JP2023088267A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】繰り返した延伸にも配線が損傷されない表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、延伸可能な下部基板、下部基板の上に配置されるパターン層を含む。パターン層は、第1及び第2板(plate)パターンと、複数の第1及び第2配線(line)パターンとを含む。装置は、複数の第1板(plate)パターン上に形成される複数の画素、複数の画素を連結する複数の第1連結配線、複数の第2板(plate)パターン上に形成されるゲートドライバ、複数の第2板(plate)パターン上に形成されるパワーサプライ、複数の第2連結配線、及び延伸可能な上部基板を含む。【選択図】図7

Description

本発明は、表示装置に関し、より詳細には、ストレッチャブル表示装置に関する。
コンピュータのモニタやTV、携帯電話等に使用される表示装置には、自ら光を発光する有機発光表示装置(Organic Light Emitting Display;OLED)等と、別途の光源を要する液晶表示装置(Liquid Crystal Display;LCD)等がある。
表示装置は、コンピュータのモニタ及びTVだけではなく、個人携帯機器までその適用範囲が多様になっており、広い表示面積を有しながらも減少した体積及び重さを有する表示装置についての研究が進行している。
また、近年は、フレキシブル(flexible)素材であるプラスチック等のように柔軟性のある基板に表示部、配線等を形成して、特定方向に伸縮が可能であり、多様な形状に変化が可能に製造される表示装置が次世代の表示装置として注目を集めている。
本発明の一つ以上の実施形態は、繰り返した延伸にも配線が損傷されない表示装置を提供する。
本発明の一つ以上の実施形態は、表示装置の全ての領域を二軸延伸できる表示装置を提供する。
本発明のさらなる実施形態は、リフトオフ工程時、配線の取られを防止できる表示装置を提供する。
本発明のさらなる実施形態は、駆動電圧のドロップを防止できる表示装置を提供する。
本発明の技術的利点は、以上において言及した利点に制限されず、言及されていないまた他の利点は、下記の記載から当業者に明確に理解され得るだろう。
前述したような利点を実現するために、本発明の一実施例に係る表示装置は、表示領域と非表示領域を含み、延伸可能な下部基板、下部基板の上に配置され、表示領域に形成される複数の第1板(plate)パターン及び複数の第1配線(line)パターンと非表示領域に形成される複数の第2板(plate)パターン及び複数の第2配線(line)パターンを含むパターン層、複数の第1板(plate)パターン上に形成される複数の画素、複数の画素を連結する複数の第1連結配線、複数の第2板(plate)パターン上に形成されるゲートドライバ、複数の第2板(plate)パターン上に形成されるパワーサプライ、非表示領域に配置される複数の第2連結配線、及びゲートドライバとパワーサプライと複数の画素を覆い、延伸可能な上部基板を含み、非表示領域は、表示領域の外側に位置する第1領域、第1領域の外側に位置し、複数のゲートドライバが配置される第2領域、及び第2領域の外側に位置し、複数のパワーサプライが配置される第3領域を含み、第1領域に配置される複数の第2連結配線は、アンカーホール(anchor hole)を通して複数の第2連結配線と異なる層に配置された金属パターンと接触する。
本発明の他の実施例に係る表示装置は、延性基板、延性基板上に形成される複数の剛性パターン、複数の剛性パターンのうち互いに離隔される複数の第1板パターンの上部に形成される複数の画素、及び複数の剛性パターンのうち互いに離隔される複数の第2板パターンのうち一部の上部に形成されるパワーサプライを含み、パワーサプライは、複数の画素の駆動電圧を供給し、第1方向及び第2方向に互いに離隔されるパワーブロックで構成される。
その他の実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
本発明は、バッファ配線にアンカーホールを形成することで、表示装置の延伸信頼性が安定して確保され得る。
本発明は、バッファ配線をアンカーホールを通して固定させることで、リフトオフ時、表示装置が損傷されなくて済む。
本発明は、非表示領域が二軸方向に延伸され、表示装置の活用可能性が向上し得る。
本発明においてパワーサプライがパワーブロックの間に電気的に連結される追加パワーブロックを含み、駆動電圧の降下を低減または最小化させることができる。
本発明に係る効果は、以上において例示された内容により制限されず、さらに多様な効果が本発明内に含まれている。
本発明の一実施例に係る表示装置の平面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の表示領域に対する拡大平面図である。 図2に示された切断線III-III’に沿って切断した断面図である。 図2に示された切断線IV-IV’に沿って切断した断面図である。 図2に示された切断線V-V’に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置のサブ画素の回路図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の非表示領域の拡大平面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の第1領域の拡大平面図である。 図8に示された切断線IX-IX’に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の第3領域の拡大平面図である。 図10に示された切断線XI-XI’に沿って切断した断面図である。 本発明の他の実施例に係る表示装置の第3領域の拡大平面図である。 図12に示された切断線XIII-XIII’に沿って切断した断面図である。
本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると、明確になるだろう。しかし、本発明は、以下において開示される実施例に制限されるものではなく、互いに異なる多様な形状に具現され、単に、本実施例は、本発明の開示が完全なものとなるようにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。
本発明の実施形態を説明するための図面に開示された形状、面積、寸法(例えば、長さ、幅、高さ、厚み、半径、直径、面積等)、比率、角度、要素の個数等は、例示的なものであるので、本発明は、図示された事項に制限されるものではない。明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。また、本発明を説明するにあたって、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に濁す恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本発明上において言及された「含む」、「有する」等が使用される場合、「~だけ」が使用されない以上、他の部分が加えられ得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
構成要素を解釈するにあたって、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。
位置関係についての説明である場合、例えば、「~上に」、「~上部に」、「~下部に」、「~隣に」等と二部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、二部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。
素子または層が他の素子または層の「上(on)」と称されるものは、他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子を介在した場合をいずれも含む。
また、第1、第2等が多様な構成要素を述べるために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語により制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。従って、以下において言及される第1構成要素は、本発明の技術的思想内で第2構成要素であってもよい。
そして、本発明上において言及された「連結(connect)」または「接触(contact)」等が使用される場合、「すぐ」または「直接」という表現が使用されない以上、二部分の間に一つ以上の他の部分が位置して連結または接触されてもよい。
明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。
図面で示された各構成の面積及び厚さは、説明の便宜のために示されたものであり、本発明は、示された構成の面積及び厚さに必ずしも限定されるものではない。
本発明の様々な実施例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立して実施可能であってもよく、関連関係で共に実施してもよい。
以下においては、添付の図面を参照して、本発明の多様な実施例を詳細に説明する。
本発明の一実施例に係る表示装置は、反ったり伸びたりしても画像表示が可能な表示装置であり、ストレッチャブル表示装置、伸縮性表示装置及び延伸可能な表示装置とも称され得る。表示装置は、従来の一般的な表示装置と比べて高い可撓性(Flexibility)を有するだけではなく、延伸性(Stretchability)を有し得る。そこで、ユーザが表示装置を反るようにしたり伸びるようにしたりすることができるだけではなく、ユーザの操作によって表示装置の形状が自由に変更され得る。例えば、ユーザが表示装置の末端を持って引っ張る場合、表示装置は、ユーザが引っ張る方向に伸び得る。または、ユーザが表示装置を平らでない外面に配置させる場合、表示装置は、外面の形状に沿って反るように配置され得る。また、ユーザにより加えられる力が除去される場合、表示装置は、また本来の形態に復元され得る。
ストレッチャブル基板及びパターン層
図1は、本発明の一実施例に係る表示装置の平面図である。
図2は、本発明の一実施例に係る表示装置の表示領域に対する拡大平面図である。具体的に、図2は、図1に示されたA領域の拡大平面図である。
図3は、図2に示された切断線III-III’に沿って切断した断面図である。
図1を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置100は、下部基板111、パターン層120、複数の画素PX、ゲートドライバGD、データドライバDD及びパワーサプライPSを含むことができる。ゲートドライバGD及びデータドライバDDは、ドライビング回路とも称され得る。パワーサプライPSは、パワーサプライ回路PSとも称され得る。そして、図3を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置100は、充填層190及び上部基板112をさらに含むことができる。
下部基板111は、表示装置100の様々な構成要素を支持し、保護するための基板である。そして、上部基板112は、表示装置100の様々な構成要素をカバーし、保護するための基板である。即ち、下部基板111は、画素PX、ゲートドライバGD及びパワーサプライPSが形成されたパターン層120を支持する基板である。そして、上部基板112は、画素PX、ゲートドライバGD及びパワーサプライPSを覆う基板である。
下部基板111及び上部基板112それぞれは、延性基板であって、反ったり伸びたりすることのできる絶縁物質で構成され得る。例えば、下部基板111及び上部基板112それぞれは、ポリジメチルシロキサン(polydimethylsiloxane;PDMS)のようなシリコーンゴム(Silicone Rubber)、ポリウレタン(polyurethane;PU)、PTFE(polytetrafluoroethylene)等の弾性重合体(elastomer)からなり得、そこで、柔軟な性質を有することができる。そして、下部基板111及び上部基板112の材質は、同一であってよいが、これに制限されず、多様に変形され得る。
下部基板111及び上部基板112それぞれは、延性基板であって、膨張及び収縮が可逆的に可能であり得る。そこで、下部基板111は、下部ストレッチャブル基板、下部伸縮基板、下部延伸基板、下部延性基板、下部可撓性基板、第1ストレッチャブル基板、第1伸縮基板、第1延伸基板、第1延性基板または第1可撓性基板とも称され得、上部基板112は、上部ストレッチャブル基板、上部伸縮基板、上部延伸基板、上部延性基板、上部可撓性基板、第2ストレッチャブル基板、第2伸縮基板、第2延伸基板、第2延性基板または第2可撓性基板とも称され得る。また、下部基板111及び上部基板112の弾性係数(Modulus of elasticity)が数MPa~数百MPaであってよい。そして、下部基板111及び上部基板112の延性破壊率(ductile breaking rate)が100%以上であってよい。いくつかの実施形態では、延性破壊率とは、延伸される客体が破壊またはクラックされる時点での延伸率を意味する。他の実施形態では、延性破壊率は、延伸される対象物が破壊またはクラックされる時点での伸長距離を意味する。すなわち、延性破壊率は、対象物が十分に延伸されて破壊されたと考えられる時点での、元の対象物の長さと延伸された対象物の長さとの百分率比として定義される。例えば、対象物(例えば、下部基板111)の長さが、対象物が延伸されていないときに100cmであり、次いで、対象物が、破壊またはクラックされた状態になるのに十分な長さまで延伸されたときに、110cmの長さに達する場合、対象物は元の長さの110%まで延伸されている。この場合、対象物の延性破壊率は110%である。この数値は、破壊が起こる時点で、元の延伸されていない長さを分母とし、延伸された長さを分子として比較した比率であるため、延性破断比と呼ぶこともできる。
対象物は、構造または回路において正常に機能しなくなった場合に破壊されたとみなされる。例えば、導体であるワイヤは、電流を流す能力に相当な劣化があり、回路の仕様の範囲内で動作しなくなるとき、断線したとみなされるであろう。したがって、いくつかの実施形態では、ワイヤが断線したとみなされるためにはワイヤの完全な切断が必要なわけではなく、接続端部における小さな応力、小さなクラック、ワイヤの位置のわずかなずれ、あるいは、予想される機能の範囲内では作動しなくなる原因を引き起こすその他の動きは、ワイヤの断線とみなされるであろう。絶縁体が、構造または回路に必要とされる絶縁の量をもはや提供しえないほど十分に延伸されている場合には、絶縁体は破断したと見なされる。破断はまた、いくつかの実施形態では、対象物が、延伸されていないときの元の長さおよび/または形状に戻らないほど十分に延伸されている非弾性延伸を含む。
下部基板の厚さは、10um~1mmであってよいが、これに制限されるものではない。
下部基板111は、表示領域(Active Area)AA及び表示領域AAを囲む非表示領域(Non-active Area)NAを有し得る。
表示領域AAは、表示装置100で映像が表示される領域である。表示領域AAには、複数の画素PXが配置される。そして、それぞれの画素PXは、表示素子及び表示素子を駆動するための多様な駆動素子を含むことができる。多様な駆動素子は、少なくとも一つの薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;TFT)及びキャパシタ(Capacitor)を意味し得るが、これに限定されない。そして、複数の画素PXそれぞれは、多様な配線と連結され得る。例えば、複数の画素PXそれぞれは、ゲート配線、データ配線、高電位電源配線、低電位電源配線、基準電圧配線等のような多様な配線と連結され得る。
非表示領域NAは、映像が表示されない領域である。非表示領域NAは、表示領域AAに隣接して表示領域AAを囲む領域であってよい。ただし、これに限定されず、非表示領域NAは、下部基板111中、表示領域AAを除く領域に該当し、それは多様な形状に変形及び分離され得る。非表示領域NAには、表示領域AAに配置された複数の画素PXを駆動するための構成要素が配置される。非表示領域NAには、ゲートドライバGD及びパワーサプライPSが配置され得る。そして、非表示領域NAには、ゲートドライバGD及びデータドライバDDと連結される複数のパッドが配置され得、それぞれのパッドは、表示領域AAの複数の画素PXそれぞれと連結され得る。
下部基板111上には、下部基板111よりは低いフレキシビリティ(flexibility)を有するプラスチック物質からなるパターン層120が配置され得る。例えば、パターン層120は、ポリイミド(polyimide;PI)、ポリアクリレート(polyacrylate)、ポリアセテート(polyacetate)等からなり得る。
そして、パターン層120は、表示領域AAに配置される複数の第1板(plate)パターン121(複数の第1板構造121とも称される)及び複数の第1配線(line)パターン122と、非表示領域NAに配置される複数の第2板(plate)パターン123(複数の第2板構造123とも称される)及び複数の第2配線(line)パターン124を含むことができる。
複数の第1板パターン121は、下部基板111の表示領域AAに配置され、複数の第1板パターン121上には、複数の画素PXが形成される。そして、複数の第2板パターン123は、下部基板111の非表示領域NAに配置され、複数の第2板パターン123上には、ゲートドライバGD及びパワーサプライPSが形成される。
上述の、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123は、互いに離隔されるアイランド形態に配置され、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123それぞれは、個別的に分離され得る。そこで、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123は、第1アイランドパターン(first island pattern)及び第2アイランドパターン(second island pattern)あるいは第1個別パターン(first individual pattern)及び第2個別パターン(second individual pattern)と称され得る。互いに離隔されて配置された第1板パターン121は、第1配線パターン122により連結され得る。そして、非表示領域NAで、互いに離隔されて配置された第2板パターン123は、第2配線パターン124により連結され得る。
具体的に、非表示領域NAに配置される複数の第2板パターン123は、アンカーホール(Anchor hole)が配置される複数の第1サブ板パターン123a、ゲートドライバGDが配置される複数の第2サブ板パターン123b、及びパワーサプライPSが配置される複数の第3サブ板パターン123cを含む。
より詳細には、図1に示されたように、複数の第1サブ板パターン123aは、第1方向(例えば、X-軸方向)に表示領域AAに隣接するように配置され、第2方向(例えば、Y-軸方向)に離隔されて配置され得る。即ち、第1方向Xを基準に、表示領域AAの両側には、第1サブ板パターン123aが配置され得る。ただし、これに限定されず、表示領域AAの第1方向Xに対する一側にのみ第1サブ板パターン123aが配置され得る。そして、複数の第1サブ板パターン123a上には、複数の連結配線を結束させるアンカーホール(Anchor hole)が配置され得る。
そして、複数の第2サブ板パターン123bは、複数の第1サブ板パターン123aに第1方向Xに隣接するように配置され、第2方向Yに離隔されて配置され得る。即ち、第1方向Xを基準に、複数の第1サブ板パターン123aの両側には、複数の第2サブ板パターン123bが配置され得る。ただし、これに限定されず、複数の第1サブ板パターン123aの一側にのみ第2サブ板パターン123bが配置され得る。
そして、複数の第2サブ板パターン123bには、ゲートドライバGDが実装され得る。ゲートドライバGDは、第1板パターン121上の多様な構成要素の製造時、ゲートインパネル(Gate In Panel;GIP)方式で第2サブ板パターン123b上に形成され得る。そこで、複数の第2サブ板パターン123b上には、多様なトランジスタ、キャパシタ、配線等のようなゲートドライバGDを構成する多様な回路構成が配置され得る。ただし、これに制限されず、ゲートドライバGDは、COF(Chip on Film)方式で実装されてもよい。
そして、複数の第3サブ板パターン123cは、複数の第2サブ板パターン123bに第1方向Xに隣接するように配置され、第2方向Yに離隔されて配置され得る。即ち、複数の第2サブ板パターン123bの第1方向Xに対する両側には、複数の第3サブ板パターン123cが配置され得る。ただし、これに限定されず、複数の第2サブ板パターン123bの第1方向Xに対する一側にのみ第3サブ板パターン123cが配置され得る。そして、複数の第3サブ板パターン123cには、パワーサプライPSが実装され得る。パワーサプライPSは、第1板パターン121上の多様な構成要素の製造時にパターニングされる複数のパワーブロックであり、第3サブ板パターン123c上に形成され得る。そこで、第3サブ板パターン123c上には、互いに異なる層に配置されるパワーブロックが配置され得る。
図1を参照すると、複数の第1サブ板パターン123aの大きさは、複数の第1板パターン121の大きさより小さくてよい。具体的に、複数の第1サブ板パターン123aのそれぞれの大きさは、複数の第1板パターン121それぞれの大きさより小さくてよい。上述したように、複数の第1サブ板パターン123aそれぞれには、アンカーホールAHが配置され、アンカーホールAHが占める面積が画素PXが占める面積よりさらに小さいので、複数の第1サブ板パターン123aそれぞれの大きさは、複数の第1板パターン121それぞれの大きさより小さくてよい。
そして、複数の第2サブ板パターン123bの大きさは、複数の第1板パターン121の大きさより大きくてよい。具体的に、複数の第2サブ板パターン123bそれぞれの大きさは、複数の第1板パターン121それぞれの大きさより大きくてよい。上述したように、複数の第2サブ板パターン123bそれぞれには、ゲートドライバGDが配置され、複数の第2サブ板パターン123bそれぞれには、ゲートドライバGDの一つのステージが配置され得る。そこで、ゲートドライバGDの一つのステージを構成する多様な回路構成が占める面積が画素PXが占める面積より相対的にさらに大きいので、複数の第2サブ板パターン123bそれぞれの大きさは、複数の第1板パターン121それぞれの大きさより大きくてよい。
図1においては、複数の第2板パターン123が非表示領域NAで第1方向Xの両側に配置されるものと示されたが、これに制限されず、非表示領域NAの任意の領域に配置され得る。また、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123が四角形の形態に示されたが、これに制限されず、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123は、多様な形態に変形可能である。
図1及び図3を参照すると、パターン層120は、表示領域AAに配置される複数の第1配線(line)パターン122と非表示領域NAに配置される複数の第2配線(line)パターン124をさらに含むことができる。
複数の第1配線パターン122は、表示領域AAに配置され得る。そして、複数の第1配線パターン122は、互いに隣接する第1板パターン121を連結するパターンであり、第1連結パターンと称され得る。即ち、複数の第1板パターン121の間には、複数の第1配線パターン122が配置される。
複数の第2配線パターン124は、非表示領域NAに配置され得る。そして、複数の第2配線パターン124は、互いに隣接する第1板パターン121と第2板パターン123を連結できる。例えば、表示領域AAの縁に位置した第1板パターン121と、非表示領域NAで前記第1板パターン121と隣接した領域に配置された第2板パターン123を連結できる。また、複数の第2配線パターン124は、互いに隣接する複数の第2板パターン123を連結するパターンであってよい。従って、複数の第2配線パターン124は、第2連結パターンと称され得る。即ち、互いに隣接する第1板パターン121と第2板パターン123との間、及び互いに隣接した複数の第2板パターン123の間には、複数の第2配線パターン124が配置される。
図1を参照すると、複数の第1配線パターン122及び第2配線パターン124は、屈曲した形状を有する。例えば、複数の第1配線パターン122及び第2配線パターン124は、正弦波状を有し得る。ただし、複数の第1配線パターン122及び第2配線パターン124の形状は、これに制限されず、例えば、複数の第1配線パターン122及び第2配線パターン124は、ジグザグ状に延びてもよく、複数のひし形状の基板が頂点で連結されて延びる等の多様な形状を有し得る。また、図1に示された複数の第1配線パターン122及び第2配線パターン124の個数及び形状は例示的なものであり、複数の第1配線パターン122及び第2配線パターン124の個数及び形状は、設計によって多様に変更され得る。
そして、複数の第1板パターン121、複数の第1配線パターン122、複数の第2板パターン123及び複数の第2配線パターン124は、剛性パターンである。即ち、複数の第1板パターン121、複数の第1配線パターン122、複数の第2板パターン123及び複数の第2配線パターン124は、下部基板111及び上部基板112と比べて剛性(Rigid)であってよい。即ち、複数の第1板パターン121、複数の第1配線パターン122、複数の第2板パターン123及び複数の第2配線パターン124の弾性係数(Modulus of elasticity)は、下部基板111の弾性係数(Modulus of elasticity)より高くてよい。弾性係数(Modulus of elasticity)は、基板に加えられる応力に対して変形される比率を示すパラメータであって、弾性係数が相対的に高い場合、硬度(Hardness)が相対的に高くてよい。そこで、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123及び複数の第2配線パターン124それぞれは、複数の第1剛性パターン、複数の第2剛性パターン、複数の第3剛性パターン及び複数の第4剛性パターンと称され得る。複数の第1板パターン121、複数の第1配線パターン122、複数の第2板パターン123及び複数の第2配線パターン124の弾性係数は、下部基板111及び上部基板112の弾性係数より1000倍以上高くてよいが、これに制限されるものではない。
複数の剛性基板である複数の第1板パターン121、複数の第1配線パターン122、複数の第2板パターン123及び複数の第2配線パターン124は、下部基板111及び上部基板112より低いフレキシビリティ(flexibility)を有するプラスチック物質からなり得、例えば、ポリイミド(polyimide;PI)、ポリアクリレート(polyacrylate)、ポリアセテート(polyacetate)等からなってもよい。このとき、複数の第1板パターン121、複数の第1配線パターン122、複数の第2板パターン123及び複数の第2配線パターン124は、同じ物質からなってもよいが、これに制限されるものではなく、互いに異なる物質からなってもよい。
いくつかの実施例において、下部基板111は、複数の第1下部パターン及び第2下部パターンを含むものと定義され得る。複数の第1下部パターンは、下部基板111中、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123と重畳する領域に配置され、第2下部パターンは、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123が配置された領域を除く領域に配置されるか、表示装置100の全体領域に配置されてもよい。
また、上部基板112は、複数の第1上部パターン及び第2上部パターンを含むものと定義され得る。複数の第1上部パターンは、上部基板112中、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123と重畳する領域に配置され、第2上部パターンは、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123が配置された領域を除く領域に配置されるか、表示装置100の全体領域に配置されてもよい。
このとき、複数の第1下部パターン及び第1上部基板の弾性係数は、第2下部パターン及び第2上部パターンの弾性係数より大きくてよい。例えば、複数の第1下部パターン及び第1上部パターンは、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123と同じ物質からなり得、第2下部パターン及び第2上部パターンは、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123より低い弾性係数を有する物質からなり得る。
即ち、第1下部パターン及び第1上部パターンは、ポリイミド(polyimide;PI)、ポリアクリレート(polyacrylate)、ポリアセテート(polyacetate)等からなってもよく、第2下部パターン及び第2上部パターンは、ポリジメチルシロキサン(polydimethylsiloxane;PDMS)のようなシリコーンゴム(Silicone Rubber)、ポリウレタン(polyurethane;PU)、PTFE(polytetrafluoroethylene)等の弾性重合体(elastomer)からなり得る。
非表示領域駆動素子
ゲートドライバGDは、表示領域AAに配置された複数の画素PXにゲート電圧を供給する構成要素である。ゲートドライバGDは、複数の第2板パターン123のうち第2サブ板パターン123b上に形成された複数のステージを含み、ゲートドライバGDのそれぞれのステージは、複数のゲート連結配線を通して互いに電気的に連結され得る。従って、いずれか一つのステージから出力されたゲート電圧を他のステージに伝達できる。そして、それぞれのステージは、それぞれのステージと連結された複数の画素PXに順次にゲート電圧を供給できる。
パワーサプライPSは、ゲートドライバGDに連結され、ゲート駆動電圧及びゲートクロック電圧を供給できる。そして、パワーサプライPSは、複数の画素PXに連結され、複数の画素PXそれぞれに画素駆動電圧を供給できる。また、パワーサプライPSは、複数の第2板パターン123のうち第3サブ板パターン123c上に形成され得る。即ち、パワーサプライPSは、第2板パターン123上でゲートドライバGDに隣接するように形成され得る。そして、複数の第3サブ板パターン123cに形成されたパワーサプライPSそれぞれは、ゲートドライバGD及び複数の画素PXに電気的に連結され得る。即ち、複数の第3サブ板パターン123cに形成された複数のパワーサプライPSは、ゲート電源連結配線及び画素電源連結配線により連結され得る。そこで、複数のパワーサプライPSそれぞれは、ゲート駆動電圧、ゲートクロック電圧及び画素駆動電圧を供給できる。
印刷回路基板PCBは、表示素子を駆動するための信号及び電圧を制御部から表示素子に伝達する構成である。そこで、印刷回路基板PCBは、駆動基板とも称され得る。印刷回路基板PCBには、ICチップ、回路部等のような制御部が取り付けられ得る。また、印刷回路基板PCBには、メモリ、プロセッサ等も取り付けられ得る。そして、表示装置100に備えられる印刷回路基板PCBは、延伸性(stretchability)を確保するために、延伸領域と非延伸領域を含むことができる。そして、非延伸領域には、ICチップ、回路部、メモリ、プロセッサ等も取り付けられ得、延伸領域には、ICチップ、回路部、メモリ、プロセッサと電気的に連結される配線が配置され得る。
データドライバDDは、表示領域AAに配置された複数の画素PXにデータ電圧を供給する構成要素である。データドライバDDは、ICチップ形態に構成され得、データ集積回路(D-IC)とも称され得る。そして、データドライバDDは、印刷回路基板PCBの非延伸領域に搭載され得る。即ち、データドライバDDは、COB(Chip On Board)の形態に印刷回路基板PCBに実装され得る。ただし、図1においては、データドライバDDがCOB(Chip On Board)方式で実装されるものと示したが、これに制限されず、データドライバDDは、COF(Chip on Film)、COG(Chip On Glass)、TCP(Tape Carrier Package)等の方式で実装されてもよい。
また、図1においては、表示領域AAに配置された一列の第1板パターン121に対応するように一つのデータドライバDDが配置されるものと示されたが、これに制限されるものではない。即ち、複数個の列の第1板パターン121に対応するように一つのデータドライバDDが配置され得る。
以下においては、本発明の一実施例に係る表示装置100の表示領域AAについてのより詳細な説明のために、図4、図5を共に参照する。
表示領域の平面及び断面構造
図4は、図2に示された切断線IV-IV’に沿って切断した断面図である。
図5は、図2に示された切断線V-V’に沿って切断した断面図である。
説明の便宜のために、図1乃至図3を共に参照して説明する。
図1、図2を参照すると、表示領域AAで下部基板111上には複数の第1板パターン121が配置される。複数の第1板パターン121は、互いに離隔されて下部基板111上に配置される。例えば、複数の第1板パターン121は、図1に示されたように、下部基板111上でマトリックス形態に配置され得るが、これに制限されるものではない。
図2及び図3を参照すると、第1板パターン121には、複数のサブ画素SPXを含む画素PXが配置される。そして、サブ画素SPXそれぞれは、表示素子である発光素子170及び発光素子170を駆動するための駆動トランジスタ160及びスイッチングトランジスタ150を含むことができる。ただし、サブ画素SPXで表示素子は発光素子に制限されるものではなく、有機発光ダイオードに変更され得る。そして、複数のサブ画素SPXは、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含むことができるが、これに制限されず、複数のサブ画素SPXの色相は、必要に応じて多様に変形され得る。
複数のサブ画素SPXは、複数の画素連結配線181、182と連結され得る。即ち、複数のサブ画素SPXは、第1方向Xに延びる第1画素連結配線181と電気的に連結され得る。そして、複数のサブ画素SPXは、第2方向Yに延びる第2画素連結配線182と電気的に連結され得る。
一方、表示領域AAに配置される複数の画素連結配線181、182を第1連結配線と称し得、非表示領域NAに配置されるバッファ配線、ゲート連結配線またはパワー配線を第2連結配線と称し得る。
以下においては、図3を参照して、表示領域AAの断面構造について具体的に説明する。
図3を参照すると、複数の第1板パターン121上には、複数の無機絶縁層が配置される。例えば、複数の無機絶縁層は、バッファ層141、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145を含むことができるが、これに制限されず、複数の第1板パターン121上には、多様な無機絶縁層がさらに配置されるか、無機絶縁層であるバッファ層141、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145のうち一つ以上が省略されてもよい。
具体的に、複数の第1板パターン121上にバッファ層141が配置される。バッファ層141は、下部基板111及び複数の第1板パターン121の外部からの水分(HO)及び酸素(O)等の浸透から表示装置100の多様な構成要素を保護するために複数の第1板パターン121上に形成される。バッファ層141は、絶縁物質で構成され得る。例えば、バッファ層141は、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiOx)、及びシリコン酸化窒化物(SiON)のうち少なくとも一つからなる単層または複層で構成され得る。ただし、バッファ層141は、表示装置100の構造や特性によって省略されてもよい。
表示領域AAで、バッファ層141は、下部基板111が複数の第1板パターン121と重畳される領域にのみ形成され得る。上述したように、バッファ層141は、無機物からなり得るので、表示装置100を延伸する過程で容易にクラック(crack)が発生する等、損傷され得る。そこで、表示領域AAで、バッファ層141は、複数の第1板パターン121の間の領域には形成されず、複数の第1板パターン121の形状にパターニングされて複数の第1板パターン121の上部にのみ形成され得る。
また、非表示領域NAで、バッファ層141は、下部基板111が複数の第2板パターン123と重畳される領域にのみ形成され得る。上述したように、バッファ層141は、無機物からなり得るので、表示装置100を延伸する過程で容易にクラック(crack)が発生する等、損傷され得る。そこで、非表示領域NAで、バッファ層141は、複数の第2板パターン123の間の領域には形成されず、複数の第2板パターン123の形状にパターニングされて複数の第2板パターン123の上部にのみ形成され得る。
このように、バッファ層141は、下部基板111が複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123と重畳される領域にのみ形成され得る。上述したように、バッファ層141は、無機物からなり得るので、表示装置100を延伸する過程で容易にクラック(crack)が発生する等、損傷され得る。そこで、バッファ層141は、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123の間の領域には形成されず、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123の形状にパターニングされて複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123の上部にのみ形成され得る。そこで、本発明の一実施例に係る表示装置100は、バッファ層141を剛性パターンである複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123と重畳される領域にのみ形成して、表示装置100が反ったり伸びたりする等、変形される場合にも表示装置100の多様な構成要素の損傷を防止できる。
図3を参照すると、バッファ層141上には、ゲート電極151、アクティブ層152、ソース電極153及びドレイン電極154を含むスイッチングトランジスタ150、及びゲート電極161、アクティブ層162、ソース電極及びドレイン電極164を含む駆動トランジスタ160が形成される。
まず、図3を参照すると、バッファ層141上には、スイッチングトランジスタ150のアクティブ層152及び駆動トランジスタ160のアクティブ層162が配置される。例えば、スイッチングトランジスタ150のアクティブ層152及び駆動トランジスタ160のアクティブ層162それぞれは、酸化物半導体で形成されてもよい。または、スイッチングトランジスタ150のアクティブ層152及び駆動トランジスタ160のアクティブ層162は、非晶質シリコン(amorphous silicon、a-Si)、多結晶シリコン(polycrystalline silicon、poly-Si)、または有機物(organic)半導体等で形成され得る。
スイッチングトランジスタ150のアクティブ層152及び駆動トランジスタ160のアクティブ層162上には、ゲート絶縁層142が配置される。ゲート絶縁層142は、スイッチングトランジスタ150のゲート電極151とスイッチングトランジスタ150のアクティブ層152を電気的に絶縁させ、駆動トランジスタ160のゲート電極161と駆動トランジスタ160のアクティブ層162を電気的に絶縁させるための層である。そして、ゲート絶縁層142は、絶縁物質からなり得る。例えば、ゲート絶縁層142は、無機物である窒化シリコン(SiNx)または酸化シリコン(SiOx)の単一層、あるいは窒化シリコン(SiNx)または酸化シリコン(SiOx)の多重層で構成され得るが、これに制限されるものではない。
ゲート絶縁層142上には、スイッチングトランジスタ150のゲート電極151及び駆動トランジスタ160のゲート電極161が配置される。スイッチングトランジスタ150のゲート電極151及び駆動トランジスタ160のゲート電極161は、ゲート絶縁層142上で互いに離隔されるように配置される。そして、スイッチングトランジスタ150のゲート電極151は、スイッチングトランジスタ150のアクティブ層152と重畳し、駆動トランジスタ160のゲート電極161は、駆動トランジスタ160のアクティブ層162と重畳する。
スイッチングトランジスタ150のゲート電極151及び駆動トランジスタ160のゲート電極161それぞれは、多様な金属物質、例えば、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、金(Au)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ネオジム(Nd)、及び銅(Cu)のいずれか一つであるか二以上の合金、またはこれらの多重層であってよいが、これに制限されるものではない。
スイッチングトランジスタ150のゲート電極151及び駆動トランジスタ160のゲート電極161上には、第1層間絶縁層143が配置される。第1層間絶縁層143は、駆動トランジスタ160のゲート電極161と中間金属層IMを絶縁させる。第1層間絶縁層143は、バッファ層141と同様に無機物からなり得る。例えば、第1層間絶縁層143は、無機物である窒化シリコン(SiNx)または酸化シリコン(SiOx)の単一層、あるいは窒化シリコン(SiNx)または酸化シリコン(SiOx)の多重層で構成され得るが、これに制限されるものではない。
第1層間絶縁層143上には、中間金属層IMが配置される。そして、中間金属層IMは、駆動トランジスタ160のゲート電極161と重畳する。そこで、中間金属層IMと駆動トランジスタ160のゲート電極161の重畳領域で、貯蔵キャパシタが形成される。具体的に、駆動トランジスタ160のゲート電極161、第1層間絶縁層143及び中間金属層IMは、貯蔵キャパシタを形成する。ただし、中間金属層IMの配置領域は、これに限定されず、中間金属層IMは、他の電極と重畳されて多様に貯蔵キャパシタを形成することができる。
中間金属層IMは、多様な金属物質、例えば、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、金(Au)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ネオジム(Nd)、及び銅(Cu)のいずれか一つであるか二以上の合金、またはこれらの多重層であってよいが、これに制限されるものではない。
中間金属層IM上には、第2層間絶縁層144が配置される。第2層間絶縁層144は、スイッチングトランジスタ150のゲート電極151とスイッチングトランジスタ150のソース電極153及びドレイン電極154を絶縁させる。そして、第2層間絶縁層144は、中間金属層IMと駆動トランジスタ160のソース電極及びドレイン電極164を絶縁させる。第2層間絶縁層144は、バッファ層141と同様に無機物からなり得る。例えば、第1層間絶縁層143は、無機物である窒化シリコン(SiNx)または酸化シリコン(SiOx)の単一層、あるいは窒化シリコン(SiNx)または酸化シリコン(SiOx)の多重層で構成され得るが、これに制限されるものではない。
第2層間絶縁層144上には、スイッチングトランジスタ150のソース電極153及びドレイン電極154が配置される。そして、第2層間絶縁層144上には、駆動トランジスタ160のソース電極及びドレイン電極164が配置される。スイッチングトランジスタ150のソース電極153及びドレイン電極154は、同じ層で離隔されて配置される。そして、図3においては、駆動トランジスタ160のソース電極が省略されたが、駆動トランジスタ160のソース電極もまたドレイン電極164と同じ層で離隔されて配置される。スイッチングトランジスタ150で、ソース電極153及びドレイン電極154は、アクティブ層152と接する方式でアクティブ層152と電気的に連結され得る。そして、駆動トランジスタ160で、ソース電極及びドレイン電極164は、アクティブ層162と接する方式でアクティブ層162と電気的に連結され得る。そして、スイッチングトランジスタ150のドレイン電極154は、駆動トランジスタ160のゲート電極161とコンタクトホールを通して接する方式で駆動トランジスタ160のゲート電極161と電気的に連結され得る。
ソース電極153及びドレイン電極154、164は、多様な金属物質、例えば、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、金(Au)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ネオジム(Nd)、及び銅(Cu)のいずれか一つであるか二以上の合金、またはこれらの多重層であってよいが、これに制限されるものではない。
また、本明細書においては、駆動トランジスタ160がコープレーナー(coplanar)構造であるものと説明したが、スタガード(staggered)構造等の多様なトランジスタも使用され得る。
第2層間絶縁層144上には、ゲートパッドGP及びデータパッドDPが配置され得る。
具体的に、図4を参照すると、ゲートパッドGPは、ゲート電圧を複数のサブ画素SPXに伝達するためのパッドである。ゲートパッドGPは、第1画素連結配線181とコンタクトホールCHを通して連結される。そして、第1画素連結配線181から供給されたゲート電圧は、ゲートパッドGPから第1板パターン121上に形成された配線を通してスイッチングトランジスタ150のゲート電極151に伝達され得る。
そして、データパッドDPは、データ電圧を複数のサブ画素SPXに伝達するためのパッドである。データパッドDPは、第2画素連結配線182とコンタクトホールを通して連結される。そして、第2画素連結配線182から供給されたデータ電圧は、データパッドDPから第1板パターン121上に形成された配線を通してスイッチングトランジスタ150のソース電極153に伝達され得る。
ゲートパッドGP及びデータパッドDPは、ソース電極153及びドレイン電極154、164と同じ物質からなり得るが、これに制限されるものではない。
図3を参照すると、スイッチングトランジスタ150及び駆動トランジスタ160上にパッシベーション層145が形成される。即ち、パッシベーション層145は、スイッチングトランジスタ150及び駆動トランジスタ160を水分及び酸素等の浸透から保護するために、スイッチングトランジスタ150及び駆動トランジスタ160を覆う。パッシベーション層145は、無機物からなり得、単層または複層になされ得るが、これに限定されるものではない。
そして、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145はパターニングされて複数の第1板パターン121と重畳される領域にのみ形成され得る。ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145もまたバッファ層141と同様に無機物からなり得るので、表示装置100を延伸する過程で容易にクラックが発生する等、損傷され得る。そこで、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145は、複数の第1板パターン121の間の領域には形成されず、複数の第1板パターン121の形状にパターニングされて複数の第1板パターン121の上部にのみ形成され得る。
パッシベーション層145上に平坦化層146が形成される。平坦化層146は、スイッチングトランジスタ150及び駆動トランジスタ160の上部を平坦化する。平坦化層146は、単層または複数の層に構成され得、有機物質からなり得る。そこで、平坦化層146は、有機絶縁層とも称され得る。例えば、平坦化層146は、アクリル(acryl)系有機物質からなり得るが、これに制限されない。
図3を参照すると、平坦化層146は、複数の第1板パターン121上でバッファ層141、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145の上面及び側面を覆うように配置され得る。そして、平坦化層146は、複数の第1板パターン121と共にバッファ層141、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145を囲む。具体的に、平坦化層146は、パッシベーション層145の上面及び側面、第1層間絶縁層143の側面、第2層間絶縁層144の側面、ゲート絶縁層142の側面、バッファ層141の側面及び複数の第1板パターン121の上面の一部を覆うように配置され得る。そこで、平坦化層146は、バッファ層141、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145の側面での段差を補完でき、平坦化層146と平坦化層146の側面に配置される画素連結配線181、182の接着強度を増加させることができる。
図3を参照すると、平坦化層146の側面の傾斜角は、バッファ層141、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145の側面がなす傾斜角より小さくてよい。例えば、平坦化層146の側面は、パッシベーション層145の側面、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144の側面、ゲート絶縁層142の側面及びバッファ層141の側面がなす傾斜より緩やかな傾斜を有し得る。そこで、平坦化層146の側面と接するように配置される画素連結配線181、182が緩やかな傾斜をもって配置され、表示装置100の延伸時、画素連結配線181、182に発生する応力が低減され、画素連結配線181、182がクラックされるか平坦化層146の側面で剥離される現象を抑制できる。
図2乃至4を参照すると、画素連結配線181、182は、複数の第1板パターン121上のパッドを電気的に連結する配線を意味する。画素連結配線181、182は、複数の第1配線パターン122上に配置される。そして、画素連結配線181、182は、複数の第1板パターン121上のゲートパッドGP及びデータパッドDPに電気的に連結されるために、複数の第1板パターン121上にも延び得る。そして、図5を参照すると、複数の第1板パターン121の間の領域のうち画素連結配線181、182が配置されない領域には、第1配線パターン122が配置されない。
画素連結配線181、182は、第1画素連結配線181、第2画素連結配線182を含む。第1画素連結配線181及び第2画素連結配線182は、複数の第1板パターン121の間に配置される。具体的に、第1画素連結配線181は、画素連結配線181、182のうち複数の第1板パターン121の間でX軸方向に延びる配線を意味し、第2画素連結配線182は、画素連結配線181、182のうち複数の第1板パターン121の間でY軸方向に延びる配線を意味する。
画素連結配線181、182は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)のような金属材質または銅/モリブデン-チタン(Cu/Moti)、チタン/アルミニウム/チタン(Ti/Al/Ti)等のような金属材質の積層構造になされ得るが、これに制限されるものではない。
一般的な表示装置の場合、複数のゲート配線、複数のデータ配線等のような多様な配線は、複数のサブ画素の間で直線形状に延びて配置され、一つの信号配線に複数のサブ画素が連結される。そこで、一般的な表示装置の場合、ゲート配線、データ配線、高電位電源配線、基準電圧配線等のような多様な配線は、基板上で切れることなく有機発光表示装置の一側から他側へ延びる。
これとは異なり、本発明の一実施例に係る表示装置100の場合、一般的な有機発光表示装置で使用されるものと見られる直線形状のゲート配線、データ配線、高電位電源配線、基準電圧配線等のような多様な配線は、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123上にのみ配置される。即ち、本発明の一実施例に係る表示装置100で直線形状の配線は、複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123上にのみ配置され得る。
本発明の一実施例に係る表示装置100においては、第1板パターン121または第2板パターン123上での不連続的な配線を連結するために、互いに隣接する2個の第1板パターン121または2個の第2板パターン123上のパッドが画素連結配線181、182により連結され得る。即ち、画素連結配線181、182は、隣接する2個の第1板パターン121上のゲートパッドGPあるいはデータパッドDPを電気的に連結する。従って、本発明の一実施例に係る表示装置100は、ゲート配線、データ配線、高電位電源配線、基準電圧配線等のような多様な配線を複数の第1板パターン121及び複数の第2板パターン123の間で電気的に連結するように複数の画素連結配線181、182を含むことができる。例えば、第1方向Xに隣接して配置された複数の第1板パターン121上にはゲート配線が配置され得、ゲート配線の両末端にはゲートパッドGPが配置され得る。このとき、第1方向Xに隣接して配置された複数の第1板パターン121上の複数のゲートパッドGPそれぞれは、ゲート配線として機能する第1画素連結配線181により互いに連結され得る。そこで、複数の第1板パターン121上に配置されたゲート配線と第2板パターン123上に配置された第1画素連結配線181が一つのゲート配線として機能できる。また、表示装置100に含まれ得る全ての多様な配線のうち第1方向Xに延びる配線、例えば、発光信号配線、低電位電源配線、高電位電源配線もまた上述したように第1画素連結配線181により電気的に連結され得る。
図2及び図4を参照すると、第1画素連結配線181は、第1方向Xに隣接して配置された複数の第1板パターン121上のゲートパッドGPのうち並んで配置された2個の第1板パターン121上のゲートパッドGPを互いに連結できる。第1画素連結配線181は、ゲート配線、発光信号配線、高電位電源配線または低電位電源配線として機能できるが、これに制限されることはない。例えば、第1画素連結配線181は、ゲート配線として機能でき、第1方向Xに並んで配置された2個の第1板パターン121上のゲートパッドGPを電気的に連結できる。そこで、先に説明したように、第1方向Xに配置された複数の第1板パターン121上のゲートパッドGPは、ゲート配線として機能する第1画素連結配線181によって連結され得、一つのゲート電圧が伝達され得る。
そして、図3を参照すると、第2画素連結配線182は、第2方向Yに隣接して配置された複数の第1板パターン121上のデータパッドDPのうち並んで配置された2個の第1板パターン121上のデータパッドDPを互いに連結できる。第2画素連結配線182は、データ配線、高電位電源配線、低電位電源配線または基準電圧配線として機能できるが、これに制限されることはない。例えば、第2画素連結配線182は、データ配線として機能でき、第2方向Yに並んで配置された2個の第1板パターン121上のデータ配線を電気的に連結できる。そこで、先に説明したように、第2方向Yに配置された複数の第1板パターン121上の内部配線は、データ配線として機能する複数の第2画素連結配線182によって連結され得、一つのデータ電圧が伝達され得る。
図4に示されたように、第1画素連結配線181は、第1板パターン121上に配置された平坦化層146の上面及び側面と接して第1配線パターン122の上面に延びて形成され得る。また、図3に示されたように、第2画素連結配線182は、第1板パターン121上に配置された平坦化層146の上面及び側面と接して第1配線パターン122の上面に延びて形成され得る。
ただし、図5に示されたように、第1画素連結配線181及び第2画素連結配線182が配置されない領域には剛性パターンが配置される必要がないので、第1画素連結配線181及び第2画素連結配線182の下部に剛性パターンである第1配線パターン122が配置されない。
一方、図3を参照すると、連結パッドCNT、画素連結配線181、182及び平坦化層146上にバンク147が形成される。バンク147は、隣接するサブ画素SPXを区分する構成要素である。バンク147は、パッドPD、画素連結配線181、182及び平坦化層146の少なくとも一部を覆うように配置される。バンク147は、絶縁物質からなり得る。また、バンク147は、ブラック物質を含んでなり得る。バンク147は、ブラック物質を含むことで表示領域AAを通して視認され得る配線を遮る役割を果たす。バンク147は、例えば、透明なカーボン(carbon)系列の混合物からなり得、具体的にカーボンブラック(carbon black)を含むことができる。ただし、これに制限されるものではなく、バンク147は、透明な絶縁物質からなってもよい。そして、図3においてバンク147の高さは発光素子170の高さより低いものと示したが、これに限定されず、バンク147の高さは、発光素子170の高さと同じであってよい。
図3を参照すると、連結パッドCNTと第1画素連結配線181上には、発光素子170が配置される。発光素子170は、n型層171、活性層172、p型層173、n電極174及びp電極175を含む。本発明の一実施例に係る表示装置100の発光素子170は、一側面にn電極174とp電極175が形成されるフリップチップ(filp-chip)の構造を有する。
n型層171は、優れた結晶性を有する窒化ガリウム(GaN)にn型不純物を注入して形成され得る。n型層171は、発光され得る物質からなる別途のベース基板上に配置されてもよい。
n型層171上には、活性層172が配置される。活性層172は、発光素子170で光を発する発光層であり、窒化物半導体、例えば、インジウム窒化ガリウム(InGaN)からなり得る。活性層172上には、p型層173が配置される。p型層173は、窒化ガリウム(GaN)にp型不純物を注入して形成され得る。
本発明の一実施例に係る発光素子170は、以上において説明したように、n型層171、活性層172及びp型層173を順に積層した後、所定部分を食刻した後、n電極174とp電極175を形成する方式で製造される。このとき、所定部分は、n電極174とp電極175を離隔させるための空間であり、n型層171の一部が露出されるように所定部分が食刻される。言い換えれば、n電極174とp電極175が配置される発光素子170の面は、平坦化された面でない互いに異なる高さレベルを有し得る。
このように、食刻された領域にはn電極174が配置され、n電極174は、導電性物質からなり得る。そして、食刻されていない領域にはp電極175が配置され、p電極175も導電性物質からなり得る。例えば、食刻工程で露出されたn型層171上にはn電極174が配置され、p型層173上にはp電極175が配置される。p電極175は、n電極174と同じ物質からなり得る。
接着層ADは、連結パッドCNT及び第1画素連結配線181の上面と連結パッドCNT及び第1画素連結配線181との間に配置され、発光素子170が連結パッドCNT及び第1画素連結配線181上に接着され得る。このとき、n電極174は、第1画素連結配線181上に配置され、p電極175は、連結パッドCNT上に配置され得る。
接着層ADは、絶縁性ベース部材に導電ボールが分散された導電性接着層であってよい。そこで、接着層ADに熱または圧力が加えられる場合、熱または圧力が加えられた部分で導電ボールが電気的に連結されて導電特性を有し、加圧されていない領域は絶縁特性を有し得る。例えば、n電極174は、接着層ADを通して第1画素連結配線181と電気的に連結され、p電極175は、接着層ADを通して連結パッドCNTと電気的に連結される。接着層ADを第1画素連結配線181の上面と連結パッドCNT上にインクジェット等の方式で塗布した後、発光素子170を接着層AD上に転写し、発光素子170を加圧して熱を加える方式で連結パッドCNTとp電極175及び第1画素連結配線181とn電極174を電気的に連結させることができる。ただし、n電極174と第1画素連結配線181との間に配置された接着層ADの部分及びp電極175と連結パッドCNTとの間に配置された接着層ADの部分を除く他の接着層ADの部分は、絶縁特性を有する。一方、接着層ADは、分離された形態に連結パッドCNT及び第1画素連結配線181それぞれに配置されてもよい。
そして、連結パッドCNTは、駆動トランジスタ160のドレイン電極164に電気的に連結され、駆動トランジスタ160から発光素子170の駆動のための駆動電圧の印加を受ける。そして、第1画素連結配線181には、発光素子170の駆動のための低電位駆動電圧が印加される。そこで、表示装置100がオン(on)されると、連結パッドCNT及び第1画素連結配線181それぞれに印加される互いに異なる電圧レベルがそれぞれn電極174とp電極175に伝達されて発光素子170が発光される。
上部基板112は、上部基板112の下に配置される多様な構成要素を支持する基板である。具体的に、上部基板112は、上部基板112を構成する物質を下部基板111及び第1板パターン121上にコーティングした後、硬化させる方式で形成して、下部基板111、第1板パターン121、第1配線パターン122及び画素連結配線181、182に接するように配置され得る。
上部基板112は、下部基板111と同じ物質からなり得る。例えば、上部基板112は、ポリジメチルシロキサン(polydimethylsiloxane;PDMS)のようなシリコーンゴム(Silicone Rubber)、ポリウレタン(polyurethane;PU)、PTFE(polytetrafluoroethylene)等の弾性重合体(elastomer)からなり得、そこで、柔軟な性質を有することができる。しかし、上部基板112の材質は、これに制限されるものではない。
一方、図3には示されていないが、上部基板112上には、偏光層が配置されてもよい。偏光層は、表示装置100の外部から入射する光を偏光させて、外光反射を減少させる機能を果たすことができる。また、偏光層でない他の光学フィルム等が上部基板112上に配置され得る。
また、下部基板111の前面に配置され、上部基板112と下部基板111上に配置される構成要素の間を充填させる充填層190が配置され得る。充填層190は、硬化性接着剤で構成され得る。具体的に、充填層190を構成する物質を下部基板111の前面にコーティングした後、硬化させる方式で形成して、上部基板112と下部基板111上に配置される構成要素の間に充填層190を配置させることができる。例えば、充填層190は、OCA(optically clear adhesive)であってよく、アクリル系接着剤、シリコン系接着剤及びウレタン系接着剤等で構成され得る。
表示領域の回路構造
図6は、本発明の一実施例に係る表示装置のサブ画素の回路図である。
以下においては、説明の便宜上、本発明の一実施例に係る表示装置のサブピクセルSPXが2T(Transistor)1C(Capacitor)の画素回路である場合の構造及びその動作について説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
図3及び図6を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置のサブピクセルSPXは、スイッチング(switching)トランジスタ150、駆動(driving)トランジスタ160、貯蔵キャパシタC及び発光素子170を含んで構成され得る。
スイッチングトランジスタ150は、第1画素連結配線181を通して供給されたゲート信号SCANによって、第2画素連結配線182を通して供給されるデータ信号DATAを駆動トランジスタ160と貯蔵キャパシタCに印加する。
そして、スイッチングトランジスタ150のゲート電極151は、第1画素連結配線181に電気的に連結され、スイッチングトランジスタ150のソース電極153は、第2画素連結配線182に連結され、スイッチングトランジスタ150のドレイン電極154は、駆動トランジスタ160のゲート電極161に連結される。
駆動トランジスタ160は、貯蔵キャパシタCに貯蔵されたデータ電圧DATAに対応して、第1画素連結配線181を通して供給される高電位電源VDDとデータ電圧DATAによる駆動電流が流れるように動作できる。
そして、駆動トランジスタ160のゲート電極161は、スイッチングトランジスタ150のドレイン電極154に電気的に連結され、駆動トランジスタ160のソース電極は、第1画素連結配線181に連結され、駆動トランジスタ160のドレイン電極164は、発光素子170に連結される。
発光素子170は、駆動トランジスタ160により形成された駆動電流によって発光するように動作できる。そして、前述したように、発光素子170のn電極174は、第1画素連結配線181に連結されて低電位電源VSSが印加され、発光素子170のp電極175は、駆動トランジスタ160のドレイン電極164に連結されて駆動電流に該当する駆動電圧が印加され得る。
本発明の一実施例に係る表示装置のサブピクセルSPXは、スイッチングトランジスタ150、駆動トランジスタ160、貯蔵キャパシタC及び発光素子170を含む2T1C構造で構成されるが、補償回路が加えられた場合、3T1C、4T2C、5T2C、6T1C、6T2C、7T1C、7T2C等と多様に構成され得る。
上述したように、本発明の一実施例に係る表示装置は、剛性基板である第1基板に複数のサブピクセルを含むことができ、複数のサブピクセルSPXそれぞれは、スイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ、貯蔵キャパシタ及び発光素子を含んで構成され得る。
従って、本発明の一実施例に係る表示装置は、下部基板により延伸され得るだけではなく、それぞれの第1基板に2T1C構造の画素回路を備えて、それぞれのゲートタイミングに合わせて、データ電圧による光を発光できる。
非表示領域のパターン層
図7は、本発明の一実施例に係る表示装置の非表示領域の拡大平面図である。
具体的に、図7は、図1に示されたB領域の拡大平面図である。参考までに、図7において、薄い屈曲線(wavy line)は、第2配線パターンだけが配置されることを意味し、太い屈曲線(wavy line)は、第2配線パターン上に第2連結配線であるバッファ配線、ゲート連結配線またはパワー配線が配置されることを意味する。
図7に示されたように、非表示領域NAは、表示領域AAの外側に位置する第1領域A1、第1領域A1の外側に位置する第2領域A2及び前記第2領域A2の外側に位置する第3領域A3を含む。例えば、非表示領域NAは、表示領域AAに隣接して配置された第1領域A1、第1領域A1に隣接して配置された第2領域A2、及び第2領域A2に隣接して配置された第3領域A3を含む。第2領域A2は、第1領域A1と第3領域A3との間に配置され得る。
そして、第1領域A1にはアンカーホールAHが配置され、第2領域A2にはゲートドライバGDが配置され、第3領域A3にはパワーサプライPSを構成するパワーブロック(Power Block)PBが配置される。
即ち、第1方向Xを基準に、表示領域AAの外側に第1領域A1、第2領域A2及び第3領域A3が順次に位置する。そこで、第1方向Xを基準に、表示領域AAと隣接した領域でアンカーホールAH、ゲートドライバGD及びパワーサプライPSが順次に配置される。
非表示領域NAには、ゲートドライバGD及びパワーサプライPSが形成される複数の第2板パターン123が配置され得る。そして、前記互いに隣接する第1板パターン121と第2板パターン123を連結し、互いに隣接する複数の第2板パターン123を連結する第2配線パターン124が配置される。第2配線パターン124は、第2連結パターンと称され得る。例えば、互いに隣接する第1板パターン121と第2板パターン123との間には第2配線パターン124が配置され得、互いに隣接する複数の第2板パターン123を第2配線パターン124が配置され得る。
具体的に、非表示領域NAに配置される複数の第2板パターン123は、第1領域A1に位置し、アンカーホールAHが配置される複数の第1サブ板パターン123a、第2領域A2に位置し、ゲートドライバGDが配置される複数の第2サブ板パターン123b、及び第3領域A3に位置し、パワーサプライPSが配置される複数の第3サブ板パターン123cを含む。
より詳細には、非表示領域NAの一側には、第1領域A1で第2方向Yに沿って複数の第1サブ板パターン123aが一列に配置され、第2領域A2で第2方向Yに沿って複数の第2サブ板パターン123bが一列に配置され、第3領域A3で第2方向Yに沿って複数の第3サブ板パターン123cが複数の列に配置される。
例えば、複数の第1サブ板パターン123aは、第1領域A1に配置され、第2方向Yにのみ互いに離隔され、複数の第2サブ板パターン123bは、第2領域A2に配置され、第2方向Yにのみ互いに離隔され、複数の第3サブ板パターン123cは、第3領域A3に配置され、第1方向X及び第2方向Yに互いに離隔され得る。
そして、複数の第1サブ板パターン123aの大きさは、複数の第2サブ板パターン123bの大きさより小さくてよい。具体的に、複数の第1サブ板パターン123aのそれぞれの大きさは、複数の第2サブ板パターン123bそれぞれの大きさより小さくてよい。上述したように、複数の第1サブ板パターン123aそれぞれには、アンカーホールAH配置され得る。そして、複数の第1サブ板パターン123aに配置されるアンカーホールAHの面積は、複数の第2サブ板パターン123bに配置されるゲートドライバGDの面積よりさらに小さくてよい。
そして、非表示領域NAに配置される複数の第2配線パターン124は、第1領域A1に位置する第1サブ配線パターン124a、第2領域A2に位置する第2サブ配線パターン124b、及び第3領域A3に位置する第3サブ配線パターン124cを含む。
第1サブ配線パターン124aは、表示領域AAに配置される第1板パターン121と非表示領域NAに配置される第2板パターン123の第1サブ板パターン123aを連結できる。そして、第1サブ配線パターン124aは、非表示領域NAに配置される第1サブ板パターン123aと第2サブ板パターン123bを連結する。
より詳細には、第1サブ配線パターン124aは、第1-1サブ配線パターン124a-1及び第1-2サブ配線パターン124a-2を含むことができる。第1-1サブ配線パターン124a-1は、第1方向Xに延びて、第1板パターン121と第1サブ板パターン123aを連結し、第1サブ板パターン123aと第2サブ板パターン123bを連結できる。そして、第1-2サブ配線パターン124a-2は、第1-1サブ配線パターン124a-1及び第2方向Yに延びて、複数の第1サブ板パターン123aを連結できる。
第2サブ配線パターン124bは、第2方向Yに延びて、複数の第2サブ板パターン123bを連結する。
そして、第3サブ配線パターン124cは、第3-1サブ配線パターン124c-1及び第3-2サブ配線パターン124c-2を含む。第3-1サブ配線パターン124c-1は、第1方向Xに延びて、第1方向Xに離隔された第3サブ板パターン123cを連結できる。そして、第3-2サブ配線パターン124c-2は、第2方向Yに延びて、第2方向Yに離隔された複数の第3サブ板パターン123cを連結できる。
一方、第2領域A2に配置された第2サブ配線パターン124b上には、複数のゲート連結配線184が配置され、複数のゲートドライバGDを電気的に連結できる。即ち、第2サブ配線パターン124b上に配置される複数のゲート連結配線184には、ゲート駆動電圧及びゲートクロック電圧が印加され、複数のゲートドライバGDそれぞれがゲート電圧を出力できるようにする。ただし、図7においては、複数の第2サブ配線パターン124bのうち一部にのみゲート連結配線184が配置されるものと示されたが、これに限定されず、複数の第2サブ配線パターン124b全部にゲート連結配線184が配置され得る。
また、第2サブ配線パターン124b上に形成されるゲート連結配線184は、第2サブ配線パターン124bの形状と同一であってよい。具体的に、複数のゲート連結配線184それぞれは、屈曲した形状を有し得る。例えば、複数のゲート連結配線184それぞれは、正弦波状を有し得る。ただし、複数のゲート連結配線184それぞれの形状は、これに制限されず、例えば、複数のゲート連結配線184それぞれは、ジグザグ状に延びてもよく、複数のひし形状の基板が頂点で連結されて延びる等の多様な形状を有し得る。また、図8に示された複数のゲート連結配線184それぞれの個数及び形状は例示的なものであり、複数のゲート連結配線184それぞれの個数及び形状は、設計によって多様に変更され得る。
但し、図7において、全ての第2サブ配線パターン124b上にゲート連結配線184が配置されるのではなく、ゲート連結配線184が配置されない第2サブ配線パターン124bも存在し得る。上述の、ゲート連結配線184が配置されない第2サブ配線パターン124bは、第2方向Yへの延伸に対する剛性を確保するためにさらに配置された構造物であってよい。
第1領域の構成
図8は、本発明の一実施例に係る表示装置の第1領域の拡大平面図である。
図9は、図8に示された切断線IX-IX’に沿って切断した断面図である。
図8に示されたように、第1領域A1には、ゲートドライバGDと複数の画素PXを連結する配線であるバッファ配線183が配置される。そして、第1領域A1には、バッファ配線183を固定させるアンカーホールAHが配置され得る。例えば、バッファ配線183は、第1板パターン121と第1サブ板パターン123aを連結する第1サブ配線パターン124a上に形成され、第1サブ板パターン123aに配置されるゲートドライバGDと第1板パターン121に配置される画素PXを連結できる。
そして、図8を参照すると、第1板パターン121と第1サブ板パターン123aとの間に位置する第1-1サブ配線パターン124a-1の両側末端の幅は、第1-1サブ配線パターン124a-1の中央領域の幅より大きくてよい。そして、第1サブ板パターン123aと第2サブ板パターン123bとの間に形成される第1-1サブ配線パターン124a-1もまた両側末端の幅は、中央領域の幅より大きくてよい。
従って、第1-1サブ配線パターン124a-1上に形成されたバッファ配線183において、第1板パターン121、第1サブ板パターン123aまたは第2サブ板パターン123bと重畳する領域に配置されたバッファ配線183の幅は、第1-1サブ配線パターン124a-1と重畳する領域に配置されたバッファ配線183の幅より大きくてよい。
即ち、バッファ配線183の中央領域の幅が相対的に薄いので、バッファ配線183は、より少ない力で延伸され得る。そこで、バッファ配線183の延伸率は向上し得る。そして、バッファ配線183の両側末端の幅が相対的に厚いので、バッファ配線183が第1板パターン121、第1サブ板パターン123aまたは第2サブ板パターン123bに接触して固定され得る面積が増加する。そこで、バッファ配線183が繰り返して延伸されても、第1板パターン121、第1サブ板パターン123aまたは第2サブ板パターン123bと分離されなくて済む。そこで、バッファ配線183の延伸信頼性は向上し得る。
それぞれのバッファ配線183は、ゲートドライバGDと複数の画素PXを連結するために、第1方向Xに延びて、複数のバッファ配線183は、第2方向Yに配列される。
そして、複数のバッファ配線183は、第1サブ板パターン123a及び第1サブ配線パターン124aにわたって配置される。具体的に、第1サブ配線パターン124aは、第1方向Xに延びる第1-1サブ配線パターン124a-1と第2方向Yに延びる第1-2サブ配線パターン124a-2で構成されるか、バッファ配線183は、第1方向Xにのみ延びる。そこで、バッファ配線183は、第1サブ板パターン123a及び第1-1サブ配線パターン124a-1上に形成され得る。そして、バッファ配線183は、第1-2サブ配線パターン124a-2上には形成されなくてよい。また、第1-1サブ配線パターン124a-1上に形成されるバッファ配線183は、第1-1サブ配線パターン124a-1の形状と同一であってよい。具体的に、複数のバッファ配線183それぞれは、屈曲した形状を有する。例えば、複数のバッファ配線183それぞれは、正弦波状を有し得る。ただし、複数のバッファ配線183それぞれの形状は、これに制限されず、例えば、複数のバッファ配線183それぞれは、ジグザグ状に延びてもよく、複数のひし形状の基板が頂点で連結されて延びる等の多様な形状を有し得る。また、図8に示された複数のバッファ配線183それぞれの個数及び形状は例示的なものであり、複数のバッファ配線183それぞれの個数及び形状は、設計によって多様に変更され得る。
そして、第1サブ板パターン123a上に形成されるバッファ配線183は、第1方向Xに延びる直線形態であってよい。ただし、第1サブ板パターン123a上に形成されるバッファ配線183の形状は、これに限定されず、上述したように屈曲した形状であってよい。第1サブ板パターン123a上に形成されるバッファ配線183の幅は、第1-1サブ配線パターン124a-1上に形成されるバッファ配線183の幅より大きくてよい。図8を参照すると、第1-1サブ配線パターン124a-1の幅は、異に形成され得る。例えば、第1サブ板パターン123aまたは第1板パターン121に隣接した領域に配置された第1-1サブ配線パターン124a-1の幅は、第1-1サブ配線パターン124a-1の屈曲した領域の幅より大きくてよい。
そこで、複数のバッファ配線183の一部が屈曲した形状を有することで、非表示領域NAの第1領域A1が第1方向Xに延伸され得る。そして、複数のバッファ配線183の他の一部が直線形状を有することで、バッファ配線183の抵抗を減少させることができる。そこで、複数のバッファ配線183が伝達するゲート電圧のディレイを低減または最小化させることができる。
そして、複数のアンカーホールAHは、第1サブ板パターン123a上に形成され、複数のバッファ配線183と異なる層に配置された金属パターンMT(または導電パターンMT)を接触させる。
図8に示されたように、複数のアンカーホールAHは、第1サブ板パターン123a上に形成されたバッファ配線183に重畳されるように形成され得る。具体的に、第1サブ板パターン123a上に形成されたバッファ配線183は、第1方向Xに延びるので、複数のアンカーホールAHは、第1サブ板パターン123a上に形成されたバッファ配線183によって第1方向Xに配列され得る。
例えば、第1サブ板パターン123a上には、第1方向Xに延びる複数個のバッファ配線183が第2方向Yに配列されるので、第1方向Xに配置される複数のアンカーホールAHは、第2方向Yに複数個が配列され得る。
そして、図9を参照すると、複数のアンカーホールAHそれぞれを通して、複数のバッファ配線183は、他の金属パターンMTと直接的に接触し得る。
下部基板111上に配置される第1サブ板パターン123a上には、無機絶縁層であるバッファ層141、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145と、有機絶縁層である平坦化層146が配置され得る。
そして、バッファ配線183は、平坦化層146上に配置され、金属パターンMTは、無機絶縁層であるバッファ層141、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145の間に配置され得る。
例えば、図9においては、金属パターンMTが第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145の間に配置されるトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ物質で形成され得る。即ち、金属パターンMTは、トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ層に同じ物質で形成され得る。
ただし、金属パターンMTは、これに限定されず、金属パターンMTが第1層間絶縁層143及び第2層間絶縁層144の間に配置される中間金属層と同じ物質で形成されるか、金属パターンMTがゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143の間に配置されるトランジスタのゲート電極と同じ物質で形成され得る。
そして、バッファ配線183と平坦化層上には、充填層190と上部基板112が順次に配置され得る。
上述したように、本発明の一実施例に係る表示装置は、バッファ配線183を固定させるアンカーホールAHを含むことができる。そこで、表示装置が繰り返して延伸されても、バッファ配線183は、下部構成要素と剥離されなくて済む。また、アンカーホールAHを通してバッファ配線183は第1サブ板パターン123a上に固定されるので、バッファ配線183が流動的に動くことのできる領域が減少する。そこで、バッファ配線183が受ける延伸ストレスは、確実に減少し得る。結局、本発明の一実施例に係る表示装置においてアンカーホールAHが形成されることで、表示装置の延伸信頼性が安定して確保され得る。
そして、表示装置の製造時、下部基板上に構成要素を配置させ、それをリフトオフさせて、分離した後、充填層と上部基板を付ける。上述したように下部基板上に配置された構成要素をリフトオフさせる場合、下部基板上に配置される構成要素であるバッファ配線等が取られる問題点が発生した。そこで、本発明の一実施例に係る表示装置においてバッファ配線をアンカーホールを通して固定させることで、リフトオフ時、表示装置が損傷されなくて済む。結局、本発明の一実施例に係る表示装置は、工程安定性もまた図ることができる。
第3領域の構成
図10は、本発明の一実施例に係る表示装置の第3領域の拡大平面図である。
図11は、図10に示された切断線XI-XI’に沿って切断した断面図である。
図10に示されたように、第3領域A3には、パワーサプライPSを構成する複数のパワーブロックPBと、複数のパワーブロックPBを連結するパワー配線185が配置される。
複数のパワーブロックPBは、互いに離隔された複数の第3サブ板パターン123c上にそれぞれ形成される。前述したように、第3サブ板パターン123cは、第1方向X及び第2方向Yに互いに離隔されるアイランド形態に配置され得るので、複数のパワーブロックPBもまた第1方向X及び第2方向Yに互いに離隔されるアイランド形態に配置され得る。
図10においては、4×2のマトリックス形態に配置される複数の第3サブ板パターン123cそれぞれに配置される4×2のマトリックス形態に配置される複数のパワーブロックPBについて示したが、これに限定されず、複数のパワーブロックPBの配置形態は、多様に変形され得る。例えば、一つの第3サブ板パターン123cには、一つのパワーブロックPBだけが配置されるのではなく、複数のパワーブロックPBがマトリックス形態に配置され得る。
そして、図11に示されたように、複数のパワーブロックPBそれぞれは、互いに異なる層に配置される複数のパワーパターンPPを含むことができる。具体的に、複数のパワーブロックPBは、互いに異なる層に配置される第1パワーパターンPP1及び第2パワーパターンPP2を含むことができる。
下部基板111上に配置される第3サブ板パターン123c上には、無機絶縁層であるバッファ層141、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145と、有機絶縁層である平坦化層146が配置され得る。
そして、第1パワーパターンPP1は、無機絶縁層であるバッファ層141、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145の間に配置され得る。そして、第2パワーパターンPP2は、平坦化層146上に配置され得る。
例えば、図11においては、第1パワーパターンPP1が第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145の間に配置されるトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ物質で形成され得る。即ち、第1パワーパターンPP1は、トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ層に同じ物質で形成され得る。
ただし、第1パワーパターンPP1は、これに限定されず、第1パワーパターンPP1が第1層間絶縁層143及び第2層間絶縁層144の間に配置される中間金属層と同じ物質で形成されるか、第1パワーパターンPP1がゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143の間に配置されるトランジスタのゲート電極と同じ物質で形成され得る。
ただし、図11においては、パワーブロックPBが2個のパワーパターンPP1、PP2層だけで構成されるものとのみ示したが、これに限定されず、パワーブロックPBの互いに異なる層に配置される3個以上の複数のパワーパターン層で構成され得る。
そして、第2パワーパターンPP2と平坦化層上には、充填層190と上部基板112が順次に配置され得る。
一方、複数のパワー配線185は、アイランド形態に配置された複数のパワーブロックPBを互いに連結する。そこで、複数のパワー配線185は、第1方向Xに延びた第1パワー配線185aと第2方向Yに延びた第2パワー配線185bを含む。
そして、第1方向Xに延びる複数の第1パワー配線185aは、第1方向Xに延びる第3-1サブ配線パターン124c-1上に配置され、第2方向Yに延びる複数の第2パワー配線185bは、第2方向Yに延びる第3-2サブ配線パターン124c-2上に配置される。
また、第3-1サブ配線パターン124c-1上に形成される第1パワー配線185aは、第3-1サブ配線パターン124c-1の形状と同一であってよく、第3-2サブ配線パターン124c-2上に形成される第2パワー配線185bは、第3-2サブ配線パターン124c-2の形状と同一であってよい。具体的に、複数の第1パワー配線185a及び複数の第2パワー配線185bそれぞれは、屈曲した形状を有する。例えば、複数の第1パワー配線185a及び複数の第2パワー配線185bそれぞれは、正弦波状を有し得る。ただし、複数の第1パワー配線185a及び複数の第2パワー配線185bそれぞれの形状は、これに制限されず、例えば、複数の第1パワー配線185a及び複数の第2パワー配線185bそれぞれは、ジグザグ状に延びてもよく、複数のひし形状の基板が頂点で連結されて延びる等の多様な形状を有し得る。また、図10において、6個の第1パワー配線185aがグループをなし、第1方向Xに隣接した複数のパワーブロックPBを電気的に連結し、3個の第2パワー配線185bがグループをなし、第2方向Yに隣接した複数のパワーブロックPBを電気的に連結するものと示したが、示された複数の第1パワー配線185a及び複数の第2パワー配線185bそれぞれの個数及び形状は例示的なものであり、複数の第1パワー配線185a及び複数の第2パワー配線185bそれぞれの個数及び形状は、設計によって多様に変更され得る。
そして、図11に示されたように、複数の第1パワー配線185a及び複数の第2パワー配線185bそれぞれは、互いに異なる層に配置される複数のパワー配線層を含むことができる。具体的に、複数の第1パワー配線185aは、互いに異なる層に配置される第1-1パワー配線及び第1-2パワー配線を含むことができる。そして、複数の第2パワー配線185bは、互いに異なる層に配置される第2-1パワー配線185b-1及び第2-2パワー配線185b-2を含むことができる。
図11においては、第2パワー配線185bを切断した断面図であるので、第2パワー配線185bの層間構造について説明する。
下部基板111上に配置される第3-2サブ配線パターン124c-2上には、第2-1パワー配線185b-1が配置され得る。そして、第2-1パワー配線185b-1上には、パッシベーション層145及び平坦化層146が配置され、第2-2パワー配線185b-2は、平坦化層146上に配置され得る。
そして、第2-1パワー配線185b-1は、第1パワーパターンPP1と同じ物質で構成され得、第2-2パワー配線185b-2は、第2パワーパターンPP2と同じ物質で構成され得る。
例えば、図11においては、第2-1パワー配線185b-1がトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ物質で形成され得る。ただし、第2-1パワー配線185b-1は、これに限定されず、第2-1パワー配線185b-1が第1層間絶縁層143及び第2層間絶縁層144の間に配置される中間金属層と同じ物質で形成されるか、第2-1パワー配線185b-1がゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143の間に配置されるトランジスタのゲート電極と同じ物質で形成され得る。
ただし、図11においては、第2パワー配線185bが2個のパワー配線層185b-1、185b-2だけで構成されるものとのみ示したが、これに限定されず、第2パワー配線185bの互いに異なる層に配置される3個以上の複数のパワー配線層で構成され得る。
第1パワー配線185aの層間構造は、第2パワー配線185bの層間構造と同一である。
具体的に、下部基板111上に配置される第3-1サブ配線パターン124c-1上には、第1-1パワー配線が配置され得る。そして、第1-1パワー配線上には、パッシベーション層145及び平坦化層146が配置され、第1-2パワー配線は、平坦化層146上に配置され得る。
そして、第1-1パワー配線は、第1パワーパターンPP1と同じ物質で構成され得、第1-2パワー配線は、第2パワーパターンPP2と同じ物質で構成され得る。
ただし、第1パワー配線185aが2個のパワー配線層だけで構成されるものとのみ示したが、これに限定されず、第1パワー配線185aの互いに異なる層に配置される3個以上の複数のパワー配線層で構成され得る。
上述したように、第1-1パワー配線及び第2-1パワー配線185b-1は、第1パワーパターンPP1と同じ物質で構成され、第1-1パワー配線、第2-1パワー配線185b-1及び第1パワーパターンPP1は、互いに電気的に連結され得る。そこで、リンク配線を通して一側に配置された複数の第1パワーパターンPP1に低電位駆動電圧が印加され得る。そして、第1-1パワー配線及び第2-1パワー配線185b-1を通して他側に配置された第1パワーパターンPP1に低電位駆動電圧が貯蔵され、第1-1パワー配線及び第2-1パワー配線185b-1を通して低電位駆動電圧を複数の画素に供給できる。
そして、第1-2パワー配線及び第2-2パワー配線185b-2は、第2パワーパターンPP2と同じ物質で構成され、第1-2パワー配線、第2-2パワー配線185b-2及び第2パワーパターンPP2は、互いに電気的に連結され得る。そこで、リンク配線を通して一側に配置された複数の第2パワーパターンPP2に高電位駆動電圧が印加され得る。そして、第1-2パワー配線及び第2-2パワー配線185b-2を通して他側に配置された第2パワーパターンPP2に高電位駆動電圧が貯蔵され、第1-2パワー配線及び第2-2パワー配線185b-2を通して高電位駆動電圧を複数の画素に供給できる。
即ち、上述したように、パワーサプライPS中、相対的に上部層に配置された構成要素である第1-2パワー配線、第2-2パワー配線185b-2及び第2パワーパターンPP2を通して高電位駆動電圧が画素に供給され、パワーサプライPS中、相対的に下部層に配置された構成要素である第1-1パワー配線、第2-1パワー配線185b-1及び第1パワーパターンPP1を通して低電位駆動電圧が画素に供給されるものと説明した。
ただし、これに限定されず、パワーサプライPS中、相対的に上部層に配置された構成要素である第1-2パワー配線、第2-2パワー配線185b-2及び第2パワーパターンPP2中、一領域に配置された構成要素には、リンク配線を通して高電位駆動電圧が印加され得、第1-2パワー配線、第2-2パワー配線185b-2及び第2パワーパターンPP2中、他領域に配置された構成要素には、リンク配線を通して低電位駆動電圧が印加され得る。そして、他領域に配置された第2パワーパターンPP2は、コンタクトホールを通して相対的に下部層に配置された第1パワーパターンPP1と電気的に連結される。そこで、第1-1パワー配線、第2-1パワー配線185b-1及び第1パワーパターンPP1には低電位駆動電圧が貯蔵され、第1-1パワー配線、第2-1パワー配線185b-1及び第1パワーパターンPP1を通して低電位駆動電圧が画素に供給され得る。
例えば、図10に示されたように、4×2マトリックス形態のパワーブロックPBが配置される場合は、相対的に第3領域A3の内側に配置された2×2マトリックス形態のパワーブロックPBの第2パワーパターンPP2は、リンク配線から高電位駆動電圧の印加を受けて、パワー配線185を通して画素に高電位駆動電圧を印加することができる。
一方、相対的に第3領域A3の外側に配置された2×2マトリックス形態のパワーブロックPBの第2パワーパターンPP2は、リンク配線から低電位駆動電圧の印加を受ける。そして、コンタクトホールを通して低電位駆動電圧を第3領域A3にわたって配置された4×2マトリックス形態のパワーブロックPBの第1パワーパターンPP1に伝達する。そして、第1パワーパターンPP1に連結されたパワー配線185を通して画素に低電位駆動電圧を印加することができる。
上述した場合は、第3領域A3の内側に配置された2×2マトリックス形態のパワーブロックPBには高電位駆動電圧が印加され、第3領域A3の外側に配置された2×2マトリックス形態のパワーブロックPBには低電位駆動電圧が印加されるので、第3領域A3の内側に配置された2×2マトリックス形態のパワーブロックPBと第3領域A3の外側に配置された2×2マトリックス形態のパワーブロックPBは、電気的に連結されてはならない。そこで、第3領域A3の内側に配置された2×2マトリックス形態のパワーブロックPBと第3領域A3の外側に配置された2×2マトリックス形態のパワーブロックPBとの間には、パワー配線185が配置されなくてよい。
前述したように、本発明の一実施例に係る表示装置において、パワーサプライPSは、アイランド形態に離隔された複数の第3サブ板パターン123c上に形成され得る。即ち、パワーサプライPS二軸方向に互いに離隔されるパワーブロックPBとそれを連結するパワー配線185を含んで、パワーサプライPSそのものが第1方向Xだけではなく第2方向Yにも延伸され得る。そこで、本発明の一実施例において表示装置の非表示領域NAも二軸方向に延伸され得る。従って、ストレッチャブル表示装置の適用範囲が拡張され、ストレッチャブル表示装置の活用可能性が向上し得る。また、ストレッチャブル表示装置の延伸方向が拡張されることで、一方向に受ける延伸ストレスが顕著に減少し得る。そこで、本発明の一実施例に係る表示装置は、延伸率が向上し得る。そして、表示装置のパワーサプライの上部層と下部層に互いに異なる電圧を印加して、パワーサプライが制限的な空間でも多様な種類の駆動電圧を印加することができる。そして、パワーサプライの複数個のパワー配線が並列的に連結して、伝達しようとする駆動電圧のドロップを低減または最小化させることができる。
本発明の他の実施例-追加パワーブロック
以下においては、本発明の他の実施例に係る表示装置200について具体的に説明する。本発明の他の実施例に係る表示装置200は、本発明の一実施例に係る表示装置100と比べて、第3領域に配置される追加パワーブロックに対して相違点が存在する。そこで、本発明の他の実施例に係る表示装置と本発明の一実施例に係る表示装置が重複する内容は省略し、上述の相違点について具体的に述べる。
図12は、本発明の他の実施例に係る表示装置の第3領域の拡大平面図である。
図13は、図12に示された切断線XIII-XIII’に沿って切断した断面図である。
本発明の他の実施例に係る表示装置200は、第4サブ板パターン123d(または第4のサブ板構造123d)上に配置される複数の追加パワーブロックAPB(または複数の補助パワーブロックAPB)、及び追加パワーブロックAPBと追加パワーブロックAPBを連結する追加パワー配線186をさらに含むことができる。
図12に示されたように、本発明の他の実施例に係る表示装置200の非表示領域のうち第3領域には、パワーサプライPSを構成する複数のパワーブロックPBと複数のパワーブロックPBを連結するパワー配線185が配置されるだけではなく、複数の追加パワーブロックAPB及び追加パワーブロックAPBと追加パワーブロックAPBを連結する追加パワー配線186が配置され得る。いくつかの実施形態では、複数の追加パワーブロックAPB及び追加パワー配線186はまた、パワーサプライ回路PSの一部である。
複数の追加パワーブロックAPBは、互いに離隔された複数の第4サブ板パターン123d上にそれぞれ形成される。前述したように、第4サブ板パターン123dは、第3方向Z、Z’に配置される複数の第3サブ板パターン123cの間に配置され得る。そして、第4サブ板パターン123dもまた、第1方向X及び第2方向Yに互いに離隔されるアイランド形態に配置され得る。そこで、複数の追加パワーブロックAPBもまた第1方向X及び第2方向Yに互いに離隔されるアイランド形態に配置され得る。
言い換えれば、図12を参照すると、複数の追加パワーブロックAPBは、第3方向Z、Z’に配置される複数のパワーブロックPBの間に配置されるか、複数の第1パワー配線185aの間に配置されるか、複数の第2パワー配線185bの間に配置され得る。
上述した第4サブ板パターン123dは、第2板パターンの構成要素であるので、第4サブ板パターン123dもまた四角形態の剛性パターンであってよい。
そして、図12においては、それぞれの第4サブ板パターン123dには一つの追加パワーブロックAPBについて示したが、これに限定されず、追加パワーブロックAPBの配置形態は、多様に変形され得る。例えば、一つの第4サブ板パターン123dには、一つの追加パワーブロックAPBだけが配置されるのではなく、複数の追加パワーブロックAPBがマトリックス形態に配置され得る。
そして、図13を参照すると、複数の追加パワーブロックAPBそれぞれは、互いに異なる層に配置される複数の追加パワーパターンAPP1、APP2を含むことができる。具体的に、複数の追加パワーブロックAPBは、互いに異なる層に配置される第1追加パワーパターンAPP1及び第2追加パワーパターンAPP2を含むことができる。
そして、第1追加パワーパターンAPP1は、第1パワーパターンPP1と同じ層に同じ物質で形成され得、第2追加パワーパターンAPP2は、第2パワーパターンPP2と同じ層に同じ物質で形成され得る。
即ち、第1追加パワーパターンAPP1は、無機絶縁層であるバッファ層141、ゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143、第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145の間に配置され、第2追加パワーパターンAPP2は、平坦化層146上に配置され得る。
例えば、第1追加パワーパターンAPP1が第2層間絶縁層144及びパッシベーション層145の間に配置されるトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ物質で形成され得る。即ち、第1追加パワーパターンAPP1は、トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ層に同じ物質で形成され得る。
ただし、第1追加パワーパターンAPP1は、これに限定されず、第1パワーパターンPP1が第1層間絶縁層143及び第2層間絶縁層144の間に配置される中間金属層と同じ物質で形成されるか、第1追加パワーパターンAPP1がゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143の間に配置されるトランジスタのゲート電極と同じ物質で形成され得る。
ただし、図13においては、追加パワーブロックAPBが2個の追加パワーパターンPP1、PP2層だけで構成されるものとのみ示したが、これに限定されず、追加パワーブロックAPBの互いに異なる層に配置される3個以上の複数の追加パワーパターン層で構成され得る。
一方、複数の追加パワー配線186は、パワーブロックPBと追加パワーブロックAPBを連結する。パワーブロックPBと追加パワーブロックAPBは、第3方向Z、Z’に互いに離隔されているので、パワーブロックPBと追加パワーブロックAPBを連結する複数の追加パワー配線186もまた第3方向Z、Z’に延び得る。
そして、第3方向Z、Z’に延びる複数の追加パワー配線186それぞれは、第3方向Z、Z’に延びる複数の第4サブ配線パターン124d上に配置され得る。
また、複数の追加パワー配線186の形状は、複数の第4サブ配線パターン124dの形状と同一であってよい。具体的に、複数の第4サブ配線パターン124dと複数の追加パワー配線186それぞれは、屈曲した形状を有する。例えば、複数の第4サブ配線パターン124dと複数の追加パワー配線186それぞれは、正弦波状を有し得る。ただし、複数の第4サブ配線パターン124dと複数の追加パワー配線186それぞれの形状は、これに制限されず、例えば、複数の第4サブ配線パターン124dと複数の追加パワー配線186それぞれは、ジグザグ状に延びてもよく、複数のひし形状の基板が頂点で連結されて延びる等の多様な形状を有し得る。
そして、図13に示されたように、複数の追加パワー配線186それぞれは、互いに異なる層に配置される複数のパワー配線層を含むことができる。具体的に、複数の追加パワー配線186は、互いに異なる層に配置される第1追加パワー配線186-1及び第2追加パワー配線186-2を含むことができる。
下部基板111上に配置される第4サブ配線パターン124d上には第1追加パワー配線186-1、そして、第1追加パワー配線186-1上にはパッシベーション層145及び平坦化層146が配置され、第2追加パワー配線186-2は、平坦化層146上に配置され得る。
そして、第1追加パワー配線186-1は、第1追加パワーパターンAPP1及び第1パワーパターンPP1と同じ物質で構成され得、第2追加パワー配線186-2は、第1追加パワーパターンAPP1及び第2パワーパターンPP2と同じ物質で構成され得る。
例えば、図13においては、第1追加パワー配線186-1がトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ物質で形成され得る。ただし、第1追加パワー配線186-1は、これに限定されず、第1追加パワー配線186-1が第1層間絶縁層143及び第2層間絶縁層144の間に配置される中間金属層と同じ物質で形成されるか、第1追加パワー配線186-1がゲート絶縁層142、第1層間絶縁層143の間に配置されるトランジスタのゲート電極と同じ物質で形成され得る。
ただし、図13においては、追加パワー配線186が2個の追加パワー配線層186-1、186-2だけで構成されるものとのみ示したが、これに限定されず、追加パワー配線186は、互いに異なる層に配置される3個以上の複数のパワー配線層で構成され得る。
本発明の他の実施例に係る表示装置において、パワーサプライPS中、相対的に上部層に配置された構成要素は、第1-2パワー配線、第2-2パワー配線185b-2及び第2パワーパターンPP2を含むだけではなく、第2追加パワーパターンAPP2及び第2追加パワー配線186-2をさらに含むことができる。即ち、本発明の他の実施例においては、第2追加パワーパターンAPP2及び第2追加パワー配線186-2をさらに含むことで、高電位電圧を貯蔵する構成要素の面積が広くなり得る。即ち、本発明の他の実施例において、パワーサプライは、高電位電圧を貯蔵する構成要素の抵抗を低減または最小化させて、高電位電圧の電圧ドロップを低減または最小化させることができる。
そして、パワーサプライPS中、相対的に下部層に配置された構成要素は、第1-1パワー配線、第2-1パワー配線185b-1及び第1パワーパターンPP1を含むだけではなく、第1追加パワーパターンAPP1及び第1追加パワー配線186-1をさらに含むことができる。即ち、本発明の他の実施例においては、第1追加パワーパターンAPP1及び第1追加パワー配線186-1をさらに含むことで、低電位電圧を貯蔵する構成要素の面積が広くなり得る。即ち、本発明の他の実施例において、パワーサプライは、低電位電圧を貯蔵する構成要素の抵抗を低減または最小化させて、低電位電圧の電圧ドロップを低減または最小化させることができる。
即ち、本発明の他の実施例に係る表示装置において、パワーサプライは、追加パワーブロックを含んで、駆動電圧の降下を低減または最小化させることができる。そこで、本発明の他の実施例に係る表示装置の全ての画素には均一な電圧が印加され、画質の均一化を図ることができる。
本発明の実施態様は、下記のように記載することもできる。
本発明の態様によれば、前述したような課題を解決するために、本発明の一実施例に係る表示装置は、表示領域と非表示領域を含み、延伸可能な下部基板、下部基板の上に配置され、表示領域に形成される複数の第1板(plate)パターン及び複数の第1配線(line)パターンと非表示領域に形成される複数の第2板(plate)パターン及び複数の第2配線(line)パターンを含むパターン層、複数の第1板(plate)パターン上に形成される複数の画素、複数の画素を連結する複数の第1連結配線、複数の第2板(plate)パターン上に形成されるゲートドライバ、複数の第2板(plate)パターン上に形成されるパワーサプライ、非表示領域に配置される複数の第2連結配線、及びゲートドライバとパワーサプライと複数の画素を覆い、延伸可能な上部基板を含み、非表示領域は、表示領域の外側に位置する第1領域、第1領域の外側に位置し、複数のゲートドライバが配置される第2領域、及び第2領域の外側に位置し、複数のパワーサプライが配置される第3領域を含み、第1領域に配置される複数の第2連結配線は、アンカーホール(anchor hole)を通して複数の第2連結配線と異なる層に配置された金属パターンと接触する。
複数の第2板パターンは、第1領域に配置される複数の第1サブ板パターン、第2領域に配置される複数の第2サブ板パターン及び第3領域に配置される複数の第3サブ板パターンを含み、複数の第2配線パターンは、第1領域に配置される複数の第1サブ配線パターン、第2領域に配置される複数の第2サブ配線パターン及び第3領域に配置される複数の第3サブ配線パターンを含み、アンカーホールは、複数の第1サブ板パターン上に形成され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、複数の画素それぞれは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるトランジスタを含み、金属パターンは、ソース電極及びドレイン電極と同じ層に形成され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、複数の画素それぞれは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるトランジスタを含み、金属パターンは、ゲート電極と同じ層に形成され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、複数の第2サブ板パターンは、第2方向にのみ互いに離隔され、複数の第3サブ板パターンは、第1方向及び第2方向に互いに離隔され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、ゲートドライバを構成する複数のステージは、複数の第2サブ板パターン上に配置され、パワーサプライを構成する複数のパワーブロックは、複数の第3サブ板パターン上に配置され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、複数のパワーブロックは、互いに異なる層に配置される第1パワーパターン及び第2パワーパターンを含むことができる。
本発明のまた他の特徴によれば、複数の画素それぞれは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるトランジスタを含み、第1パワーパターンは、ソース電極及びドレイン電極と同じ物質で形成され、第2パワーパターンは、第2連結配線と同じ物質で形成され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、複数の第3サブ配線パターンは、第1方向に離隔された複数の第3サブ板パターンを連結する第3-1サブ配線パターン及び第2方向に離隔された複数の第3サブ板パターンを連結する第3-2サブ配線パターンを含むことができる。
本発明のまた他の特徴によれば、第3領域に配置される複数の第2連結配線は、複数のパワーブロックを連結し、第3領域に配置される複数の第2連結配線は、第3-1サブ配線パターン上に配置される第1パワー配線及び第3-2サブ配線パターン上に配置される第2パワー配線を含むことができる。
本発明のまた他の特徴によれば、第1パワー配線は、互いに異なる層に配置される第1-1パワー配線及び第1-2パワー配線を含み、第2パワー配線は、互いに異なる層に配置される第2-1パワー配線及び第2-2パワー配線を含むことができる。
本発明のまた他の特徴によれば、第1-1パワー配線及び第2-1パワー配線は、第1パワーパターンと同じ物質で構成され、第1-2パワー配線及び第2-2パワー配線は、第2パワーパターンと同じ物質で構成され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、表示装置は、第3方向に離隔される複数のパワーブロックの間に配置される複数の追加パワーブロックをさらに含むことができる。
本発明のまた他の特徴によれば、複数の追加パワーブロックは、互いに異なる層に配置される第1追加パワーパターン及び第2追加パワーパターンを含むことができる。
本発明のまた他の特徴によれば、第1追加パワーパターンは、第1パワーパターンと電気的に連結され、第2追加パワーパターンは、第2パワーパターンと電気的に連結され得る。
本発明の他の態様によれば、前述したような課題を解決するために、本発明の他の実施例に係る表示装置は、延性基板、延性基板上に形成される複数の剛性パターン、複数の剛性パターンのうち互いに離隔される複数の第1板パターンの上部に形成される複数の画素、及び複数の剛性パターンのうち互いに離隔される複数の第2板パターンのうち一部の上部に形成されるパワーサプライを含み、パワーサプライは、複数の画素の駆動電圧を供給し、第1方向及び第2方向に互いに離隔されるパワーブロックで構成され得る。
本発明の他の特徴によれば、複数のパワーブロックは、互いに異なる層に配置される第1パワーパターン及び第2パワーパターンを含むことができる。
本発明のまた他の特徴によれば、第1パワーパターン及び第2パワーパターンには、互いに異なる駆動電圧が印加され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、複数のパワーブロックは、第1方向に延伸される複数の第1パワー配線及び第2方向に延伸される複数の第2パワー配線により連結され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、第1パワー配線は、互いに異なる層に配置される第1-1パワー配線及び第1-2パワー配線を含み、第2パワー配線は、互いに異なる層に配置される第2-1パワー配線及び第2-2パワー配線を含むことができる。
本発明のまた他の特徴によれば、第1-1パワー配線及び第2-1パワー配線は、第1パワーパターンと電気的に連結され、第1-2パワー配線及び第2-2パワー配線は、第2パワーパターンと電気的に連結され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、複数の第1パワー配線の間に配置され、複数の第2パワー配線の間に配置される複数の追加パワーブロックをさらに含むことができる。
本発明のまた他の特徴によれば、複数の追加パワーブロックは、互いに異なる層に配置される第1追加パワーパターン及び第2追加パワーパターンを含むことができる。
本発明のまた他の特徴によれば、第1追加パワーパターンは、第1パワーパターンと電気的に連結され、第2追加パワーパターンは、第2パワーパターンと電気的に連結され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、表示装置は、パワーサプライと複数の画素との間にはゲートドライバをさらに含み、ゲートドライバと複数の画素は、複数のバッファ配線により連結され、複数のバッファ配線は、アンカーホールを通して複数のバッファ配線と異なる層に形成された金属層に固定され得る。
本発明のまた他の特徴によれば、アンカーホールは、複数の剛性パターンのうち互いに離隔される複数の第2板パターンのうち他の一部の上部に形成され得る。
本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を外れない範囲内で多様に変形実施され得る。従って、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。それゆえ、以上において記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、限定的ではないものと理解すべきである。本発明の保護範囲は、下記の請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
上記の種々の実施形態は、さらなる実施形態を提供するように組み合わせることが可能である。本明細書において言及され、かつ/または出願データシートに列挙された米国特許、米国特許出願公開、米国特許出願、外国特許、外国特許出願、および非特許文献のすべては、その全体が参照により本明細書に援用される。実施形態の態様は、さらに別の実施形態を提供するために、必要に応じて、様々な特許、出願、及び刊行物の概念を採用するように修正することができる。
上記の詳細説明に照らして、上記の及び他の変形がそれらの実施形態に対して行うことができる。一般に、以下の特許請求の範囲において、使用される用語は、特許請求の範囲を、本明細書及び特許請求の範囲に開示される特定の実施形態に限定するように解釈されるべきではなく、そのような特許請求の範囲が権利を与えられる均等物の全範囲とともに、すべての可能な実施形態を含むように解釈されるべきである。したがって、特許請求の範囲は、本開示によって限定されない。

Claims (33)

  1. 表示領域と非表示領域を含み、延伸可能な下部基板;
    前記下部基板の上に配置され、前記表示領域に形成される複数の第1板(plate)パターン及び複数の第1配線(line)パターンと前記非表示領域に形成される複数の第2板(plate)パターン及び複数の第2配線(line)パターンを含むパターン層;
    前記複数の第1板(plate)パターン上に形成される複数の画素;
    前記複数の画素にそれぞれ結合される複数の第1連結配線;
    前記複数の第2板(plate)パターン上に形成されるゲートドライバ;
    前記複数の第2板(plate)パターン上に形成されるパワーサプライ;
    前記非表示領域に配置される複数の第2連結配線;及び
    前記ゲートドライバと前記パワーサプライと前記複数の画素を覆い、延伸可能な上部基板を含み、
    前記非表示領域は、
    前記表示領域の外側に位置する第1領域、前記第1領域の外側に位置し、複数の前記ゲートドライバが配置される第2領域、及び前記第2領域の外側に位置し、複数の前記パワーサプライが配置される第3領域を含み、
    前記第1領域に配置される前記複数の第2連結配線は、アンカーホール(anchor hole)を通して前記複数の第2連結配線と異なる層に配置された金属パターンと接触する、表示装置。
  2. 前記複数の第2板パターンは、
    前記第1領域に配置される複数の第1サブ板パターン、前記第2領域に配置される複数の第2サブ板パターン及び前記第3領域に配置される複数の第3サブ板パターンを含み、
    前記複数の第2配線パターンは、
    前記第1領域に配置される複数の第1サブ配線パターン、前記第2領域に配置される複数の第2サブ配線パターン及び前記第3領域に配置される複数の第3サブ配線パターンを含み、
    前記アンカーホールは、前記複数の第1サブ板パターン上に形成される、請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記複数の画素それぞれは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるトランジスタを含み、
    前記金属パターンは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ層に形成される、請求項2に記載の表示装置。
  4. 前記複数の画素それぞれは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるトランジスタを含み、
    前記金属パターンは、前記ゲート電極と同じ層に形成される、請求項2に記載の表示装置。
  5. 前記複数の第2サブ板パターンは、第2方向にのみ互いに離隔され、
    前記複数の第3サブ板パターンは、第1方向及び第2方向に互いに離隔される、請求項2に記載の表示装置。
  6. 前記ゲートドライバを構成する複数のステージは、前記複数の第2サブ板パターン上に配置され、
    前記パワーサプライを構成する複数のパワーブロックは、前記複数の第3サブ板パターン上に配置される、請求項5に記載の表示装置。
  7. 前記複数のパワーブロックは、
    互いに異なる層に配置される第1パワーパターン及び第2パワーパターンを含む、請求項6に記載の表示装置。
  8. 前記複数の画素それぞれは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるトランジスタを含み、
    前記第1パワーパターンは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ物質で形成され、
    前記第2パワーパターンは、前記第2連結配線と同じ物質で形成される、請求項7に記載の表示装置。
  9. 複数の第3サブ配線パターンは、
    第1方向に互いに離隔された複数の第3サブ板パターンを結合する第3-1サブ配線パターン、及び
    第2方向に互いに離隔された複数の第3サブ板パターンを結合する第3-2サブ配線パターンを含む、請求項7に記載の表示装置。
  10. 前記第3領域に配置される複数の第2連結配線は、前記複数のパワーブロックを結合し、
    前記第3領域に配置される複数の第2連結配線は、前記第3-1サブ配線パターン上に配置される第1パワー配線及び前記第3-2サブ配線パターン上に配置される第2パワー配線を含む、請求項9に記載の表示装置。
  11. 前記第1パワー配線は、互いに異なる層に配置される第1-1パワー配線及び第1-2パワー配線を含み、
    前記第2パワー配線は、互いに異なる層に配置される第2-1パワー配線及び第2-2パワー配線を含む、請求項10に記載の表示装置。
  12. 前記第1-1パワー配線及び前記第2-1パワー配線は、前記第1パワーパターンと同じ物質で構成され、
    前記第1-2パワー配線及び前記第2-2パワー配線は、前記第2パワーパターンと同じ物質で構成される、請求項11に記載の表示装置。
  13. 第3方向に離隔される複数のパワーブロックの間に配置される複数の追加パワーブロックをさらに含む、請求項6に記載の表示装置。
  14. 前記複数の追加パワーブロックは、
    互いに異なる層に配置される第1追加パワーパターン及び第2追加パワーパターンを含む、請求項13に記載の表示装置。
  15. 前記複数のパワーブロックは、
    互いに異なる層に配置される第1パワーパターン及び第2パワーパターンを含み、
    前記第1追加パワーパターンは、前記第1パワーパターンと電気的に連結され、
    前記第2追加パワーパターンは、前記第2パワーパターンと電気的に連結される、請求項14に記載の表示装置。
  16. 延性基板;
    前記延性基板上に形成される複数の剛性パターンであって、複数の第1板パターン及び複数の第2板パターンを含む、複数の剛性パターン;
    前記複数の剛性パターンのうち互いに離隔される前記複数の第1板パターンの上部に形成される複数の画素;及び
    前記複数の剛性パターンのうち互いに離隔される前記複数の第2板パターンのうち一部の上部に形成されるパワーサプライを含み、
    前記パワーサプライは、前記複数の画素の駆動電圧を供給し、第1方向及び第2方向に互いに離隔されるパワーブロックで構成される、表示装置。
  17. 複数の前記パワーブロックは、
    互いに異なる層に配置される第1パワーパターン及び第2パワーパターンを含む、請求項16に記載の表示装置。
  18. 前記第1パワーパターン及び前記第2パワーパターンには、互いに異なる駆動電圧が印加される、請求項17に記載の表示装置。
  19. 複数の前記パワーブロックは、
    前記第1方向の複数の第1パワー配線及び前記第2方向の複数の第2パワー配線により結合される、請求項17に記載の表示装置。
  20. 前記第1パワー配線は、互いに異なる層に配置される第1-1パワー配線及び第1-2パワー配線を含み、
    前記第2パワー配線は、互いに異なる層に配置される第2-1パワー配線及び第2-2パワー配線を含む、請求項19に記載の表示装置。
  21. 前記第1-1パワー配線及び前記第2-1パワー配線は、前記第1パワーパターンと電気的に連結され、
    前記第1-2パワー配線及び前記第2-2パワー配線は、前記第2パワーパターンと電気的に連結される、請求項20に記載の表示装置。
  22. 複数の第1パワー配線の間に配置され、複数の第2パワー配線の間に配置される複数の追加パワーブロックをさらに含む、請求項17に記載の表示装置。
  23. 前記複数の追加パワーブロックは、
    互いに異なる層に配置される第1追加パワーパターン及び第2追加パワーパターンを含む、請求項22に記載の表示装置。
  24. 前記第1追加パワーパターンは、前記第1パワーパターンと電気的に連結され、
    前記第2追加パワーパターンは、前記第2パワーパターンと電気的に連結される、請求項23に記載の表示装置。
  25. 前記パワーサプライと前記複数の画素との間にはゲートドライバをさらに含み、
    前記ゲートドライバと前記複数の画素は、複数のバッファ配線により結合され、
    前記複数のバッファ配線は、アンカーホールを通して前記複数のバッファ配線と異なる層に形成された金属層に固定される、請求項16に記載の表示装置。
  26. 前記アンカーホールは、前記複数の剛性パターンのうち互いに離隔される複数の第2板パターンのうち他の一部の上部に形成される、請求項25に記載の表示装置。
  27. 表示領域と、前記表示領域に隣接する非表示領域とをその上に有する延性基板;
    前記延性基板の前記表示領域上の複数の第1板構造;
    前記延性基板の前記非表示領域上の複数の第2板構造であって、前記複数の第2板構造の各々が互いに離れている、複数の第2板構造;
    前記複数の第2板構造の少なくとも1つに結合された少なくとも1つの配線パターン;
    前記複数の第2板構造の前記少なくとも1つの上の少なくとも1つのバッファ配線;及び
    前記少なくとも1つのバッファ配線と前記複数の第2板構造の少なくとも1つとを電気的に接続する前記少なくとも1つの第2板構造上の少なくとも1つのアンカーホールであって、前記複数の第2板構造の前記少なくとも1つの上に前記少なくとも1つのバッファ配線を固定する、少なくとも1つのアンカーホール、
    を備える、表示装置。
  28. 前記少なくとも1つの第2板構造上の導電パターンであって、前記少なくとも1つのバッファ配線として異なる層に配置される導電パターンを備え、前記導電パターンは、前記少なくとも1つのアンカーホールを介して前記少なくとも1つのバッファ配線に電気的に接続されている、請求項27に記載の表示装置。
  29. 前記導電パターンは、前記延性基板の前記表示領域に配置された駆動トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同一の物質で形成される、請求項28に記載の表示装置。
  30. 前記延性基板の前記非表示領域は、第1非表示領域と第2非表示領域とを含み、前記第1非表示領域は、前記表示領域と前記第2非表示領域との間にあり、
    前記第1非表示領域は、前記少なくとも1つのアンカーホールをその上に有する前記少なくとも1つの第2板構造を含み、
    前記第2非表示領域は、駆動回路をその上に有する前記複数の第2板構造の第1グループを含み、前記第1グループの前記第2板構造の各々は、互いに離れていて、複数の第1接続配線を介して電気的に接続される、請求項28に記載の表示装置。
  31. 前記延性基板の前記非表示領域は、第1非表示領域と、第2非表示領域と、第3非表示領域とを含み、前記第1非表示領域は前記表示領域と前記第2非表示領域との間にあり、前記第2非表示領域は前記第1非表示領域と前記第3非表示領域との間にあり、
    前記第1非表示領域は、前記少なくとも1つのアンカーホールをその上に有する前記少なくとも1つの第2板構造を含み、
    前記第3非表示領域は、パワーサプライ回路をその上に有する前記複数の第2板構造の第2グループを含み、前記第2グループの前記第2板構造の各々は、互いに離れていて、複数のパワー配線を介して電気的に接続され、
    前記複数のパワー配線は、それぞれ異なる層において互いに同じ方向に配置された第1パワーパターンと第2パワーパターンとを含み、
    動作時に、異なる電圧が前記第1パワーパターンおよび前記第2パワーパターンに印加される、請求項27に記載の表示装置。
  32. 前記第3非表示領域内の少なくとも1つのサブ板構造であって、第2板構造の前記第2グループの及び前記複数のパワー配線によって占有されていない領域内に配置された、少なくとも1つのサブ板構造;
    前記少なくとも1つのサブ板構造上の追加パワーブロック;及び
    前記追加パワーブロックに結合された追加パワー配線であって、第1追加パワーパターン及び第2追加パワーパターンを含む追加パワー配線を備え、前記追加パワー配線は、前記少なくとも1つのサブ板構造に隣接する第2板構造の前記第2グループに結合される、請求項31に記載の表示装置。
  33. 前記第1追加パワーパターン及び前記第2追加パワーパターンは、それぞれの異なる層において互いに同じ方向に配置され、
    前記第1追加パワーパターンは、前記第1パワーパターンと同じ材料で形成され、前記第2追加パワーパターンは、前記第2パワーパターンと同じ材料で形成される、請求項32に記載の表示装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9841548B2 (en) 2015-06-30 2017-12-12 Apple Inc. Electronic devices with soft input-output components
KR102447507B1 (ko) * 2015-12-17 2022-09-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
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KR20210048807A (ko) * 2019-10-24 2021-05-04 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
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