JP2001214263A - Film deposition system - Google Patents

Film deposition system

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JP2001214263A
JP2001214263A JP2000022178A JP2000022178A JP2001214263A JP 2001214263 A JP2001214263 A JP 2001214263A JP 2000022178 A JP2000022178 A JP 2000022178A JP 2000022178 A JP2000022178 A JP 2000022178A JP 2001214263 A JP2001214263 A JP 2001214263A
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Japan
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target
backing plate
film forming
forming apparatus
cooling
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JP2000022178A
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Yoshio Kawamata
又 由 雄 川
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Shibaura Mechatronics Corp
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Shibaura Mechatronics Corp
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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition system capable of securely preventing the reduction of the cooling effect of a target caused by thermal deformation. SOLUTION: This system is provided with a planar target 1 containing grains for film deposition and a coolable backing plate 2 having a cooling face 2a arranged oppositely on the back side 1a of the target 1. The target 1 has a bottomed tapped hole 7 formed on the center of the back side 1a of the target 1 by tap working. The backing plate 2 has a screw 8 projectingly disposed on the cooling face 2a and helically fitted to the bottomed tapped hole 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置に係わ
り、特に、スパッタリングによってターゲットから放出
された粒子によって基板表面に成膜処理を施すための成
膜装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus, and more particularly to a film forming apparatus for performing a film forming process on a substrate surface by particles emitted from a target by sputtering.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程、液晶表示基板製造工
程、或いはコンパクトディスク、ミニディスク等のディ
スクの製造工程においては、成膜装置を使用して基板表
面への成膜処理が実施される。成膜装置の1つにスパッ
タリング装置があり、その代表例としてはプレーナ型マ
グネトロンスパッタリング装置が挙げられる。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, a liquid crystal display substrate manufacturing process, or a disk manufacturing process such as a compact disk and a mini disk, a film forming apparatus is used to form a film on a substrate surface. One of the film forming apparatuses is a sputtering apparatus, a typical example of which is a planar magnetron sputtering apparatus.

【0003】プレーナ型マグネトロンスパッタリング装
置においては、真空状態下での放電により発生したイオ
ン(例えばアルゴンイオン)を陰極であるターゲットに
衝突させ、ターゲットを構成する粒子をスパッタリング
によって放出させる。基板はターゲットに離間対向して
配置されると共に陽極を構成しており、ターゲットから
放出された粒子は基板の表面に堆積し、これにより成膜
処理が施される。
In a planar magnetron sputtering apparatus, ions (eg, argon ions) generated by a discharge in a vacuum state collide with a target serving as a cathode, and particles constituting the target are emitted by sputtering. The substrate is disposed so as to be spaced apart from the target and constitutes an anode, and particles emitted from the target are deposited on the surface of the substrate, whereby a film forming process is performed.

【0004】ここで、使用中のターゲットは高温になる
ため、適当な冷却手段によってターゲットを冷却する必
要がある。そこで従来は、ターゲットの裏面側に配置さ
れたバッキングプレートを冷却し、低温のバッキングプ
レートによってターゲットの裏面側を冷却するようにし
ていた。
[0004] Here, since the target in use has a high temperature, it is necessary to cool the target by an appropriate cooling means. Therefore, conventionally, the backing plate disposed on the back side of the target is cooled, and the back side of the target is cooled by the low-temperature backing plate.

【0005】図3は、従来のスパッタリング装置のター
ゲット及びその周辺を示した縦断面図であり、基板Sに
離間対向して円盤状のターゲット30がバッキングプレ
ート31上に配置されており、ターゲット30とバッキ
ングプレート31との間にはカーボンシート32が介装
されている。ターゲット30の外周縁には鍔状部33が
形成されており、この鍔状部33に係合する押さえリン
グ34をボルト35によってバッキングプレート31に
固定し、これによりターゲット30をバッキングプレー
ト31に固定している。そして、バッキングプレート3
1を適当な冷却媒体によって冷却することにより、いわ
ゆる間接冷却方式によってターゲット30を冷却するよ
うに構成されている。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a target of a conventional sputtering apparatus and its periphery. A disk-shaped target 30 is disposed on a backing plate 31 so as to face the substrate S. A carbon sheet 32 is interposed between the backing plate 31 and the backing plate 31. A flange 33 is formed on the outer peripheral edge of the target 30, and a pressing ring 34 that engages with the flange 33 is fixed to the backing plate 31 by bolts 35, thereby fixing the target 30 to the backing plate 31. are doing. And backing plate 3
The target 30 is configured to be cooled by a so-called indirect cooling method by cooling 1 with an appropriate cooling medium.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、図3に示し
た従来のスパッタリング装置は、ターゲット30の外周
部を固定するものであり、ターゲット30の中央部には
押さえがないために、高パワーで放電したときの熱変形
によりターゲット30の中央部が基板S側に反ってしま
い、バッキングプレート31とターゲット30との密着
性が失われて冷却効果が減じてしまうという問題があっ
た。
However, in the conventional sputtering apparatus shown in FIG. 3, the outer peripheral portion of the target 30 is fixed. There is a problem that the central portion of the target 30 is warped toward the substrate S due to thermal deformation at the time of discharge, and the adhesion between the backing plate 31 and the target 30 is lost, thereby reducing the cooling effect.

【0007】ターゲット30の中央部の反りを防止する
ためには、例えば図4に示したようにターゲット30の
中央にその表面から裏面まで貫通する貫通孔36を形成
し、この貫通孔36に挿通したボルト37を、バッキン
グプレート31に形成したネジ孔に螺着してターゲット
30の中央部を固定する方法がある。
In order to prevent the center of the target 30 from warping, for example, as shown in FIG. 4, a through hole 36 is formed in the center of the target 30 so as to penetrate from the front surface to the back surface. The fixed bolt 37 is screwed into a screw hole formed in the backing plate 31 to fix the center of the target 30.

【0008】しかしながら、この方法ではターゲット3
0の表面側に孔をあける必要があるために、ターゲット
30の中心にスパッタされないエリアが形成されてしま
う。そのため、スパッタされた粒子がターゲット30側
に戻って来て膜が形成され、この膜の剥がれによるパー
ティクルの発生や、アーク放電の発生といった問題が生
じる。
However, in this method, the target 3
Since it is necessary to make a hole on the surface side of the target 30, a non-sputtered area is formed at the center of the target 30. For this reason, the sputtered particles return to the target 30 side to form a film, which causes problems such as generation of particles due to peeling of the film and generation of arc discharge.

【0009】また、図5は、ターゲット30が反った場
合でもターゲット30とバッキングプレート31との密
着性を確保するための構成を示しており、この構成にお
いては、バッキングプレート31の冷却媒体である水の
圧力を利用して、バッキングプレート31の表面をター
ゲット30の裏面側に押し付けて、これによりターゲッ
ト30の裏面とバッキングプレート31の表面との密着
性が確保されている。
FIG. 5 shows a configuration for ensuring the close contact between the target 30 and the backing plate 31 even when the target 30 is warped. In this configuration, the cooling medium for the backing plate 31 is used. The surface of the backing plate 31 is pressed against the back surface of the target 30 by using the pressure of water, whereby the adhesion between the back surface of the target 30 and the surface of the backing plate 31 is ensured.

【0010】しかしながら、図5に示した構成では、バ
ッキングプレート31の可撓性を確保する必要があるた
めに強度が低下してしまったり、また、ターゲット30
とバッキングプレート31との間にゴミが挟み込まれて
バッキングプレート31が破壊されたり、さらには、タ
ーゲット30に圧力がかかるため、ターゲット30の変
形又はセラミック系のターゲットの場合にはその破壊に
至る可能性がある。
However, in the configuration shown in FIG. 5, it is necessary to ensure the flexibility of the backing plate 31 so that the strength of the backing plate 31 is reduced.
The dust may be interposed between the backing plate 31 and the backing plate 31, and the backing plate 31 may be broken. Further, pressure may be applied to the target 30, which may lead to deformation of the target 30 or breakage in the case of a ceramic target. There is.

【0011】やすいという問題があった。There has been a problem that it is easy.

【0012】本発明は、上述した事情を考慮して成され
たものであって、熱変形によるターゲットの冷却効果の
減少を確実に防止することができる成膜装置を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has as its object to provide a film forming apparatus capable of reliably preventing a cooling effect of a target from being reduced by thermal deformation. .

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明による成膜装置は、成膜のための粒子を含む板
状のターゲットと、このターゲットの裏面側に対向配置
された冷却面を有する冷却可能なバッキングプレート
と、を備え、前記ターゲットは、前記ターゲットの裏面
中央にタップ加工により形成された有底ネジ孔を有し、
前記バッキングプレートは、前記冷却面に突設されて前
記有底ネジ孔に螺着されるネジを有することを特徴とす
る。
In order to solve the above-mentioned problems, a film forming apparatus according to the present invention comprises a plate-like target containing particles for film formation, and a cooling surface opposed to the rear surface of the target. And the target has a bottomed screw hole formed by tapping at the center of the back surface of the target,
The backing plate has a screw protruding from the cooling surface and screwed into the bottomed screw hole.

【0014】また、好ましくは、前記ターゲットは、成
膜のための粒子により構成されたターゲット本体と、こ
のターゲット本体の裏面に一体に形成されたバッキング
層とを有し、前記有底ネジ孔は前記バッキング層の内部
に形成されている。
Preferably, the target has a target main body composed of particles for film formation, and a backing layer integrally formed on the back surface of the target main body. It is formed inside the backing layer.

【0015】また、好ましくは、前記ターゲットの外周
部を前記バッキングプレートに固定するための手段をさ
らに有する。
Preferably, the apparatus further comprises means for fixing an outer peripheral portion of the target to the backing plate.

【0016】また、好ましくは、前記バッキングプレー
トの前記冷却面は可撓性を有する。
Preferably, the cooling surface of the backing plate has flexibility.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
成膜装置について図1を参照して説明する。なお、本実
施形態による成膜装置は、図3に示した従来の成膜装置
(スパッタリング装置)の構成を一部変更したものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The film forming apparatus according to the present embodiment is obtained by partially changing the configuration of the conventional film forming apparatus (sputtering apparatus) shown in FIG.

【0018】図1は、本実施形態による成膜装置のター
ゲット及びその周辺部を示した縦断面図であり、基板S
に対向して円盤状のターゲット1がバッキングプレート
2上に配置されており、ターゲット1とバッキングプレ
ート2との間にはカーボンシート3が介装されている。
ターゲット1の外周縁には鍔状部4が形成されており、
この鍔状部4に係合する押さえリング5をボルト6によ
ってバッキングプレート2に固定している。なお、ター
ゲット1はその全体が成膜のための粒子によって構成さ
れている。
FIG. 1 is a vertical sectional view showing a target of the film forming apparatus according to the present embodiment and its peripheral portion.
A disk-shaped target 1 is disposed on a backing plate 2 so as to face the target, and a carbon sheet 3 is interposed between the target 1 and the backing plate 2.
A flange 4 is formed on the outer peripheral edge of the target 1,
A holding ring 5 that engages with the flange portion 4 is fixed to the backing plate 2 with bolts 6. The target 1 is entirely composed of particles for film formation.

【0019】また、本実施形態においては、ターゲット
1の裏面1aの中央にタップ加工により有底ネジ孔7が
形成されている。一方、バッキングプレート2の冷却面
2aにはネジ8が突設されており、このネジ8はターゲ
ット1の裏面1aの有底ネジ孔7に螺着されている。
In the present embodiment, a bottomed screw hole 7 is formed at the center of the back surface 1a of the target 1 by tapping. On the other hand, a screw 8 protrudes from the cooling surface 2 a of the backing plate 2, and the screw 8 is screwed into a bottomed screw hole 7 on the back surface 1 a of the target 1.

【0020】ターゲット1をバッキングプレート2に取
り付ける際には、まず、カーボンシート3をバッキング
プレート2の冷却面2a上に載せる。ここで、カーボン
シート3の中央には孔3aが形成されているので、この
孔3aにネジ8を通すようにする。次に、ターゲット1
の裏面1aの有底ネジ孔7をネジ8に合わせ、ターゲッ
ト1を回転させながら有底ネジ孔7にネジ8を螺着す
る。最後に、ターゲット1の鍔状部4に押さえリング5
を係合させ、この押さえリング5をボルト6によってバ
ッキングプレート2に固定する。これにより、ターゲッ
ト1がその中央部及び外周部においてバッキングプレー
ト2に固定される。
When attaching the target 1 to the backing plate 2, first, the carbon sheet 3 is placed on the cooling surface 2 a of the backing plate 2. Here, since the hole 3a is formed in the center of the carbon sheet 3, the screw 8 is passed through the hole 3a. Next, target 1
The screw 8 is screwed into the bottomed screw hole 7 while rotating the target 1 while aligning the bottomed screw hole 7 on the back surface 1a with the screw 8. Finally, a retaining ring 5 is attached to the flange 4 of the target 1.
And the holding ring 5 is fixed to the backing plate 2 with bolts 6. As a result, the target 1 is fixed to the backing plate 2 at the central portion and the outer peripheral portion.

【0021】以上述べたように本実施形態による成膜装
置おいては、ターゲット1の外周部のみならず中央部を
もバッキングプレート2に固定するようにしたので、高
パワーで放電した場合でもターゲット1に反りが生じる
ことがない。このため、ターゲット1の裏面1aとバッ
キングプレート2の冷却面2aとの密着性を確実に維持
して、ターゲット1の冷却効果の減少を確実に防止する
ことができる。
As described above, in the film forming apparatus according to the present embodiment, not only the outer peripheral portion but also the central portion of the target 1 is fixed to the backing plate 2, so that even if the target 1 No warpage occurs in 1. For this reason, the adhesion between the back surface 1a of the target 1 and the cooling surface 2a of the backing plate 2 is reliably maintained, and a decrease in the cooling effect of the target 1 can be reliably prevented.

【0022】また、有底ネジ孔7はターゲット1の裏面
1a側に形成されており、ターゲット1の表面1b側に
は孔は形成されていないので、ターゲット1の表面1b
には非スパッタエリアは存在せず全面エロージョンとな
る。このため、図4に示した従来の成膜装置のようなタ
ーゲット表面の孔部における膜剥がれやアーク放電の問
題は生じない。
The bottomed screw hole 7 is formed on the back surface 1a side of the target 1, and no hole is formed on the front surface 1b side of the target 1.
Does not have a non-sputtering area, and is entirely eroded. For this reason, there is no problem of film peeling or arc discharge at the hole on the target surface as in the conventional film forming apparatus shown in FIG.

【0023】また、バッキングプレート2に突設したネ
ジ8とターゲット1の裏面1aに形成した有底ネジ孔7
とを螺合して両者を固定するようにしたので、図5に示
した可撓性のバッキングプレートを有する従来の成膜装
置のようなゴミのはさみ込みの問題やバッキングプレー
トの強度低下の問題は生じない。
A screw 8 projecting from the backing plate 2 and a bottomed screw hole 7 formed in the back surface 1a of the target 1
Are fixed by screwing them together, so that there is a problem of dust trapping and a problem of reduced strength of the backing plate as in the conventional film forming apparatus having a flexible backing plate shown in FIG. Does not occur.

【0024】次に、上記実施形態の第1変形例について
図2を参照して説明する。この変形例は、図1に示した
成膜装置においてターゲット1の構成を一部変形したも
のであり、本変形例におけるターゲット1は、成膜のた
めの粒子により構成されたターゲット本体10と、この
ターゲット本体10の裏面に一体に形成されたバッキン
グ層11とから構成されている。
Next, a first modification of the above embodiment will be described with reference to FIG. This modification is a partial modification of the configuration of the target 1 in the film forming apparatus shown in FIG. 1. The target 1 in this modification includes a target body 10 composed of particles for film formation, The backing layer 11 is integrally formed on the back surface of the target main body 10.

【0025】そして、有底ネジ孔7は、ターゲット本体
10まで突き抜けることなく、バッキング層11の内部
に形成されている。
The bottomed screw hole 7 is formed inside the backing layer 11 without penetrating to the target body 10.

【0026】本変形例においては、有底ネジ孔7をバッ
キング層11の内部に形成するようにしたので、例えば
セラミック系の加工困難なターゲット本体10を使用す
る場合でも、ターゲット本体10に孔を形成する必要が
なく、加工コストの増加を防止することができる。
In this modification, the bottomed screw hole 7 is formed inside the backing layer 11, so that even when a ceramic-based hard-to-machine target body 10 is used, the hole is formed in the target body 10. Since it is not necessary to form it, an increase in processing cost can be prevented.

【0027】次に、上記実施形態の第2変形例として、
カーボンシート3を設けることに代えて、バッキングプ
レート2の冷却面2aを可撓性のものとして、バッキン
グプレート2内の冷却媒体である水の圧力を利用してタ
ーゲット1とバッキングプレート2とを密着させ、これ
によりターゲット1とバッキングプレート2との熱伝達
を十分に確保するようにすることもできる。なお、上記
第1変形例にも本変形例と同様の構成を適用することが
できる。
Next, as a second modification of the above embodiment,
Instead of providing the carbon sheet 3, the cooling surface 2a of the backing plate 2 is made flexible, and the target 1 and the backing plate 2 are brought into close contact by utilizing the pressure of water as a cooling medium in the backing plate 2. As a result, the heat transfer between the target 1 and the backing plate 2 can be sufficiently ensured. Note that the same configuration as that of the present modification can be applied to the first modification.

【0028】本変形例においては、ターゲット1の中央
部がバッキングプレート2に固定されているので、バッ
キングプレート2の冷却面2aを可撓性とした構成にお
いて、ターゲット1に水圧が加えられた場合でもターゲ
ット1に過大の応力が発生することはない。
In this modification, since the central portion of the target 1 is fixed to the backing plate 2, the cooling surface 2a of the backing plate 2 is made flexible so that the water pressure is applied to the target 1. However, no excessive stress is generated in the target 1.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上述べたように本発明による成膜装置
によれば、ターゲットの中央部をバッキングプレートに
固定するようにしたので、高パワーで放電した場合でも
ターゲットに反りが生じることがない。このため、ター
ゲットの裏面とバッキングプレートの冷却面との密着性
を確実に維持して、ターゲットの冷却効果の減少を確実
に防止することができる。
As described above, according to the film forming apparatus of the present invention, since the center of the target is fixed to the backing plate, the target does not warp even when discharged at a high power. . Therefore, it is possible to reliably maintain the adhesion between the back surface of the target and the cooling surface of the backing plate, and to reliably prevent the cooling effect of the target from decreasing.

【0030】また、有底ネジ孔はターゲットの裏面側に
形成されており、ターゲットの表面側には孔は形成され
ていないので、ターゲットの表面には非スパッタエリア
は存在せず全面エロージョンとなる。このため、従来の
成膜装置のようなターゲット表面の孔部における膜剥が
れやアーク放電の問題は生じない。
Further, since the bottomed screw hole is formed on the back surface side of the target and no hole is formed on the front surface side of the target, there is no non-sputter area on the surface of the target and the entire surface is eroded. . For this reason, there is no problem of film peeling or arc discharge at the hole on the target surface as in the conventional film forming apparatus.

【0031】また、バッキングプレートに突設したネジ
とターゲットの裏面に形成した有底ネジ孔とを螺合して
両者を固定するようにしたので、可撓性のバッキングプ
レートを有する従来の成膜装置のようなゴミのはさみ込
みの問題やバッキングプレートの強度低下の問題は生じ
ない。
Further, since the screw protruding from the backing plate and the bottomed screw hole formed on the back surface of the target are screwed together to fix both, a conventional film forming method having a flexible backing plate is used. There is no problem of trash being trapped in the device or a problem of a decrease in the strength of the backing plate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態による成膜装置のターゲッ
ト及びその周辺を示した縦断面図。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a target and its periphery of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した実施形態の第1変形例による成膜
装置のターゲット及びその周辺を示した縦断面図。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a target and its periphery of a film forming apparatus according to a first modification of the embodiment shown in FIG. 1;

【図3】従来の成膜装置の第1例のターゲット及びその
周辺を示した縦断面図。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a target of a first example of a conventional film forming apparatus and its periphery.

【図4】従来の成膜装置の第2例のターゲット及びその
周辺を示した縦断面図。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a target of a second example of the conventional film forming apparatus and its periphery.

【図5】従来の成膜装置の第3例のターゲット及びその
周辺を示した縦断面図。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a third example of a conventional film forming apparatus and its periphery.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ターゲット 1a ターゲットの裏面 2 バッキングプレート 2a バッキングプレートの冷却面 3 カーボンシート 4 ターゲットの鍔状部 5 押さえリング 6 ボルト 7 有底ネジ孔 8 ネジ 10 ターゲット本体 11 バッキング層 S 基板 REFERENCE SIGNS LIST 1 target 1a back surface of target 2 backing plate 2a cooling surface of backing plate 3 carbon sheet 4 flange portion of target 5 holding ring 6 bolt 7 bottomed screw hole 8 screw 10 target body 11 backing layer S substrate

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】成膜のための粒子を含む板状のターゲット
と、このターゲットの裏面側に対向配置された冷却面を
有する冷却可能なバッキングプレートと、を備え、 前記ターゲットは、前記ターゲットの裏面中央にタップ
加工により形成された有底ネジ孔を有し、 前記バッキングプレートは、前記冷却面に突設されて前
記有底ネジ孔に螺着されるネジを有することを特徴とす
る成膜装置。
1. A target comprising: a plate-like target containing particles for film formation; and a coolable backing plate having a cooling surface opposed to a rear surface of the target. A film having a bottomed screw hole formed by tapping at the center of the back surface, wherein the backing plate has a screw protruding from the cooling surface and screwed into the bottomed screw hole. apparatus.
【請求項2】前記ターゲットは、成膜のための粒子によ
り構成されたターゲット本体と、このターゲット本体の
裏面に一体に形成されたバッキング層とを有し、前記有
底ネジ孔は前記バッキング層の内部に形成されているこ
とを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
2. The target according to claim 1, wherein said target has a target main body made of particles for film formation, and a backing layer integrally formed on a back surface of said target main body. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the film forming apparatus is formed inside.
【請求項3】前記ターゲットの外周部を前記バッキング
プレートに固定するための手段をさらに有することを特
徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
3. The film forming apparatus according to claim 1, further comprising: means for fixing an outer peripheral portion of said target to said backing plate.
【請求項4】前記バッキングプレートの前記冷却面は可
撓性を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれ
か一項に記載の成膜装置。
4. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the cooling surface of the backing plate has flexibility.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114351096A (en) * 2022-01-26 2022-04-15 浙江最成半导体科技有限公司 Sputtering target, target assembly and manufacturing method of target assembly

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CN114351096A (en) * 2022-01-26 2022-04-15 浙江最成半导体科技有限公司 Sputtering target, target assembly and manufacturing method of target assembly

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