JP2023094280A - 厚さ測定装置及び厚さ測定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】対象物の厚さ測定において測定環境の温度の影響を低減する。
【解決手段】厚さ測定装置１０は、励磁コイル１１に励磁電流を印加して対象物９に渦電流を誘起させる励磁部７１と、対象物９の渦電流を検出コイル１２を介して検出する検出部７２と、検出部７２によって検出された渦電流の継続時間τに基づいて対象物９の厚さｄを求める厚さ導出部８４と、励磁部７１及び検出部７２が実装された基板６８と、厚さｄを補正する補正部８５とを備えている。補正部８５は、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関する継続時間τの温度特性に基づいて厚さｄを補正する。
【選択図】図３

Description

ここに開示された技術は、厚さ測定装置及び厚さ測定方法に関する。

従来より、渦電流を用いた測定装置が知られている。例えば、特許文献１には、渦電流を用いて対象物の探傷を行う測定装置が開示されている。特許文献１の測定装置は、透磁率等の温度依存性を考慮して、対象物の温度に基づいて検出信号等を補正している。

特開昭５８－１０２１５０号公報

ところで、渦電流を用いた測定装置には、対象物の厚さを測定する厚さ測定装置がある。このような厚さ測定装置においても、測定精度が測定環境の温度の影響を受け得る。測定精度に影響を与え得る、測定環境の温度は対象物の温度に限定されない。つまり、測定環境の温度に関する測定精度の向上にはまだまだ改善の余地がある。

ここに開示された技術は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、対象物の厚さ測定において測定環境の温度の影響を低減することにある。

ここに開示された厚さ測定装置は、励磁コイルに励磁電流を印加して対象物に渦電流を誘起させる励磁部と、前記対象物の前記渦電流を検出センサを介して検出する検出部と、前記検出部によって検出された前記渦電流の継続時間に基づいて前記対象物の厚さを求める厚さ導出部と、前記励磁部及び前記検出部が実装された基板と、前記厚さを補正する補正部とを備え、前記補正部は、前記基板の温度及び前記励磁コイルの温度に関する前記継続時間の温度特性に基づいて前記厚さを補正する。

ここに開示された厚さ測定方法は、励磁コイルに励磁電流を印加して対象物に渦電流を誘起させることと、前記対象物の前記渦電流を検出センサを介して検出することと、検出された前記渦電流の継続時間に基づいて前記対象物の厚さを求めることと、前記厚さを補正する補正処理を実行することとを含み、前記補正処理では、前記励磁コイルに励磁電流を印加する励磁部及び前記検出センサを介して前記渦電流を検出する検出部が実装された基板の温度並びに前記励磁コイルの温度に関する前記継続時間の温度特性に基づいて前記厚さを補正する。

前記厚さ測定装置によれば、対象物の厚さ測定において測定環境の温度の影響を低減することができる。

前記厚さ測定方法によれば、対象物の厚さ測定において測定環境の温度の影響を低減することができる。

図１は、厚さ測定装置のブロック図である。 図２は、処理装置の制御部の制御系統の構成を示すブロック図である。 図３は、演算装置の制御部の制御系統の構成を示すブロック図である。 図４は、渦電流に対応する電圧信号Ｖ（ｔ）の時間変化を示すグラフである。 図５は、厚さ測定のフローチャートである。

以下、例示的な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、厚さ測定システム１００のブロック図である。厚さ測定システム１００は、プローブ１と、厚さ測定装置１０とを備えている。厚さ測定装置１０は、パルス渦電流探傷（ＰＥＣ:Pulsed Eddy Current）によって対象物９の厚さを測定する。厚さ測定装置１０は、プローブ１を制御する処理装置６と対象物９の厚さを求める演算装置８とを備えている。例えば、対象物９は、原油、石油精製物などが流通する金属製の配管である。配管は、円管状に形成されている。

プローブ１は、対象物９に渦電流を発生させ且つ発生した渦電流を検出するために用いられる。プローブ１は、非接触型のプローブであり、対象物９に近接して配置される。尚、「非接触型」とは、非接触でも使用可能であることを意味し、接触状態での使用を除外するものではない。プローブ１は、対象物９の表面に対向するように設置される。例えば、プローブ１は、断熱性を有するスペーサ（図示省略）を介して対象物９に設置される。

プローブ１は、変動磁場を形成することによって対象物９に渦電流を発生させる。また、プローブ１は、対象物９に発生した渦電流の変化を誘導電圧として検出する。具体的には、プローブ１は、励磁電流による磁束で対象物９に渦電流を誘起させる励磁コイル１１と、対象物９の渦電流を検出する検出コイル１２とを備える。プローブ１は、励磁コイル１１によって対象物９に渦電流を誘起させ、誘起した渦電流を検出コイル１２で検出する。検出コイル１２は、検出センサの一例である。

さらに、プローブ１は、対象物９の温度を検出する第２温度センサ１５をさらに備える。第２温度センサ１５は、例えば、熱電対である。さらに、プローブ１は、励磁コイル１１、検出コイル１２及び第２温度センサ１５を収容するケーシングをさらに備えていてもよい。

図１の例では、励磁コイル１１の軸心と検出コイル１２の軸心とが一直線状になるように、励磁コイル１１と検出コイル１２とが配列されている。このとき、検出コイル１２の方が対象物９の近くに配置されている。プローブ１は、励磁コイル１１及び検出コイル１２を複数組有していてもよい。図１では、プローブ１は、２組の励磁コイル１１及び検出コイル１２を有している。

さらに、プローブ１は、励磁コイル１１及び検出コイル１２に挿入されたコア１３を備えていてもよい。コア１３は、全体として概ねＵ字状に形成されている。より詳しくは、コア１３は、パーマロイで形成された、概ねＵ字状の複数の薄板が積層されて形成されている。コア１３の一方の端部における直線状の部分は、一方の組の励磁コイル１１及び検出コイル１２に挿入されている。コア１３の他方の端部における直線状の部分は、他方の組の励磁コイル１１及び検出コイル１２に挿入されている。コア１３は、２組の励磁コイル１１及び検出コイル１２を磁気的に接続している。

励磁コイル１１は、電流が印加されることによって、その軸心の方向に磁場を形成する。一方の励磁コイル１１と他方の励磁コイル１１とは、軸心の方向において互いに反対向きの磁場を形成するように電流が印加される。その結果、コア１３には、コア１３の長手方向に沿った磁場が形成される。すなわち、コア１３の一方の端部がＮ極となるときには、コア１３の他方の端部はＳ極となる。逆に、コア１３の一方の端部がＳ極となるときには、コア１３の他方の端部はＮ極となる。例えば、一方の励磁コイル１１から対象物９へ向かって磁束が発生し、対象物９から他方の励磁コイル１１へ向かって磁束が発生する。詳しくは、一方の励磁コイル１１から発せられる大部分の磁束は、一方の励磁コイル１１の軸心の方向に出て対象物９内へ入り、対象物９内を略円弧状に通過し、他方の励磁コイル１１の軸心の方向へ向かい他方の励磁コイル１１に入っていく。励磁コイル１１に印加する電流を変動させることによって、対象物９に発生する磁場が変動し、対象物９に渦電流が発生する。

一方、対象物９のうち検出コイル１２の近傍の部分に発生した渦電流によって、検出コイル１２を貫通する磁束が形成される。検出コイル１２を貫通する磁束が変化すると、検出コイル１２に誘導起電力が発生する。検出コイル１２は、この誘導起電力を検出することによって、対象物９の渦電流を検出する。つまり、検出コイル１２によって誘導起電力を検出することを、渦電流を検出するともいう。

処理装置６は、プローブ１を用いて、対象物９に渦電流を発生させ且つ発生した渦電流を検出する。演算装置８は、処理装置６によって検出された渦電流の継続時間（詳しくは後述するが、渦電流が急激に減衰するまでの時間）に基づいて対象物９の厚さを求める。それに加えて、演算装置８は、求められた対象物９の厚さを補正する。

処理装置６は、例えば、対象物９に近接して配置される。例えば、処理装置６は、スペーサを介して対象物９上に設置される。処理装置６は、送信部６１と第１受信部６２と第２受信部６３と検温部６４と通信部６５と制御部６６と記憶部６７と基板６８と第１温度センサ６９とを有している。

送信部６１は、励磁コイル１１にパルス状の励磁電流を印加する。送信部６１は、パルス発生器６１ａと送信アンプ６１ｂとを有している。パルス発生器６１ａは、制御部６６からの指令に基づいてパルス信号を発生する。送信アンプ６１ｂは、パルス発生器６１ａからのパルス信号を増幅して、励磁電流として励磁コイル１１へ出力する。

第１受信部６２は、対象物９の渦電流に応じて検出コイル１２に発生する誘導起電力を受信する。第１受信部６２は、検出コイル１２に発生する電圧が入力され、該電圧を増幅する受信アンプ６２ａを少なくとも有している。第１受信部６２は、電圧信号にフィルタ処理を施すフィルタをさらに有していてもよい。

第２受信部６３は、励磁コイル１１の両端電圧を受信する。第２受信部６３は、励磁コイル１１に発生する電圧が入力され、該電圧を増幅する受信アンプ６３ａを少なくとも有している。第２受信部６３は、電圧信号にフィルタ処理を施すフィルタをさらに有していてもよい。

検温部６４は、第１温度センサ６９の出力が入力される。検温部６４は、第１温度センサ６９の検出信号が入力され、該検出信号を増幅する受信アンプを有していてもよい。さらに、検温部６４は、第２温度センサ１５の出力が入力される。検温部６４は、第２温度センサ１５の検出信号が入力され、該検出信号を増幅する受信アンプを有していてもよい。尚、検温部６４は、第１温度センサ６９と第２温度センサ１５とで共通ではなく、別々に設けられていてもよい。

通信部６５は、外部機器と無線通信を行う。例えば、通信部６５は、第１受信部６２によって検出された電圧信号（即ち、検出信号）、第２受信部６３によって検出された電圧信号（即ち、検出信号）及び検温部６４によって検出された検出信号を演算装置８に送信する。

制御部６６は、処理装置６の全体を制御する。制御部６６は、各種の演算処理を行う。例えば、制御部６６は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサで形成されている。制御部６６は、ＭＣＵ（Micro Controller Unit）、ＭＰＵ（Micro Processor Unit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＰＬＣ（Programmable Logic Controller）、システムＬＳＩ等で形成されていてもよい。

例えば、制御部６６は、送信部６１に所定期間だけ励磁電流を出力させる。制御部６６は、励磁電流の出力中に第２受信部６３を介して検出信号を取得する。制御部６６は、励磁電流の出力停止後に第１受信部６２を介して検出信号を取得する。制御部６６は、第１受信部６２による検出信号を取得するタイミングで、検温部６４による検出信号も取得する。制御部６６は、第１受信部６２、第２受信部６３及び検温部６４からの検出信号を記憶部６７に記憶させ、記憶部６７に記憶された検出信号を通信部６５を介して演算装置８に適宜、送信する。

記憶部６７は、制御部６６で実行されるプログラム及び各種データを格納している。例えば、記憶部６７は、制御プログラムが格納されている。記憶部６７は、不揮発性メモリ、ＨＤＤ（Hard Disc Drive）又はＳＳＤ（Solid State Drive）等で形成される。

基板６８には、送信部６１、第１受信部６２、第２受信部６３、検温部６４、通信部６５、制御部６６及び記憶部６７が実装されている。

第１温度センサ６９は、基板６８の温度を検出する。第１温度センサ６９は、基板６８に配置されている。第１温度センサ６９は、例えば、温度センサＩＣである。

図２は、処理装置６の制御部６６の制御系統の構成を示すブロック図である。制御部６６は、記憶部６７から制御プログラムをメモリに読み出して展開することによって、各種機能を実現する。具体的には、制御部６６は、励磁コイル１１に励磁電流を印加して対象物９に渦電流を誘起させる励磁部７１と、対象物９の渦電流を検出コイル１２を介して検出する検出部７２と、励磁コイル１１に励磁電流が印加されているときの励磁コイル１１の電圧を取得する電圧取得部７３と、基板６８の温度を取得する第１温度取得部７４と、対象物９の温度を取得する第２温度取得部７５として機能する。

励磁部７１は、送信部６１に励磁コイル１１へ励磁電流を印加させる。具体的には、励磁部７１は、パルス発生器６１ａに指令を出力し、パルス発生器６１ａにパルス信号を発生させる。その結果、励磁電流が送信アンプ６１ｂから励磁コイル１１へ印加される。

検出部７２は、対象物９の渦電流として、渦電流に対応する電圧信号を検出する。具体的には、検出部７２は、検出コイル１２の誘導起電力に対応する電圧信号を検出する。さらに詳しくは、検出部７２は、励磁コイル１１への励磁電流の印加が停止されてから所定の期間、電圧信号の検出を継続する。つまり、検出部７２は、励磁コイル１１への励磁電流の印加が停止されてからの対象物９の渦電流の計時変化（即ち、過渡変化）を検出している。検出部７２は、検出された渦電流、即ち、電圧信号を記憶部６７に保存する。以下、説明の便宜上、検出部７２によって検出された電圧信号を単に「渦電流」と称する場合がある。例えば、記憶部６７に保存された、渦電流に対応する電圧信号も単に「渦電流」と称する。

電圧取得部７３は、励磁コイル１１の両端電圧に対応する電圧信号を取得する。電圧取得部７３は、励磁コイル１１への励磁電流が印加されているときの電圧信号を取得する。電圧取得部７３は、検出された両端電圧、即ち、電圧信号を記憶部６７に保存する。以下、説明の便宜上、電圧取得部７３によって取得された電圧信号を単に「励磁コイル１１の電圧」と称する場合がある。例えば、記憶部６７に保存された、励磁コイル１１の両端電圧に対応する電圧信号も単に「励磁コイル１１の電圧」と称する。

第１温度取得部７４は、励磁部７１による励磁コイル１１への励磁電流の印加が停止された後の基板６８の温度を取得する。例えば、第１温度取得部７４は、検出部７２による渦電流の検出時の基板６８の温度を取得する。第１温度取得部７４は、基板６８に配置された第１温度センサ６９によって測定された基板６８の温度、即ち、実測温度を取得する。第１温度取得部７４は、取得された基板６８の温度を記憶部６７に保存する。

第２温度取得部７５は、第２温度センサ１５によって測定された対象物９の温度、即ち、実測温度を取得する。第２温度取得部７５は、取得された対象物９の温度を記憶部６７に保存する。

記憶部６７においては、検出部７２によって検出された渦電流と、電圧取得部７３によって取得された励磁コイル１１の電圧と、第１温度取得部７４によって取得された基板６８の温度と、第２温度取得部７５によって取得された対象物９の温度とが互いに関連づけられて記憶されている。つまり、記憶部６７には、対象物９の渦電流、励磁コイル１１の電圧、対象物９の温度及び基板６８の温度が１セットとして記憶されている。

制御部６６は、記憶部６７に保存された対象物９の渦電流、励磁コイル１１の電圧、対象物９の温度及び基板６８の温度を演算装置８へ通信部６５を介して送信する。

演算装置８は、コンピュータ又はコンピュータネットワーク（所謂、クラウド）で形成されている。演算装置８は、通信部８１と制御部８２と記憶部８３とを有している。

通信部８１は、外部機器と無線通信を行う。例えば、通信部８１は、処理装置６からの信号等を受信する。

制御部８２は、演算装置８の全体を制御する。制御部８２は、各種の演算処理を行う。例えば、制御部８２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサで形成されている。制御部８２は、ＭＣＵ（Micro Controller Unit）、ＭＰＵ（Micro Processor Unit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＰＬＣ（Programmable Logic Controller）、システムＬＳＩ等で形成されていてもよい。

記憶部８３は、制御部８２で実行されるプログラム及び各種データを格納している。例えば、記憶部８３は、制御プログラムが格納されている。記憶部８３は、不揮発性メモリ、ＨＤＤ（Hard Disc Drive）又はＳＳＤ（Solid State Drive）等で形成される。また、記憶部８３は、処理装置６から送信される信号等を保存する。具体的には、記憶部８３は、処理装置６によって取得された対象物９の渦電流、励磁コイル１１の電圧、対象物９の温度及び基板６８の温度を保存する。

図３は、演算装置８の制御部８２の制御系統の構成を示すブロック図である。制御部８２は、記憶部８３から制御プログラムをメモリに読み出して展開することによって、各種機能を実現する。具体的には、制御部８２は、厚さ導出部８４と、補正部８５として機能する。

厚さ導出部８４は、対象物９の渦電流の継続時間に基づいて対象物９の厚さを求める。詳しくは詳述するが、励磁コイル１１によって対象物９に誘起された渦電流は、対象物９の表面（プローブ１が対向している面）から裏面に浸透し、裏面に到達すると急激に減衰する。対象物９の渦電流の継続時間とは、渦電流が対象物９に誘起されてから急激に減衰するまでの時間である。対象物９の渦電流の継続時間は、対象物９の厚さと相関がある。

厚さ導出部８４は、処理装置６によって検出された渦電流（具体的には、電圧信号）の継続時間を求める。厚さ導出部８４は、継続時間と厚さとの相関関係に基づいて、継続時間から対象物９の厚さを求める。

補正部８５は、厚さ導出部８４によって求められた厚さを補正する。詳しくは、補正部８５は、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関する継続時間の温度特性に基づいて厚さを補正する。さらに、補正部８５は、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関する継続時間の温度特性に加えて、対象物９の温度に関する継続時間の温度特性に基づいて厚さを補正する。尚、「・・・の温度に関する継続時間の温度特性」とは、・・・の温度変化に対する継続時間の変化の関係を意味する。

ここで、渦電流と対象物９の厚さとの関係について詳しく説明する。図４は、渦電流に対応する電圧信号Ｖ（ｔ）の時間変化を示すグラフである。図４のグラフは、両対数グラフである。図４において、電圧信号Ｖ０（ｔ）は、厚さｄ０を有する対象物９の電圧信号であり、電圧信号Ｖ１（ｔ）は、厚さｄ０よりも薄い厚さｄ１を有する対象物９の電圧信号である。

渦電流は、対象物９に浸透していくのに従って減衰していく。渦電流は、対象物９の表面（プローブ１が対向している面）から裏面に到達するまでの間は徐々に減衰し、裏面に到達すると急激に減衰する。電圧信号Ｖ（ｔ）も渦電流と同様の変化を示す。つまり、電圧信号Ｖ（ｔ）の過渡変化は、渦電流の過渡変化に相当する。渦電流が対象物９の裏面に達するまでの間の電圧信号Ｖ（ｔ）の変化は、両対数グラフ上では直線的（線形的）に表される。その後、電圧信号Ｖ（ｔ）は、急激に減衰していく。このように変化する電圧信号Ｖ（ｔ）は、以下の式（１）のように表される。

ここで、Ａは、受信アンプ６２ａの増幅率である。ｎは、電圧信号Ｖ（ｔ）の減衰の程度に関連する定数であり、－ｎは、両対数グラフにおける電圧信号Ｖ（ｔ）の傾きを表す。

式（１）からもわかるように、電圧信号Ｖ（ｔ）は、徐々に減衰するものの時間τまでは継続し、時間τにおいて急激に減衰する。説明の便宜上、τを「継続時間」と称する。継続時間τは、以下の式（２）で表わされる。

τ＝σμｄ^２ ・・・（２）
ここで、σは、対象物９の導電率であり、μは、対象物９の透磁率であり、ｄは、対象物９の厚さである。

つまり、継続時間τは、対象物９の厚さｄに依存して変化する。対象物９の導電率σ及び透磁率μが一定であると仮定すると、継続時間τは、対象物９の厚さｄに依存して変化する。また、継続時間τ及び厚さｄが変化しても、τ／ｄ^２は、一定である。そのため、既知の厚さｄ０に対する継続時間τ０と、未知の厚さｄに対する継続時間τとがわかれば、以下の式（３）に基づいて、未知の厚さｄを求めることができる。式（３）、既知の厚さｄ０及び継続時間τ０は、記憶部８３に保存されている。

例えば、図４において電圧信号Ｖ０（ｔ），Ｖ１（ｔ）を比較すると、厚さｄ０の対象物９の電圧信号Ｖ０（ｔ）は、継続時間τ０まで継続する。対象物９の厚さｄがｄ０からｄ１に減少すると、継続時間τは、τ０からτ１に減少する。尚、電圧信号Ｖ（ｔ）のうち両対数グラフで直線状の部分の変化態様は、式（１）からわかるように厚さｄに依存しないので、電圧信号Ｖ０（ｔ），Ｖ１（ｔ）で実質的に同じである。厚さｄ０及び継続時間τ０，τ１を式（３）に代入することによって、厚さｄ１を求めることができる。

ただし、このようにして求められる継続時間τ、ひいては厚さｄは、測定環境の温度の影響を受ける。影響を与え得る測定環境の温度としては、例えば、対象物９の温度、励磁コイル１１の温度及び基板６８の温度が挙げられる。

詳しくは、実際の対象物９の導電率σ及び透磁率μは、温度依存性を有する。例えば、炭素鋼であれば、一般的に、導電率σは、負の温度特性を有し、透磁率μは、正の温度特性を有する。導電率σ及び透磁率μが温度依存性を有すると、継続時間τも温度依存性を有する。

また、励磁コイル１１は対象物９上又は対象物９の近傍に配置されるため、励磁コイル１１の温度は、対象物９の温度に応じて変化し得る。励磁コイル１１の抵抗は、温度依存性を有する。励磁コイル１１の温度変化によって励磁コイル１１の抵抗が変化すると、励磁コイル１１によって形成される磁場も変化する。その結果、継続時間τも変化する。

さらに、処理装置６は対象物９上又は対象物９の近傍に配置されるため、基板６８の温度は、対象物９の温度に応じて変化し得る。基板６８の温度が変化すると、送信部６１等の送信に関する回路及び第１受信部６２等の受信に関する回路の温度が変化する。このような回路等も温度依存性を有する。送信に関する回路の温度が変化すると、励磁電流が変化し得る。受信に関する回路の温度が変化すると、第１受信部６２から出力される、誘導起電力に対応する電圧信号が変化し得る。その結果、継続時間τも変化する。

このようにして継続時間τが変化すると、継続時間τから求められる厚さｄも変化する。そこで、補正部８５は、対象物９の温度、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に起因する継続時間τの変動、即ち、厚さｄの変動を低減するように厚さｄを補正する。

より詳しくは、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関しては、補正部８５は、基板６８の温度に関連するパラメータ及び励磁コイル１１の温度に関連するパラメータによって厚さｄを補正する。この例では、基板６８の温度に関連するパラメータ及び励磁コイル１１の温度に関連するパラメータは、励磁コイル１１に励磁電流が印加されているときの励磁コイル１１の電圧である。励磁コイル１１の電圧の変化は、励磁コイル１１に印加された励磁電流の変化及び励磁コイル１１の抵抗の変化を反映している。基板６８の温度、特に、送信に関する回路の温度が変化すると、励磁コイル１１の励磁電流が変化し得る。励磁コイル１１の温度が変化すると、励磁コイル１１の抵抗が変化し得る。つまり、励磁コイル１１の電圧は、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に応じて変化する。

補正部８５は、励磁コイル１１の電圧に関する継続時間τの特性（すなわち、励磁コイル１１の電圧変化に対する継続時間τの変化の関係であり、以下、「送信電圧特性」という）を基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関する継続時間τの温度特性（以下、「基板・コイル温度特性」という）として用いて厚さｄを補正する。継続時間τの送信電圧特性は、継続時間τの基板・コイル温度特性を反映している。継続時間τの送信電圧特性は、基板６８の温度に関する継続時間τの温度特性のうち、主に送信に関する回路の温度に関する継続時間τの温度特性を反映している。

つまり、補正部８５は、継続時間τの送信電圧特性に従って、励磁コイル１１の電圧によって厚さｄを補正する。補正部８５は、励磁コイル１１の電圧の変化に起因する継続時間τの変化（即ち、厚さｄの変化）を低減するように、励磁コイル１１の電圧によって厚さｄを補正する。

それに加えて、補正部８５は、基板６８の温度そのものによっても厚さｄを補正する。つまり、補正部８５は、継続時間τの送信電圧特性、及び、基板６８の実測温度に関する継続時間τの温度特性（以下、「実測温度特性」という）を継続時間τの基板・コイル温度特性として用いる。継続時間τの実測温度特性は、基板６８の温度に関する継続時間τの温度特性のうち、送信に関する回路の温度に関する継続時間τの温度特性に加えて受信に関する回路の温度に関する継続時間τの温度特性を反映している。

つまり、補正部８５は、継続時間τの実測温度特性に従って、基板６８の実測温度によって厚さｄを補正する。補正部８５は、基板６８の温度変化に起因する継続時間τの変化（即ち、厚さｄの変化）を低減するように、基板６８の実測温度によって厚さｄを補正する。

さらに、対象物９の温度に関しては、補正部８５は、対象物９の温度によって厚さｄを補正する。補正部８５は、継続時間τの基板・コイル温度特性に加えて、対象物９の温度に関する継続時間τの温度特性（以下、「対象物温度特性」という）に基づいて厚さｄを補正する。

つまり、補正部８５は、継続時間τの対象物温度特性に従って、対象物９の温度によって厚さｄを補正する。

具体的には、補正部８５は、下記の近似式（４）に基づいて厚さｄを補正する。

ここで、ｄ’は、補正された厚さであり、補正厚さと称する。ΔＴｍは、対象物９の温度（以下、「対象物温度」という）Ｔｍと基準となる対象物９の温度（以下、「基準対象物温度」という）Ｔｍｒとの偏差であり、対象物温度偏差と称する。ΔＴｂは、基板６８の温度（以下、「基板温度」という）Ｔｂと基準となる基板６８の温度（以下、「基準基板温度」という）Ｔｂｒとの偏差であり、基板温度偏差と称する。ΔＶｃは、励磁コイル１１の電圧（以下、「コイル電圧」という）Ｖｃと基準となる励磁コイル１１の電圧（以下、「基準コイル電圧」という）Ｖｃｒとの偏差であり、コイル電圧偏差と称する。Ａ_１，Ａ_２，Ｂ_１，Ｂ_２，Ｃ_１，Ｃ_２は、係数である。Ｄは、定数である。

近似式（４）は、継続時間τの対象物温度特性、継続時間τの実測温度特性及び継続時間τの送信電圧特性を反映している。尚、継続時間τの実測温度特性及び継続時間τの送信電圧特性は、継続時間τの基板・コイル温度特性に相当する。詳しくは、対象物温度偏差ΔＴｍに関する項は、継続時間τの対象物温度特性に対応している。基板温度偏差ΔＴｂに関する項は、継続時間τの実測温度特性に対応している。コイル電圧偏差ΔＶｃに関する項は、継続時間τの送信電圧特性に対応している。

対象物温度偏差ΔＴｍ、基板温度偏差ΔＴｂに関する項及びコイル電圧偏差ΔＶｃに関する項は、様々な対象物温度Ｔｍ、基板温度Ｔｂ及びコイル電圧Ｖｃにおける厚さｄのデータが予め取得され、該データを二次関数で近似することによって求められている。厚さｄは、継続時間τから求められている。そのため、対象物温度Ｔｍに対する厚さｄの関係は、対象物温度Ｔｍに対する継続時間τの関係に対応している。基板温度Ｔｂに対する厚さｄの関係は、基板温度Ｔｂに対する継続時間τの関係に対応している。コイル電圧Ｖｃに対する厚さｄの関係は、コイル電圧Ｖｃに対する継続時間τの関係に対応している。

具体的には、励磁部７１が励磁コイル１１へ励磁電流を印加して励磁した後に、励磁電流の出力を停止させ、検出部７２が対象物９に発生した渦電流を検出する。検出部７２は、電圧信号の検出を所定期間継続する。こうして、検出コイル１２の誘導起電力の過渡変化（経時変化）、即ち、対象物９に発生する渦電流の過渡変化が検出される。このとき、対象物温度Ｔｍ、基板温度Ｔｂ及びコイル電圧Ｖｃも取得される。検出された渦電流の過渡変化から継続時間τが求められ、継続時間τから厚さｄが求められる。異なる対象物温度Ｔｍ、基板温度Ｔｂ及びコイル電圧Ｖｃにおいて、渦電流の過渡変化の取得及び厚さｄの導出が繰り返され、複数組の対象物温度Ｔｍ、基板温度Ｔｂ、コイル電圧Ｖｃ及び厚さｄのデータが取得される。

取得されたデータから、対象物温度Ｔｍの平均値、基板温度Ｔｂの平均値、コイル電圧Ｖｃの平均値及び厚さｄの平均値が求められる。対象物温度Ｔｍの平均値が基準対象物温度Ｔｍｒとされる。基板温度Ｔｂの平均値が基準基板温度Ｔｂｒとされる。コイル電圧Ｖｃの平均値が基準コイル電圧Ｖｃｒとされる。厚さｄの平均値が基準厚さｄｒとされる。個々の対象物温度Ｔｍから基準対象物温度Ｔｍｒが減算され、対象物温度偏差ΔＴｍ（＝Ｔｍ－Ｔｍｒ）が求められる。個々の基板温度Ｔｂから基準基板温度Ｔｂｒが減算され、基板温度偏差ΔＴｂ（＝Ｔｂ－Ｔｂｒ）が求められる。個々のコイル電圧Ｖｃから基準コイル電圧Ｖｃｒが減算され、コイル電圧偏差ΔＶｃ（＝Ｖｃ－Ｖｃｒ）が求められる。個々の厚さｄを基準厚さｄｒで除することによって、厚さ比ｄ／ｄｒが求められる。複数組の対象物温度偏差ΔＴｍ、基板温度偏差ΔＴｂ、コイル電圧偏差ΔＶｃ及び厚さ比ｄ／ｄｒから、例えば、最小二乗法を用いて、対象物温度偏差ΔＴｍ、基板温度偏差ΔＴｂ及びコイル電圧偏差ΔＶｃに対する厚さ比ｄ／ｄｒの関係を示す二次関数、即ち、対象物温度偏差ΔＴｍ、基板温度偏差ΔＴｂ及びコイル電圧偏差ΔＶｃを変数とする二次関数の近似式が求められる。求められた二次関数における係数が、近似式（４）の係数Ａ_１，Ａ_２，Ｂ_１，Ｂ_２，Ｃ_１，Ｃ_２である。

近似式（４）は、予め求められ、記憶部８３に保存されている。基準対象物温度Ｔｍｒ、基準基板温度Ｔｂｒ及び基準コイル電圧Ｖｃｒも、予め求められ、記憶部８３に保存されている。

補正部８５が近似式（４）を用いて厚さｄを補正することによって、補正厚さｄ’、即ち、最終的な厚さｄが求められる。

このような厚さ測定についてフローチャートを用いてさらに詳細に説明する。図５は、厚さ測定のフローチャートである。

厚さ導出部８４は、厚さ測定のフローチャートのステップＳ１０１において所定の測定周期が到来したか否かを判定する。測定周期は、対象物９の厚さ測定を求める周期である。測定周期が到来していない場合には、厚さ導出部８４は、ステップＳ１０１の判定を繰り返して、測定周期の到来を待機する。

測定周期が到来すると、厚さ導出部８４は、処理装置６に指令を出力して、処理装置６に測定データを取得させる。測定データは、対象物９の厚さ測定を行うためのデータであり、具体的には、対象物９の渦電流、対象物９の温度、基板６８の温度及び励磁コイル１１の電圧である。具体的には、処理装置６が演算装置８からの指令を受けると、励磁部７１は、ステップＳ１０２において、励磁コイル１１へ励磁電流を印加して励磁する。励磁コイル１１は、励磁電流の印加によって軸心の方向へ磁場を形成する。一方の励磁コイル１１と他方の励磁コイル１１とは、軸心の方向において互いに反対向きの磁場を形成する。例えば、一方の励磁コイル１１から対象物９へ向かって磁束が発生し、対象物９から他方の励磁コイル１１へ向かって磁束が発生する。ステップＳ１０２は、励磁コイルに励磁電流を印加して対象物に渦電流を誘起させることに相当する。

このとき、ステップＳ１０３において、電圧取得部７３は、励磁電流が印加されているときの励磁コイル１１の電圧Ｖｃを取得する。

続いて、ステップＳ１０４において、励磁部７１は、励磁電流の出力を停止させ、検出部７２は、対象物９に発生した渦電流を検出する。検出部７２は、電圧信号の検出を所定期間継続する。こうして、検出部７２は、検出コイル１２の誘導起電力の過渡変化（経時変化）、即ち、対象物９に発生する渦電流の過渡変化を検出する。ステップＳ１０４は、対象物の渦電流を検出センサを介して検出することに相当する。

さらに、ステップＳ１０５において、第１温度取得部７４は、基板６８の実測温度Ｔｂを取得し、第２温度取得部７５は、対象物９の温度Ｔｍを取得する。すなわち、第１温度取得部７４によって取得される基板６８の実測温度Ｔｂは、励磁電流の出力が停止された後の渦電流の検出時の基板６８の温度である。

処理装置６は、測定データとしての１セットの渦電流及び対象物温度Ｔｍ、基板温度Ｔｂ及びコイル電圧Ｖｃを演算装置８へ送信する。演算装置８は、受信した１セットの渦電流及び対象物温度Ｔｍ、基板温度Ｔｂ及びコイル電圧Ｖｃを記憶部８３に保存する。

続いて、厚さ導出部８４は、ステップＳ１０６において、記憶部８３に保存された測定データのうち渦電流の継続時間τを求める。さらに、厚さ導出部８４は、ステップＳ１０７において、継続時間τを式（３）に代入して、対象物９の厚さｄを求める。ステップＳ１０７は、検出された渦電流の継続時間に基づいて対象物の厚さを求めることに相当する。

そして、補正部８５は、ステップＳ１０８において、補正処理を実行する。補正部８５は、厚さｄを近似式（４）及び測定データの対象物温度Ｔｍ、基板温度Ｔｂ及びコイル電圧Ｖｃを用いて補正する。具体的には、補正部８５は、対象物温度Ｔｍから対象物温度偏差ΔＴｍ（＝Ｔｍ－Ｔｍｒ）を求め、基板温度Ｔｂから基板温度偏差ΔＴｂ（＝Ｔｂ－Ｔｂ）を求め、コイル電圧Ｖｃからコイル電圧偏差ΔＶｃ（＝Ｖｃ－Ｖｃｒ）を求める。補正部８５は、厚さｄ、対象物温度偏差ΔＴｍ、基板温度偏差ΔＴｂ及びコイル電圧偏差ΔＶｃを近似式（４）に代入して、補正厚さｄ’を求める。ステップＳ１０８は、厚さを補正する補正処理を実行することに相当する。

その後、厚さ導出部８４は、ステップＳ１０９において、厚さ測定を終了するか否かを判定する。例えば、厚さ導出部８４は、厚さ測定の終了指令が入力されているか否かを判定する。例えば、ユーザが演算装置８を操作して、厚さ測定の終了を入力する。終了指令が入力されていない場合には、厚さ導出部８４は、ステップＳ１０１へ戻って、次の測定周期が到来したか否かを判定する。次の測定周期が到来すると、測定データが再び取得され、測定データに基づいて対象物９の厚さｄが求められる。つまり、演算装置８は、測定周期ごとに測定データの取得及び対象物９の厚さの導出・補正を繰り返す。

ステップＳ１０９において、終了指令が入力されている場合には、厚さ測定が終了される。

このように、厚さ測定装置１０は、対象物９に渦電流を発生させると共に発生した渦電流を検出し、渦電流の継続時間τに基づいて対象物９の厚さｄを求める。ここで、渦電流の継続時間τは温度依存性を有するので、厚さ測定装置１０は、継続時間τの温度特性を示す近似式を用いて、厚さｄを補正する。具体的には、厚さ測定装置１０は、継続時間τの基板・コイル温度特性、即ち、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関する継続時間τの温度特性に基づいて厚さｄを補正する。基板６８の温度が変化すると、励磁コイル１１に印加される励磁電流の大きさ及び検出コイル１２の誘導起電力に対応する電圧信号の大きさ等が変化する。励磁コイル１１の温度が変化すると、励磁コイル１１の抵抗が変化し、励磁コイル１１によって形成される磁場が変化する。これらの結果、継続時間τも変化する。そのため、厚さ測定装置１０は、継続時間τから求められた厚さｄを基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に応じて補正する。これによって、対象物９の厚さｄの温度補正の精度を向上させることができ、厚さｄを高い精度で求めることができる。

また、厚さ測定装置１０は、基板６８の温度に関連するパラメータ及び励磁コイル１１の温度に関連するパラメータとして、励磁コイル１１の電圧によって厚さｄを補正する。具体的には、厚さ測定装置１０は、継続時間τのコイル電圧特性、即ち、励磁コイル１１の電圧に関する継続時間τの特性を、継続時間τの基板・コイル温度特性として用いて厚さｄを補正する。コイル電圧には、基板６８の温度変化及び励磁コイル１１の温度変化の両方が反映される。そのため、コイル電圧に応じて厚さｄを補正することによって、厚さｄを基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度の両方に応じて補正することができる。

さらに、厚さ測定装置１０は、継続時間τの実測温度特性、即ち、基板６８の実測温度に関する継続時間τの温度特性に基づいて厚さｄを補正する。前述のコイル電圧は、基板６８の温度変化のうち、主に送信に関する回路の温度変化を反映している。基板６８の実測温度、即ち、基板６８の温度そのものに応じて厚さｄを補正することによって、受信に関する回路の温度変化にも応じて厚さｄを補正することができる。

また、基板６８の温度に関する継続時間τの温度特性として、継続時間τのコイル電圧特性と継続時間τの実測温度特性との２つ特性を用いることによって、送信に関する回路の温度変化の影響と受信に関する回路の温度変化の影響とのそれぞれを効果的に低減することができる。その結果、厚さｄをより高い精度で求めることができる。

さらに、厚さ測定装置１０は、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に加えて、対象物９の温度によっても厚さｄを補正する。これにより、厚さ測定装置１０は、厚さｄをさらに高い精度で求めることができる。

以上のように、厚さ測定装置１０は、励磁コイル１１に励磁電流を印加して対象物９に渦電流を誘起させる励磁部７１と、対象物９の渦電流を検出コイル１２（検出センサ）を介して検出する検出部７２と、検出部７２によって検出された渦電流の継続時間τに基づいて対象物９の厚さｄを求める厚さ導出部８４と、励磁部７１及び検出部７２が実装された基板６８と、厚さｄを補正する補正部８５とを備え、補正部８５は、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関する継続時間τの温度特性に基づいて厚さｄを補正する。

換言すると、厚さ測定方法は、励磁コイル１１に励磁電流を印加して対象物９に渦電流を誘起させることと、対象物９の渦電流を検出コイル１２（検出センサ）を介して検出することと、検出された渦電流の継続時間τに基づいて対象物９の厚さｄを求めることと、厚さｄを補正する補正処理を実行することとを含み、補正処理では、励磁コイル１１に励磁電流を印加する励磁部７１及び検出コイル１２を介して渦電流を検出する検出部７２が実装された基板６８の温度並びに励磁コイル１１の温度に関する継続時間τの温度特性に基づいて厚さｄを補正する。

これらの構成によれば、基本的には、対象物９に渦電流が誘起され、誘起された渦電流が検出され、検出された渦電流の継続時間τに基づいて対象物９の厚さｄが求められる。継続時間τは、基板６８の温度変化及び励磁コイル１１の温度変化の影響を受ける。そのため、継続時間τから求められる厚さｄも、基板６８の温度変化及び励磁コイル１１の温度変化の影響を受ける。そこで、厚さｄは、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関する継続時間τの温度特性に基づいて補正される。これにより、厚さｄを測定環境の温度に応じてより適切に補正することができ、その結果、厚さｄの測定精度を向上させることができる。

また、厚さ測定装置１０は、励磁コイル１１に励磁電流が印加されているときの励磁コイル１１の電圧を取得する電圧取得部７３をさらに備え、補正部８５は、励磁コイル１１の電圧に関する継続時間τの特性を、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関する継続時間τの温度特性として用いて、電圧取得部７３に取得された励磁コイル１１の電圧によって厚さｄを補正する。

この構成によれば、補正部８５は、励磁コイル１１の電圧に応じて厚さｄを補正することによって、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度の両方に関する継続時間τの温度特性を考慮して厚さｄを補正することができる。つまり、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関する継続時間τの温度特性に基づく厚さｄの補正を簡易に実現することができる。

さらに、厚さ測定装置１０は、基板６８に配置された第１温度センサ６９によって測定された基板６８の温度を取得する第１温度取得部７４をさらに備え、補正部８５は、励磁コイル１１の電圧に関する継続時間τの特性及び基板６８の実測温度に関する継続時間τの温度特性を、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関する継続時間τの温度特性として用いて、電圧取得部７３に検出された励磁コイル１１の電圧及び第１温度取得部７４に取得された基板６８の温度によって厚さｄを補正する。

この構成によれば、基板６８の温度に関する継続時間τの温度特性として、励磁コイル１１の電圧に関する継続時間τの特性と基板６８の実測温度に関する継続時間τの温度特性との２つの特性が考慮される。励磁コイル１１の電圧に関する継続時間τの特性は、基板６８のうち送信に関する回路の温度変化を主に反映している。基板６８の実測温度に関する継続時間τの温度特性は、基板６８のうち送信に関する回路だけでなく受信に関する回路の温度変化も反映している。つまり、これら２つの特性に基づいて厚さｄを補正することによって、送信に関する回路の温度変化と受信に関する回路の温度変化とのそれぞれに適切に対応した補正を行うことができる。

さらにまた、第１温度取得部７４は、励磁部７１による励磁コイル１１への励磁電流の印加が停止された後の基板６８の温度を取得する。

この構成によれば、第１温度取得部７４は、励磁電流の出力時の基板６８の温度上昇の影響が低減された基板６８の温度を取得する。励磁電流の出力時には、基板６８の温度が上昇し得る。検出部７２による渦電流の検出に与える影響が大きいのは、励磁電流の出力時の基板６８の温度よりも励磁電流の出力停止後の基板６８の温度である。第１温度取得部７４に取得された基板６８の温度で厚さｄを補正することによって、基板６８の温度変化が検出部７２による渦電流の検出に与える影響をより考慮した補正を実現することができる。

また、厚さ測定装置１０は、対象物９の温度を取得する第２温度取得部７５をさらに備え、補正部８５は、対象物９の温度に関する継続時間τの温度特性に基づいて、第２温度取得部７５に取得された対象物９の温度によって厚さｄをさらに補正する。

この構成によれば、補正部８５は、基板６８の温度及び励磁コイル１１の温度に関する継続時間τの温度特性に加えて、対象物９の温度に関する継続時間τの温度特性に基づいて、厚さｄを補正する。継続時間τは、対象物９の温度変化に応じて変化し得る。厚さｄを対象物９の温度に関する継続時間τの温度特性も考慮して補正することによって、厚さｄを測定環境の温度に応じてより適切に補正することができ、その結果、厚さｄの測定精度をさらに向上させることができる。

《その他の実施形態》
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、前記実施形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、前記実施形態で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。また、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、前記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。

前記実施形態について、以下のような構成としてもよい。

例えば、厚さ測定装置１０の構成も一例に過ぎない。処理装置６と演算装置８は、一体的に構成されていてもよい。すなわち、１つの装置が処理装置６及び演算装置８の機能を有していてもよい。また、処理装置６と演算装置８とが有線で接続されていてもよい。また、１つの演算装置８に対して複数の処理装置６が接続されていてもよい。また、演算装置８は、無線又は有線により接続された他の装置に対して、演算した厚さに関するデータを送信するようにしてもよい。

プローブ１は、前述の構成に限られない。例えば、プローブ１は、２組の励磁コイル１１及び検出コイル１２を備えているが、励磁コイル１１及び検出コイル１２は、１組でもよく、３組以上であってもよい。励磁コイル１１と検出コイル１２とはそれぞれの軸心が一直線状になるように配置されていなくてもよい。励磁コイル１１と検出コイル１２とはそれぞれの軸心が一直線状になるように配置される場合、検出コイル１２よりも励磁コイル１１の方が対象物９の近くに配置されてもよい。さらに、プローブ１の検出部は、検出コイル１２に限定されない。検出部は、対象物９の渦電流を直接的又は間接的に検出できるものであればよく、例えば、ホール素子であってもよい。また、プローブ１は、コア１３を備えていなくてもよい。

第１温度センサ６９は、温度センサＩＣに限定されない。第２温度センサ１５は、熱電対に限定されない。第１温度センサ６９及び第２温度センサ１５は、対象物の温度を検出できればよく、例えば、サーミスタであってもよい。第１温度センサ６９の個数は、１個に限定されず、複数個であってもよい。第２温度センサ１５の個数は、１個に限定されず、複数個であってもよい。

対象物は、円管状の配管に限定されない。対象物としての配管は、円管ではなく、角管であってもよい。対象物は、管のように閉断面を有する物ではなく、板であってもよい。

さらに、厚さ測定装置１０による厚さ測定は、一例に過ぎない。ＰＥＣによる厚さ測定方法は、様々であるので、任意の測定手法を採用することができる。

厚さｄの補正方法も一例に過ぎない。近似式（４）では、継続時間τの対象物温度特性、継続時間τの実測温度特性及び継続時間τの送信電圧特性のそれぞれが二次関数で表されている。しかし、これらのうち１又は複数の特性が一次関数、又は三次以上の関数で表されてもよい。

また、近似式（４）は、継続時間τの対象物温度特性に対応する、対象物温度偏差ΔＴｍに関する項と、継続時間τの実測温度特性に対応する、基板温度偏差ΔＴｂに関する項と、継続時間τの送信電圧特性に対応する、コイル電圧偏差ΔＶｃに関する項とが含まれている。例えば、継続時間τの対象物温度特性に対応する項及び継続時間τの実測温度特性に対応する項の少なくとも一方を省略してもよい。

さらに、補正部８５は、継続時間τの送信電圧特性を、継続時間τの基板・コイル温度特性として用いているが、これに限定されない。補正部８５は、基板６８の実測温度に関する継続時間τの温度特性に基づいて、基板６８の実測温度によって厚さｄを補正しつつ、励磁コイル１１の実測温度に関する継続時間τの温度特性に基づいて、励磁コイル１１の実測温度によって厚さｄを補正してもよい。その場合、プローブ１は、励磁コイル１１の近傍に配置され、励磁コイル１１の温度を実質的に測定する温度センサを有していてもよい。

また、前述の説明では、厚さ測定装置１０は、渦電流の継続時間τから厚さｄを求め、求められた厚さｄを補正している。しかし、厚さ測定装置１０は、継続時間τを補正し、補正された継続時間τから厚さｄを求めてもよい。この方法であっても、実施的に厚さｄが補正される。例えば、厚さ導出部８４は、測定データのうち渦電流の継続時間τを求める。補正部８５は、下記の近似式（５）に基づいて継続時間τを補正する。その後、厚さ導出部８４は、補正された継続時間τ’から、式（３）を用いて厚さｄを求める。

ここで、係数Ａ_１，Ａ_２，Ｂ_１，Ｂ_２，Ｃ_１，Ｃ_２及び定数Ｄの値は、近似式（４）の場合と異なり得る。ただし、近似式（４）と同様に、近似式（５）において、対象物温度偏差ΔＴｍに関する項は、継続時間τの対象物温度特性に対応している。基板温度偏差ΔＴｂに関する項は、継続時間τの実測温度特性に対応している。コイル電圧偏差ΔＶｃに関する項は、継続時間τの送信電圧特性に対応している。

フローチャートは、一例に過ぎない。フローチャートにおけるステップを適宜、変更、置き換え、付加、省略等を行ってもよい。また、フローチャートにおけるステップの順番を変更したり、直列的な処理を並列的に処理したりしてもよい。例えば、厚さ測定のフローチャート（図５）において、ステップＳ１０２の励磁とステップＳ１０３のコイル電圧取得とは、並行して行われてもよい。また、ステップＳ１０５の温度取得は、渦電流の検出後に限定されず、ステップＳ１０２の励磁前であってもよく、ステップＳ１０４の渦電流の検出と並行して行われてもよい。

本明細書中に記載されている構成要素により実現される機能は、当該記載された機能を実現するようにプログラムされた、汎用プロセッサ、特定用途プロセッサ、集積回路、ＡＳＩＣｓ（Application Specific Integrated Circuits）、ＣＰＵ（a Central Processing Unit）、従来型の回路、及び／又はそれらの組合せを含む、回路（circuitry）又は演算回路（processing circuitry）において実装されてもよい。プロセッサは、トランジスタ及びその他の回路を含み、回路又は演算回路とみなされる。プロセッサは、メモリに格納されたプログラムを実行する、プログラマブルプロセッサ（programmed processor）であってもよい。

本明細書において、回路（circuitry）、ユニット、手段は、記載された機能を実現するようにプログラムされたハードウェア、又は実行するハードウェアである。当該ハードウェアは、本明細書に開示されているあらゆるハードウェア、又は、当該記載された機能を実現するようにプログラムされた、又は、実行するものとして知られているあらゆるハードウェアであってもよい。

当該ハードウェアが回路（circuitry）のタイプであるとみなされるプロセッサである場合、当該回路、手段、又はユニットは、ハードウェアと、当該ハードウェア及び又はプロセッサを構成する為に用いられるソフトウェアの組合せである。

１０ 厚さ測定装置
１１ 励磁コイル
１２ 検出コイル（検出センサ）
６ 処理装置
６８ 基板
６９ 第１温度センサ
７１ 励磁部
７２ 検出部
７３ 電圧取得部
７４ 第１温度取得部
７５ 第２温度取得部
８ 演算装置
８４ 厚さ導出部
８５ 補正部
９ 対象物

Claims (6)

1. 励磁コイルに励磁電流を印加して対象物に渦電流を誘起させる励磁部と、
   前記対象物の前記渦電流を検出センサを介して検出する検出部と、
   前記検出部によって検出された前記渦電流の継続時間に基づいて前記対象物の厚さを求める厚さ導出部と、
   前記励磁部及び前記検出部が実装された基板と、
   前記厚さを補正する補正部とを備え、
   前記補正部は、記基板の温度及び前記励磁コイルの温度に関する前記継続時間の温度特性に基づいて前記厚さを補正する厚さ測定装置。
2. 請求項１に記載の厚さ測定装置において、
   前記励磁コイルに前記励磁電流が印加されているときの前記励磁コイルの電圧を取得する電圧取得部をさらに備え、
   前記補正部は、前記励磁コイルの電圧に関する前記継続時間の特性を、前記基板の温度及び前記励磁コイルの温度に関する前記継続時間の温度特性として用いて、前記電圧取得部に取得された前記励磁コイルの電圧によって前記厚さを補正する厚さ測定装置。
3. 請求項２に記載の厚さ測定装置において、
   前記基板に配置された温度センサによって測定された前記基板の温度を取得する第１温度取得部をさらに備え、
   前記補正部は、前記励磁コイルの電圧に関する前記継続時間の特性及び前記基板の実測温度に関する前記継続時間の温度特性を、前記基板の温度及び前記励磁コイルの温度に関する前記継続時間の温度特性として用いて、前記電圧取得部に検出された前記励磁コイルの電圧及び前記第１温度取得部に取得された前記基板の温度によって前記厚さを補正する厚さ測定装置。
4. 請求項３に記載の厚さ測定装置において、
   前記第１温度取得部は、前記励磁部による前記励磁コイルへの励磁電流の印加が停止された後の前記基板の温度を取得する厚さ測定装置。
5. 請求項１乃至４の何れか１つに記載の厚さ測定装置において、
   前記対象物の温度を取得する第２温度取得部をさらに備え、
   前記補正部は、前記対象物の温度に関する前記継続時間の温度特性に基づいて、前記第２温度取得部に取得された前記対象物の温度によって前記厚さをさらに補正する厚さ測定装置。
6. 励磁コイルに励磁電流を印加して対象物に渦電流を誘起させることと、
   前記対象物の前記渦電流を検出センサを介して検出することと、
   検出された前記渦電流の継続時間に基づいて前記対象物の厚さを求めることと、
   前記厚さを補正する補正処理を実行することとを含み、
   前記補正処理では、前記励磁コイルに励磁電流を印加する励磁部及び前記検出センサを介して前記渦電流を検出する検出部が実装された基板の温度並びに前記励磁コイルの温度に関する前記継続時間の温度特性に基づいて前記厚さを補正する厚さ測定方法。

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