JP4246375B2 - 半導体発光素子及びそれを用いた半導体発光装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子及びそれを用いた半導体発光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
距離や角度を光学的に検知する距離センサや角度センサなどの光学センサにおいては、その光源として、発光ダイオード(LED)などの半導体発光素子を備える半導体発光装置が用いられている(例えば、特開平6−45650号公報参照)。このような光学センサに用いられる半導体発光装置では、それぞれのセンサの用途や、距離や角度などを検知する際の必要な分解能などに応じて、出力光の出力光量や光出力分布などについて一定の光出力条件を満たすことが必要となる。
【0003】
例えば角度を光学的に検知する角度センサである透過型光学式エンコーダ(ロータリエンコーダ)では、光源である半導体発光装置から供給される出力光に対して、必要な出力光量が確保されていることに加えて、(1)光ビーム径内で光出力方向が略平行なコリメート光であること、及び(2)光ビーム径内で略一様な光出力分布が得られること、などが好適な光出力条件として要求される。
【0004】
また、発光素子単体で上記(1)の条件を実現することが困難であるため、通常は発光素子にレンズを組み合わせる。ただし、発光素子の発光領域には幅があり、素子中央部だけでなく素子周縁部からの光も出力されるが、素子中央部からの光を平行化するように設計されたレンズでは、素子周縁部からの光については充分な平行度が得られない。したがって、レンズを通過させた光の平行度を高めるためには、半導体発光素子単体としては光ビーム径を小さくすることが求められる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
透過型光学式エンコーダなどで好適とされる上記した光出力条件については、例えば、レンズを通過させてコリメート光としたときに、その光ビーム径内での光出力分布が一様にならないなど、それぞれの光出力条件を同時かつ充分に満たすように半導体発光装置を構成することが難しい。
【0006】
透過型光学式エンコーダでの光源として従来用いられている半導体発光装置の例としては、カップ型の反射面を有するパッケージ内に半導体発光素子であるLEDチップを設置したものがある。このような半導体発光装置では、LEDチップの側面から出射される光が、カップ型反射面で反射されて外部へと出力されることによって、大きい出力光量が得られる。しかしながら、上記のようにLEDチップの外部にある反射面を集光に用いた場合、出力される光の平行度が悪くなるという問題がある。
【0007】
また、LEDチップでの光の出射面自体をドーム状の形状としてレンズとして機能させ、光ビーム径が小さい光を出射し、レンズを通過させてコリメート光を出力させるものがある。しかしながら、このようなLEDチップは、半導体チップをドーム状にエッチング加工しなくてはならないために製造工程が複雑となり、その製造効率が低い。このため、充分な数量の半導体発光素子を供給することが難しく、また、半導体発光素子が高コストとなるなどの問題を生じる。
【0008】
本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、レンズを通過させたときに、光ビーム径内で充分に一様な光出力分布を有する出力光が得られるとともに、その製造効率が向上される半導体発光素子及びそれを用いた半導体発光装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明による半導体発光素子は、(1)第1導電型を有する第1半導体層、及び第2導電型を有する第2半導体層が積層され、第1半導体層及び第2半導体層の接合面によってpn接合が形成されている半導体基体と、(2)半導体基体の第1半導体層側の面で、半導体基体内からの光が出射される第1主面上に形成された第1電極と、(3)半導体基体の第2半導体層側の面で、第1主面とは反対側の第2主面上に形成された第2電極と、を備え、(4)半導体基体は、第1主面の外縁部に第1主面から側面にわたる傾斜面が形成されたメサ型形状を有するとともに、第1半導体層の層厚に対する傾斜面のメサ深さの比が、2以上4以下であることを特徴とする。
【0010】
あるいは、本発明による半導体発光素子は、(1)第1導電型を有する第1半導体層、及び第2導電型を有する第2半導体層が積層され、第1半導体層及び第2半導体層の接合面によってpn接合が形成されている半導体基体と、(2)半導体基体の第1半導体層側の面で、半導体基体内からの光が出射される第1主面上に形成された第1電極と、(3)半導体基体の第2半導体層側の面で、第1主面とは反対側の第2主面上に形成された第2電極と、を備え、(4)半導体基体は、第1主面の外縁部に第1主面から側面にわたる傾斜面が形成されたメサ型形状を有するとともに、第1半導体層の層厚d1が12μm、第1主面からの傾斜面の第1主面とは反対側の端部までのメサ深さd2が25μm以上45μm以下、かつ、接合面からの傾斜面の第1主面とは反対側の端部までのメサ深さd2−d1が13μm以上33μm以下であり、傾斜面は略円弧状の垂直断面形状を有することを特徴とする。
【0011】
上記した半導体発光素子においては、第1半導体層及び第2半導体層によるpn接合を含む半導体基体を、メサエッチングによって形成された傾斜面を有するメサ型形状としている。これにより、レンズを通過させたときに、良好なコリメート光を出力光として得ることができる。
【0012】
特に、pn接合の深さである第1半導体層の層厚に対して、傾斜面のメサ深さを上記の数値範囲内とすることによって、第1主面と合わせて傾斜面をも光の出射面として機能させるとともに、光の出射面である第1主面に対向する第2主面等で拡散反射された光を第1主面及び傾斜面から出射させて、充分な出力光量を確保することができる。また、光ビーム径内で充分に一様な光出力分布を有する出力光を得ることが可能となる。
【0013】
このような構成からなる半導体発光素子の製造においては、通常の半導体発光素子に対してメサエッチングを行えば良いので、LEDチップでの出射面自体をドーム状の形状とした構成などと異なって製造工程が複雑化することがない。したがって、光出力条件の好適化が実現されると同時に、その製造効率が向上されて、半導体発光素子を低コスト化することができる。
【0014】
また、半導体基体における第1半導体層の層厚に対する傾斜面のメサ深さの比が、さらに7/3以上10/3以下であることを特徴とする。あるいは、半導体基体における第1主面からの傾斜面のメサ深さが28μm以上40μm以下、または、接合面からの傾斜面のメサ深さが16μm以上28μm以下であることを特徴とする。これにより、充分な出力光量の確保と、光出力分布における一様性の向上とを特に良好に両立させることができる。
【0015】
ここで、第1主面及び傾斜面が、半導体基体内からの光の出射効率が略平坦な面に比べて高くなるように粗面処理されていることが好ましい。
【0016】
さらに、第2主面が、半導体基体内からの光の反射効率が略平坦な面に比べて高くなるように粗面処理されていることが好ましい。
【0017】
このように、第1主面及び傾斜面と、第2主面とに、それぞれ所定の条件で粗面処理(粗化)を行っておくことによって、半導体基体内で発光された光の利用効率を向上させることができる。なお、第1主面及び傾斜面に対する粗面処理、及び第2主面に対する粗面処理においては、上記した光の出射効率の向上、及び反射効率の向上がそれぞれ実現されるように、それぞれでの粗面処理の条件を設定することが好ましい。
【0018】
また、本発明による半導体発光装置は、(a)上記した半導体発光素子と、(b)半導体発光素子がその内部に位置決めして設置されるパッケージと、(c)半導体発光素子の第1主面に面し、半導体発光素子と光軸が一致するようにパッケージに一体に固定されたレンズ部材と、を備えることを特徴とする。
【0019】
このようなレンズ部材及びパッケージを用いることによって、半導体発光素子とレンズとを確実に位置合わせし、それらの組み合わせによって、良好な光出力条件での出力光が得られる半導体発光装置を実現することができる。また、半導体発光素子の側面等から出射される光に対してパッケージ側に反射面を設けず、半導体発光素子から出射されてレンズ部材に入射された光を出力光としているので、上記したメサ型の半導体発光素子の構成と合わせて、充分な出力光量を確保しつつ、レンズを通過させたときに、平行度の高い出力光を得ることができる。
【0020】
また、レンズ部材は、半導体発光素子から出射された光が入射される第1の面の曲率が、第1の面とは反対側で光が出射される第2の面の曲率よりも小さいレンズ形状によって形成されていることが好ましい。
【0021】
このとき、半導体発光素子から出射された光は、レンズ部材の第1の面で補助的に光路変換されることによって集光され、さらに、第2の面で最終的にコリメート光に光路変換されて出力される。これにより、半導体発光素子からの光の利用効率が向上されるとともに、確実にコリメート光に変換することが可能となる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、図面とともに本発明による半導体発光素子及びそれを用いた半導体発光装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【0023】
図1は、本発明による半導体発光素子を用いた半導体発光装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。この図1においては、半導体発光装置からの出力光の光軸(半導体発光素子及び半導体発光装置の中心軸)を含む垂直断面によって、その断面構造を示している。
【0024】
まず、本半導体発光装置の全体構成について説明する。本実施形態における半導体発光装置は、半導体発光素子である発光ダイオード(LED)1と、発光ダイオード1が内部に格納されるパッケージ5と、発光ダイオード1から出射された光が通過して、出力光として外部へと出力されるレンズ部材6とを備えて構成されている。
【0025】
発光ダイオード1は、導電型がp型(第1導電型)であるp型半導体層(第1半導体層)11と、導電型がn型(第2導電型)であるn型半導体層(第2半導体層)12とが積層されてなり、その水平断面形状が略矩形形状の半導体基体10を有する。ここで、半導体基体10の上下の両主面のうち、p型半導体層11側の面(図1中の上面)を第1主面13、n型半導体層12側の面で第1主面13とは反対側の面(図1中の底面)を第2主面14とする。
【0026】
半導体基体10の第1主面13上には、p型半導体層11に接合された金属電極である第1電極(アノード電極)21が形成されている。また、第2主面14上には、n型半導体層12に接合された金属電極である第2電極(カソード電極)22が形成されている。これにより、本半導体発光素子は、p型半導体層11及びn型半導体層12の接合面により形成されたpn接合を有する発光ダイオード1を構成している。
【0027】
ここで、本発光ダイオード1における半導体基体10では、そのpn接合が第1主面13の近傍となるように、p型半導体層11及びn型半導体層12が積層されている。そして、p型半導体層11が面する上面側の第1主面13が、半導体基体10内で発光された光が出射される出射面とされている。なお、p型半導体層11、及びn型半導体層12については、それぞれ複数のp型半導体層、n型半導体層が積層された構成であっても良い。
【0028】
半導体基体10、第1電極21、及び第2電極22からなる上述した発光ダイオード1は、その水平断面形状が略円筒形状のパッケージ5の内部に格納されて設置される。本実施形態におけるパッケージ5は、その底面を構成する台部51と、側面を構成する円筒状の側部52とを有して構成されている。
【0029】
側部52の上方には、発光ダイオード1からの光を透過する材質からなる光透過窓であるレンズ部材6が、側部52上端の円形の開口部を覆うように設けられている。このレンズ部材6は、半導体基体10内で発光されて発光ダイオード1から出射される光を通過させて、所定の光出力条件を有する出力光として外部へと出力させるためのレンズとして機能する。また、レンズ部材6は、パッケージ5の上面を構成するとともに側部52に対して一体に固定されており、この側部52及びレンズ部材6が、台部51に対するパッケージ5の蓋部となっている。
【0030】
台部51は、その上面が略平坦に形成されており、発光ダイオード1を載置して保持する載置台となっている。発光ダイオード1は、その半導体基体10の第2主面14及び第2電極22を台部51側として、台部51に対して位置決めして設置される。また、第2主面14の第2電極22が形成された部分を除く面部分と、台部51の上面との隙間は、Agペーストなどによって埋められる。なお、台部51の下面側には、必要に応じて、発光ダイオード1に対して必要な電圧を供給し、あるいは信号を読み出すためのピン(図示していない)などが設けられる。
【0031】
以上の構成により、発光ダイオード1が固定された台部51に対して、側部52及びレンズ部材6からなる蓋部を上方から装着することによって、レンズ部材6を含むパッケージ5の内部に発光ダイオード1が位置決めして設置された、図1の半導体発光装置が得られる。
【0032】
このとき、パッケージ5の内部に格納された発光ダイオード1においては、光の出射面である半導体基体10の第1主面13が、パッケージ5上面のレンズ部材6と対向する位置となる。また、レンズ部材6は、そのレンズの光軸が発光ダイオード1の光軸と一致するように、パッケージ5(側部52)に対して位置決めされている。p型半導体層11及びn型半導体層12からなるpn接合によって発光ダイオード1の半導体基体10内で発光されて、第1主面13から出射された光は、レンズ部材6を通過することによって光ビーム径内で光出力方向が略平行なコリメート光とされて、出力光として外部へと出力される。
【0033】
次に、半導体発光素子である発光ダイオード1の構成について、図1及び図2を参照してさらに具体的に説明する。図2は、図1に示した半導体発光装置に用いられている発光ダイオード1の平面図を示すものであり、図2(a)は半導体基体10の第1主面13側からみた上面図を、また、図2(b)は第2主面14側からみた底面図を示している。
【0034】
発光ダイオード1は、図2(a)及び(b)に示すように、半導体基体10の水平断面形状が略正方形のチップ形状に形成されている。このチップ形状に対して、第1主面13上にp型半導体層11と接合して設けられている第1電極21は、図2(a)に示すように、第1主面13の略中心の位置に、所定半径の円形状に形成されている。また、第2主面14上にn型半導体層12と接合して設けられている第2電極22は、図2(b)に示すように、第2主面14の全体に、ハニカム形状に形成されている。
【0035】
半導体基体10の第1主面13の外縁部には、所定の幅w1で、第1主面13から側面にわたる傾斜面15が形成されている。この傾斜面15は、メサエッチングによって形成されたものであり、図1に示すように、略円弧状の垂直断面形状を有している。これにより、この発光ダイオード1は、メサ型の発光ダイオードとなっている。
【0036】
このメサエッチングによる傾斜面15は、半導体基体10でのpn接合の深さに対して、所定の条件を満たすように形成されている。すなわち、図1に示すように、p型半導体層11の層厚である第1主面13からのpn接合の深さをd1、第1主面13からの傾斜面15のメサ深さをd2とすると、メサ深さd2がpn接合の深さd1よりも大きく(d2>d1)設定されている。このとき、p型半導体層11及びn型半導体層12の接合面は傾斜面15において露出する。この傾斜面15は、第1主面13と同様に光の出射面としても機能する。
【0037】
さらに、本発光ダイオード1においては、後述するように、その光出力条件を好適化するため、pn接合の深さ(p型半導体層11の層厚)d1に対するメサ深さ(傾斜面15の深さ)d2の比が、条件
2≦d2/d1≦4
を満たすように、傾斜面15が形成されている。
【0038】
あるいは、メサ深さd2が、第1主面13からのメサ深さについての条件
25μm≦d2≦45μm
またはp型半導体層11及びn型半導体層12の接合面(pn接合)からのメサ深さについての条件
13μm≦d2−d1≦33μm
を満たすように、傾斜面15が形成されている。
【0039】
また、本実施形態においては、光の出射面となる第1主面13及び傾斜面15を、粗面処理(粗化)が行われた凹凸面(粗面)としている。この第1主面13及び傾斜面15に対する粗面処理は、半導体基体10内で発光された光の出射効率が略平坦な面に比べて高くなるようにするためのものである。
【0040】
また、第2主面14に対しても、同様に粗面処理(粗化)が行われている。この第2主面14に対する粗面処理は、半導体基体10内で発光された光の反射効率が略平坦な面に比べて高くなるようにするためのものである。
【0041】
このように、第1主面13及び傾斜面15と、第2主面14とに、それぞれ所定の条件で粗面処理を行っておくことによって、半導体基体10内で発光された光の利用効率を向上させることができる。なお、第1主面13及び傾斜面15に対する粗面処理、及び第2主面14に対する粗面処理においては、上記した光の出射効率の向上、及び反射効率の向上がそれぞれ実現されるように、それぞれでの粗面処理の条件、例えば用いる粗化処理液の種類、を設定することが好ましい(特許第2907170号公報参照)。
【0042】
本実施形態による発光ダイオード1の効果について説明する。上記した発光ダイオード1においては、p型半導体層11及びn型半導体層12によるpn接合を含む半導体基体10を、メサエッチングによって形成された傾斜面15を有するメサ型形状としている。これにより、発光ダイオード1自体からの出力光の光ビーム径を小さくすることができる。
【0043】
ここで、発光ダイオード1を備える半導体発光装置において、レンズを通過させたときの出力光として良好なコリメート光を得るためには、発光ダイオード1が点光源に近いことが好ましい。発光ダイオードを点光源とするには、例えば、そのチップ内に電流狭窄機構を設ける構成がある。しかしながら、このような構成ではその製造工程が複雑となり、製造効率が低下するとともに高コストとなる。また、充分な出力光量を得ることができず、長期の使用に対する信頼性が低いなど、多くの問題がある。
【0044】
また、発光ダイオードのチップサイズ自体を小さくして、点光源に近づけることも可能である。しかしながら、この場合にも、上記と同様に出力光量の低下が問題となる。また、本願発明者による検討の結果によれば、通常のチップ形状では、チップの側面から出射される光の影響によって、光ビーム径内での光出力分布が一様にならない。
【0045】
さらに、チップでの出射面をドーム状の形状とする構成も可能であるが、このようにチップをドーム状にエッチング加工するのでは、その製造工程が複雑化してしまう。
【0046】
これに対して、半導体基体10の光の出射面である第1主面13の外縁部に、所定の条件を満たすようにメサエッチングによる傾斜面15を形成する上記の構成によれば、第1主面13及び傾斜面15を光の出射面として機能させるとともに、第2主面14等で拡散反射された光を第1主面13及び傾斜面15から出射させて、充分な出力光量を確保することができる。同時に、レンズを通過させたときの出力光として、良好なコリメート光を得ることができる。
【0047】
さらに、傾斜面15によるメサ型形状に対する条件として、pn接合の深さd1に対するメサ深さd2の比d2/d1を2以上4以下とするか、あるいは、第1主面13からのメサ深さd2を25μm以上45μm以下、またはpn接合からのメサ深さd2−d1を13μm以上33μm以下とすることによって、レンズを通過させたときの出力光が平行度の高いコリメート光であって、かつ、光ビーム径内で充分に一様な光出力分布を有する出力光を得ることが可能となる。
【0048】
また、このメサ形状に対する条件については、さらにd2/d1を7/3以上10/3以下とすることが好ましい。あるいは、d2を28μm以上40μm以下、またはd2−d1を16μm以上28μm以下とすることが好ましい。これにより、充分な出力光量の確保と、光出力分布における一様性の向上とを特に良好に両立させることができる。
【0049】
このような構成からなる発光ダイオード1の製造においては、通常の発光ダイオードに対してメサエッチングを行えば良いので、LEDチップでの出射面自体をドーム状の形状とした構成などと異なって製造工程が複雑化することがない。したがって、光出力条件の好適化が実現されると同時に、その製造効率が向上されて、発光ダイオードを低コスト化することができる。
【0050】
本発光ダイオード1による上述した効果について、図1及び図2に示した構成を有する発光ダイオード1においてメサ深さd2を変えて行った具体的な実施例を用いて説明する。以下の各実施例では、半導体基体10のチップサイズを280μm×280μmの正方形状、その全体での厚さを175μm、pn接合の深さとなるp型半導体層11の層厚d1を12μmとした。
【0051】
また、第1主面13上の第1電極21、及び第2主面14上の第2電極22については、いずれもAu電極とした。また、第1電極21の直径をφ120μmとした。さらに、半導体基体10の第1主面13の外縁部に形成される傾斜面15については、その幅w1を約25μmとした。このとき、傾斜面15を除く第1主面13のサイズは、約230μm×230μmである。
【0052】
以上の構成条件に対して、傾斜面15のメサ深さd2及びその比d2/d1を、(A)d2=0μm、d2/d1=0、(B)d2=20μm、d2/d1=5/3、(C)d2=30μm、d2/d1=5/2、(D)d2=50μm、d2/d1=25/6と変えて、それぞれ発光ダイオード1を作成した。
【0053】
このようにメサ深さd2を変えて作成された発光ダイオード1によって得られた光出力分布を、それぞれ図3のグラフA〜Dに示す。これらのグラフA〜Dでは、発光ダイオード1から出射された光を半導体発光装置のレンズ部材6を介して、コリメート光として出力光量を測定するのではなく、発光ダイオード1単体の状態での光出射角度(横軸)に対する出射光量(縦軸)を測定して示している。
【0054】
具体的には、発光ダイオード1から300mmの位置に光量測定用のフォトダイオードを設置するとともに、このフォトダイオードに対する発光ダイオード1の角度を変えつつ各光出射角度での出射光量の測定を行って、光出射分布を作成した。この光出射角度の分布(光出射分布)は、レンズ部材6に入射する光に相当し、レンズ部材6を通過させてコリメート光としたときの光出力位置の分布(光出力分布)に反映されるものである。なお、発光ダイオード1の光軸上にフォトダイオードが設置されているときの角度が、光出射角度0°として定義されている。
【0055】
図3に示すグラフによれば、d2=0μmとして半導体基体10に対してメサエッチングを行わなかったグラフA(破線)では、0°近傍で光の出射光量が減少し、光出射角度で±30°を超える両端部でその出射光量が角状に突出する光出射分布となっている。すなわち、光ビーム径内において光出射分布の一様性が得られていない。また、d2=20μmのメサ型形状としたグラフB(一点鎖線)においても、特に−30°以下の光出射角度で、出射光量の突出が充分には改善されていない。
【0056】
これに対して、d2=30μmのメサ型形状としたグラフC(実線)では、0°近傍での光の出射光量の減少が抑制されて充分な出射光量が得られていると同時に、±30°を超える両端部での出射光量の突出が低減されて、光ビーム径内で充分に一様な光出射分布(光出力分布)が得られている。また、全体の出射光量についても、メサ型としていない通常の発光ダイオード(グラフA)とほぼ同等の光量が得られている。
【0057】
また、d2=50μmのメサ型形状としたグラフD(点線)では、光ビーム径内での光出射分布の一様性は向上されているものの、その全体の出射光量が小さくなってしまっている。また、グラフE(二点鎖線)は、d2=30μmとしたグラフCとほぼ同様の構成条件で、他の条件を若干変えて行った実施例であるが、グラフCと同様に、充分に一様な光出射分布が得られている。
【0058】
この結果に対し、さらに、傾斜面15のメサ深さd2及びその比d2/d1を、(F)d2=28μm、d2/d1=7/3、(G)d2=32μm、d2/d1=8/3、(H)d2=40μm、d2/d1=10/3と変えて、それぞれ発光ダイオード1を作成した。
【0059】
このようにメサ深さd2を変えて作成された発光ダイオード1によって得られた光出力分布を、それぞれ図4のグラフF〜Hに示す。なお、この図4には、比較のため、図3に示したグラフA及びCを合わせて示してある。これらのグラフF〜Hでは、いずれも、d2=30μmのグラフCと同様に、0°近傍での光の出射光量の減少が抑制されて充分な出射光量が得られていると同時に、±30°を超える両端部での出射光量の突出が低減されて、光ビーム径内で充分に一様な光出射分布が得られている。
【0060】
以上の結果によれば、メサ深さd2がpn接合の深さd1に対して小さいと、メサ型形状による光出力分布での一様性の改善効果が十分に得られない。一方、メサ深さd2が大きすぎると、その場合の傾斜面15の形状やpn接合の領域が小さくなることなどにより、出力光量が低下する。
【0061】
これらを考慮すると、第1主面13からのメサ深さd2を25μm以上45μm以下(pn接合からのメサ深さd2−d1を13μm以上33μm以下)、あるいは、d1=12μmのpn接合の深さに対する比でいえば、比d2/d1を2以上4以下とすることによって、レンズを通過させたときの出力光が平行度の高いコリメート光であって、かつ、光ビーム径内で充分に一様な光出力分布を有する出力光が得られることがわかる。
【0062】
また、さらに、第1主面13からのメサ深さd2を28μm以上40μm以下(pn接合からのメサ深さd2−d1を16μm以上28μm以下、比d2/d1を7/3以上10/3以下)とすることが好ましく、特に、メサ深さd2を30μm(メサ深さd2−d1を18μm、比d2/d1を5/2)とすることが好ましい。
【0063】
傾斜面15のメサ深さd2が大きくなると、上述したように光出力分布の一様性が向上される一方で、その出力光量が減少する。これに対して、pn接合の深さd1に対するメサ深さd2を上記の条件を満たす数値範囲内とすることにより、充分な出射光量の確保と、光出力分布における一様性の向上とを特に良好に両立させることができる。このメサ深さd2の値は、各半導体発光素子において、要求されている出力光量及び光出力分布などを考慮して設定することが好ましい。
【0064】
図3及び図4に示した発光ダイオード1の光出射角度の分布に対応する半導体発光装置での光出力位置の分布の例を、図5及び図6に示す。発光ダイオード1を図1に示したパッケージ5内に設置すると、発光ダイオード1から出射された光はレンズ部材6を通過することによってコリメート光となって、出力光として外部に出力される。図5及び図6に示すグラフでは、レンズ部材6から5mmの位置に光量測定用の1次元イメージセンサを設置して、光出力分布の測定を行っている。なお、上記した実施例の構成においては、光出射角度で約±30°の範囲の光が、レンズ部材6を介して出力光として出力される。
【0065】
メサ型形状としない通常の発光ダイオード1を用いた場合での図5のグラフでは、図3に示した光出射分布のグラフAと同様に、その光出力分布の両端部で出力光量が突出していることがわかる。これに対して、メサ型形状とした発光ダイオード1を用いた場合での図6のグラフでは、光ビーム径内でほぼ一様な光出力分布が得られている。
【0066】
なお、発光ダイオード1を含む半導体発光装置の全体構成については、図1に示したように、レンズ部材6が固定されたパッケージ5を用いることによって、発光ダイオード1とレンズとを確実に位置合わせし、それらの組み合わせによって、良好な光出力条件での出力光が得られる半導体発光装置が実現される。
【0067】
また、発光ダイオード1の側面等から出射される光に対してカップ状などの反射面を設けず、台部51の上面を略平坦な面としている。これにより、メサ型の発光ダイオード1の構成と合わせて、充分な出力光量を確保しつつ、レンズを通過させたときに、平行度の高い出力光を得ることができる。
【0068】
また、パッケージ5に一体に固定されているレンズ部材6は、発光ダイオード1に面して発光ダイオード1から出射された光が入射される面であるレンズ内面(第1の面)61と、レンズ内面61とは反対側で光が出射される面であるレンズ外面(第2の面)62とが、それぞれ所定のレンズ形状(面形状)となるように形成されている。このレンズ面61、62それぞれの面形状については、レンズ内面61の曲率が、レンズ外面62の曲率よりも小さいレンズ形状とすることが好ましい。
【0069】
発光ダイオード1から出射された光を集光及びコリメートする機能を、レンズ部材6の両面61、62にほぼ同等に持たせて、発光ダイオード1からの光をコリメート光に変換することも可能である。ただし、パッケージ5の内側で発光ダイオード1に面しているレンズ内面61の曲率を大きくしてしまうと、半導体発光装置の構成上問題となる場合がある。
【0070】
これに対して、上記のようにレンズ外面62の曲率が大きいレンズ部材6のレンズ形状としておけば、発光ダイオード1から出射された光は、曲率の小さいレンズ内面61で補助的に光路変換されることによって集光され、さらに、曲率の大きいレンズ外面62で最終的にコリメート光に光路変換されて出力される。これにより、発光ダイオード1からの光の利用効率が向上されるとともに、確実にコリメート光に変換することが可能となる。
【0071】
なお、レンズ内面61及びレンズ外面62の具体的なレンズ形状については、必要に応じて、球面レンズまたは非球面レンズとすることができる。例えば、レンズ内面61を曲率の小さい球面レンズとして光を集光させ、レンズ外面を曲率の大きい非球面レンズとして光をコリメートする構成などが可能である。また、レンズ内面61については、曲率を0として平面状に形成しても良い。
【0072】
上述した実施形態の発光ダイオードの製造方法について、その一例を概略的に説明しておく。図7及び図8は、図1に示した発光ダイオード1の製造方法の一例を模式的に示す工程図である。ここで、図7(a)〜(c)は、半導体基体10、第1電極21、及び第2電極22を備える発光ダイオード1の基本構造を作成する各工程を示している。また、図8(a)〜(c)は、メサエッチングによって傾斜面15を形成して、メサ型の発光ダイオード1を作成する各工程を示している。
【0073】
また、図7及び図8においては、それぞれの工程を1個の発光ダイオードについて図示しているが、実際の工程では、図7(a)〜(c)及び図8(a)〜(c)に示す各工程によって、半導体ウエハに対して複数の素子を一度に形成した後、各素子を分離することによって発光ダイオード1が得られる。
【0074】
まず、p型半導体層11及びn型半導体層12が積層された半導体基体(半導体ウエハ)10を用意する。半導体ウエハとしては、例えばAlGaAs、GaAsなどの化合物半導体基板が用いられる。そして、この半導体基体10の上下両方の主面13、14の全体に対して、所定の金属(例えばAu)からなる電極材料層31、32を形成する(図7(a))。
【0075】
次に、n型半導体層12側の第2主面14に対して、第2電極22の形成等の加工を行う(図7(b))。第2主面14上に形成された電極材料層32をパターニング処理し、カソード電極となる第2電極22を形成する。そして、第2電極22が形成されている部位を除く第2主面14に対して、所定の粗化処理液を用いて、光の反射効率を高めるための粗面処理を行う。
【0076】
同様に、p型半導体層11側の第1主面13に対して、第1電極21の形成等の加工を行う(図7(c))。第1主面13上に形成された電極材料層31をパターニング処理し、アノード電極となる第1電極21を形成する。そして、第1電極21が形成されている部位を除く第1主面13に対して、所定の粗化処理液を用いて、光の出射効率を高めるための粗面処理を行う。以上で、発光ダイオード1の基本構造を作成する各工程を終了する。
【0077】
続いて、発光ダイオード1に対してメサエッチングを行って、傾斜面15を形成する。まず、光の出射面となる第1主面13上に、円形状の第2電極21を覆うとともに、傾斜面15を形成する第1主面13の外縁部(図2(a)参照)を残すようにレジスト40を塗布する(図8(a))。
【0078】
レジスト40によるレジストパターンが形成されたら、所定のエッチング液を用いてメサエッチングを行い、上述した条件を満たすようにpn接合の深さd1に対してあらかじめ設定されたメサ深さd2となるように、傾斜面15を形成する(図8(b))。そして、形成された傾斜面15に対して、所定の粗化処理液を用いて、第1主面13と同様に、光の出射効率を高めるための粗面処理を行う(図8(c))。以上で、メサ型の発光ダイオード1を作成する各工程を終了する。そして、作成された素子をそれぞれ分離することによって、図1に示した発光ダイオード1が得られる。
【0079】
本発明による半導体発光素子及びそれを用いた半導体発光装置は、上述した実施形態及び実施例に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、第1主面、傾斜面、及び第2主面に対する粗面処理については、第1主面及び傾斜面に対して粗面処理を行うなど、上記の各面のうちで一部の面のみを粗面とする構成としても良い。また、半導体発光素子のサイズなどの具体的な構成条件については上記した実施例に限らず、要求される光出力条件に応じて、それぞれ好適な構成条件に設定すれば良い。
【0080】
【発明の効果】
本発明による半導体発光素子及びそれを用いた半導体発光装置は、以上詳細に説明したように、次のような効果を得る。すなわち、第1半導体層及び第2半導体層によるpn接合を含む半導体基体を、pn接合の深さに対するメサ深さの比が2以上4以下となる条件、あるいは、第1主面からのメサ深さが25μm以上45μm以下、またはpn接合からのメサ深さが13μm以上33μm以下となる条件を満たすように形成された傾斜面を有するメサ型形状とした半導体発光素子によれば、半導体発光素子自体からの出射光の光ビーム径が小さく、レンズを通過されたときに、平行度の高いコリメート光であって、光ビーム径内で充分に一様な光出力分布を有する出力光が得られるとともに、その製造効率が向上される半導体発光素子、及び半導体発光装置が実現される。
【0081】
このような半導体発光装置は、例えば角度センサである透過型光学式エンコーダなどの光学センサに対して適用することが可能である。特に、好適な光出力条件での出力光が得られると同時に、その製造効率が向上されることによって、充分な数量の半導体発光装置を低コストで供給することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】発光ダイオードを用いた半導体発光装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。
【図2】図1に示した半導体発光装置に用いられている発光ダイオードの(a)上面図、及び(b)底面図である。
【図3】メサ深さを変えて作成された発光ダイオードによって得られた光出力分布を比較するグラフである。
【図4】メサ深さを変えて作成された発光ダイオードによって得られた光出力分布を比較するグラフである。
【図5】通常の発光ダイオードを用いた半導体発光装置での光出力分布の一例を示すグラフである。
【図6】図1に示した半導体発光装置での光出力分布の一例を示すグラフである。
【図7】図1に示した発光ダイオードの製造方法の一例を模式的に示す工程図である。
【図8】図1に示した発光ダイオードの製造方法の一例を模式的に示す工程図である。
【符号の説明】
1…発光ダイオード、10…半導体基体、11…p型半導体層(第1半導体層)、12…n型半導体層(第2半導体層)、13…第1主面、14…第2主面、15…傾斜面、21…第1電極(アノード電極)、22…第2電極(カソード電極)、
5…パッケージ、51…台部、52…側部、6…レンズ部材、61…レンズ内面(第1の面)、62…レンズ外面(第2の面)。
Claims (6)
- 第1導電型を有する第1半導体層、及び第2導電型を有する第2半導体層が積層され、前記第1半導体層及び前記第2半導体層の接合面によってpn接合が形成されている半導体基体と、
前記半導体基体の前記第1半導体層側の面で、前記半導体基体内からの光が出射される第1主面上に形成された第1電極と、
前記半導体基体の前記第2半導体層側の面で、前記第1主面とは反対側の第2主面上に形成された第2電極と、を備え、
前記半導体基体は、前記第1主面の外縁部に前記第1主面から側面にわたる傾斜面が形成されたメサ型形状を有するとともに、前記第1半導体層の層厚d1が12μm、前記第1主面からの前記傾斜面の前記第1主面とは反対側の端部までのメサ深さd2が25μm以上45μm以下、かつ、前記接合面からの前記傾斜面の前記第1主面とは反対側の端部までのメサ深さd2−d1が13μm以上33μm以下であり、前記傾斜面は略円弧状の垂直断面形状を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記半導体基体における前記第1主面からの前記傾斜面の前記第1主面とは反対側の端部までのメサ深さd2が28μm以上40μm以下、かつ、前記接合面からの前記傾斜面の前記第1主面とは反対側の端部までのメサ深さd2−d1が16μm以上28μm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第1主面及び前記傾斜面が、前記半導体基体内からの光の出射効率が略平坦な面に比べて高くなるように粗面処理されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光素子。
- 前記第2主面が、前記半導体基体内からの光が前記第2主面によって反射される反射効率が略平坦な面に比べて高くなるように粗面処理されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体発光素子。
- 請求項1〜4のいずれか一項記載の半導体発光素子と、
前記半導体発光素子がその内部に位置決めして設置されるパッケージと、
前記半導体発光素子の前記第1主面に面し、前記半導体発光素子と光軸が一致するように前記パッケージに一体に固定されたレンズ部材と、
を備えることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記レンズ部材は、前記半導体発光素子から出射された光が入射される第1の面の曲率が、前記第1の面とは反対側で光が出射される第2の面の曲率よりも小さいレンズ形状によって形成されていることを特徴とする請求項5記載の半導体発光装置。
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