JP2023067846A - Ｌｅｄ基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ＬＥＤ基板の新たな製造技術を提供する。【解決手段】ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃが実装されている素子搭載基板１１０を準備する工程と、黒色樹脂組成物１１１を圧縮成形することにより、黒色樹脂組成物１１１をＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの間に充填して封止材を形成する工程と、を含む、ＬＥＤ基板の製造方法。【選択図】図１
Description
本発明は、ＬＥＤ基板の製造方法に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ）表示装置において、発光素子の形成層に対向して配置されるカラーフィルターには、混色防止等のためのブラックマトリックスが用いられている。
また、ＬＥＤ基板等の発光素子基板の製造技術として、特許文献１（特開２０２１－１０１４５５号公報）に記載のものがある。同文献には、第１電極及び第２電極を備えており、光を出射する発光面を有する複数個の発光素子と、少なくとも発光面が露出するように、発光素子を埋め込んでいる光学補助層と、第１電極及び／又は第２電極に直接的かつ電気的に接続されている配線であって、光学補助層の表面であって、発光面が露出している面とは反対側の表面に延在する配線を含む第１配線層と、第１配線層及び光学補助層を覆うように設けられている第１絶縁層と、第１絶縁層に設けられており、第１配線層と電気的に接続されている第２配線層と、発光面を覆うように、発光素子を封止しており、発光面から出射する光を透過させることができる封止部とを具備する、発光素子パッケージについて記載されており、発光素子がＬＥＤ素子であることが記載されている（請求項１、２）。また、同文献には、光学補助層が黒色層であること（請求項４）、ならびに、光学補助層の形成には、光学補助層を有する接着シートを準備して発光素子を埋め込むようにこれを積層し、加熱加圧処理する方法や、ラミネート処理する方法が用いられることが記載されている（段落０３０３～０３０５）。
また、ＬＥＤ基板等の発光素子基板の製造技術として、特許文献１（特開２０２１－１０１４５５号公報）に記載のものがある。同文献には、第１電極及び第２電極を備えており、光を出射する発光面を有する複数個の発光素子と、少なくとも発光面が露出するように、発光素子を埋め込んでいる光学補助層と、第１電極及び／又は第２電極に直接的かつ電気的に接続されている配線であって、光学補助層の表面であって、発光面が露出している面とは反対側の表面に延在する配線を含む第１配線層と、第１配線層及び光学補助層を覆うように設けられている第１絶縁層と、第１絶縁層に設けられており、第１配線層と電気的に接続されている第２配線層と、発光面を覆うように、発光素子を封止しており、発光面から出射する光を透過させることができる封止部とを具備する、発光素子パッケージについて記載されており、発光素子がＬＥＤ素子であることが記載されている（請求項１、２）。また、同文献には、光学補助層が黒色層であること（請求項４）、ならびに、光学補助層の形成には、光学補助層を有する接着シートを準備して発光素子を埋め込むようにこれを積層し、加熱加圧処理する方法や、ラミネート処理する方法が用いられることが記載されている（段落０３０３～０３０５）。
発光ダイオード（ＬＥＤ）表示装置の製造方法には、キャリア基板等にＬＥＤ素子を搭載した後、光学補助層等を形成、次いで再配線層（Redistribution Layer：RDL）を形成するＲＤＬ Ｌａｓｔ方式と、基板にＲＤＬを形成した後、ＬＥＤ素子を搭載、次いで光学補助層等を形成するＲＤＬ Ｆｉｒｓｔ方式が検討されている。上記特許文献１に記載の方法はＲＤＬ Ｌａｓｔ方式によるものであるが、ＲＤＬ Ｌａｓｔ方式はＲＤＬ形成後までディスプレイの検討検査が行えない為に、不良ＬＥＤ素子の修理のしやすさに課題がある一方で、ＲＤＬ Ｆｉｒｓｔ方式では、ＬＥＤ素子搭載後時点でディスプレイの点灯検査が行えることから、不良ＬＥＤ素子の検出、修理が行いやすいという利点がある。しかし、ＲＤＬ Ｆｉｒｓｔ方式では、ＬＥＤ素子と基板間の狭部への光学補助層の充填性に改善の余地があった。
そこで、本発明は、ＬＥＤ基板の新たな製造技術を提供する。
本発明によれば、
複数のＬＥＤ素子が実装されている基板を準備する工程と、
黒色樹脂組成物を圧縮成形することにより、前記黒色樹脂組成物を前記複数のＬＥＤ素子間に充填して封止材を形成する工程と、
を含む、ＬＥＤ基板の製造方法が提供される。
複数のＬＥＤ素子が実装されている基板を準備する工程と、
黒色樹脂組成物を圧縮成形することにより、前記黒色樹脂組成物を前記複数のＬＥＤ素子間に充填して封止材を形成する工程と、
を含む、ＬＥＤ基板の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、上記本発明におけるＬＥＤ基板の製造方法により製造されるＬＥＤ基板が提供される。
また、本発明によれば、上記本発明におけるＬＥＤ基板の製造方法に用いられる黒色樹脂組成物が提供される。
本発明によれば、ＬＥＤ基板の新たな製造技術を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。
本実施形態において、組成物は、各成分をいずれも単独でまたは２種以上を組み合わせて含むことができる。
本明細書において、数値範囲を示す「～」は、以上、以下を表し、両端の数値をいずれも含む。
本実施形態において、組成物は、各成分をいずれも単独でまたは２種以上を組み合わせて含むことができる。
本明細書において、数値範囲を示す「～」は、以上、以下を表し、両端の数値をいずれも含む。
（第一の実施形態）
図１（ａ）～図１（ｃ）、図２（ａ）および図２（ｂ）は、本実施形態におけるＬＥＤ基板の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
本実施形態において、ＬＥＤ基板の製造工程は、以下の工程１および２を含む。
（工程１）複数のＬＥＤ素子（ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃ）が実装されている基板１０１を準備する工程
（工程２）黒色樹脂組成物１１１を圧縮成形することにより、黒色樹脂組成物１１１をＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの素子間に充填して封止材（黒色封止材１１３）を形成する工程
図１（ａ）～図１（ｃ）、図２（ａ）および図２（ｂ）は、本実施形態におけるＬＥＤ基板の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
本実施形態において、ＬＥＤ基板の製造工程は、以下の工程１および２を含む。
（工程１）複数のＬＥＤ素子（ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃ）が実装されている基板１０１を準備する工程
（工程２）黒色樹脂組成物１１１を圧縮成形することにより、黒色樹脂組成物１１１をＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの素子間に充填して封止材（黒色封止材１１３）を形成する工程
また、ＬＥＤ基板の製造工程は、以下の工程３をさらに含んでもよい。
（工程３）工程２の後、ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの上部に形成された黒色封止材１１３を研削する工程
以下、各工程をさらに説明する。
（工程３）工程２の後、ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの上部に形成された黒色封止材１１３を研削する工程
以下、各工程をさらに説明する。
（工程１）
工程１は、具体的には、素子搭載基板１１０を準備する工程である（図１（ａ））。図１に示した素子搭載基板１１０においては、プリント回路板（Printed Circuit Board：ＰＣＢ）等の基板１０１に、ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃが搭載されており、各ＬＥＤ素子と基板１０１の導電部材との間が電極１０５により電気的に接続されている。
ここで、図１（ａ）には、３個のＬＥＤ素子が配置された断面図を示したが、基板１０１に搭載するＬＥＤ素子の数に制限はない。
また、複数のＬＥＤ素子の種類（色）についても制限はなく、たとえば、一または二以上の任意の色とすることができる。また、たとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色としてもよい。
工程１は、具体的には、素子搭載基板１１０を準備する工程である（図１（ａ））。図１に示した素子搭載基板１１０においては、プリント回路板（Printed Circuit Board：ＰＣＢ）等の基板１０１に、ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃが搭載されており、各ＬＥＤ素子と基板１０１の導電部材との間が電極１０５により電気的に接続されている。
ここで、図１（ａ）には、３個のＬＥＤ素子が配置された断面図を示したが、基板１０１に搭載するＬＥＤ素子の数に制限はない。
また、複数のＬＥＤ素子の種類（色）についても制限はなく、たとえば、一または二以上の任意の色とすることができる。また、たとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色としてもよい。
工程１において、素子搭載基板１１０を製造する場合、公知の方法を用いて製造することができる。
たとえば、サファイア基板、ＧａＡｓ基板等の基板に、ＧａＮ等の層をエピタキシャル成長させ、所望のサイズ、形状に加工して上部に電極等を形成することによりＬＥＤチップを得た後、レーザーリフトオフ等により基板を剥離、除去する。そして、ＬＥＤチップを基板１０１に実装し、たとえば熱圧着により、ＬＥＤチップの電極と基板１０１の導電部材とを電気的に接続する。たとえば、再配線層を有する基板１０１を用い、ＬＥＤチップの電極と再配線とを接続することができる。
たとえば、サファイア基板、ＧａＡｓ基板等の基板に、ＧａＮ等の層をエピタキシャル成長させ、所望のサイズ、形状に加工して上部に電極等を形成することによりＬＥＤチップを得た後、レーザーリフトオフ等により基板を剥離、除去する。そして、ＬＥＤチップを基板１０１に実装し、たとえば熱圧着により、ＬＥＤチップの電極と基板１０１の導電部材とを電気的に接続する。たとえば、再配線層を有する基板１０１を用い、ＬＥＤチップの電極と再配線とを接続することができる。
（工程２）
工程２においては、圧縮成形により、ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃを黒色封止材１１３にて封止するとともに、隣接するＬＥＤ素子間を遮光する。
具体的には、図１（ｂ）に示したように、金型１０７ｂ（雌型）のキャビティに黒色樹脂組成物１１１を投入する。図１（ｂ）の例では、金型１０７ｂの上に離型膜１０９を配設した後、黒色樹脂組成物１１１が導入されている。離型膜１０９としては、たとえばフッ素樹脂フィルム等を用いることができる。フッ素樹脂フィルムの市販品の具体例として、高機能性フッ素樹脂フィルム アフレックス（ＡＧＣ社製）が挙げられる。
工程２においては、圧縮成形により、ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃを黒色封止材１１３にて封止するとともに、隣接するＬＥＤ素子間を遮光する。
具体的には、図１（ｂ）に示したように、金型１０７ｂ（雌型）のキャビティに黒色樹脂組成物１１１を投入する。図１（ｂ）の例では、金型１０７ｂの上に離型膜１０９を配設した後、黒色樹脂組成物１１１が導入されている。離型膜１０９としては、たとえばフッ素樹脂フィルム等を用いることができる。フッ素樹脂フィルムの市販品の具体例として、高機能性フッ素樹脂フィルム アフレックス（ＡＧＣ社製）が挙げられる。
そして、金型１０７ａにおける金型１０７ｂとの対向面に素子搭載基板１１０を配置して、黒色樹脂組成物１１１に対向配置して金型１０７ａおよび１０７ｂを加熱加圧する（図１（ｃ））。成形後、金型１０７ａおよび１０７ｂならびに離型膜１０９から成形物を分離して、封止体を得る（図２（ａ））。図２（ａ）に示した封止体においては、素子搭載基板１１０の素子搭載面に設けられるとともに黒色樹脂組成物１１１の硬化物である黒色封止材１１３により、ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃが封止されている。
黒色樹脂組成物の充填性向上の観点から、工程２において、素子搭載基板１１０の素子搭載面から基板１０１の鉛直方向における黒色封止材１１３の充填高さを３０μｍ以上とすることが好ましく、５０μｍ以上とすることがより好ましい。
また、上記充填高さは、ＬＥＤ基板の薄型化の観点から、たとえば３００μｍ以下であり、好ましくは１５０μｍ以下である。
また、上記充填高さは、ＬＥＤ基板の薄型化の観点から、たとえば３００μｍ以下であり、好ましくは１５０μｍ以下である。
黒色封止材１１３の可視光領域、具体的には４００～８００ｎｍの波長領域における光学濃度（ＯＤ値）は、コントラスト向上の観点から、好ましくは３以上であり、また、たとえば３．５以上、または４以上であってもよい。
また、黒色封止材１１３の上記光学濃度（ＯＤ値）の上限に制限はないが、たとえば１０以下であってもよい。
また、黒色封止材１１３の上記光学濃度（ＯＤ値）の上限に制限はないが、たとえば１０以下であってもよい。
ここで、黒色封止材１１３のＯＤ値は、たとえば光学濃度計を用いて黒色封止材１１３の入射光および透過光の強度を測定し、以下の式により算出する方法で得ることができる。
ＯＤ＝ｌｏｇ10（ＰＩ／ＰＴ）＝－ｌｏｇ10Ｔ
（上記式中、ＰＩは入射光強度、ＰＴは透過光強度、Ｔは透過率である。）
ＯＤ＝ｌｏｇ10（ＰＩ／ＰＴ）＝－ｌｏｇ10Ｔ
（上記式中、ＰＩは入射光強度、ＰＴは透過光強度、Ｔは透過率である。）
（工程３）
工程３は、具体的には、各ＬＥＤ素子の上部に設けられた遮光層を除去する工程である。たとえば、工程３において、グラインドや化学処理などにより、ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの上部に形成された黒色封止材１１３を除去して各ＬＥＤ素子の上面を露出させる。
工程３については第三の実施形態においても後述する。
工程３は、具体的には、各ＬＥＤ素子の上部に設けられた遮光層を除去する工程である。たとえば、工程３において、グラインドや化学処理などにより、ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの上部に形成された黒色封止材１１３を除去して各ＬＥＤ素子の上面を露出させる。
工程３については第三の実施形態においても後述する。
以上の手順により、ＬＥＤ基板１００が得られる（図２（ｂ））。ＬＥＤ基板１００中の各ＬＥＤ素子は、ＬＥＤ基板１００を有するＬＥＤ表示装置において画素を構成することができる。
本実施形態における製造方法においては、簡便な手順で隣接するＬＥＤ素子間に黒色封止材１１３を形成できるとともに、黒色樹脂組成物１１１の狭部充填性に優れるため、ＬＥＤ素子のサイズが微細化した場合でも、隣接するＬＥＤ素子間を安定的に遮光することができる。このため、本実施形態における製造方法は、たとえばＬＥＤ素子の平面サイズに関し、一辺１００μｍ以下であるマイクロＬＥＤ基板や、一辺数～数十μｍであるナノＬＥＤ基板の製造にも好適に用いることができる。
本実施形態における製造方法においては、簡便な手順で隣接するＬＥＤ素子間に黒色封止材１１３を形成できるとともに、黒色樹脂組成物１１１の狭部充填性に優れるため、ＬＥＤ素子のサイズが微細化した場合でも、隣接するＬＥＤ素子間を安定的に遮光することができる。このため、本実施形態における製造方法は、たとえばＬＥＤ素子の平面サイズに関し、一辺１００μｍ以下であるマイクロＬＥＤ基板や、一辺数～数十μｍであるナノＬＥＤ基板の製造にも好適に用いることができる。
（第二の実施形態）
図３（ａ）は、本実施形態における製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図３（ａ）に示した素子搭載基板１１２の基本構成は第一の実施形態にて前述した素子搭載基板１１０と同様であるが、ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの上面に接して犠牲層１１５が設けられている点が異なる。
図３（ａ）は、本実施形態における製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図３（ａ）に示した素子搭載基板１１２の基本構成は第一の実施形態にて前述した素子搭載基板１１０と同様であるが、ＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの上面に接して犠牲層１１５が設けられている点が異なる。
すなわち、本実施形態において、第一の実施形態で前述の工程１は、基板１０１上のＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの上面に透明犠牲層（犠牲層１１５）が配設された複数のＬＥＤ素子が実装されている素子搭載基板１１２を準備する工程であってもよい。
犠牲層１１５の厚さは、研削工程におけるＬＥＤ素子の破損抑制の観点から、好ましくは１μｍ以上であり、より好ましくは５μｍ以上である。
また、犠牲層１１５の厚さに制限はないが、たとえば、工程３の後に残存する犠牲層１１５の厚さがたとえば５０μｍ以下になる程度とする点、および、ＬＥＤ基板１００の薄型化の観点から、たとえば２００μｍ以下であってもよい。
本実施形態において、工程３を行う場合、たとえば工程３を研磨工程とすることができる。研磨後の犠牲層１１５の厚さは、ＬＥＤ素子の輝度を低下させないという観点で、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。
また、犠牲層１１５の厚さに制限はないが、たとえば、工程３の後に残存する犠牲層１１５の厚さがたとえば５０μｍ以下になる程度とする点、および、ＬＥＤ基板１００の薄型化の観点から、たとえば２００μｍ以下であってもよい。
本実施形態において、工程３を行う場合、たとえば工程３を研磨工程とすることができる。研磨後の犠牲層１１５の厚さは、ＬＥＤ素子の輝度を低下させないという観点で、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。
本実施形態において、犠牲層１１５を有する素子搭載基板１１２は、素子形成に用いる基板の透明性等に応じて製造することができる。
たとえば、工程１において、または、工程１より前の段階において、ＬＥＤ素子の形成に用いるＬＥＤ素子形成基板（不図示）が、サファイア基板のように透明な場合は、ＬＥＤ素子形成基板を剥離せずに犠牲層１１５として用いてもよい。ＬＥＤ素子形成基板を剥離して基板１０１にＬＥＤ素子（ＬＥＤ発光層）を搭載する場合には、ＬＥＤ素子形成基板上にＬＥＤ発光層を形成する前に、透明無機層を形成して犠牲層１１５として残存させてもよいし、ＬＥＤ素子形成基板の剥離後に透明シリコーン層等の有機層をＬＥＤ発光層上に新たに形成してもよい。
たとえば、工程１において、または、工程１より前の段階において、ＬＥＤ素子の形成に用いるＬＥＤ素子形成基板（不図示）が、サファイア基板のように透明な場合は、ＬＥＤ素子形成基板を剥離せずに犠牲層１１５として用いてもよい。ＬＥＤ素子形成基板を剥離して基板１０１にＬＥＤ素子（ＬＥＤ発光層）を搭載する場合には、ＬＥＤ素子形成基板上にＬＥＤ発光層を形成する前に、透明無機層を形成して犠牲層１１５として残存させてもよいし、ＬＥＤ素子形成基板の剥離後に透明シリコーン層等の有機層をＬＥＤ発光層上に新たに形成してもよい。
本実施形態においても、第一の実施形態と同様の効果が得られる。加えて、犠牲層１１５を設けておくことにより、本実施形態では、工程３を行う場合に、ＬＥＤ素子の上部の損傷を抑制しつつ、ＬＥＤ素子上部の透明性を確保することができる。
（第三の実施形態）
以上の実施形態において、ＬＥＤ基板の製造方法は、以下の工程４をさらに含んでもよい。
（工程４）工程２の前に、素子搭載基板を表面処理する工程
以上の実施形態において、ＬＥＤ基板の製造方法は、以下の工程４をさらに含んでもよい。
（工程４）工程２の前に、素子搭載基板を表面処理する工程
以下、工程１において、第二の実施形態で前述した素子搭載基板１１２（図３（ａ））を準備する場合を例に説明する。
図３（ｂ）は、本実施形態において得られる素子搭載基板１１４の構成例を示す断面図である。素子搭載基板１１４の基本構成は素子搭載基板１１２と同様であるが、素子搭載基板１１２の素子搭載面に表面処理層１１７が設けられている点が異なる。
図３（ｂ）は、本実施形態において得られる素子搭載基板１１４の構成例を示す断面図である。素子搭載基板１１４の基本構成は素子搭載基板１１２と同様であるが、素子搭載基板１１２の素子搭載面に表面処理層１１７が設けられている点が異なる。
工程４において、素子搭載基板１１２の素子搭載面全面を表面処理してもよいし、素子搭載面の一部を表面処理してもよいが、密着効果向上の観点から、好ましくは素子搭載面全面を表面処理する。
同様の観点から、工程４における表面処理は、好ましくはプラズマ処理またはプライマー処理である。
表面処理をプラズマ処理とする場合、たとえばアルゴン（Ａｒ）プラズマにより、５００Ｗ、３０秒の条件で行う。
また、表面処理をプライマー処理とする場合、たとえばＰＡＩ（ポリアミドイミド）を含有したプライマーを塗布するプライマー処理を行う。
表面処理をプラズマ処理とする場合、たとえばアルゴン（Ａｒ）プラズマにより、５００Ｗ、３０秒の条件で行う。
また、表面処理をプライマー処理とする場合、たとえばＰＡＩ（ポリアミドイミド）を含有したプライマーを塗布するプライマー処理を行う。
本実施形態においても、工程４の後、素子搭載基板１１４（図３（ｂ））を用いて第一の実施形態にて前述の工程２に準じてＬＥＤ基板を製造することができる。
すなわち、図４（ａ）に示したように、金型１０７ｂ（雌型）のキャビティに黒色樹脂組成物１１１を投入する。図４（ａ）の例でも、図１（ｂ）の例と同様に、金型１０７ｂの上に離型膜１０９を配設した後、黒色樹脂組成物１１１が導入されている。
すなわち、図４（ａ）に示したように、金型１０７ｂ（雌型）のキャビティに黒色樹脂組成物１１１を投入する。図４（ａ）の例でも、図１（ｂ）の例と同様に、金型１０７ｂの上に離型膜１０９を配設した後、黒色樹脂組成物１１１が導入されている。
そして、金型１０７ａにおける金型１０７ｂとの対向面に素子搭載基板１１４を配置して、黒色樹脂組成物１１１に対向配置して金型１０７ａおよび１０７ｂを加熱加圧する（図４（ｂ））。成形後、金型１０７ａおよび１０７ｂならびに離型膜１０９から成形物を分離し、適宜工程３を経て、封止体を得る（図５（ａ）および図５（ｂ））。ここで、図５（ｂ）は、封止体中のＬＥＤ素子の平面配置例を示す上面図である。
また、工程２の後、好ましくは前述の工程３すなわち黒色封止材１１３を研削する工程をおこなう。本実施形態においては、工程１が、ＬＥＤ素子の上面に犠牲層１１５が配設されたＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃが実装されている素子搭載基板１１２を準備する工程であり、工程３（図６（ａ））において、犠牲層１１５を露出させ、ＬＥＤ基板１０２を得る（図６（ｂ））。
工程３は、デフラッシュ工程であってもよい。図５（ａ）および図５（ｂ）に示した封止体において、たとえば、犠牲層１１５の上部に薄膜状の黒色封止材１１３（図５（ｂ）の黒色層１２１）が残存したり、黒色封止材１１３の端部や犠牲層１１５の周辺に黒色封止材１１３のバリが残存する場合（図５（ａ）のバリ１１９、図５（ｂ）のバリ１２５）にも、デフラッシュ工程により、黒色封止材１１３を除去して各ＬＥＤ素子の上面を露出させることができる。
デフラッシュ工程として、たとえば、プラズマ処理、レーザーデフラッシュ、ケミカルデフラッシュ、ウォーターデフラッシュ、イオンミリングが挙げられる。
また、図６（ａ）には、研磨パッド１２３でＬＥＤ素子上の黒色封止材１１３を研磨、除去する例が示されている。
また、図６（ａ）には、研磨パッド１２３でＬＥＤ素子上の黒色封止材１１３を研磨、除去する例が示されている。
本実施形態においても、第一の実施形態と同様の効果が得られる。加えて、表面処理層１１７を設けておくことにより、本実施形態では、封止樹脂と基板の濡れ性を向上することができる。
さらに、犠牲層１１５を有するＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの上部を表面処理することにより、封止材と犠牲層との濡れ性向上が期待できる。
さらに、犠牲層１１５を有するＬＥＤ素子１０３ａ～１０３ｃの上部を表面処理することにより、封止材と犠牲層との濡れ性向上が期待できる。
次に、黒色樹脂組成物１１１として用いられる樹脂組成物の構成を説明する。
（樹脂組成物）
樹脂組成物は、たとえば以下の成分を含む。
エポキシ樹脂
硬化剤
無機充填材
黒色顔料
以下、各成分の具体例を挙げて説明する。
（樹脂組成物）
樹脂組成物は、たとえば以下の成分を含む。
エポキシ樹脂
硬化剤
無機充填材
黒色顔料
以下、各成分の具体例を挙げて説明する。
（エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂は、たとえば、ビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等に例示されるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂；およびオキシラン環含有アシルグリセロールからなる群から選択される１種または２種以上である。
エポキシ樹脂は、たとえば、ビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等に例示されるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂；およびオキシラン環含有アシルグリセロールからなる群から選択される１種または２種以上である。
エポキシ樹脂は、好ましくはトリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂、４，４'－ビフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂およびジシクロペンタジエン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上である。
また、エポキシ樹脂が、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂、４，４'－ビフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂およびナフチルエーテル型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一種であることも好ましい。
また、エポキシ樹脂が、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂、４，４'－ビフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂およびナフチルエーテル型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一種であることも好ましい。
樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、成形時において、優れた流動性を実現し、充填性や密着性の向上を図る観点から、樹脂組成物全体に対して好ましくは５質量％以上であり、より好ましくは７質量％以上、さらに好ましくは８質量％以上である。
また、樹脂組成物を用いて得られる半導体装置について、高温信頼性や耐リフロー性を向上させる観点から、樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物全体に対して好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１４質量％以下、さらに好ましくは１３質量％以下、さらにより好ましくは１２質量％以下である。
また、樹脂組成物を用いて得られる半導体装置について、高温信頼性や耐リフロー性を向上させる観点から、樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物全体に対して好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１４質量％以下、さらに好ましくは１３質量％以下、さらにより好ましくは１２質量％以下である。
（硬化剤）
硬化剤としては、たとえば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２～２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４'－ジアミノジフェニルメタン、４，４'－ジアミノジフェニルプロパン、４，４'－ジアミノジフェニルエーテル、４，４'－ジアミノジフェニルスルホン、４，４'－ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４－アミノフェニル）フェニルメタン、１，５－ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１－ビス（４－アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類；
アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；
トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；
フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；上記以外のフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；ならびにカルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類からなる群から選択される１種または２種以上が挙げられる。
硬化剤としては、たとえば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２～２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４'－ジアミノジフェニルメタン、４，４'－ジアミノジフェニルプロパン、４，４'－ジアミノジフェニルエーテル、４，４'－ジアミノジフェニルスルホン、４，４'－ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４－アミノフェニル）フェニルメタン、１，５－ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１－ビス（４－アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類；
アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；
トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；
フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；上記以外のフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；ならびにカルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類からなる群から選択される１種または２種以上が挙げられる。
硬化剤は、好ましくは４，４'－ビフェノール、ビスＡ型フェノール、ビスＦ型フェノール、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型フェノールアラルキル樹脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ナフタレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、フェノールノボラック樹脂およびジシクロペンタジエン骨格含有フェノールアラルキル樹脂からなる群から選択される一種または二種以上である。
また、硬化剤が、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型樹脂、ホルムアルデヒドで変性したトリフェニルメタン型フェノール樹脂およびフェノールノボラック樹脂からなる群から選択される少なくとも一種であることも好ましい。
また、硬化剤が、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型樹脂、ホルムアルデヒドで変性したトリフェニルメタン型フェノール樹脂およびフェノールノボラック樹脂からなる群から選択される少なくとも一種であることも好ましい。
樹脂組成物中の硬化剤の含有量は、硬化特性向上の観点から、樹脂組成物全体に対し、好ましくは０．３質量％以上であり、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上、さらにより好ましくは１．５質量％以上である。
また、成形時の流動性や充填性を向上する観点から、樹脂組成物中の硬化剤の含有量は、樹脂組成物全体に対し、好ましくは１０．０質量％以下であり、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは５．０質量％以下、さらにより好ましくは４．０質量％以下、よりいっそう好ましくは３．０質量％以下である。
また、成形時の流動性や充填性を向上する観点から、樹脂組成物中の硬化剤の含有量は、樹脂組成物全体に対し、好ましくは１０．０質量％以下であり、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは５．０質量％以下、さらにより好ましくは４．０質量％以下、よりいっそう好ましくは３．０質量％以下である。
（無機充填材）
無機充填材として、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ；アルミナ；タルク；酸化チタン；窒化珪素；窒化アルミニウムが挙げられる。
無機充填材は、汎用性に優れている観点から、好ましくはシリカを含み、より好ましくはシリカである。
シリカの形状の一例として、溶融球状シリカ等の球状シリカ、破砕シリカが挙げられる。
また、無機充填材がシリカ粒子を含むとき、シリカ粒子は、シリカ粒子中のウラン、トリウムの合計量が１０ｐｐｂ未満の低α線タイプであってもよいし、上記合計量が１０ｐｐｂ以上のタイプであってもよい。
無機充填材として、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ；アルミナ；タルク；酸化チタン；窒化珪素；窒化アルミニウムが挙げられる。
無機充填材は、汎用性に優れている観点から、好ましくはシリカを含み、より好ましくはシリカである。
シリカの形状の一例として、溶融球状シリカ等の球状シリカ、破砕シリカが挙げられる。
また、無機充填材がシリカ粒子を含むとき、シリカ粒子は、シリカ粒子中のウラン、トリウムの合計量が１０ｐｐｂ未満の低α線タイプであってもよいし、上記合計量が１０ｐｐｂ以上のタイプであってもよい。
無機充填材の平均粒径ｄ50は、成形時の収縮抑制の観点から、好ましくは０．１μｍ以上であり、より好ましくは１．０μｍ以上、さらに好ましくは２．０μｍ以上、さらにより好ましくは４．０μｍ以上である。
また、成形時の充填性を向上する観点から、無機充填材の平均粒径ｄ50は、好ましくは２０μｍ以下であり、より好ましくは１８μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以下、さらにより好ましくは１２μｍ以下、よりいっそう好ましくは１０μｍ以下である。
また、成形時の充填性を向上する観点から、無機充填材の平均粒径ｄ50は、好ましくは２０μｍ以下であり、より好ましくは１８μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以下、さらにより好ましくは１２μｍ以下、よりいっそう好ましくは１０μｍ以下である。
ここで、無機充填材の平均粒径ｄ50は、市販のレーザー式粒度分布計（たとえば、島津製作所社製 ＳＡＬＤ－７０００）で測定したときの平均粒径（体積平均径）である。
無機充填材の最大粒径（フィラーカットポイント）は、成形時の流動性や充填性を向上する観点から、好ましくは３２μｍ以下であり、より好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下、さらに好ましくは１２μｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下である。
また、無機充填材の最大粒径（フィラーカットポイント）は、たとえば３μｍ以上であってもよい。
また、無機充填材の最大粒径（フィラーカットポイント）は、たとえば３μｍ以上であってもよい。
樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、機械的強度、耐水性および耐熱性の向上の観点、ならびに、反りや剥離の抑制の観点から、樹脂組成物全体に対し、好ましくは７０質量％以上であり、より好ましくは８０質量％以上、さらに好ましくは８３質量％以上である。
また、成形時の流動性や充填性向上の観点から、樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、樹脂組成物全体に対し、たとえば９８質量％以下であり、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下である。
また、成形時の流動性や充填性向上の観点から、樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、樹脂組成物全体に対し、たとえば９８質量％以下であり、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下である。
（黒色顔料）
黒色顔料の具体例として、カーボンブラック、黒色酸化チタン（チタンブラック）、ピッチ等の黒色系着色剤が挙げられる。樹脂組成物が黒色含量を含む構成とすることにより、隣接するＬＥＤ素子間を好適に遮光することができる。
さらに具体的には、黒色顔料は、カーボンブラックおよびチタンブラックの少なくとも一方を含む。
黒色顔料の具体例として、カーボンブラック、黒色酸化チタン（チタンブラック）、ピッチ等の黒色系着色剤が挙げられる。樹脂組成物が黒色含量を含む構成とすることにより、隣接するＬＥＤ素子間を好適に遮光することができる。
さらに具体的には、黒色顔料は、カーボンブラックおよびチタンブラックの少なくとも一方を含む。
ここで、チタンブラックは、ＴｉnＯ(2n-1)（ｎは正の整数）として存在する。本実施形態において用いられる黒色酸化チタンＴｉnＯ(2n-1)としては、ｎが４以上６以下であるものを用いることが好ましい。ｎを４以上とすることにより、封止用樹脂組成物中での黒色酸化チタンの分散性を向上させることができる。一方、ｎを６以下とすることにより、ＹＡＧレーザー等のレーザーの捺印性を向上させることができる。ここでは、黒色酸化チタンとしてＴｉ4Ｏ7、Ｔｉ5Ｏ9、およびＴｉ6Ｏ11のうちの少なくとも一つを含むことが好ましい。
樹脂組成物中の黒色顔料の含有量は、黒色封止材１１３の遮光性向上の観点から、樹脂組成物全体に対して好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上である。
また、流動性の向上とコスト増加の抑制とのバランスの観点から、樹脂組成物中の黒色顔料の含有量は、樹脂組成物全体に対して好ましくは２質量％以下であり、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下である。
また、流動性の向上とコスト増加の抑制とのバランスの観点から、樹脂組成物中の黒色顔料の含有量は、樹脂組成物全体に対して好ましくは２質量％以下であり、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下である。
また、封止用樹脂組成物には、上述した成分以外の成分を含んでもよく、たとえば硬化促進剤、カップリング剤、離型剤、イオン捕捉剤（イオンキャッチャー）、低応力成分、難燃剤等の各種添加剤のうち１種以上を適宜配合することができる。
樹脂組成物中のその他の添加剤の含有量は、それぞれ、樹脂組成物全体に対してたとえば０．０１～１０質量％程度とすることができる。
樹脂組成物中のその他の添加剤の含有量は、それぞれ、樹脂組成物全体に対してたとえば０．０１～１０質量％程度とすることができる。
硬化促進剤は、たとえば、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７、ベンジルジメチルアミン、２－メチルイミダゾール等が例示されるアミジンや３級アミン、上記アミジンやアミンの４級塩等の窒素原子含有化合物から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。また、成形性と硬化性のバランスを向上させる観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するものを含むことがより好ましい。
樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物の硬化性をより好ましいものとするの観点から、樹脂組成物全体に対して好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、また、好ましくは５質量％以下であり、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。
樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物の硬化性をより好ましいものとするの観点から、樹脂組成物全体に対して好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、また、好ましくは５質量％以下であり、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。
カップリング剤は、たとえば、エポキシシラン、メルカプトシラン、フェニルアミノシラン等のアミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、メタクリルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。これらの中でも、本発明の効果をより効果的に発現するものとして、エポキシシランまたはアミノシランを含むことがより好ましい。また、カップリング剤がアミノシランおよびメルカプトシランからなる群から選択される少なくとも一種を含むことも好ましい。
同様の観点から、樹脂組成物中のカップリング剤の含有量は、樹脂組成物全体に対して好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、また、好ましくは１質量％以下であり、より好ましくは０．５質量％以下である。
同様の観点から、樹脂組成物中のカップリング剤の含有量は、樹脂組成物全体に対して好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、また、好ましくは１質量％以下であり、より好ましくは０．５質量％以下である。
離型剤は、たとえばカルナバワックス等の天然ワックス；ジエタノールアミン・ジモンタンエステル、モンタン酸エステルワックス等の合成ワックス；１－アルケン（Ｃ＞１０）・マレイン酸無水物の重縮合物；ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸およびその金属塩類；ならびにパラフィンから選択される１種類または２種類以上を含むことができる。
樹脂組成物中の離型剤の含有量は、樹脂組成物全体に対してたとえば０．０５～０．５質量％である。
樹脂組成物中の離型剤の含有量は、樹脂組成物全体に対してたとえば０．０５～０．５質量％である。
イオン捕捉剤（イオンキャッチャー）は、たとえば、ハイドロタルサイトを含む。
樹脂組成物中のイオン捕捉剤の含有量は、樹脂組成物全体に対してたとえば０．１～０．５質量％である。
樹脂組成物中のイオン捕捉剤の含有量は、樹脂組成物全体に対してたとえば０．１～０．５質量％である。
低応力成分は、たとえば、シリコーンオイル、シリコーンゴム等のシリコーン類；ジメチルシロキサン－アルキルカルボン酸－（１－メチルエチリデン）ビスフェノールジグリシジルエーテル共重合体、および、カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリル共重合体からなる群から選択される少なくとも一種を含む。
樹脂組成物中の低応力成分の含有量は、樹脂組成物全体に対してたとえば０．１～２質量％である。
樹脂組成物中の低応力成分の含有量は、樹脂組成物全体に対してたとえば０．１～２質量％である。
難燃剤は、たとえば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼンから選択される１種または２種以上を含むことができる。
樹脂組成物中の難燃剤の含有量は、樹脂組成物全体に対してたとえば１～３質量％である。
樹脂組成物中の難燃剤の含有量は、樹脂組成物全体に対してたとえば１～３質量％である。
また、工程が増加するのを抑制する観点、および、現像液による浸食及びＬＥＤ装置の信頼性向上の観点から、樹脂組成物は好ましくは感光材を含まない。
（樹脂組成物の製造方法）
次に、樹脂組成物の製造方法を説明する。
樹脂組成物は、たとえば、上述した各成分を、公知の手段で混合し、さらにロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で溶融混練し、冷却した後に粉砕する方法により得ることができる。また、必要に応じて、上記方法における粉砕後にタブレット状に打錠して粒状の樹脂組成物を得てもよい。また、上記方法における粉砕後にたとえば真空ラミネート成形または圧縮成形によりシート状の樹脂組成物を得てもよい。また得られた封止用樹脂組成物について、適宜分散度や流動性等を調整してもよい。
得られた樹脂組成物を黒色樹脂組成物１１１（図１（ｂ）等）としてＬＥＤ表示装置の製造に用いることができる。
次に、樹脂組成物の製造方法を説明する。
樹脂組成物は、たとえば、上述した各成分を、公知の手段で混合し、さらにロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で溶融混練し、冷却した後に粉砕する方法により得ることができる。また、必要に応じて、上記方法における粉砕後にタブレット状に打錠して粒状の樹脂組成物を得てもよい。また、上記方法における粉砕後にたとえば真空ラミネート成形または圧縮成形によりシート状の樹脂組成物を得てもよい。また得られた封止用樹脂組成物について、適宜分散度や流動性等を調整してもよい。
得られた樹脂組成物を黒色樹脂組成物１１１（図１（ｂ）等）としてＬＥＤ表示装置の製造に用いることができる。
（特性）
以下、樹脂組成物またはその硬化物の特性の具体例を示す。なお、各特定の測定方法については実施例の項で後述する。
樹脂組成物のスパイラルフローは、成形時の充填性向上の観点から、たとえば１１５～２００ｃｍである。
樹脂組成物のゲルタイムは、成形性をより好ましいものとする観点から、たとえば４５～７５秒である。
以下、樹脂組成物またはその硬化物の特性の具体例を示す。なお、各特定の測定方法については実施例の項で後述する。
樹脂組成物のスパイラルフローは、成形時の充填性向上の観点から、たとえば１１５～２００ｃｍである。
樹脂組成物のゲルタイムは、成形性をより好ましいものとする観点から、たとえば４５～７５秒である。
樹脂組成物の硬化物について、ＴＭＡにて測定されるガラス転移温度Ｔｇは、耐熱性向上の観点から、たとえば１０５℃以上であり、また、たとえば１７０℃以下であってもよい。
ＴＭＡにて測定される、樹脂組成物の硬化物のＴｇ未満における線膨張係数α１は、反り抑制の観点から、たとえば５～２０ｐｐｍ／℃である。同様の観点から、樹脂組成物の硬化物のＴｇ以上における線膨張係数α２は、たとえば３０～５５ｐｐｍ／℃である。
ＴＭＡにて測定される、樹脂組成物の硬化物のＴｇ未満における線膨張係数α１は、反り抑制の観点から、たとえば５～２０ｐｐｍ／℃である。同様の観点から、樹脂組成物の硬化物のＴｇ以上における線膨張係数α２は、たとえば３０～５５ｐｐｍ／℃である。
樹脂組成物の硬化物の２５℃における曲げ強度は、信頼性向上の観点から、たとえば１２０～１９０ＭＰａである。同様の観点から、樹脂組成物の硬化物の２６０℃における曲げ強度は、たとえば５～３５ＭＰａである。
樹脂組成物の硬化物の２５℃における曲げ弾性率は、ハンドリング性向上および反り抑制の観点から、たとえば１６０００～２１０００ＭＰａである。樹脂組成物の硬化物の２６０℃における曲げ弾性率は、機械強度および信頼性向上の観点から、たとえば１００～１２００ＭＰａである。
樹脂組成物の硬化物の２５℃における曲げ弾性率は、ハンドリング性向上および反り抑制の観点から、たとえば１６０００～２１０００ＭＰａである。樹脂組成物の硬化物の２６０℃における曲げ弾性率は、機械強度および信頼性向上の観点から、たとえば１００～１２００ＭＰａである。
また、樹脂組成物の硬化物の吸水率は、信頼性向上の観点から、たとえば０．３％以下であり、また、たとえば０．０１％以上であってもよい。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
本発明は、以下の態様を含む。
［１］ 複数のＬＥＤ素子が実装されている基板を準備する工程と、
黒色樹脂組成物を圧縮成形することにより、前記黒色樹脂組成物を前記複数のＬＥＤ素子間に充填して封止材を形成する工程と、
を含む、ＬＥＤ基板の製造方法。
［２］ 基板を準備する前記工程が、ＬＥＤ素子の上面に透明犠牲層が配設された前記複数のＬＥＤ素子が実装されている前記基板を準備する工程である、［１］に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［３］ 基板を準備する前記工程の後、封止材を形成する前記工程の前に、前記基板を表面処理する工程をさらに含む、［１］または［２］に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［４］ 封止材を形成する前記工程の後、前記ＬＥＤ素子の上部に形成された前記封止材を研削する工程をさらに含む、［１］乃至［３］いずれか一つに記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［５］ 基板を準備する前記工程が、ＬＥＤ素子の上面に透明犠牲層が配設された前記複数のＬＥＤ素子が実装されている前記基板を準備する工程であり、
封止材を研削する前記工程において、前記透明犠牲層を露出させる、［４］に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［６］ 封止材を形成する前記工程において、前記基板の前記ＬＥＤ素子の搭載面から前記基板の鉛直方向における前記封止材の充填高さを３０μｍ以上とする、［１］乃至［５］いずれか一つに記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［７］ 前記黒色樹脂組成物の硬化物の４００～８００ｎｍの波長領域における光学濃度（ＯＤ値）が３以上である、［１］乃至［６］いずれか一つに記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［８］ 前記黒色樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
無機充填材と、
黒色顔料と、
を含む、［１］乃至［７］いずれか一つに記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［９］ 前記黒色顔料がチタンブラックを含む、［８］に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［１０］ 前記黒色樹脂組成物が感光材を含まない、［１］乃至［９］いずれか一つに記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［１］ 複数のＬＥＤ素子が実装されている基板を準備する工程と、
黒色樹脂組成物を圧縮成形することにより、前記黒色樹脂組成物を前記複数のＬＥＤ素子間に充填して封止材を形成する工程と、
を含む、ＬＥＤ基板の製造方法。
［２］ 基板を準備する前記工程が、ＬＥＤ素子の上面に透明犠牲層が配設された前記複数のＬＥＤ素子が実装されている前記基板を準備する工程である、［１］に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［３］ 基板を準備する前記工程の後、封止材を形成する前記工程の前に、前記基板を表面処理する工程をさらに含む、［１］または［２］に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［４］ 封止材を形成する前記工程の後、前記ＬＥＤ素子の上部に形成された前記封止材を研削する工程をさらに含む、［１］乃至［３］いずれか一つに記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［５］ 基板を準備する前記工程が、ＬＥＤ素子の上面に透明犠牲層が配設された前記複数のＬＥＤ素子が実装されている前記基板を準備する工程であり、
封止材を研削する前記工程において、前記透明犠牲層を露出させる、［４］に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［６］ 封止材を形成する前記工程において、前記基板の前記ＬＥＤ素子の搭載面から前記基板の鉛直方向における前記封止材の充填高さを３０μｍ以上とする、［１］乃至［５］いずれか一つに記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［７］ 前記黒色樹脂組成物の硬化物の４００～８００ｎｍの波長領域における光学濃度（ＯＤ値）が３以上である、［１］乃至［６］いずれか一つに記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［８］ 前記黒色樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
無機充填材と、
黒色顔料と、
を含む、［１］乃至［７］いずれか一つに記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［９］ 前記黒色顔料がチタンブラックを含む、［８］に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
［１０］ 前記黒色樹脂組成物が感光材を含まない、［１］乃至［９］いずれか一つに記載のＬＥＤ基板の製造方法。
以下、実施例を挙げて本実施形態を具体的に説明するが、本実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１～５）
（樹脂組成物の調製）
各例について、以下のように黒色樹脂組成物を調製した。
まず、表１に示す各成分をミキサーにより混合した。次いで、得られた混合物をロール混練した後、冷却、粉砕して粉粒体である樹脂組成物を得た。
（樹脂組成物の調製）
各例について、以下のように黒色樹脂組成物を調製した。
まず、表１に示す各成分をミキサーにより混合した。次いで、得られた混合物をロール混練した後、冷却、粉砕して粉粒体である樹脂組成物を得た。
表１中の各成分の詳細は下記のとおりである。また、表１中に示す各成分の配合割合は、樹脂組成物全体に対する配合割合（質量部）を示している。
エポキシ樹脂１：トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂および４，４'－ビフェノール型エポキシ樹脂の混合物、ＥＰＩＫＯＴＥ ＹＬ６６７７、三菱ケミカル社製
エポキシ樹脂２：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ＮＣ３０００、日本火薬社製
エポキシ樹脂３：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ＮＣ３０００Ｌ、日本火薬社製
エポキシ樹脂４：ナフチルエーテル型エポキシ樹脂、ＨＰ－６０００Ｌ、ＤＩＣ社製
硬化剤１：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型樹脂、ＭＥＨ－７８５１ＳＳ、明和化成社製
硬化剤２：ホルムアルデヒドで変性したトリフェニルメタン型フェノール樹脂、ＳＫ Ｒｅｓｉｎ ＨＥ９１０－２０、エアウォーターケミカル社製
無機充填材１：溶融シリカ、ＳＣ－２５００－ＳＱ、アドマテックス社製、平均粒径０．５μｍ
無機充填材２：溶融シリカ、ＳＣ－５５００－ＳＱ、アドマテックス社製、平均粒径１．５μｍ
無機充填材３：溶融シリカ、ＭＵＦ－４Ｖ、龍森社製、平均粒径４．０μｍ
無機充填材４：溶融シリカ、ＴＳ－６０２１、マイクロン社製、平均粒径９．０μｍ
難燃剤１：水酸化アルミニウム、ＢＥ０４３、日本軽金属社製、平均粒径４．０μｍ
黒色顔料１：カーボンブラック、東海カーボン社製
硬化促進剤１：テトラフェニルホスホニウム・４，４'－スルフォニルジフェノラート
硬化促進剤２：テトラフェニルホスホニウムビス（ナフタレン－２，３－ジオキシ）フェニルシリケート
カップリング剤１：Ｎ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン
カップリング剤２：γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、チッソ社製
カップリング剤３：３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン
イオンキャッチャー１：ハイドロタルサイト、ＤＨＴ－４Ｈ、協和化学社製
イオンキャッチャー２：ハイドロタルサイト、東亞合成社製
低応力材１：ジメチルシロキサン－アルキルカルボン酸－（１－メチルエチリデン）ビスフェノールジグリシジルエーテル共重合体
低応力材２：カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリル共重合体、ＨＹＣＡＲ ＣＴＢＮ １００８－ＳＰ、ピイ・ティ・アイ・ジャパン社製
低応力材３：ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレン、グリシドキシプロピル変性ジメチルポリシロキサン、ＦＺ－３７３０、ダウ・東レ社製
離型剤１：モンタン酸エステルワックス、Ｌｉｃｏｌｕｂ ＷＥ ４ ｐｏｗｄｅｒ、クラリアント社製
離型剤２：カルナウバワックス、ＴＯＷＡＸ－１３２、東亜化成社製
離型剤３：１－アルケン（Ｃ＞１０）・マレイン酸無水物の重縮合物、エア・ウォーター社製
離型剤４：ジエタノールアミン・ジモンタンエステル、Ｌｉｃｏｍｏｎｔ ＴＰ ＮＣ １３３、伊藤製油社製
エポキシ樹脂１：トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂および４，４'－ビフェノール型エポキシ樹脂の混合物、ＥＰＩＫＯＴＥ ＹＬ６６７７、三菱ケミカル社製
エポキシ樹脂２：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ＮＣ３０００、日本火薬社製
エポキシ樹脂３：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ＮＣ３０００Ｌ、日本火薬社製
エポキシ樹脂４：ナフチルエーテル型エポキシ樹脂、ＨＰ－６０００Ｌ、ＤＩＣ社製
硬化剤１：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型樹脂、ＭＥＨ－７８５１ＳＳ、明和化成社製
硬化剤２：ホルムアルデヒドで変性したトリフェニルメタン型フェノール樹脂、ＳＫ Ｒｅｓｉｎ ＨＥ９１０－２０、エアウォーターケミカル社製
無機充填材１：溶融シリカ、ＳＣ－２５００－ＳＱ、アドマテックス社製、平均粒径０．５μｍ
無機充填材２：溶融シリカ、ＳＣ－５５００－ＳＱ、アドマテックス社製、平均粒径１．５μｍ
無機充填材３：溶融シリカ、ＭＵＦ－４Ｖ、龍森社製、平均粒径４．０μｍ
無機充填材４：溶融シリカ、ＴＳ－６０２１、マイクロン社製、平均粒径９．０μｍ
難燃剤１：水酸化アルミニウム、ＢＥ０４３、日本軽金属社製、平均粒径４．０μｍ
黒色顔料１：カーボンブラック、東海カーボン社製
硬化促進剤１：テトラフェニルホスホニウム・４，４'－スルフォニルジフェノラート
硬化促進剤２：テトラフェニルホスホニウムビス（ナフタレン－２，３－ジオキシ）フェニルシリケート
カップリング剤１：Ｎ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン
カップリング剤２：γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、チッソ社製
カップリング剤３：３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン
イオンキャッチャー１：ハイドロタルサイト、ＤＨＴ－４Ｈ、協和化学社製
イオンキャッチャー２：ハイドロタルサイト、東亞合成社製
低応力材１：ジメチルシロキサン－アルキルカルボン酸－（１－メチルエチリデン）ビスフェノールジグリシジルエーテル共重合体
低応力材２：カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリル共重合体、ＨＹＣＡＲ ＣＴＢＮ １００８－ＳＰ、ピイ・ティ・アイ・ジャパン社製
低応力材３：ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレン、グリシドキシプロピル変性ジメチルポリシロキサン、ＦＺ－３７３０、ダウ・東レ社製
離型剤１：モンタン酸エステルワックス、Ｌｉｃｏｌｕｂ ＷＥ ４ ｐｏｗｄｅｒ、クラリアント社製
離型剤２：カルナウバワックス、ＴＯＷＡＸ－１３２、東亜化成社製
離型剤３：１－アルケン（Ｃ＞１０）・マレイン酸無水物の重縮合物、エア・ウォーター社製
離型剤４：ジエタノールアミン・ジモンタンエステル、Ｌｉｃｏｍｏｎｔ ＴＰ ＮＣ １３３、伊藤製油社製
（樹脂組成物の特性）
（スパイラルフロー）
各例の樹脂組成物を用いてスパイラルフロー試験を行った。
試験は、低圧トランスファー成形機（コータキ精機社製「ＫＴＳ－１５」）を用いて、ＥＭＭＩ－１－６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型に、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で封止用樹脂組成物を注入し、流動長（ｃｍ）を測定することにより行った。数値が大きいほど、流動性が良好であることを示す。測定結果を表１に示す。
（スパイラルフロー）
各例の樹脂組成物を用いてスパイラルフロー試験を行った。
試験は、低圧トランスファー成形機（コータキ精機社製「ＫＴＳ－１５」）を用いて、ＥＭＭＩ－１－６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型に、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で封止用樹脂組成物を注入し、流動長（ｃｍ）を測定することにより行った。数値が大きいほど、流動性が良好であることを示す。測定結果を表１に示す。
（ゲルタイム）
１７５℃に加熱した熱板上で実施例および比較例の封止用樹脂組成物をそれぞれ溶融後、へらで練りながら硬化するまでの時間（単位：秒）を測定した。測定結果を表１に示す。
１７５℃に加熱した熱板上で実施例および比較例の封止用樹脂組成物をそれぞれ溶融後、へらで練りながら硬化するまでの時間（単位：秒）を測定した。測定結果を表１に示す。
（ガラス転移温度Ｔｇ、線膨張係数α１、α２）
各例で得られた樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度および線膨張係数を、次のように測定した。
まず、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で半導体封止用樹脂組成物を注入成形し、１５ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの試験片を得た。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で後硬化した後、熱機械分析装置（セイコー電子工業社製、ＴＭＡ１００）を用いて、測定温度範囲０℃～３２０℃、昇温速度５℃／分の条件下で測定を行った。
この測定結果から、ガラス転移温度Ｔｇ（℃）、Ｔｇ未満における線膨張係数（α１（ｐｐｍ／℃））、Ｔｇ以上における線膨張係数（α２（ｐｐｍ／℃））を算出した。α１は、４０℃～８０℃における線膨張係数、α２は、１９０℃～２３０℃における線膨張係数とした。結果を表１に示す。
各例で得られた樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度および線膨張係数を、次のように測定した。
まず、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で半導体封止用樹脂組成物を注入成形し、１５ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの試験片を得た。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で後硬化した後、熱機械分析装置（セイコー電子工業社製、ＴＭＡ１００）を用いて、測定温度範囲０℃～３２０℃、昇温速度５℃／分の条件下で測定を行った。
この測定結果から、ガラス転移温度Ｔｇ（℃）、Ｔｇ未満における線膨張係数（α１（ｐｐｍ／℃））、Ｔｇ以上における線膨張係数（α２（ｐｐｍ／℃））を算出した。α１は、４０℃～８０℃における線膨張係数、α２は、１９０℃～２３０℃における線膨張係数とした。結果を表１に示す。
（曲げ強度、曲げ弾性率）
各例で得られた樹脂組成物を、低圧トランスファー成形機（コータキ精機社製「ＫＴＳ－３０」）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力１０．０ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で金型に注入成形した。これにより、幅１０ｍｍ、厚み４ｍｍ、長さ８０ｍｍの成形品を得た。次いで、得られた成形品を１７５℃、４時間の条件で後硬化させた。これにより、機械的強度の評価用の試験片を作製した。そして、試験片の２５℃（室温）または２６０℃における曲げ強度および曲げ弾性率を、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に準拠して測定した。測定結果を表１に示す。
各例で得られた樹脂組成物を、低圧トランスファー成形機（コータキ精機社製「ＫＴＳ－３０」）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力１０．０ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で金型に注入成形した。これにより、幅１０ｍｍ、厚み４ｍｍ、長さ８０ｍｍの成形品を得た。次いで、得られた成形品を１７５℃、４時間の条件で後硬化させた。これにより、機械的強度の評価用の試験片を作製した。そして、試験片の２５℃（室温）または２６０℃における曲げ強度および曲げ弾性率を、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に準拠して測定した。測定結果を表１に示す。
（吸水率）
各例で得られた樹脂組成物を１２０℃で４時間加熱して硬化物を得、これを１５０℃にて１６時間乾燥させた。このときの硬化物の質量を吸湿処理前の質量とした。
続いて、温度１２５℃、圧力０．２ＭＰａ、相対湿度１００％ＲＨの条件で、２４時間吸湿処理した。このときの硬化物の質量を吸湿処理後の質量とした。
そして、以下の式より、吸水率を算出した。
式：（吸水率）＝｛（吸湿処理後の質量－吸湿処理前の質量）／吸湿処理前の質量｝×１００（％）
測定結果を表１に示す。
各例で得られた樹脂組成物を１２０℃で４時間加熱して硬化物を得、これを１５０℃にて１６時間乾燥させた。このときの硬化物の質量を吸湿処理前の質量とした。
続いて、温度１２５℃、圧力０．２ＭＰａ、相対湿度１００％ＲＨの条件で、２４時間吸湿処理した。このときの硬化物の質量を吸湿処理後の質量とした。
そして、以下の式より、吸水率を算出した。
式：（吸水率）＝｛（吸湿処理後の質量－吸湿処理前の質量）／吸湿処理前の質量｝×１００（％）
測定結果を表１に示す。
（ＯＤ値）
圧縮成形機（ＴＯＷＡ株式会社製、ＰＭＣ１０４０）にて、基板上に厚さ１００μｍの成形物を作製した（成形条件：金型温度１７５℃、成形時間２分）。得られた成形物を基板上から剥がし、封止材（樹脂組成物の硬化物）のみの試験片を作製した。
試験片を切り出して、上記厚さのまま小片化し、外可視赤外分光光度計（日本分光社製、Ｖ－６７０）に投入しＯＤ値を測定した。測定結果を表１に示す。
圧縮成形機（ＴＯＷＡ株式会社製、ＰＭＣ１０４０）にて、基板上に厚さ１００μｍの成形物を作製した（成形条件：金型温度１７５℃、成形時間２分）。得られた成形物を基板上から剥がし、封止材（樹脂組成物の硬化物）のみの試験片を作製した。
試験片を切り出して、上記厚さのまま小片化し、外可視赤外分光光度計（日本分光社製、Ｖ－６７０）に投入しＯＤ値を測定した。測定結果を表１に示す。
（ＬＥＤ基板の製造方法）
幅２５μｍ×奥行き１５μｍ×高さ２．５μｍの微小サイズのＬＥＤ素子と同一の外形を有するように熱硬化型のエポキシ樹脂を成形して擬似ＬＥＤ素子を、２００×３００ｍｍサイズのガラスエポキシ配線基板の表面に２ｍｍピッチで配置した擬似ＬＥＤモジュールを用意した。
その後、上記疑似ＬＥＤモジュールに対して、圧縮成形条件（金型温度１７５℃、成形時間２分）によって、各例で準備した樹脂組成物を成形し、硬化させた後、厚さ５０μｍになるように成形物を作製した。
幅２５μｍ×奥行き１５μｍ×高さ２．５μｍの微小サイズのＬＥＤ素子と同一の外形を有するように熱硬化型のエポキシ樹脂を成形して擬似ＬＥＤ素子を、２００×３００ｍｍサイズのガラスエポキシ配線基板の表面に２ｍｍピッチで配置した擬似ＬＥＤモジュールを用意した。
その後、上記疑似ＬＥＤモジュールに対して、圧縮成形条件（金型温度１７５℃、成形時間２分）によって、各例で準備した樹脂組成物を成形し、硬化させた後、厚さ５０μｍになるように成形物を作製した。
（評価方法）
（狭部充填性）
上記「ＬＥＤ基板の製造方法」の項で得られた成形物について、狭部充填性を評価した。上記疑似ＬＥＤモジュールでは、２ｍｍピッチで擬似ＬＥＤ素子が配置されている。この２ｍｍの隙間への各例の樹脂組成物の埋込性について、ボイドなく完全に充填されている場合をＡ、ボイド又は欠損が一部でもある場合をＢとして目視により評価した。評価結果を表１に示す。
（狭部充填性）
上記「ＬＥＤ基板の製造方法」の項で得られた成形物について、狭部充填性を評価した。上記疑似ＬＥＤモジュールでは、２ｍｍピッチで擬似ＬＥＤ素子が配置されている。この２ｍｍの隙間への各例の樹脂組成物の埋込性について、ボイドなく完全に充填されている場合をＡ、ボイド又は欠損が一部でもある場合をＢとして目視により評価した。評価結果を表１に示す。
（残渣除去性）
ＬＥＤ素子上のＥＭＥ残渣（厚さ３μｍ）に対して、Ａｒプラズマ照射を３００Ｗ、５分行い、残渣を完全に除去できているものをＡ、除去できていないものをＢとして目視により評価した。評価結果を表１に示す。
ＬＥＤ素子上のＥＭＥ残渣（厚さ３μｍ）に対して、Ａｒプラズマ照射を３００Ｗ、５分行い、残渣を完全に除去できているものをＡ、除去できていないものをＢとして目視により評価した。評価結果を表１に示す。
（遮光性）
圧縮成形条件（金型温度１７５℃、成形時間２分）によって、各例で準備した樹脂組成物を成形し、硬化させた後、厚さ５０μｍになるように成形物を作製した。その後、成形物に対して、光学濃度計（日本分光社製）を用いて波長２００～１５００ｎｍの光を照射して吸収率を測定し、平均吸収率が９５％以上の場合をＡ、平均吸収率が９５％未満の場合をＢとして評価した。評価結果を表１に示す。
圧縮成形条件（金型温度１７５℃、成形時間２分）によって、各例で準備した樹脂組成物を成形し、硬化させた後、厚さ５０μｍになるように成形物を作製した。その後、成形物に対して、光学濃度計（日本分光社製）を用いて波長２００～１５００ｎｍの光を照射して吸収率を測定し、平均吸収率が９５％以上の場合をＡ、平均吸収率が９５％未満の場合をＢとして評価した。評価結果を表１に示す。
表１より、各例で得られた樹脂組成物は、硬化物の狭部充填性、残渣除去性および遮光性に優れていた。
１００ ＬＥＤ基板
１０１ 基板
１０２ ＬＥＤ基板
１０３ａ ＬＥＤ素子
１０３ｂ ＬＥＤ素子
１０３ｃ ＬＥＤ素子
１０５ 電極
１０７ａ 金型
１０７ｂ 金型
１０９ 離型膜
１１０ 素子搭載基板
１１１ 黒色樹脂組成物
１１２ 素子搭載基板
１１３ 黒色封止材
１１４ 素子搭載基板
１１５ 犠牲層
１１７ 表面処理層
１１９ バリ
１２１ 黒色層
１２３ 研磨パッド
１２５ バリ
１０１ 基板
１０２ ＬＥＤ基板
１０３ａ ＬＥＤ素子
１０３ｂ ＬＥＤ素子
１０３ｃ ＬＥＤ素子
１０５ 電極
１０７ａ 金型
１０７ｂ 金型
１０９ 離型膜
１１０ 素子搭載基板
１１１ 黒色樹脂組成物
１１２ 素子搭載基板
１１３ 黒色封止材
１１４ 素子搭載基板
１１５ 犠牲層
１１７ 表面処理層
１１９ バリ
１２１ 黒色層
１２３ 研磨パッド
１２５ バリ
Claims (10)
- 複数のＬＥＤ素子が実装されている基板を準備する工程と、
黒色樹脂組成物を圧縮成形することにより、前記黒色樹脂組成物を前記複数のＬＥＤ素子間に充填して封止材を形成する工程と、
を含む、ＬＥＤ基板の製造方法。 - 基板を準備する前記工程が、ＬＥＤ素子の上面に透明犠牲層が配設された前記複数のＬＥＤ素子が実装されている前記基板を準備する工程である、請求項１に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
- 基板を準備する前記工程の後、封止材を形成する前記工程の前に、前記基板を表面処理する工程をさらに含む、請求項１または２に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
- 封止材を形成する前記工程の後、前記ＬＥＤ素子の上部に形成された前記封止材を研削する工程をさらに含む、請求項１または２に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
- 基板を準備する前記工程が、ＬＥＤ素子の上面に透明犠牲層が配設された前記複数のＬＥＤ素子が実装されている前記基板を準備する工程であり、
封止材を研削する前記工程において、前記透明犠牲層を露出させる、請求項４に記載のＬＥＤ基板の製造方法。 - 封止材を形成する前記工程において、前記基板の前記ＬＥＤ素子の搭載面から前記基板の鉛直方向における前記封止材の充填高さを３０μｍ以上とする、請求項１または２に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
- 前記黒色樹脂組成物の硬化物の４００～８００ｎｍの波長領域における光学濃度（ＯＤ値）が３以上である、請求項１または２に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
- 前記黒色樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
無機充填材と、
黒色顔料と、
を含む、請求項１または２に記載のＬＥＤ基板の製造方法。 - 前記黒色顔料がチタンブラックを含む、請求項８に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
- 前記黒色樹脂組成物が感光材を含まない、請求項１または２に記載のＬＥＤ基板の製造方法。
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