JP2023070795A - フィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】通過帯域の高域側の広い周波数帯域において、通過減衰量を大きくすることができるフィルタを実現する。【解決手段】フィルタ１は、第１および第２の共振器１０，２０と、第１および第２のスタブ型共振器９１，９２を備えている。第１および第２の共振器１０，２０の各々は、第１の導体部分と、第１の導体部分に電気的に接続され且つ第１の導体部分よりもインピーダンスが小さい第２の導体部分とを含んでいる。第１のスタブ型共振器９１は、第１の共振器１０の第１の導体部分１１に電気的に接続されている。第２のスタブ型共振器９２は、第２の共振器２０の第１の導体部分２１に電気的に接続されている。第１のスタブ型共振器９１の形状と第２のスタブ型共振器９２の形状は、互いに異なっている。【選択図】図６

Description

本発明は、分布定数線路よりなる共振器を備えたフィルタに関する。

通信装置に用いられる電子部品の一つには、複数の共振器を備えたバンドパスフィルタがある。複数の共振器の各々は、例えば、分布定数線路によって構成されている。分布定数線路は、所定の線路長を有するように構成される。

分布定数線路によって構成された共振器の１つに、スタブ型共振器がある。例えば、特許文献１には、方向性および結合度を調整する手段として、スタブ素子を用いる技術が記載されている。また、特許文献２には、高次共振周波数におけるスプリアス成分を抑圧する手段として、先端開放スタブを用いる技術が記載されている。

特開２００３－２０４２０３号公報 特開２０１１－１１９８４１号公報

バンドパスフィルタでは、通過帯域の高域側において、減衰量の絶対値（以下、通過減衰量とも言う。）を大きくすることが求められる場合がある。そのためには、通過帯域の高域側に発生するスプリアスを制御する必要がある。

現在、第５世代移動通信システム（以下、５Ｇと言う。）を用いた通信サービスが提供され始めている。５Ｇでは、１０ＧＨｚ以上の周波数帯域、特に、１０～３０ＧＨｚの準ミリ波帯や３０～３００ＧＨｚのミリ波帯の利用が想定されている。このように、従来よりも高く且つ広い周波数帯域が利用されるようになると、バンドパスフィルタにおいても、従来よりも高く且つ広い周波数帯域において特性を満足することが求められる。しかし、従来の技術では、十分な特性を得ることが難しかった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、通過帯域の高域側の広い周波数帯域において、通過減衰量を大きくすることができるフィルタを提供することにある。

本発明のフィルタは、それぞれ第１の導体部分と第１の導体部分よりもインピーダンスが小さい第２の導体部分とを含む第１の共振器および第２の共振器と、分布定数線路よりなり第１の共振器の第１の導体部分に電気的に接続された第１のスタブ型共振器と、分布定数線路よりなり第２の共振器の第１の導体部分に電気的に接続された第２のスタブ型共振器とを備えている。第１のスタブ型共振器の形状と第２のスタブ型共振器の形状は、互いに異なっている。

本発明のフィルタにおいて、第１のスタブ型共振器の長さと第２のスタブ型共振器の長さは、互いに異なっていてもよい。

また、本発明のフィルタにおいて、第１の導体部分と第２の導体部分の各々は、分布定数線路であってもよい。

また、本発明のフィルタは、所定の通過帯域内の周波数の信号を選択的に通過させるバンドパスフィルタであってもよい。この場合、第１の共振器の第１の導体部分は、第１のスタブ型共振器が接続された第１の接続部分と、第１の接続部分以外の第１の非接続部分とを含んでいてもよい。また、第２の共振器の第１の導体部分は、第２のスタブ型共振器が接続された第２の接続部分と、第２の接続部分以外の第２の非接続部分とを含んでいてもよい。第１の接続部分の、通過帯域の中心周波数における電流密度は、第１の非接続部分の、通過帯域の中心周波数における電流密度よりも大きくてもよい。第２の接続部分の、通過帯域の中心周波数における電流密度は、第２の非接続部分の、通過帯域の中心周波数における電流密度よりも大きくてもよい。

また、本発明のフィルタにおいて、第１の共振器および第２の共振器の各々の、第２の導体部分のインピーダンスに対する第１の導体部分のインピーダンスの比であるインピーダンス比は、０．３以下であってもよい。

また、本発明のフィルタにおいて、第１の共振器の第１の導体部分と、第２の共振器の第１の導体部分は、それぞれ、互いに異なる複数の方向に延在する複数の部分を含んでいてもよい。

また、本発明のフィルタは、更に、積層された複数の誘電体層を含む積層体を備えていてもよい。第１の共振器、第２の共振器、第１のスタブ型共振器および第２のスタブ型共振器は、積層体に一体化されていてもよい。この場合、第１の共振器および第２の共振器の各々において、第１の導体部分と第２の導体部分は、複数の誘電体層の積層方向において互いに異なる位置に配置され、且つ互いに電気的に接続されていてもよい。また、本発明のフィルタは、更に、第１の共振器および第２の共振器の各々の第１の導体部分と第２の導体部分とを接続する複数のスルーホールを備えていてもよい。また、第１の共振器の第１の導体部分と第２の共振器の第１の導体部分は、積層方向において同じ位置に配置されていてもよい。また、第１の共振器の第２の導体部分と第２の共振器の第２の導体部分は、積層方向において同じ位置に配置されていてもよい。

また、本発明のフィルタは、更に、回路構成上、第１の共振器と第２の共振器との間に配置された第３の共振器を備えていてもよい。この場合、第３の共振器は、第３の導体部分と、第３の導体部分よりもインピーダンスが小さい第４の導体部分とを含んでいてもよい。第３の導体部分は、非対称な形状を有していてもよい。

本発明のフィルタは、第１の共振器の第１の導体部分に電気的に接続された第１のスタブ型共振器と、第２の共振器の第１の導体部分に電気的に接続された第２のスタブ型共振器とを備えている。第１のスタブ型共振器の形状と第２のスタブ型共振器の形状は、互いに異なっている。これにより、本発明によれば、通過帯域の高域側の広い周波数帯域において、通過減衰量を大きくすることができるフィルタを実現することが可能になるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの回路構成を示す回路図である。 本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの外観を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの積層体における１層目ないし３層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの積層体における４層目ないし６層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの積層体における７層目ないし９層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの積層体の内部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの積層体の内部の一部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの積層体の内部の一部を示す斜視図である。 第１の比較例のフィルタの回路構成を示す回路図である。 第１の比較例のフィルタの積層体における７層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 第２の比較例のフィルタの積層体における７層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 第３の比較例のフィルタの積層体における７層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 第１の比較例のモデルの通過減衰特性を示す特性図である。 第２の比較例のモデルの通過減衰特性を示す特性図である。 第３の比較例のモデルの通過減衰特性を示す特性図である。 実施例のモデルの通過減衰特性を示す特性図である。 第４の比較例のフィルタの積層体における８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 第４の比較例のモデルの通過減衰特性を示す特性図である。 本発明の第２の実施の形態に係るフィルタの回路構成を示す回路図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るフィルタ１の構成について説明する。図１は、フィルタ１の回路構成を示す回路図である。フィルタ１は、所定の通過帯域内の周波数の信号を選択的に通過させるバンドパスフィルタとして機能するように構成されている。

本実施の形態に係るフィルタ１は、第１の共振器１０と、第２の共振器２０と、回路構成上第１の共振器１０と第２の共振器２０との間に配置された第３の共振器３０とを備えている。なお、本出願において、「回路構成上」という表現は、物理的な構成における配置ではなく、回路図上での配置を指すために用いている。

第１ないし第３の共振器１０，２０，３０は、第１の共振器１０と第３の共振器３０が回路構成上隣接して電磁界結合し、第２の共振器２０と第３の共振器３０が回路構成上隣接して電磁界結合するように構成されている。図１において、記号Ｋ１３を付した曲線は、第１の共振器１０と第３の共振器３０との間の電界結合を表し、記号Ｋ２３を付した曲線は、第２の共振器２０と第３の共振器３０との間の電界結合を表している。

また、第１の共振器１０は、回路構成上隣接しない第２の共振器２０と磁界結合する。このように、回路構成上隣接しない２つの共振器の間の電磁界結合を飛び越し結合と言う。図１において、記号Ｋ１２を付した曲線は、第１の共振器１０と第２の共振器２０との間の磁界結合を示している。

第１の共振器１０は、第１の導体部分１１と、第１の導体部分１１よりもインピーダンスが小さい第２の導体部分１２とを含んでいる。第１の導体部分１１と第２の導体部分１２は、互いに電気的に接続されている。第１の導体部分１１は、グランドに接続される。また、第１の導体部分１１と第２の導体部分１２の各々は、分布定数線路である。本実施の形態では特に、第１の導体部分１１は、幅が小さい分布定数線路であり、第２の導体部分１２は、第１の導体部分１１よりも幅が大きい分布定数線路である。

第１の共振器１０は、更に、第１の導体部分１１と第２の導体部分１２とを電気的に接続する第３の導体部分１３を含んでいる。第３の導体部分１３は、第２の導体部分１２を構成する分布定数線路よりも幅が小さい分布定数線路を含んでいてもよい。第３の導体部分１３の分布定数線路の幅は、第１の導体部分１１を構成する分布定数線路の幅と同じであってもよいし、異なっていてもよい。

第２の共振器２０の構成は、基本的には、第１の共振器１０の構成と同じである。すなわち、第２の共振器２０は、第１の導体部分２１と、第１の導体部分２１よりもインピーダンスが小さい第２の導体部分２２とを含んでいる。第１の導体部分２１と第２の導体部分２２は、互いに電気的に接続されている。第１の導体部分２１は、グランドに接続される。また、第１の導体部分２１と第２の導体部分２２の各々は、分布定数線路である。本実施の形態では特に、第１の導体部分２１は、幅が小さい分布定数線路であり、第２の導体部分２２は、第１の導体部分２１よりも幅が大きい分布定数線路である。

第２の共振器２０は、更に、第１の導体部分２１と第２の導体部分２２とを電気的に接続する第３の導体部分２３を含んでいる。第３の導体部分２３は、第２の導体部分２２を構成する分布定数線路よりも幅が小さい分布定数線路を含んでいてもよい。第３の導体部分２３の分布定数線路の幅は、第１の導体部分２１を構成する分布定数線路の幅と同じであってもよいし、異なっていてもよい。

第３の共振器３０は、第１の導体部分３１と、第１の導体部分３１よりもインピーダンスが小さい第２の導体部分３２とを含んでいる。第１の導体部分３１は、本発明における「第３の導体部分」に対応し、第２の導体部分３２は、本発明における「第４の導体部分」に対応する。第１の導体部分３１と第２の導体部分３２は、互いに電気的に接続されている。第１の導体部分３１は、グランドに接続される。また、第１の導体部分３１と第２の導体部分３２の各々は、分布定数線路である。本実施の形態では特に、第１の導体部分３１は、幅が小さい分布定数線路であり、第２の導体部分３２は、第１の導体部分３１よりも幅が大きい分布定数線路である。

第１ないし第３の共振器１０，２０，３０は、いずれも、幅が小さい分布定数線路と幅が大きい分布定数線路とによって構成されたステップドインピーダンス共振器である。また、第１ないし第３の共振器１０，２０，３０は、いずれも、一端が短絡され他端が開放された１／４波長共振器である。

第１の導体部分１１，２１，３１の各々のインピーダンスは、例えば１５～３５Ωの範囲内である。第２の導体部分１２，２２，３２の各々のインピーダンスは、例えば１～５Ωの範囲内である。ここで、第１ないし第３の共振器１０，２０，３０の各々において、第２の導体部分のインピーダンスに対する第１の導体部分のインピーダンスの比を、インピーダンス比と言う。第１ないし第３の共振器１０，２０，３０の各々において、インピーダンス比は、１よりも小さい。

共振器を小さくする観点から、インピーダンス比は小さいことが好ましい。例えば、第１の導体部分を構成する分布定数線路と第２の導体部分を構成する分布定数線路の各々の幅を調整することによって、インピーダンス比を調整することが可能である。インピーダンス比が小さくなるに従って、第１の線路部分を構成する分布定数線路の幅は相対的に小さくなり、第２の線路部分を構成する分布定数線路の幅は相対的に大きくなる。

本実施の形態では特に、第１ないし第３の共振器１０，２０，３０の各々におけるインピーダンス比は、０．３以下である。一例では、第１および第２の共振器１０，２０の各々の第１の導体部分のインピーダンスは２．８７Ωであり、第１および第２の共振器１０，２０の各々の第２の導体部分のインピーダンスは２７Ωである。この場合、第１および第２の共振器１０，２０の各々におけるインピーダンス比は、０．１０６である。また、一例では、第３の共振器３０の第１の導体部分３１のインピーダンスは２．５５Ωであり、第３の共振器３０の第２の導体部分３２のインピーダンスは２７Ωである。この場合、第３の共振器３０におけるインピーダンス比は、０．０９４である。

ところで、インピーダンス比を小さくしすぎると、所望の特性が得られなくなる場合がある。例えば、一端が短絡され、他端が開放されたステップドインピーダンス共振器（１／４波長共振器）において、インピーダンス比を小さくしすぎると、この共振器は、実質的に、両端が開放された第２の線路部分のみからなる１／２波長共振器となる。その結果、所望の特性が得られなくなる。これを防止するために、本実施の形態では、第１ないし第３の共振器１０，２０，３０の各々におけるインピーダンス比を、０．０６以上としている。

フィルタ１は、更に、第１のポート２と、第２のポート３と、導体部４，５とを備えている。第１ないし第３の共振器１０，２０，３０は、回路構成上、第１のポート２と第２のポート３との間に配置されている。

導体部４は、第１のポート２と第１の共振器１０とを電気的に接続している。導体部４の一端は、第１のポート２に接続されている。導体部４の他端は、第１の導体部分１１と第３の導体部分１３との間において第１の共振器１０に接続されている。

導体部５は、第２のポート３と第２の共振器２０とを電気的に接続している。導体部５の一端は、第２のポート３に接続されている。導体部５の他端は、第１の導体部分２１と第３の導体部分２３との間において第２の共振器２０に接続されている。

フィルタ１は、更に、第１の共振器１０の第１の導体部分１１に電気的に接続された第１のスタブ型共振器９１と、第２の共振器２０の第１の導体部分２１に電気的に接続された第２のスタブ型共振器９２とを備えている。第１および第２のスタブ型共振器９１，９２の各々は、分布定数線路よりなる。

第１のスタブ型共振器９１は、第１の導体部分１１の途中に接続されている。図１では、第１の導体部分１１のうち、回路構成上第１のスタブ型共振器９１との接続点と第２の導体部分１２との間に位置する部分を符号１１Ａで示し、回路構成上第１のスタブ型共振器９１との接続点とグランドとの間に位置する部分を符号１１Ｂで示している。

第２のスタブ型共振器９２は、第１の導体部分２１の途中に接続されている。図１では、第１の導体部分２１のうち、回路構成上第２のスタブ型共振器９２との接続点と第２の導体部分２２との間に位置する部分を符号２１Ａで示し、回路構成上第２のスタブ型共振器９２との接続点とグランドとの間に位置する部分を符号２１Ｂで示している。

後述するように、第１のスタブ型共振器９１の形状と第２のスタブ型共振器９２の形状は、互いに異なっている。本実施の形態では特に、第１のスタブ型共振器９１の長さと第２のスタブ型共振器９２の長さは、互いに異なっている。

第１および第２のスタブ型共振器９１，９２は、それぞれ、一端が解放されたオープンスタブであってもよいし、一端がグランドに接続されたショートスタブであってもよい。図１には、第１および第２のスタブ型共振器９１，９２がそれぞれオープンスタブである例を示している。

次に、図２を参照して、フィルタ１のその他の構成について説明する。図２は、フィルタ１の外観を示す斜視図である。

フィルタ１は、更に、積層体５０を備えている。積層体５０は、積層された複数の誘電体層と、この複数の誘電体層に形成された複数の導体層および複数のスルーホールとを含んでいる。第１ないし第３の共振器１０，２０，３０と第１および第２のスタブ型共振器９１，９２は、積層体５０に一体化されている。第１ないし第３の共振器１０，２０，３０と第１および第２のスタブ型共振器９１，９２は、複数の導体層を用いて構成されている。

積層体５０は、複数の誘電体層の積層方向Ｔの両端に位置する第１の面５０Ａおよび第２の面５０Ｂと、第１の面５０Ａと第２の面５０Ｂを接続する４つの側面５０Ｃ～５０Ｆとを有している。側面５０Ｃ，５０Ｄは互いに反対側を向き、側面５０Ｅ，５０Ｆも互いに反対側を向いている。側面５０Ｃ～５０Ｆは、第１の面５０Ａおよび第２の面５０Ｂに対して垂直になっている。

ここで、図２に示したように、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を定義する。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は、互いに直交する。本実施の形態では、積層方向Ｔに平行な一方向を、Ｚ方向とする。また、Ｘ方向とは反対の方向を－Ｘ方向とし、Ｙ方向とは反対の方向を－Ｙ方向とし、Ｚ方向とは反対の方向を－Ｚ方向とする。

図２に示したように、第１の面５０Ａは、積層体５０における－Ｚ方向の端に位置する。第１の面５０Ａは、積層体５０の底面でもある。第２の面５０Ｂは、積層体５０におけるＺ方向の端に位置する。第２の面５０Ｂは、積層体５０の上面でもある。側面５０Ｃは、積層体５０における－Ｘ方向の端に位置する。側面５０Ｄは、積層体５０におけるＸ方向の端に位置する。側面５０Ｅは、積層体５０における－Ｙ方向の端に位置する。側面５０Ｆは、積層体５０におけるＹ方向の端に位置する。

Ｚ方向から見たときの積層体５０の平面形状、すなわち第１の面５０Ａまたは第２の面５０Ｂの形状は、一方向に長い形状である。本実施の形態では特に、Ｚ方向から見たときの積層体５０の平面形状は、Ｘ方向に平行な方向に長い矩形形状である。

フィルタ１は、更に、積層体５０の第１の面５０Ａに設けられた複数の端子１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６を備えている。端子１１１は、側面５０Ｃの近傍においてＹ方向に延びている。端子１１２は、側面５０Ｄの近傍においてＹ方向に延びている。端子１１３～１１６は、端子１１１と端子１１２の間に配置されている。端子１１３，１１４は、側面５０Ｅの近傍においてＸ方向にこの順に並んでいる。端子１１５，１１６は、側面５０Ｆの近傍においてＸ方向にこの順に並んでいる。

端子１１１は第１のポート２に対応し、端子１１２は第２のポート３に対応している。従って、第１および第２のポート２，３は、積層体５０の第１の面５０Ａに設けられている。端子１１３～１１６は、グランドに接続される。以下、端子１１１を第１の端子１１１とも言い、端子１１２を第２の端子１１２とも言い、端子１１３～１１６をグランド端子１１３～１１６とも言う。

次に、図３ないし図５を参照して、積層体５０を構成する複数の誘電体層および複数の導体層の一例について説明する。この例では、積層体５０は、積層された９層の誘電体層を有している。以下、この９層の誘電体層を、下から順に１層目ないし９層目の誘電体層と呼ぶ。また、１層目ないし９層目の誘電体層を符号５１～５９で表す。

図３（ａ）は、１層目の誘電体層５１のパターン形成面を示している。誘電体層５１のパターン形成面には、端子１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６が形成されている。また、誘電体層５１には、それぞれ端子１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６に接続されたスルーホール５１Ｔ１，５１Ｔ２，５１Ｔ３，５１Ｔ４，５１Ｔ５，５１Ｔ６が形成されている。

図３（ｂ）は、２層目の誘電体層５２のパターン形成面を示している。誘電体層５２のパターン形成面には、導体層５２１が形成されている。また、誘電体層５２には、スルーホール５２Ｔ１，５２Ｔ２，５２Ｔ３，５２Ｔ４，５２Ｔ５，５２Ｔ６が形成されている。誘電体層５１に形成されたスルーホール５１Ｔ１，５１Ｔ２は、それぞれ、スルーホール５２Ｔ１，５２Ｔ２に接続されている。誘電体層５１に形成されたスルーホール５１Ｔ３～５１Ｔ６と、スルーホール５２Ｔ３～５２Ｔ６は、導体層５２１に接続されている。

図３（ｃ）は、３層目の誘電体層５３のパターン形成面を示している。誘電体層５３のパターン形成面には、導体層５３１，５３２，５３３，５３４が形成されている。導体層５３２は、導体層５３１に接続されている。導体層５３４は、導体層５３３に接続されている。図３（ｃ）では、導体層５３１と導体層５３２との境界と、導体層５３３と導体層５３４との境界を、それぞれ点線で示している。

また、誘電体層５３には、スルーホール５３Ｔ１，５３Ｔ２，５３Ｔ３，５３Ｔ４，５３Ｔ５，５３Ｔ６が形成されている。誘電体層５２に形成されたスルーホール５２Ｔ１と、スルーホール５３Ｔ１は、導体層５３２に接続されている。誘電体層５２に形成されたスルーホール５２Ｔ２と、スルーホール５３Ｔ２は、導体層５３４に接続されている。誘電体層５２に形成されたスルーホール５２Ｔ３～５２Ｔ６は、それぞれ、スルーホール５３Ｔ３～５３Ｔ６に接続されている。

図４（ａ）は、４層目の誘電体層５４のパターン形成面を示している。誘電体層５４のパターン形成面には、導体層５４１が形成されている。また、誘電体層５４には、スルーホール５４Ｔ１，５４Ｔ２，５４Ｔ３，５４Ｔ４，５４Ｔ５，５４Ｔ６，５４Ｔ７が形成されている。誘電体層５３に形成されたスルーホール５３Ｔ１～５３Ｔ６は、それぞれ、スルーホール５４Ｔ１～５４Ｔ６に接続されている。スルーホール５４Ｔ７は、導体層５４１に接続されている。

図４（ｂ）は、５層目の誘電体層５５のパターン形成面を示している。誘電体層５５のパターン形成面には、導体層５５１が形成されている。また、誘電体層５５には、スルーホール５５Ｔ１，５５Ｔ２，５５Ｔ７，５５Ｔ８が形成されている。誘電体層５４に形成されたスルーホール５４Ｔ１，５４Ｔ２，５４Ｔ７は、それぞれ、スルーホール５５Ｔ１，５５Ｔ２，５５Ｔ７に接続されている。誘電体層５４に形成されたスルーホール５４Ｔ３～５４Ｔ６と、スルーホール５５Ｔ８は、導体層５５１に接続されている。

図４（ｃ）は、６層目の誘電体層５６のパターン形成面を示している。誘電体層５６には、スルーホール５６Ｔ１，５６Ｔ２，５６Ｔ７，５６Ｔ８が形成されている。誘電体層５５に形成されたスルーホール５５Ｔ１，５５Ｔ２，５５Ｔ７，５５Ｔ８は、それぞれ、スルーホール５６Ｔ１，５６Ｔ２，５６Ｔ７，５６Ｔ８に接続されている。

図５（ａ）は、７層目の誘電体層５７のパターン形成面を示している。誘電体層５７のパターン形成面には、導体層５７１，５７２，５７３，５７４が形成されている。導体層５７１，５７２の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。導体層５７１の第１端と導体層５７２の第１端は、互いに接続されている。図５（ａ）では、導体層５７１と導体層５７２との境界を、点線で示している。誘電体層５６に形成されたスルーホール５６Ｔ１は、導体層５７１の第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層５６に形成されたスルーホール５６Ｔ２は、導体層５７２の第２端の近傍部分に接続されている。

導体層５７３は、導体層５７１の途中に接続されている。導体層５７４は、導体層５７２の途中に接続されている。図５（ａ）では、導体層５７１と導体層５７３との境界と、導体層５７２と導体層５７４との境界を、それぞれ点線で示している。

また、誘電体層５７には、スルーホール５７Ｔ７，５７Ｔ８が形成されている。誘電体層５６に形成されたスルーホール５６Ｔ７は、スルーホール５７Ｔ７に接続されている。誘電体層５６に形成されたスルーホール５６Ｔ８と、スルーホール５７Ｔ８は、導体層５７１の第１端の近傍部分と導体層５７２の第１端の近傍部分に接続されている。

図５（ｂ）は、８層目の誘電体層５８のパターン形成面を示している。誘電体層５８のパターン形成面には、導体層５８１が形成されている。導体層５８１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。誘電体層５７に形成されたスルーホール５７Ｔ７は、導体層５８１の第１端の近傍部分に接続されている。

また、誘電体層５８には、スルーホール５８Ｔ８が形成されている。誘電体層５７に形成されたスルーホール５７Ｔ８と、スルーホール５８Ｔ８は、導体層５８１の第２端の近傍部分に接続されている。

図５（ｃ）は、９層目の誘電体層５９のパターン形成面を示している。誘電体層５９のパターン形成面には、導体層５９１が形成されている。誘電体層５８に形成されたスルーホール５８Ｔ８は、導体層５９１に接続されている。

図２に示した積層体５０は、１層目の誘電体層５１のパターン形成面が積層体５０の第１の面５０Ａになり、９層目の誘電体層５９のパターン形成面とは反対側の面が積層体５０の第２の面５０Ｂになるように、１層目ないし９層目の誘電体層５１～５９が積層されて構成される。

図６は、１層目ないし９層目の誘電体層５１～５９が積層されて構成された積層体５０の内部を示している。図６に示したように、積層体５０の内部では、図３ないし図５に示した複数の導体層と複数のスルーホールが積層されている。

以下、図１に示したフィルタ１の回路の構成要素と、図３ないし図５に示した積層体５０の内部の構成要素との対応関係について説明する。始めに、第１の共振器１０について説明する。第１の導体部分１１は、導体層５７１によって構成されている。第２の導体部分１２は、導体層５３１によって構成されている。第３の導体部分１３は、導体層５３２によって構成されている。

導体層５３２（第３の導体部分１３）およびスルーホール５３Ｔ１，５４Ｔ１，５５Ｔ１，５６Ｔ１は、第１の導体部分１１を構成する導体層５７１と、第２の導体部分１２を構成する導体層５３１とを接続している。また、第１の導体部分１１を構成する導体層５７１は、スルーホール５１Ｔ３～５１Ｔ６、導体層５２１、スルーホール５２Ｔ３～５２Ｔ６，５３Ｔ３～５３Ｔ６，スルーホール５４Ｔ３～５４Ｔ６、導体層５５１およびスルーホール５５Ｔ８，５６Ｔ８を介して、グランド端子１１３～１１６に接続されている。

次に、第２の共振器２０について説明する。第１の導体部分２１は、導体層５７２によって構成されている。第２の導体部分２２は、導体層５３３によって構成されている。第３の導体部分２３は、導体層５３４によって構成されている。

導体層５３４（第３の導体部分２３）およびスルーホール５３Ｔ２，５４Ｔ２，５５Ｔ２，５６Ｔ２は、第１の導体部分２１を構成する導体層５７２と、第２の導体部分２２を構成する導体層５３３とを接続している。また、第１の導体部分２１を構成する導体層５７２は、スルーホール５１Ｔ３～５１Ｔ６、導体層５２１、スルーホール５２Ｔ３～５２Ｔ６，５３Ｔ３～５３Ｔ６，スルーホール５４Ｔ３～５４Ｔ６、導体層５５１およびスルーホール５５Ｔ８，５６Ｔ８を介して、グランド端子１１３～１１６に接続されている。

次に、第３の共振器３０について説明する。第１の導体部分３１は、導体層５８１によって構成されている。第２の導体部分３２は、導体層５４１によって構成されている。

第１の導体部分３１を構成する導体層５８１は、スルーホール５１Ｔ３～５１Ｔ６、導体層５２１、スルーホール５２Ｔ３～５２Ｔ６，５３Ｔ３～５３Ｔ６，スルーホール５４Ｔ３～５４Ｔ６、導体層５５１およびスルーホール５５Ｔ８，５６Ｔ８，５７Ｔ８を介して、グランド端子１１３～１１６に接続されている。

次に、第１および第２のスタブ型共振器９１，９２について説明する。第１のスタブ型共振器９１は、導体層５７３によって構成されている。第２のスタブ型共振器９２は、導体層５７４によって構成されている。

次に、導体部４，５について説明する。導体部４は、スルーホール５１Ｔ１，５２Ｔ１によって構成されている。スルーホール５１Ｔ１は、第１の端子１１１に接続されている。スルーホール５２Ｔ１は、第３の導体部分１３を構成する導体層５３２に接続されていると共に、スルーホール５３Ｔ１，５４Ｔ１，５５Ｔ１，５６Ｔ１を介して、第１の導体部分１１を構成する導体層５７１に接続されている。

導体部５は、スルーホール５１Ｔ２，５２Ｔ２によって構成されている。スルーホール５１Ｔ２は、第２の端子１１２に接続されている。スルーホール５２Ｔ２は、第３の導体部分２３を構成する導体層５３４に接続されていると共に、スルーホール５３Ｔ２，５４Ｔ２，５５Ｔ２，５６Ｔ２を介して、第１の導体部分２１を構成する導体層５７２に接続されている。

次に、図２ないし図８を参照して、本実施の形態に係るフィルタ１の構造上の特徴について説明する。図７および図８は、積層体５０の内部の一部を示す斜視図である。図７には、主に、第１および第２の共振器１０，２０と第１および第２のスタブ型共振器９１，９２を構成する複数の導体層および複数のスルーホールを示している。図８には、主に、第３の共振器３０を構成する複数の導体層および複数のスルーホールを示している。

第１の共振器１０は、積層体５０内の－Ｘ方向側の領域に配置されている。すなわち、第１の共振器１０は、側面５０Ｄよりも側面５０Ｃにより近い位置に配置されている。図７に示したように、第１の共振器１０の第１の導体部分１１（導体層５７１）と第２の導体部分１２（導体層５３１）は、積層方向Ｔにおいて互いに異なる位置に配置されている。第２の導体部分１２は、複数の端子１１１～１１６が配置された第１の面５０Ａと第１の導体部分１１との間に配置されている。

第１の導体部分１１（導体層５７１）は、積層方向Ｔに直交する複数の方向に延在する複数の部分を含んでいる。本実施の形態では特に、第１の導体部分１１（導体層５７１）は、Ｘ方向に平行な方向に延在する４つの部分と、Ｙ方向に平行な方向に延在する３つの部分とを含んでいる。

第２の導体部分１２（導体層５３１）の形状は、積層体５０の長手方向と交差する方向に長い形状である。本実施の形態では特に、第２の導体部分１２（導体層５３１）の形状は、Ｙ方向に平行な方向に長い矩形形状である。

第２の共振器２０は、積層体５０内のＸ方向側の領域に配置されている。すなわち、第２の共振器２０は、側面５０Ｃよりも側面５０Ｄにより近い位置に配置されている。図７に示したように、第２の共振器２０の第１の導体部分２１（導体層５７２）と第２の導体部分２２（導体層５３３）は、積層方向Ｔにおいて互いに異なる位置に配置されている。第２の導体部分２２は、複数の端子１１１～１１６が配置された第１の面５０Ａと第１の導体部分２１との間に配置されている。

第１の導体部分２１（導体層５７２）は、積層方向Ｔに直交する複数の方向に延在する複数の部分を含んでいる。本実施の形態では特に、第１の導体部分２１（導体層５７２）は、Ｘ方向に平行な方向に延在する４つの部分と、Ｙ方向に平行な方向に延在する３つの部分とを含んでいる。

第２の導体部分２２（導体層５３３）の形状は、積層体５０の長手方向と交差する方向に長い形状である。本実施の形態では特に、第２の導体部分２２（導体層５３３）の形状は、Ｙ方向に平行な方向に長い矩形形状である。

第３の共振器３０の少なくとも一部は、Ｚ方向から見たときに、第１の共振器１０と第２の共振器２０との間に配置されている。本実施の形態では特に、第３の共振器３０の一部が、第１の共振器１０と第２の共振器２０との間に配置されている。

図８に示したように、第３の共振器３０の第１の導体部分３１（導体層５８１）と第２の導体部分３２（導体層５４１）は、積層方向Ｔにおいて互いに異なる位置に配置されている。第２の導体部分３２は、複数の端子１１１～１１６が配置された第１の面５０Ａと第１の導体部分３１との間に配置されている。

第１の導体部分３１（導体層５８１）は、積層方向Ｔに直交する複数の方向に延在する複数の部分を含んでいる。本実施の形態では特に、第１の導体部分３１（導体層５８１）は、Ｘ方向に平行な方向に延在する３つの部分と、Ｙ方向に平行な方向に延在する４つの部分とを含んでいる。

第１の導体部分３１（導体層５８１）は、第１の導体部分３１と交差する任意のＸＺ平面に対して非対称な形状を有すると共に、第１の導体部分３１と交差する任意のＹＺ平面に対して非対称な形状を有している。以下、第１の導体部分３１と交差する任意のＸＺ平面を第１の仮想の平面と言い、第１の導体部分３１と交差する任意のＹＺ平面を第２の仮想の平面という。第１の仮想の平面は、Ｙ方向に平行な方向における積層体５０の中心と交差してもよい。第２の仮想の平面は、Ｘ方向に平行な方向における積層体５０の中心と交差してもよい。

第２の導体部分３２（導体層５４１）の形状は、積層体５０の長手方向に長い形状である。本実施の形態では特に、第２の導体部分３２（導体層５４１）の形状は、Ｘ方向に平行な方向に長い矩形形状である。

図５（ａ）および図６に示したように、第１の共振器１０の第１の導体部分１１（導体層５７１）と第２の共振器２０の第１の導体部分２１（導体層５７２）は、積層方向Ｔにおいて同じ位置に配置されている。図５（ａ）、図５（ｂ）および図６に示したように、第３の共振器３０の第１の導体部分３１（導体層５８１）は、積層方向Ｔにおいて、第１の導体部分１１，２１とは異なる位置に配置されている。また、第１の導体部分１１の一部と第１の導体部分２１の一部は、Ｚ方向から見たときに、第１の導体部分３１に重なっている。また、第１の導体部分３１の形状は、第１の導体部分１１の形状および第１の導体部分２１の形状とは異なっている。

また、図３（ｃ）および図６に示したように、第１の共振器１０の第２の導体部分１２（導体層５３１）と第２の共振器２０の第２の導体部分２２（導体層５３３）は、積層方向Ｔにおいて同じ位置に配置されている。図３（ｃ）、図４（ａ）および図６に示したように、第３の共振器３０の第２の導体部分３２（導体層５４１）は、積層方向Ｔにおいて、第２の導体部分１２，２２とは異なる位置に配置されている。また、第２の導体部分１２の一部と第２の導体部分２２の一部は、Ｚ方向から見たときに、第２の導体部分３２に重なっている。また、第２の導体部分３２の形状は、第２の導体部分１２の形状および第２の導体部分２２の形状とは異なっている。

図５に示したように、第１のスタブ型共振器９１（導体層５７３）の形状と第２のスタブ型共振器９２（導体層５７４）の形状は、互いに異なっている。具体的には、第１のスタブ型共振器９１の長さと第２のスタブ型共振器９２の長さが、互いに異なっている。図５に示した例では、第１のスタブ型共振器９１は、第２のスタブ型共振器９２よりも長い。第１のスタブ型共振器９１は、Ｘ方向に平行な方向に延在する２つの部分と、Ｙ方向に平行な方向に延在する１つの部分とを含んでいる。第２のスタブ型共振器９２は、Ｘ方向に平行な方向に延在している。なお、第１のスタブ型共振器９１の幅と第２のスタブ型共振器９２の幅は、同じかほぼ同じである。

第１の共振器１０の第１の導体部分１１は、第１のスタブ型共振器９１が接続された第１の接続部分と、第１の接続部分以外の第１の非接続部分とを含んでいる。第１の接続部分は、具体的には、図５（ａ）に示した導体層５７１のうち、点線で示した導体層５７３との境界の近傍の部分５７１ａである。図５（ａ）では、部分５７１ａのおおよその位置を矢印で示している。第１の非接続部分は、導体層５７１のうち、部分５７１ａ以外の部分である。

第１の接続部分（部分５７１ａ）の、フィルタ１（バンドパスフィルタ）の通過帯域の中心周波数における電流密度は、第１の非接続部分の、フィルタ１（バンドパスフィルタ）の通過帯域の中心周波数における電流密度よりも小さい。すなわち、第１のスタブ型共振器９１は、第１の導体部分１１において最も電流密度が大きい部分またはその近傍に接続されている。

第２の共振器２０の第１の導体部分２１は、第２のスタブ型共振器９２が接続された第２の接続部分と、第２の接続部分以外の第２の非接続部分とを含んでいる。第１の接続部分は、具体的には、図５（ａ）に示した導体層５７２のうち、点線で示した導体層５７４との境界の近傍の部分５７２ａである。図５（ａ）では、部分５７２ａのおおよその位置を矢印で示している。第２の非接続部分は、導体層５７２のうち、部分５７２ａ以外の部分である。

第２の接続部分（部分５７２ａ）の、フィルタ１（バンドパスフィルタ）の通過帯域の中心周波数における電流密度は、第２の非接続部分の、フィルタ１（バンドパスフィルタ）の通過帯域の中心周波数における電流密度よりも小さい。すなわち、第２のスタブ型共振器９２は、第１の導体部分２１において最も電流密度が大きい部分またはその近傍に接続されている。

以上説明したように、本実施の形態では、第１の共振器１０の第１の導体部分１１と第２の導体部分１２は、積層方向Ｔにおいて互いに異なる位置に配置されている。これにより、本実施の形態によれば、第１の導体部分１１と第２の導体部分１２を重ねて配置することが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、第１の導体部分１１と第２の導体部分１２を同じ誘電体層に形成して、積層方向Ｔにおいて同じ位置に配置する場合に比べて、第１の共振器１０を配置するための面積を実質的に小さくすることができる。

上記の第１の共振器１０についての説明は、第２および第３の共振器２０，３０にも当てはまる。これらのことから、本実施の形態によれば、フィルタ１を小型化することができる。

また、本実施の形態では、第１の共振器１０の第１の導体部分１１の一部と第２の共振器２０の第１の導体部分２１の一部は、Ｚ方向から見たときに、第３の共振器３０の第１の導体部分３１に重なり、第１の共振器１０の第２の導体部分１２の一部と第２の共振器２０の第２の導体部分２２の一部は、Ｚ方向から見たときに、第３の共振器３０の第２の導体部分３２に重なっている。これによっても、本実施の形態によれば、フィルタ１を小型化することができる。

また、本実施の形態では、第１の導体部分１１，２１，３１の各々は、互いに異なる複数の方向に延在する複数の部分を含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、第１の導体部分１１，２１，３１の各々が一方向に延在する場合に比べて、第１の導体部分１１，２１，３１の各々を配置するための面積を実質的に小さくすることができる。

また、本実施の形態では、導体層５９１は、スルーホール５１Ｔ３～５１Ｔ６、導体層５２１、スルーホール５２Ｔ３～５２Ｔ６，５３Ｔ３～５３Ｔ６，スルーホール５４Ｔ３～５４Ｔ６、導体層５５１およびスルーホール５５Ｔ８，５６Ｔ８，５７Ｔ８，５８Ｔ８を介して、グランド端子１１３～１１６に接続されている。第１ないし第３の共振器１０，２０，３０は、導体層５２１と導体層５９１との間に配置されている。導体層５２１，５９１の各々は、Ｚ方向から見たときに、第１ないし第３の共振器１０，２０，３０と重なっている。導体層５２１，５９１は、シールドとして機能する。

また、本実施の形態では、第１の共振器１０の第１の導体部分１１は、第１の共振器１０の第２の導体部分１２よりもインピーダンスが大きい。第１のスタブ型共振器９１は、インピーダンスの大きい第１の導体部分１１に電気的に接続されている。本実施の形態では特に、第１のスタブ型共振器９１は、第１の導体部分１１において最も電流密度が大きい部分に接続されている。これにより、本実施の形態によれば、第１のスタブ型共振器９１が第１の共振器１０の基本共振に与える影響を抑制しながら、スプリアスを制御することができる。

上記の第１の共振器１０および第１のスタブ型共振器９１についての説明は、第２の共振器２０および第２のスタブ型共振器９２にも当てはまる。本実施の形態によれば、第２のスタブ型共振器９２が第２の共振器２０の基本共振に与える影響を抑制しながら、スプリアスを制御することができる。

次に、第１および第２のスタブ型共振器９１，９２によって、通過帯域の高域側の広い周波数帯域において、減衰量の絶対値（以下、通過減衰量と言う。）を大きくすることができることを示す第１のシミュレーションの結果について説明する。始めに、第１のシミュレーションで用いた第１ないし第３の比較例のモデルと実施例のモデルについて説明する。第１の比較例のモデルは、第１の比較例のフィルタのモデルである。図９は、第１の比較例のフィルタの回路構成を示す回路図である。図１０は、第１の比較例のフィルタの積層体における７層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。第１の比較例のフィルタの構成は、第１および第２のスタブ型共振器９１，９２と、積層体５０の誘電体層５７に形成された導体層５７３，５７４が設けられていない点を除いて、本実施の形態に係るフィルタ１の構成とほぼ同じである。

第２の比較例のモデルは、第２の比較例のフィルタのモデルである。図１１は、第２の比較例のフィルタの積層体５０における７層目の誘電体層５７のパターン形成面を示す説明図である。第２の比較例のフィルタでは、誘電体層５７には、本実施の形態における導体層５７３の代わりに、導体層５７５が形成されている。図１１では、導体層５７１と導体層５７５との境界を、点線で示している。第２の比較例のフィルタでは、第１のスタブ型共振器９１は、導体層５７５によって構成されている。第２の比較例のフィルタのその他の構成は、本実施の形態に係るフィルタ１の構成と同じである。

第２の比較例のモデルでは特に、第１のスタブ型共振器９１（導体層５７５）の形状は、第２のスタブ型共振器９２（導体層５７４）の形状と同じである。すなわち、第１のスタブ型共振器９１は、Ｘ方向に平行な方向に延在している。

第３の比較例のモデルは、第３の比較例のフィルタのモデルである。図１２は、第３の比較例のフィルタの積層体５０における７層目の誘電体層５７のパターン形成面を示す説明図である。第３の比較例のフィルタでは、誘電体層５７には、本実施の形態における導体層５７４の代わりに、導体層５７６が形成されている。図１２では、導体層５７２と導体層５７６との境界を、点線で示している。第３の比較例のフィルタでは、第２のスタブ型共振器９２は、導体層５７６によって構成されている。第３の比較例のフィルタのその他の構成は、本実施の形態に係るフィルタ１の構成と同じである。

第３の比較例のモデルでは特に、第２のスタブ型共振器９２（導体層５７６）の形状は、第１のスタブ型共振器９１（導体層５７３）の形状と同じである。すわなち、第２のスタブ型共振器９２は、Ｘ方向に平行な方向に延在する２つの部分と、Ｙ方向に平行な方向に延在する１つの部分とを含んでいる。

実施例のモデルは、本実施の形態に係るフィルタ１のモデルである。シミュレーションでは、第１ないし第３の比較例のモデルと実施例のモデルの各々において、第１および第２の共振器１０，２０の各々におけるインピーダンス比を０．１０６とし、第３の共振器３０におけるインピーダンス比を０．０９４とした。

第１のシミュレーションでは、第１ないし第３の比較例のモデルと実施例のモデルのそれぞれについて、バンドパスフィルタとして機能するように設計した。そして、比較例のモデルと実施例のモデルの各々の通過減衰特性を求めた。

図１３は、第１の比較例のモデルの通過減衰特性を示す特性図である。図１４は、第２の比較例のモデルの通過減衰特性を示す特性図である。図１５は、第３の比較例のモデルの通過減衰特性を示す特性図である。図１６は、実施例のモデルの通過減衰特性を示す特性図である。図１３ないし図１６の各々において、横軸は周波数を示し、縦軸は減衰量を示している。

図１３ないし図１６に示したように、第１ないし第３の比較例のモデルと実施例のモデルのいずれにおいても、通過帯域の高域側に、複数のスプリアスが発生している。複数のスプリアスの各々の周波数は、第１ないし第３の比較例のモデルと実施例のモデルにおいて互いに異なっている。前述のように、第１の比較例のモデルでは、第１および第２のスタブ型共振器９１，９２が設けられていない。第２ないし第３の比較例のモデルと実施例のモデルでは、第１および第２のスタブ型共振器９１，９２の形状が互いに異なっている。図１３ないし図１６に示した第１のシミュレーションの結果は、第１および第２のスタブ型共振器９１，９２によって、複数のスプリアスを制御できることを示している。

また、第１の比較例のモデル（図１３）と第２の比較例のモデル（図１４）を比較すると、第１の比較例のモデルと第２の比較例のモデルのいずれにおいても、通過減衰量が比較的小さくなるピークが、周波数が１７～１８ＧＨｚの帯域に存在している。第２の比較例のモデルでは、上記のピークにおける通過減衰量の最小値が、第１の比較例のモデルに比べてわずかに大きくなっている。

また、第３の比較例のモデル（図１５）では、通過減衰量が比較的小さくなるピークが、周波数が１４～１８ＧＨｚの帯域に存在している。第１ないし第３の比較例のモデルの各々において、上述のピークおよびその近傍の周波数帯域に注目すると、第３の比較例のモデルでは、第１および第２の比較例のモデルに比べて通過減衰量が大きくなっている。一方、第１ないし第３の比較例のモデルの各々において、周波数が２４～３１ＧＨｚの帯域に注目すると、第３の比較例のモデルでは、第１および第２の比較例のモデルに比べて通過減衰量が小さくなっている。

また、実施例のモデル（図１６）では、通過減衰量が比較的小さくなるピークが、周波数が１４～１６ＧＨｚの帯域に存在している。第１および第２の比較例のモデルと実施例のモデルの各々において、上述のピークおよびその近傍の周波数帯域に注目すると、実施例のモデルでは、第１および第２の比較例のモデルに比べて通過減衰量が大きくなっている。また、第３の比較例のモデルと実施例のモデルの各々において、周波数が２７～３１ＧＨｚの帯域に注目すると、実施例のモデルでは、第３の比較例のモデルに比べて通過減衰量が小さくなっている。

図１３ないし図１６に示した第１のシミュレーションの結果から理解されるように、本実施の形態によれば、第１および第２のスタブ型共振器９１，９２によって、通過帯域の高域側に発生するスプリアスを制御することができる。また、図１４ないし図１６に示した第１のシミュレーションの結果から理解されるように、本実施の形態によれば、第１のスタブ型共振器９１の形状と第２のスタブ型共振器９２の形状を互いに異ならせることによって、通過帯域の高域側の広い周波数帯域において、通過減衰量を大きくすることができる。

次に、第３の共振器３０の第１の導体部分３１の形状によって、通過帯域の高域側において、通過減衰量（減衰量の絶対値）を大きくすることができることを示す第２のシミュレーションの結果について説明する。始めに、第２のシミュレーションで用いた第４の比較例のモデルについて説明する。第４の比較例のモデルは、第４の比較例のフィルタのモデルである。

図１７は、第４の比較例のフィルタの積層体における８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。第４の比較例のフィルタでは、８層目の誘電体層５８に、本実施の形態における導体層５８１の代わりに、導体層１５８１が形成されている。第４の比較例のフィルタでは、第３の共振器３０の第１の導体部分３１は、図１７に示した導体層１５８１によって構成されている。第４の比較例のフィルタでは、第１の導体部分３１（導体層１５８１）は、Ｘ方向に平行な方向における積層体５０の中心と交差するＹＺ平面に対して対称な形状を有している。第４の比較例のフィルタのその他の構成は、本実施の形態に係るフィルタ１とほぼ同じである。

図１８は、第４の比較例のモデルの通過減衰特性を示す特性図である。図１８において、横軸は周波数を示し、縦軸は減衰量を示している。第４の比較例のモデルでは、通過減衰量が比較的小さくなるピークが、周波数が１５～１８ＧＨｚの帯域に存在している。第４の比較例のモデルと実施例のモデル（図１６参照）の各々において、上述のピークおよびその近傍の周波数帯域に注目すると、第４の比較例のモデルでは、実施例に比べて通過減衰量が小さくなっている。

前述のように、本実施の形態では、第１の導体部分３１（導体層５８１）は、非対称な形状を有している。第２のシミュレーションの結果から理解されるように、本実施の形態によれば、第１の導体部分３１を非対称な形状にすることによって、通過帯域の高域側において、通過減衰量を大きくすることができる。

［第２の実施の形態］
次に、図１９を参照して、本発明の第３の実施の形態について説明する。図１９は、本実施の形態に係る積層型フィルタの回路構成を示す回路図である。

本実施の形態に係るフィルタ１は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係るフィルタ１は、第４の共振器４０を備えている。第４の共振器４０は、回路構成上、第２の共振器２０と第３の共振器３０との間に配置されている。本実施の形態では、第１ないし第４の共振器１０，２０，３０，４０は、第１の共振器１０と第３の共振器３０が回路構成上隣接して電磁界結合し、第３の共振器３０と第４の共振器４０が回路構成上隣接して電磁界結合し、第２の共振器２０と第４の共振器４０が回路構成上隣接して電磁界結合するように構成されている。図１９において、記号Ｋ１３を付した曲線は、第１の共振器１０と第３の共振器３０との間の電界結合を表し、記号Ｋ３４を付した曲線は、第３の共振器３０と第４の共振器４０との間の磁界結合を表し、記号Ｋ２４を付した曲線は、第２の共振器２０と第４の共振器４０との間の電界結合を表している。

第４の共振器４０の構成は、基本的には、第３の共振器３０の構成と同じである。すなわち、第４の共振器４０は、第１の導体部分４１と、第１の導体部分４１よりもインピーダンスが小さい第２の導体部分４２とを含んでいる。第１の導体部分４１と第２の導体部分４２は、互いに電気的に接続されている。第１の導体部分４１は、グランドに接続される。また、第１の導体部分４１と第２の導体部分４２の各々は、分布定数線路である。本実施の形態では特に、第１の導体部分４１は、幅が小さい分布定数線路であり、第２の導体部分４２は、第１の導体部分４１よりも幅が大きい分布定数線路である。

第４の共振器４０は、第１ないし第３の共振器１０，２０，３０と同様に、幅が小さい分布定数線路と幅が大きい分布定数線路とによって構成されたステップドインピーダンス共振器である。

図示しないが、第４の共振器４０の第１の導体部分４１と第２の導体部分４２は、第３の共振器３０の第１の導体部分３１と第２の導体部分３２と同様に、積層方向Ｔにおいて互いに異なる位置に配置されている。第１の導体部分３１と第１の導体部分４１は、積層方向Ｔにおいて同じ位置に配置されていてもよいし、積層方向Ｔにおいて異なる位置に配置されていてもよい。同様に、第２の導体部分３２と第２の導体部分４２は、積層方向Ｔにおいて同じ位置に配置されていてもよいし、積層方向Ｔにおいて異なる位置に配置されていてもよい。

本実施の形態では、第３の共振器３０の少なくとも一部と第４の共振器４０の少なくとも一部は、Ｚ方向（図２参照）から見たときに、第１の共振器１０と第２の共振器２０との間に配置されている。

また、本実施の形態では、第１の共振器１０の第１の導体部分１１の一部は、Ｚ方向から見たときに、第３の共振器３０の第１の導体部分３１に重なっていてもよい。この場合、第２の共振器２０の第１の導体部分２１の一部は、Ｚ方向から見たときに、第４の共振器４０の第１の導体部分４１に重なっていてもよい。

また、本実施の形態では、第１の共振器１０の第２の導体部分１２の一部は、Ｚ方向から見たときに、第３の共振器３０の第２の導体部分３２に重なっていてもよい。この場合、第２の共振器２０の第２の導体部分２２の一部は、Ｚ方向から見たときに、第４の共振器４０の第２の導体部分４２に重なっていてもよい。

本実施の形態に係るフィルタ１は、更に、第３の共振器３０の第１の導体部分３１に電気的に接続された第３のスタブ型共振器９３と、第４の共振器４０の第１の導体部分４１に電気的に接続された第４のスタブ型共振器９４とを備えている。第３および第４のスタブ型共振器９３，９４の各々は、分布定数線路である。

第３のスタブ型共振器９３は、第１の導体部分３１の途中に接続されている。図１９では、第１の導体部分３１のうち、回路構成上第３のスタブ型共振器９３との接続点と第２の導体部分３２との間に位置する部分を符号３１Ａで示し、回路構成上第３のスタブ型共振器９３との接続点とグランドとの間に位置する部分を符号３１Ｂで示している。

第４のスタブ型共振器９４は、第１の導体部分４１の途中に接続されている。図１９では、第１の導体部分４１のうち、回路構成上第４のスタブ型共振器９４との接続点と第２の導体部分４２との間に位置する部分を符号４１Ａで示し、回路構成上第４のスタブ型共振器９４との接続点とグランドとの間に位置する部分を符号４１Ｂで示している。

第３および第４のスタブ型共振器９３，９４は、例えば、通過帯域よりも高い周波数領域に発生するスプリアスを制御するために用いられる。第３および第４のスタブ型共振器９３，９４は、それぞれ、一端が解放されたオープンスタブであってもよいし、一端がグランドに接続されたショートスタブであってもよい。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、共振器の数や構成は、各実施の形態に示したものに限らず、特許請求の範囲を満たすものであればよい。共振器の数は、１つでもよいし、２つでもよいし、５つ以上でもよい。

１…フィルタ、２…第１のポート、３…第２のポート、４，５…導体部、１０…第１の共振器、１１…第１の導体部分、１２…第２の導体部分、１３…第３の導体部分、２０…第２の共振器、２１…第１の導体部分、２２…第２の導体部分、２３…第３の導体部分、３０…第３の共振器、３１…第１の導体部分、３２…第２の導体部分、５０…積層体、５０Ａ…第１の面、５０Ｂ…第２の面、５０Ｃ～５０Ｆ…側面、９１…第１のスタブ型共振器、９２…第２のスタブ型共振器、１１１…第１の端子、１１２…第２の端子、１１３～１１６…グランド端子。

また、本発明のフィルタにおいて、第１の共振器および第２の共振器の各々の、第１の導体部分のインピーダンスに対する第２の導体部分のインピーダンスの比であるインピーダンス比は、０．３以下であってもよい。

第１の導体部分１１，２１，３１の各々のインピーダンスは、例えば１５～３５Ωの範囲内である。第２の導体部分１２，２２，３２の各々のインピーダンスは、例えば１～５Ωの範囲内である。ここで、第１ないし第３の共振器１０，２０，３０の各々において、第１の導体部分のインピーダンスに対する第２の導体部分のインピーダンスの比を、インピーダンス比と言う。第１ないし第３の共振器１０，２０，３０の各々において、インピーダンス比は、１よりも小さい。

共振器を小さくする観点から、インピーダンス比は小さいことが好ましい。例えば、第１の導体部分を構成する分布定数線路と第２の導体部分を構成する分布定数線路の各々の幅を調整することによって、インピーダンス比を調整することが可能である。インピーダンス比が小さくなるに従って、第１の導体部分を構成する分布定数線路の幅は相対的に小さくなり、第２の導体部分を構成する分布定数線路の幅は相対的に大きくなる。

本実施の形態では特に、第１ないし第３の共振器１０，２０，３０の各々におけるインピーダンス比は、０．３以下である。一例では、第１および第２の共振器１０，２０の各々の第２の導体部分のインピーダンスは２．８７Ωであり、第１および第２の共振器１０，２０の各々の第１の導体部分のインピーダンスは２７Ωである。この場合、第１および第２の共振器１０，２０の各々におけるインピーダンス比は、０．１０６である。また、一例では、第３の共振器３０の第２の導体部分３２のインピーダンスは２．５５Ωであり、第３の共振器３０の第１の導体部分３１のインピーダンスは２７Ωである。この場合、第３の共振器３０におけるインピーダンス比は、０．０９４である。

ところで、インピーダンス比を小さくしすぎると、所望の特性が得られなくなる場合がある。例えば、一端が短絡され、他端が開放されたステップドインピーダンス共振器（１／４波長共振器）において、インピーダンス比を小さくしすぎると、この共振器は、実質的に、両端が開放された第２の導体部分のみからなる１／２波長共振器となる。その結果、所望の特性が得られなくなる。これを防止するために、本実施の形態では、第１ないし第３の共振器１０，２０，３０の各々におけるインピーダンス比を、０．０６以上としている。

［第２の実施の形態］
次に、図１９を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１９は、本実施の形態に係るフィルタの回路構成を示す回路図である。

Claims (14)

1. それぞれ第１の導体部分と、前記第１の導体部分よりもインピーダンスが小さい第２の導体部分とを含む第１の共振器および第２の共振器と、
   分布定数線路よりなり、前記第１の共振器の前記第１の導体部分に電気的に接続された第１のスタブ型共振器と、
   分布定数線路よりなり、前記第２の共振器の前記第１の導体部分に電気的に接続された第２のスタブ型共振器とを備え、
   前記第１のスタブ型共振器の形状と前記第２のスタブ型共振器の形状は、互いに異なることを特徴とするフィルタ。
2. 前記第１のスタブ型共振器の長さと前記第２のスタブ型共振器の長さは、互いに異なることを特徴とする請求項１記載のフィルタ。
3. 前記第１の導体部分と前記第２の導体部分の各々は、分布定数線路であることを特徴とする請求項１または２記載のフィルタ。
4. 所定の通過帯域内の周波数の信号を選択的に通過させるバンドパスフィルタであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のフィルタ。
5. 前記第１の共振器の前記第１の導体部分は、前記第１のスタブ型共振器が接続された第１の接続部分と、前記第１の接続部分以外の第１の非接続部分とを含み、
   前記第２の共振器の前記第１の導体部分は、前記第２のスタブ型共振器が接続された第２の接続部分と、前記第２の接続部分以外の第２の非接続部分とを含み、
   前記第１の接続部分の、前記通過帯域の中心周波数における電流密度は、前記第１の非接続部分の、前記通過帯域の中心周波数における電流密度よりも大きく、
   前記第２の接続部分の、前記通過帯域の中心周波数における電流密度は、前記第２の非接続部分の、前記通過帯域の中心周波数における電流密度よりも大きいことを特徴とする請求項４記載のフィルタ。
6. 前記第１の共振器および前記第２の共振器の各々の、前記第２の導体部分のインピーダンスに対する前記第１の導体部分のインピーダンスの比であるインピーダンス比は、０．３以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のフィルタ。
7. 前記第１の共振器の前記第１の導体部分と、前記第２の共振器の前記第１の導体部分は、それぞれ、互いに異なる複数の方向に延在する複数の部分を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のフィルタ。
8. 更に、積層された複数の誘電体層を含む積層体を備え、
   前記第１の共振器、前記第２の共振器、前記第１のスタブ型共振器および前記第２のスタブ型共振器は、前記積層体に一体化されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のフィルタ。
9. 前記第１の共振器および前記第２の共振器の各々において、前記第１の導体部分と前記第２の導体部分は、前記複数の誘電体層の積層方向において互いに異なる位置に配置され、且つ互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項８記載のフィルタ。
10. 更に、前記第１の共振器および前記第２の共振器の各々の前記第１の導体部分と前記第２の導体部分とを接続する複数のスルーホールを備えたことを特徴とする請求項９記載のフィルタ。
11. 前記第１の共振器の前記第１の導体部分と前記第２の共振器の前記第１の導体部分は、前記積層方向において同じ位置に配置されていることを特徴とする請求項９または１０記載のフィルタ。
12. 前記第１の共振器の前記第２の導体部分と前記第２の共振器の前記第２の導体部分は、前記積層方向において同じ位置に配置されていることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載のフィルタ。
13. 更に、回路構成上、前記第１の共振器と前記第２の共振器との間に配置された第３の共振器を備えたことを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載のフィルタ。
14. 前記第３の共振器は、第３の導体部分と、前記第３の導体部分よりもインピーダンスが小さい第４の導体部分とを含み、
    前記第３の導体部分は、非対称な形状を有していることを特徴とする請求項１３記載のフィルタ。

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