JP2023077374A - Package heat dissipation structure - Google Patents

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Abstract

To provide a package heat dissipation structure inside a chip which solves the problem of inefficient heat dissipation and serious signal transmission loss.SOLUTION: A package heat dissipation structure 1 includes a frame 10 and a heat dissipation carrier 20. The frame includes a ceramic body 110. The heat dissipation carrier is attached to the ceramic body of the frame. The heat dissipation carrier is made of ceramic material, and the thermal conductivity of the heat dissipation carrier is 10 times or more the thermal conductivity of the ceramic body. The heat dissipation carrier may be composed of aluminum nitride or aluminum oxide.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は電子パッケージング用放熱構造体及びその放熱構造体を含むチップに関する。 The present disclosure relates to a heat dissipation structure for electronic packaging and a chip containing the heat dissipation structure.

電気通信産業では、電気デバイスの高いデータ転送レート及び広い帯域幅が求められる。大電力増幅器は、携帯電話、タブレット、Ｗｉ－Ｆｉベースステーション、ブルートゥース（登録商標）及びブロードバンドアプリケーション及び衛星通信といったブロードバンドアプリケーション用電子製品において、必須の要素である。現在では一般的に、大電力増幅器は、ＲＦ信号を発生させるダイ、ダイを支持するキャリア、ＲＦ信号を伝達し又はダイに電力供給するための金属電極を備えるモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）設計内にパッケージされる。 The telecommunications industry requires high data transfer rates and high bandwidth for electrical devices. High power amplifiers are essential components in electronic products for broadband applications such as mobile phones, tablets, Wi-Fi base stations, Bluetooth® and broadband applications and satellite communications. Currently, high power amplifiers are typically monolithic microwave integrated circuit (MMIC) designs that include a die to generate the RF signal, a carrier to support the die, and metal electrodes to carry the RF signal or power the die. packaged inside.

電気製品の小型化及び多機能化の進展に伴い、大電力増幅器におけるダイの放熱はこの技術分野の問題の一つである。一般的に言えば、前述のダイを支持するキャリアは、高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ）で構成されており、良好な熱効率を提供する。しかしＨＴＣＣは、高周波数信号伝達のアプリケーションにおいて周波数ドリフトする傾向があり、それはＲＦ信号伝達ロスを導く。通常、ＨＴＣＣは高温（１６００℃以上）での同時焼成のために、電極として高融点のタングステンを含むが、タングステンは高周波数信号に対し高いインピーダンスを有する。対照的に、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）はゼロに近い共鳴温度係数を有し、それゆえにＲＦ信号伝達に影響しないが、ＬＴＣＣによる放熱はＨＴＣＣによるものより効率が良くない。 With the development of miniaturization and multi-functionality of electronic products, die heat dissipation in large power amplifiers is one of the problems in this technical field. Generally speaking, the carrier that supports the aforementioned dies is constructed of high temperature co-fired ceramic (HTCC) to provide good thermal efficiency. However, HTCC is prone to frequency drift in high frequency signaling applications, which leads to RF signaling losses. HTCCs usually contain high melting point tungsten as electrodes due to co-firing at high temperatures (above 1600° C.), but tungsten has a high impedance to high frequency signals. In contrast, low temperature co-fired ceramics (LTCC) have a near-zero resonant temperature coefficient and therefore do not affect RF signal transmission, but heat dissipation by LTCC is less efficient than by HTCC.

ＬＴＣＣキャリアによる乏しい放熱効率の問題に取り組むために、一つの解決策は、キャリア上に数個の穴を形成させ、前記穴を金属で満たし放熱用のバイアスとすることであったが、熱分布が一様でないために効果的でなかった。したがって、高周波数通信における良好な熱効率及びＲＦ信号伝達ロス減少の要求は、この技術分野における挑戦である。 To address the problem of poor heat dissipation efficiency with LTCC carriers, one solution has been to form several holes on the carrier and fill the holes with metal to serve as biases for heat dissipation; was not effective due to the non-uniformity of Therefore, the demand for good thermal efficiency and reduced RF signal transmission losses in high frequency communications is a challenge in this technical field.

本開示では、チップ内のパッケージ用放熱構造体を提供する、そしてその放熱構造体は非効率的な放熱及び重大な信号伝達ロスの問題を解決する。 The present disclosure provides a heat dissipation structure for in-chip packaging, and the heat dissipation structure solves the problems of inefficient heat dissipation and serious signal transmission loss.

本開示の一実施形態は、フレームと放熱キャリアを含むパッケージ用の放熱構造体を提供する。フレームはセラミックのボディを含む。放熱キャリアはフレームのセラミックボディに取り付けられる。放熱キャリアはセラミック材料で構成され、放熱キャリアの熱伝導率は、セラミックボディの熱伝導率の１０倍又はそれ以上である。 One embodiment of the present disclosure provides a heat dissipation structure for a package including a frame and a heat dissipation carrier. The frame includes a ceramic body. A heat dissipation carrier is attached to the ceramic body of the frame. The heat dissipation carrier is made of ceramic material, and the thermal conductivity of the heat dissipation carrier is ten times or more than the thermal conductivity of the ceramic body.

本開示の他の実施形態は、前記放熱構造体を含むチップ、及び放熱キャリア上に支持されたダイを提供する。 Other embodiments of the present disclosure provide a chip including the heat dissipation structure and a die supported on a heat dissipation carrier.

本開示に関して、パッケージ用の放熱構造体は、信号特性における影響が低いセラミックボディ及び電気的に絶縁されかつ高い熱伝導率を有する放熱キャリアを有する。放熱キャリアは信号を出力するダイを携えることができ、ダイにより発生した熱は放熱キャリアにより放熱されることができる。それゆえ、放熱構造体において、高い熱伝導率を有する放熱キャリアは良好な放熱効率を有し、セラミックボディは過度の反射損失とともに挿入損失を防ぎ、それにより良好な放熱効率及び信号伝達ロス減少の要求を同時に満たす。 With respect to the present disclosure, a heat dissipation structure for a package has a ceramic body with low impact on signal characteristics and a heat dissipation carrier that is electrically insulated and has high thermal conductivity. A heat dissipation carrier can carry a die for outputting a signal, and heat generated by the die can be dissipated by the heat dissipation carrier. Therefore, in the heat dissipation structure, the heat dissipation carrier with high thermal conductivity has good heat dissipation efficiency, and the ceramic body prevents insertion loss as well as excessive reflection loss, so that good heat dissipation efficiency and reduced signal transmission loss. meet demands at the same time.

本開示の一実施形態に係るパッケージの放熱構造体の斜視図である。1 is a perspective view of a heat dissipation structure of a package according to an embodiment of the present disclosure; FIG. 図１の放熱構造体の別の斜視図である。2 is another perspective view of the heat dissipation structure of FIG. 1; FIG. 図１の放熱構造体の断面図である。2 is a cross-sectional view of the heat dissipation structure of FIG. 1; FIG. 図１の放熱構造体を含むチップの概略図である。2 is a schematic diagram of a chip including the heat dissipation structure of FIG. 1; FIG. ヒートシンクの上に載せられた図４のチップの概略図である。5 is a schematic diagram of the chip of FIG. 4 resting on a heat sink; FIG. 図４のチップの挿入損失を示す。5 shows the insertion loss of the chip of FIG. 4; 図４のチップの反射損失を示す。5 shows the return loss of the chip of FIG. 4;

以下の詳細な説明において、説明の目的で、開示された実施形態の完全な理解を提供するために、多数の特定の詳細が述べられている。しかしながら、一つ以上の実施形態がこれらの特定の詳細なしで実施され得ることは明らかである。他の例において、よく知られた構造や装置は図を簡単にするために概略的に示されている。 In the following detailed description, for purposes of explanation, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the disclosed embodiments. It is evident, however, that one or more embodiments may be practiced without these specific details. In other instances, well-known structures and devices are schematically shown for simplicity of drawing.

図１及び図２を参照されたい。図１は本開示の一実施形態に係るパッケージ用放熱構造体の斜視図である。図２は図１の放熱構造体の別の斜視図である。この実施形態において、パッケージ用放熱構造体１はフレーム１０及び放熱キャリア２０を含む。 See FIGS. 1 and 2. FIG. FIG. 1 is a perspective view of a heat dissipation structure for a package according to one embodiment of the present disclosure. 2 is another perspective view of the heat dissipation structure of FIG. 1; FIG. In this embodiment, the package heat dissipation structure 1 includes a frame 10 and a heat dissipation carrier 20 .

フレーム１０はセラミックボディ１１０を含み、放熱キャリア２０はセラミックボディ１１０に取り付けられている。放熱キャリア２０はセラミック材料で構成され、放熱キャリア２０の熱伝導率はセラミックボディ１１０の１０倍又はそれ以上である。放熱キャリア２０は１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率を有してよい。 The frame 10 includes a ceramic body 110 and the heat dissipation carrier 20 is attached to the ceramic body 110 . The heat dissipation carrier 20 is made of ceramic material, and the thermal conductivity of the heat dissipation carrier 20 is ten times or more than that of the ceramic body 110 . The heat dissipation carrier 20 may have a thermal conductivity of 100 W/(m·K).

フレーム１０のセラミックボディ１１０は低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）を含み、放熱キャリア２０は高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ）を含む。ＨＴＣＣ放熱キャリア２０は、セラミックボディ１１０よりも高い前述の熱伝導率を満たすことができる窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムのような熱伝導性材料で構成することができ、放熱構造体の放熱効率を増加させる。いくつかの他の実施形態においては、放熱キャリアは、窒化アルミニウムシート及び酸化アルミニウムシートのような良好な熱伝導率を有する金属シートでよい。 The ceramic body 110 of the frame 10 comprises low temperature co-fired ceramic (LTCC) and the heat dissipation carrier 20 comprises high temperature co-fired ceramic (HTCC). The HTCC heat dissipation carrier 20 can be composed of thermally conductive materials such as aluminum nitride and aluminum oxide, which can meet the aforementioned thermal conductivity higher than the ceramic body 110, increasing the heat dissipation efficiency of the heat dissipation structure. . In some other embodiments, the heat dissipation carrier can be a metal sheet with good thermal conductivity, such as an aluminum nitride sheet and an aluminum oxide sheet.

図３は、図１の放熱構造体の断面図である。この実施形態においては、フレーム１０はさらにセラミックボディ１１０上に配列した電極１２０を含み、そして電極１２０の少なくとも一部はセラミックボディ１１０内に固定されている。具体的には、電極１２０は第一部位１２１、第二部位１２２及び第三部位１２３を含み、それらは互いに接続している。第一部位１２１はセラミックボディ１１０内に固定され、第二部位１２２及び第三部位１２３は外側に露出している。より具体的には、第二部位１２２及び第三部位１２３は、それぞれセラミックボディ１１０の反対側表面に位置する。第二部位１２２はセラミックボディ１１０の上面１１１に位置し、溶接点となる。第三部位１２３はセラミックボディ１１０の上面１１１に位置し、電気接合用のピンとなる。図１及び図２は並列する電極１２０を含むフレーム１０を例示しているが、本開示が電極１２０の数を限定するものでないことに留意されたい。 3 is a cross-sectional view of the heat dissipation structure of FIG. 1. FIG. In this embodiment, frame 10 further includes electrodes 120 arranged on ceramic body 110 , and at least a portion of electrodes 120 are fixed within ceramic body 110 . Specifically, the electrode 120 includes a first section 121, a second section 122 and a third section 123, which are connected together. The first part 121 is fixed inside the ceramic body 110, and the second part 122 and the third part 123 are exposed to the outside. More specifically, the second portion 122 and the third portion 123 are located on opposite surfaces of the ceramic body 110, respectively. The second portion 122 is located on the upper surface 111 of the ceramic body 110 and serves as a welding point. The third portion 123 is located on the upper surface 111 of the ceramic body 110 and serves as a pin for electrical connection. 1 and 2 illustrate frame 10 including parallel electrodes 120, it should be noted that this disclosure does not limit the number of electrodes 120. FIG.

この実施形態において、セラミックボディ１１０は電極１２０と同時焼成され、フレーム１０を形成する。具体的には、フレーム１０の製作工程において、ＬＴＣＣを含む未焼成のセラミックボディ１１０は低い融点、低い電気抵抗及び低いインピーダンスを有する金属とともに同時焼成される。例えば、セラミックボディ１１０は銀と同時焼成され、電極１２０は銀電極であることができる。 In this embodiment, ceramic body 110 is co-fired with electrode 120 to form frame 10 . Specifically, in the fabrication process of the frame 10, a green ceramic body 110 containing LTCC is co-fired with a metal having a low melting point, low electrical resistance and low impedance. For example, ceramic body 110 can be co-fired with silver and electrode 120 can be a silver electrode.

この実施形態において、フレーム１０のセラミックボディ１１０は、放熱キャリア２０と結合する。具体的には、放熱キャリア２０は、セラミックボディ１１０と放熱キャリア２０を同時焼成することにより、セラミックボディ１１０へ取り付けられる。セラミックボディ１１０はＬＴＣＣを含む場合にはガラス成分を含んでよい。放熱構造体１の製作において、同時焼成工程の前に、放熱キャリア２０はＬＴＣＣを含む半仕上げのセラミックボディ１１０の開口部に配置される。セラミックボディ１１０の同時焼成工程においてセラミックボディ１１０は熱収縮し、放熱キャリア２０と締まり嵌めが達成され、そして溶融又は軟化ガラス成分が放熱キャリア２０に対し接着される。それゆえ、セラミックボディ１１０と放熱キャリア２０との間の接合には、放熱グリス又はエポキシ樹脂のような接着剤は必要なく、放熱構造体１の製作を簡略化する助けとなる。 In this embodiment, the ceramic body 110 of the frame 10 is combined with the heat dissipation carrier 20 . Specifically, the heat dissipation carrier 20 is attached to the ceramic body 110 by co-firing the ceramic body 110 and the heat dissipation carrier 20 . Ceramic body 110 may include a glass component when including LTCC. In the fabrication of the heat dissipation structure 1, before the co-firing process, the heat dissipation carrier 20 is placed in the opening of the semi-finished ceramic body 110 containing LTCC. During the co-firing process of the ceramic body 110 , the ceramic body 110 is thermally shrunk to achieve an interference fit with the heat dissipation carrier 20 , and the molten or softened glass component is adhered to the heat dissipation carrier 20 . Therefore, the bonding between the ceramic body 110 and the heat dissipation carrier 20 does not require any glue such as heat dissipation grease or epoxy resin, which helps simplify the fabrication of the heat dissipation structure 1 .

図４は、図１の放熱構造体を含むチップの概略図である。チップ２はＲＦ ＩＣチップであってよく、ダイ３はＲＦ信号を発生させるためのダイであってよく、ダイ３は放熱キャリア２０上に支持されてよい。ダイ３はワイヤ接合により電極１２０の第二部位１２２と電気的に接合されてよい。この実施形態において、電極１２０の部分は高周波信号伝達用に構成され、ダイ３より発生するＲＦ信号を第三部位１２３と電気的に結合している外部回路に伝達する。電極１２０の他の部分は、第三部位１２３と電気的に結合した外部電源からダイ３に電力を供給するように構成される。さらにフレーム１０のセラミックボディ１１０はキャップ１１３を含んでよく、ダイ３を封止するように構成される、しかし本開示ではそれらに限定されない。キャップ１１３はＬＴＣＣを含んでもよく、かつセラミックボディ１１０と一体でよく、又はその代わりにセラミックボディ１１０と接着した非金属シートであってよい。 FIG. 4 is a schematic diagram of a chip including the heat dissipation structure of FIG. The chip 2 may be an RF IC chip, the die 3 may be a die for generating RF signals, and the die 3 may be supported on a heat dissipation carrier 20 . The die 3 may be electrically bonded to the second portion 122 of the electrode 120 by wire bonding. In this embodiment, the portion of electrode 120 is configured for high frequency signal transmission to transmit RF signals generated by die 3 to external circuitry electrically coupled to third portion 123 . Another portion of electrode 120 is configured to power die 3 from an external power source electrically coupled to third portion 123 . Additionally, the ceramic body 110 of the frame 10 may include a cap 113 and is configured to seal the die 3, although this disclosure is not so limited. Cap 113 may comprise LTCC and may be integral with ceramic body 110 or alternatively may be a non-metallic sheet adhered to ceramic body 110 .

図５は、ヒートシンクの上に載せられた図４のチップの概略図である。放熱構造体１は、銅板のようなヒートシンク４上に載せられてよく、放熱キャリア２０がヒートシンク４と熱的に接触する。ダイ３により発生する熱は、放熱キャリア２０を通りヒートシンク４へ移される。 FIG. 5 is a schematic diagram of the chip of FIG. 4 mounted on a heat sink. The heat dissipation structure 1 may be mounted on a heat sink 4 such as a copper plate, with the heat dissipation carrier 20 in thermal contact with the heat sink 4 . Heat generated by die 3 is transferred to heat sink 4 through heat dissipation carrier 20 .

図６は、図４のチップの挿入損失を示す。２０ＧＨｚを超える周波数における信号伝達のアプリケーションにおいて、放熱構造体１を含むチップ２の挿入損失は０ｄＢから－０．４ｄＢである。ほかにも４０ＧＨｚをも超える周波数における信号伝達のアプリケーションにおいて、チップ２の挿入損失は約－０．３ｄＢにすぎないことが示される。図７は、図４におけるチップの反射損失を示す。２０ＧＨｚを超える周波数における信号伝達のアプリケーションにおいて、放熱構造体１を含むチップ２の反射損失は－２０ｄＢから－４０ｄＢである。ほかにも４０ＧＨｚをも超える周波数における信号伝達のアプリケーションにおいて、チップ２の反射損失は約－２３ｄＢにすぎないことが示される。 FIG. 6 shows the insertion loss of the chip of FIG. In the application of signal transmission at frequencies above 20 GHz, the insertion loss of chip 2 including heat dissipation structure 1 is from 0 dB to -0.4 dB. It is also shown that the insertion loss of Chip 2 is only about -0.3 dB in signaling applications at frequencies even above 40 GHz. FIG. 7 shows the return loss of the chip in FIG. In signal transmission applications at frequencies above 20 GHz, the return loss of the chip 2 including the heat dissipation structure 1 is -20 dB to -40 dB. It is also shown that the return loss of chip 2 is only about -23 dB in signal transmission applications at frequencies even above 40 GHz.

本開示によれば、パッケージ用の放熱構造体は、信号伝達特性に影響が低いセラミックボディ、及び電気的に絶縁され高い熱伝導率を有する放熱キャリアを有する。放熱キャリアは信号を出力するダイを携えることができ、ダイにより発生した熱は放熱キャリアにより放熱されることができる。それゆえ、放熱構造体において高い熱伝導率を有する放熱キャリアは良好な放熱効率を有し、前記セラミックボディは過度の反射損失とともに挿入損失を防ぎ、それにより良好な放熱効率及び信号伝達ロス減少の要求を同時に満たす。 According to the present disclosure, a heat dissipation structure for a package has a ceramic body with low impact on signal transfer characteristics and a heat dissipation carrier that is electrically insulated and has high thermal conductivity. A heat dissipation carrier can carry a die for outputting a signal, and heat generated by the die can be dissipated by the heat dissipation carrier. Therefore, the heat-dissipating carrier with high thermal conductivity in the heat-dissipating structure has good heat-dissipating efficiency, and the ceramic body prevents insertion loss as well as excessive reflection loss, thereby providing good heat-dissipating efficiency and reducing signal transmission loss. meet demands at the same time.

さらに、セラミックボディはＬＴＣＣを含んでよく、低融点、低い電気抵抗及び低いインピーダンスを有する金属とともに同時焼成され、フレーム１０を形成できる。またＬＴＣＣを含むセラミックボディは、放熱キャリアと同時焼成されることができる。セラミックボディの同時焼成の工程において、セラミックボディは熱収縮し、放熱キャリアと締まり嵌めが達成される。さらにＬＴＣＣ中のガラス成分が加熱され、溶融又は軟化され、放熱キャリア対し接着されることができる。それゆえ、セラミックボディと放熱キャリア間の接合には追加の接着剤は必要なく、放熱構造体の製作を簡略化する助けとなる。 Additionally, the ceramic body may include LTCC and may be co-fired with a metal having a low melting point, low electrical resistance and low impedance to form frame 10 . Also, the ceramic body containing LTCC can be co-fired with the heat dissipation carrier. In the process of co-firing the ceramic body, the ceramic body is thermally shrunk to achieve an interference fit with the heat dissipation carrier. Additionally, the glass component in the LTCC can be heated, melted or softened and adhered to the heat dissipation carrier. Therefore, no additional glue is required for the bonding between the ceramic body and the heat dissipation carrier, which helps simplify the fabrication of the heat dissipation structure.

本開示に対して様々な修正及び変更を行うことができることは、当業者には明らかである。明細書及び例示は、例示的な実施形態としてのみ考慮され、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物によって示される。 It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and changes can be made to this disclosure. It is intended that the specification and illustrations be considered as exemplary embodiments only, with the scope of the disclosure being indicated by the following claims and their equivalents.

１ パッケージ用放熱構造体
２ チップ
３ ダイ
４ ヒートシンク
１０ フレーム
１１０ セラミックボディ
１１１ 上面
１１２ 底面
１１３ キャップ
１２０ 電極
１２１ 第一部位
１２２ 第二部位
１２３ 第三部位
２０ 放熱キャリア 1 heat dissipation structure for package 2 chip 3 die 4 heat sink 10 frame 110 ceramic body 111 top surface 112 bottom surface 113 cap 120 electrode 121 first part 122 second part 123 third part 20 heat dissipation carrier

図４は、図１の放熱構造体を含むチップの概略図である。チップ２はＲＦ ＩＣチップであってよく、ダイ３はＲＦ信号を発生させるためのダイであってよく、ダイ３は放熱キャリア２０上に支持されてよい。ダイ３はワイヤ接合により電極１２０の第二部位１２２と電気的に接合されてよい。この実施形態において、電極１２０の部分は高周波信号伝達用に構成され、ダイ３より発生するＲＦ信号を第三部位１２３と電気的に結合している外部回路に伝達する。電極１２０の他の部分は、第三部位１２３と電気的に結合した外部電源からダイ３に電力を供給するように構成される。さらにフレーム１０のセラミックボディ１１０はキャップ１１３を含んでよく、ダイ３を封止するように構成される、しかし本開示ではそれらに限定されない。キャップ１１３はＬＴＣＣを含んでもよく、かつセラミックボディ１１０と一体でよく、又はその代わりにセラミックボディ１１０と接着した非金属シートであってよい。図４において、放熱キャリア２０の底面は、セラミックボディ１１０の底面と同一平面上にある。 FIG. 4 is a schematic diagram of a chip including the heat dissipation structure of FIG. The chip 2 may be an RF IC chip, the die 3 may be a die for generating RF signals, and the die 3 may be supported on a heat dissipation carrier 20 . The die 3 may be electrically bonded to the second portion 122 of the electrode 120 by wire bonding. In this embodiment, the portion of electrode 120 is configured for high frequency signal transmission to transmit RF signals generated by die 3 to external circuitry electrically coupled to third portion 123 . Another portion of electrode 120 is configured to power die 3 from an external power source electrically coupled to third portion 123 . Additionally, the ceramic body 110 of the frame 10 may include a cap 113 and is configured to seal the die 3, although this disclosure is not so limited. Cap 113 may comprise LTCC and may be integral with ceramic body 110 or alternatively may be a non-metallic sheet adhered to ceramic body 110 . In FIG. 4, the bottom surface of the heat dissipation carrier 20 is flush with the bottom surface of the ceramic body 110 .

Claims (8)

セラミックボディを含むフレームと、
前記フレームのセラミックボディに取り付けられた放熱キャリアであって、前記放熱キャリアはセラミック材料で構成され、前記放熱キャリアの熱伝導率は前記セラミックボディの１０倍又はそれ以上である前記放熱キャリアと、
を含むパッケージ用放熱構造体。 a frame including a ceramic body;
a heat dissipation carrier attached to a ceramic body of the frame, wherein the heat dissipation carrier is made of a ceramic material, and the heat dissipation carrier has a thermal conductivity ten times or more that of the ceramic body;
A heat dissipation structure for a package including. 前記放熱キャリアが、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムで構成される請求項１に記載のパッケージ用放熱構造体。 The heat dissipation structure for packaging as claimed in claim 1, wherein the heat dissipation carrier is made of aluminum nitride or aluminum oxide. 前記セラミックボディが低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）を含み、
前記放熱キャリアが高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ）を含む、請求項１に記載のパッケージ用放熱構造体。 wherein the ceramic body comprises a low temperature co-fired ceramic (LTCC);
2. The heat dissipation structure for packaging according to claim 1, wherein said heat dissipation carrier comprises high temperature co-fired ceramic (HTCC). 前記フレームが、前記セラミックボディ上に配列した電極をさらに含み、前記電極の少なくとも一部は前記セラミックボディ内に固定される、請求項１に記載のパッケージ用放熱構造体。 2. The heat dissipation structure for packaging according to claim 1, wherein said frame further comprises electrodes arranged on said ceramic body, at least a portion of said electrodes being fixed within said ceramic body. 前記電極が、前記セラミックボディ内に固定された第一部位、及び外側に露出した第二部位を含み、前記第二部位は溶接点となる、請求項４に記載のパッケージ用放熱構造体。 5. The package heat dissipation structure according to claim 4, wherein the electrode includes a first portion fixed within the ceramic body and a second portion exposed to the outside, wherein the second portion serves as a welding point. 前記電極が銀で構成され、前記フレームは、前記セラミックボディと前記電極とを同時焼成して構成される、請求項４に記載のパッケージ用放熱構造体。 5. The heat dissipation structure for packaging according to claim 4, wherein the electrodes are made of silver, and the frame is made by co-firing the ceramic body and the electrodes. 前記放熱キャリアが、前記セラミックボディを前記放熱キャリアと同時焼成することにより前記セラミックボディに取り付けられる、請求項１に記載のパッケージ用放熱構造体。 2. The heat dissipation structure for packaging as claimed in claim 1, wherein said heat dissipation carrier is attached to said ceramic body by co-firing said ceramic body with said heat dissipation carrier. 前記セラミックボディがガラス成分を含み、前記放熱キャリアが前記セラミックボディのガラス成分に接着される、請求項１に記載のパッケージ用放熱構造体。 2. The heat dissipation structure for packaging according to claim 1, wherein the ceramic body comprises a glass component, and the heat dissipation carrier is adhered to the glass component of the ceramic body.
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