JP2023101873A - 表面被覆切削工具 - Google Patents
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Abstract
【課題】優れた耐久性を有する表面被覆切削工具を得る。【解決手段】被覆層は、順に、互いに接する層Ａ２、層Ｂ３、層Ｃ４有し、これら３層の平均厚さの和は１．０５～２１．０μｍで、層Ａ２の平均厚さは０．０５～２．００μｍで、Ｔｉの窒化物または炭窒化物であり、層Ｂ３の平均層厚は、０．５０～７．００μｍであり、（ＡｌＸＢＴｉ１－ＸＢ）（ＣＹＢＮ１－ＹＢ）（０．５０≦ＸＢ≦０．７５、０．００≦ＹＢ＜０．０５）の平均組成であって、ＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒が８０面積％以上を占め、層Ｃ４の平均厚さは０．５０～１３．５０μｍであり、（ＡｌＸＣＴｉ１－ＸＣ）（ＣＹＣＮ１－ＹＣ）（０．５３≦ＸＣ≦０．８０、０．００≦ＹＣ＜０．０５）の平均組成であって、ＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒が８０面積％以上を占め、０．０３≦ＸＣ－ＸＢ≦０．１０である表面被覆切削工具。【選択図】図１
Description
本発明は、表面被覆切削工具（以下、被覆工具ということがある）に関する。
従来、切削工具を高寿命とすべく、炭化タングステン（以下、ＷＣということがある）基超硬合金等の基体の表面に、被覆層を被覆した被覆工具があり、この被覆工具は耐摩耗性等が向上している。
そして、被覆工具のより一層の切削性能を向上させるために、被覆層の組成や構造について、種々の提案がなされている。
そして、被覆工具のより一層の切削性能を向上させるために、被覆層の組成や構造について、種々の提案がなされている。
例えば、特許文献１には、２μｍから２５μｍの厚さを有する単層又は多層の摩耗保護コーティングを有する工具であって、
該摩耗保護コーティングが、１μｍから１６μｍの範囲の厚さを有し、８５超体積％の面心立方結晶構造を有する、０．４０≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．１０かつ０．８５≦ｚ≦１．１５の少なくとも一のＴｉ１－ｘＡｌｘＣｙＮｚ層を含み、該Ｔｉ１－ｘＡｌｘＣｙＮｚ層が、結晶内部よりも高いＡｌ含有量を有するＴｉ１－ｘＡｌｘＣｙＮｚ結晶の粒界でＴｉ１－ｏＡｌｏＣｐＮｑの析出物を含み、０．９５≦ｏ≦１．００、０≦ｐ≦０．１０、０．８５≦ｑ≦１．１５且つ（０－ｘ）≧０．０５であり、さらに、前記Ｔｉ１－ｘＡｌｘＣｙＮｚ層のＴＣ（１１１）が１．５超である被覆工具が記載され、該被覆工具は改善した耐摩耗性及び改善した櫛状亀裂に対する耐性を呈するとされている。
該摩耗保護コーティングが、１μｍから１６μｍの範囲の厚さを有し、８５超体積％の面心立方結晶構造を有する、０．４０≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．１０かつ０．８５≦ｚ≦１．１５の少なくとも一のＴｉ１－ｘＡｌｘＣｙＮｚ層を含み、該Ｔｉ１－ｘＡｌｘＣｙＮｚ層が、結晶内部よりも高いＡｌ含有量を有するＴｉ１－ｘＡｌｘＣｙＮｚ結晶の粒界でＴｉ１－ｏＡｌｏＣｐＮｑの析出物を含み、０．９５≦ｏ≦１．００、０≦ｐ≦０．１０、０．８５≦ｑ≦１．１５且つ（０－ｘ）≧０．０５であり、さらに、前記Ｔｉ１－ｘＡｌｘＣｙＮｚ層のＴＣ（１１１）が１．５超である被覆工具が記載され、該被覆工具は改善した耐摩耗性及び改善した櫛状亀裂に対する耐性を呈するとされている。
また、例えば、特許文献２には、被覆層は、基体側に近い側から、下記式（１）で表される組成を有する化合物を含有する下部層と、前記下部層の上に形成され、下記式（２）で表される組成を有する化合物を含有する上部層と、を有し、
（ＡｌｘＴｉ１－ｘ）Ｎ（０．６０≦ｘ≦０．９５）（１）
（ＡｌｙＴｉ１－ｙ）Ｎ（０．５０≦ｙ≦０．８５）（２）
前記下部層の平均厚さが、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であり、前記上部層の平均厚さが、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であり、
前記下部層においてＧＯＳ値が１度以下を示す結晶粒の面積割合ＧＯＳｉと、前記上部層においてＧＯＳ値が１度以下を示す結晶粒の面積割合ＧＯＳｓとが、ＧＯＳｉ＜ＧＯＳｓを満たす被覆工具が記載され、該被覆工具は高速で負荷が作用するような切削加工条件下でも工具寿命を延長することができるとされている。
（ＡｌｘＴｉ１－ｘ）Ｎ（０．６０≦ｘ≦０．９５）（１）
（ＡｌｙＴｉ１－ｙ）Ｎ（０．５０≦ｙ≦０．８５）（２）
前記下部層の平均厚さが、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であり、前記上部層の平均厚さが、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であり、
前記下部層においてＧＯＳ値が１度以下を示す結晶粒の面積割合ＧＯＳｉと、前記上部層においてＧＯＳ値が１度以下を示す結晶粒の面積割合ＧＯＳｓとが、ＧＯＳｉ＜ＧＯＳｓを満たす被覆工具が記載され、該被覆工具は高速で負荷が作用するような切削加工条件下でも工具寿命を延長することができるとされている。
本発明は、前記事情や前記提案を鑑みてなされたもので、優れた耐久性を有する表面被覆切削工具を得ることを目的とする。
本発明の実施形態に係る表面被覆切削工具は、
基体と該基体の表面に被覆層を有し、
（ａ）前記被覆層は、前記基体の表面から工具表面に向かって、順に、互いに接する層Ａ、層Ｂ、および、層Ｃ有し、これら３層の平均厚さの和は１．０５～２１．０μｍであって、
（ｂ）前記層Ａの平均厚さは０．０５～２．００μｍであって、Ｔｉの窒化物または炭窒化物であり、
（ｃ）前記層Ｂの平均層厚は、０．５０～７．００μｍであり、
（ＡｌＸＢＴｉ１－ＸＢ）（ＣＹＢＮ１－ＹＢ）（０．５０≦ＸＢ≦０．７５、０．００≦ＹＢ＜０．０５）の平均組成であって、ＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒が８０面積％以上を占め、
（ｄ）前記層Ｃの平均厚さは０．５０～１３．５０μｍであり、
（ＡｌＸＣＴｉ１－ＸＣ）（ＣＹＣＮ１－ＹＣ）（０．５３≦ＸＣ≦０．８０、０．００≦ＹＣ＜０．０５）の平均組成であって、ＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒が８０面積％以上を占め、
（ｅ）前記ＸＢと前記ＸＣは、０．０３≦ＸＣ－ＸＢ≦０．１０
である。
基体と該基体の表面に被覆層を有し、
（ａ）前記被覆層は、前記基体の表面から工具表面に向かって、順に、互いに接する層Ａ、層Ｂ、および、層Ｃ有し、これら３層の平均厚さの和は１．０５～２１．０μｍであって、
（ｂ）前記層Ａの平均厚さは０．０５～２．００μｍであって、Ｔｉの窒化物または炭窒化物であり、
（ｃ）前記層Ｂの平均層厚は、０．５０～７．００μｍであり、
（ＡｌＸＢＴｉ１－ＸＢ）（ＣＹＢＮ１－ＹＢ）（０．５０≦ＸＢ≦０．７５、０．００≦ＹＢ＜０．０５）の平均組成であって、ＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒が８０面積％以上を占め、
（ｄ）前記層Ｃの平均厚さは０．５０～１３．５０μｍであり、
（ＡｌＸＣＴｉ１－ＸＣ）（ＣＹＣＮ１－ＹＣ）（０．５３≦ＸＣ≦０．８０、０．００≦ＹＣ＜０．０５）の平均組成であって、ＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒が８０面積％以上を占め、
（ｅ）前記ＸＢと前記ＸＣは、０．０３≦ＸＣ－ＸＢ≦０．１０
である。
さらに、前記実施形態に係る表面被覆切削工具は、次の事項を満足してもよい。
前記層Ｂおよび前記層Ｃにおいて、前記ＮａＣｌ型の面心立方晶構造の結晶粒（１１１）面の回折線強度値Ｉ（１１１）と同（２００）面の回折線強度値Ｉ（２００）は、
１．０≦Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）の関係を満たすこと。
１．０≦Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）の関係を満たすこと。
前記実施形態に係る表面被覆切削工具は、優れた耐久性を有する。
本発明者は、被覆層にＡｌとＴｉとの複合炭化物、複合窒化物（以下、（ＡｌＴｉ）ＣＮと表すことがある）を有する被覆工具において、被削材の溶着および基体へ進展する亀裂（クラック）を抑制するための方策について鋭意検討した。
その結果、被覆工具の表面側に基体へ進展する亀裂を抑制する組成の（ＡｌＴｉ）ＣＮ層所定の平均厚さで設け、その下方（基体側）に耐摩耗性と耐溶着性に優れた組成の（ＡｌＴｉ）ＣＮ層を所定の平均厚さで設けることを見出し、さらには、両層間のＡｌ含有量差を所定の範囲内とすることにより、両層間の連続的な結晶成長が達成されるとの知見を得た。
その結果、被覆工具の表面側に基体へ進展する亀裂を抑制する組成の（ＡｌＴｉ）ＣＮ層所定の平均厚さで設け、その下方（基体側）に耐摩耗性と耐溶着性に優れた組成の（ＡｌＴｉ）ＣＮ層を所定の平均厚さで設けることを見出し、さらには、両層間のＡｌ含有量差を所定の範囲内とすることにより、両層間の連続的な結晶成長が達成されるとの知見を得た。
以下では、本発明の実施形態の被覆工具について詳細に説明する。
なお、本明細書および特許請求の範囲において、数値範囲を「Ｌ～Ｍ」（Ｌ、Ｍは共に数値）で表現するときは、その範囲は上限値（Ｍ）および下限値（Ｌ）を含んでおり、上限値（Ｍ）のみに単位が記載されているときは、下限値の単位も同じである。
なお、本明細書および特許請求の範囲において、数値範囲を「Ｌ～Ｍ」（Ｌ、Ｍは共に数値）で表現するときは、その範囲は上限値（Ｍ）および下限値（Ｌ）を含んでおり、上限値（Ｍ）のみに単位が記載されているときは、下限値の単位も同じである。
図１に、本発明の一実施形態に係る被覆工具の断面図（基体の表面の微小な凹凸を無視して基体の表面を水平面と扱いこの面に垂直な断面）を模式的に示す。この図１から明らかなように、この実施形態に係る被覆工具は、基体（１）の表面に層Ａ（２）が接し、該層Ａ（２）の工具表面側で該層Ａ（２）と接する層Ｂ（３）と、さらに該層Ｂ（３）の工具表面側で該層Ｂ（３）と接する層Ｃ（４）を有している。そして、層Ａ（２）、層Ｂ（３）および層Ｃ（４）のそれぞれの平均厚さの和は１．０５～２１．００μｍであって、被覆層（６）を構成する。
以下、順に各層を説明する。
以下、順に各層を説明する。
１．被覆層
被覆層は、平均厚さが１．０５～２１．００μｍであって、層Ａ、層Ｂ、および、層Ｃを有することが好ましい。平均厚さは１．０５μｍより薄いと耐摩耗性が十分でなく、一方、２１．００μｍより厚いと内部欠陥に起因する被膜剥離や欠損を生じる。
被覆層は、平均厚さが１．０５～２１．００μｍであって、層Ａ、層Ｂ、および、層Ｃを有することが好ましい。平均厚さは１．０５μｍより薄いと耐摩耗性が十分でなく、一方、２１．００μｍより厚いと内部欠陥に起因する被膜剥離や欠損を生じる。
２．層Ａ
基体表面に接する層Ａは、Ｔｉの窒化物もしくは炭窒化物からなり、基材と被覆層との密着性を与える層（密着層）として働くものである。
基体表面に接する層Ａは、Ｔｉの窒化物もしくは炭窒化物からなり、基材と被覆層との密着性を与える層（密着層）として働くものである。
（１）平均組成
層Ａの組成は、Ｔｉの窒化物もしくは炭窒化物であれば、特段の制約はない。例えば、組成式ＴｉＣＺＮ１－Ｚ（０．００≦Ｚ≦０．０５）であってよい。ここで、Ｚが、０．０５より多く含まれると層Ａの硬度が過度に上昇し、層Ａと基材界面からの剥離が生じやすくなることがある。
層Ａの組成は、Ｔｉの窒化物もしくは炭窒化物であれば、特段の制約はない。例えば、組成式ＴｉＣＺＮ１－Ｚ（０．００≦Ｚ≦０．０５）であってよい。ここで、Ｚが、０．０５より多く含まれると層Ａの硬度が過度に上昇し、層Ａと基材界面からの剥離が生じやすくなることがある。
（２）平均厚さ
層Ａの平均厚さは、０．０５～２．００μｍであることが好ましい。その理由は、０．０５μｍより薄いと、密着層としての働きが不十分であり、一方、２．００μｍを超えると被覆層に占める密着層の厚さが過多となり、十分な耐摩耗性能が得られないためである。層Ａの平均厚さは０．１０～１．５０μｍであることがより好ましい。
層Ａの平均厚さは、０．０５～２．００μｍであることが好ましい。その理由は、０．０５μｍより薄いと、密着層としての働きが不十分であり、一方、２．００μｍを超えると被覆層に占める密着層の厚さが過多となり、十分な耐摩耗性能が得られないためである。層Ａの平均厚さは０．１０～１．５０μｍであることがより好ましい。
３．層Ｂ
層Ａの表面に接して設けられる層Ｂは、（ＡｌＴｉ）ＣＮ層であって、切削加工中の耐摩耗層を与える層として働くものである。
層Ａの表面に接して設けられる層Ｂは、（ＡｌＴｉ）ＣＮ層であって、切削加工中の耐摩耗層を与える層として働くものである。
（１）平均組成
層Ｂの平均組成は、（ＡｌＸＢＴｉ１－ＸＢ）（ＣＹＢＮ１－ＹＢ）において、０．５０≦ＸＢ≦０．７５、０．００≦ＹＢ＜０．０５であることが好ましい。
その理由は、ＸＢが０．５０未満であると、（ＡｌＴｉ）ＣＮが有する高い耐酸化特性が十分に得られず、一方、ＸＢが０．７５を上回ると、所望の耐摩耗性が得られないためである。
（ＡｌＴｉ）ＣＮにおけるＣ成分には、硬さを向上させる作用があるため含有してもよい。しかし、ＹＢが０．０５以上では、高温強度が低下するため、０．００≦ＹＢ＜０．０５であることが好ましい。
ＸＢは、０．６５≦ＸＢ≦０．７５であることがより好ましく、この範囲であれば前記耐摩耗性が顕著に発揮される。
層Ｂの平均組成は、（ＡｌＸＢＴｉ１－ＸＢ）（ＣＹＢＮ１－ＹＢ）において、０．５０≦ＸＢ≦０．７５、０．００≦ＹＢ＜０．０５であることが好ましい。
その理由は、ＸＢが０．５０未満であると、（ＡｌＴｉ）ＣＮが有する高い耐酸化特性が十分に得られず、一方、ＸＢが０．７５を上回ると、所望の耐摩耗性が得られないためである。
（ＡｌＴｉ）ＣＮにおけるＣ成分には、硬さを向上させる作用があるため含有してもよい。しかし、ＹＢが０．０５以上では、高温強度が低下するため、０．００≦ＹＢ＜０．０５であることが好ましい。
ＸＢは、０．６５≦ＸＢ≦０．７５であることがより好ましく、この範囲であれば前記耐摩耗性が顕著に発揮される。
また、（ＡｌＸＢＴｉ１－ＸＢ）と（ＣＹＢＮ１－ＹＢ）との比は特に限定されるものではないが、（ＡｌＸＢＴｉ１－ＸＢ）を１とすると、（ＣＹＢＮ１－ＹＢ）は０．８～１．２が好ましい。その理由は、この範囲であれば確実に本発明の目的が達成できるからである。
このことは、層Ｃの（ＡｌＸＣＴｉ１－ＸＣ）（ＣＹＣＮ１－ＹＣ）においても同様である。
このことは、層Ｃの（ＡｌＸＣＴｉ１－ＸＣ）（ＣＹＣＮ１－ＹＣ）においても同様である。
（２）ＮａＣｌ型面心立方構造の結晶粒
層Ｂでは、ＮａＣｌ型面心立方構造を有する結晶粒の割合が８０面積％以上であることが好ましい。その理由は、８０面積％未満であること、層Ｂ中に（ＡｌＴｉ）ＣＮの本来の安定相であり軟質なウルツ鉱型の六方晶構造の割合が増加し、被覆工具の十分な耐久性を得られないためである。
層Ｂでは、ＮａＣｌ型面心立方構造を有する結晶粒の割合が８０面積％以上であることが好ましい。その理由は、８０面積％未満であること、層Ｂ中に（ＡｌＴｉ）ＣＮの本来の安定相であり軟質なウルツ鉱型の六方晶構造の割合が増加し、被覆工具の十分な耐久性を得られないためである。
（３）平均厚さ
層Ｂの平均厚さは、０．５０～７．００μｍであることが好ましい。その理由は、０．５０μm未満であると、所望の耐摩耗性が得られず、一方、７．００μｍを超えると、切削加工中の基材方向へ進展する亀裂を起点とした層Ｃ中での皮膜損傷が大きくなり、工具異常損傷の原因となり得るためである。層Ｂの平均厚さは、２．００～５．００μｍであることがより好ましい。
層Ｂの平均厚さは、０．５０～７．００μｍであることが好ましい。その理由は、０．５０μm未満であると、所望の耐摩耗性が得られず、一方、７．００μｍを超えると、切削加工中の基材方向へ進展する亀裂を起点とした層Ｃ中での皮膜損傷が大きくなり、工具異常損傷の原因となり得るためである。層Ｂの平均厚さは、２．００～５．００μｍであることがより好ましい。
４．層Ｃ
層Ｂの表面に接して設けられる層Ｃは、（ＡｌＴｉ）ＣＮ層であって、切削加工中の亀裂の進展を抑制する抑制する層として働くものである。
層Ｂの表面に接して設けられる層Ｃは、（ＡｌＴｉ）ＣＮ層であって、切削加工中の亀裂の進展を抑制する抑制する層として働くものである。
（１）平均組成
層Ｃの平均組成は、（ＡｌＸＣＴｉ１－ＸＣ）（ＣＹＣＮ１－ＹＣ）において、０．５３≦ＸＣ≦０．８０、０．００≦ＹＣ＜０．０５であることが好ましい。
その理由は、ＸＣが０．５３未満であると、ＡｌＴｉＮ皮膜が本来持つ、高い耐酸化特性が十分に得られず、一方、ＸＣが０．８０を上回ると隣接する層Ｂとの良好な密着性が得られにくくなり、Ｃ層が剥離しやすくなって耐久性が劣り、亀裂の進展の抑制が損なわれるためである。ＸＢは、０．７０≦ＸＢ≦０．８０であることがより好ましく、この範囲であれば、前記耐酸化特性が顕著に発揮される。
（ＡｌＴｉ）ＣＮにおけるＣ成分には、硬さを向上させる作用があるため、含有してもよい。しかし、ＹＣが０．０５以上では、層Ｂの高温強度が低下するため、０．００≦ＹＣ＜０．０５とすることが好ましい。
層Ｃの平均組成は、（ＡｌＸＣＴｉ１－ＸＣ）（ＣＹＣＮ１－ＹＣ）において、０．５３≦ＸＣ≦０．８０、０．００≦ＹＣ＜０．０５であることが好ましい。
その理由は、ＸＣが０．５３未満であると、ＡｌＴｉＮ皮膜が本来持つ、高い耐酸化特性が十分に得られず、一方、ＸＣが０．８０を上回ると隣接する層Ｂとの良好な密着性が得られにくくなり、Ｃ層が剥離しやすくなって耐久性が劣り、亀裂の進展の抑制が損なわれるためである。ＸＢは、０．７０≦ＸＢ≦０．８０であることがより好ましく、この範囲であれば、前記耐酸化特性が顕著に発揮される。
（ＡｌＴｉ）ＣＮにおけるＣ成分には、硬さを向上させる作用があるため、含有してもよい。しかし、ＹＣが０．０５以上では、層Ｂの高温強度が低下するため、０．００≦ＹＣ＜０．０５とすることが好ましい。
（２）ＮａＣｌ型面心立方構造の結晶粒
層Ｃでは、ＮａＣｌ型面心立方構造を有する結晶粒の割合が８０面積％以上であることが好ましい。その理由は、８０面積％未満であると、層Ｃ中に（ＡｌＴｉ）ＣＮの本来の安定相であり軟質なウルツ鉱型の六方晶構造の割合が増加し、十分な被覆工具の耐久性を得られないためである。
層Ｃでは、ＮａＣｌ型面心立方構造を有する結晶粒の割合が８０面積％以上であることが好ましい。その理由は、８０面積％未満であると、層Ｃ中に（ＡｌＴｉ）ＣＮの本来の安定相であり軟質なウルツ鉱型の六方晶構造の割合が増加し、十分な被覆工具の耐久性を得られないためである。
（３）平均厚さ
層Ｃの平均厚さは、０．５０～１３．５０μｍであることが好ましい。その理由は、０．５μｍ未満であると前述の亀裂進展の抑制が十分に得られず、１３．５μｍを超えると、一方、層Ｂの結晶粒子がテーパー状に粗大化し、耐摩耗性は得られるものの、加工衝撃による硬質皮膜粒子の脱落を伴う損傷が生じやすく、被覆工具の異常損傷につながるためである。層Ｃの平均厚さは、２．００～７．００μｍであることがより好ましい。
層Ｃの平均厚さは、０．５０～１３．５０μｍであることが好ましい。その理由は、０．５μｍ未満であると前述の亀裂進展の抑制が十分に得られず、１３．５μｍを超えると、一方、層Ｂの結晶粒子がテーパー状に粗大化し、耐摩耗性は得られるものの、加工衝撃による硬質皮膜粒子の脱落を伴う損傷が生じやすく、被覆工具の異常損傷につながるためである。層Ｃの平均厚さは、２．００～７．００μｍであることがより好ましい。
５．層Ｂと層ＣのＡｌ含有量の差
本実施形態では、層Ｂと層ＣのＡｌ含有量の差を所定範囲内とすることによって、層Ｂと層Ｃの連続的な結晶成長を促し、さらに層Ｃは結晶格子歪みを蓄えながら成長することで層Ｃ自体の機械特性を高めている。
ここで、層Ｂと層Ｃの間の連続的な結晶成長とは、あたかも、図２に示すように、層Ｂと層Ｃとの界面（８）において、層Ｂの結晶粒（６）の先端に層Ｃの結晶粒（７）がはめ込まれるように、層Ｃの結晶粒が成長している状態をいう。
本実施形態では、層Ｂと層ＣのＡｌ含有量の差を所定範囲内とすることによって、層Ｂと層Ｃの連続的な結晶成長を促し、さらに層Ｃは結晶格子歪みを蓄えながら成長することで層Ｃ自体の機械特性を高めている。
ここで、層Ｂと層Ｃの間の連続的な結晶成長とは、あたかも、図２に示すように、層Ｂと層Ｃとの界面（８）において、層Ｂの結晶粒（６）の先端に層Ｃの結晶粒（７）がはめ込まれるように、層Ｃの結晶粒が成長している状態をいう。
すなわち
層ＢのＡｌ含有量ＸＢと層ＣのＡｌ含有量ＸＣは、
０．０３≦ＸＣ－ＸＢ≦０．１０であることが好ましい。
その理由は、この差が０．０３未満であると、層Ｂに蓄えられる結晶格子歪みによる層Ｂ自体の機械特性（亀裂の進展を抑制する特性）が十分に高められず、一方、０．１０を超えると、層Ｂと層Ｃの間の連続的な結晶成長が困難になるためである。この差は、０．０５≦ＸＢ－ＸＣ≦０．１０であることがより好ましい。
層ＢのＡｌ含有量ＸＢと層ＣのＡｌ含有量ＸＣは、
０．０３≦ＸＣ－ＸＢ≦０．１０であることが好ましい。
その理由は、この差が０．０３未満であると、層Ｂに蓄えられる結晶格子歪みによる層Ｂ自体の機械特性（亀裂の進展を抑制する特性）が十分に高められず、一方、０．１０を超えると、層Ｂと層Ｃの間の連続的な結晶成長が困難になるためである。この差は、０．０５≦ＸＢ－ＸＣ≦０．１０であることがより好ましい。
６．層Ｂと層Ｃの回折線強度
層Ｂおよび層Ｃにおいて、ＮａＣｌ型の面心立方晶構造の結晶粒（１１１）の回折線強度値Ｉ（１１１）と同（２００）の回折線強度値Ｉ（２００）は、１．０≦Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）の関係を満たすことがより好ましい。
その理由は、Ｃ層は、Ｂ層を下地として結晶成長するものであるため、Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）が１．０未満となると、Ｂ層の所望の亀裂進展抑制や、Ｂ層からＣ層への連続的な結晶成長が得られないことがあるからである。
ここで、「層Ｂおよび層Ｃにおいて」とは、層Ｂおよび層Ｃに対してのＸ線回折に際し、層Ｂ、層ＣのＸ線回折ピークが、それぞれ単独ではなく、重なりあった状態で測定されて求められるＸ線回折ピークをいう。
層Ｂおよび層Ｃにおいて、ＮａＣｌ型の面心立方晶構造の結晶粒（１１１）の回折線強度値Ｉ（１１１）と同（２００）の回折線強度値Ｉ（２００）は、１．０≦Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）の関係を満たすことがより好ましい。
その理由は、Ｃ層は、Ｂ層を下地として結晶成長するものであるため、Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）が１．０未満となると、Ｂ層の所望の亀裂進展抑制や、Ｂ層からＣ層への連続的な結晶成長が得られないことがあるからである。
ここで、「層Ｂおよび層Ｃにおいて」とは、層Ｂおよび層Ｃに対してのＸ線回折に際し、層Ｂ、層ＣのＸ線回折ピークが、それぞれ単独ではなく、重なりあった状態で測定されて求められるＸ線回折ピークをいう。
７．その他の層
（１）最外層
本実施形態では、Ｔｉの窒化物層、炭化物層、炭窒化物層のうちの１層または２層以上のＴｉ化合物層からなり、０．１～４．０μｍの合計平均層厚を有する最外層を層Ｃの上部に設けてもよい。この最外層を設けると、明瞭な色彩色を呈するなどの効果によって、被覆工具がインサートの場合は切削使用後のコーナー識別（使用済み部位の識別）が容易となる。ここで、合計平均層厚が０．１μｍ未満であると、最外層を設けた効果が十分に発揮されず、一方、４．０μｍを超えると、チッピングが発生しやすくなる。
（１）最外層
本実施形態では、Ｔｉの窒化物層、炭化物層、炭窒化物層のうちの１層または２層以上のＴｉ化合物層からなり、０．１～４．０μｍの合計平均層厚を有する最外層を層Ｃの上部に設けてもよい。この最外層を設けると、明瞭な色彩色を呈するなどの効果によって、被覆工具がインサートの場合は切削使用後のコーナー識別（使用済み部位の識別）が容易となる。ここで、合計平均層厚が０．１μｍ未満であると、最外層を設けた効果が十分に発揮されず、一方、４．０μｍを超えると、チッピングが発生しやすくなる。
（２）意図しない層
成膜ガスの切替え時に、意図せずに、ＴｉＣＮ層、Ｔｉの炭化物、窒化物、炭酸化物および炭窒化酸化物層、（ＡｌＴｉ）ＣＮ層とは異なる層がごくわずかであるが製造されることがある。
成膜ガスの切替え時に、意図せずに、ＴｉＣＮ層、Ｔｉの炭化物、窒化物、炭酸化物および炭窒化酸化物層、（ＡｌＴｉ）ＣＮ層とは異なる層がごくわずかであるが製造されることがある。
８．基体
本実施形態において、基体は、超硬合金（ＷＣ基超硬合金：ＷＣの他、Ｃｏを含み、さらに、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ等の炭窒化物を添加したものも含むもの等）、サーメット（ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ等を主成分とするもの等）、セラミックス（窒化珪素、サイアロン、酸化アルミニウムなど）、または、ｃＢＮ焼結体を用いることができるが、これらに限定されない。
本実施形態において、基体は、超硬合金（ＷＣ基超硬合金：ＷＣの他、Ｃｏを含み、さらに、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ等の炭窒化物を添加したものも含むもの等）、サーメット（ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ等を主成分とするもの等）、セラミックス（窒化珪素、サイアロン、酸化アルミニウムなど）、または、ｃＢＮ焼結体を用いることができるが、これらに限定されない。
９．組成の測定
ＴｉＡｌＣＮ層のＡｌの平均含有割合ＸＢ、ＸＣは、オージェ電子分光法（Ａｕｇｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＡＥＳ）を用い、縦断面を研磨した試料において、電子線を縦断面側から照射し、被覆層の厚さ方向に５本の線分析を行って得られたオージェ電子の解析結果を平均したものである。また、Ｃの平均含有量ＹＢ、ＹＣは、二次イオン質量分析（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－Ｉｏｎ－Ｍａｓｓ－Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＳＩＭＳ）により求めることができる。すなわち、表面を研磨した試料において、（ＡｌＴｉ）ＣＮ層の表面側からイオンビームを７０μｍ×７０μｍの範囲に照射し、イオンビームによる面分析とスパッタイオンビームによるエッチングとを交互に繰り返すことにより深さ方向の含有量分布測定を行う。試料の最表面から深さ方向への測定を０．０５μｍ以下のピッチで基材表面まで実施する。そして、後述する方法により各層の平均厚さを決定し、各層のＣの平均含有量ＹＢ、ＹＣを求める。
ＴｉＡｌＣＮ層のＡｌの平均含有割合ＸＢ、ＸＣは、オージェ電子分光法（Ａｕｇｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＡＥＳ）を用い、縦断面を研磨した試料において、電子線を縦断面側から照射し、被覆層の厚さ方向に５本の線分析を行って得られたオージェ電子の解析結果を平均したものである。また、Ｃの平均含有量ＹＢ、ＹＣは、二次イオン質量分析（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－Ｉｏｎ－Ｍａｓｓ－Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＳＩＭＳ）により求めることができる。すなわち、表面を研磨した試料において、（ＡｌＴｉ）ＣＮ層の表面側からイオンビームを７０μｍ×７０μｍの範囲に照射し、イオンビームによる面分析とスパッタイオンビームによるエッチングとを交互に繰り返すことにより深さ方向の含有量分布測定を行う。試料の最表面から深さ方向への測定を０．０５μｍ以下のピッチで基材表面まで実施する。そして、後述する方法により各層の平均厚さを決定し、各層のＣの平均含有量ＹＢ、ＹＣを求める。
１０．ＮａＣｌ型面心立方構造の結晶粒の割合の測定
ＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒の面積割合は、次のように測定する。層Ｂおよび層Ｃの（ＡｌＴｉ）ＣＮ層の縦断面において、これら層の厚さ方向に１００μｍ、層厚方向に平均厚さの長さの範囲を測定範囲とする。この測定範囲を研磨し、電子線後方散乱回折像装置を用いて、この研磨面に７０度の入射角度で１５ｋＶの加速電圧の電子線を１ｎＡの照射電流で、電子線を０．０１μｍ間隔で照射して得られる電子線後方散乱回折像に基づきＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒個々の結晶構造を解析する。すなわち、隣接する測定点（ピクセル）間で５度以上の方位差がある場合、そこを粒界と定義し、粒界で囲まれた領域を１つの結晶粒と定義する。ただし、隣接するピクセル全てと５度以上の方位差がある単独に存在するピクセルは結晶粒とせず、２ピクセル以上が連結しているものを結晶粒として取り扱う。そして、層Ｂ、層Ｃの各層において、このＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒が占める面積割合を層毎に求める。
ＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒の面積割合は、次のように測定する。層Ｂおよび層Ｃの（ＡｌＴｉ）ＣＮ層の縦断面において、これら層の厚さ方向に１００μｍ、層厚方向に平均厚さの長さの範囲を測定範囲とする。この測定範囲を研磨し、電子線後方散乱回折像装置を用いて、この研磨面に７０度の入射角度で１５ｋＶの加速電圧の電子線を１ｎＡの照射電流で、電子線を０．０１μｍ間隔で照射して得られる電子線後方散乱回折像に基づきＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒個々の結晶構造を解析する。すなわち、隣接する測定点（ピクセル）間で５度以上の方位差がある場合、そこを粒界と定義し、粒界で囲まれた領域を１つの結晶粒と定義する。ただし、隣接するピクセル全てと５度以上の方位差がある単独に存在するピクセルは結晶粒とせず、２ピクセル以上が連結しているものを結晶粒として取り扱う。そして、層Ｂ、層Ｃの各層において、このＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒が占める面積割合を層毎に求める。
１１．平均層厚の測定
被覆層を構成する各層の平均厚さは、例えば、集束イオンビーム装置（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ ｓｙｓｔｅｍ）、クロスセクションポリッシャー装置（ＣＰ：Ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ Ｐｏｌｉｓｈｅｒ）等を用いて、被覆層を任意の位置の縦断面の観察用の試料を作製し、その縦断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、あるいはＳＥＭまたはＴＥＭ付帯のエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて複数箇所（例えば、５箇所）で観察して、厚さを求めこれらを平均することにより得ることができる。
被覆層を構成する各層の平均厚さは、例えば、集束イオンビーム装置（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ ｓｙｓｔｅｍ）、クロスセクションポリッシャー装置（ＣＰ：Ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ Ｐｏｌｉｓｈｅｒ）等を用いて、被覆層を任意の位置の縦断面の観察用の試料を作製し、その縦断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、あるいはＳＥＭまたはＴＥＭ付帯のエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて複数箇所（例えば、５箇所）で観察して、厚さを求めこれらを平均することにより得ることができる。
１１．Ｉ（１１１)とＩ（２００）の測定
Ｘ線回折装置を用いＣｕＫα１線を用いて、被覆層に照射してＩ（１１１)とＩ（２００）を測定し、Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）の値を得る。この値の求め方は、以下のとおりである。Ｃｕ－Ｋα１線をＸ線源として測定範囲（２θ）：２０～１２０度、スキャンステップ：０．０１３度、１ステップ辺り測定時間：０．４８ｓｅｃ／ｓｔｅｐの条件にて、基体表面に対して平行な被覆層表面において、Ｘ線回折を行い、ＪＣＰＤＳ００－０３８－１４２０立方晶ＴｉＮとＪＣＰＤＳ００－０４６－１２００立方晶ＡｌＮ、各々に示される同一結晶面の回折角度の間（例えば、３６．６６～３８．５３°、４３．５９～４４．７７°、６１．８１～６５．１８°）に現れるＸ線回折ピークを確認する。そして、（１１１）回折線、および、（２００）回折線におけるＸ線回折ピーク強度の測定値を測定し、２００回折線の強度Ｉ（２００）に対する１１１回折線の強度Ｉ（１１１）の比であるＩ（１１１）／Ｉ（２００）を得る。
Ｘ線回折装置を用いＣｕＫα１線を用いて、被覆層に照射してＩ（１１１)とＩ（２００）を測定し、Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）の値を得る。この値の求め方は、以下のとおりである。Ｃｕ－Ｋα１線をＸ線源として測定範囲（２θ）：２０～１２０度、スキャンステップ：０．０１３度、１ステップ辺り測定時間：０．４８ｓｅｃ／ｓｔｅｐの条件にて、基体表面に対して平行な被覆層表面において、Ｘ線回折を行い、ＪＣＰＤＳ００－０３８－１４２０立方晶ＴｉＮとＪＣＰＤＳ００－０４６－１２００立方晶ＡｌＮ、各々に示される同一結晶面の回折角度の間（例えば、３６．６６～３８．５３°、４３．５９～４４．７７°、６１．８１～６５．１８°）に現れるＸ線回折ピークを確認する。そして、（１１１）回折線、および、（２００）回折線におけるＸ線回折ピーク強度の測定値を測定し、２００回折線の強度Ｉ（２００）に対する１１１回折線の強度Ｉ（１１１）の比であるＩ（１１１）／Ｉ（２００）を得る。
１２．製造方法
本実施形態の被覆工具の被覆層は、化学蒸着法によって、例えば、以下のような製造条件によって製造することができる。
本実施形態の被覆工具の被覆層は、化学蒸着法によって、例えば、以下のような製造条件によって製造することができる。
（１）層Ａの製造
例えば、以下のような製造条件１）、２）を例示できる。
１）製造条件１
ＴｉＮ層の成膜
反応ガス組成（体積％）
ＴｉＣｌ４：３．０～６．０％、Ｎ２：２５．０～３５．０％、Ｈ２：残
反応雰囲気圧力：４．０～１２．０ｋＰａ
反応雰囲気温度：７８０～９００℃
例えば、以下のような製造条件１）、２）を例示できる。
１）製造条件１
ＴｉＮ層の成膜
反応ガス組成（体積％）
ＴｉＣｌ４：３．０～６．０％、Ｎ２：２５．０～３５．０％、Ｈ２：残
反応雰囲気圧力：４．０～１２．０ｋＰａ
反応雰囲気温度：７８０～９００℃
２）製造条件２
ＴｉＣＮ層の成膜
反応ガス組成（体積％）
ＴｉＣｌ４：３．０～６．０％、Ｎ２：１５．０～３０．０％
ＣＨ４またはＣＨ３ＣＮ：０．６～２．０％、Ｈ２：残
反応雰囲気圧力：７．０～１２．０ｋＰａ
反応雰囲気温度：７８０～９００℃
ＴｉＣＮ層の成膜
反応ガス組成（体積％）
ＴｉＣｌ４：３．０～６．０％、Ｎ２：１５．０～３０．０％
ＣＨ４またはＣＨ３ＣＮ：０．６～２．０％、Ｈ２：残
反応雰囲気圧力：７．０～１２．０ｋＰａ
反応雰囲気温度：７８０～９００℃
（２）層Ｂの製造
反応ガス組成（容量％）：
ガス群Ｂ１：ＴｉＣｌ４：０．０１～０．０４％、ＡｌＣｌ３：０．０１～０．０５％、
Ｎ２：０．０～１０．０％、Ｃ２Ｈ４：０．０～０．５％、Ｈ２：残
ガス群Ｂ２：ＮＨ３：０．１～０．８％、Ｈ２：２５．０～３５．０％
反応雰囲気圧力：４．０～５．０ｋＰａ、
反応雰囲気温度：７００～８５０℃
供給周期：１～５秒、
１周期当たりのガス供給時間：０．１５～０．２５秒、
ガス群Ｂ１の供給とガス群Ｂ２の供給の位相差：０．１０～０．２０秒
ガス群Ｂ２の予熱温度：５０～２５０℃
反応ガス組成（容量％）：
ガス群Ｂ１：ＴｉＣｌ４：０．０１～０．０４％、ＡｌＣｌ３：０．０１～０．０５％、
Ｎ２：０．０～１０．０％、Ｃ２Ｈ４：０．０～０．５％、Ｈ２：残
ガス群Ｂ２：ＮＨ３：０．１～０．８％、Ｈ２：２５．０～３５．０％
反応雰囲気圧力：４．０～５．０ｋＰａ、
反応雰囲気温度：７００～８５０℃
供給周期：１～５秒、
１周期当たりのガス供給時間：０．１５～０．２５秒、
ガス群Ｂ１の供給とガス群Ｂ２の供給の位相差：０．１０～０．２０秒
ガス群Ｂ２の予熱温度：５０～２５０℃
（３）層Ｃの製造
反応ガス組成（体積％）：
ガス群Ｃ１：ＴｉＣｌ４：０．０１～０．０４％、ＡｌＣｌ３：０．０１～０．０５％、
Ｎ２：０．０～１０．０％、Ｃ２Ｈ４：０．０～０．５％、Ｈ２：残
ガス群Ｃ２：ＮＨ３：０．１～０．８％、Ｈ２：２５．０～３５．０％
反応雰囲気圧力：４．０～５．０ｋＰａ
反応雰囲気温度：７００～８５０℃
供給周期：１～５秒、
１周期当たりのガス供給時間：０．１５～０．２５秒
ガス群Ｃ１の供給とガス群Ｃ２の供給の位相差：０．１０～０．２０秒
ガス群Ｃ２の予熱温度：３００～４５０℃
反応ガス組成（体積％）：
ガス群Ｃ１：ＴｉＣｌ４：０．０１～０．０４％、ＡｌＣｌ３：０．０１～０．０５％、
Ｎ２：０．０～１０．０％、Ｃ２Ｈ４：０．０～０．５％、Ｈ２：残
ガス群Ｃ２：ＮＨ３：０．１～０．８％、Ｈ２：２５．０～３５．０％
反応雰囲気圧力：４．０～５．０ｋＰａ
反応雰囲気温度：７００～８５０℃
供給周期：１～５秒、
１周期当たりのガス供給時間：０．１５～０．２５秒
ガス群Ｃ１の供給とガス群Ｃ２の供給の位相差：０．１０～０．２０秒
ガス群Ｃ２の予熱温度：３００～４５０℃
次に、実施例について説明する。
ここでは、実施例として、基体としてＷＣ基超硬合金を用いたインサート切削工具に適用したものについて述べるが、基体として、前記したものを用いた場合であっても同様であるし、ドリル、エンドミルに適用した場合も同様である。
ここでは、実施例として、基体としてＷＣ基超硬合金を用いたインサート切削工具に適用したものについて述べるが、基体として、前記したものを用いた場合であっても同様であるし、ドリル、エンドミルに適用した場合も同様である。
原料粉末として、いずれも１～３μｍの平均粒径を有するＷＣ粉末、ＴｉＣ粉末、ＴａＣ粉末、ＮｂＣ粉末、Ｃｒ３Ｃ２粉末およびＣｏ粉末を用意し、これら原料粉末を、表１に示される配合組成に配合した。ワックスを加えてアセトン中で２４時間ボールミル混合し、減圧乾燥した後、９８ＭＰａの圧力で所定形状の圧粉体にプレス成形し、この圧粉体を５Ｐａの真空中、１３７０～１４７０℃の範囲内の所定の温度に１時間保持の条件で真空焼結し、ＩＳＯ規格のＲＣＭＸ１２０４Ｍ０形状をもったＷＣ基超硬合金製の工具基体Ａ～Ｃをそれぞれ製造した。
次に、これら工具基体Ａ～Ｃの表面に、層Ａ、層Ｂ、層Ｃを、それぞれ、表２～４に示す製造条件に従って順に成膜し、表５に示す実施例の被覆工具１～８（以下、実施例１～８）を得た。
一方、比較のために、工具基体Ａ～Ｃの表面に、層Ａ、層Ｂ、層Ｃを、それぞれ、表２～４に示す製造条件に従って順に成膜し、表６に示す比較例の被覆工具１～８（以下、比較例１～８）を得た。
このようにして得た実施例１～８および比較例１～８に対して、以下の切削試験を行った。結果を表７に示す。
切削試験 ：乾式転削断続切削試験
被削材 ：ＦＣＤ５５０ 材
幅１００ｍｍ、長さ４００ｍｍ（穴あき材）
（Φ２０ｍｍの穴が等間隔に存在し、外周部にはレーザー溶断による変質層が存在）
回転速度 ：６３７ｍｉｎ－１
切削速度 ：２５０ｍ／ｍｉｎ
切り込み ：１．５ｍｍ
送り量 ：０．２ｍｍ／ｒｅｖ
切削時間 ：刃先が欠損に至るまで加工
被削材 ：ＦＣＤ５５０ 材
幅１００ｍｍ、長さ４００ｍｍ（穴あき材）
（Φ２０ｍｍの穴が等間隔に存在し、外周部にはレーザー溶断による変質層が存在）
回転速度 ：６３７ｍｉｎ－１
切削速度 ：２５０ｍ／ｍｉｎ
切り込み ：１．５ｍｍ
送り量 ：０．２ｍｍ／ｒｅｖ
切削時間 ：刃先が欠損に至るまで加工
表７から明らかなように、実施例はいずれも刃先が欠損に至るまでの加工時間である最大加工時間が長く、優れた耐久性を有していた。これに対して、比較例は短時間で寿命に至った。
１ 基体
２ 層Ａ
３ 層Ｂ
４ 層Ｃ
５ 被覆層
６ 層Ｂの結晶粒
７ 層Ｃの結晶粒
８ 層Ｂと層Ｃとの界面
２ 層Ａ
３ 層Ｂ
４ 層Ｃ
５ 被覆層
６ 層Ｂの結晶粒
７ 層Ｃの結晶粒
８ 層Ｂと層Ｃとの界面
Claims (2)
- 基体と該基体の表面に被覆層を有し、
（ａ）前記被覆層は、前記基体の表面から工具表面に向かって、順に、互いに接する層Ａ、層Ｂ、および、層Ｃ有し、これら３層の平均厚さの和は１．０５～２１．０μｍであって、
（ｂ）前記層Ａの平均厚さは０．０５～２．００μｍであって、Ｔｉの窒化物または炭窒化物であり、
（ｃ）前記層Ｂの平均層厚は、０．５０～７．００μｍであり、
（ＡｌＸＢＴｉ１－ＸＢ）（ＣＹＢＮ１－ＹＢ）（０．５０≦ＸＢ≦０．７５、０．００≦ＹＢ＜０．０５）の平均組成であって、ＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒が８０面積％以上を占め、
（ｄ）前記層Ｃの平均厚さは０．５０～１３．５０μｍであり、
（ＡｌＸＣＴｉ１－ＸＣ）（ＣＹＣＮ１－ＹＣ）（０．５３≦ＸＣ≦０．８０、０．００≦ＹＣ＜０．０５）の平均組成であって、ＮａＣｌ型の面心立方晶構造を有する結晶粒が８０面積％以上を占め、
（ｅ）前記ＸＢと前記ＸＣは、０．０３≦ＸＣ－ＸＢ≦０．１０である、
ことを特徴とする表面被覆切削工具。 - 前記層Ｂおよび前記層Ｃにおいて、前記ＮａＣｌ型の面心立方晶構造の結晶粒（１１１）面の回折線強度値Ｉ（１１１）と同（２００）面の回折線強度値Ｉ（２００）は、
１．０≦Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の表面被覆切削工具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022002063A JP2023101873A (ja) | 2022-01-11 | 2022-01-11 | 表面被覆切削工具 |
Applications Claiming Priority (1)
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023101873A true JP2023101873A (ja) | 2023-07-24 |
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ID=87425370
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-
2022
- 2022-01-11 JP JP2022002063A patent/JP2023101873A/ja active Pending
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