JP2023085188A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023085188A5 JP2023085188A5 JP2022128099A JP2022128099A JP2023085188A5 JP 2023085188 A5 JP2023085188 A5 JP 2023085188A5 JP 2022128099 A JP2022128099 A JP 2022128099A JP 2022128099 A JP2022128099 A JP 2022128099A JP 2023085188 A5 JP2023085188 A5 JP 2023085188A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- absorption coefficient
- wafer
- wafer manufacturing
- ingot
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202280081607.XA CN118402043A (zh) | 2021-12-08 | 2022-11-08 | 晶圆制造方法 |
| PCT/JP2022/041570 WO2023106017A1 (ja) | 2021-12-08 | 2022-11-08 | ウェハ製造方法 |
| EP22903948.2A EP4447092A4 (en) | 2021-12-08 | 2022-11-08 | WAFER MANUFACTURING METHOD |
| US18/735,595 US20240326165A1 (en) | 2021-12-08 | 2024-06-06 | Wafer manufacturing method |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021199576 | 2021-12-08 | ||
| JP2021199576 | 2021-12-08 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023085188A JP2023085188A (ja) | 2023-06-20 |
| JP2023085188A5 true JP2023085188A5 (https=) | 2023-11-22 |
| JP7711661B2 JP7711661B2 (ja) | 2025-07-23 |
Family
ID=86775670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022128099A Active JP7711661B2 (ja) | 2021-12-08 | 2022-08-10 | ウェハ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7711661B2 (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119304375B (zh) * | 2024-12-16 | 2025-03-28 | 河北同光半导体股份有限公司 | 一种改善激光剥离表面粗糙度的方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6678522B2 (ja) | 2016-06-10 | 2020-04-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法及び剥離装置 |
| JP7106217B2 (ja) | 2018-08-22 | 2022-07-26 | 株式会社ディスコ | ファセット領域の検出方法及び検出装置 |
| JP7128067B2 (ja) | 2018-09-14 | 2022-08-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置 |
| DE112019005453T5 (de) | 2018-10-30 | 2021-08-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laserbearbeitungsvorrichtung |
| JP7258542B2 (ja) | 2018-12-21 | 2023-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
-
2022
- 2022-08-10 JP JP2022128099A patent/JP7711661B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI663013B (zh) | 晶圓的生成方法 | |
| JP7125678B2 (ja) | 蒸着マスク、有機el基板の製造方法および有機el基板 | |
| EP3756214B1 (de) | Verfahren zum erzeugen von kurzen unterkritischen rissen in festkörpern | |
| KR101527457B1 (ko) | 에피택셜성장용 내부개질기판, 다층막형성 내부개질기판, 반도체 디바이스, 반도체 벌크 기판 및 그들의 제조 방법 | |
| JP5513227B2 (ja) | 微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板 | |
| US7763526B2 (en) | Wafer and wafer cutting and dividing method | |
| KR101491528B1 (ko) | 단결정 기판, 단결정 기판의 제조 방법, 다층막이 형성된 단결정 기판의 제조 방법 및 소자 제조 방법 | |
| JP7182456B2 (ja) | レーザ加工方法、及び、半導体部材製造方法 | |
| WO2011108703A1 (ja) | 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法 | |
| TW201709306A (zh) | 晶圓的生成方法 | |
| JP7560055B2 (ja) | レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置 | |
| TW201635364A (zh) | 晶圓的生成方法 | |
| JP7258542B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP7123759B2 (ja) | レーザスライス装置、及びレーザスライス方法 | |
| JP2023085188A5 (https=) | ||
| JP5306374B2 (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工方法、および光起電力装置の製造方法 | |
| KR101107166B1 (ko) | 비정질 실리콘막의 결정화 방법 | |
| JP4211939B2 (ja) | レーザを用いた多結晶膜の製造方法 | |
| JP7330695B2 (ja) | レーザ加工方法、及び、半導体デバイス製造方法 | |
| JP7427189B2 (ja) | レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び、レーザ加工装置 | |
| CN111785814B (zh) | 一种衬底及其加工方法、发光二极管及其制造方法 | |
| US20240412972A1 (en) | Method for wafer treatment | |
| US20240165746A1 (en) | Substrate manufacturing device | |
| CN114930118B (zh) | 玻璃板测定装置、玻璃板测定方法以及玻璃板制造方法 | |
| JP7405365B2 (ja) | レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び、レーザ加工装置 |