KR20230115209A - Sputtering target, target assembly and manufacturing method of target assembly - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스퍼터링 타겟을 개시하며, 이는 타겟 본체를 포함하고; 타겟 본체 측면은 외측으로 돌출되어 환형 볼록부를 형성하며; 타겟 본체의 정면은 환형 볼록부의 정면에 비해 돌출되고, 타겟 본체의 배면은 환형 볼록부의 배면에 비해 돌출된다. 본 발명은 타겟 어셈블리를 더 개시하며, 상기 스퍼터링 타겟 및 환형 볼록부 배면에 설치된 백 플레이트 링, 선택적으로 환형 볼록부 정면에 설치된 정면 링을 포함한다. 본 발명은 상기 타겟 어셈블리의 제조 방법을 더 개시하며, 환형 볼록부와 백 플레이트 링, 또는 백 플레이트 링, 정면 링을 용접 접합하고, 용접 헤드는 백 플레이트 링 배면으로부터 환형 볼록부 또는 정면 링에 접촉하거나 인입될 때까지 외측면에 가까이 삽입되고, 용접 과정에서 용접 헤드는 점차 백 플레이트 링 내측면을 향해 이동한다.The present invention discloses a sputtering target, which includes a target body; the target body side surface protrudes outward to form an annular convex portion; The front surface of the target body protrudes relative to the front surface of the annular convex portion, and the rear surface of the target body protrudes compared to the rear surface of the annular convex portion. The present invention further discloses a target assembly, comprising the sputtering target and a back plate ring installed on the rear surface of the annular convex portion, and optionally a front ring installed in front of the annular convex portion. The present invention further discloses a method for manufacturing the target assembly, wherein the annular convex portion and the back plate ring, or the back plate ring and the front ring are welded, and the welding head contacts the annular convex portion or the front ring from the rear surface of the back plate ring. or inserted close to the outer surface until it is drawn in, and in the welding process, the welding head gradually moves towards the inner surface of the back plate ring.
Description
본 발명은 스퍼터링 타겟 기술분야에 관한 것이고, 구체적으로 스퍼터링 타겟, 타겟 어셈블리 및 타겟 어셈블리의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to the field of sputtering target technology, and specifically to a sputtering target, a target assembly, and a method of manufacturing the target assembly.
백 플레이트 및 스퍼터링 타겟이 일체로 성형된 타겟 어셈블리에서, 백 플레이트 부분이 고순도 재료로 이루어지기 때문에 백플레이트 부분의 강도가 설계나 사용 요건을 만족시킬 수 없다. 백 플레이트부에 추가 합급 재료를 설치하여 완성품 타겟의 백 플레이트 부분의 강도를 향상시킬 수 있다. In a target assembly in which the back plate and the sputtering target are integrally molded, the strength of the back plate portion cannot satisfy design or use requirements because the back plate portion is made of high-purity material. It is possible to improve the strength of the back plate portion of the finished target by providing an additional alloy material to the back plate portion.
선행기술에서 타겟 및 백 플레이트의 용접 방식에는 마찰교반 용접(FSW), 전자빔 용접(EBW) 등이 있고, 예를 들어 공개번호 CN111660003A, CN111496366A의 특허 명세서에 상기 용접 방법이 개시되어 있다.In the prior art, there are friction stir welding (FSW), electron beam welding (EBW), and the like as welding methods of the target and the back plate, and the welding methods are disclosed in patent specifications of Publication Nos. CN111660003A and CN111496366A, for example.
공개번호 CN113529030A의 특허명세서에는 타겟 어셈블리 및 그 제조 방법을 개시하였고, 상기 타겟 어셈블리는 타겟 및 백 플레이트를 포함하며, 백 플레이트는 타겟의 외주변에 설치되고 타겟의 스퍼터링면은 백 플레이트의 선단 표면에 비해 돌출된다. 그 제조 방법은, 타겟의 외주변과 백 플레이트를 접합하여, 백 플레이트를 타겟의 외주변에 위치시키고, 용접용 드릴 비트를 타겟 외주변과 백 플레이트의 접합 중심선으로부터 백 플레이트측을 향해 기설정 거리만큼 편이시켜, 타겟의 외주변과 백 플레이트를 용접 접합하는 단계를 포함한다. 상기 특허 기술의 용접 제조 방식은, 용접 영역이 좁고 위치가 주로 타겟 본체 부분에 집중되어 타겟 본체 부분의 결정상 구조와 입자 크기에 영향을 미치며, 용접 영역의 면적이 작고 용접 결합 강도는 여전히 개선이 필요하다는 것을 알 수 있다.The patent specification of Publication No. CN113529030A discloses a target assembly and a manufacturing method thereof, the target assembly includes a target and a back plate, the back plate is installed on the outer periphery of the target, and the sputtering surface of the target is on the front surface of the back plate. stand out compared to The manufacturing method involves bonding the outer periphery of the target and the back plate, positioning the back plate on the outer periphery of the target, and moving a drill bit for welding from the center line of the joint between the outer periphery of the target and the back plate toward the back plate side at a predetermined distance. and welding-joining the outer periphery of the target and the back plate by shifting the target as much as possible. In the welding manufacturing method of the patent technology, the welding area is narrow and the location is mainly concentrated in the target body portion, affecting the crystalline structure and particle size of the target body portion, the area of the welding area is small, and the weld joint strength still needs improvement. It can be seen that
선행기술에 존재하는 상기 부족점에 대하여, 본 발명은 스퍼터링을 위한 타겟 본체에 대한 손상이 적고 타겟 본체의 스퍼터링 부분의 결정상 구조, 입자 크기 등 물리적 화학적 상태 및 성질에 영향을 미치지 않으며, 용접 부위가 주로 베이스 플랜지와 고정 연결된 연결부에 위치하여 용접면이 크고 백 플레이트 링, 정면 링과 스퍼터링 타겟의 결합 강도가 높은 스퍼터링 타겟, 타겟 어셈블리 및 타겟 어셈블리의 제조 방법을 제공한다.With respect to the above shortcomings existing in the prior art, the present invention has little damage to the target body for sputtering and does not affect the physical and chemical state and properties of the sputtering portion of the target body, such as crystal structure and particle size, and the welding part is Provided are a sputtering target, a target assembly, and a manufacturing method of the target assembly, which are mainly located at a connection portion fixedly connected to a base flange and have a large welding surface and high bonding strength between the back plate ring, the front ring and the sputtering target.
구체적인 과제 해결 수단은 다음과 같다. The specific problem solving means are as follows.
스퍼터링 타겟은 타겟 본체를 포함하고; The sputtering target includes a target body;
타겟 본체 측면은 외측으로 돌출되어 환형 볼록부를 형성하며; the side of the target body protrudes outward to form an annular convex portion;
타겟 본체의 정면은 환형 볼록부의 정면에 비해 돌출되고, 타겟 본체의 배면은 환형 볼록부의 배면에 비해 돌출된다.The front surface of the target body protrudes relative to the front surface of the annular convex portion, and the rear surface of the target body protrudes compared to the rear surface of the annular convex portion.
본 발명 스퍼터링 타겟의 환형 볼록부는 백 플레이트 링과, 또는, 백 플레이트 링 및 정면 링과 용접 성형된 후 전체를 고강도 연결부로서 베이스 플랜지와 고정 연결할 수 있다.The annular convex portion of the sputtering target of the present invention can be welded and formed with the back plate ring, or the back plate ring and the front ring, and then fixedly connected to the base flange as a high-strength connection portion.
본 발명에서, 타겟 본체의 정면은 스퍼터링을 위한 면이고, 타겟 본체의 배면은 스퍼터링면과 대응되는 면이다. 환형 볼록부는 타겟 본체의 정면과 배면 사이에 위치하고, 그 정면은 타겟 본체 스퍼터링면에 상대적으로 더 가까운 면이고, 그 배면은 환형 볼록부 정면과 대응되고 타겟 본체 배면에 상대적으로 더 가까운 면이다.In the present invention, the front surface of the target body is a surface for sputtering, and the rear surface of the target body is a surface corresponding to the sputtering surface. The annular convex portion is located between the front and rear surfaces of the target body, the front surface being a surface relatively closer to the sputtering surface of the target body, and the rear surface corresponding to the front surface of the annular convex portion and being relatively closer to the rear surface of the target body.
상기 형상 구조의 스퍼터링 타겟을 기반으로, 본 발명은 상기 스퍼터링 타겟 및 환형 볼록부 배면에 설치된 백 플레이트 링을 포함하는 타겟 어셈블리를 더 제공하고, 베이스 플랜지 사이와의 결합 견고성을 향상시킬 수 있다. Based on the sputtering target of the above-described structure, the present invention further provides a target assembly including the sputtering target and a back plate ring installed on the rear surface of the annular convex portion, and the coupling between the base flange can be improved.
백 플레이트 링은 바람직하게 스퍼터링 타겟과 상이한 합금 재료를 사용하여 강도를 향상시켜 베이스가 더욱 견고하게 장착될 수 있도록 한다.The back plate ring preferably uses a different alloy material than the sputtering target to improve strength so that the base can be mounted more firmly.
바람직한 일례에서, 상기 타겟 어셈블리, 백 플레이트 링의 외측면과 환형 볼록부의 외측면은 나란히 형성된다.In a preferred example, the target assembly, the outer surface of the back plate ring and the outer surface of the annular convex portion are formed side by side.
바람직한 일례에서, 상기 타겟 어셈블리, 백 플레이트 링의 배면과 타겟 본체의 배면은 나란히 형성된다.In a preferred example, the target assembly, the rear surface of the back plate ring and the rear surface of the target body are formed side by side.
본 발명에서, 백 플레이트 링의 정면은 환형 볼록부 배면과 접촉하는 면이고, 백 플레이트 링의 정면과 대응되는 타면이 바로 백 플레이트 링의 배면이다.In the present invention, the front surface of the back plate ring is a surface contacting the rear surface of the annular convex portion, and the other surface corresponding to the front surface of the back plate ring is the rear surface of the back plate ring.
바람직한 일례에서, 상기 타겟 어셈블리, 백 플레이트 링의 내측면은, 타겟 본체의 환형 볼록부 뒤에 위치한 외측면과 피팅된다.In a preferred embodiment, the inner surface of the target assembly, the back plate ring, is fitted with the outer surface located behind the annular convex portion of the target body.
상기 타겟 어셈블리는 환형 볼록부 정면에 설치된 정면 링를 더 포함할 수 있다.The target assembly may further include a front ring installed in front of the annular convex portion.
본 발명에서, 환형 볼록부가 위치한 위치는 베이스 플랜지와 고정 연결되고, 연결 방식은 펀칭 볼트에 의해 고정 연결될 수 있다. 정면 링, 백 플레이트 링의 동시 설치는 시너지 및 보강 역할을 할 수 있고, 타겟 어셈블리와 베이스 플랜지의 연결 부위에 형성된 하나의 고강도 일체형 부재는 타겟 어셈블리와 베이스 플랜지의 연결 강도를 더욱 향상시킬 수 있다. In the present invention, the location where the annular convex portion is located is fixedly connected to the base flange, and the connection method may be fixedly connected by punching bolts. Simultaneous installation of the front ring and the back plate ring can play a synergistic and reinforcing role, and one high-strength integral member formed at the connection between the target assembly and the base flange can further improve the connection strength between the target assembly and the base flange.
바람직한 일례에서, 상기 타겟 어셈블리, 정면 링의 외측면과 환형 볼록부의 외측면은 나란히 형성된다.In a preferred embodiment, the outer surface of the target assembly, the front ring and the outer surface of the annular convex portion are formed side by side.
바람직한 일례에서, 상기 타겟 어셈블리, 타겟 본체의 정면과 정면 링의 정면은 나란히 형성되거나, 또는 타겟 본체의 정면은 정면 링의 정면에 비해 돌출된다.In a preferred embodiment, the target assembly, the front face of the target body and the front face of the face ring are formed side by side, or the face face of the target body is projected relative to the face face of the face ring.
본 발명에서, 정면 링의 배면은 환형 볼록부 정면과 접촉하는 면이고, 정면 링의 배면과 대응되는 타면이 바로 정면 링의 정면이다.In the present invention, the rear surface of the front ring is a surface contacting the front surface of the annular convex portion, and the other surface corresponding to the rear surface of the front ring is the front surface of the front ring.
바람직한 일례에서, 상기 타겟 어셈블리, 정면 링의 내측면은, 타겟 본체의 환형 볼록부 전면에 위치한 외측면과 피팅된다.In a preferred example, the inner surface of the target assembly, the front ring, is fitted with the outer surface located in front of the annular convex portion of the target body.
바람직한 일례에서, 상기 타겟 어셈블리, 정면 링의 재질과 백 플레이트 링의 재질은 동일하게 설치되어, 타겟 어셈블리 연결부의 강도를 더욱 향상시킬 수 있다. In a preferred example, the target assembly, the material of the front ring and the material of the back plate ring are installed the same, so that the strength of the target assembly connection portion can be further improved.
본 발명은 상기 타겟 어셈블리의 제조 방법을 더 제공하고, 용접 부위가 환형 볼록부 영역(베이스 플랜지와 고정 연결되는 연결부)에 집중되고, 스퍼터링을 위한 타겟 본체에 대한 손상이 적고 타겟 본체의 스퍼터링 부분의 결정상 구조, 입자 크기 등 물리적 화학적 상태 및 성질에 영향을 미치지 않으며 용접면이 크고 백 플레이트 링, 정면 링과 스퍼터링 타겟의 결합 강도가 높다.The present invention further provides a method for manufacturing the target assembly, wherein the welding portion is concentrated in the annular convex region (the connecting portion fixedly connected to the base flange), and the damage to the target body for sputtering is small, and the sputtering portion of the target body is reduced. It does not affect the physical and chemical state and properties such as crystal structure and particle size. The welding surface is large and the bonding strength of the back plate ring, front ring and sputtering target is high.
상기 타겟 어셈블리에 정면 링이 없을 경우, 그 제조 방법은, 환형 볼록부와 백 플레이트 링을 용접 접합하는 단계를 포함하고, 용접 헤드는 백 플레이트 링 배면으로부터 환형 볼록부에 접촉하거나 인입될 때까지 외측면에 가까이 삽입되고, 용접 과정에서 용접 헤드는 점차 백 플레이트 링 내측면을 향해 이동한다. If the front ring is not present in the target assembly, the manufacturing method includes welding the annular convex portion and the back plate ring, the welding head from the back surface of the back plate ring to the annular convex portion until it contacts or enters the annular convex portion. It is inserted closer to the side, and the welding head gradually moves toward the inner surface of the back plate ring during the welding process.
상기 타겟 어셈블리가 정면 링을 더 포함할 경우, 그 제조 방법은, 환형 볼록부와 백 플레이트 링, 정면 링을 용접 접합하는 단계를 포함하고, 용접 헤드는 백 플레이트 링 배면으로부터 정면 링에 접촉하거나 인입될 때까지 외측면에 가까이 삽입되고, 용접 과정에서 용접 헤드는 점차 백 플레이트 링 내측면을 향해 이동한다,When the target assembly further includes a front ring, the manufacturing method includes welding the annular convex portion, the back plate ring, and the front ring, and the welding head contacts or draws in the front ring from the rear surface of the back plate ring. is inserted close to the outer surface until
본 발명에 따른 타겟 어셈블리의 제조 방법은 마찰교반 용접 또는 전자빔 용접 방식을 사용하여 용접 접합을 수행할 수 있다.In the method of manufacturing a target assembly according to the present invention, welding may be performed using friction stir welding or electron beam welding.
본 발명에 따른 타겟 어셈블리의 제조 방법은, 용접 과정에서 용접 헤드가 점차 백 플레이트 링 내측면을 향해 이동하여 타겟 본체와 접촉한 후, 계속하여 타겟 본체를 향해 이동하는 동시에 점차 용접 헤드의 삽입 깊이를 감소함으로써, 타겟 본체와의 결합 강도를 더욱 향상시키고, 타겟 본체의 결정상 구조, 입자 크기 등 물리적 화학적 상태 및 성질에 대한 영향을 최대한 감소한다.In the manufacturing method of the target assembly according to the present invention, in the welding process, the welding head gradually moves toward the inner surface of the back plate ring to contact the target body, and then continues to move toward the target body while gradually increasing the insertion depth of the welding head. By reducing, the bonding strength with the target body is further improved, and the influence on the physical and chemical state and properties of the target body, such as crystalline structure and particle size, is reduced as much as possible.
본 발명의 타겟 어셈블리는 또한 사용 전에 절삭 등 방식을 통해 필요한 형상, 구조로 제조될 수 있다.The target assembly of the present invention may also be manufactured into a required shape or structure by cutting or the like prior to use.
본 발명은 선행기술에 비해 주로 다음과 같은 장점을 포함한다.The present invention mainly includes the following advantages over the prior art.
본 발명은 스퍼터링을 위한 타겟 본체에 대한 손상이 적고 타겟 본체의 스퍼터링 부분의 결정상 구조, 입자 크기 등 물리적 화학적 상태 및 성질에 영향을 미치지 않으며, 용접 부위가 주로 베이스 플랜지와 고정 연결된 연결부에 위치하여 용접면이 크고 백 플레이트 링, 정면 링과 스퍼터링 타겟의 결합 강도가 높은 스퍼터링 타겟, 타겟 어셈블리 및 타겟 어셈블리의 제조 방법을 제공한다. The present invention has little damage to the target body for sputtering and does not affect the physical and chemical state and properties of the sputtering portion of the target body, such as crystal structure and particle size, and the welding area is mainly located at the base flange and the fixedly connected connection. Provided are a sputtering target having a large surface and high bond strength between a back plate ring and a front ring and a sputtering target, a target assembly, and a manufacturing method of the target assembly.
선행기술은 일반적으로 스퍼터링 타겟과 백 플레이트의 경계에서만 용접을 수행하는데, 이런 용접 방식은 한편으로는 스퍼터링 타겟과 백 플레이트의 결합 강도가 여전히 개선이 필요하고, 다른 한편으로는 용접 영역이 좁고 실제 진공 스퍼터링 과정에서 이음매에서 가스 누출, 누수 등 문제가 발생하기 쉽다. 본 발명은 스퍼터링 타겟의 환형 볼록부와 백 플레이트 링, 또는 백 플레이트 링 및 정면 링을 일체형으로 용접 성형하여 결합이 더욱 견고할 뿐만 아니라 용접 밀봉성이 더욱 우수하고 가스 누출, 누수 등 문제를 해결하였다.The prior art generally performs welding only at the boundary between the sputtering target and the back plate. In this welding method, on the one hand, the bonding strength between the sputtering target and the back plate still needs to be improved, and on the other hand, the welding area is narrow and the actual vacuum During the sputtering process, problems such as gas leakage and water leakage are likely to occur at the seam. The present invention integrally welds and molds the annular convex portion of the sputtering target and the back plate ring, or the back plate ring and the front ring, so that the coupling is more robust, the weld sealing property is better, and problems such as gas leakage and water leakage are solved. .
도 1은 실시예 1의 스퍼터링 타겟의 구조 모식도이다.
도 2는 실시예 2의 타겟 어셈블리의 구조, 제조 과정 및 제품 모식도이다.
도 3은 실시예 3의 타겟 어셈블리의 구조, 제조 과정 및 제품 모식도이다.1 is a structural schematic diagram of a sputtering target of Example 1.
Figure 2 is a schematic diagram of the structure, manufacturing process and product of the target assembly of Example 2.
Figure 3 is a schematic diagram of the structure, manufacturing process and product of the target assembly of Example 3.
이하, 본 발명을 도면 및 구체적인 실시예를 참조하여 더욱 설명한다. 이러한 실시예들은 본 발명을 설명하기 위해서만 사용되며, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다. 다음의 실시예에서 구체적인 조건을 명시하지 않은 조작 방법은 통상적인 조건에 따르거나 제조 업체가 권장하는 조건에 따른다.Hereinafter, the present invention will be further described with reference to drawings and specific embodiments. These examples are used only to illustrate the present invention and do not limit the scope of the present invention. In the following examples, the operation methods for which specific conditions are not specified follow conventional conditions or conditions recommended by manufacturers.
실시예 1Example 1
본 실시예은 본 발명의 스퍼터링 타겟을 구체적으로 설명하며, 그 구조는 도 1에 도시된 바와 같다.This embodiment specifically describes the sputtering target of the present invention, the structure of which is shown in FIG.
스퍼터링 타겟은 타겟 본체(1)를 포함한다.The sputtering target includes a target body (1).
타겟 본체(1) 측면은 외측으로 돌출되어 환형 볼록부(2)를 형성하며; The side of the target body 1 protrudes outward to form an annular convex portion 2;
타겟 본체(1)의 정면은 환형 볼록부(2)의 정면에 비해 돌출되고, 타겟 본체(1)의 배면은 환형 볼록부(2)의 배면에 비해 돌출된다.The front surface of the target body 1 protrudes compared to the front surface of the annular convex portion 2, and the rear surface of the target body 1 protrudes compared to the rear surface of the annular convex portion 2.
타겟 본체(1)의 두께는 D이고, 환형 볼록부(2)의 두께는 d1이며, 환형 볼록부(2) 배면과 타겟 본체(1) 배면의 거리는 d2이고, 환형 볼록부(2)의 폭은 S이다.The thickness of the target body 1 is D, the thickness of the annular convex portion 2 is d1, the distance between the rear surface of the annular convex portion 2 and the rear surface of the target body 1 is d2, and the width of the annular convex portion 2 is d2. is S.
실시예 2Example 2
본 실시예는 본 발명의 타겟 어셈블리의 한가지 구조, 제조 과정 및 상응한 제품을 구체적으로 설명한다. This embodiment specifically describes one structure, manufacturing process, and corresponding product of the target assembly of the present invention.
타겟 어셈블리의 구조는 도 2의 위 도면에 도시된 바와 같이 실시예 1에서 설명된 스퍼터링 타겟 및 환형 볼록부(2) 배면에 설치된 백 플레이트 링(3)을 포함한다.The structure of the target assembly includes the sputtering target described in Example 1 and the back plate ring 3 installed on the rear surface of the annular convex portion 2, as shown in the upper drawing of FIG.
백 플레이트 링(3)의 외측면과 환형 볼록부(2)의 외측면은 나란히 형성된다.The outer surface of the back plate ring 3 and the outer surface of the annular convex portion 2 are formed side by side.
백 플레이트 링(3) 배면과 타겟 본체(1) 배면은 나란히 형성된다.The rear surface of the back plate ring 3 and the rear surface of the target body 1 are formed side by side.
백 플레이트 링(3)의 내측면은, 타겟 본체(1)의 환형 볼록부(2) 뒤에 위치한 외측면과 피팅된다.The inner face of the back plate ring 3 is fitted with the outer face located behind the annular convex portion 2 of the target body 1 .
스퍼터링 타겟의 재질은 순수 알루미늄, 알루미늄 구리 합금, 알루미늄 실리콘 합금, 구리 실리콘 알루미늄 합금 중 어느 하나일 수 있다.The material of the sputtering target may be any one of pure aluminum, aluminum-copper alloy, aluminum-silicon alloy, and copper-silicon-aluminum alloy.
백 플레이트 링(3)의 재질은 A5000 계열 알루미늄, A6000 계열 알루미늄, A2000 계열 알루미늄 중 어느 하나일 수 있다.The material of the back plate ring 3 may be any one of A5000 series aluminum, A6000 series aluminum, and A2000 series aluminum.
본 실시예의 타겟 어셈블리의 제조 과정은 도 2의 위 도면에 도시된 바와 같이, 환형 볼록부(2)와 백 플레이트 링(3)을 용접 접합하고, 용접 헤드(5)는 백 플레이트 링(3) 배면으로부터 환형 볼록부(2)에 접촉하거나 인입될 때까지 외측면에 가까이 삽입되고, 용접 과정에서 용접 헤드(5)는 점차 백 플레이트 링(3) 내측면을 향해 이동하며, 용접 헤드(5)는 타겟 본체(1)와 접촉한 후, 계속하여 타겟 본체(1)를 향해 이동하는 동시에 점차 용접 헤드의 삽입 깊이를 감소한다. 용접이 완료된 후 적응성 절삭을 수행하면 스퍼터링을 위한 타겟 어셈블리 제품을 얻을 수 있으며 도 2의 아래 도면에 도시된 바와 같다. In the manufacturing process of the target assembly of this embodiment, as shown in the upper drawing of FIG. It is inserted close to the outer surface until it contacts or enters the annular convex part 2 from the rear surface, and in the welding process, the welding head 5 gradually moves toward the inner surface of the back plate ring 3, and the welding head 5 After coming into contact with the target body 1, it continues to move towards the target body 1 while gradually reducing the insertion depth of the welding head. If adaptive cutting is performed after welding is completed, a target assembly product for sputtering can be obtained, as shown in the lower drawing of FIG. 2 .
타겟 본체(1) 내에서 용접 헤드(5)의 이동 거리는 0.1~3 mm일 수 있다.The moving distance of the welding head 5 within the target body 1 may be 0.1 to 3 mm.
상기 제조 과정에서, 마찰교반 용접 또는 전자빔 용접 방식을 사용하여 용접 접합을 수행할 수 있다.In the manufacturing process, welding bonding may be performed using friction stir welding or electron beam welding.
실시예 3Example 3
본 실시예에서 본 발명의 타겟 어셈블리의 다른 구조, 제조 과정 및 상응한 제품을 구체적으로 설명한다. In this embodiment, other structures, manufacturing processes and corresponding products of the target assembly of the present invention are specifically described.
타겟 어셈블리의 구조는 도 3의 위 도면에 도시된 바와 같이 실시예 1에서 설명된 스퍼터링 타겟 및 환형 볼록부(2) 배면에 설치된 백 플레이트 링(3), 환형 볼록부(2) 정면에 설치된 정면 링(4)을 포함한다.As shown in the upper drawing of FIG. 3, the structure of the target assembly is the sputtering target described in Example 1 and the back plate ring 3 installed on the rear surface of the annular convex portion 2, and the front surface installed on the front surface of the annular convex portion 2. Includes ring (4).
백 플레이트 링(3)의 외측면과 환형 볼록부(2)의 외측면은 나란히 형성된다.The outer surface of the back plate ring 3 and the outer surface of the annular convex portion 2 are formed side by side.
백 플레이트 링(3) 배면과 타겟 본체(1) 배면은 나란히 형성된다.The rear surface of the back plate ring 3 and the rear surface of the target body 1 are formed side by side.
백 플레이트 링(3)의 내측면은, 타겟 본체(1)의 환형 볼록부(2) 뒤에 위치한 외측면과 피팅된다.The inner face of the back plate ring 3 is fitted with the outer face located behind the annular convex portion 2 of the target body 1 .
스퍼터링 타겟의 재질은 순수 알루미늄, 알루미늄 구리 합금, 알루미늄 실리콘 합금, 구리 실리콘 알루미늄 합금 중 어느 하나일 수 있다.The material of the sputtering target may be any one of pure aluminum, aluminum-copper alloy, aluminum-silicon alloy, and copper-silicon-aluminum alloy.
백 플레이트 링(3)의 재질은 A5000 계열 알루미늄, A6000 계열 알루미늄, A2000 계열 알루미늄 중 어느 하나일 수 있다.The material of the back plate ring 3 may be any one of A5000 series aluminum, A6000 series aluminum, and A2000 series aluminum.
정면 링(4)의 외측면과 환형 볼록부(2)의 외측면은 나란히 형성된다.The outer surface of the front ring 4 and the outer surface of the annular convex portion 2 are formed side by side.
타겟 본체(1)의 정면과 정면 링(4)의 정면은 나란히 형성되거나, 또는 타겟 본체(1)의 정면은 정면 링(4)의 정면에 비해 돌출된다.The front surface of the target body 1 and the front surface of the front ring 4 are formed side by side, or the front surface of the target body 1 protrudes compared to the front surface of the front ring 4.
정면 링(4)의 내측면은, 타겟 본체(1)의 환형 볼록부(2) 전면에 위치한 외측면과 피팅된다.The inner surface of the front ring 4 is fitted with the outer surface located in front of the annular convex part 2 of the target body 1 .
정면 링(4)의 재질은 백 플레이트 링(3)의 재질과 같을 수 있다.The material of the front ring 4 may be the same as that of the back plate ring 3.
본 실시예의 타겟 어셈블리의 제조 과정은 도 3의 위 도면에 도시된 바와 같이, 환형 볼록부(2)와 백 플레이트 링(3), 정면 링(4)을 용접 접합하고, 용접 헤드(5)는 백 플레이트 링(3) 배면으로부터 정면 링(4)에 접촉하거나 인입될 때까지 외측면에 가까이 삽입되고, 용접 과정에서 용접 헤드(5)는 점차 백 플레이트 링(3) 내측면을 향해 이동하며, 용접 헤드(5)는 타겟 본체(1)와 접촉한 후, 계속하여 타겟 본체(1)를 향해 이동하는 동시에 점차 용접 헤드의 삽입 깊이를 감소한다. 용접이 완료된 후 적응성 절삭을 수행하면 스퍼터링을 위한 타겟 어셈블리 제품을 얻을 수 있으며 도 3의 아래 도면에 도시된 바와 같다. In the manufacturing process of the target assembly of this embodiment, as shown in the upper drawing of FIG. 3, the annular convex portion 2, the back plate ring 3, and the front ring 4 are welded, and the welding head 5 is From the rear surface of the back plate ring 3, it is inserted close to the outer surface until it contacts or enters the front ring 4, and in the welding process, the welding head 5 gradually moves towards the inner surface of the back plate ring 3, After the welding head 5 contacts the target body 1, it continues to move toward the target body 1 while gradually reducing the insertion depth of the welding head. If adaptive cutting is performed after welding is completed, a target assembly product for sputtering can be obtained, as shown in the lower drawing of FIG. 3 .
타겟 본체(1) 내에서 용접 헤드(5)의 이동 거리는 0.1~3 mm일 수 있다.The moving distance of the welding head 5 within the target body 1 may be 0.1 to 3 mm.
상기 제조 과정에서, 마찰교반 용접 또는 전자빔 용접 방식을 사용하여 용접 접합을 수행할 수 있다.In the manufacturing process, welding bonding may be performed using friction stir welding or electron beam welding.
이 밖에, 본 발명의 상술한 내용을 읽은 후, 당업자는 본 발명에 대해 다양한 변경 또는 수정을 가할 수 있고, 이러한 등가 형태는 모두 본 출원서에 첨부된 특허청구범위에 의해 한정된 범위에 속함을 이해하여야 한다.In addition, after reading the above description of the present invention, it should be understood that those skilled in the art may make various changes or modifications to the present invention, and all such equivalent forms fall within the scope defined by the claims appended to this application. do.
1: 타겟 본체;
2: 환형 볼록부;
3: 백 플레이트 링;
4: 정면 링;
5: 용접 헤드;
6: 합금층.1: target body;
2: annular convex portion;
3: back plate ring;
4: front ring;
5: welding head;
6: alloy layer.
Claims (10)
타겟 본체(1)를 포함하고;
타겟 본체(1) 측면은 외측으로 돌출되어 환형 볼록부(2)를 형성하며;
타겟 본체(1)의 정면은 환형 볼록부(2)의 정면에 비해 돌출되고, 타겟 본체(1)의 배면은 환형 볼록부(2)의 배면에 비해 돌출되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
In the sputtering target,
It includes a target body 1;
The side of the target body 1 protrudes outward to form an annular convex portion 2;
A sputtering target characterized in that the front surface of the target body (1) protrudes compared to the front surface of the annular convex portion (2), and the rear surface of the target body (1) protrudes compared to the rear surface of the annular convex portion (2).
제1항에 따른 스퍼터링 타겟; 및
환형 볼록부(2) 배면에 설치된 백 플레이트 링(3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 타겟 어셈블리.
In the target assembly,
a sputtering target according to claim 1; and
A target assembly comprising a back plate ring (3) installed on the rear surface of the annular convex portion (2).
백 플레이트 링(3)의 외측면과 환형 볼록부(2)의 외측면은 나란히 형성되고;
백 플레이트 링(3) 배면과 타겟 본체(1) 배면은 나란히 형성되며;
백 플레이트 링(3)의 내측면은, 타겟 본체(1)의 환형 볼록부(2) 뒤에 위치한 외측면과 피팅되는 것을 특징으로 하는 타겟 어셈블리.
According to claim 2,
The outer surface of the back plate ring 3 and the outer surface of the annular convex portion 2 are formed side by side;
The rear surface of the back plate ring 3 and the rear surface of the target body 1 are formed side by side;
Target assembly, characterized in that the inner surface of the back plate ring (3) is fitted with the outer surface located behind the annular convex portion (2) of the target body (1).
상기 타겟 어셈블리는 환형 볼록부(2) 정면에 설치된 정면 링(4)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 타겟 어셈블리.
According to claim 2 or 3,
The target assembly further comprises a front ring (4) installed in front of the annular convex portion (2).
정면 링(4)의 외측면과 환형 볼록부(2)의 외측면은 나란히 형성되고;
타겟 본체(1)의 정면과 정면 링(4)의 정면은 나란히 형성되거나, 또는 타겟 본체(1)의 정면은 정면 링(4)의 정면에 비해 돌출되며;
정면 링(4)의 내측면은, 타겟 본체(1)의 환형 볼록부(2) 전면에 위치한 외측면과 피팅되는 것을 특징으로 하는 타겟 어셈블리.
According to claim 4,
The outer surface of the front ring 4 and the outer surface of the annular convex portion 2 are formed side by side;
The front face of the target body 1 and the front face of the face ring 4 are formed side by side, or the front face of the target body 1 protrudes compared to the face face of the face ring 4;
Target assembly, characterized in that the inner surface of the front ring (4) is fitted with the outer surface located in front of the annular convex portion (2) of the target body (1).
정면 링(4)의 재질과 백 플레이트 링(3)의 재질은 동일한 것을 특징으로 하는 타겟 어셈블리.
According to claim 4,
Target assembly, characterized in that the material of the front ring (4) and the material of the back plate ring (3) is the same.
환형 볼록부(2)와 백 플레이트 링(3)을 용접 접합하는 단계를 포함하고, 용접 헤드는 백 플레이트 링(3) 배면으로부터 환형 볼록부(2)에 접촉하거나 인입될 때까지 외측면에 가까이 삽입되고, 용접 과정에서 용접 헤드는 점차 백 플레이트 링(3) 내측면을 향해 이동하는 것을 특징으로 하는 타깃 어셈블리의 제조 방법.
In the manufacturing method of the target assembly according to claim 2 or 3,
welding the annular convex portion (2) and the back plate ring (3), the welding head being close to the outer surface until it contacts or enters the annular convex portion (2) from the back surface of the back plate ring (3). inserted, and in the welding process, the welding head gradually moves towards the inner surface of the back plate ring (3).
환형 볼록부(2)와 백 플레이트 링(3), 정면 링(4)을 용접 접합하는 단계를 포함하고, 용접 헤드는 백 플레이트 링(3) 배면으로부터 정면 링(4)에 접촉하거나 인입될 때까지 외측면에 가까이 삽입되고, 용접 과정에서 용접 헤드는 점차 백 플레이트 링(3) 내측면을 향해 이동하는 것을 특징으로 하는 타깃 어셈블리의 제조 방법.
In the manufacturing method of the target assembly according to any one of claims 4 to 6,
and welding the annular convex portion 2, the back plate ring 3, and the front ring 4, when the welding head contacts or enters the front ring 4 from the rear surface of the back plate ring 3. , and the welding head gradually moves toward the inner surface of the back plate ring 3 during the welding process.
마찰교반 용접 또는 전자빔 용접 방식을 사용하여 용접 접합을 수행하는 것을 특징으로 하는 타깃 어셈블리의 제조 방법.
According to claim 7 or 8,
A method of manufacturing a target assembly, characterized in that welding is performed using a friction stir welding or electron beam welding method.
용접 과정에서 용접 헤드는 점차 백 플레이트 링(3) 내측면을 향해 이동하여 타겟 본체(1)와 접촉한 후, 계속하여 타겟 본체(1)를 향해 이동하는 동시에 점차 용접 헤드의 삽입 깊이를 감소하는 것을 특징으로 하는 타깃 어셈블리의 제조 방법.According to claim 7 or 8,
During the welding process, the welding head gradually moves toward the inner surface of the back plate ring 3 to contact the target body 1, and then continues to move toward the target body 1 while gradually reducing the insertion depth of the welding head. Method for manufacturing a target assembly, characterized in that.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210091744.3 | 2022-01-26 | ||
| CN202210091744.3A CN114351096A (en) | 2022-01-26 | 2022-01-26 | Sputtering target, target assembly and manufacturing method of target assembly |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230115209A true KR20230115209A (en) | 2023-08-02 |
Family
ID=81093633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220108133A KR20230115209A (en) | 2022-01-26 | 2022-08-29 | Sputtering target, target assembly and manufacturing method of target assembly |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023109139A (en) |
| KR (1) | KR20230115209A (en) |
| CN (1) | CN114351096A (en) |
| TW (1) | TW202330963A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115255596A (en) * | 2022-09-06 | 2022-11-01 | 浙江最成半导体科技有限公司 | Target, target assembly and manufacturing method thereof |
| CN115283818A (en) * | 2022-09-06 | 2022-11-04 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | Friction stir welding method for pure aluminum tubular target and aluminum alloy accessory |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2797111B2 (en) * | 1989-03-27 | 1998-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | Sputtering equipment |
| US5009765A (en) * | 1990-05-17 | 1991-04-23 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target design |
| DE59709021D1 (en) * | 1996-07-22 | 2003-01-30 | Unaxis Balzers Ag | TARGET ARRANGEMENT WITH A CIRCULAR PLATE |
| US6149776A (en) * | 1998-11-12 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Copper sputtering target |
| JP2000226650A (en) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Mitsubishi Materials Corp | Reinforcement ring for preventing deformation of backing plate, backing plate with the reinforcement ring, sputtering target, and their use |
| JP2000265265A (en) * | 1999-03-12 | 2000-09-26 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | Integrated structure type sputtering target |
| JP2000345330A (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-12 | Sony Corp | Sputtering target |
| JP2001214263A (en) * | 2000-01-31 | 2001-08-07 | Shibaura Mechatronics Corp | Film deposition system |
| JP2001308023A (en) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | Equipment and method for heat treatment |
| JP4566367B2 (en) * | 2000-09-04 | 2010-10-20 | 日鉱金属株式会社 | Sputtering target with less generation of particles |
| US7922066B2 (en) * | 2005-09-21 | 2011-04-12 | Soleras, LTd. | Method of manufacturing a rotary sputtering target using a mold |
| TW200617194A (en) * | 2006-02-17 | 2006-06-01 | Avail Technology Co Ltd | Friction stir welding of backing plate for the sputtering targets of photo-electronic PVD |
| JP6277309B2 (en) * | 2016-07-13 | 2018-02-07 | 住友化学株式会社 | Sputtering target manufacturing method and sputtering target |
| CN212357372U (en) * | 2020-06-01 | 2021-01-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | Long-life sputtering target material assembly |
| CN111660003B (en) * | 2020-06-22 | 2021-08-03 | 浙江最成半导体科技有限公司 | Sputtering target welding method |
| CN212669787U (en) * | 2020-07-13 | 2021-03-09 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | Circular target subassembly |
| CN112916996B (en) * | 2021-01-28 | 2023-01-03 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | Electron beam welding method for circular target and annular back plate |
| CN113529030A (en) * | 2021-08-20 | 2021-10-22 | 浙江最成半导体科技有限公司 | Target material assembly and manufacturing method thereof |
| CN217757629U (en) * | 2022-01-26 | 2022-11-08 | 浙江最成半导体科技有限公司 | Sputtering target and target assembly |
-
2022
- 2022-01-26 CN CN202210091744.3A patent/CN114351096A/en active Pending
- 2022-07-18 TW TW111126821A patent/TW202330963A/en unknown
- 2022-08-29 KR KR1020220108133A patent/KR20230115209A/en unknown
- 2022-09-05 JP JP2022140622A patent/JP2023109139A/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202330963A (en) | 2023-08-01 |
| CN114351096A (en) | 2022-04-15 |
| JP2023109139A (en) | 2023-08-07 |
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