JP2023073833A - ディスク装置用サスペンションのフレキシャ、およびディスク装置用サスペンション - Google Patents

Abstract

【課題】薄型化が可能なディスク装置用サスペンションのフレキシャ及びディスク装置用サスペンションを提供する。【解決手段】ディスク装置用サスペンションのフレキシャは、メタルベース４０と、メタルベースに沿って設けられた配線部５０と、を備える。配線部は、ベース絶縁層６１と、ベース絶縁層に重ねられた導体層７１と、導体層に重ねられたカバー絶縁層８１と、を有する。メタルベースは、互いに対向する側面を有する一対の第１部分４１Ａ、４１Ｂを有する。ベース絶縁層及びカバー絶縁層の少なくとも一方は、一対の第１部分の間において、側面に接する。導体層は、配線部の積層方向においてメタルベースと重ならない。【選択図】図６

Description

本発明は、ディスク装置用サスペンションのフレキシャ、およびディスク装置用サスペンションに関する。

パーソナルコンピュータなどの情報処理装置には、ハードディスク装置（ＨＤＤ）が使用されている。ハードディスク装置は、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクや、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジはアクチュエータアームを有し、ボイスコイルモータ等のポジショニング用モータによってピボット軸を中心にディスクのトラック幅方向に旋回する。

上記アクチュエータアームにディスク装置用サスペンション（これ以降、単にサスペンションと称す）が取り付けられている。サスペンションは、ロードビームや、ロードビームに重ねられたフレキシャなどを含んでいる。フレキシャの先端付近に形成されたジンバル部には、磁気ヘッドを構成するスライダが設けられている。

スライダには、データの読取りあるいは書込み等のアクセスを行なうための素子（トランスジューサ）が設けられている。これらのロードビーム、フレキシャ、およびスライダなどによって、ヘッドジンバルアセンブリが構成されている。

ディスクの高記録密度化に対応するためには、ヘッドジンバルアセンブリをさらに小形化し、かつディスクの記録面に対してスライダをさらに高精度に位置決めできるようにすることが必要である。

記録密度の向上に対するハードディスク装置の記録容量の向上への要求が強いため、ハードディスク装置が備える磁気ディスクの枚数を増やすこと（いわゆる多盤化）が進められている。例えば、特許文献１には、記録媒体として磁気ディスクの設置枚数を増大可能なディスク装置が開示されている。

特開２０２０－１２９４２３号公報

磁気ディスクの枚数を増やすためには、磁気ディスクを薄型化するだけでなく、磁気ディスク同士の間隔を小さくする必要がある。磁気ディスク同士の間隔を小さくすると、磁気ディスク同士の間で向かい合うサスペンション同士が接触するリスクが高まる。そのため、サスペンションの薄型化が要求されている。

しかし、サスペンションの薄型化に関しては未だに種々の改善の余地がある。例えば、ロードビームの薄型化は、ばね荷重およびサスペンションの共振などに大きく影響するため困難な場合ある。

そこで、本発明は、薄型化が可能なディスク装置用サスペンションのフレキシャ、およびディスク装置用サスペンションを提供することを目的の一つとする。

一実施形態に係るディスク装置用サスペンションのフレキシャは、メタルベースと、前記メタルベースに沿って設けられた配線部と、を備える。前記配線部は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層に重ねられた導体層と、前記導体層に重ねられたカバー絶縁層と、を有し、前記メタルベースは、互いに対向する側面を有する一対の第１部分を有する。

前記ベース絶縁層および前記カバー絶縁層の少なくとも一方は、前記一対の第１部分の間において、前記側面に接し、前記配線部の積層方向において、前記導体層は、前記メタルベースと重ならない。

前記ベース絶縁層、前記導体層、および前記カバー絶縁層は、前記側面の間に位置し、前記配線部の厚さは、前記一対の第１部分の厚さ以下でもよい。前記導体層の少なくとも一部は、前記ベース絶縁層に埋まってもよい。

前記ベース絶縁層は、前記側面の間に位置し、前記導体層および前記カバー絶縁層は、前記側面の間に位置しなくともよい。空気層をさらに備え、前記ベース絶縁層は、前記側面の間において、前記空気層に接してもよい。

前記配線部を支持する支持層をさらに備え、前記積層方向において、前記ベース絶縁層は、前記導体層が接する第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、前記支持層は、前記第２面に接してもよい。

接続部をさらに備え、前記導体層は、前記配線部の延在方向と直交する方向に並ぶ複数の配線を有し、前記接続部は、前記複数の配線の少なくとも１つと電気的に接続されてもよい。

一実施形態に係るディスク装置用サスペンションのフレキシャは、メタルベースと、前記メタルベースに沿って設けられた配線部と、を備える。前記配線部は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層に重ねられた導体層と、前記導体層に重ねられたカバー絶縁層と、を有し、前記メタルベースは、互いに対向する側面を有する一対の第１部分と、前記導体層と重なり前記一対の第１部分に接続された第２部分と、を有する。

前記ベース絶縁層および前記カバー絶縁層の少なくとも一方は、前記一対の第１部分の間において、前記側面に接し、前記第２部分の厚さは、前記第１部分の厚さよりも小さい。前記第２部分は、前記導体層と重なる開口を有してもよい。

一実施形態に係るディスク装置用サスペンションは、ロードビームと、前記ロードビームに重ねられた前記フレキシャと、を備える。

本発明によれば、薄型化が可能なディスク装置用サスペンションのフレキシャ、およびディスク装置用サスペンションを提供することができる。

図１は、ディスク装置の一例を示す概略的な斜視図である。 図２は、ディスク装置の一部を示す概略的な断面図である。 図３は、第１実施形態に係るサスペンションの概略的な平面図である。 図４は、図３に示すフレキシャの概略的な平面図である。 図５は、図４のＶ－Ｖ線に沿って示すフレキシャの概略的な斜視断面図である。 図６は、図５に示すフレキシャの概略的な断面図である。 図７は、第１実施形態に係るフレキシャの比較例である。 図８は、第２実施形態に係るフレキシャの概略的な断面図である。 図９は、第３実施形態に係るフレキシャの概略的な断面図である。 図１０は、第４実施形態に係るフレキシャの概略的な断面図である。 図１１は、第５実施形態に係るフレキシャの概略的な断面図である。 図１２は、第６実施形態に係るフレキシャの概略的な断面図である。 図１３は、第７実施形態に係るフレキシャの概略的な断面図である。 図１４は、第８実施形態に係るフレキシャの概略的な断面図である。 図１５は、第９実施形態に係るフレキシャの概略的な断面図である。 図１６は、第１０実施形態に係るフレキシャの概略的な断面図である。 図１７は、第１１実施形態に係るフレキシャの概略的な部分平面図である。 図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿って示すフレキシャの概略的な断面図である。 図１９は、第１２実施形態に係るフレキシャの概略的な部分平面図である。 図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿って示すフレキシャの概略的な断面図である。 図２１は、第１３実施形態に係るフレキシャの概略的な断面図である。

［第１実施形態］
図１は、ディスク装置（ＨＤＤ）１の一例を示す概略的な斜視図である。図１に示す例において、ディスク装置１は、ケース２と、スピンドル３を中心に回転する複数の磁気ディスク（これ以降、単にディスク４と称す）と、ピボット軸５を中心に旋回可能なキャリッジ６と、キャリッジ６を駆動するためのポジショニング用モータ（ボイスコイルモータ）７と、を有している。ケース２は、図示しない蓋によって密閉される。

図２は、ディスク装置１の一部を示す概略的な断面図である。図１および図２に示すように、キャリッジ６には複数のアーム（キャリッジアーム）８が設けられている。複数のアーム８の先端部には、サスペンション１０がそれぞれ取り付けられている。サスペンション１０の先端部には、磁気ヘッドを構成するスライダ１１がそれぞれ設けられている。

ディスク４が高速で回転すると、ディスク４とスライダ１１との間に空気が流入することによって、エアベアリングが形成される。ポジショニング用モータ７によってキャリッジ６が旋回すると、サスペンション１０がディスク４の径方向に移動することにより、スライダ１１がディスク４の所望トラックまで移動する。

図２に示すように、ディスク４は、第１ディスク４Ａと、第２ディスク４Ｂと、を有している。第１ディスク４Ａは、第２ディスク４Ｂに所定の間隔を置いて対向している。ディスク装置１が備える複数のサスペンション１０には、第１サスペンション１０Ａと、第２サスペンション１０Ｂとが含まれている。

第１サスペンション１０Ａおよび第２サスペンション１０Ｂは、第１ディスク４Ａと第２ディスク４Ｂとの間に位置している。第１サスペンション１０Ａは、ケース２の厚さ方向に第２サスペンション１０Ｂと向かい合っている。複数のディスク４は２枚に限られず、３枚以上でもよい。ディスク４の枚数に応じて、サスペンション１０の数量は適宜変更される。

図３は、第１実施形態に係るサスペンション１０の概略的な平面図である。図４は、図３に示すフレキシャ３０の概略的な平面図である。サスペンション１０は、ベースプレート２１と、ロードビーム２２と、フレキシャ３０と、を備えている。

ロードビーム２２およびフレキシャ３０は、いずれもサスペンション１０の長手方向に延びている。以下、サスペンション１０、ロードビーム２２、およびフレキシャ３０の長手方向を長手方向Ｘと定義し、長手方向Ｘと直交する方向をサスペンション１０、ロードビーム２２、およびフレキシャ３０などの短手方向Ｙと定義する。

長手方向Ｘおよび短手方向Ｙと交差（例えば、直交）する方向をサスペンション１０、ロードビーム２２およびフレキシャ３０などの厚さ方向Ｚと定義する。さらに、ロードビーム２２の先端近傍に円弧状の矢印で示すように、スウェイ方向Ｓを定義する。

ベースプレート２１は、例えばステンレス鋼等の金属材料によって形成されている。ベースプレート２１の厚さは、例えば１２０μｍであるが、この例に限られない。ベースプレート２１には、キャリッジ６が備えるアーム８（図１と図２に示す）にサスペンション１０を取り付けるためのボス部２３が設けられている。

ロードビーム２２は、ステンレス鋼等の金属材料によって形成されている。ロードビーム２２の厚さは、例えば３０～８０μｍである。ロードビーム２２は、先端（図中左方）に向けて先細る形状を有している。

ロードビーム２２は、長手方向Ｘの一端にばね部２４を有している。ロードビーム２２は、溶接部２５において、例えばレーザを用いたスポット溶接によりベースプレート２１に固定されている。ロードビーム２２は，ばね部２４を介してベースプレート２１に弾性的に支持されている。

フレキシャ３０は、ベースプレート２１およびロードビーム２２に沿って配置されている。フレキシャ３０は、溶接部２５において、例えばレーザを用いたスポット溶接によりベースプレート２１およびロードビーム２２に固定されている。

フレキシャ３０は、ロードビーム２２に重なる先端側の部分３１（図中左方）と、先端側の部分３１からベースプレート２１の後方（図中右方）に向けて延びるフレキシャテール３２と、を含んでいる。

フレキシャ３０は、例えば薄いステンレス鋼の板からなるメタルベース４０と、メタルベース４０に沿って設けられた配線部５０と、を備えている。フレキシャ３０は、積層構造である。メタルベース４０は、ステンレス層と呼ばれる場合がある。メタルベース４０の厚さは、ロードビーム２２の厚さよりも小さい。

先端側の部分３１において、フレキシャ３０は、タング３３と、一対のアウトリガー３４Ａ，３４Ｂと、をさらに有している。タング３３には、スライダ１１が搭載されている。スライダ１１の先端部には、例えばＭＲ素子のように磁気信号と電気信号とを変換可能な素子が設けられている。

先端側の部分３１において、配線部５０は、端子５１を介してスライダ１１の素子に電気的に接続されている。これらの素子によって、ディスクに対するデータの書込みあるいは読取り等のアクセスが行なわれる。スライダ１１、ロードビーム２２およびフレキシャ３０などによって、ヘッドジンバルアセンブリ（ｈｅａｄ ｇｉｍｂａｌ ａｓｓｅｍｂｌｙ）が構成されている。

一対のアウトリガー３４Ａ，３４Ｂは、短手方向Ｙにおけるタング３３の両側にそれぞれ配置されている。一対のアウトリガー３４Ａ，３４Ｂは、短手方向Ｙにおけるタング３３の両外側に張り出す形状である。タング３３、一対のアウトリガー３４Ａ，３４Ｂは、いずれもメタルベース４０の一部であり、例えばエッチングによってそれぞれの輪郭が形成される。

タング３３、一対のアウトリガー３４Ａ，３４Ｂなどによってジンバル部３５が構成されている。ジンバル部３５は、フレキシャ３０の先端側の部分３１に形成されている。ジンバル部３５には、マイクロアクチュエータ素子３６Ａ，３６Ｂが搭載されている。マイクロアクチュエータ素子３６Ａ，３６Ｂは、タング３３をスウェイ方向Ｓに回動させる機能を有している。

マイクロアクチュエータ素子３６Ａ，３６Ｂは、短手方向Ｙにおけるスライダ１１の両側に配置されている。マイクロアクチュエータ素子３６Ａ，３６Ｂは、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電体から形成されている。マイクロアクチュエータ素子３６Ａ，３６Ｂは、タング３３のアクチュエータ支持部に導電性接着剤などによってそれぞれ固定されている。

図５は、図４のＶ－Ｖ線に沿って示すフレキシャ３０の概略的な斜視断面図である。図６は、図５に示すフレキシャ３０の概略的な断面図である。図５および図６においては、フレキシャテール３２側から断面を見ている。

以下、配線部５０の延在方向と直交する方向を「配線部５０の幅方向」と呼ぶ場合がある。配線部５０の幅方向は、長手方向Ｘにおける配線部５０の位置に応じて異なる。例えば、図５および図６に示す例において、配線部５０の延在方向は長手方向Ｘに相当し、配線部５０の幅方向は短手方向Ｙに相当する。

上述の通り、フレキシャ３０は、メタルベース４０および配線部５０を有している。図５および図６に示すように、メタルベース４０は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂを有している。

一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂは、短手方向Ｙにおいて、フレキシャ３０の両側に位置している。メタルベース４０の短手方向Ｙの幅は、配線部５０の短手方向Ｙの幅よりも大きい。他の観点からは、サスペンション１０をフレキシャ３０側から見る平面視においては、メタルベース４０を視認することができる。

図５および図６に示す例において、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂは、断面が長方形に形成されている。一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂは、断面が正方形でもよい。一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂには、断面において湾曲した面が含まれてもよい。一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの大きさは、おおよそ等しい。

第１部分４１Ａは、面４２と、厚さ方向Ｚにおける面４２の反対側の面４３と、面４２と面４３とを接続する側面４４と、を有している。第１部分４１Ｂは、面４５と、厚さ方向Ｚにおける面４５の反対側の面４６と、面４５と面４６とを接続する側面４７と、を有している。

先端側の部分３１において、面４３，４６は、例えばロードビーム２２（図３に示す）に対向する面である。厚さ方向Ｚにおいて、面４２は面４５と同一平面上に位置し、面４３は面４６と同一平面上に位置している。

短手方向Ｙにおいて、側面４４，４７は、互いに対向している。図５および図６に示す例において、側面４４，４７は、例えば長手方向Ｘおよび厚さ方向Ｚによって規定される平面とほぼ平行な面である。

配線部５０は、ベース絶縁層６１と、ベース絶縁層６１に重ねられた導体層７１と、導体層７１に重ねられたカバー絶縁層８１と、を有している。配線部５０の積層方向は、厚さ方向Ｚに沿う方向である。

ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１は、例えばポリイミドなどの電気絶縁性の樹脂材料によって形成されている。図５および図６に示す例において、ベース絶縁層６１は、短手方向Ｙにおいて、一様な厚さである。

ベース絶縁層６１は、面６２（第１面）と、厚さ方向Ｚにおける面６２の反対側の面６３（第２面）と、を有している。面６２は、導体層７１およびカバー絶縁層８１が接する面である。先端側の部分３１において、面６３は、例えばロードビーム２２（図３に示す）に対向する面である。

図５および図６に示す例において、厚さ方向Ｚにおける面６３は、面４３，４６と同一平面上に位置している。ベース絶縁層６１は、端面６４と、短手方向Ｙにおける端面６４の反対側の端面６５と、をさらに有している。端面６４，６５は、面６２と面６３とを接続している。

カバー絶縁層８１は、端面８２と、短手方向Ｙにおける端面８２の反対側の端面８３と、有している。厚さ方向Ｚにおいて、端面６４は端面８２の直下に位置しており、端面６５は端面８３の直下に位置している。

導体層７１は、銅などの高導電率の金属材料によって形成されている。導体層７１は、ベース絶縁層６１に沿って所定のパターンとなるようにエッチングによって形成されている。他の方法としては、例えば所定パターンでマスキングされたベース絶縁層６１の上にめっきなどの層形成プロセスによって導体層７１を形成してもよい。

図５および図６に示すように、導体層７１は、配線部５０の幅方向（図５および図６に示す例においては短手方向Ｙ）に並ぶ複数の配線７２を有している。複数の配線７２は、例えば読取り用の配線および書込み用の配線を含んでいる。複数の配線７２は、カバー絶縁層８１により覆われている。

一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂと導体層７１との間の領域においては、カバー絶縁層８１が位置している。複数の配線７２同士の間の領域においては、カバー絶縁層８１が位置している。これにより、複数の配線７２は、それぞれ絶縁されている。

一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂと導体層７１との間の領域、および、複数の配線７２同士の間の領域においては、カバー絶縁層８１が導体層７１と厚さ方向Ｚに重ならない。これらの領域において、カバー絶縁層８１はベース絶縁層６１の面６２に接している。

一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂと導体層７１との間の領域、および、複数の配線７２同士の間の領域において、カバー絶縁層８１には、複数の溝８４が形成されている。複数の溝８４は、面６２に向けて凹むとともに、導体層７１に沿って形成されている。

図５および図６に示す例において、ベース絶縁層６１、導体層７１、およびカバー絶縁層８１は、短手方向Ｙにおいて、側面４４と側面４７との間に位置している。他の観点からは、配線部５０は、側面４４と側面４７とに挟まれている。厚さ方向Ｚにおいて、ベース絶縁層６１、導体層７１、およびカバー絶縁層８１は、メタルベース４０の一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂと重なっていない。

ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１の少なくとも一方は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの間において、側面４４，４７に接している。図５および図６に示す例において、ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１は、側面４４，４７にそれぞれ接している。

より具体的には、端面６４および端面８２は側面４４にそれぞれ接し、端面６５および端面８３は側面４７にそれぞれ接している。他の観点からは、端面６４および端面８２と側面４４との間には隙間が形成されておらず、端面６５および端面８３と側面４７との間には隙間が形成されていない。側面４４，４７には、ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１に接していない部分が形成されている。

ここで、図６に示すように、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さを厚さＴ４１とし、配線部５０の厚さを厚さＴ５０とし、ベース絶縁層６１の厚さを厚さＴ６１とし、導体層７１の厚さを厚さＴ７１とし、カバー絶縁層８１の厚さを厚さＴ８１とする。

一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１は、厚さ方向Ｚにおける面４２，４５と面４３，４６との距離とおおよそ等しい。配線部５０の厚さＴ５０とは、厚さ方向Ｚにおいて、ベース絶縁層６１、導体層７１、およびカバー絶縁層８１がすべて重なる部分の厚さをいう。

図６に示す例において、配線部５０の厚さＴ５０は、ベース絶縁層６１の厚さＴ６１と、導体層７１の厚さＴ７１と、カバー絶縁層８１の厚さＴ８１とを合わせた厚さである。

ベース絶縁層６１の厚さＴ６１は、厚さ方向Ｚにおける面６２と面６３との距離とおおよそ等しい。カバー絶縁層８１の厚さＴ８１とは、例えば導体層７１と重なる領域における厚さをいう。カバー絶縁層８１の厚さＴ８１は、例えばベース絶縁層６１の厚さＴ６１よりも小さい。

配線部５０の厚さＴ５０は、例えば一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１以下である（Ｔ５０≦Ｔ４１）。このような場合、図５および図６で示す部分におけるフレキシャ３０の厚さは、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１とおおよそ等しくなる。

図６に示す例において、配線部５０の厚さＴ５０は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１とおおよそ等しい。配線部５０の厚さＴ５０は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１よりも小さくてもよい。

第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１は、例えば１１～５０μｍである。一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１は、一例として１８μｍである。ベース絶縁層６１の厚さＴ６１は、例えば５～２０μｍである。ベース絶縁層６１の厚さＴ６１は、一例として６μｍである。

カバー絶縁層８１の厚さＴ８１は、例えば２～１０μｍである。カバー絶縁層８１の厚さＴ８１は、一例として２μｍである。導体層７１の厚さＴ７１は、例えば４～１６μｍである。導体層７１の厚さＴ７１は、一例として１０μｍである。

図３および図４に示すフレキシャ３０の少なくとも一部において、メタルベース４０、ベース絶縁層６１、導体層７１、およびカバー絶縁層８１の全ては同時に重なっていない。

フレキシャ３０において、図５および図６に示す例は、例えばフレキシャテール３２側に設けられた配線部５０の端子部、タング３３の近傍、空中配線部が形成された部分、およびビア部が形成された部分などを除く範囲に主に適用することができる。

空中配線部とは、配線部５０がメタルベース４０に接していない部分である。空中配線部は、例えばアウトリガー３４Ａ，３４Ｂに沿って形成される。ビア部とは、例えばベース絶縁層６１を貫通する貫通孔を含む部分である。

第１実施形態におけるフレキシャ３０の構成は、Ｖ－Ｖ線で示す部分以外にも例えば、一対のアウトリガー３４Ａ，３４Ｂが形成されている部分とフレキシャテール３２との間の範囲に適用することができる。当該範囲には、図４においてＡ－Ａ線、Ｂ－Ｂ線、およびＣ－Ｃ線で示す部分およびその近傍などが含まれる。

他の例として、フレキシャ３０の構成は、フレキシャテール３２に適用することができる。さらに他の例として、フレキシャ３０の構成は、フレキシャ３０がロードビーム２２に重なる範囲に適用してもよい。さらに他の例として、フレキシャ３０の構成は、フレキシャ３０がロードビーム２２に重ならない範囲に適用してもよい。

さらに他の例として、フレキシャ３０の構成は、フレキシャ３０がロードビーム２２に重なる範囲およびロードビーム２２に重ならない範囲にそれぞれ適用してもよい。ただし、適用することができる範囲は、サスペンション１０の形状などによってそれぞれ異なり、上述の例に限られない。

以上のように構成されたサスペンション１０のフレキシャ３０においては、フレキシャ３０の少なくとも一部において、導体層７１が厚さ方向Ｚにおいてメタルベース４０と重なっておらず、メタルベース４０、ベース絶縁層６１、導体層７１、およびカバー絶縁層８１の全ては同時に重なっていない。

ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１の少なくとも一方が一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの間において側面４４，４７に接するように、配線部５０がメタルベース４０に対して設けられている。このようにフレキシャ３０を構成することでフレキシャ３０の厚さが大きくなることを抑制し、フレキシャ３０を薄型化することができる。

図７は、第１実施形態に係るフレキシャ３０の比較例である。図７に示すフレキシャ３００は、メタルベース４０上に配線部５０が設けられている。ベース絶縁層６１はメタルベース４０上に設けられ、導体層７１およびカバー絶縁層８１はベース絶縁層６１に重なっている。

この場合、フレキシャ３００の厚さは、メタルベース４０の厚さと配線部５０の厚さとの合計となる。図５および図６に示すようにフレキシャ３０を構成することで、図７に示すフレキシャ３００と比較して、フレキシャの厚さを小さくすることができる。

ベース絶縁層６１、導体層７１、およびカバー絶縁層８１は、短手方向Ｙにおいて側面４４と側面４７との間に位置している。さらに、配線部５０の厚さＴ５０を一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１以下とすることで、フレキシャ３０の厚さは一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１よりも大きくならないため、フレキシャ３０の厚さが大きくなることを抑制することができる。

例えば、配線部５０の厚さＴ５０が一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１とおおよそ等しい場合、フレキシャ３０の厚さを一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１とおおよそ等しくすることができる。

さらに、ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１の少なくとも一方は、側面４４，４７に接している。ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１の少なくとも一方は、短手方向Ｙに一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂを支持している。これにより、短手方向Ｙにおけるフレキシャ３０の剛性を高めることができる。短手方向Ｙにおけるフレキシャ３０の剛性は、「面内剛性」と呼ばれる場合がある。

図５および図６に示す例においては、ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１がそれぞれ側面４４，４７に接している。そのため、ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１のどちらか一方が側面４４，４７に接している場合と比較して、短手方向Ｙにおけるフレキシャ３０の剛性をより高めることができる。

さらに、第１実施形態におけるフレキシャ３０であれば、面内剛性を保つとともにフレキシャ３０のばね定数を低くすることができる。これにより、フレキシャ３０における振動特性など設計の自由度を広げることができる。

厚さ方向Ｚに積層する部材を削減しフレキシャ３０の厚さを小さくしたことに伴い、配線部５０においては、例えばベース絶縁層６１の厚さＴ６１などの設計の自由度を広げることができる。ベース絶縁層６１の厚さＴ６１を変更することで、例えばインピーダンスマッチングなどのフレキシャ３０における伝送特性の最適化が行いやすくなる。

さらに、フレキシャ３０を薄型化することで、フレキシャ３０を備えるサスペンション１０を薄型化することができる。このようなサスペンション１０であれば、ディスク４同士の間隔を小さくしたディスク装置１に適用することができるため、ディスク４の枚数の増加に対応可能なディスク装置１を提供することができる。

本実施形態によれば、薄型化が可能なサスペンション１０のフレキシャ３０、およびサスペンション１０を提供することができる。以上説明した他にも、本実施形態からは種々の好適な作用が得られる。

次に、他の実施形態について説明する。なお、以下に述べる他の実施形態および変形例において、上述した第１実施形態と同様の構成要素には、第１実施形態と同一の参照符号を付して、その詳細な説明を省略あるいは簡略化する場合がある。

［第２実施形態］
図８は、第２実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な断面図である。第２実施形態のフレキシャ３０は、配線部５０が第１実施形態と相違する。

図８に示すように、配線部５０は、ベース絶縁層６１、導体層７１、およびカバー絶縁層８１を有している。カバー絶縁層８１は、面６２に対向する面８５と、厚さ方向Ｚにおける面８５の反対側の面８６と、を有している。厚さ方向Ｚにおいて、面８６は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの面４２，４５と同一平面上に位置している。カバー絶縁層８１には、複数の溝８４が形成されていない。

側面４４，４７の全体は、ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１に接している。側面４４，４７にはベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１に接していない部分が形成されておらず、側面４４，４７の間がベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１によって満たされている。端面６４および端面８２は側面４４にそれぞれ接し、端面６５および端面８３は側面４７にそれぞれ接している。

一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂと導体層７１との間の領域、および、複数の配線７２同士の間の領域におけるカバー絶縁層８１の厚さＴ８２は、導体層７１と重なる領域におけるカバー絶縁層８１の厚さＴ８１よりも大きい。

一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂと導体層７１との間の領域、および、複数の配線７２同士の間の領域において、ベース絶縁層６１の厚さＴ６１とカバー絶縁層８１の厚さＴ８２とを合わせた厚さは、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１とおおよそ等しい。

第２実施形態のフレキシャ３０の構成においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。第２実施形態のフレキシャ３０では、ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１が側面４４と側面４７との間に満たされている。

側面４４，４７の全体には、ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１が接している。そのため、第１実施形態と比較して、短手方向Ｙにおけるフレキシャ３０の剛性をさらに高めることができる。

［第３実施形態］
図９は、第３実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な断面図である。第３実施形態のフレキシャ３０は、配線部５０が上述の各実施形態と相違する。

図９に示すように、ベース絶縁層６１には、面６２から面６３に向けて凹む複数の溝６６が形成されている。複数の配線７２は、複数の溝６６にそれぞれ重なっている。他の観点からは、複数の配線７２は、複数の溝６６に沿って形成されている。

導体層７１の少なくとも一部は、ベース絶縁層６１に埋まっている。図９に示す例においては、溝６６の深さＤ６６は、導体層７１の厚さＴ７１よりも小さい。そのため、複数の配線７２は、厚さ方向Ｚにおいて、溝６６よりも突起した部分７３と、溝６６に埋まっている部分７４と、をそれぞれ有している。図９に示す例においては、突起した部分７３の厚さは、埋まっている部分７４の厚さよりも大きい。

第３実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第３実施形態のフレキシャ３０では、複数の配線７２がベース絶縁層６１の複数の溝６６にそれぞれ埋まっているため、複数の配線７２は短手方向Ｙに動きにくい。

製造工程においては、導体層７１の位置決めが行いやすくなる。突起した部分７３の厚さは埋まっている部分７４の厚さよりも小さくてもよいし、突起した部分７３の厚さは埋まっている部分７４の厚さと等しくてもよい。

［第４実施形態］
図１０は、第４実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な断面図である。第４実施形態においては、溝６６の深さＤ６６が第３実施形態よりも大きい。

図１０に示す例において、溝６６の深さＤ６６は、導体層７１の厚さＴ７１とおおよそ等しい。複数の配線７２は、複数の溝６６にそれぞれ埋没している。図９に示す例と比較すると、複数の配線７２は、溝６６よりも突起した部分７３を有していない。カバー絶縁層８１は、短手方向Ｙにおいて、一様な厚さである。

第４実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第４実施形態のフレキシャ３０では、複数の配線７２がベース絶縁層６１の複数の溝６６にそれぞれ埋没しているため、複数の配線７２は短手方向Ｙにより動きにくい。溝６６の深さＤ６６は、導体層７１の厚さＴ７１よりも大きくてもよい。この場合には、カバー絶縁層８１の一部が溝６６に埋まる。

［第５実施形態］
図１１は、第５実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な断面図である。第５実施形態のフレキシャ３０は、配線部５０が上述の各実施形態と相違する。

図１１に示すように、短手方向Ｙにおいて、ベース絶縁層６１は側面４４と側面４７との間に位置し、導体層７１およびカバー絶縁層８１は側面４４と側面４７との間に位置していない。

ベース絶縁層６１の厚さＴ６１は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１とおおよそ等しい。厚さ方向Ｚにおいて、ベース絶縁層６１の面６２は一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの面４２，４５と同一平面上に位置し、ベース絶縁層６１の面６３は一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの面４３，４６と同一平面上に位置している。

端面６４は側面４４に接し、端面６５は側面４７に接している。側面４４，４７には、ベース絶縁層６１に接していない部分が形成されていない。端面８２，８３は、側面４４，４７に接していない。

導体層７１およびカバー絶縁層８１は、面６２に重なっている。図１１に示す例において、カバー絶縁層８１の一部は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの面４２，４５と重なっている。

短手方向Ｙにおいて、カバー絶縁層８１の幅は、ベース絶縁層６１の幅よりも大きい。他の観点からは、短手方向Ｙにおいて、端面８２，８３は側面４４，４７（端面６４，６５）よりも導体層７１から離れている。

第５実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第５実施形態のフレキシャ３０では、ベース絶縁層６１は側面４４と側面４７との間に位置している。そのため、ベース絶縁層６１の厚さＴ６１に相当する分フレキシャ３０の厚さを小さくすることができる。

さらに、ベース絶縁層６１を一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１と同じ厚さにすることで、製造工程においてベース絶縁層６１の厚さＴ６１を小さくする工程を削減することができる。なお、短手方向Ｙにおいて、カバー絶縁層８１の幅はベース絶縁層６１の幅よりも小さくてもよいし、カバー絶縁層８１の幅はベース絶縁層６１の幅と等しくてもよい。

［第６実施形態］
図１２は、第６実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な断面図である。第６実施形態のフレキシャ３０は、配線部５０が上述の各実施形態と相違する。

フレキシャ３０は、ベース絶縁層６１の面６３に接する空気層９１をさらに備えている。ベース絶縁層６１の面６３は、側面４４と側面４７との間において、空気層９１に接している。導体層７１は、空気層９１と重なっている。

図１２に示すように、ベース絶縁層６１の面６３は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの面４３，４６から厚さ方向Ｚに離れている。他の観点からは、ベース絶縁層６１の面６３は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの面４２，４５と面４３，４６と同一平面上に位置していない。

ベース絶縁層６１の厚さＴ６１は、図６に示したベース絶縁層６１の厚さＴ６１よりも小さい。図１２に示すベース絶縁層６１は、例えば後述のバックアップ層をエッチング工程において除去する際にオーバーエッチングすることで形成される。

フレキシャ３０をロードビーム２２に重ねた場合、ロードビーム２２の直上には空気層９１が位置する。空気層９１の厚さＴ９１は、ベース絶縁層６１の厚さＴ６１を変更することで適宜変更することができる。

第６実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第６実施形態のフレキシャ３０では、サスペンション１０を形成する際にフレキシャ３０の空気層９１がロードビーム２２に対向するように重なる。

そのため、空気層９１を備えることでフレキシャ３０における誘電率の調整幅が広がり、より伝送特性の最適化のためにフレキシャ３０の設計の自由度を広げることができる。

空気層９１は、短手方向Ｙにおいて、側面４４，４７の間の全体に形成されていたが、空気層９１は、短手方向Ｙにおいて、側面４４，４７の間の一部に形成されてもよい。空気層９１は短手方向Ｙに一様な厚さで形成されているが、短手方向Ｙにおいて空気層９１の厚さは適宜変更してもよい。

［第７実施形態］
図１３は、第７実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な断面図である。第７実施形態のフレキシャ３０は、支持層９２を備える点が上述の各実施形態と相違する。

図１３に示すように、フレキシャ３０は、配線部５０を支持する支持層９２をさらに備えている。支持層９２は、例えばフレキシャ３０の製造工程において使用されるバックアップ層である。

一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂおよび配線部５０は、支持層９２に重なっている。より具体的には、支持層９２は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの面４３，４６とベース絶縁層６１の面６３とに接している。

支持層９２は、例えばポリイミドなどの電気絶縁性の樹脂材料によって形成されている。図１３に示す例において、支持層９２は、短手方向Ｙにおいて、一様な厚さである。支持層９２の厚さは、例えばベース絶縁層６１の厚さよりも小さい。

第７実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第７実施形態のフレキシャ３０では、ベース絶縁層６１、導体層７１、およびカバー絶縁層８１が短手方向Ｙにおいて側面４４と側面４７との間に位置している。そのため、フレキシャ３０が支持層９２を備える場合であっても、フレキシャ３０の厚さが大きくなることを抑制することができる。

支持層９２の厚さを小さくすることで、フレキシャ３０の厚さが大きくなることをより抑制することができる。さらに、電気絶縁性の樹脂材料で形成された支持層９２を備えることで、サスペンション１０を形成する際にロードビーム２２との絶縁を容易に行うことができる。この場合、例えばフレキシャ３０は、接着剤によりロードビーム２２に固定される。

さらに、製造工程においては、支持層９２を除去するための工程が不要となるため工数を削減することができる。図１３に示す例においては、支持層９２は配線部５０および一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂとそれぞれ重なっていたが、支持層９２は配線部５０のみと重なってもよい。

［第８実施形態］
図１４は、第８実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な断面図である。第８実施形態においては、フレキシャ３０が備える支持層９２が第７実施形態と相違する。図１４に示す例において、支持層９２は、例えば銅などの金属材料によって形成されている。支持層９２は、例えばめっき、スパッタリングなどの方法により形成される。

第８実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第８実施形態のフレキシャ３０では、支持層９２を金属材料で形成することで支持層９２を導体層７１のグランド層として作用させることができる。導電性の高いグランド層を導体層７１の近くに設けることで、フレキシャ３０における電気特性を向上させることができる。

図１４に示す例においては、支持層９２は配線部５０および一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂとそれぞれ重なっていたが、支持層９２は配線部５０のみと重なってもよい。

［第９実施形態］
図１５は、第９実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な断面図である。第９実施形態のフレキシャ３０は、接続部９３を備える点が上述の各実施形態と相違する。

図１５に示すように、フレキシャ３０は、接続部９３をさらに備えている。接続部９３は、例えば銅などの金属材料によって形成されている。接続部９３は、例えばめっき、スパッタリングなどの方法により形成される。短手方向Ｙにおいて、接続部９３は、例えば側面４４と側面４７との間に位置している。接続部９３は、例えば一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂと重なっていない。

接続部９３は、複数の配線７２の少なくとも１つと電気的に接続されている。接続部９３には、接続部９４と、接続部９５と、を有している。複数の配線７２は、配線７２Ａ～７２Ｄを有している。

接続部９４は、第１部分４１Ｂと配線７２Ａとを電気的に接続している。接続部９４は、例えば第１部分４１Ｂの側面４７に接続されている。接続部９５は、配線７２Ｂと配線７２Ｄとを電気的に接続している。

配線７２Ｂと配線７２Ｄとの間には、接続部９５に接続されていない配線７２Ｃが位置している。接続部９４と接続部９５との間にはベース絶縁層６１が位置しているため、接続部９４は接続部９５から絶縁されている。

図１５に示す例において、配線７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｄはベース絶縁層６１に埋まっているが、配線７２Ｃはベース絶縁層６１に埋まっていない。配線７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｄの厚さは、例えば配線７２Ｃの厚さよりも大きい。このように配線７２Ｃを設けることで、配線７２Ｃを接続部９５から絶縁するとともに、配線７２Ｂと配線７２Ｄとを接続部９５により電気的に接続することができる。

第９実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第９実施形態のフレキシャ３０では、接続部９３が短手方向Ｙにおいて側面４４と側面４７との間に位置しているため、フレキシャ３０の厚さが大きくなることを抑制することができる。

接続部９３は、導体層７１をメタルベース４０に接地させるために使用したり、複数の配線７２同士を接続するジャンパとして使用したりすることができる。これにより、フレキシャ３０における電気特性を向上させることができる。

接続部９３の形状は、上述の例に限られない。接続部９３は、導体層７１の接地に使用される接続部９４、複数の配線７２同士を接続するジャンパとして使用される接続部９５のどちらか一方が設けられてもよい。複数の配線同士の接続は、適宜変更することができる。

［第１０実施形態］
図１６は、第１０実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な断面図である。第１０実施形態のフレキシャ３０は、配線部５０が上述の各実施形態と相違する。

図１６に示すように、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂは、ベース絶縁層６１と重なっている。より具体的には、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの面４３，４６は、ベース絶縁層６１の面６２に接している。他の観点からは、短手方向Ｙにおいて、ベース絶縁層６１は、側面４４と側面４７との間に位置してない。

導体層７１およびカバー絶縁層８１は、短手方向Ｙにおいて、側面４４と側面４７との間に位置している。側面４４，４７には、カバー絶縁層８１の端面８２，８３がそれぞれ接している。側面４４，４７には、カバー絶縁層８１に接していない部分が形成されている。

第１０実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第１０実施形態のフレキシャ３０では、ベース絶縁層６１が側面４４と側面４７との間に位置してない。

そのため、図１６に示す例では、導体層７１およびカバー絶縁層８１を一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの面４２，４５から図６に示す例よりも厚さ方向Ｚに離間させることができる。

第１０実施形態のフレキシャ３０では、サスペンション１０を形成する際に一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの面４２，４５をロードビーム２２に対向するように重ねることで、導体層７１をメタルベース４０だけでなくロードビーム２２からも離すことができる。

これにより、フレキシャ３０において、空中配線部などとの間に生じる電気特性の差を小さくすることができる。第１０実施形態のフレキシャ３０のベース絶縁層６１には、図１３を用いて説明した支持層９２を適用してもよい。

［第１１実施形態］
図１７は、第１１実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な部分平面図である。図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿って示すフレキシャ３０の概略的な断面図である。図１７は、フレキシャ３０をカバー絶縁層８１側から見ている。第１１実施形態のフレキシャ３０は、メタルベース４０が上述の各実施形態と相違する。

図１７および図１８に示すように、メタルベース４０は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂに接続された第２部分４８をさらに有している。第２部分４８は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂを接続する「さん」として機能する。

図１７においては、第２部分４８が形成されている範囲にドットを付している。図１７に示すように、第２部分４８は、長手方向Ｘに沿って、メタルベース４０の一部に形成されている。第２部分４８が形成される範囲は、適宜変更することができる。

図１８に示すように、第２部分４８は、短手方向Ｙにおいて、側面４４，４７にそれぞれ接続されている。第２部分４８は、例えば一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂと一体で形成される。

第２部分４８は、例えばメタルベース４０を形成する際に、例えばエッチング工程においてメタルベース４０の第２部分４８に相当する部分をハーフエッチングすることで形成される。第２部分４８は、短手方向Ｙにおいて、一様な厚さである。

第２部分４８の厚さＴ４８は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１よりも小さい。第２部分４８の厚さＴ４８は、一例として一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１の半分以下である。さらに他の例としては、第２部分４８の厚さＴ４８は、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１の４分の１以下である。

厚さ方向Ｚにおいて、第２部分４８は、ベース絶縁層６１、導体層７１、およびカバー絶縁層８１と重なっている。ベース絶縁層６１およびカバー絶縁層８１は、側面４４，４７にそれぞれ接している。

図１８に示す例において、ベース絶縁層６１、導体層７１、およびカバー絶縁層８１は、短手方向Ｙにおいて、側面４４と側面４７との間に位置している。第２部分４８の厚さＴ４８と配線部５０の厚さＴ５０とを合わせた厚さは、例えば一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１以下である。

図１８に示す例においては、第２部分４８の厚さＴ４８と配線部５０の厚さＴ５０とを合わせた厚さは、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂの厚さＴ４１よりも小さい。そのため、配線部５０は、厚さ方向Ｚにおいて、面４２，４５よりも突起していない。

第１１実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第１１実施形態のフレキシャ３０では、側面４４と側面４７との間に配線部５０が位置することで、フレキシャ３０の厚さが大きくなることを抑制することができる。さらに、一対の第１部分４１Ａ，４１Ｂに接続された第２部分４８を形成することで、短手方向Ｙにおけるフレキシャ３０の剛性をさらに高めることができる。

［第１２実施形態］
図１９は、第１２実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な部分平面図である。図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿って示すフレキシャ３０の概略的な断面図である。第１２実施形態のフレキシャ３０は、第２部分４８が開口４９を有する点が第１１実施形態と相違する。

図１９および図２０に示すように、メタルベース４０の第２部分４８は、開口４９を有している。開口４９は、厚さ方向Ｚにおいて、導体層７１と重なっている。複数の配線７２Ａ～７２Ｄにおいて、配線７２Ａ，７２Ｂは開口４９と重なり、配線７２Ｃ，７２Ｄは開口４９と重なっていない。

図１９に示す例において、開口４９は、長手方向Ｘに沿って３つ形成されている。開口４９の数は、２つ以下でもよいし、４つ以上でもよい。開口４９は、配線部５０の幅方向（図１９および図２０に示す例では短手方向Ｙ）に２つ以上形成されてもよい。開口４９の大きさは、適宜変更することができる。開口４９の大きさを変更することで、開口４９と重なる配線の本数および範囲などを適宜変更することができる。

第１２実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第１２実施形態のフレキシャ３０では、第２部分４８に開口４９を形成することでフレキシャ３０における電気特性の調整などを行うことができる。

［第１３実施形態］
図２１は、第１３実施形態に係るフレキシャ３０の概略的な断面図である。第１３実施形態のフレキシャ３０は、複数の導体層を有する点が上述の各実施形態と相違する。

図２１に示すように、配線部５０は、ベース絶縁層６１、複数の導体層、およびカバー絶縁層８１を有している。複数の導体層は、第１導体層７５と、第１導体層７５に重なる第２導体層７６とを有している。第１導体層７５および第２導体層７６は、複数の配線７７，７８をそれぞれ有している。

第１導体層７５は、ベース絶縁層６１の面６２に接している。第１導体層７５は、短手方向Ｙにおいて、側面４４と側面４７との間に位置している。複数の配線７８は、複数の配線７７と重なるようにそれぞれ設けられている。

第１導体層７５と第２導体層７６との間には、カバー絶縁層８１の一部分８７が設けられている。第１導体層７５と第２導体層７６とは、カバー絶縁層８１により絶縁されている。第２導体層７６は、カバー絶縁層８１により周囲を覆われている。

第１３実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第１３実施形態のフレキシャ３０では、導体層を複数設ける場合であっても第１導体層７５が側面４４と側面４７との間に設けられているため、フレキシャ３０の厚さＴ３０が大きくなることを抑制し、フレキシャ３０を薄型化することができる。

第１導体層７５の厚さは、第２導体層７６の厚さと等しくてもよいし、異なってもよい。導体層の数は、２つに限られず、３つ以上でもよい。第１３実施形態のフレキシャ３０のように複数の導体層を設けることは、上述の各実施形態においてそれぞれ適用することができる。

以上の実施形態にて開示した発明を実施するに当たっては、ロードビームやフレキシャの形状などの具体的な態様をはじめとして、ディスク装置用サスペンションを構成する各要素の具体的な態様を種々に変更できる。

なお、複数の配線７２は、それぞれ厚さが異なってもよい。なお、第３実施形態および第４実施形態を用いて説明した溝６６は、第５実施形態以降において説明するベース絶縁層６１においても適宜適用することができる。なお、第６実施形態を用いて説明した空気層９１は、他の実施形態においても適宜適用することができる。

１…ディスク装置、１０…ディスク装置用サスペンション、２２…ロードビーム、３０…フレキシャ、４０…メタルベース、４１Ａ，４１Ｂ…第１部分、４４，４７…側面、４８…第２部分、５０…配線部、６１…ベース絶縁層、７１…導体層、８１…カバー絶縁層。

Claims (10)

1. メタルベースと、
   前記メタルベースに沿って設けられた配線部と、を備え、
   前記配線部は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層に重ねられた導体層と、前記導体層に重ねられたカバー絶縁層と、を有し、
   前記メタルベースは、互いに対向する側面を有する一対の第１部分を有し、
   前記ベース絶縁層および前記カバー絶縁層の少なくとも一方は、前記一対の第１部分の間において、前記側面に接し、
   前記配線部の積層方向において、前記導体層は、前記メタルベースと重ならない、
   ディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
2. 前記ベース絶縁層、前記導体層、および前記カバー絶縁層は、前記側面の間に位置し、
   前記配線部の厚さは、前記一対の第１部分の厚さ以下である、
   請求項１に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
3. 前記導体層の少なくとも一部は、前記ベース絶縁層に埋まっている、
   請求項１または２に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
4. 前記ベース絶縁層は、前記側面の間に位置し、
   前記導体層および前記カバー絶縁層は、前記側面の間に位置していない、
   請求項１に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
5. 空気層をさらに備え、
   前記ベース絶縁層は、前記側面の間において、前記空気層に接している、
   請求項１乃至４のいずれか１項に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
6. 前記配線部を支持する支持層をさらに備え、
   前記積層方向において、前記ベース絶縁層は、前記導体層が接する第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、
   前記支持層は、前記第２面に接している、
   請求項１乃至４のいずれか１項に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
7. 接続部をさらに備え、
   前記導体層は、前記配線部の延在方向と直交する方向に並ぶ複数の配線を有し、
   前記接続部は、前記複数の配線の少なくとも１つと電気的に接続されている、
   請求項１乃至６のいずれか１項に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
8. メタルベースと、
   前記メタルベースに沿って設けられた配線部と、を備え、
   前記配線部は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層に重ねられた導体層と、前記導体層に重ねられたカバー絶縁層と、を有し、
   前記メタルベースは、互いに対向する側面を有する一対の第１部分と、前記導体層と重なり前記一対の第１部分に接続された第２部分と、を有し、
   前記ベース絶縁層および前記カバー絶縁層の少なくとも一方は、前記一対の第１部分の間において、前記側面に接し、
   前記第２部分の厚さは、前記第１部分の厚さよりも小さい、
   ディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
9. 前記第２部分は、前記導体層と重なる開口を有している、
   請求項８に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
10. ロードビームと、
    前記ロードビームに重ねられた請求項１乃至９のいずれか１項に記載のフレキシャと、を備える、
    ディスク装置用サスペンション。

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