができる。 In the manufacturing process of the target assembly of this embodiment, as shown in the upper diagram of FIG. Insert until it touches or enters the front ring 4, the welding head 5 gradually moves toward the inside of the back plate ring 3 during the welding process, and after the welding head 5 contacts the target body 1, it moves toward the target body 1. The insertion depth gradually decreases while moving continuously. After the welding is completed, cutting according to the design can be performed to obtain a sputtering target assembly part as shown in the lower drawing of FIG.
溶接ヘッド5はターゲット本体１に移動する距離は、0.1～3mmとすることができる。
前述の製造工程は、攪拌摩擦溶接や、電子ビーム溶接で行うことができる。
The distance that the welding head 5 moves to the target body 1 can be 0.1 to 3 mm.
The aforementioned manufacturing process can be performed by stir friction welding or electron beam welding.
さらに、本発明の上記の説明を読んだ当業者は、本発明に様々な変更または修正を加えることができ、それらは同等の形態で本願に添付された特許請求の範囲によって定義される範囲にも入ることが必要である。 Moreover, after reading the above description of the invention, a person skilled in the art will be able to make various changes or modifications to the invention which are within the scope defined by the claims appended hereto in equivalent form. must also enter.
１ ターゲット本体
２ 環状凸部
３ バックプレートリング
４ フロントリング
５ 溶接ヘッド
６ 合金層
1 target body
2 annular protrusion 3 back plate ring 4 front ring 5 welding head 6 alloy layer
Claims (10)
ターゲット本体（1）の側面は横方向に凸の環状凸部（2）を形成しており；
ターゲット本体（1）の正面側は環状凸部2の正面側に対して凸であり、ターゲット本体（1）の背側は環状凸部（2）の背面に対して凸状である。 A sputtering target material comprising a target material body (1).
The side surface of the target body (1) forms a laterally convex annular projection (2);
The front side of the target body (1) is convex with respect to the front side of the annular protrusion 2, and the back side of the target body (1) is convex with respect to the back side of the annular protrusion (2).
バックプレートリング（3）の背面は、ターゲット本体（1）の背面と面一であって、
バックプレートリング（3）の内周面は、環状凸部（2）の背面側にあるターゲット本体（1）の外周面に適合していることを特徴とする。 A target assembly according to claim 2, wherein the outer peripheral surface of the backplate ring (3) is co-cylindrical with the outer peripheral surface of the annular protrusion (2),
The rear surface of the backplate ring (3) is flush with the rear surface of the target body (1),
The inner peripheral surface of the backplate ring (3) is characterized by matching the outer peripheral surface of the target body (1) on the back side of the annular projection (2).
ターゲット本体（1）の正面がフロントリング（4）の正面と面一であるか、またはターゲット本体（1）の正面がフロントリング（4）の正面に対して突出していること。
フロントリング（4）の内周面は、環状突起（2）の前方でターゲット本体（1）の外周面に適合している。 Target assembly according to claim 4, characterized in that the outer side of the front ring (4) is flush with the outer side of the annular projection (2),
The front face of the target body (1) is flush with the front face of the front ring (4) or the front face of the target body (1) protrudes from the front face of the front ring (4).
The inner surface of the front ring (4) is adapted to the outer surface of the target body (1) in front of the annular projection (2).
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