JP2023099914A - 発光素子及び反射型エンコーダ - Google Patents

Abstract

【課題】反射型エンコーダに適用された場合に検出精度の低下を抑制することができる発光素子、及びそのような発光素子を備える反射型エンコーダを提供する。【解決手段】発光素子３は、基板１０と、活性層２１、第１半導体層２２及び第２半導体層２３を含み、基板１０上に形成されたメサ部２０と、メサ部２０の頂面２５上に配置され第２半導体層２３に接続された第１金属部分３１と、第１金属部分３１と一体に形成されメサ部２０の側面２６に沿って延在する第２金属部分３２と、を有する金属層３０と、側面２６上に形成された絶縁層４０と、絶縁層４０上に形成された樹脂層５０と、を備える。第１金属部分３１は、光通過開口３５ａが形成された開口領域３５と、外部接続用の接続領域３６と、を含む。第２金属部分３２は、絶縁層４０及び樹脂層５０を介して側面２６上に形成されており、基板１０の厚さ方向に垂直な方向から見た場合に活性層２１と重なっている。【選択図】図４

Description

本発明は、発光素子及び反射型エンコーダに関する。

特許文献１には、反射型エンコーダ用の光源として適用可能な発光素子として、基板と、基板上に形成されたメサ部とを備える発光素子が開示されている。この発光素子では、メサ部の頂面に発光窓が形成されており、当該発光窓から基板の厚さ方向に沿って光が出射される。

特開２０１４－２１６５９８号公報

上述したような発光素子を反射型エンコーダに適用した場合、メサ部の側面から漏れ出た光が反射型エンコーダの受光素子によってノイズとして検出されることで、検出精度が低下してしまうおそれがある。

本発明は、反射型エンコーダに適用された場合に検出精度の低下を抑制することができる発光素子、及びそのような発光素子を備える反射型エンコーダを提供することを目的とする。

本発明の発光素子は、基板と、光を発生させる活性層、活性層に対して基板側に配置された第１半導体層、及び活性層に対して基板とは反対側に配置された第２半導体層を含み、基板上に形成されたメサ部と、メサ部の頂面上に配置され、第２半導体層に電気的に接続された第１部分と、第１部分と一体に形成され、メサ部の側面に沿って延在する第２部分と、を有する金属層と、少なくともメサ部の側面上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された樹脂層と、を備え、第１部分は、光が通過する光通過開口が形成された領域と、外部接続用の領域と、を含み、第２部分は、絶縁層及び樹脂層を介してメサ部の側面上に形成されており、基板の厚さ方向に垂直な方向から見た場合に、少なくとも活性層と重なっている。

この発光素子では、金属層が、メサ部の頂面上に配置され、第２半導体層に電気的に接続された第１部分に加えて、第１部分と一体に形成され、メサ部の側面に沿って延在する第２部分を有しており、第２部分が、基板の厚さ方向に垂直な方向から見た場合に、少なくとも活性層と重なっている。これにより、メサ部の側面から漏れ出る光を第２部分によって遮ることができ、メサ部の側面からの漏れ光を抑制することができる。また、単に金属層をメサ部の側面上に形成しようとすると金属層を良好に形成することができないおそれがあるのに対し、この発光素子では、金属層の第２部分が、絶縁層及び樹脂層を介してメサ部の側面上に形成されている。これにより、金属層の第２部分をメサ部の側面上に良好に形成することができ、その結果、メサ部の側面からの漏れ光を効果的に抑制することができる。よって、この発光素子によれば、反射型エンコーダに適用された場合に検出精度の低下を抑制することができる。

第２部分は、基板の厚さ方向に垂直な方向から見た場合に、メサ部における前記基板側の端部に至っていてもよい。この場合、メサ部の側面からの漏れ光を一層効果的に抑制することができる。

メサ部の頂面は、基板の厚さ方向から見た場合に、第１方向に沿って延在する一対の第１辺、及び第１方向と垂直な第２方向に沿って延在する一対の第２辺を有する矩形状に形成されており、メサ部の側面は、一対の第１辺において頂面にそれぞれ接続された一対の第１表面と、一対の第２辺において頂面にそれぞれ接続された一対の第２表面と、を有し、第１部分において、光通過開口は、基板の厚さ方向から見た場合に、頂面の中心よりも一対の第１表面の一方側に寄って形成されており、第２部分は、少なくとも、一対の第１表面の一方、及び一対の第２表面上に形成されていてもよい。この場合、金属層の第１部分において光通過開口が一対の第１表面の一方に寄って形成されているため、外部接続用の領域を広く確保することができる。その結果、例えば、当該領域への外部配線の接続を容易化することができる。一方、その場合、一対の第１表面の当該一方から光が漏れ出やすくなる。この点、この発光素子では、第２部分が、少なくとも、一対の第１表面の当該一方、及び一対の第２表面上に形成されているため、そのような場合でも、メサ部の側面からの漏れ光を確実に抑制することができる。

第２部分は、メサ部の側面の全周にわたって形成されていてもよい。この場合、メサ部の側面からの漏れ光を一層効果的に抑制することができる。

樹脂層は、基板側に近づくにつれて厚さが薄くなる部分を含んでいてもよい。この場合、樹脂層におけるメサ部と反対側の表面をなだらかにすることができ、金属層の第２部分をメサ部の側面上に一層良好に形成することができる。また、メサ部の側面から樹脂層に漏れ出た光は、メサ部の側面と金属層の第２金属部分との間において繰り返し反射されることにより減衰する。上述した樹脂層が基板側に近づくにつれて厚さが薄くなる部分を含む構成では、樹脂層に漏れ出た光の反射回数が増加するので、漏れ光を効率良く減衰させることができる。

メサ部の側面は、メサ部の内側に向かって凸の曲面状に形成されていてもよい。この場合、金属層の第２部分をメサ部の側面上に形成することが難しくなるが、この発光素子によれば、上述した理由により、そのような場合でも、金属層の第２部分をメサ部の側面上に良好に形成することができる。

樹脂層におけるメサ部とは反対側の表面は、メサ部とは反対側に向かって凸の曲面状に形成された領域を含んでいてもよい。この場合、金属層の第２部分をメサ部の側面上に一層良好に形成することができる。

金属層は、樹脂層におけるメサ部とは反対側の表面の全体を覆っていてもよい。この場合、メサ部の側面からの漏れ光を一層効果的に抑制することができる。また、空気との接触に起因する樹脂層の劣化を効果的に抑制することができる。

樹脂層は、メサ部の頂面上に形成された部分を有する一方で、第１部分における外部接続用の領域とメサ部の頂面との間には形成されていなくてもよい。この場合、樹脂層がメサ部の側面上だけでなくメサ部の頂面上にも形成されるため、樹脂層を良好に形成することができる。また、樹脂層が第１部分における外部接続用の領域とメサ部の頂面との間には形成されていないため、樹脂層の存在により外部接続用の領域に外部配線を良好に接続することができない事態の発生を抑制することができる。

樹脂層は、メサ部の頂面上に形成された部分を有し、樹脂層におけるメサ部の頂面上に形成された部分は、基板の厚さ方向から見た場合に、メサ部の頂面の外縁に沿って延在していてもよい。この場合、樹脂層がメサ部の側面上だけでなくメサ部の頂面上にも形成されるため、樹脂層を良好に形成することができる。また、樹脂層におけるメサ部の頂面上に形成された部分が、基板の厚さ方向から見た場合にメサ部の頂面の外縁に沿って延在しているため、樹脂層の存在により外部接続用の領域に外部配線を良好に接続することができない事態の発生を抑制することができる。

絶縁層は、メサ部の頂面上に形成されて光通過開口からの露出部分を覆う部分を有していてもよい。この場合、メサ部の頂面における光通過開口からの露出部分を絶縁層によって保護することができる。

第１部分は、メサ部の頂面における光通過開口に対応する部分を除く全面上にわたって形成されていてもよい。この場合、第１部分において外部接続用の領域を広く確保することができ、例えば、当該領域への外部配線の接続を容易化することができる。また、例えば、第１部分が複雑な配線パターンとして形成されている場合と比べて第１部分が単純な形状となるため、第１部分同士の間の意図しない短絡の発生を抑制することができる。

本発明の反射型エンコーダは、上記発光素子と、発光素子から出射された光を反射する反射パターンを有する回転板と、回転板に対して発光素子と同一側に配置され、反射パターンにより反射された光を検出する少なくとも１つの受光部と、を備え、第２部分は、メサ部の側面において、基板の厚さ方向から見た場合に少なくとも１つの受光部と向かい合う領域上に少なくとも形成されている。この反射型エンコーダによれば、メサ部の側面から上記少なくとも１つの受光部へと入射する漏れ光を金属層の第２部分によって遮ることができ、検出精度の低下を抑制することができる。

少なくとも１つの受光部は、基板の厚さ方向に垂直な方向における発光素子の両側にそれぞれ配置された２つの受光部を含み、第２部分は、メサ部の側面において、基板の厚さ方向から見た場合に２つの受光部とそれぞれ向かい合う２つの領域上に少なくとも形成されていてもよい。この場合、メサ部の側面から発光素子の両側に配置された２つの受光部へと入射する漏れ光を金属層の第２部分によって遮ることができる。

本発明によれば、反射型エンコーダに適用された場合に検出精度の低下を抑制することができる発光素子、及びそのような発光素子を備える反射型エンコーダを提供することが可能となる。

実施形態に係る反射型エンコーダの正面図である。 図１に示される発光素子の平面図である。 図２のIII－III線に沿っての断面図である。 図２のIV－IV線に沿っての断面図である。 図４に示される一部分の拡大図である。 発光素子の断面の一部分を示す写真である。 発光素子の断面の一部分を示す写真である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の説明において、同一又は相当要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
［反射型エンコーダ］

図１に示されるように、反射型エンコーダ１は、回転板（コードホイール）２と、発光素子３と、受光素子４と、を備えている。反射型エンコーダ１は、例えばアブソリュート型のロータリーエンコーダであり、回転する測定対象物からの反射光を利用して当該測定対象物の絶対角度を検出する装置である。

回転板２は、本体部２０１及び反射パターン２０２を有している。本体部２０１は、回転軸（不図示）に固定されており、回転軸と共に回転する。本体部２０１は、例えば円板状に形成されている。反射パターン２０２は、本体部２０１の主面２０１ａ上に形成されている。反射パターン２０２は、例えばＣｒ等の金属により形成された光反射膜であり、発光素子３から出射された光Ｌを反射する。反射パターン２０２は、グレイコード等の所定のパターンに従って配置されている。

発光素子３は、光を出力する半導体素子であり、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）である。発光素子３は、本体部２０１の主面２０１ａと向かい合うように受光素子４上に固定されており、回転板２に向けて光Ｌを出射する。発光素子３から出射された光Ｌは、反射パターン２０２によって反射され、受光素子４が有する複数の受光部４０２によって検出される。

受光素子４は、回転板２に対して発光素子３と同一側に配置されている。受光素子４は、基部４０１、及び基部４０１に形成された複数の受光部４０２を有している。基部４０１は、例えば矩形板状に形成されており、本体部２０１の主面２０１ａと向かい合う主面４０１ａを有している。主面４０１ａ上には、上述した発光素子３が固定されている。各受光部４０２は、例えばフォトダイオードであり、反射パターン２０２により反射された光Ｌを検出する。この例では、複数の受光部４０２は、２つの受光部４０２Ａ，４０２Ｂを含んでいる。２つの受光部４０２Ａ，４０２Ｂは、後述するＹ方向における発光素子３の両側にそれぞれ配置されている。
［発光素子］

続いて、発光素子３の構成について更に説明する。図２から図５に示されるように、発光素子３は、基板１０と、メサ部２０と、金属層３０と、絶縁層４０と、樹脂層５０と、電極６０と、を備えている。図３から図５では、発光素子３の構成が簡略化されて示されている。図４は、図３と比べて発光素子のより詳細な構成を示す図であり、実際の発光素子のＹＺ断面視における構成は、図４に示される構成（ＸＺ断面視における構成）と同様の特徴を有していてもよい。基板１０は、半導体基板であり、例えばＧａＡｓにより略矩形板状に形成されている。以下、基板１０の厚さ方向をＺ方向とし、Ｚ方向に垂直な方向をＸ方向とし、Ｚ方向及びＸ方向に垂直な方向をＹ方向として説明する。

基板１０は、基部１１、及び基部１１から突出する突出部１２を有している。この例では、基部１１は矩形板状（直方体状）に形成されている。突出部１２は、基部１１の表面から突出している。突出部１２は、例えば、Ｚ方向に沿った断面において略台形状に形成されている。基部１１におけるメサ部２０とは反対側の表面上には、電極６０が形成されている。電極６０は、例えばＡｕＧｅ、Ｎｉ、Ａｕ等の金属材料により層状に形成されている。

メサ部２０は、基板１０の突出部１２上に形成されている。メサ部２０は、例えば、Ｚ方向に沿った断面において略台形状に形成されている。メサ部２０は、活性層２１、第１半導体層２２及び第２半導体層２３を含んでいる。突出部１２及びメサ部２０は、例えば、基板１０上に活性層２１、第１半導体層２２及び第２半導体層２３を積層した後に、基板１０、活性層２１、第１半導体層２２及び第２半導体層２３の一部をエッチングにより除去することによって形成される。活性層２１は、例えば多重量子井戸構造を有しており、電流が供給されることにより所定の波長の光を発生させる。

第１半導体層２２は、活性層２１に対して基板１０側に配置されている。第１半導体層２２は、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層１２１及びクラッド層１２２が基板１０の突出部１２上にこの順に積層されることによって構成されている。ＤＢＲ層１２１は、活性層２１からの光を活性層２１側（図５における上側）に反射する。クラッド層１２２は、例えばｎ型の導電型を有している。

第２半導体層２３は、活性層２１に対して基板１０とは反対側に配置されている。すなわち、この例では、第１半導体層２２、活性層２１及び第２半導体層２３は、基板１０の突出部１２上にこの順に積層されている。第２半導体層２３は、クラッド層１２３、ブロック層１２４、拡散層１２５及びコンタクト層１２６が活性層２１上にこの順に積層されることによって構成されている。クラッド層１２３は、例えばｐ型の導電型を有している。拡散層１２５は、例えば、クラッド層１２３上にブロック層１２４及び拡散層１２５に対応する層を形成した後に、当該層における拡散層１２５に対応する部分にＺｎ等の不純物を拡散させることにより形成される。これにより、拡散層１２５においては、ブロック層１２４と比べて電流が流れやすくなっている。

拡散層１２５は、ブロック層１２４に入り込むように形成された部分１２５Ａを有している。部分１２５Ａがブロック層１２４に入り込むように形成されていることにより、後述するメサ部２０の頂面２５における部分１２５Ａと対応する領域に、凹部２５Ａが形成されている。部分１２５Ａは、Ｚ方向から見た場合に、円形状に形成されており、ブロック層１２４によって囲まれている。ブロック層１２４においては拡散層１２５と比べて電流が流れ難いため、拡散層１２５に供給された電流は、ブロック層１２４によって部分１２５Ａに絞り込まれる。このように、ブロック層１２４及び拡散層１２５は、電流の流れを部分１２５Ａに絞り込む電流狭窄構造を構成している。

メサ部２０は、頂面２５及び側面２６を有している。頂面２５は、メサ部２０における基板１０とは反対側の表面であり、Ｘ方向及びＹ方向に沿って平面状に延在している。この例では、頂面２５は、第２半導体層２３における活性層２１とは反対側の表面により構成されている。頂面２５は、Ｚ方向から見た場合に、例えば矩形状（長方形状又は正方形状）に形成されている。この例では、頂面２５は、Ｚ方向から見た場合に長方形状に形成されている。頂面２５は、Ｚ方向から見た場合に、Ｙ方向（第１方向）に沿って延在する一対の第１辺２５ａ，２５ｂ、及びＸ方向（第２方向）に沿って延在する一対の第２辺２５ｃ，２５ｄを有している。第１辺２５ａ，２５ｂは頂面２５の短辺であり、第２辺２５ｃ，２５ｄは頂面２５の長辺である。頂面２５には、上述した凹部２５Ａが形成されている。凹部２５Ａは、Ｚ方向から見た場合に円形状に形成されている。

図５に示されるように、側面２６は、メサ部２０の内側に向かって凸の曲面状に形成されている。同様に、突出部１２の側面１２ａも突出部１２の内側に向かって凸の曲面状に形成されており、側面２６は側面１２ａと滑らかに連続している。側面２６が側面１２ａと滑らかに連続しているとは、例えば、側面２６と側面１２ａとの境界部分に段差が形成されていないことを意味する。この例では、側面２６及び側面１２ａは、滑らかに湾曲した１つの曲面を形成するように互いに連続している。

側面２６は、一対の第１表面２６ａ，２６ｂ、及び一対の第２表面２６ｃ，２６ｄを有している（図２参照）。一対の第１表面２６ａ，２６ｂは、一対の第１辺２５ａ，２５ｂにおいて頂面２５にそれぞれ接続されている。すなわち、第１表面２６ａは第１辺２５ａにおいて頂面２５に接続され、第１表面２６ｂは第１辺２５ｂにおいて頂面２５に接続されている。一対の第１表面２６ａ，２６ｂは、Ｚ方向から見た場合に、Ｘ方向における頂面２５の両側にそれぞれ配置されている。

一対の第２表面２６ｃ，２６ｄは、一対の第２辺２５ｃ，２５ｄにおいて頂面２５にそれぞれ接続されている。すなわち、第２表面２６ｃは第２辺２５ｃにおいて頂面２５に接続され、第２表面２６ｄは第２辺２５ｄにおいて頂面２５に接続されている。一対の第２表面２６ｃ，２６ｄは、Ｚ方向から見た場合に、Ｙ方向における頂面２５の両側にそれぞれ配置されている。

図１及び図２に示されるように、発光素子３は、Ｚ方向から見た場合に、第２表面２６ｃが受光部４０２Ａと向かい合い、且つ第２表面２６ｄが受光部４０２Ｂと向かい合うように、受光素子４上に配置されている。すなわち、この例では、メサ部２０の第２表面２６ｃは、Ｚ方向から見た場合に受光部４０２Ａと向かい合う領域を構成しており、第２表面２６ｄは、Ｚ方向から見た場合に受光部４０２Ｂと向かい合う領域を構成している。

金属層３０は、例えばＣｒ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属材料により形成されている。金属層３０は、メサ部２０の頂面２５上に形成された第１金属部分３１（第１部分）、及びメサ部２０の側面２６上に形成された第２金属部分３２（第２部分）を有している。第１金属部分３１は、第２半導体層２３に電気的に接続されており、電極として機能する。第１金属部分３１は、活性層２１からの光が通過する光通過開口３５ａ（発光窓）が形成された開口領域３５、及び外部接続用の接続領域３６を含んでいる。

この例では、光通過開口３５ａは、円形状に形成されている。活性層２１からの光は、光通過開口３５ａから発光素子３の外部に出射される。光通過開口３５ａは、Ｚ方向から見た場合に、頂面２５の中心Ｃよりも第１表面２６ａ（一対の第１表面２６ａ，２６ｂの一方）側に寄って形成されている。すなわち、Ｚ方向から見た場合に、光通過開口３５ａの中心から第１表面２６ａまでのＸ方向における距離は、光通過開口３５ａの中心から第１表面２６ｂまでのＸ方向における距離よりも小さい。第１金属部分３１は、頂面２５における光通過開口３５ａに対応する部分を除く全面上にわたって形成されている。頂面２５における光通過開口３５ａに対応する部分とは、Ｚ方向から見た場合に光通過開口３５ａの内側に位置する部分である。光通過開口３５ａは、上述した凹部２５Ａに対応する位置（Ｚ方向から見た場合に凹部２５Ａと重なる位置）に形成されている。

接続領域３６は、例えば、発光素子３を外部に電気的に接続するワイヤ等の外部配線が接続される領域であり、外部接続端子として機能する。この例では、接続領域３６は、矩形状に設定されており、Ｚ方向から見た場合に、開口領域３５の第１表面２６ｂ側に配置されている。

第２金属部分３２は、第１金属部分３１と一体に形成され、側面２６に沿って延在している。第２金属部分３２は、後述する絶縁層４０の第２絶縁部分４２及び樹脂層５０の第２樹脂部分５２を介して側面２６上に形成されている。この例では、第２金属部分３２は、側面２６の全周にわたって側面２６上に形成されており、Ｚ方向から見た場合に矩形環状に延在している。具体的には、第２金属部分３２は、側面２６の全周にわたって連続するように、第１表面２６ａ，２６ｂ及び第２表面２６ｃ，２６ｄ上に一体に形成されている。Ｚ方向においては、第２金属部分３２は、メサ部２０の側面２６上から突出部１２の側面１２ａ上に至るように形成されている。

絶縁層４０は、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ_２、又はＡｌＮにより形成されている。絶縁層４０は、メサ部２０の頂面２５上に形成された第１絶縁部分４１、及びメサ部２０の側面２６上に形成された第２絶縁部分４２を有している。第１絶縁部分４１は、メサ部２０における光通過開口３５ａからの露出部分２５ｆを覆っている。この例では、第１絶縁部分４１は、頂面２５における凹部２５Ａの縁部、並びに凹部２５Ａの底面及び内周面上に形成されており、露出部分２５ｆを保護するパッシベーション膜として機能する。第１絶縁部分４１は、Ｚ方向から見た場合に、例えば円形状に形成されている。

第２絶縁部分４２は、メサ部２０の頂面２５及び側面２６、並びに突出部１２の側面１２ａ上にわたって一体に形成されている。すなわち、この例では、第２絶縁部分４２は、頂面２５上に形成された頂部４３、及び側面２６上に形成された本体部４４を有している。頂部４３は、頂面２５の外縁領域２５ｅ上に形成されており、Ｚ方向から見た場合に矩形環状に形成されている。外縁領域２５ｅは、頂面２５の外縁（第１辺２５ａ，２５ｂ及び第２辺２５ｃ，２５ｄ）に沿って延在する矩形環状の領域である。本体部４４は、側面２６上から側面１２ａ上に至るように形成されている。本体部４４は、側面２６の全周にわたって連続して形成されている。具体的には、本体部４４は、側面２６の全周にわたって連続するように、第１表面２６ａ，２６ｂ及び第２表面２６ｃ，２６ｄ上に一体に形成されている。本体部４４は、側面２６に沿って延在しており、メサ部２０の内側に向かって凸の曲面状を有している。

樹脂層５０は、例えばポリイミド、又はエポキシ等の樹脂材料により形成されている。図５に示されるように、樹脂層５０は、メサ部２０の頂面２５上に形成された第１樹脂部分５１、及びメサ部２０の側面２６上に形成された第２樹脂部分５２を有している。第１樹脂部分５１は、第２絶縁部分４２の頂部４３を介して頂面２５上に形成されている。第１樹脂部分５１は、Ｚ方向から見た場合に、頂面２５の外縁に沿って延在しており、矩形環状に形成されている。第１樹脂部分５１の厚さは、例えば２μｍ程度である。

第２樹脂部分５２は、第１樹脂部分５１と一体に形成され、第２絶縁部分４２の本体部４４を介してメサ部２０の側面２６上に形成されている。この例では、第２樹脂部分５２は、側面２６の全周にわたって連続して形成されている。具体的には、第２樹脂部分５２は、側面２６の全周にわたって連続するように、第１表面２６ａ，２６ｂ及び第２表面２６ｃ，２６ｄ上に一体に形成されている。

続いて、図６及び図７も参照して、樹脂層５０の構成について更に説明する。図６には、樹脂層５０の一例が示されており、図７には樹脂層５０の他の例が示されている。図６及び図７において白色の破線で囲まれた部分が樹脂層５０である。樹脂層５０は、図６に示された構成を備えていてもよいし、図７に示された構成を備えていてもよい。

樹脂層５０は、メサ部２０側の表面５０ａ、及びメサ部２０とは反対側の表面５０ｂを有している。表面５０ａは、メサ部２０の頂面２５及び側面２６に沿って延在している。表面５０ａにおける頂面２５に沿った部分は、Ｘ方向及びＹ方向に沿って延在している。表面５０ａにおける側面２６に沿った部分は、メサ部２０の内側に向かって凸の曲面状を有している。表面５０ａの全面は、第２絶縁部分４２と接触している。

表面５０ｂは、全体としてメサ部２０とは反対側に向かって膨らむなだらかな形状を有している。表面５０ｂは、メサ部２０とは反対側に向かって凸の曲面状に形成された領域５５を含んでいる。表面５０ｂの全面は、金属層３０によって覆われている。すなわち、この例では、樹脂層５０の表面（表面５０ａ，５０ｂ）の全面が金属層３０及び第２絶縁部分４２によって覆われており、露出していない。

樹脂層５０の第２樹脂部分５２は、基板１０側に近づくにつれて厚さが薄くなる薄化部分５６を含んでいる。薄化部分５６は、金属層３０の第２金属部分３２と、絶縁層４０の第２絶縁部分４２との間に形成されている。これにより、基板１０側に近づくにつれて、第２金属部分３２と第２絶縁部分４２との間隔が狭くなる。この例では、薄化部分５６における基板１０側の端部において、第２金属部分３２と第２絶縁部分４２とが接触している。第２樹脂部分５２の厚さ（最大厚さ）は、例えば１μｍ～２０μｍ程度である。第２樹脂部分５２の厚さとは、Ｚ方向に垂直な方向における厚さである。
［金属層、絶縁層及び樹脂層の詳細］

以下、金属層３０、絶縁層４０及び樹脂層５０の構成について更に説明する。図２に示されるように、第１絶縁部分４１の外縁４１ａと第２絶縁部分４２の内縁４２ａとの間には、Ｚ方向から見た場合に、スペースＳが形成されており、スペースＳでは頂面２５が絶縁層４０から露出している。金属層３０の第１金属部分３１は、スペースＳにおいて頂面２５と接触しており、第２半導体層２３と電気的に接続されている。

また、図２に示されるように、スペースＳは、外縁４１ａに対して第１表面２６ｂ側に位置する第１スペースＳ１と、外縁４１ａに対して第１表面２６ａ側に位置する第２スペースＳ２と、を含んでいる。上述したように、第１絶縁部分４１は、Ｚ方向から見た場合に、頂面２５の中心Ｃよりも第１表面２６ａ側に寄って形成されている。そのため、第１スペースＳ１は、第２スペースＳ２と比べて、Ｘ方向において広い幅を有している。第１金属部分３１の接続領域３６は、第１スペースＳ１内に位置している。接続領域３６においては、第１金属部分３１がメサ部２０の頂面２５上に絶縁層４０及び樹脂層５０を介さずに直接に形成されている。すなわち、樹脂層５０の第１樹脂部分５１は、接続領域３６と頂面２５との間には形成されていない。

上述したとおり、金属層３０の第２金属部分３２は、絶縁層４０の第２絶縁部分４２及び樹脂層５０の第２樹脂部分５２を介してメサ部２０の側面２６上に形成されている。第２金属部分３２は、Ｚ方向に垂直な方向（例えばＸ方向又はＹ方向）から見た場合に、活性層２１、第１半導体層２２及び第２半導体層２３と重なっている（覆っている）。この例では、第２金属部分３２は、Ｚ方向に垂直な方向から見た場合に、メサ部２０における基板１０側の端部（側面２６における基板１０側の端部）に至っており、第２金属部分３２における基板１０側の端部は、突出部１２の側面１２ａ上に位置している。すなわち、第２金属部分３２は、Ｚ方向に垂直な方向から見た場合に、側面２６だけでなく側面１２ａとも重なっている。

図６及び図７に示されるように、第２金属部分３２における樹脂層５０上に形成された部分は、樹脂層５０の表面５０ｂに沿って延在しており、全体としてメサ部２０とは反対側に向かって膨らむなだらかな形状を有している。第２金属部分３２における表面５０ｂの領域５５上に形成された部分は、メサ部２０とは反対側に向かって凸の曲面状に形成されている。

図１及び図２に示されるように、反射型エンコーダ１において、メサ部２０の第２表面２６ｃ上の第２金属部分３２は、Ｚ方向から見た場合に、第２表面２６ｃと受光部４０２Ａとの間に配置されており、メサ部２０の第２表面２６ｄ上の第２金属部分３２は、Ｚ方向から見た場合に、第２表面２６ｄと受光部４０２Ｂとの間に配置されている。これにより、第２表面２６ｃ，２６ｄから漏れ出る光が第２金属部分３２によって遮られ、第２表面２６ｃ，２６ｄからの漏れ光が受光部４０２Ａ，４０２Ｂに入射することが抑制される。
［作用及び効果］

発光素子３では、金属層３０が、メサ部２０の頂面２５上に配置され、第２半導体層２３に電気的に接続された第１金属部分３１に加えて、第１金属部分３１と一体に形成され、メサ部２０の側面２６に沿って延在する第２金属部分３２を有しており、第２金属部分３２が、Ｚ方向に垂直な方向から見た場合に活性層２１と重なっている。これにより、メサ部２０の側面２６から漏れ出る光を第２金属部分３２によって遮ることができ、メサ部２０の側面２６からの漏れ光を抑制することができる。例えば、仮に、金属層３０が第２金属部分３２を有していない場合、図１に示されるように側面２６からの漏れ光Ｌｉｍが受光部４０２に直接に入射してしまうおそれがある。一方、上述した発光素子３では、第２金属部分３２によって漏れ光Ｌｉｍが遮られるので、漏れ光Ｌｉｍの受光部４０２への入射が抑制される。また、単に金属層３０をメサ部２０の側面２６上に形成しようとすると金属層３０を良好に形成することができないおそれがあるのに対し、この発光素子３では、金属層３０の第２金属部分３２が、絶縁層４０及び樹脂層５０を介してメサ部２０の側面２６上に形成されている。これにより、金属層３０の第２金属部分３２をメサ部２０の側面２６上に良好に形成することができ、その結果、メサ部２０の側面２６からの漏れ光を効果的に抑制することができる。より具体的には、例えば、メサ部２０の製造時には側面２６に凹凸が形成される場合があり、この場合、側面２６上に第２金属部分３２を形成することが難しくなるおそれがある。また、側面２６がメサ部２０の内側に向かって凸の曲面状であることによっても、側面２６上に第２金属部分３２を形成することが難しくなるおそれがある。対して、発光素子３では、第２金属部分３２が樹脂層５０を介して側面２６上に形成されるため、側面２６をなだらかな形状として第２金属部分３２の付き性を向上することができ、第２金属部分３２を側面２６上に良好に形成することができる。以上より、発光素子３によれば、反射型エンコーダ１に適用された場合に検出精度の低下を抑制することができる。

一般的に、寄生容量の増加を抑制する観点から金属層３０を必要以上に延在させる構成は好適ではないため、メサ部２０の頂面２５において第２半導体層２３と電気的に接続されている金属層３０をメサ部２０の側面２６まで延在させる構成は採用されないと考えられる。対して、発光素子３では、金属層３０をあえてメサ部２０の側面２６上に至るように延在させることにより、メサ部２０の側面２６からの漏れ光を抑制している。また、仮に、金属層３０における第１金属部分３１と第２金属部分３２とが互いに別体に形成されていると、第１金属部分３１と第２金属部分３２とが意図せず接触してしまうおそれがあるが、発光素子３では、第１金属部分３１と第２金属部分３２とが一体に形成されているので、そのような意図しない接触の発生が抑制されている。

第２金属部分３２が、Ｚ方向に垂直な方向から見た場合に、メサ部２０における基板１０側の端部に至っている。これにより、メサ部２０の側面２６からの漏れ光を一層効果的に抑制することができる。

第１金属部分３１において、光通過開口３５ａが、Ｚ方向から見た場合に、頂面２５の中心Ｃよりも第１表面２６ａ側に寄って形成されており、第２金属部分３２が、第１表面２６ａ、及び一対の第２表面２６ｃ，２６ｄ上に形成されている。これにより、第１金属部分３１において光通過開口３５ａが第１表面２６ａに寄って形成されているため、外部接続用の接続領域３６を広く確保することができる。その結果、例えば、接続領域３６への外部配線の接続を容易化することができる。一方、その場合、第１表面２６ａから光が漏れ出やすくなる。この点、発光素子３では、第２金属部分３２が、第１表面２６ａ、及び一対の第２表面２６ｃ，２６ｄ上に形成されているため、そのような場合でも、メサ部２０の側面２６からの漏れ光を確実に抑制することができる。

第２金属部分３２が、メサ部２０の側面２６の全周にわたって形成されている。これにより、メサ部２０の側面２６からの漏れ光を一層効果的に抑制することができる。

樹脂層５０が、基板１０側に近づくにつれて厚さが薄くなる薄化部分５６を含んでいる。これにより、樹脂層５０におけるメサ部２０と反対側の表面５０ｂをなだらかにすることができ、金属層３０の第２金属部分３２をメサ部２０の側面２６上に一層良好に形成することができる。また、メサ部２０の側面２６から樹脂層５０に入射した光を効率良く減衰させることができる。具体的には、メサ部２０の側面２６から樹脂層５０に漏れ出た光は、メサ部２０の側面２６と金属層３０の第２金属部分３２との間において繰り返し反射されることにより減衰する。樹脂層５０の厚さが薄いほどメサ部２０の側面２６と金属層３０の第２金属部分３２との間の間隔が狭くなり、漏れ光の反射回数が増加するので、漏れ光を効率良く減衰させることができる。発光素子３では、樹脂層５０が基板１０に近づくにつれて厚さが薄くなる薄化部分５６を含んでいるので、メサ部２０の側面２６から樹脂層５０に入射した光を効率良く減衰させることができる。また、側面２６からの漏れ光を効率良く減衰可能であると、例えば、第２金属部分３２に意図しない孔が形成されている場合でも、当該孔から光が漏れ出ることを抑制することができる。さらに、側面２６からの漏れ光を効率良く減衰可能であると、活性層２１からの光が基板１０の側面から漏れ出ることを抑制することができる。なお、上記実施形態の発光素子３では活性層２１で発生した光が基板１０により吸収されるため、基板１０の側面から光が漏れ出ることはないが、基板１０により吸収されない波長帯の光を活性層２１で発生させる場合に、基板１０の側面からの漏れ光を効率良く減衰させることが有効となる。

メサ部２０の側面２６が、メサ部２０の内側に向かって凸の曲面状に形成されている。この場合、金属層３０の第２金属部分３２をメサ部２０の側面２６上に形成することが難しくなるが、発光素子３によれば、上述した理由により、そのような場合でも、第２金属部分３２を側面２６上に良好に形成することができる。

樹脂層５０におけるメサ部２０とは反対側の表面５０ｂが、メサ部２０とは反対側に向かって凸の曲面状に形成された領域５５を含んでいる。これにより、金属層３０の第２金属部分３２をメサ部２０の側面２６上に一層良好に形成することができる。

金属層３０が、樹脂層５０におけるメサ部２０とは反対側の表面５０ｂの全体を覆っている。これにより、メサ部２０の側面２６からの漏れ光を一層効果的に抑制することができる。また、空気との接触に起因する樹脂層５０の劣化を効果的に抑制することができる。

樹脂層５０が、メサ部２０の頂面２５上に形成された第１樹脂部分５１を有する一方で、第１金属部分３１における接続領域３６とメサ部２０の頂面２５との間には形成されていない。これにより、樹脂層５０がメサ部２０の側面２６上だけでなく頂面２５上にも形成されるため、樹脂層５０を良好に形成することができる。また、樹脂層５０がメサ部２０の頂面２５上にも形成される場合、メサ部２０の頂面２５と側面２６との接続部分上に樹脂層５０が位置する構成となる。これにより、金属層３０を樹脂層５０上により良好に形成することができる。加えて、メサ部２０の頂面２５と側面２６との接続部分上に樹脂層５０が位置することにより、金属層３０におけるメサ部２０の頂面２５上に位置する部分とメサ部２０の側面２６上に位置する部分とがなだらかに繋がるので、金属層３０の断切れを抑制することができる。また、樹脂層５０が第１金属部分３１における接続領域３６と頂面２５との間には形成されていないため、樹脂層５０の存在により接続領域３６に外部配線を良好に接続することができない事態の発生を抑制することができる。すなわち、接続領域３６において第１金属部分３１と頂面２５との間に樹脂層５０が形成されていると、外部配線のコンタクト面が柔らかくなり、外部配線の接続が難しくなるおそれがある。対して、発光素子３では、樹脂層５０が第１金属部分３１における接続領域３６と頂面２５との間には形成されていないため、そのような事態の発生を抑制することができる。

樹脂層５０の第１樹脂部分５１が、Ｚ方向から見た場合に、メサ部２０の頂面２５の外縁に沿って延在している。これにより、樹脂層５０がメサ部２０の側面２６上だけでなくメサ部２０の頂面２５上にも形成されるため、樹脂層５０を良好に形成することができる。また、第１樹脂部分５１が、Ｚ方向から見た場合にメサ部２０の頂面２５の外縁に沿って延在しているため、樹脂層５０の存在により接続領域３６に外部配線を良好に接続することができない事態の発生を抑制することができる。

絶縁層４０が、メサ部２０の頂面２５上に形成されて光通過開口３５ａからの露出部分２５ｆを覆う第１絶縁部分４１を有している。これにより、露出部分２５ｆを第１絶縁部分４１によって保護することができる。

第１金属部分３１が、メサ部２０の頂面２５における光通過開口３５ａに対応する部分を除く全面上にわたって形成されている。これにより、第１金属部分３１において外部接続用の接続領域３６を広く確保することができ、例えば、接続領域３６への外部配線の接続を容易化することができる。また、例えば、第１金属部分３１が複雑な配線パターンとして形成されている場合と比べて第１金属部分３１が単純な形状となるため、第１金属部分３１同士の間の意図しない短絡の発生を抑制することができる。

反射型エンコーダ１では、受光部４０２が、Ｚ方向に垂直な方向における発光素子３の両側にそれぞれ配置された２つの受光部４０２Ａ，４０２Ｂを含み、第２金属部分３２が、メサ部２０の側面２６において、Ｚ方向から見た場合に２つの受光部４０２Ａ，４０２Ｂとそれぞれ向かい合う２つの領域（第２表面２６ｃ，２６ｄ）上に形成されている。これにより、メサ部２０の側面２６から発光素子３の両側に配置された２つの受光部４０２Ａ，４０２Ｂへと入射する漏れ光を第２金属部分３２によって遮ることができる。
［変形例］

本発明は、上記実施形態に限られない。例えば、各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。上記実施形態では、メサ部２０の頂面２５がＺ方向から見た場合に長方形状に形成されていたが、頂面２５は、正方形状、円形状又は楕円形状に形成されていてもよい。この場合、メサ部２０の側面２６は、Ｚ方向から見た場合に正方形環状、円環状又は楕円環状に形成されていてもよい。

上記実施形態では、メサ部２０がブロック層１２４及び拡散層１２５によって構成された電流狭窄構造を有していたが、メサ部２０は電流狭窄構造を有していなくてもよい。ただし、電流狭窄構造が設けられている場合、発光点（出射光）を絞ることができ、反射型エンコーダ１におけるノイズの発生を抑制することができる。メサ部２０の頂面２５に凹部２５Ａが形成されていなくてもよく、頂面２５の全体がＸ方向及びＹ方向に沿って平坦に形成されていてもよい。

上記実施形態では、光通過開口３５ａが、Ｚ方向から見た場合に、頂面２５の中心Ｃよりも第１表面２６ａ側に寄って形成されていたが、光通過開口３５ａの位置は限定されない。例えば、光通過開口３５ａは、Ｚ方向から見た場合に、頂面２５の中心Ｃに形成されていてもよい。上記実施形態では、光通過開口３５ａが円形状に形成されていたが、光通過開口３５ａは矩形状又は楕円形状に形成されていてもよい。

上記実施形態では、絶縁層４０が、メサ部２０の頂面２５上に形成された部分（第１絶縁部分４１及び第２絶縁部分４２の頂部４３）を有していたが、絶縁層４０は、少なくともメサ部２０の側面２６上に形成されていればよく、第２絶縁部分４２の本体部４４のみを有していてもよい。

上記実施形態では、樹脂層５０が、頂面２５上に形成された第１樹脂部分５１を有していたが、樹脂層５０は、少なくとも側面２６上に形成されていればよく、第２樹脂部分５２のみを有していてもよい。上記実施形態において、樹脂層５０が第１金属部分３１の接続領域３６とメサ部２０の頂面２５との間に形成されていてもよい。

上記実施形態では、金属層３０の第１金属部分３１が、メサ部２０の頂面２５における光通過開口３５ａに対応する部分を除く全面上にわたって形成されていたが、第１金属部分３１は、当該全面上に部分的に形成されていてもよい。

上記実施形態では、金属層３０の第２金属部分３２が、Ｚ方向から見た場合に、活性層２１、第１半導体層２２、第２半導体層２３及び突出部１２の側面１２ａと重なっていたが、第２金属部分３２は、少なくとも活性層２１と重なっていればよい。例えば、第２金属部分３２における基板１０側の端部は、突出部１２の側面１２ａ上ではなく第１半導体層２２の側面上に位置していてもよい。

上記実施形態では、金属層３０の第２金属部分３２が側面２６の全周にわたって形成されていたが、第２金属部分３２は、側面２６の全周にわたって形成されていなくてもよい。例えば、第１表面２６ａ，２６ｂ及び第２表面２６ｃ，２６ｄのうち、Ｚ方向から見た場合に光通過開口３５ａから最も離れている第１表面２６ｂ上には第２金属部分３２が形成されていなくてもよい。側面２６における第２金属部分３２が形成される領域は、受光部４０２との位置関係に基づいて決定されてもよい。例えば、上記実施形態のように、２つの受光部４０２Ａ，４０２ＢがＹ方向における発光素子３の両側に配置されている場合には、Ｚ方向から見た場合に２つの受光部４０２Ａ，４０２Ｂとそれぞれ向かい合う２つの第２表面２６ｃ，２６ｄ上のみに第２金属部分３２が形成され、第１表面２６ａ，２６ｂ上には第２金属部分３２が形成されていなくてもよい。すなわち、第２金属部分３２は、側面２６において、Ｚ方向から見た場合に漏れ光の入射を抑制したい受光部４０２と向かい合う（受光部４０２に臨む）領域上のみに形成されていてもよい。

上記実施形態では、受光素子４が複数の受光部４０２を有していたが、受光部４０２の数は限定されない。受光素子４は、少なくとも１つの受光部４０２を有していればよい。受光部４０２が１つである場合、金属層３０の第２金属部分３２は、側面２６において、Ｚ方向から見た場合にその１つの受光部４０２と向かい合う領域上のみに形成されていてもよい。この場合にも、上記実施形態と同様に、反射型エンコーダ１に適用された場合に検出精度の低下を抑制することができる。上記実施形態では、反射型エンコーダ１が、１つの受光素子４のみを備えていたが、反射型エンコーダ１は、複数の受光素子４を備えていてもよい。

発光素子３は、Ｚ方向から見た場合に、メサ部２０の第１表面２６ａと受光部４０２Ａとが向かい合い、メサ部２０の第１表面２６ｂと受光部４０２Ｂとが向かい合うように配置されてもよい。この場合、金属層３０の第２金属部分３２は、第１表面２６ａ，２６ｂ上のみに形成され、第２表面２６ｃ，２６ｄ上には形成されていなくてもよい。

上記実施形態では、メサ部２０の側面２６がメサ部２０の内側に向かって凸の曲面状に形成されていたが、側面２６は、Ｚ方向に対して傾斜する平面状に形成されていてもよい。

上記実施形態では、金属層３０が樹脂層５０の表面５０ｂの全面を覆っていたが、金属層３０は表面５０ｂの全面を覆っていなくてもよい。すなわち、表面５０ｂの一部が、金属層３０から露出していてもよい。上記実施形態では、表面５０ｂがメサ部２０とは反対側に向かって凸の曲面状に形成された領域５５を含んでいたが、表面５０ｂは必ずしも領域５５を含んでいなくてもよい。

基板１０は突出部１２を有していなくてもよい。この場合、例えば、基板１０は全体として矩形板状（直方体状）に形成され、メサ部２０は基板１０の主面上に形成されていてもよい。メサ部２０は、Ｚ方向に沿った断面において矩形状に形成された垂直メサ構造を有していてもよい。この場合、メサ部２０の側面２６は、Ｚ方向に沿って延在していてもよい。

接続領域３６の形状は限定されず、ワイヤ等の外部配線を接続可能な形状であればよい。例えば、接続領域３６の形状は、円形状又は楕円形状であってもよい。接続領域３６は、第１金属部分３１における光通過開口３５ａを除く部分の全体であってもよい。すなわち、上記実施形態において、接続領域３６はメサ部２０の頂面２５における光通過開口３５ａに対応する部分を除く全面上にわたって位置していてもよい。

１…反射型エンコーダ、２…回転板、３…発光素子、１０…基板、２０…メサ部、２１…活性層、２２…第１半導体層、２３…第２半導体層、２５…頂面、２５ａ，２５ｂ…第１辺、２５ｃ，２５ｄ…第２辺、２５ｆ…露出部分、２６…側面、２６ａ，２６ｂ…第１表面、２６ｃ，２６ｄ…第２表面、３０…金属層、３１…第１金属部分（第１部分）、３２…第２金属部分（第２部分）、３５ａ…光通過開口、３５…開口領域、３６…接続領域、４０…絶縁層、５０…樹脂層、５０ｂ…表面、５５…領域、５６…薄化部分、２０２…反射パターン、４０２，４０２Ａ，４０２Ｂ…受光部、Ｃ…中心、Ｌ…光。

Claims (14)

1. 基板と、
   光を発生させる活性層、前記活性層に対して前記基板側に配置された第１半導体層、及び前記活性層に対して前記基板とは反対側に配置された第２半導体層を含み、前記基板上に形成されたメサ部と、
   前記メサ部の頂面上に配置され、前記第２半導体層に電気的に接続された第１部分と、前記第１部分と一体に形成され、前記メサ部の側面に沿って延在する第２部分と、を有する金属層と、
   少なくとも前記メサ部の前記側面上に形成された絶縁層と、
   前記絶縁層上に形成された樹脂層と、を備え、
   前記第１部分は、前記光が通過する光通過開口が形成された領域と、外部接続用の領域と、を含み、
   前記第２部分は、前記絶縁層及び前記樹脂層を介して前記メサ部の前記側面上に形成されており、前記基板の厚さ方向に垂直な方向から見た場合に、少なくとも前記活性層と重なっている、発光素子。
2. 前記第２部分は、前記基板の厚さ方向に垂直な方向から見た場合に、前記メサ部における前記基板側の端部に至っている、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記メサ部の前記頂面は、前記基板の厚さ方向から見た場合に、第１方向に沿って延在する一対の第１辺、及び前記第１方向と垂直な第２方向に沿って延在する一対の第２辺を有する矩形状に形成されており、
   前記メサ部の前記側面は、前記一対の第１辺において前記頂面にそれぞれ接続された一対の第１表面と、前記一対の第２辺において前記頂面にそれぞれ接続された一対の第２表面と、を有し、
   前記第１部分において、前記光通過開口は、前記基板の厚さ方向から見た場合に、前記頂面の中心よりも前記一対の第１表面の一方側に寄って形成されており、
   前記第２部分は、少なくとも、前記一対の第１表面の前記一方、及び前記一対の第２表面上に形成されている、請求項１又は２に記載の発光素子。
4. 前記第２部分は、前記メサ部の前記側面の全周にわたって形成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の発光素子。
5. 前記樹脂層は、前記基板側に近づくにつれて厚さが薄くなる部分を含んでいる、
   、請求項１～４のいずれか一項に記載の発光素子。
6. 前記メサ部の前記側面は、前記メサ部の内側に向かって凸の曲面状に形成されている、請求項１～５のいずれか一項に記載の発光素子。
7. 前記樹脂層における前記メサ部とは反対側の表面は、前記メサ部とは反対側に向かって凸の曲面状に形成された領域を含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の発光素子。
8. 前記金属層は、前記樹脂層における前記メサ部とは反対側の表面の全体を覆っている、請求項１～７のいずれか一項に記載の発光素子。
9. 前記樹脂層は、前記メサ部の前記頂面上に形成された部分を有する一方で、前記第１部分における前記外部接続用の領域と前記メサ部の前記頂面との間には形成されていない、請求項１～８のいずれか一項に記載の発光素子。
10. 前記樹脂層は、前記メサ部の前記頂面上に形成された部分を有し、
    前記樹脂層の前記部分は、前記基板の厚さ方向から見た場合に、前記メサ部の前記頂面の外縁に沿って延在している、請求項１～９のいずれか一項に記載の発光素子。
11. 前記絶縁層は、前記メサ部の前記頂面上に形成されて前記光通過開口からの露出部分を覆う部分を有する、請求項１～１０のいずれか一項に記載の発光素子。
12. 前記第１部分は、前記メサ部の前記頂面における前記光通過開口に対応する部分を除く全面上にわたって形成されている、請求項１～１１のいずれか一項に記載の発光素子。
13. 請求項１～１２のいずれか一項に記載の発光素子と、
    前記発光素子から出射された前記光を反射する反射パターンを有する回転板と、
    前記回転板に対して前記発光素子と同一側に配置され、前記反射パターンにより反射された前記光を検出する少なくとも１つの受光部と、を備え、
    前記第２部分は、前記メサ部の前記側面において、前記基板の厚さ方向から見た場合に前記少なくとも１つの受光部と向かい合う領域上に少なくとも形成されている、反射型エンコーダ。
14. 前記少なくとも１つの受光部は、前記基板の厚さ方向に垂直な方向における前記発光素子の両側にそれぞれ配置された２つの受光部を含み、
    前記第２部分は、前記メサ部の前記側面において、前記基板の厚さ方向から見た場合に前記２つの受光部とそれぞれ向かい合う２つの領域上に少なくとも形成されている、請求項１３に記載の反射型エンコーダ。

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