JP2023070227A - 電磁波減衰体及び電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電磁波を安定して減衰させることが可能な電磁波減衰体及び電子装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、電磁波減衰体は、積層部材を含む。前記積層部材は、凹凸を含む第１面を含む基体と、Ｃｕを含む第１導電部材と、第１層と、を含む。前記第１層は、前記第１面と前記第１導電部材との間に設けられる。前記第１層は、Ｃｒ及びＴｉを含む。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、電磁波減衰体及び電子装置に関する。

例えば、電磁シールドシートなどの電磁波減衰体が提案されている。電磁波減衰体及び半導体素子を含む電子装置がある。電磁減衰体において、電磁波を安定して減衰させることが望まれる。

特開２０１２－３８８０７号公報

本発明の実施形態は、電磁波を安定して減衰させることが可能な電磁波減衰体及び電子装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、電磁波減衰体は、積層部材を含む。前記積層部材は、凹凸を含む第１面を含む基体と、Ｃｕを含む第１導電部材と、第１層と、を含む。前記第１層は、前記第１面と前記第１導電部材との間に設けられる。前記第１層は、Ｃｒ及びＴｉを含む。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。 図２は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。 図３は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。 図４は、実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。 図５（ａ）～図５（ｄ）は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式図である。 図６（ａ）～図６（ｄ）は、第２実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。 図７は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。 図８は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。 図９は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。 図１０は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。 図１１は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。 図１２は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。
図１（ａ）は、図１（ｂ）の一部の拡大図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、実施形態に係る電磁波減衰体１０は、積層部材１０ＭＡを含む。後述するように、積層部材１０ＭＡは、第１面状部分１０ｐ及び側面部分を含んで良い。図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１面状部分１０ｐを例示している。

積層部材１０ＭＡは、基体１０ｓ、第１導電部材１０Ｃ、及び、第１層１５を含む。基体１０ｓは、第１面１０ｆを含む。第１面１０ｆは、凹凸１０ｄｐを含む。

第１導電部材１０Ｃは、Ｃｕを含む。第１層１５は、基体１０ｓ（第１面１０ｆ）と第１導電部材１０Ｃとの間に設けられる。第１層１５は、Ｃｒ及びＴｉを含む。第１層１５は、例えば、Ｃｒ及びＴｉを含む合金を含む。

図１に示すように、例えば、第１導電部材１０Ｃは、接地されて使用されて良い。例えば、第１導電部材１０Ｃに電磁波が入射する。第１導電部材１０Ｃに入射した電磁波は、第１導電部材１０Ｃにより減衰する。電磁波減衰体１０は、例えば、電磁波シールド体として使用することができる。

実施形態に係る電磁波減衰体１０において、電磁波を安定して減衰させることが可能である。

例えば、凹凸１０ｄｐを含む第１面１０ｆと接して第１層１５が設けられる。第１層１５と接して第１導電部材１０Ｃが設けられる。電磁波減衰体１０（例えば第１導電部材１０Ｃ）は、例えば、電磁シールド層として機能する。Ｃｕを含む第１導電部材１０Ｃは、入射する電磁波を減衰させる。

参考例において、第１導電部材１０Ｃが基体１０ｓと接して設けられる。参考例においては、第１導電部材１０Ｃが基体１０ｓから剥がれ易い。参考例においては、電磁波を安定して減衰させることが困難な場合がある。

実施形態においては、基体１０ｓの第１面１０ｆに凹凸１０ｄｐが設けられる。凹凸１０ｄｐに接するように、第１層１５が設けられる。第１層１５に接するように、第１導電部材１０Ｃが設けられる。図１（ａ）において、第１面１０ｆの凹凸１０ｄｐは省略されている。

第１面１０ｆに凹凸１０ｄｐが設けられることで、基体１０ｓ及び第１層１５が互いに接する面積が、凹凸が設けられない場合に比べて大きくなる。高いに密着性が得易い。

第１層１５は、Ｃｒ及びＴｉを含む。Ｃｒ及びＴｉを含む第１層１５が基体１０ｓと第１導電部材１０Ｃとの間に設けられる。Ｃｒ及びＴｉを含む第１層１５は、基体１０ｓとの高い密着性を有する。Ｃｒ及びＴｉを含む第１層１５は、第１導電部材１０Ｃとの高い密着性を有する。第１層１５は、例えば、密着性を向上させる下地層として機能する。

実施形態において、Ｃｒ及びＴｉを含む第１層１５が設けられることにより、剥がれが抑制できる。実施形態によれば、電磁波を安定して減衰させることが可能な電磁波減衰体を提供できる。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、基体１０ｓから第１導電部材１０Ｃへの第１方向Ｄ１をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

図１（ｂ）に示すように、凹凸１０ｄｐは、凹部１０ｆｄ及び凸部１０ｆｐを含む。凹凸１０ｄｐの高さ（または深さ）を、高さ１０Ｈとする。高さ１０Ｈは、凹部１０ｆｄと凸部１０ｆｐとの間の第１方向Ｄ１における距離に対応する。

図１（ａ）に示すように、第１層１５の厚さを厚さｔ１５とする。厚さｔ１５は、第１層１５の第１方向Ｄ１に沿う長さに対応する。

実施形態において、凹凸１０ｄｐの高さ１０Ｈは、第１層１５の厚さｔ１５よりも大きい。第１層１５は、凹凸１０ｄｐを含む第１面１０ｆに沿っている。凹凸１０ｄｐに沿う薄い第１層１５により、高い密着性が得易い。

１つの例において、凹凸１０ｄｐの高さ１０Ｈは、１μｍ以上１００μｍ以下である。１つの例において、第１層１５の厚さｔ１５は、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。このような凹凸１０ｄｐ及び第１層１５により、高い密着性が得易い。

図１（ｂ）に示すように、基体１０ｓは、例えば、複数の粒子１７と、樹脂１８と、を含む。樹脂１８は、複数の粒子１７のまわりに設けられる。複数の粒子１７は、例えば、シリコン及びアルミニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１元素と、酸素と、を含む。１つの例において、複数の粒子１７は、酸化シリコン（例えば、ＳｉＯ_２）を含む。樹脂１８は、例えば、エポキシ及びポリイミドよりなる群から選択された少なくとも１つを含んで良い。

複数の粒子１７が設けられることで、基体１０ｓにおいて、高い機械的安定性が得られる。高い絶縁性と、高い安定性と、が得られる。

基体１０ｓが複数の粒子１７を含む場合に、Ｃｒ及びＴｉを含む第１層１５（下地層）が設けられることで、特に高い密着性が得易い。

基体１０ｓが複数の粒子１７を含む場合、第１層１５に含まれる元素が第１基体１０ｓ中に拡散すると考えられる。例えば、第１層１５に含まれるＣｒは、基体１０ｓの中に拡散し易い。例えば、Ｃｒが、基体１０ｓに含まれる複数の粒子（例えば酸化シリコン粒子）と結合し易い。これにより、高い密着性が得られると考えられる。

例えば、第１層１５に含まれるＣｒは、複数の粒子１７の内部に拡散し、複数の粒子１７と結合し易い。例えば、第１層１５から複数の粒子１７にわたってＣｒが広がって存在する。これにより、高い密着性が得られる。複数の粒子１７の内部におけるＣｒの濃度は、樹脂１８中におけるＣｒの濃度よりも高くても良い。

実施形態において、複数の粒子１７の少なくとも１つの径Ｄｍ１（図１（ｂ）参照）は、例えば、１ｎｍ以上１００μｍ以下である。複数の粒子１７の平均の径Ｄｍ１は、例えば、１０ｎｍ以上１００μｍ以下である。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、積層部材１０ＭＡは、第２層１６を含んでも良い。第２層１６は、Ｃｒ及びＴｉを含む。第２層１６は、例えば、Ｃｒ及びＴｉを含む合金を含む。第１層１５と第２層１６との間に、第１導電部材１０Ｃが設けられる。

第２層１６は、例えば、保護層として機能する。第２層１６は、第１導電部材１０Ｃとの高い密着性を有する。第２層１６は、第１導電部材１０Ｃの変質を抑制する。第２層１６が設けられることで、安定した第１導電部材１０Ｃが得られる。

第２層１６は厚さｔ１６を有する（図１（ａ）参照）。厚さｔ１６は、例えば、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下で良い。第１導電部材１０Ｃは、厚さｔ１０Ｃを有する（図１（ａ）参照）。厚さｔ１０Ｃは、例えば、０．５μｍ以上１００μｍ以下である。

図２は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。
図２に示すように、実施形態に係る電磁波減衰体１０Ａにおいて、第１導電部材１０Ｃは、第１積層体１０Ｍを含む。電磁波減衰体１０Ａにおけるこれ以外の構成は、電磁波減衰体１０の構成と同様で良い。図２において、第１面１０ｆの凹凸１０ｄｐは省略されている。

第１積層体１０Ｍは、複数の第１磁性層１１と、複数の第１非磁性層１１Ｎと、を含む。複数の第１非磁性層１１Ｎは、Ｃｕを含む。複数の第１磁性層１１の１つは、複数の第１非磁性層１１Ｎの１つと、複数の第１非磁性層１１Ｎの別の１つと、の間にある。複数の第１非磁性層１１Ｎの１つは、複数の第１磁性層１１の１つと、複数の第１磁性層１１の別の１つと、の間にある。例えば、第１磁性層１１及び第１非磁性層１１Ｎが交互に設けられる。複数の第１非磁性層１１Ｎの１つから、複数の第１非磁性層１１Ｎの別の１つへの方向は、第１方向Ｄ１に沿う。

このような第１積層体１０Ｍにより、電磁波をより効果的に減衰させることができる。特に、１００ＭＨｚ以下の周波数領域の電磁波を効果的に減衰させる。

複数の第１非磁性層１１Ｎの１つは、複数の第１磁性層１１の１つ、及び、複数の第１磁性層１１の別の１つと、接する。

複数の第１磁性層１１は、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第１磁性層１１は、Ｃｕ、Ｍｏ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つをさらに含んでも良い。複数の第１磁性層１１は、例えば、軟磁性層である。１つの例において、複数の第１磁性層１１は、例えば、ＮｉＦｅＣｕＭｏ層である。良好な軟磁性特性が得られる。

第１積層体１０Ｍにおいて、複数の第１磁性層１１の数は、複数の第１非磁性層１１Ｎの数と同じでも良く、１大きくても良く、１小さくても良い。例えば、複数の第１磁性層１１の数は、例えば、２以上２００以下である。複数の第１非磁性層１１Ｎの数は、例えば、２以上２００以下である。

複数の第１磁性層１１の１つの厚さｔ１１は、例えば、２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。複数の第１非磁性層１１Ｎの１つの厚さｔ１１Ｎは、例えば、２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。第１積層体１０Ｍの厚さｔ１０Ｍは、例えば、２００ｎｍ以上１００μｍ以下である。

図３は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。
図３に示すように、実施形態に係る電磁波減衰体１０Ｂにおいて、第１導電部材１０Ｃは、第２積層体２０Ｍを含む。電磁波減衰体１０Ｂにおけるこれ以外の構成は、電磁波減衰体１０Ａの構成と同様で良い。図３において、第１面１０ｆの凹凸１０ｄｐは省略されている。

第２積層体２０Ｍは、複数の第２磁性層１２と、複数の第２非磁性層１２Ｎと、を含む。複数の第２非磁性層１２Ｎの少なくとも１つは、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＨｆよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第２非磁性層１２Ｎの少なくとも１つは、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｚｒ及びＳｉよりなる群から選択された少なくとも１つをさらに含んでも良い。例えば、複数の第２非磁性層１２Ｎの少なくとも１つは、Ｃｒ及びＴｉを含む。例えば、複数の第２非磁性層１２Ｎの少なくとも１つは、Ｔａを含む。

複数の第２磁性層１２の１つは、複数の第２非磁性層１２Ｎの１つと、複数の第２非磁性層１２Ｎの別の１つと、の間にある。複数の第２非磁性層１２Ｎの１つは、複数の第２磁性層１１の１つと、複数の第２磁性層１２の別の１つと、の間にある。例えば、第２磁性層１２及び第２非磁性層１２Ｎが交互に設けられる。複数の第２非磁性層１２Ｎの１つから、複数の第２非磁性層１２Ｎの別の１つへの方向は、第１方向Ｄ１に沿う。

このような第２積層体２０Ｍにより、電磁波をより効果的に減衰させることができる。例えば、６０ＭＨｚ以下の周波数領域の電磁波を効果的に減衰させる。

複数の第２非磁性層１２Ｎの１つは、複数の第２磁性層１２の１つ、及び、複数の第２磁性層１２の別の１つと、接する。

複数の第２磁性層１２は、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第２磁性層１２は、Ｃｕ、Ｍｏ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つをさらに含んでも良い。複数の第２磁性層１２は、例えば、軟磁性層である。１つの例において、複数の第２磁性層１２は、例えば、ＮｉＦｅＣｕＭｏ層である。良好な軟磁性特性が得られる。

第２積層体２０Ｍにおいて、複数の第２磁性層１２の数は、複数の第２非磁性層１２Ｎの数と同じでも良く、１大きくても良く、１小さくても良い。例えば、複数の第２磁性層１２の数は、例えば、２以上２００以下である。複数の第２非磁性層１２Ｎの数は、例えば、２以上２００以下である。

複数の第２磁性層１２の１つの厚さｔ１２は、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。複数の第２非磁性層１２Ｎの１つの厚さｔ１２Ｎは、例えば、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。第２積層体２０Ｍの厚さｔ２０Ｍは、例えば、２００ｎｍ以上１００μｍ以下である。

図３の例では、第１積層体１０Ｍは、第１層１５と第２積層体２０Ｍとの間に設けられている。実施形態において、第２積層体２０Ｍが第１層１５と第１積層体１０Ｍとの間に設けられても良い。

実施形態において、以下に説明するように、複数の磁性層のそれぞれが凹凸形状を有しても良い。以下では、複数の第１磁性層１１のそれぞれが凹凸形状を有する場合について説明する。以下の説明は、複数の第２磁性層１２に適用されても良い。複数の第２磁性層１２のそれぞれが凹凸形状をしても良い。

図４は、実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。
図４に示すように、複数の第１磁性層１１のそれぞれが凹凸形状を有する。複数の第１非磁性層１１Ｎは、複数の第１磁性層１１の凹凸形状に沿う。

複数の第１磁性層１１の１つは、第１磁性層面１１ｆａを含む。第１磁性層面１１ｆａは、複数の第１非磁性層１１Ｎの１つと対向する。第１磁性層面１１ｆａは、第１頂部１１ｐｐ、第２頂部１１ｐｑ、及び、第１底部１１ｄｐを含む。第１方向Ｄ１と交差する１つの方向を交差方向Ｄｅ２とする。交差方向Ｄｅ２は、例えば、Ｘ軸方向である。

交差方向Ｄｅ２における第１底部１１ｄｐの位置は、交差方向Ｄｅ２における第１頂部１１ｐｐの位置と、交差方向Ｄｅ２における第２頂部１１ｐｑの位置と、の間にある。複数の第１非磁性層１１Ｎの１つの少なくとも一部は、交差方向Ｄｅ２において、第１頂部１１ｐｐと第２頂部１１ｐｑとの間にある。第１頂部１１ｐｐと第１底部１１ｄｐとの間の第１方向Ｄ１に沿う距離は、例えば、１０ｎｍ以上である。距離は、凹凸の高さ（深さ）に対応する。

このような凹凸形状が設けられされることで、例えば、複数の第１磁性層１１の１つと、複数の第１磁性層１１の別の１つと、の間で、磁化の静磁気相互作用がより大きくできると考えられる。

（第２実施形態）
第２実施形態は、電子装置に係る。実施形態に係る電子装置は、第１実施形態に係る電磁波減衰体と、任意の電子素子と、を含む。第１実施形態に係る電磁波減衰体は、例えば、電磁波減衰体１０または電磁波減衰体１０Ａまたは電磁波減衰体１０Ｂなどである。

図５（ａ）～図５（ｄ）は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式図である。
図５（ａ）は、斜視図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ１－Ａ２線断面図である。図５（ｃ）は、図５（ａ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。図５（ｄ）は、図５（ａ）の矢印ＡＡから見た平面図である。図１～図３は、図５（ｂ）のＣ１－Ｃ２線断面に対応する。

図５（ａ）に示すように、実施形態に係る電子装置１１０は、電子素子５０及び電磁波減衰体（この例では、電磁波減衰体１０）を含む。この例では、基板６０がさらに設けられる。電磁波減衰体１０は、電子素子５０の少なくとも一部を覆う。電子素子５０は、例えば半導体素子である。

図５（ｂ）に示すように、この例では、電子素子５０は、半導体チップ５０ｃ、絶縁部５０ｉ及び配線５０ｗを含む。この例では、基板６０において、電極５０ｅ、基板接続部５０ｆ及び接続部５８が設けられる。配線５０ｗは、半導体チップ５０ｃの一部と電極５０ｅとを電気的に接続する。基板接続部５０ｆにより電極５０ｅと接続部５８とが電気的に接続される。基板接続部５０ｆは、基板６０を貫通する。接続部５８は、半導体チップ５０ｃの入出力部として機能する。接続部５８は、例えば、端子でも良い。半導体チップ５０ｃの周りに絶縁部５０ｉが設けられる。絶縁部５０ｉは、例えば、樹脂及びセラミックなどの少なくともいずれかを含む。絶縁部５０ｉにより半導体チップ５０ｃが保護される。

電子素子５０は、例えば、演算回路、制御回路、記憶回路、スイッチング回路、信号処理回路、及び、高周波回路の少なくともいずれかを含む。

電磁波減衰体１０の基体１０ｓ（図１参照）は、例えば、電子素子５０の少なくとも一部でも良い。電磁波減衰体１０の基体１０ｓは、例えば、絶縁部５０ｉの少なくとも一部でも良い。

図５（ｂ）に例示するように、この例では、電磁波減衰体１０は、基板６０に設けられた端子５０ｔと電気的に接続される。電磁波減衰体１０は、端子５０ｔを介して、１つの電位（例えば接地電位）に設定される。電磁波減衰体１０は、例えば、電子素子５０から放射される電磁波を減衰させる。電磁波減衰体１０は、例えば、シールドとして機能する。

図５（ａ）～図５（ｃ）に示すように、電磁波減衰体１０の積層部材１０ＭＡは、第１面状部分１０ｐ及び第１側面部分１０ａを含む。この例では、積層部材１０ＭＡは、第１～第４側面部分１０ａ～１０ｄを含む。電子素子５０から第１面状部分１０ｐへの方向は、第１方向Ｄ１（例えばＺ軸方向）に沿う。

図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示すように、第１方向Ｄ１において、第１面状部分１０ｐと基板６０との間に、電子素子５０が位置する。

図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示すように、Ｘ軸方向において、第１側面部分１０ａと第３側面部分１０ｃとの間に、電子素子５０が位置する。

図５（ｂ）及び図５（ｄ）に示すように、Ｙ軸方向において、第２側面部分１０ｂと第４側面部分１０ｄとの間に、電子素子５０が位置する。

電磁波減衰体１０Ａまたは電磁波減衰体１０Ｂを用いることで、例えば、１００ＭＨｚ以下の低周波数領域の電磁波を効果的に減衰できる。電磁波の減衰特性を向上可能な電子装置を提供できる。

例えば、電子素子５０で生じた電磁波が外部に出射することが抑制できる。例えば、外部からの電磁波が電子素子５０に届くことが抑制できる。電子素子５０において、安定した動作が得やすくなる。

第１面状部分１０ｐは、例えば、実質的に四角形（平行四辺形、長方形または正方形を含む）でも良い。

図６（ａ）～図６（ｄ）は、第２実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。
図６（ａ）に示すように、電磁波減衰体１０の第１側面部分１０ａは、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎを含む。第１側面部分１０ａにおける、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎの積層方向は、第２方向Ｄ２である。

図６（ｂ）に示すように、電磁波減衰体１０の第２側面部分１０ｂは、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎを含む。第２側面部分１０ｂにおける、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎの積層方向は、第３方向Ｄ３である。

図６（ｃ）に示すように、電磁波減衰体１０の第３側面部分１０ｃは、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎを含む。第３側面部分１０ｃにおける、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎの積層方向は、第２方向Ｄ２である。

図６（ｄ）に示すように、電磁波減衰体１０の第４側面部分１０ｄは、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎを含む。第４側面部分１０ｄにおける、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎの積層方向は、第３方向Ｄ３である。

第１～第４側面部分１０ａ～１０ｄのそれぞれに含まれる第１磁性層１１は、第１面状部分１０ｐに含まれる第１磁性層１１と連続しても良い。第１～第４側面部分１０ａ～１０ｄのそれぞれに含まれる第１非磁性層１１Ｎは、第１面状部分１０ｐに含まれる第１非磁性層１１Ｎと連続しても良い。

このように、実施形態に係る電子装置１１０は、第１実施形態に係る電磁波減衰体１０と、電子素子５０と、を含む。例えば、電子素子５０から電磁波減衰体１０への方向は、第１方向Ｄ１である。

図７～図１２は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。
図７に示すように、実施形態に係る電子装置１１１は、電磁波減衰体１０と、複数の電子素子（電子素子５１、５１Ｂ、５２、５３、５３Ｂ及び５３Ｃなど）と、を含む。

電磁波減衰体１０の複数の領域の間に、電子素子が設けられる。電子素子と、電磁波減衰体１０の複数の領域の１つと、の間に絶縁領域（絶縁部４１及び４２など）が設けられても良い。電子素子と、絶縁領域（絶縁部４１及び４２など）と、の間に樹脂部（樹脂部５１Ｉ、５２Ｉ及び５３Ｉなど）が設けられても良い。複数の電子素子のそれぞれに、接続部材（接続部材５１Ｎ、５２Ｎ及び５３Ｎなど）が設けられても良い。例えば、接続部材により、電子素子と、接続部５８と、が電気的に接続されても良い。

図８に示す電子装置１１２のように、接続部材５１Ｎが、基板５５に埋め込まれても良い。電子装置１１２においては、複数の電子素子の間に電磁波減衰体１０が設けられる。例えば、複数の電子素子の１つから生じる電磁波が複数の電子素子の別の１つに入射することが抑制される。

図９に示す電子装置１１３のように、実装部材２２０が設けられても良い。実装部材２２０は、基板５５と電磁波減衰体１０を含む。実装部材２２０と、別の電磁波減衰体１０との間に、電子素子（電子素子５１及び５１Ｂ）が設けられる。

図１０に示す電子装置１１４のように、電子素子５１の側面に電磁波減衰体１０が設けられても良い。側面は、Ｘ－Ｙ平面と交差する。

図１１に示す電子装置１１５のように、複数の電子素子（電子素子５１及び５２）を連続して囲むように電磁波減衰体１０が設けられても良い。

図１２に示す電子装置１１６のように、複数の電子素子の１つ（電子素子５１）は、電磁波減衰体１０の複数の領域の間に設けられる。複数の電子素子の別の１つ（電子素子５２）は、電磁波減衰体１０の複数の領域の間に設けられなくても良い。

電子装置１１１～１１６によっても、電磁波の減衰特性を向上可能な電子装置が提供できる。

実施形態は、例えば、ＥＭＣ（ElectroMagnetic Compatibility）のための電磁波減衰体及び電子装置に応用されても良い。

実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。

（構成１）
凹凸を含む第１面を含む基体と、
Ｃｕを含む第１導電部材と、
前記第１面と前記第１導電部材との間に設けられ、Ｃｒ及びＴｉを含む第１層と、
を含む積層部材を備えた電磁波減衰体。

（構成２）
前記基体は、複数の粒子と、前記複数の粒子のまわりの樹脂と、を含む、構成１に記載の電磁波減衰体。

（構成３）
前記複数の粒子は、シリコン及びアルミニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１元素と、酸素と、を含む、構成２に記載の電磁波減衰体。

（構成４）
前記複数の粒子は、酸化シリコンを含む、構成２に記載の電磁波減衰体。

（構成５）
前記複数の粒子の少なくとも１つの径は、１ｎｍ以上１００μｍ以下である、構成２～４のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。

（構成６）
前記樹脂は、エポキシ及びポリイミドよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成２～５のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。

（構成７）
前記凹凸の高さは、前記第１層の厚さよりも大きい、構成１～６のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。

（構成８）
前記高さは、１μｍ以上１００μｍ以下である、構成７に記載の電磁波減衰体。

（構成９）
前記第１層の厚さは、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、構成１～８のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。

（構成１０）
前記積層部材は、Ｃｒ及びＴｉを含む第２層をさらに含み、
前記第１層と前記第２層との間に前記第１導電部材がある、構成１～９のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。

（構成１１）
前記第２層の厚さは、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、構成１０に記載の電磁波減衰体。

（構成１２）
前記第１導電部材は、第１積層体を含み、
前記第１積層体は、複数の第１磁性層と、Ｃｕを含む複数の第１非磁性層と、を含み、
前記複数の第１磁性層の１つは、前記複数の第１非磁性層の１つと、前記複数の第１非磁性層の別の１つと、の間にある、構成１～１１のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。

（構成１３）
前記複数の第１非磁性層の前記１つは、前記複数の第１磁性層の前記１つ、及び、前記複数の第１磁性層の前記別の１つと、接した、構成１２に記載の電磁波減衰体。

（構成１４）
前記複数の第１磁性層は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１２または１３に記載の電磁波減衰体。

（構成１５）
前記複数の第１磁性層は、Ｃｕ、Ｍｏ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つをさらに含む、構成１４に記載の電磁波減衰体。

（構成１６）
前記複数の第１磁性層の前記１つは、前記複数の第１非磁性層の前記１つと対向する第１磁性層面を含み、
前記第１磁性層面は、第１頂部、第２頂部及び第１底部を含み、
前記複数の第１非磁性層の前記１つから前記複数の第１非磁性層の前記別の１つへの方向と交差する交差方向における前記第１底部の位置は、前記交差方向における前記第１頂部の位置と、前記交差方向における前記第２頂部の位置と、の間にあり、
前記複数の第１非磁性層の前記１つの少なくとも一部は、前記交差方向において、前記第１頂部と前記第２頂部との間にある、構成１２～１５のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。

（構成１７）
前記第１導電部材は、第２積層体をさらに含み、
前記第２積層体は、複数の第２磁性層と、複数の第２非磁性層と、を含み、
前記複数の第２磁性層の１つは、前記複数の第２非磁性層の１つと、前記複数の第２非磁性層の別の１つと、の間にあり、
前記複数の第２非磁性層は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＨｆよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１２～１６のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。

（構成１８）
前記複数の第２非磁性層の少なくとも１つは、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｚｒ及びＳｉよりなる群から選択された少なくとも１つをさらに含む、構成１７に記載の電磁波減衰体。

（構成１９）
前記積層部材は、第１面状部分と第１側面部分とを含み、
前記第１面状部分において、前記基体から前記第１導電部材への方向は第１方向に沿い、
前記第１側面部分において、前記基体から前記第１導電部材への方向は第２方向に沿い、
前記第２方向は、前記第１方向と交差した、構成１～１８のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。

（構成２０）
構成１～１９のいずれか１つに記載の電磁波減衰体と、
電子素子と、
を備えた、電子装置。

実施形態によれば、電磁波を安定して減衰させることが可能な電磁波減衰体及び電子装置が提供できる。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、電磁波減衰体に含まれる積層体、磁性層及び非磁性層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した電磁波減衰体及び電子装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての電磁波減衰体及び電子装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０、１０Ａ、１０Ｂ…電磁波減衰体、 １０Ｃ…第１導電部材、 １０Ｈ…高さ、 １０Ｍ…第１積層体、 １０ＭＡ…積層部材、 １０ａ～１０ｄ…第１～第４側面部分、 １０ｄｐ…凹凸、 １０ｆ…第１面、 １０ｆｄ…凹部、 １０ｄｐ…凸部、 １０ｐ…第１面状部分、 １０ｓ…基体、 １１…第１磁性層、 １１Ｎ…第１非磁性層、 １１ｄｐ…第１底部、 １１ｆａ…第１磁性層面、 １１ｐｐ…第１頂部、 １１ｐｑ…第２頂部、 １２…第２磁性層、 １２Ｎ…第２非磁性層、 １５…第１層、 １６…第２層、 １７…粒子、 １８…樹脂、 ２０Ｍ…第２積層体、 ４１、４２…絶縁部、 ５０…電子素子、 ５０ｃ…半導体チップ、 ５０ｅ…電極、 ５０ｆ…基板接続部、 ５０ｉ…絶縁部、 ５０ｔ…端子、 ５０ｗ…配線、 ５１、５１Ｂ、５２、５３、５３Ｂ、５３Ｃ…電子素子、 ５１Ｉ、５２Ｉ、５３Ｉ…樹脂部、 ５１Ｎ、５２Ｎ、５３Ｎ…接続部材、 ５５…基板、 ５８…接続部、 ６０…基板、 １１０～１１６…電子装置、 ２２０…実装部材、 ＡＡ…矢印、 Ｄ１～Ｄ３…第１～第３方向、 Ｄｅ２…交差方向、 Ｄｍ１…径、 ｔ１０Ｃ、ｔ１０Ｍ、ｔ１１、ｔ１１Ｎ、ｔ１２、ｔ１２Ｎ、ｔ１５、ｔ１６、ｔ２０Ｍ…厚さ

Claims (10)

1. 凹凸を含む第１面を含む基体と、
   Ｃｕを含む第１導電部材と、
   前記第１面と前記第１導電部材との間に設けられ、Ｃｒ及びＴｉを含む第１層と、
   を含む積層部材を備えた電磁波減衰体。
2. 前記基体は、複数の粒子と、前記複数の粒子のまわりの樹脂と、を含む、請求項１に記載の電磁波減衰体。
3. 前記複数の粒子は、シリコン及びアルミニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１元素と、酸素と、を含む、請求項２に記載の電磁波減衰体。
4. 前記複数の粒子は、酸化シリコンを含む、請求項２に記載の電磁波減衰体。
5. 前記凹凸の高さは、前記第１層の厚さよりも大きい、請求項１～４のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
6. 前記積層部材は、Ｃｒ及びＴｉを含む第２層をさらに含み、
   前記第１層と前記第２層との間に前記第１導電部材がある、請求項１～５のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
7. 前記第１導電部材は、第１積層体を含み、
   前記第１積層体は、複数の第１磁性層と、Ｃｕを含む複数の第１非磁性層と、を含み、
   前記複数の第１磁性層の１つは、前記複数の第１非磁性層の１つと、前記複数の第１非磁性層の別の１つと、の間にある、請求項１～６のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
8. 前記複数の第１磁性層の前記１つは、前記複数の第１非磁性層の前記１つと対向する第１磁性層面を含み、
   前記第１磁性層面は、第１頂部、第２頂部及び第１底部を含み、
   前記複数の第１非磁性層の前記１つから前記複数の第１非磁性層の前記別の１つへの方向と交差する交差方向における前記第１底部の位置は、前記交差方向における前記第１頂部の位置と、前記交差方向における前記第２頂部の位置と、の間にあり、
   前記複数の第１非磁性層の前記１つの少なくとも一部は、前記交差方向において、前記第１頂部と前記第２頂部との間にある、請求項７に記載の電磁波減衰体。
9. 前記第１導電部材は、第２積層体をさらに含み、
   前記第２積層体は、複数の第２磁性層と、複数の第２非磁性層と、を含み、
   前記複数の第２磁性層の１つは、前記複数の第２非磁性層の１つと、前記複数の第２非磁性層の別の１つと、の間にあり、
   前記複数の第２非磁性層は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＨｆよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項７または８に記載の電磁波減衰体。
10. 請求項１～９のいずれか１つに記載の電磁波減衰体と、
    電子素子と、
    を備えた、電子装置。

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