JP2023096800A - Ptcヒータおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】昇温特性に優れ、一定電流で動作するPTCヒータおよびその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックPTC素子11上に厚膜抵抗体層14が形成されたPTCヒータ10であって、セラミックPTC素子11の主面上に形成された第1電極層12と、第1電極層上において一部領域を残して形成された第1絶縁層13と、第1絶縁層13および第1電極層上の一部領域上に形成された厚膜抵抗体層14と、厚膜抵抗体層上において一部領域を残して形成された第2絶縁層15と、第2絶縁層15および厚膜抵抗体層14上の一部領域上に形成された第2電極層16とを備える。【選択図】図1
Description
本発明は、PTC(Positive Temperature Coefficient)素子および抵抗体からなる複合型のPTCヒータおよびその製造方法に関する。
従来、例えば複写機のトナー定着用ヒータにPTC素子を用いたものがある(特許文献1参照)。
ところで、セラミックPTC素子では、温度上昇に伴って抵抗値が下がるNTC(Negative Temperature Coefficient)領域が存在し突入電流が発生するため、一定電流で動作するようなヒータを実現することが困難であった。
一方、導電性ポリマーを用いたいわゆるポリマーPTC素子はNTC領域は存在しないものの、200℃以上の高温では破壊に至る可能性があり、使用が困難になる問題があった。
本発明は、以上の点を考慮してなされたものであり、昇温特性に優れ、一定電流で動作するPTCヒータおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明のPTCヒータは、セラミックPTC素子上に厚膜抵抗体層が形成されたPTCヒータであって、前記セラミックPTC素子の主面上に形成された第1電極層と、前記第1電極層上において一部領域を残して形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層および前記第1電極層上の前記一部領域上に形成された厚膜抵抗体層と、前記厚膜抵抗体層上において一部領域を残して形成された第2絶縁層と、前記第2絶縁層および前記厚膜抵抗体層上の前記一部領域上に形成された第2電極層と、を備えることを特徴とする。
この構成によれば、セラミックPTC素子上に厚膜抵抗体層を形成することで、その合成抵抗により突入電流を抑制し、一定電流動作を可能としている。しかも、厚膜抵抗体層を第1および第2絶縁層によって挟む構成としたことにより、厚膜抵抗体層の厚みを薄くしても、所望の耐電圧(絶縁耐力)を確保することができる。また、上記のとおり、厚膜抵抗体層上に第1電極層および第1絶縁層と、第2電極層および第2絶縁層とを形成することで小型かつ昇温特性に優れたPTCヒータを実現できる。
また本発明のPTCヒータは、上記構成において、前記第1電極層および前記第2電極層は、アルミニウム層であり、前記第1絶縁層および前記第2絶縁層は、ガラス層であることを特徴とする。
この構成によれば、第1電極層、第2電極層、第1絶縁層および第2絶縁層を印刷工程により形成することができるため、すべての層を印刷により形成した後、まとめて焼き付け工程を行うことで、容易にPTCヒータを製造することができる。
また本発明のPTCヒータの製造方法は、セラミックPTC素子上に厚膜抵抗体層が形成されたPTCヒータの製造方法であって、前記セラミックPTC素子の主面上に第1電極層を印刷する工程と、前記第1電極層上において一部領域を残して第1絶縁層を印刷する工程と、前記第1絶縁層および前記第1電極層上の前記一部領域上に厚膜抵抗体層を印刷する工程と、前記厚膜抵抗体層上において一部領域を残して第2絶縁層を印刷する工程と、前記第2絶縁層および前記厚膜抵抗体層上の前記一部領域上に第2電極層を印刷する工程と、前記第1電極層と、前記第1絶縁層と、前記厚膜抵抗体層と、前記第2絶縁層と、前記第2電極層とをまとめて焼き付ける工程とを備えることを特徴とする。
この製造方法によれば、第1電極層、第2電極層、第1絶縁層および第2絶縁層を印刷工程により形成することができるため、すべての層を印刷により形成した後、まとめて焼き付け工程を行うことで、容易にPTCヒータを製造することができる。
本発明によると、昇温特性に優れ、一定電流で動作するPTCヒータおよびその製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について、添付図面に基づき詳細に説明する。
図1に示すように、PTCヒータ10においては、セラミックPTC素子11の上面に電極12(本発明の「第1電極」に相当)が形成されている。電極12の上には、ガラス膜13(本発明の「第1絶縁層」に相当)が積層形成されている。ガラス膜13は、図中右端縁に達しているが、左端縁からは離隔しており、当該左端縁には形成されていない。すなわち、電極12は、右端縁から所定領域はガラス膜13によって覆われているが、左端縁においては、ガラス膜13によって覆われていない。
図1に示すように、PTCヒータ10においては、セラミックPTC素子11の上面に電極12(本発明の「第1電極」に相当)が形成されている。電極12の上には、ガラス膜13(本発明の「第1絶縁層」に相当)が積層形成されている。ガラス膜13は、図中右端縁に達しているが、左端縁からは離隔しており、当該左端縁には形成されていない。すなわち、電極12は、右端縁から所定領域はガラス膜13によって覆われているが、左端縁においては、ガラス膜13によって覆われていない。
このように左端縁においてガラス膜13が形成されていない電極12上に厚膜抵抗体層14が積層形成されており、電極12は左端縁のガラス膜13が形成されていない領域において厚膜抵抗体層14に接触し、その他の右端縁側の領域ではガラス膜13が介在することで厚膜抵抗体層14に接触しない状態となっている。この場合、電極12は、左端縁の僅かな領域のみにおいて厚膜抵抗体層14と導通し、それ以外の領域ではガラス膜13が介在する分、厚膜抵抗体層14の耐電圧を大きくすることができる。
厚膜抵抗体層14は、主にルテニウムおよびガラスにより組成され、図2に示すように、平面形状が四角形形状に形成されており、その厚みが10~20μmとなっている。
厚膜抵抗体層14の上にはガラス膜15(本発明の「第2絶縁層」に相当)および電極16(本発明の「第2電極」に相当)が形成されている(図1)。ガラス膜15は、図中左端縁に達しているが、右端縁からは離隔しており、当該右端縁には電極16が形成されていない。すなわち、電極16は、左端縁から所定領域はガラス膜15を介在して厚膜抵抗体層14に接触しない状態となっているのに対して、右端縁においては、ガラス膜15が介在せずに厚膜抵抗体層14に接触している。この場合、電極16は、右端縁の僅かな領域のみにおいて厚膜抵抗体層14と導通し、それ以外の領域ではガラス膜15が介在する分、厚膜抵抗体層14の耐電圧を大きくすることができる。
このように、厚膜抵抗体層14の上下にガラス膜を成膜することにより、上下方向(電極16、厚膜抵抗体層14、電極12の方向)に通電させる構成において、厚膜抵抗体層14の厚みを薄くしても耐電圧を大きくすることができる。
次に、このPTCヒータ10の製造方法について説明する。
直方体形状のセラミックPTC素子11の両主表面にアルミニウムペーストを印刷し乾燥させることにより電極12、17を形成する。その後、電極12上の所定領域(電極12と厚膜抵抗体層14とを接続する一部領域を除いた領域)にガラスペーストを印刷し乾燥させることによりガラス膜13を形成する。次に、ガラス膜13および当該ガラス膜13が形成されていない電極12上に厚膜抵抗体層14を印刷により形成し乾燥させる。次に、厚膜抵抗体層14上の所定領域(電極16と厚膜抵抗体層14とを接続する一部領域を除いた領域)にガラスペーストを印刷し乾燥させることよりガラス膜15を形成する。次に、ガラス膜15の上およびガラス膜15が形成されていない厚膜抵抗体層14の上にアルミニウムペーストを印刷し乾燥させることにより電極16を形成する。
直方体形状のセラミックPTC素子11の両主表面にアルミニウムペーストを印刷し乾燥させることにより電極12、17を形成する。その後、電極12上の所定領域(電極12と厚膜抵抗体層14とを接続する一部領域を除いた領域)にガラスペーストを印刷し乾燥させることによりガラス膜13を形成する。次に、ガラス膜13および当該ガラス膜13が形成されていない電極12上に厚膜抵抗体層14を印刷により形成し乾燥させる。次に、厚膜抵抗体層14上の所定領域(電極16と厚膜抵抗体層14とを接続する一部領域を除いた領域)にガラスペーストを印刷し乾燥させることよりガラス膜15を形成する。次に、ガラス膜15の上およびガラス膜15が形成されていない厚膜抵抗体層14の上にアルミニウムペーストを印刷し乾燥させることにより電極16を形成する。
このようにして各層を形成した後、全体に対して1回の焼き付けを行うことにより、PTCヒータ10を製造することができる。なお、焼き付け条件は、850℃、10分間とした。
本実施形態においては、セラミックPTC素子11の一方面に対して電極17を、セラミックPTC素子11の他方面に対して電極12、ガラス膜13、厚膜抵抗体層14、ガラス膜15、電極16について順次印刷、乾燥する工程を繰り返し、最後に1回の焼き付け工程を行うことで、複数回の焼き付けを行う必要がなく、容易にPTCヒータ10を製造することができる。
以上の構成において、セラミックPTC素子11に対して直列に厚膜抵抗体層14を接続し、厚膜抵抗体層14をガラス膜13、15で挟む構成としたことにより、薄い厚み(例えば10~20μm)の厚膜抵抗体層14を用いても、所望の耐電圧を確保することができ、これにより、一定電流で動作する昇温特性に優れたヒータを実現できる。
具体的には、従来、突入電流を抑制するためには相応の抵抗値を有する固定抵抗が必要であったが、そのような固定抵抗はサイズが大きく、熱伝導性に劣っていた。その結果としてPTC素子が必要な温度に上昇するまでにかかる時間を短くすることが困難であり、昇温特性が劣っていたが、本実施形態のPTCヒータ10では、セラミックPTC素子11に薄い(10~20μm)厚膜抵抗体層14を成膜するとともに、電極12、16と接続する一部領域を除く当該厚膜抵抗体層14の表裏にガラス膜13、15を成膜することにより、10~20μm程度の厚膜抵抗体層14であっても所望の耐電圧を確保することができる。すなわち、10~20μm程度の薄い厚膜抵抗体層単体で耐電圧を高めることは困難であるが、本実施形態では、当該厚膜抵抗体層14をガラス膜13、15によって挟む構成としたことにより、耐電圧を向上させることができる。
また、比較的サイズが大きな固定抵抗と比べて10~20μm程度の厚膜抵抗体層14では熱伝導性の低下は少ない。ガラス膜は熱伝導性に劣るものの、電極12、16も良好な熱伝導体として機能するため、これらを組み合わせた本発明の構成では全体として高い熱伝導性を有する。これにより、昇温特性に優れたPTCヒータ10を実現することができる。
以下に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
セラミックPTC素子11は、キュリー点250℃で素子寸法25mm×13mm×t2.0mmの直方体素子を用いた。その両主表面にアルミニウムペーストを印刷することにより24mm×12mmの大きさのアルミニウム電極12、17を形成した。アルミニウム電極12上に23mm×12mmのガラス膜13、24mm×12mmの厚膜抵抗体層14、23mm×12mmのガラス膜15および24mm×12mmのアルミニウム電極16を順に成膜した。
セラミックPTC素子11は、キュリー点250℃で素子寸法25mm×13mm×t2.0mmの直方体素子を用いた。その両主表面にアルミニウムペーストを印刷することにより24mm×12mmの大きさのアルミニウム電極12、17を形成した。アルミニウム電極12上に23mm×12mmのガラス膜13、24mm×12mmの厚膜抵抗体層14、23mm×12mmのガラス膜15および24mm×12mmのアルミニウム電極16を順に成膜した。
このようにして製作されたPTCヒータ10について、通電動作を行った結果を表1および図3において実線で示す。なお、比較例として固定抵抗(厚膜抵抗体層14)を有しない構成についての通電動作を行った結果を表2および図3において破線で示す。通電動作は、PTCヒータ10に電圧100Vを印加し、温度、電流値、抵抗値を測定した。表1において、固定抵抗は厚膜抵抗体層14の抵抗値であり、8(Ω)とした。表1、2において、PTC抵抗はPTC素子11の抵抗値であり、合成抵抗はこれらを合成した抵抗値である。
厚膜抵抗体層14を有しないPTCヒータ(表2)では、温度25℃の場合に合成抵抗値が50(Ω)であり、温度220℃の場合の合成抵抗値が10(Ω)であるため、この間の合成抵抗値が大きく低下している(図3に示すように、25℃基準の抵抗比が大きく変化している)のに対して、厚膜抵抗体層14を有するPTCヒータ(表1)では、温度25℃の場合に合成抵抗値が18(Ω)であり、温度220℃の場合に合成抵抗値が10(Ω)であるため、この間の合成抵抗値は僅かな低下にとどまっている(図3に示すように、25℃基準の抵抗比がほぼ一定)。つまり、実施例によれば比較例に対し、温度上昇にかかわりなく一定電流で動作させることができる。
[他の実施形態]
上述の実施形態においては、PTC素子11の一方の面のみに厚膜抵抗体層14を設ける場合について述べたが、これに限られず、PTC素子11の他方の面(図1において電極17が形成された面)においても同様に厚膜抵抗体層14を設けるようにしてもよい。
上述の実施形態においては、PTC素子11の一方の面のみに厚膜抵抗体層14を設ける場合について述べたが、これに限られず、PTC素子11の他方の面(図1において電極17が形成された面)においても同様に厚膜抵抗体層14を設けるようにしてもよい。
具体的には、図4に示すように、PTC素子11の上面側に電極12、ガラス膜13、厚膜抵抗体層14、ガラス膜15、電極16が形成されるとともに、下面側に電極17、ガラス膜23、厚膜抵抗体層24、ガラス膜25、電極26が上面側の電極12、ガラス膜13、厚膜抵抗体層14、ガラス膜15、電極16と同様に形成される。このようにすれば、PTC素子11を上下両面から素早く加熱することができる。
また、上述の実施形態においては、電極12、16、17、26をアルミニウム電極とする場合について述べたが、これに限られず、例えば、銀(Ag)を用いた電極、またはニッケル(Ni)メッキ上に銀(Ag)ペースト電極を成膜したものを用いることもできる。
また、上述の実施形態においては、電極12の一部領域を残してそれ以外の領域の厚みを薄くして当該領域にガラス膜13を形成して電極12の一部領域の表面とガラス膜13の表面の高さを合わせている(面一にしている)が、これに限定されない。例えば、図5に示すように、電極12の厚みを均一に形成して電極12の表面の一部領域を残してガラス膜13を形成し、電極12の一部領域とガラス膜13上に厚膜抵抗体層14を形成してもよい。この場合、厚膜抵抗体層14の表面にガラス膜13の厚み分だけ段差が形成される。なお、ガラス膜15および電極16においては、厚膜抵抗体層14の表面の一部領域を残してガラス膜15を形成し、厚膜抵抗体層14の表面の一部領域とガラス膜15の高さを合わせ(面一とし)、厚膜抵抗体層14の表面の一部領域とガラス膜15上に電極16を形成する。この場合、厚膜抵抗体層14の表面にガラス膜15の厚み分だけ段差が形成される。
以上、本発明の実施形態について実施例に基づいて説明したが、本発明の範囲は、これらの実施形態に限定されるものでないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明に限られることなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
本発明に係るPTCヒータは、複写機のトナー定着用ヒータ装置のほか、フィルムラミネーターの加熱装置など、種々の加熱装置に広く適用することができる。
10 PTCヒータ
11 セラミックPTC素子
12、17 電極(第1電極)
16、26 電極(第2電極)
13、23 ガラス膜(第1絶縁層)
15、25 ガラス膜(第2絶縁層)
14、24 厚膜抵抗体層
11 セラミックPTC素子
12、17 電極(第1電極)
16、26 電極(第2電極)
13、23 ガラス膜(第1絶縁層)
15、25 ガラス膜(第2絶縁層)
14、24 厚膜抵抗体層
Claims (3)
- セラミックPTC素子上に厚膜抵抗体層が形成されたPTCヒータであって、
前記セラミックPTC素子の主面上に形成された第1電極層と、
前記第1電極層上において一部領域を残して形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層および前記第1電極層上の前記一部領域上に形成された厚膜抵抗体層と、
前記厚膜抵抗体層上において一部領域を残して形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層および前記厚膜抵抗体層上の前記一部領域上に形成された第2電極層と、
を備えることを特徴とするPTCヒータ。 - 前記第1電極層および前記第2電極層は、アルミニウム層であり、
前記第1絶縁層および前記第2絶縁層は、ガラス層である
ことを特徴とする請求項1に記載のPTCヒータ。 - セラミックPTC素子上に厚膜抵抗体層が形成されたPTCヒータの製造方法であって、
前記セラミックPTC素子の主面上に第1電極層を印刷する工程と、
前記第1電極層上において一部領域を残して第1絶縁層を印刷する工程と、
前記第1絶縁層および前記第1電極層上の前記一部領域上に厚膜抵抗体層を印刷する工程と、
前記厚膜抵抗体層上において一部領域を残して第2絶縁層を印刷する工程と、
前記第2絶縁層および前記厚膜抵抗体層上の前記一部領域上に第2電極層を印刷する工程と、
前記第1電極層と、前記第1絶縁層と、前記厚膜抵抗体層と、前記第2絶縁層と、前記第2電極層とをまとめて焼き付ける工程と
を備えることを特徴とするPTCヒータの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021212801A JP2023096800A (ja) | 2021-12-27 | 2021-12-27 | Ptcヒータおよびその製造方法 |
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JP2021212801A Pending JP2023096800A (ja) | 2021-12-27 | 2021-12-27 | Ptcヒータおよびその製造方法 |
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