CN217740554U

CN217740554U - 发光二极管

Info

Publication number: CN217740554U
Application number: CN202221631454.5U
Authority: CN
Inventors: 傅元慧; 陈怡宏; 胡秦祥
Original assignee: Yuanmao Photoelectric Science & Technology Wuhan Co ltd
Current assignee: Yuanmao Photoelectric Science & Technology Wuhan Co ltd
Priority date: 2022-06-27
Filing date: 2022-06-27
Publication date: 2022-11-04
Anticipated expiration: 2032-06-27

Abstract

本实用新型公开了一种发光二极管，包括：衬底、不透光反射层、内外延层、外外延层、不导电层、欧姆金属体、第一电极及第二电极。内外延层与外外延层通过间隔空间相分离。自发光二极管的上方观看，出光孔被间隔空间形成的封闭路径所围绕。在垂直于该封闭路径的断面上，内外延层的外壁与不透光反射层的顶面的法线的夹角为2至30度，外外延层的内壁与不透光反射层的顶面的法线的夹角为2至30度。间隔空间具有将电流及发光区域阻绝于内外延层的效果。通过将由内外延层侧面发出的光线导向发光二极管顶侧，发光二极管具有低侧光比。

Description

发光二极管

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管，特别涉及一种利用间隔空间将外延层电流阻绝以降低侧面出光的发光二极管。

背景技术

光学编码器是电子及机械元件中常用的感测装置，用于感测元件的移动及转动状态。光学编码器具有码盘、光信号产生器、光感测器等元件。码盘上具有多个透光区及非透光区。通过码盘的转动使光感测器接收到特定的光信号，并通过光感测器将光信号转换为电信号而判断元件的位移。

发光二极管(LED)常作为反射式编码器的光信号产生器。如图1所示，当发光二极管E用于图1所示的反射式编码器RE时，发光二极管E 所发出的光线L会经由上方码盘ED的不透光区反射至光感测器D。由于发光二极管E和光感测器D位于同一侧，发光二极管E的侧面出光SL会被光感测器接收而形成杂讯并影响量测精度。因此，如何降低发光二极管的侧面出光是一个课题。

实用新型内容

为改善现有技术不足之处，本实用新型的申请人研究并设计出一种发光二极管，包括：一衬底，具有一顶面及一底面，该顶面与该底面为相互位于彼此的背侧；一不透光反射层，形成于该衬底的顶面；一外延层，该外延层包括一内外延层及一外外延层，该内外延层形成于一部分该不透光反射层的顶面，该外外延层形成于一部分该不透光反射层的顶面并围绕该内外延层，该内外延层与该外外延层不相接触，该内外延层与该外外延层之间具有一间隔空间，其中，自该发光二极管的上方观看，该间隔空间形成一封闭路径，在垂直于该封闭路径的断面上，该内外延层的外壁、该外外延层的内壁及一部分该不透光反射层的顶面界定出一倒梯形截面，该倒梯形截面的两侧边为各自由内外延层的外壁及外外延层的内壁界定而成，该倒梯形截面的底边由一部分该不透光反射层的顶面界定而成，该内外延层的外壁与该不透光反射层的顶面的法线的夹角为2至30度，该外外延层的内壁与该不透光反射层的顶面的法线的夹角为2至30度；一不导电层，覆盖该内外延层的顶面及外壁、该外外延层的顶面及内壁，以及覆盖该内外延层及该外外延层间的不透光反射层的顶面，该不导电层为透光材质；一欧姆金属体，设置于该不导电层中，该欧姆金属体与该内外延层电性连接；一第一电极，与该欧姆金属体电性连接，该第一电极为反光材质，该第一电极中形成有一圆形的出光孔，该出光孔位于该发光二极管的顶侧，其中，自该发光二极管的上方观看，该出光孔被该间隔空间形成的封闭路径所围绕；以及一第二电极，与该内外延层电性连接。

在本实用新型的发光二极管的一实施例中，该第一电极设于该不导电层覆盖于该内外延层的顶面及外壁的部位之上、设于该不导电层覆盖于该外外延层的顶面及内壁的部位之上，及设于该不导电层覆盖于该内外延层及该外外延层间的不透光反射层的顶面的部位之上。

在本实用新型的发光二极管的一实施例中，该第一电极设于该不导电层覆盖于该内外延层的顶面的部位上而不遮挡由该内外延层的外壁所发出的光，该不导电层具有一层或多层堆叠的膜，该不导电层设置成将自该内外延层的内壁发出的光线折射向该发光二极管的上方，该发光二极管进一步包括一侧光反射层，该侧光反射层设于该不导电层覆盖于该外外延层的内壁的部位上，该侧光反射层设置成将自该内外延层的外壁发出的光线反射向该发光二极管的上方。

在本实用新型的发光二极管的一实施例中，该第一电极设于该不导电层覆盖于该内外延层的顶面的部位上而不遮挡由该内外延层的外壁所发出的光，该不导电层具有一层或多层堆叠的薄膜，该不导电层设置成将自该内外延层的内壁发出的光线折射或反射向该发光二极管的上方。

在本实用新型的发光二极管的一实施例中，该不导电层由氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、二氧化钛中的一种以上的薄膜所构成。

在本实用新型的发光二极管的一实施例中，自该发光二极管的上方观看，该封闭路径为圆形，该间隔空间与该出光孔形成同心圆。

在本实用新型的发光二极管的一实施例中，该衬底为硅衬底、氧化铝衬底或氮化铝衬底。

在本实用新型的发光二极管的一实施例中，该外延层的材质为磷化铝铟镓(AlInGaP)或砷化镓铝(AlGaAs)。

本实用新型的发光二极管利用间隔空间将通电时的电流及发光区域局限于内外延层。在一些实施例中，发光二极管通过反光的第一电极覆盖于内外延层的顶面及外壁，阻挡及反射由内外延层发出的光线，使光线无法内外延层的侧面发出，并将光线导向发光二极管顶侧的出光孔。在一些实施例中，发光二极管通过单层或多层堆叠、倾斜设置的、透光材质的不导电层及倾斜设置的、反光材质的侧光反射层将内外延层的侧面出光导向发光二极管的顶面。本实用新型中公开多个将发光二极管通电时的侧面出光导向发光二极管的顶面的技术手段，本实用新型的发光二极管具有较低的侧光比。本实用新型的发光二极管应用于反射式编码器时，可降低光感测器的杂讯，减少发生感测误差的机率。

附图说明

图1为反射式编码器的示意图；

图2A为本实用新型的发光二极管的一实施例的示意前视图，为图2B 中沿B-B连线的剖视图；

图2B为图2A中的发光二极管实施例的上视图；

图2C为图2A中的发光二极管省略了不导电层、欧姆金属体、第一电极及第二电极后的结构示意图，显示本实用新型的发光二极管的内外延层的外壁及外外延层的内壁相对于不透光反射层的顶面的角度。图2C为图2D沿C-C连线的剖面图；

图2D为图2C中的结构的上视图；

图3为本实用新型的发光二极管的另一实施例的前视剖面示意图；

图4为本实用新型的发光二极管的另一实施例的前视剖面示意图；

图5为本实用新型的发光二极管的制造方法的步骤流程图；

图6A至图6I为本实用新型的发光二极管的各元件形成过程的示意图，其中图6D1为图6D2中沿D-D连线的剖面图；

图7A为本实用新型的发光二极管的芯片在未封装的裸晶状态下进行光电测试的光功率-电流的结果曲线图；

图7B为本实用新型的发光二极管的芯片在未封装的裸晶状态下进行光电测试的电压-电流的结果曲线图；

图8为本实用新型的发光二极管在顺向电流20mA的条件下的光功率分布极坐标图。

附图标记说明：

100-发光二极管；

1-衬底；

S1-顶面；

S2-底面；

2-不透光反射层；

21-顶面；

3-外延层；

31-内外延层；

311-外壁；

31t-顶面；

32-外外延层；

321-内壁；

32t-顶面；

4-不导电层；

5-欧姆金属体；

61-第一电极；

62-第二电极；

A-出光孔；

V-间隔空间；

T-凹槽；

R-封闭路径；

N-法线；

θ1-夹角；

θ2-夹角；

SP1～SP9-步骤；

SP8A-步骤；

SP8B-步骤；

100A-发光二极管；

63-侧光反射层；

100B-发光二极管；

64-打线部；

L1-光线；

L2-侧光；

RE-反射式编码器；

E-发光二极管；

D-光感测器；

L-光线；

SL-侧面出光。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本实用新型作进一步的详细说明。

有关本实用新型的详细说明和技术内容，配合附图说明如下，然而所附附图仅提供参考与说明用，以帮助理解本实用新型，非用于限制本实用新型的范围。

请参阅图2A和图2B，在本实用新型的发光二极管的一个实施例中，发光二极管100包括：一衬底1、一不透光反射层2、一外延层3、一不导电层4、一欧姆金属体5、一第一电极61及一第二电极62。

衬底1具有相互位于彼此背侧的顶面S1及底面S2。该衬底1可为硅衬底，还可为氧化铝(Al₂O₃)衬底或氮化铝(AlN)衬底。

不透光反射层2形成于该衬底1的顶面S1，用于将反射该内外延层 31所发出的光向上反射。不透光反射层2的材质可为金属，可通过适当的沉积技术形成于该衬底1的顶面S1。

图2C和图2D为图2A和图2B中的发光二极管100省略了不导电层 4、欧姆金属体5、第一电极61及第二电极62后的结构。外延层3包括一内外延层31及一外外延层32。内外延层31形成于一部分该不透光反射层 2的顶面21。外外延层32形成于一部分该不透光反射层2的顶面21并围绕该内外延层31。该内外延层31与该外外延层32不相接触。该内外延层 31与该外外延层32间具有一间隔空间V。如图6C、图6D1、图6D2所示，在不透光反射层2的顶面形成外延层3后，可通过将外延层3的部分材料去除而形成该间隔空间V、该内外延层31及该外外延层32。外延层3的材料可为磷化铝铟镓(AlInGaP)或砷化镓铝(AlGaAs)，通过适当的外延技术生长于该不透光反射层2上。外延层3中具有p型掺杂区域、n型掺杂区域及发光区域(图未示)，在电流通过时可发出光线。

如图2B和图2D所示，自该发光二极管100的上方观看，该间隔空间V形成一封闭路径R。图2B所呈现的实施例中，该封闭路径R为圆形。该封闭路径R还可为方形或其他封闭的形状。如图2C所示，在垂直于该封闭路径R的断面上，该内外延层31的外壁311、该外外延层32的内壁 321及一部分该不透光反射层2的顶面21界定出一倒梯形截面。该倒梯形截面的两侧边为各自由内外延层31的外壁311及外外延层32的内壁321 界定而成，该倒梯形截面的底边由一部分该不透光反射层2的顶面21界定而成。该内外延层31的外壁311与该不透光反射层2的顶面21的法线 N的夹角θ1为2至30度，该外外延层32的内壁321与该不透光反射层2 的顶面21的法线N的夹角θ2为2至30度。

不导电层4覆盖该内外延层31的顶面31t及外壁311、该外外延层32 的顶面32t及内壁321，以及覆盖该内外延层31及该外外延层32间的不透光反射层2的顶面21。不导电层4的材质为透光材质，可由单层或多层薄膜堆叠而成(图未示)。不导电层4可由氮化硅(SiN_y)、氮氧化硅(SiON)、二氧化硅(SiO₂)、二氧化钛(TiO₂)中的一种以上的薄膜形成。

欧姆金属体5设置于该不导电层4中，该欧姆金属体5与该内外延层 31电性连接。该欧姆金属体5的材质可为适合与该内外延层31形成欧姆接触及导电的金属或合金。

第一电极61与该欧姆金属体5电性连接。第二电极62与该内外延层 31电性连接。依据该衬底1及该不透光反射层2的导电性，该第二电极 62可设置于该衬底1的底面S2，直接通过该衬底1及该不透光反射层2 与该内外延层31电性连接，或者利用适当的通孔及导体结构(图未示) 与该内外延层31电性连接。发光二极管100通过第一电极61及第二电极62连接至一外部电路，以接收一外部电压。本实施例中，第一电极61设于发光二极管100的顶侧，第二电极62设于发光二极管100的底侧(衬底1的底面S2)，第一电极61与第二电极62的材质各自可为适合与该欧姆金属体5及该内外延层31形成欧姆接触及导电的金属或合金。

该第一电极为反光材质，在该第一电极61中形成有一圆形的出光孔A。该出光孔A用于供该内外延层31所发出的光线发出。如图2B所示，自该发光二极管100的上方观看，该出光孔A被该间隔空间V形成的封闭路径R所围绕。该间隔空间V与该出光孔A形成同心圆。

由于该内外延层31与该外外延层32不相接触，通电时的电流会局限于内外延层31而提升发光二极管100的输出功率。在该内外延层31侧面无遮挡、可以出光的结构中，内外延层31与外外延层32之间界定出的倒梯形截面形状可将由内外延层31侧面(外壁311)发出的光导向发光二极管100上方的方向。该内外延层31的外壁311与该不透光反射层2的顶面21的法线N的夹角为2至30度时，以及该外外延层32的内壁321与该不透光反射层2的顶面21的法线N的夹角为2至30度时，比其他角度具有较低的侧光。

在图2A所示的发光二极管100中，该第一电极61设于该不导电层4 覆盖于该内外延层31的顶面31t及外壁311的部位之上、设于该不导电层 4覆盖于该外外延层32的顶面32t及内壁321的部位之上，及设于该不导电层4覆盖于该内外延层31及该外外延层32间的不透光反射层2的顶面 21的部位之上。发光二极管100中，第一电极61可遮挡由该内外延层31 的顶面31t及绝大部分由外壁311离开的光并将其反射回内外延层31，使绝大部分该内外延层31发出的光由该出光孔A射出该发光二极管100。另外，该第一电极61不覆盖至外外延层32的外侧可避免与发光二极管100 的边缘距离过近而造成元件的漏电失效。

图3的发光二极管100A为该内外延层31侧面无遮挡、可以出光的一个实施例。发光二极管100A中，该第一电极61设于该不导电层4覆盖于该内外延层31的顶面31t的部位上而不遮挡由该内外延层31的外壁311 所发出的光。该不导电层4为透光材质，为一层或多层的薄膜组成(图未示)，不导电层4可由氮化硅(SiN_y)、氮氧化硅(SiON)、二氧化硅(SiO₂)、二氧化钛(TiO₂)中一种以上的薄膜构成。利用该不导电层4的一层或多层的薄膜的折射率可以调整光线的折射情况，以将自该内外延层31的侧面(外壁311)发出的光线折射向该发光二极管100A的上方，如图中箭头所示。

该发光二极管100A进一步包括一侧光反射层63，该侧光反射层63 设于该不导电层4覆盖于该外外延层32的内壁321的部位上。该侧光反射层63设置成将自该内外延层31的外壁311发出的光线反射向该发光二极管100A的上方，可将未完全被该不导电层4导向发光二极管100上方的光线L1向上反射。该第一电极61与该侧光反射层63可使用相同的反光材质，于同一沉积工艺(如：蒸镀)中完成。该侧光反射层63优选的材料为金属，但并不限于金属。该侧光反射层63可延伸至该不导电层4 覆盖于该外外延层32的顶面32t的部位上，还可延伸至该不导电层4覆盖于该内外延层31及该外外延层32间的不透光反射层2的顶面21的部位。另外，该侧光反射层63可为导电材质以供打线，并通过透明的导电层(如：铟锡氧化物(ITO))或线路与该第一电极61电性连接(图未示)。

在图4的发光二极管100B为该内外延层31侧面可以出光的另一个实施例。发光二极管100B中，该第一电极61设于该不导电层4覆盖于该内外延层31的顶面31t的部位上而不遮挡由该内外延层31的外壁311所发出的光。发光二极管100B与图3中的发光二极管100A的差异在于未设置有该侧光反射层63，均通过不导电层4以将自该内外延层31的外壁311 发出的光线折射或反射向该发光二极管100B的上方。如图4所示，此种发光二极管100B的结构会产生些微的侧光L2。另外，发光二极管100B 可视需要设有可导电的打线部64以供打线，并通过透明的导电层(如：铟锡氧化物(ITO))或线路与该第一电极61电性连接(图未示)。

本实用新型的发光二极管制造方法的步骤流程整理于图5中。图6A 至图6I中示意了本实用新型的发光二极管制造方法的各元件的形成过程。

本实用新型的发光二极管制造方法包括下列步骤：

步骤SP1：提供一衬底1。如图6A所示。

步骤SP2：形成一不透光反射层2于衬底1的顶面S1。如图6B所示。

步骤SP3：形成一外延层3于不透光反射层的顶面21。如图6C所示。

步骤SP4：去除外延层3的部分材料至不透光反射层2露出，使该外延层3分离为一内外延层31及一外外延层32，该外外延层32围绕该内外延层31，如图6D1、图6D2所示。该外延层3被去除的部分形成一间隔空间V，自外延层3上方观看，该间隔空间V形成一封闭路径R。在垂直于该封闭路径R的断面上，该内外延层31的外壁311、该外外延层32的内壁321及一部分该不透光反射层2的顶面21界定出一倒梯形截面。该倒梯形截面的两侧边为各自由内外延层31的外壁311及外外延层32的内壁321界定而成，该倒梯形截面的底边由一部分该不透光反射层2的顶面 21界定而成。该内外延层31的外壁311与该不透光反射层2的顶面21的法线N的夹角θ1为2至30度，该外外延层32的内壁321与该不透光反射层2的顶面21的法线N的夹角θ2为2至30度。去除该外延层3的部分材料的方式可为使用药水对该外延层3进行蚀刻，或使用感应耦合等离子体(ICP)对该外延层3进行蚀刻。

步骤SP5：形成一不导电层4，使该不导电层4覆盖该内外延层31的顶面31t及外壁311、该外外延层32的顶面32t及内壁321，以及覆盖该内外延层31及该外外延层32间的不透光反射层2的顶面21，如图6E所示。该不导电层4为透光材质。在一些实施例中，该不导电层4可由一层膜形成或由多层膜堆叠而形成。该不导电层4可由氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、二氧化钛中一种以上的薄膜所形成。

步骤SP6：去除该不导电层4的部分材料，如图6F所示。在不导电层4形成后，可通过对不导电层4进行光刻及蚀刻而去除该不导电层4的部分材料，形成凹槽T。

步骤SP7：在该不导电层4所去除材料的部位(凹槽T中)形成一欧姆金属体5，使该欧姆金属体5与该内外延层31电性连接，如图6G所示。欧姆金属体5可通过蒸镀方式形成。欧姆金属体5形成后，可采用剥离 (lift-off)工艺。

步骤SP8：形成一第一电极61，使该第一电极61与该欧姆金属体5 电性连接，并穿过该第一电极61形成一出光孔A，如图6H所示。第一电极61可采蒸镀(evaporation)的方式沉积形成。出光孔A的形成可采用剥离(lift-off)工艺将第一电极61的部分材料去除而形成。如图2B所示，从发光二极管上方观看，出光孔A被该间隔空间V形成的封闭路径R所围绕。

在步骤SP8中，可调整该第一电极61的沉积区域，以形成如图2A的发光二极管100，图3的发光二极管100A或图4的发光二极管100B。在图2A的发光二极管100中，该第一电极61形成于该不导电层4覆盖于该内外延层31的顶面31t及外壁311的部位之上、形成于该不导电层4覆盖于该外外延层32的顶面32t及内壁321的部位之上，及形成于该不导电层 4覆盖于该内外延层31及该外外延层32间的不透光反射层2的顶面21 的部位之上。在图3的发光二极管100A及图4的发光二极管100B中，该第一电极61形成于该不导电层4覆盖于该内外延层31的顶面31t的部位上。

对于图3的发光二极管100A，可进一步包括一步骤SP8A：形成一侧光反射层63于该不导电层4覆盖于该外外延层32的内壁321的部位上。该侧光反射层63可与该第一电极61在同一道工艺中沉积完成，或者个别进行沉积。对于侧光反射层63作为打线位置的情形，可另外形成将侧光反射层63与该第一电极61电性连接的透明导电层(如：铟锡氧化物(ITO)) 或线路(图未示)。

对于图4的发光二极管100B，可视需要进一步包括一步骤SP8B：形成一打线部64于该不导电层4覆盖于该外外延层32的顶面32t的部位上，并形成将打线部64与该第一电极61电性连接的透明导电层(如：铟锡氧化物(ITO))或线路(图未示)。

步骤SP9：形成一第二电极62，使该第二电极62与该内外延层31电性连接，如图6I所示。第二电极62可采蒸镀的方式沉积形成。

以下是针对本实用新型的发光二极管100的光电性测试结果。本实用新型的发光二极管100的功效可通过光电测试结果而展现。光电性测试可使用市面上可得的晶粒测试机及积分球系统进行测试。

光电性测试所使用的发光二极管100的芯片规格值整理于下表1：

表1

	发光二极管100
		极性	N-up(外延层中N型掺杂区域在上方)
芯片尺寸(mil)	11.5x7.5
		出光孔尺寸(μm)	70
厚度(μm)	190

发光二极管100在未封装的裸晶状态下进行光电测试的光功率-顺向电流及顺向电压-顺向电流的结果曲线如图7A及图7B所示，其中图7A 的纵坐标光功率(mW)表示出光口射出的光功率加上侧光功率的值。图7A 及图7B中，顺向电流20mA时各芯片的顺向电压、光功率以及饱和电流列于下表2：

表2

	发光二极管100
		顺向电压(V)	1.62
出光口射出的光功率+侧光功率(mW)	3.25
		峰值波长(nm)	852.9
饱和电流(mA)	250

将发光二极管100封装成To-Can形式后，在顺向电流20mA的条件测试下的顺向电压、光功率、侧光比、峰值波长及发光角度整理于下表3：

表3

在顺向电流20mA的条件下，发光二极管100的光功率分布极坐标图请参见图8。表3中的发光角度为指图8中50％光功率的功率角。侧光比指侧光功率和出光口射出的光功率与侧光功率总和的比值。由以上数据可知，封装成To-Can形式后，在顺向电流20mA的条件下，发光二极管100 具有低的侧光比，小于1％。

由以上测试结果可知，本实用新型的发光二极管以间隔空间阻绝内外延层电流的构造可有效降低芯片的侧面出光，使芯片具有较低侧光比。因此，本实用新型的发光二极管应用于反射式编码器时，可降低光感测器的杂讯，减少发生感测误差的机率。

须了解到，本说明书中及权利要求中，“上方”、“顶面”、“顶侧”、“上视图”、“仰视图”、“侧面”、“外侧”为相对位置用语，为基于各元件在附图中所呈现的相对位置而描述，以便于描述及理解本实用新型，而非意在限定本实用新型的发光二极管的各元件及特征的绝对位置。

以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

一衬底，具有一顶面及一底面，该顶面与该底面相互位于彼此的背侧；

一不透光反射层，形成于该衬底的顶面；

一外延层，该外延层包括一内外延层及一外外延层，

该内外延层形成于一部分该不透光反射层的顶面，

该外外延层形成于一部分该不透光反射层的顶面并围绕该内外延层，该内外延层与该外外延层不相接触，该内外延层与该外外延层之间具有一间隔空间，其中，自该发光二极管的上方观看，该间隔空间形成一封闭路径，在垂直于该封闭路径的断面上，该内外延层的外壁、该外外延层的内壁及一部分该不透光反射层的顶面界定出一倒梯形截面，该倒梯形截面的两侧边为各自由内外延层的外壁及外外延层的内壁界定而成，该倒梯形截面的底边由一部分该不透光反射层的顶面界定而成，该内外延层的外壁与该不透光反射层的顶面的法线的夹角为2至30度，该外外延层的内壁与该不透光反射层的顶面的法线的夹角为2至30度；

一不导电层，覆盖该内外延层的顶面及外壁、该外外延层的顶面及内壁，以及覆盖该内外延层及该外外延层间的不透光反射层的顶面，该不导电层为透光材质；

一欧姆金属体，设置于该不导电层中，该欧姆金属体与该内外延层电性连接；

一第一电极，与该欧姆金属体电性连接，该第一电极为反光材质，该第一电极中形成有一圆形的出光孔，该出光孔位于该发光二极管的顶侧，其中，自该发光二极管的上方观看，该出光孔被该间隔空间形成的封闭路径所围绕；以及

一第二电极，与该内外延层电性连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，其中该第一电极设于该不导电层覆盖于该内外延层的顶面及外壁的部位之上、设于该不导电层覆盖于该外外延层的顶面及内壁的部位之上，及设于该不导电层覆盖于该内外延层及该外外延层间的不透光反射层的顶面的部位之上。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，其中该第一电极设于该不导电层覆盖于该内外延层的顶面的部位上而不遮挡由该内外延层的外壁所发出的光，该不导电层具有一层或多层堆叠的膜，该不导电层设置成将自该内外延层的内壁发出的光线折射向该发光二极管的上方，该发光二极管进一步包括一侧光反射层，该侧光反射层设于该不导电层覆盖于该外外延层的内壁的部位上，该侧光反射层设置成将自该内外延层的外壁发出的光线反射向该发光二极管的上方。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，其中该第一电极设于该不导电层覆盖于该内外延层的顶面的部位上而不遮挡由该内外延层的外壁所发出的光，该不导电层具有一层或多层堆叠的薄膜，该不导电层设置成将自该内外延层的内壁发出的光线折射或反射向该发光二极管的上方。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，其中该不导电层由氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、二氧化钛中的一种以上的薄膜所构成。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，其中，自该发光二极管的上方观看，该封闭路径为圆形，该间隔空间与该出光孔形成同心圆。

7.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，其中该衬底为硅衬底、氧化铝衬底或氮化铝衬底。

8.根据权利要求2或3所述的发光二极管，其特征在于，其中该外延层的材质为磷化铝铟镓(AlInGaP)或砷化镓铝(AlGaAs)。