JP2023059871A - 表示装置 - Google Patents

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大介 久保田
Daisuke Kubota
裕司 岩城
Yuji Iwaki
健輔 吉住
Kensuke Yoshizumi
真理 立石
Mari Tateishi
奈津子 高瀬
Natsuko Takase
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Abstract

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。【解決手段】第１の基板と、第１の基板上の第１の樹脂層と、第１の樹脂層上の、画素部及び端子部と、端子部上の第２の樹脂層と、第２の樹脂層上の第２の基板と、を有し、画素部は、トランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子とを有する表示装置において、端子部は、導電層を有し、第１の樹脂層は、開口部を有し、導電層は、開口部において、第１の樹脂層から露出した第１の領域を有し、第２の樹脂層は、第１の領域と重なる領域を有し、導電層は、トランジスタのソース及びドレイン、又は、ゲートの少なくとも一方と同層の導電層とする。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置及びその作製方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の
一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電
子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を
一例としてあげることができる。
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は、半導体装置の一態
様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池
等を含む。）及び電子機器は、半導体装置を有している場合がある。
近年、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や、液晶素子等の表
示素子が適用された表示装置が広く開発されている。また、可撓性を有する基板（フィル
ム）上に、トランジスタなどの半導体素子や、有機ＥＬ素子などの表示素子を設けたフレ
キシブルな表示装置が開発されている。これらの表示装置は、画素部にマトリクス状に配
置されたトランジスタを有するアクティブマトリクス型の表示装置が主流となっている。
このような表示装置では、画素部のトランジスタを駆動する駆動回路に、電源や入力信号
を供給するために、基板上に端子部を設け、当該端子部にＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐ
ｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を実装する構造が採用されている。
特許文献１には、フレキシブル基板の一方の面側に配置された薄膜トランジスタ及び表示
素子と、他方の面側に配置されたＦＰＣとを有し、フレキシブル基板に形成された貫通孔
に配置された導電体によって薄膜トランジスタとＦＰＣとを接続する表示装置が開示され
ている。
特開２０１５－７２３６１号公報
ＦＰＣを実装する際には、基板に設けられた端子部の電極に、異方性導電フィルムを介し
てＦＰＣ等のコネクターを熱圧着によって貼り付けて導通をとる。この熱圧着工程におい
て、基板に設けられたトランジスタ、表示素子等の素子又は配線に、押圧による損傷（ダ
メージ）が与えられることで表示装置の表示に不具合が生じる場合がある。特に、基板と
して可撓性を有する基板を適用する場合、該可撓性を有する基板の有する柔軟性によって
基板が変形し、素子や配線にクラックが発生する懸念がある。
そこで、本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。
また、表示装置は、さらなる狭額縁化、又は低コスト化が求められている。そこで、本発
明の一態様は、狭額縁化された表示装置を提供することを課題の一とする。又は、本発明
の一態様は、低コスト化された表示装置を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、ほかの課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様
は、これらの課題のすべてを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、
明細書等の記載から抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第１の基板と、第１の基板上の第１の樹脂層と、第１の樹脂層上の、
画素部及び端子部と、端子部上の第２の樹脂層と、第２の樹脂層上の第２の基板と、を有
し、画素部は、トランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子とを有し、
端子部は、導電層を有し、第１の樹脂層は、開口部を有し、導電層は、開口部において、
第１の樹脂層から露出した第１の領域を有し、第２の樹脂層は、第１の領域と重なる領域
を有し、導電層は、トランジスタのソース及びドレイン、又は、ゲートの少なくとも一方
と同層の導電層である表示装置である。
又は、本発明の一態様は、第１の基板と、第１の基板上の第１の樹脂層と、第１の樹脂層
上の、画素部及び端子部と、端子部上の第２の樹脂層と、画素部上及び端子部上の第３の
樹脂層と、第３の樹脂層上の第２の基板と、を有し、画素部は、トランジスタと、トラン
ジスタと電気的に接続された表示素子とを有し、端子部は、導電層を有し、第１の樹脂層
は、開口部を有し、導電層は、開口部において、第１の樹脂層から露出した第１の領域を
有し、第２の樹脂層は、第１の領域と重なる領域を有し、導電層は、トランジスタのソー
ス及びドレイン、又は、ゲートの少なくとも一方と同層の導電層である表示装置である。
上記の表示装置において、導電層は、第１の導電層と第２の導電層との積層構造を有し、
第１の導電層は、酸化物導電材料を有し、且つ第１の樹脂層と接する領域を有していても
よい。
又は、上記の表示装置において、端子部と電気的に接続されたＦＰＣを有し、ＦＰＣは、
画素部と重なる領域を有していてもよい。その際、第１の基板とＦＰＣとの間に、ＩＣチ
ップを有する第３の基板を有し、ＦＰＣは、ＩＣチップを介して端子部と電気的に接続さ
れていてもよい。
上記の表示装置において、第２の樹脂層は、シール材として機能してもよい。
又は、上記の表示装置において、第２の樹脂層は、スペーサとして機能してもよい。
又は、本発明の一態様は、第１の基板と、第１の基板上方の、端子部及び画素部と、端子
部上方の樹脂層と、端子部及び画素部上方の第２の基板と、ＦＰＣと、を有し、画素部は
、トランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子とを有し、端子部は、ト
ランジスタのソース及びドレイン、又は、ゲートの少なくとも一方と同層の導電層を有し
、ＦＰＣは、導電層と電気的に接続され、ＦＰＣは、画素部と重なる領域と、導電層を介
して樹脂層と重なる領域とを有する表示装置である。
本発明の一態様によって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。又は、本発明
の一態様によって、狭額縁化された表示装置を提供することができる。又は、本発明の一
態様によって、低コスト化された表示装置を提供することができる。
表示装置の構成例を説明する平面図及び断面図。 表示装置の作製方法を説明する図。 表示装置の作製方法を説明する図。 表示装置の作製方法を説明する図。 表示装置の作製方法を説明する図。 表示装置の作製方法を説明する図。 表示装置の構成例を説明する断面図。 端子部の構成例を示す図。 表示装置に適用可能なトランジスタを示す図。 表示装置の構成例を説明する図。 電子機器を説明する図。
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説
明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様
々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。よって、本発明は以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭
化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
なお、本明細書等における「第１」「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるため
に付すものであり、数的に限定するものではない。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御
するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、
ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）
を含む。
本明細書等において表示装置とは、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネル
にコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。すなわち、本明
細書中における表示装置とは、画像表示装置、もしくは光源（照明装置含む）を指す。ま
た、表示素子が封止された状態にあるパネルだけでなく、表示素子にコネクター、例えば
ＦＰＣ又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジ
ュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は表示素子にＣＯＧ（
Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュール
も全て表示装置に含むものとする。
表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう）、発光素子（
発光表示素子ともいう）を用いることができる。発光素子は、電流又は電圧によって輝度
が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ、有機ＥＬ等が含まれる
。また、電子インク表示装置（電子ペーパー）など、電気的作用によりコントラストが変
化する表示媒体も適用することができる。
表示装置を構成する薄膜を加工する際には、リソグラフィ法等を用いて加工することがで
きる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。また
は、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工しても
よい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、
エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有す
る薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、
がある。
リソグラフィ法において光を用いる場合、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎ
ｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光
を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を
用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用い
る光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線
を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極
端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好まし
い。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマ
スクは不要である。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置及びその作製方法について、図１乃至図６
を用いて説明する。
＜表示装置の構成例１＞
図１に、表示装置１００の構成例を示す。図１（Ａ）は、表示装置１００の平面図である
。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の一点鎖線ｘ－ｙにおける断面図である。
図１（Ａ）に示す表示装置１００は、第１の基板１１０と第２の基板１５４との間に封止
された画素部１０２及び端子部１０４と、端子部１０４に電気的に接続されたＦＰＣ１０
６とを有する。ＦＰＣ１０６は、ゲート駆動回路又はソース駆動回路を通して画素部１０
２のトランジスタへ各種信号及び電位を供給する機能を有する。ゲート駆動回路およびソ
ース駆動回路はそれぞれ、画素部のトランジスタと同一基板上に設けられたトランジスタ
で構成してもよい。又は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、ＦＰＣ１
０６にＩＣチップが実装されていてもよく、これらを組み合わせてもよい。例えば、画素
部のトランジスタと同一基板上に設けられたトランジスタによって走査線駆動回路を構成
し、ＣＯＦ方式で信号線駆動回路を有するＩＣチップを実装してもよい。
また、表示装置１００がタッチセンサ等のセンサを有する場合、表示装置１００は、セン
サ駆動回路を有していてもよい。センサ駆動回路は、画素部のトランジスタと同一基板上
に設けられたトランジスタで構成してもよいし、ＣＯＦ方式によりＦＰＣ１０６にＩＣチ
ップを実装してもよい。
なお、図１に示す表示装置１００は、ＦＰＣとして単数のＦＰＣ１０６を有する構成を例
に示すが、本発明の実施の形態はこれに限られない。例えば、ＦＰＣを複数有する構成と
してもよい。この場合、ＦＰＣの接続箇所を複数辺としてもよい。
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）において端子部１０４及びＦＰＣ１０６を含む領域と、画素部
１０２を含む領域を切断する一点鎖線ｘ－ｙに沿って切断した際の断面概略図である。
図１（Ｂ）において表示装置１００は、第１の基板１１０の上方に画素部１０２と端子部
１０４とを有し、画素部１０２を挟んで第１の基板１１０上に第２の基板１５４が設けら
れている。第１の基板１１０は、接着層１１２によって樹脂層１２２ｂに貼り付けられて
いる。また、第２の基板１５４は、接着層１５６によって樹脂層１６２ｂに貼り付けられ
ている。また、画素部１０２の外周を囲むように閉環状に、シール材として機能する樹脂
層１５２が設けられ、樹脂層１５２、第１の基板１１０及び第２の基板１５４によって、
画素部１０２が封止されている。
端子部１０４に配置された導電層１３８ｄは、接続体１０８を介してＦＰＣ１０６と電気
的に接続する機能を有する。導電層１３８ｄは、樹脂層１２２ｂに設けられた開口部から
露出した領域を有しており、当該露出した領域において接続体１０８と接している。また
、第１の基板１１０は、少なくとも導電層１３８ｄが樹脂層１２２ｂに設けられた開口部
から露出した領域と重ならないように配置されている。
導電層１３８ｄは、画素部１０２に配置されたトランジスタ１３０のソース及びドレイン
、又はゲートの少なくとも一方と同層の導電層で構成することが好ましい。このような構
成とすることで、端子部１０４の電極として機能する導電層１３８ｄの作製工程を簡略化
することができ、表示装置の作製コストを抑えることが可能となる。
本発明の一態様の表示装置１００において、端子部１０４の導電層１３８ｄとＦＰＣ１０
６とが電気的に接続する領域（換言すると、導電層１３８ｄと、接続体１０８とが接する
領域）は、樹脂層１５２と重なるように配置されている。樹脂層１５２は、シール材とし
ての機能を有し、熱硬化性樹脂等の弾性を有する材料で形成される。このような材料を有
する樹脂層１５２を、端子部１０４の導電層１３８ｄとＦＰＣ１０６との接続領域に重な
るように配置することで、樹脂層１５２をＦＰＣ１０６の熱圧着工程における押圧に対す
る緩衝材として機能させることが可能となる。よって、ＦＰＣ１０６を熱圧着する際に、
押圧によって素子や配線等が損傷を受けることを抑制することでき、表示装置１００の信
頼性を高めることが可能となる。
また、樹脂層１２２ｂに設けた開口部を介して、導電層１３８ｄとＦＰＣ１０６とを電気
的に接続することで、ＦＰＣ１０６を、表示面とは反対側に配置することができる。ここ
で、導電層１３８ｄは、貫通電極あるいは裏面電極として機能する。ＦＰＣ１０６を表示
面とは反対側に配置することで、表示装置１００を電子機器に組み込む際に、ＦＰＣ１０
６を折り曲げるためのスペースを省くことができ、より小型化した電子機器を実現できる
。
さらに、導電層１３８ｄとＦＰＣ１０６との接続領域を、樹脂層１５２と重なるように配
置することで、閉環状に設けられる樹脂層１５２の内部に接続領域を設ける場合と比較し
て、画素部１０２を形成可能な領域を拡大することが可能となる。従って、表示装置１０
０の狭額縁化を図ることが可能となる。
画素部１０２は、絶縁層１２４を介して樹脂層１２２ｂ上に設けられたトランジスタ１３
０と、トランジスタ１３０に電気的に接続された表示素子とを有する。本実施の形態では
、表示素子として液晶素子１５０を用いた液晶表示装置の例を示す。ただし、本実施の形
態で示す表示装置に適用可能な表示素子は、表示を行うことができれば特に限定されず、
様々な表示素子を用いることができる。
図１（Ｂ）では、画素部１０２の有するトランジスタ１３０として、ボトムゲート型のト
ランジスタを有する場合を例に示す。ただし、本発明の実施の形態はこれに限定されない
。
トランジスタ１３０は、チャネルエッチ型のトランジスタであり、トランジスタの占有面
積を縮小することが比較的容易であるため、高精細な表示装置に好適に用いることができ
る。
トランジスタに用いる半導体材料としては、特に限定されず、例えばシリコン、ゲルマニ
ウム、酸化物半導体等を用いることができる。
また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。
表示素子として液晶素子を適用した場合、液晶表示装置としては縦電界方式、又は横電界
方式のいずれも適用することができる。図１（Ｂ）では、横電界方式の一例として、ＦＦ
Ｓ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードを採用する例を示す。
１つの画素には少なくとも１つのスイッチング用のトランジスタ１３０を有する。また、
図示しない保持容量を有していてもよい。トランジスタ１３０と液晶素子１５０との間に
はトランジスタ１３０を覆う絶縁層１４０及び絶縁層１４２が形成されている。なお、ト
ランジスタ１３０を覆う絶縁層の層数は特に限定されない。本実施の形態においては、絶
縁層１４０及び絶縁層１４２が表示装置１００の一面全体にわたって設けられている。こ
のような構成とすることで、表示装置の作製工程の歩留まりを高めることができるため好
ましい。一方で、表示装置の端部において絶縁層１４２、又は絶縁層１４２及び絶縁層１
４０を除去する構成としてもよい。表示装置の端部において絶縁層を除去する構成とする
ことで、端部において露出した絶縁層端面からの不純物の侵入を防止することが可能とな
る。このような構成は、特に絶縁層１４２として有機材料を用いる場合に効果的である。
液晶素子１５０は、トランジスタ１３０のソース又はドレインと電気的に接続された、く
し形状の第１の電極１４８と、絶縁層１４６を介して第１の電極１４８と重なる第２の電
極１４４と、液晶１４９とを有する。第１の電極１４８は画素電極として機能し、第２の
電極１４４は共通電極として機能する。なお、第２の電極１４４は、画素部１０２の周辺
部において、導電層１３８ｄと同層の導電層１３８ｃと電気的に接続されている。
第２の電極１４４、又は第１の電極１４８及び第２の電極１４４には、透光性を有する導
電性材料を用いる。これらの電極の両方に透光性を有する導電性材料を用いると、画素の
開口率を高めることができるため好ましい。透光性を有する導電性材料としては、酸化イ
ンジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加し
た酸化亜鉛などの導電性酸化物、又はグラフェンを用いることができる。
本実施の形態においては、第１の電極１４８と第２の電極１４４との間に配置された絶縁
層１４６が表示装置１００の端部にまで延在し、樹脂層１５２と接する領域を有する場合
を例に示す。ただし、本発明の実施の形態はこれに限られない。例えば、第１の基板１１
０上に設けられたトランジスタによって駆動回路を形成する場合には、当該駆動回路の形
成箇所において絶縁層１４６を除去することが好ましい。
また、少なくとも画素部１０２と重なるように、第１の基板１１０の外側にバックライト
１１９と偏光板１１８ａとを有する基板１１６が接着層１１４によって貼りあわされてい
る。
液晶素子１５０において、第１の電極１４８と第２の電極１４４の間に電圧を印加するこ
とにより、斜め方向に電界が生じ、該電界によって液晶１４９の配向が制御され、画素部
１０２の下方に配置されたバックライト１１９からの光の偏光を画素単位で制御すること
により、画像を表示することができる。
バックライト１１９は、第１の基板１１０とＦＰＣ１０６との間に配置されていることが
好ましい。表示装置１００は、画素部１０２とＦＰＣ１０６とが重なる領域を有するため
、バックライト１１９を上述の配置とすることで、ＦＰＣ１０６の透光性に影響されるこ
となく、バックライト１１９からの光を画素部１０２へ照射することができる。なお、バ
ックライト１１９に変えて、画素部１０２の側面にサイドライト等の光源を設け、該光源
からの光を導光板によって画素部１０２へ伝搬してもよい。
液晶１４９と接する面には、液晶１４９の配向を制御するための配向膜を設けてもよい。
配向膜には透光性の材料を用いる。
また、少なくとも画素部１０２と重なる領域において、第２の基板１５４側にカラーフィ
ルタ１６８とブラックマトリクス１６６とが設けられている。カラーフィルタ１６８及び
ブラックマトリクス１６６は、絶縁層１６４を介して樹脂層１６２ｂと重なって配置され
る。第２の基板１５４の外側には偏光板１１８ｂが設けられている。
表示装置１００では、液晶素子１５０と重なる領域にカラーフィルタが設けられているた
め、バックライト１１９として白色発光のバックライトを用いて、フルカラーの画像表示
を実現することができる。また、バックライト１１９として異なる発光色の複数の発光ダ
イオードを用いて、時間分割表示方式（フィールドシーケンシャル駆動方式）を行うこと
もできる。時間分割表示方式を用いた場合、カラーフィルタ１６８を設ける必要が無く、
また例えばＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）のそれぞれの発光を呈する副画素を設け
る必要がないため、画素の開口率を向上させることや、単位面積あたりの画素数を増加で
きるなどの利点がある。
カラーフィルタ１６８は、光源からの光を調色し、色純度を高める目的で設けられている
。例えば、白色のバックライトを用いてフルカラーの表示装置とする場合には、異なる色
のカラーフィルタを設けた複数の画素を用いる。その場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青
色（Ｂ）の３色のカラーフィルタを用いてもよいし、これらに黄色（Ｙ）を加えた４色と
することもできる。また、Ｒ、Ｇ、Ｂ（及びＹ）に加えて白色（Ｗ）の画素を用い、４色
（又は５色）としてもよい。
また、隣接するカラーフィルタの１６８の間に、ブラックマトリクス１６６が設けられて
いる。ブラックマトリクス１６６は隣接する画素から回り込む光を遮光し、隣接画素間に
おける混色を抑制する。ブラックマトリクス１６６は異なる発光色の隣接画素間にのみ配
置し、同色画素間には設けない構成としてもよい。ここで、カラーフィルタ１６８の端部
を、ブラックマトリクス１６６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制すること
ができる。ブラックマトリクス１６６は、光を遮光する材料を用いることができ、金属材
料や顔料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図１（Ｂ）に示すよ
うにブラックマトリクス１６６を端子部１０４等の画素部１０２以外の領域に設けると、
導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
なお、図示しないが、カラーフィルタ１６８及びブラックマトリクス１６６を覆うオーバ
ーコートを有していてもよい。オーバーコートは、カラーフィルタ１６８に含有された不
純物等の表示素子への拡散を防止することができる。オーバーコートは、透光性を有する
材料で構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、又は、アクリ
ル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積
層構造としてもよい。
＜表示装置の作製方法＞
図２乃至図６を用いて、図１に示す表示装置１００の作製方法の一例を示す。
はじめに、支持基板１２０上に、樹脂層を形成するための前駆体層として、前駆層１２１
を形成する（図２（Ａ））。
支持基板１２０には、搬送が容易となる程度に剛性を有し、且つ作製工程にかかる温度に
対して耐熱性を有する基板を用いる。支持基板１２０に用いることができる材料としては
、例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂、半導体、金属または合金
などが挙げられる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガ
ラス、アルミノホウケイ酸ガラス等が挙げられる。
前駆層１２１は、感光性を有する樹脂材料を用いて成膜する。前駆層１２１として感光性
を有する樹脂材料を適用することで、光を用いたリソグラフィ法により前駆層１２１の一
部を除去し、所望の形状に加工することが可能となる。また、前駆層１２１として、感光
性と、熱硬化性とを有する材料を用いることがより好ましい。このような材料を用いるこ
とで、所望の形状を有する樹脂層を簡便な工程によって形成することが可能となる。
前駆層１２１の材料として代表的には、感光性のポリイミド樹脂を用いることができる。
感光性のポリイミド樹脂は、表示パネルの平坦化膜等に好適に用いられる材料であるため
、成膜装置や材料を共有することが可能である。よって、本発明の一態様の表示装置の作
製に対して新たな製造装置等を導入する必要がなく、既存の製造装置を援用することが可
能であるため、製造コストを増加させることなく本発明の一態様の表示装置を作製するこ
とができる。
また、前駆層１２１の材料としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等の
樹脂材料であって感光性を有する材料等を用いてもよい。なお、上記樹脂材料は、前駆層
１２１への露光及び現像工程を経て形成される樹脂層にも含まれる。
前駆層１２１の成膜には、塗布法を適用することが好ましい。例えば、スピンコート、デ
ィップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印
刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等
の方法を用いることができる。特に、前駆層１２１の成膜に、スピンコータを用いたスピ
ンコート法を適用すると、大判基板に薄膜の前駆体を均一に成膜することができるため、
好ましい。
前駆層１２１の膜厚は、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μ
ｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさ
らに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、前駆層１２１を薄く形成することが容易と
なり、表示装置の作製コストを低減することが可能となる。
前駆層１２１を成膜後、溶媒を除去するための熱処理（プリベーク処理）を行い、その後
、フォトマスクを用いて露光を行う。次いで、現像処理及び加熱処理（ポストベーク処理
）を行うことで、所望の形状に加工された樹脂層１２２を形成する。
本実施の形態では、フォトマスクとして、グレートーンマスク又はハーフトーンマスク等
の多階調マスクを用いて、図２（Ｂ）に示す、膜厚の薄い領域１２３を有する樹脂層１２
２を形成するものとする。なお、領域１２３の端部がテーパー形状を有していると、領域
１２３を覆って樹脂層１２２上に形成される絶縁層や導電層の被覆性を向上させることが
できるため好ましい。
なお、現像処理後の加熱処理（ポストベーク処理）によって、樹脂層１２２中の脱ガス成
分（例えば、水素、水等）を低減することができる。ここでの加熱処理は、その後の工程
において樹脂層１２２上に形成されるトランジスタの作製工程における最高温度よりも高
い温度で加熱することが好ましい。例えば、トランジスタの作製工程における最高温度が
３５０℃である場合、前駆層１２１へのポストベーク処理の加熱温度は、３５０℃より高
く４５０℃以下とすることが好ましく、３５０℃より高く４００℃以下とすることがより
好ましく、３５０℃より高く４００℃未満とすることがさらに好ましく、３５０℃より高
く３７５℃未満とすることがさらに好ましい。前駆層１２１（又は樹脂層１２２）へ当該
温度での加熱処理を施すことで、トランジスタの作製工程において樹脂層１２２から脱ガ
スが発生することを抑制することが可能となる。
次いで、樹脂層１２２上に、絶縁層１２４を形成する。絶縁層１２４は、少なくとも樹脂
層１２２の耐熱温度以下の温度で形成する。また、前述のポストベーク処理における加熱
温度より低い温度で形成することが好ましい。
絶縁層１２４は、支持基板１２０や樹脂層１２２に含まれる不純物が、後に形成するトラ
ンジスタや表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのため
バリア性の高い材料を用いることが好ましい。また、後に形成するトランジスタの作製工
程において、樹脂層１２２へのダメージを抑制するバリア層として機能することもできる
。
絶縁層１２４として、具体的には、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化
シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機
絶縁膜を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジル
コニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、
酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積
層して用いてもよい。特に、支持基板１２０側から窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積
層膜を用いることが好ましい。
絶縁層１２４に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度を室温（例えば、２５℃）以
上３５０℃以下とするのが好ましく、１００℃以上３００℃以下とするのがより好ましい
。なお、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い絶縁膜とすることができるため好まし
い。
又は、絶縁層１２４として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層して用いてもよい。有機
絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポ
リイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニル
ブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等の有機樹脂を用いることが
できる。当該有機絶縁材料は、耐熱性が樹脂層１２２よりも高い材料を用いることが好ま
しい。
絶縁層１２４に有機絶縁膜を用いる場合、成膜時の温度は、室温以上３５０℃以下が好ま
しく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
次いで、絶縁層１２４上に、導電層１３２を形成する。導電層１３２は、一部がトランジ
スタのゲートとして機能する導電層である。導電層１３２の形成時の温度は、室温以上３
５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
表示装置が有する導電層には、それぞれ、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅
、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等の
金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができ
る。または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、タングステンを含むインジウム酸化
物、タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、チタンを含むインジウム酸化物、チタン
を含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＺｎＯ、ガリウムを添加したＺｎＯ
、またはシリコンを含むインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いてもよ
い。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは酸化
物半導体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、
グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成さ
れた酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有
させた酸化物半導体等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、もしくは銅等の
導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導
電性ペーストは、安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。
次いで、一部がゲート絶縁層として機能する絶縁層１３４を形成する（図２（Ｃ））。絶
縁層１３４は、絶縁層１２４に適用可能な無機絶縁膜を援用することができる。
次いで、樹脂層１２２の領域１２３と重なる領域の絶縁層１２４及び絶縁層１３４を除去
し、絶縁層１２４及び絶縁層１３４に、領域１２３に達する開口部を形成する。絶縁層１
２４及び絶縁層１３４の開口部は、それぞれ別の工程で形成してもよいし、一括で開口部
を形成してもよい。なお、本実施の形態では、半導体層の形成前に絶縁層１２４及び絶縁
層１３４に開口部を設ける場合を例に示すが、本発明の実施の形態はこれに限られない。
絶縁層１２４及び絶縁層１３４の開口部の形成は、それぞれの絶縁層の成膜後であって、
後に形成する導電層１３８ｄの形成前であればいずれのタイミングで行ってもよい。
次いで、絶縁層１３４上に半導体層を形成する。本発明の一態様の表示装置に適用可能な
半導体材料は特に限定されないが、酸化物半導体を用いることが好ましい。上述したよう
に、樹脂層１２２へのポストベーク時の加熱温度は、樹脂層１２２上に形成される各層の
成膜温度よりも高いことが好ましい。よって、樹脂層１２２の耐熱性を考慮するとトラン
ジスタの作製工程の最高温度が低いほど、樹脂層１２２に適用可能な材料の選択の幅を広
げることができる。一方、酸化物半導体は、低温ポリシリコンの作製工程で必要とされる
高温（例えば５００℃程度）での水素だし工程を必要としない。そのため、半導体材料と
して酸化物半導体を適用することで、樹脂層１２２に適用される樹脂材料として、耐熱温
度が例えば３５０℃程度の耐熱性の低い、低コストな材料を選択することが可能となる。
なお、樹脂層の耐熱性は、例えば加熱による重量減少率、具体的には５％重量減少温度等
により評価できる。樹脂層の５％重量減少温度は、４５０℃以下、好ましくは４００℃以
下、より好ましくは４００℃未満、さらに好ましくは３５０℃未満とすることができる。
また、トランジスタ１３０等の樹脂層１２２上に形成される素子の作製工程にかかる最高
温度を、３５０℃以下とすることが好ましい。
なお、酸化物半導体は、結晶化のためのレーザ工程を要しないため、結晶化のためのレー
ザ処理によるダメージを考慮して樹脂層１２２を厚膜化する必要がない点においても表示
装置を低コスト化することができる。さらに、酸化物半導体のバンドギャップは代表的に
は２．５ｅＶ以上であり、シリコンの１．１ｅＶよりも広い。このようにバンドギャップ
が広く、且つキャリア密度の小さい材料をトランジスタのチャネルに適用することで、ト
ランジスタのオフ状態における電流を低減することができるため、好適である。
本実施の形態では、半導体層として、例えばスパッタリング法によってＩｎとＧａとＺｎ
とを有する酸化物半導体層１３６を形成する（図２（Ｄ））。
酸化物半導体層１３６の結晶性については特に限定されない。また、酸化物半導体層１３
６は、単層構造又は積層構造とすることができる。酸化物半導体層１３６を積層構造とす
る場合には、同一の酸化物半導体材料を有し、組成の異なる層を積層させてもよいし、異
なる酸化物半導体材料を有する層を積層させてもよい。また、積層構造の酸化物半導体層
の各々の層の結晶性を同一のものとしてもよいし、異なるものとしてもよい。
酸化物半導体膜の成膜時の基板温度は、３５０℃以下が好ましく、室温以上２００℃以下
がより好ましく、室温以上１３０℃以下がさらに好ましい。なお、成膜時の基板の温度を
高めることにより、配向性を有する結晶部をより多く形成することができる。
また、酸化物半導体膜としては、不活性ガス（代表的にはＡｒガス）及び酸素ガスのいず
れか一方又は双方を用いて形成することができる。酸化物半導体膜の成膜時に酸素ガスを
用いる場合、成膜時の酸素の流量比（酸素分圧）を、０％より大きく３３％未満、好まし
くは５％以上３０％以下、より好ましくは５％以上２０％以下、さらに好ましくは５％以
上１５％以下、代表的には１０％とすることが好ましい。又は、酸化物半導体膜の成膜時
に酸素ガスを用いなくともよい。酸素流量を低減することにより、配向性を有さない結晶
部をより多く膜中に含ませることができる。
酸化物半導体膜の成膜に用いることの可能な酸化物ターゲットとしては、例えば、Ｉｎ－
Ｍ－Ｚｎ系酸化物（Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｙ、またはＳｎ）を適用することができる。特に
、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を用いることが好ましい。
なお、ここではスパッタリング法により形成する方法について説明したが、これに限定さ
れない。例えばパルスレーザー堆積（ＰＬＤ）法、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）
法、熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａ
ｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法などを用いてもよい。
熱ＣＶＤ法の例としては、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が挙げられる。
ついで、導電層１３８ａ、導電層１３８ｂ、導電層１３８ｃ、及び導電層１３８ｄを形成
する（図２（Ｅ））。導電層１３８ａ、導電層１３８ｂ、導電層１３８ｃ、及び導電層１
３８ｄは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした
後にレジストマスクを除去することで形成される。導電層１３８ａ及び導電層１３８ｂは
、それぞれ酸化物半導体層１３６と接続され、トランジスタのソース又はドレインとして
機能する導電層である。導電層１３８ｃは、画素部１０２の周辺部に配置され、後に形成
される液晶素子の第２の電極と電気的に接続される導電層である。導電層１３８ｄは、絶
縁層１２４及び絶縁層１３４の開口部を介して樹脂層１２２の領域１２３と接して設けら
れ、端子部１０４の電極として機能する導電層である。
なお、本実施の形態では、端子部１０４の電極として機能する導電層１３８ｄとして、ト
ランジスタのソース又はドレインとして機能する導電層１３８ａ、導電層１３８ｂと同層
の導電層を形成する例を示すが、本発明の実施の形態はこれに限られない。端子部１０４
の電極として機能する導電層は、トランジスタのゲートとして機能する導電層１３２と同
層の導電層によって形成してもよいし、導電層１３２と同層の導電層と、導電層１３８ａ
及び導電層１３８ｂと同層の導電層との積層構造としてもよい。導電層１３８ｃについて
も同様である。
なお、導電層１３８ａ及び導電層１３８ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われていな
い酸化物半導体層１３６の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。酸化物半導体
層１３６として配向性を有する結晶部を含む酸化物半導体層を用いると、この薄膜化を抑
制できる。
以上の工程によって、トランジスタ１３０が形成される。なお、トランジスタ１３０は、
導電層１３２よりも酸化物半導体層１３６の幅が大きい場合の例を示している。このよう
な構成により、導電層１３２と導電層１３８ａまたは導電層１３８ｂの間に酸化物半導体
層１３６が配置されるため、導電層１３２と導電層１３８ａまたは導電層１３２と導電層
１３８ｂとの間の寄生容量を小さくすることができる。
トランジスタ１３０を形成後、トランジスタ１３０を覆う絶縁層１４０を形成する（図２
（Ｅ））。絶縁層１４０は、絶縁層１２４、絶縁層１３４と同様の方法により形成するこ
とができる。
なお、絶縁層１４０として、酸素を含む雰囲気下で上述のような低温（３５０℃以下）で
成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい
。また当該酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、
透過しにくい絶縁膜を積層して形成することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で低温で形
成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる
。このような酸素を放出する酸化物絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層し
た状態で、加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層１３６に酸素を供給することがで
きる。その結果、酸化物半導体層１３６中の酸素欠損、及び酸化物半導体層１３６と絶縁
層１４０の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて
信頼性の高い半導体装置を実現できる。
次に、絶縁層１４０上に絶縁層１４２を形成する（図２（Ｆ））。絶縁層１４２は、後に
形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能することが好ま
しい。絶縁層１４２は、絶縁層１２４に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜
を援用することができる。
絶縁層１４２は、樹脂層１２２の耐熱温度以下の温度で形成する。また、前述のポストベ
ーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。例えば、絶縁層１４
２に有機絶縁膜を用いる場合、形成時の温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温
以上３００℃以下がさらに好ましい。又は絶縁層１４２に無機絶縁膜を用いる場合、形成
時の温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ま
しい。
次いで、絶縁層１４０及び絶縁層１４２に、導電層１３８ｃに達する開口部を形成後、絶
縁層１４２上に当該開口部を介して導電層１３８ｃと電気的に接続する液晶素子の第２の
電極１４４を形成する。第２の電極１４４は、共通電極としての機能を有する。第２の電
極１４４は、画素部１０２上全面にわたって形成され、後に形成される第１の電極１４８
とトランジスタ１３０とが電気的に接続する領域において開口部を有している。本実施の
形態では、第２の電極１４４がトランジスタ１３０と重なる開口部を有する場合を例示し
ている。第２の電極１４４を形成後、第２の電極１４４を覆う絶縁層１４６を形成する。
絶縁層１４６は、絶縁層１２４と同様に形成することができる。
その後、絶縁層１４０、絶縁層１４２及び絶縁層１４６に、導電層１３８ａに達する開口
部を形成し、絶縁層１４６上に当該開口部を介して導電層１３８ａと電気的に接続する液
晶素子の第１の電極１４８を形成する（図２（Ｆ））。第１の電極１４８は、画素電極と
しての機能を有する。
以上の工程で、樹脂層１２２を介して支持基板１２０上に、トランジスタ１３０、液晶素
子の第１及び第２の電極等の素子を有する素子形成層を作製することができる。
また、支持基板１２０と対向させるカラーフィルタ及びブラックマトリクスを有する素子
形成層を作製する。はじめに、支持基板１６０上に、樹脂層１６２を形成する（図３（Ａ
））。
支持基板１６０は、支持基板１２０と同様の材料を適用することができる。
樹脂層１６２としては、樹脂層１２２と同様の材料及び同様の作製工程を適用することが
できる。樹脂層１６２に含まれる樹脂材料は、樹脂層１２２に含まれる樹脂材料と同一の
材料であってもよいし、異なる材料を適用してもよい。ただし、樹脂層１６２に含まれる
樹脂材料には、その耐熱温度がカラーフィルタ及びブラックマトリクスの作製工程におけ
る最高温度よりも高い材料を選択するものとする。また、本実施の形態の表示装置１００
において、樹脂層１６２は表示素子の視認側に位置するため、樹脂層１６２（または分離
後の樹脂層１６２ｂ）は少なくとも該表示素子の表示領域と重なる領域において透光性を
有する必要がある。よって、樹脂層１６２としては透光性を有する材料を用いることが好
ましい。又は、支持基板１６０を分離後の樹脂層１６２ｂの膜厚を透光性を有する膜厚と
することが好ましい。ただし、支持基板１６０を分離後に、樹脂層１６２ｂを除去する場
合には、樹脂層１６２は透光性を有していなくてもよい。
次いで、樹脂層１６２上に、絶縁層１６４を形成する。絶縁層１６４は、絶縁層１２４と
同様の材料を適用することができる。絶縁層１６４は、樹脂層１６２に含まれる不純物が
、トランジスタや表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そ
のためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。
なお、絶縁層１２４及び絶縁層１６４として防湿性の高い膜を用いて、一対の防湿性の高
い絶縁層の間に表示素子及びトランジスタ等を配置することで、これらの素子に水等の不
純物が侵入することを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。
防湿性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含
む膜、及び、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また
、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
例えば、防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過率は、１×１０－５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］
以下、好ましくは１×１０－６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０
－７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０－８［ｇ／（ｍ２・ｄａ
ｙ）］以下とする。
次いで、絶縁層１６４上にブラックマトリクス１６６及びカラーフィルタ１６８を形成す
る（図３（Ｂ））。
ブラックマトリクス１６６は、金属材料または樹脂材料を用いることができる。金属材料
を用いる場合には、導電膜を成膜した後に、フォトリソグラフィ法等を用いて不要な部分
を除去することにより形成できる。また金属材料、顔料または染料を含む感光性の樹脂材
料を用いた場合は、フォトリソグラフィ法等により形成することができる。
カラーフィルタ１６８は、感光性の材料を用いることで、フォトリソグラフィ法等により
島状に加工することができる。
以上により、樹脂層１６２を介して支持基板１６０上にカラーフィルタ及びブラックマト
リクスを有する素子形成層を形成することができる。なお、支持基板１２０側の作製工程
と、支持基板１６０側の作製工程は、互いに独立して行うことができるため、その順序は
問われない。またはこれら２つの工程を並行して行ってもよい。
続いて、支持基板１２０と支持基板１６０とを、液晶１４９を挟んで貼り合せる。このと
き、画素部の外周を囲むように、シール材として機能する樹脂層１５２を形成する。樹脂
層１５２は、導電層１３８ｄを介して樹脂層１２２の領域１２３と重なる領域を有してい
る（図３（Ｃ））。
樹脂層１５２は、例えばスクリーン印刷法や、ディスペンス法等により、支持基板１２０
側又は支持基板１６０側に形成することができる。樹脂層１５２としては、熱硬化性樹脂
や紫外線硬化樹脂等を用いることができる。また、紫外線により仮硬化した後に、熱を加
えることにより硬化する樹脂などを用いてもよい。または、樹脂層１５２として、紫外線
硬化性と熱硬化性の両方を有する樹脂などを用いてもよい。
樹脂層１５２を形成後、液晶１４９をディスペンス法等により樹脂層１５２に囲まれた領
域に滴下する。続いて、液晶１４９を挟むように支持基板１２０と支持基板１６０とを貼
り合せ、樹脂層１５２を硬化する。貼り合せは、減圧雰囲気下で行うと支持基板１２０と
支持基板１６０との間に気泡等が混入することを防ぐことができるため好ましい。
なお、液晶１４９の滴下後に、画素部や、画素部の外側に粒状のギャップスペーサを散布
してもよいし、当該ギャップスペーサを含む液晶１４９を滴下してもよい。また、液晶１
４９は、支持基板１２０と支持基板１６０を貼り合せた後に、減圧雰囲気下において、樹
脂層１５２に設けた隙間から注入する方法を用いてもよい。
続いて、図４（Ａ）に示すように、支持基板１２０側から、支持基板１２０を介して樹脂
層１２２に光７０を照射する。光７０としては、好適にはレーザ光を用いることができる
。特に、線状のレーザを用いることが好ましい。光７０として、線状のレーザ光を用いる
場合には、支持基板１２０と光源とを相対的に移動させることで光７０を走査し、剥離し
たい領域にわたって光７０を照射する。なお、レーザ光と同等のエネルギーを照射可能で
あれば、フラッシュランプ等を用いてもよい。
光７０は、少なくともその一部が支持基板１２０を透過し、且つ樹脂層１２２に吸収され
る波長の光を選択して用いる。特に、光７０の波長としては、可視光線から紫外線の波長
領域の光を用いることが好ましい。例えば波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光、好
ましくは波長が２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の光を用いることが好ましい。特に、波長
３０８ｎｍのエキシマレーザを用いると、生産性に優れるため好ましい。エキシマレーザ
は、低温ポリシリコンにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存の低温ポリシリコン製
造ラインの装置を流用することができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。ま
た、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第三高調波である波長３５５ｎｍのＵＶレーザなどの固体ＵＶ
レーザ（半導体ＵＶレーザともいう）を用いてもよい。また、ピコ秒レーザ等のパルスレ
ーザを用いてもよい。
光７０の照射により、樹脂層１２２の支持基板１２０側の表面近傍、または樹脂層１２２
の内部の一部が改質され、支持基板１２０と樹脂層１２２との密着性が低下する。ここで
、樹脂層１２２の全面にわたって光を照射すると、樹脂層１２２全体が剥離可能となり、
後の分離の工程で支持基板１２０の外周部をスクライブ等により分断する必要がない。一
方、樹脂層１２２の外周部に光７０を照射しない領域を設けると、光７０を照射していな
い領域は密着性が高いままであるため、光７０の照射時に樹脂層１２２と支持基板１２０
とが分離してしまうことを抑制できる。
次いで、支持基板１２０と樹脂層１２２とを分離する（図４（Ｂ））。
分離は、支持基板１２０をステージに固定した状態で、支持基板１２０に垂直方向に引っ
張る力をかけることにより行うことができる。例えば支持基板１６０の上面の一部を吸着
し、上方に引っ張ることにより、引き剥がすことができる。ステージは、支持基板１２０
を固定できればどのような構成でもよいが、例えば真空吸着、静電吸着などが可能な吸着
機構を有していてもよいし、支持基板１２０を物理的に留める機構を有していてもよい。
また、分離は表面に粘着性を有するドラム状の部材を支持基板１６０の上面に押し当て、
ドラム状の部材を回転させることにより行ってもよい。このとき、剥離方向にステージを
動かしてもよい。
または、樹脂層１２２の外周部に光７０を照射しない領域を設けた場合、光を照射した部
分の一部に切欠き部を形成し、剥離のきっかけとしてもよい。切欠き部は、例えば鋭利な
刃物または針状の部材を用いることや、支持基板１２０と樹脂層１２２を同時にスクライ
ブにより切断すること等により形成することができる。
図４（Ｂ）では、樹脂層１２２が、支持基板１２０側に残存した樹脂層１２２ａと、絶縁
層１２４に接する樹脂層１２２ｂとに分離する例を示す。光７０の照射条件によっては、
樹脂層１２２の内部で分離（破断）が生じ、支持基板１２０側に樹脂層１２２ａが残存す
る場合がある。または、樹脂層１２２の表面の一部が融解する場合にも、同様に支持基板
１２０側に樹脂層１２２の一部が残存することがある。または、支持基板１２０と樹脂層
１２２の界面で剥離する場合、支持基板１２０側に樹脂層１２２ａが残存しないことがあ
る。
支持基板１２０側に残存する樹脂層１２２ａの厚さは、例えば、１００ｎｍ以下、具体的
には４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下程度とすることができる。残存した樹脂層１２２ａを除去
することで、支持基板１２０は再利用が可能である。例えば、支持基板１２０にガラスを
用い、樹脂層１２２にポリイミド樹脂を用いた場合は、酸素プラズマを用いたアッシング
、又は発煙硝酸等を用いて樹脂層１２２ａを除去することができる。
次いで、導電層１３８ｄの少なくとも一部が露出するまで、樹脂層１２２ｂを裏面（絶縁
層１２４と接する面と対向する面）側からエッチングする（図５（Ａ））。エッチングと
しては、ウェットエッチング法、ドライエッチング法を用いることができる。又は、酸素
プラズマを用いたアッシングにより樹脂層１２２ｂの一部を除去してもよい。なお、酸素
プラズマを用いたアッシングは、制御性が高い、面内均一性がよく大判基板を用いた処理
に適している等の利点を有するため、樹脂層１２２ｂの一部の除去に好適に用いることが
できる。
樹脂層１２２ｂの裏面へのエッチングは、樹脂層１２２ｂの裏面に対し略均一に施される
。なお、このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバックともいう。導電
層１３８ｄは、樹脂層１２２において膜厚の薄い領域１２３上に形成されているため、支
持基板１２０を分離後の樹脂層１２２ｂにおいても、導電層１３８ｄと接する一部はその
他の領域（例えば、トランジスタ１３０や、導電層１３８ｃが形成された領域）よりも小
さい膜厚を有する。よって、エッチバックにより樹脂層１２２ｂをエッチングすることで
、自己整合的に導電層１３８ｄの一部を露出させることができる。
なお、電極として機能する導電層１３８ｄを樹脂層１２２ｂに設けられた開口部から露出
させるためには、支持基板１２０に形成された樹脂層１２２に、支持基板１２０に達する
開口部を形成し、当該開口部に導電層を設ける方法を適用することも可能である。ただし
、支持基板１２０と樹脂層１２２との分離工程において、剥離の信頼性を向上させるため
には、支持基板１２０から分離される領域の全面にわたって樹脂層１２２が形成されてい
ることが好ましい。このような構成とすることで、剥離不良を生じることなく光７０が照
射された領域を一様に分離することが可能となるためである。よって、樹脂層１２２に膜
厚の薄い領域１２３を形成し、当該領域１２３上に導電層１３８ｄを設けることで、表示
装置の作製工程における信頼性を向上させることができる。
なお、樹脂層１２２ｂの一部を除去する工程において、酸素プラズマによるアッシングを
適用する場合、露出した導電層１３８ｄの表面が酸化されることがある。このような場合
には、導電層１３８ｄの一部を露出させた後、露出した導電層１３８ｄであって、酸化し
た領域をドライエッチング又はウェットエッチング等のエッチングにより除去することが
好ましい。
また、樹脂層１２２ｂのエッチング工程において、露出される導電層１３８ｄの下面と、
エッチングされた樹脂層１２２ｂの下面とを一致させることは困難であり、エッチングの
条件によっては導電層１３８ｄの下面が樹脂層１２２ｂの下面から突出し、凸部が形成さ
れる場合がある。図５（Ａ）では、導電層１３８ｄの下面が樹脂層１２２ｂの下面から突
出し、凸部が形成される場合を例に図示している。
次いで、樹脂層１２２ｂに、接着層１１２を用いて第１の基板１１０を接着する（図５（
Ｂ））。ここで、第１の基板１１０及び接着層１１２は、露出した導電層１３８ｄと重な
らない位置に配置される。
接着層１１２は、硬化型の材料を用いることが好ましい。例えば光硬化性を示す樹脂、反
応硬化性を示す樹脂、熱硬化性を示す樹脂等を用いることができる。特に、溶媒を含まな
い樹脂材料を用いることが好ましい。
第１の基板１１０としては、樹脂等を用いることができ、具体的には、例えば、ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル
樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリ
レート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポ
リアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、
ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポ
リ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。また、第１の基
板１１０は可撓性を有することが好ましい。
なお、樹脂層１２２ｂに固着される第１の基板１１０には、あらかじめ接着層１１４を用
いて、バックライト１１９及び偏光板１１８ａを有する基板１１６が貼り付けられている
ことが好ましい。ただし、第１の基板１１０を樹脂層１２２ｂに接着した後、バックライ
ト１１９及び偏光板１１８ａを有する基板１１６を接着層１１４によって、第１の基板１
１０に固着してもよい。接着層１１４には、接着層１１２と同様の材料を用いることがで
きる。
次いで、露出した導電層１３８ｄに接続体１０８を介してＦＰＣ１０６を熱圧着し、導電
層１３８ｄと、ＦＰＣ１０６とを電気的に接続させる（図５（Ｂ））。
接続体１０８としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせた、異方性導電フィルム
（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）及び異方性導電
ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等を
用いることができる。
上述したように、本発明の一態様の表示装置において、ＦＰＣ１０６と端子部１０４との
接続領域（導電層１３８ｄと接続体１０８とが接する領域）に重なるように、樹脂層１５
２が設けられている。これによって、ＦＰＣ１０６を実装する工程において、樹脂層１５
２が熱圧着の応力に対する緩和層として機能し、応力に起因するトランジスタ１３０や液
晶素子１５０等の素子、又は配線への損傷を抑制することができる。樹脂層１５２は、液
晶素子１５０を封止するためのシール材として機能する層でもあるため、新たに応力の緩
和層として機能する層を追加することなく、信頼性の高い表示装置を作製することが可能
となる。
なお、ＦＰＣ１０６を実装する工程において、導電層１３８ｄの下面が樹脂層１２２ｂの
下面から突出した領域を有している場合、当該領域が接続体１０８に埋め込まれ、導電層
１３８ｄと接続体１０８とが接する面積を拡大することが可能となる。これによって、導
電層１３８ｄと接続体１０８とを良好に導通させることができる。また、導電層１３８ｄ
において接続体１０８に埋め込まれた領域が、接続体１０８内でくさびのような働きをす
る（いわゆるアンカー効果を有する）。従って、導電層１３８ｄと接続体１０８、又は導
電層１３８ｄとＦＰＣ１０６との密着性を向上させることができる。
次いで、図５（Ｃ）に示すように、支持基板１６０側から支持基板１６０を介して樹脂層
１６２に光７０を照射する。光７０の照射方法については、先の説明を参酌することがで
きる。
続いて、支持基板１６０と樹脂層１６２とを分離する（図６（Ａ））。支持基板１６０と
樹脂層１６２との分離は、支持基板１２０と樹脂層１２２の分離についての説明を参酌す
ることができる。図６（Ａ）では、支持基板１６０側に樹脂層１６２ａが残存し、絶縁層
１６４に接して樹脂層１６２ｂが設けられた例を示している。
次いで、分離によって露出した樹脂層１６２ｂに接着層１５６を介して第２の基板１５４
を接着する（図６（Ｂ））。第２の基板１５４にはあらかじめ偏光板１１８ｂが形成され
ていてもよいし、第２の基板１５４を接着後、偏光板１１８ｂを形成してもよい。
接着層１５６は、接着層１１２と同様の構成とすることができる。第２の基板１５４は、
第１の基板１１０と同様の構成とすることができる。ただし、本実施の形態において、第
２の基板１５４は表示装置の視認側に設けられるため、第２の基板１５４としては、少な
くとも画素部１０２と重なる領域においては透光性を有する必要がある。
なお、接着層１５６を設ける前に、絶縁層１６４に接する樹脂層１６２ｂを除去して接着
層１５６と絶縁層１６４とを接する構成としてもよい。この場合、樹脂層１６２（又は樹
脂層１６２ｂ）は透光性を有していなくてもよい。
以上の工程によって、本実施の形態の表示装置１００を作製することができる。本発明の
一態様の表示装置１００は、端子部１０４の導電層１３８ｄとＦＰＣ１０６とが電気的に
接続する領域が樹脂層１５２と重なるように配置されている。これによって樹脂層１５２
をＦＰＣ１０６の熱圧着工程における押圧に対する緩衝材として機能させ、ＦＰＣ１０６
の熱圧着工程における、素子や配線等への損傷を抑制することができるため、表示装置１
００の信頼性を向上させることができる。
また、ＦＰＣ１０６を表示面とは反対側に配置することで、表示装置１００を電子機器に
組み込む際に、ＦＰＣ１０６を折り曲げるためのスペースを省くことができ、より小型化
した電子機器を実現できる。
また、導電層１３８ｄとＦＰＣ１０６との接続領域を、樹脂層１５２と重なるように配置
することで、画素部１０２を形成可能な領域を拡大し、表示装置１００の狭額縁化を図る
ことが可能となる。
なお、本実施の形態は、ほかの実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置であって実施の形態１と異なる構成を有す
る表示装置について図７を用いて説明する。具体的には、表示素子として発光素子を有す
る表示装置の構成例について説明する。
＜表示装置の構成例２＞
図７（Ａ）は、本実施の形態の表示装置２００の画素部１０２の一部及び端子部１０４を
示す断面図である。なお、表示装置２００の平面図は、図１（Ａ）と同様の構成とするこ
とができる。図７（Ａ）に示す表示装置２００は、実施の形態１に示す表示装置１００に
おける液晶素子１５０に変えて、発光素子１７０を有する表示装置である。
表示装置２００では、絶縁層１４２上に、画素電極としての機能を有する導電層１７２が
形成されている。導電層１７２は、絶縁層１４０及び絶縁層１４２に形成された開口部を
介してトランジスタ１３０のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続されている。
導電層１７２上に、導電層１７２の端部を覆う絶縁層１７３が形成されている。絶縁層１
７３は、絶縁層１２４に適用可能な有機絶縁膜又は無機絶縁膜を適用することができる。
絶縁層１７３上に、導電層１７２の一部と接するＥＬ層１７４が形成されている。ＥＬ層
１７４としては、有機ＥＬ層又は無機ＥＬ層を適用することができる。または、発光ダイ
オード（ＬＥＤ）を適用してもよい。ＥＬ層１７４は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法
などの方法で形成することができる。ＥＬ層１７４を画素毎に作り分ける場合、メタルマ
スクなどのシャドウマスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法等により形成するこ
とができる。ＥＬ層１７４を画素毎に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸
着法を用いることができる。
また、ＥＬ層１７４に接してＥＬ層１７４上に、導電層１７６が形成されている。導電層
１７６は、一部が共通電極として機能する。そして、一部が画素電極として機能する導電
層１７２、ＥＬ層１７４、及び一部が共通電極として機能する導電層１７６の積層構造に
よって発光素子１７０が構成される。
表示装置２００において、発光素子１７０とカラーフィルタ１６８及びブラックマトリク
ス１６６との間には、透光性を有する樹脂１７８が充填されている。樹脂１７８は、樹脂
層１２２ｂ側の素子（トランジスタ１３０、発光素子１７０等）と、樹脂層１６２ｂ側の
素子（カラーフィルタ１６８、ブラックマトリクス１６６等）とを接着する接着層として
の機能、発光素子１７０の表面と基板１５４の表面とを平行に保つ機能、又は、発光素子
１７０と基板１５４との界面における反射や屈折を防止する機能の少なくとも一を有する
。
樹脂１７８として、具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ
（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を用いること
ができる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹
脂を用いてもよい。
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入す
ることを抑制でき、表示装置の信頼性が向上するため好ましい。
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出し
効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジル
コニウム等を用いることができる。
なお、樹脂１７８として、硬化前の粘度が、硬化前の樹脂層１５２の粘度よりも低い粘度
の材料を用いることが好ましい。このような態様とすると、閉環状の樹脂層１５２を形成
後、当該閉環内に粘度の比較的低い樹脂１７８を容易に充填させることができる。
なお、樹脂１７８は必ずしも設ける必要がなく、樹脂１７８に変えて窒素や希ガスなどの
不活性ガス等の気体を充填してもよい。
表示装置２００において、その他の構成は、実施の形態１に示した表示装置１００と同様
の構成とすることができる。
＜表示装置の構成例３＞
図７（Ｂ）は、本実施の形態の表示装置２１０の画素部１０２の一部及び端子部１０４を
示す断面図である。なお、表示装置２１０の平面図は、図１（Ａ）と同様の構成とするこ
とができる。図７（Ｂ）に示す表示装置２１０は、図７（Ａ）の表示装置２００で示した
、樹脂層１５２及び樹脂１７８による発光素子１７０の封止に変えて、発光素子の封止に
絶縁層を用いた構成を有する表示装置である。
図７（Ｂ）に示す表示装置２１０は、発光素子１７０上に絶縁層１８０を有する。絶縁層
１８０は、発光素子１７０に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能
する。絶縁層１８０として、無機絶縁膜、特に成膜温度が高く緻密な無機絶縁膜を形成す
るとバリア性が高く不純物の拡散を抑制することができるため、好ましい。又は、絶縁層
１８０として、発光素子１７０に接する無機絶縁膜と、無機絶縁膜上の有機絶縁膜との積
層構造としてもよい。
絶縁層１８０に適用可能な無機絶縁層として、具体的には、例えば、窒化シリコン膜、酸
化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化ア
ルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イ
ットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウ
ム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。
なお、発光素子１７０上に絶縁層１８０を設ける場合、発光素子１７０の封止のためには
、シール材（樹脂層１５２）を必ずしも形成しなくてもよい。一方、ＦＰＣ１０６の熱圧
着時の応力緩和のためには、端子部１０４の導電層１３８ｄと重なる樹脂層を形成する必
要がある。表示装置２１０においては、シール材として機能する樹脂層に変えて、スペー
サ型の樹脂層１５５を有する場合を例に示す。
樹脂層１５５は、少なくとも導電層１３８ｄと、ＦＰＣ１０６との接続領域と重なる位置
に設けられていればよい。樹脂層１５５は、ＦＰＣ１０６の熱圧着時の緩衝材としての機
能の他に、支持基板１２０と支持基板１６０との間隙を一定に保つスペーサとしての機能
を有していてもよい。この場合、導電層１３８ｄと、ＦＰＣ１０６との接続領域と重なる
位置の他に、画素部１０２においてブラックマトリクス１６６と重なる領域に、樹脂層１
５５を設けてもよい。
樹脂層１５５には、樹脂層１５２と同様の材料、同様の作製方法を適用することができる
。
表示装置２１０において、その他の構成は、表示装置１００又は表示装置２００と同様の
構成とすることができる。
以上本実施の形態で示す表示装置２００及び表示装置２１０は、表示素子として発光素子
を有する、ＥＬ表示装置である。本発明の一態様のＥＬ表示装置は、端子部１０４の導電
層１３８ｄとＦＰＣ１０６とが電気的に接続する領域が樹脂層と重なるように配置される
ことで、ＦＰＣ１０６の熱圧着工程における、素子や配線等への損傷を抑制することがで
きる。よって、本発明の一態様のＥＬ表示装置は、信頼性の高い表示装置である。
また、ＦＰＣ１０６を表示面とは反対側に配置することで、ＥＬ表示装置を電子機器に組
み込む際に、ＦＰＣ１０６を折り曲げるためのスペースを省くことができ、より小型化し
た電子機器を実現できる。
なお、本実施の形態は、ほかの実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用可能な、端子部の他の構成例につい
て図８を用いて説明する。
図８（Ａ）は、端子部の電極として機能する導電層が導電層１３１と導電層１３８ｄとの
積層構造を有する場合の例である。図８（Ａ）では、絶縁層１２４及び絶縁層１３４の開
口部に配置された導電層１３１は、樹脂層１２２ｂの開口部から露出し、接続体１０８と
接する領域を有する。導電層１３１は、接続体１０８を介してＦＰＣ１０６と電気的に接
続されている。また、導電層１３１を覆って導電層１３１上に導電層１３８ｄが形成され
ている。
樹脂層１２２ｂの開口部から露出した領域を有する導電層１３１としては、酸化物導電層
を用いることが好ましい。導電層１３１に酸化物導電層を用いると、樹脂層１２２ｂの一
部を除去して導電層１３１を露出させる工程において酸素プラズマを用いたアッシングを
適用した場合に、導電層１３１の露出した表面が酸化されて導電性が低下することを抑制
することができるためである。導電層１３１に適用可能な酸化物導電層としては、酸化イ
ンジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加し
た酸化亜鉛などを適用することができる。
なお、樹脂層１２２ｂ上に設けられるトランジスタ１３０の半導体層として、酸化物半導
体層１３６を適用する場合には、導電層１３１を酸化物半導体層１３６と同層からなる層
としてもよい。酸化物半導体は、膜中の酸素欠損、及び膜中の不純物濃度（代表的には水
素、水等）のうち少なくとも一方によって、抵抗を制御することができる半導体材料であ
る。そのため、酸化物半導体層へ酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が増加する処
理、または酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が低減する処理を選択することによ
って、酸化物半導体層の有する抵抗率を制御することができる。よって、成膜後の酸化物
半導体層を低抵抗化させて、酸化物導電層として用いることが可能となる。
酸化物半導体層１３６と同層でなる導電層１３１は、成膜直後は半導体であるが、例えば
、導電層１３１上に接する導電層１３８ｄの形成工程において、導電層１３１に水素及び
窒素のうち少なくとも一方が供給されて抵抗率が低下することがある。又は、導電層１３
１上に接する導電層１３８ｄによって導電層１３１中の酸素が引き抜かれることで、導電
層１３１の抵抗率が低下することがある。又は、導電層１３８ｄの構成元素が導電層１３
１に入り込むことで、導電層１３１の抵抗率が低下することがある。なお、トランジスタ
１３０の酸化物半導体層１３６においてソース又はドレインとして機能する導電層１３８
ａ、１３８ｂと接する領域も、酸素が引き抜かれることまたは導電層１３８ａ、１３８ｂ
の構成元素が入り込むこと等により、抵抗率が低下することがある。このような場合、当
該低抵抗化した領域をソース領域又はドレイン領域として機能させることもできる。
なお、導電層１３１として、酸化物半導体層１３６と同層でなる層を低抵抗化させた層を
適用する場合、導電層１３１となる酸化物半導体層の抵抗率の制御には、上述の方法以外
の方法を適用することもできる。例えば希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水素
、ボロン、リン、及び窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いて行うプラズマ処
理を適用することもできる。例えば、Ａｒ雰囲気下、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下、Ａ
ｒと水素の混合ガス雰囲気下、アンモニア雰囲気下、Ａｒとアンモニアの混合ガス雰囲気
下、または窒素雰囲気下等でプラズマ処理を行うことで、酸化物半導体層のキャリア密度
を高め、抵抗率を低くすることができる。
または、イオン注入法、イオンドーピング法、もしくはプラズマイマージョンイオンイン
プランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リン、または窒素を酸化物半導体層に
注入して、抵抗率を低くすることができる。
または、水素及び窒素のうち少なくとも一方を含む膜を酸化物半導体層に接して形成し、
当該膜から酸化物半導体層に水素及び窒素のうち少なくとも一方を拡散させる方法によっ
て、キャリア密度を高め、低抵抗化された導電層１３１を形成することができる。
酸化物半導体層に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、
酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に
水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金
属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。こ
れにより、酸化物半導体層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。
また、表示装置の作製工程で加熱処理を行う場合、酸化物半導体層が加熱されることで、
酸化物半導体層から酸素が放出され、酸素欠損が増えることがある。これにより、酸化物
半導体層の抵抗率を低くすることができる。
なお、このように、酸化物半導体層を用いて形成された酸化物導電層は、キャリア密度が
高く低抵抗な酸化物半導体層、導電性を有する酸化物半導体層、または導電性の高い酸化
物半導体層ということもできる。
なお、上述したように、導電層１３８ｄを覆う絶縁層１４０には、酸素を放出する酸化物
絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜との積層を用いることが好ましい。当該積層
した状態で、加熱処理を行うことにより、トランジスタ１３０の酸化物半導体層１３６に
酸素を供給することができ、酸化物半導体層１３６中の酸素欠損、及び酸化物半導体層１
３６と絶縁層１４０の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができるためである
。一方、導電層１３１の導電性を維持するためには、導電層１３１は絶縁層１４０と接し
ないことが好ましい。図８（Ａ）では、導電層１３１が導電層１３８ｄで覆われているた
め、導電層１３１の抵抗が低い状態が維持される。
トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、導電層１３１とを同一の材
料及び同一の工程で形成することで、製造コストを低減させることができるため好ましい
。ただし、酸化物半導体層と導電層１３１は、同一の金属元素を有していても、組成が異
なる場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が
脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
図８（Ｂ）に、端子部の他の構成例として、樹脂層１２２ｂの開口部が、絶縁層１２４及
び絶縁層１３４によって覆われる場合を図示する。図８（Ｂ）に示す構成は、図２（Ｄ）
において、絶縁層１２４及び絶縁層１３４の開口部を樹脂層１２２の領域１２３内に位置
するように形成することで、作製される。
樹脂層１２２ｂの開口部を絶縁層１２４及び／又は絶縁層１３４で覆う構成とすることで
、当該絶縁層を水等の不純物に対するバリア層として機能させて、樹脂層１２２ｂの開口
部からの不純物の侵入を抑制することができる。これによって、表示装置の信頼性を向上
させることができる。一方、図２等に示すように、樹脂層１２２ｂの開口部に接して導電
層１３８ｄ又は導電層１３１を形成すると、接続体１０８との接続領域を拡大することが
できるため、ＦＰＣ１０６との接続を良好に行うことができる。又は、同等の接続領域を
得るための端子部の面積を縮小することができる。
なお、図８（Ｂ）では、樹脂層１２２ｂの開口部が絶縁層１２４及び絶縁層１３４によっ
て覆われる場合を例に示したが、本実施の形態はこれに限られない。例えば、樹脂層１２
２ｂの開口部は絶縁層１２４の単層によって覆われていてもよいし、絶縁層１３４の単層
によって覆われていてもよい。
図８（Ｃ）に、図８（Ａ）に示す端子部の構成において、樹脂層１２２ｂの開口部が絶縁
層１２４及び絶縁層１３４によって覆われる場合を図示する。図８（Ｃ）に示す構成とす
ることで、樹脂層１２２ｂの開口部からの水等の不純物の侵入を防止することができる。
また、導電層１３１として、酸化物導電層を用いると、樹脂層１２２ｂの一部を除去して
導電層１３１を露出させる工程において、酸素プラズマを用いたアッシングを適用した場
合に、導電層１３１の露出した表面が酸化されて導電性が低下することを抑制することが
できる。
図８（Ｄ）に、端子部の電極として、トランジスタ１３０のゲートとして機能する導電層
１３２と同層の導電層１３２ａと、ソース又はドレインとして機能する導電層１３８ａ、
１３８ｂと同層の導電層１３８ｄとの積層構造を有する構成を示す。導電層１３２ａ及び
導電層１３８ｄの積層構造とすることで、端子部の電極の電気抵抗を下げることができる
。
なお、導電層１３２ａとして、酸化物導電層を用いると、樹脂層１２２ｂの一部を除去し
て導電層１３２ａを露出させる工程において、酸素プラズマを用いたアッシングを適用し
た場合に、導電層１３２ａの露出した表面が酸化されて導電性が低下することを抑制する
ことができるため好ましい。また、導電層１３２ａ、導電層１３２に酸化物導電層を用い
る場合、酸化物半導体層を成膜後に低抵抗化させ、酸化物導電層としてもよい。
なお、図８（Ｄ）では、樹脂層１２２ｂの開口部を覆うように絶縁層１２４が設けられた
例を示す。例えば、絶縁層１２４を形成した後、絶縁層１２４の開口部を樹脂層１２２の
領域１２３内に位置するように形成することで、絶縁層１２４によって樹脂層１２２ｂの
開口部を覆うことができる。または、樹脂層１２２に領域１２３に変えて支持基板１２０
に達する開口部を形成後、当該開口部を覆うように絶縁層１２４を形成し、支持基板１２
０を分離後に樹脂層１２２ｂの裏面側から露出した絶縁層１２４をエッチングして導電層
１３２ａの一部を露出させてもよい。
なお、本実施の形態で示す端子部の構成は、それぞれを組み合わせることも可能である。
例えば、図８（Ｄ）において、樹脂層１２２ｂの開口部と導電層１３２ａが接する構成と
してもよいし、端子部の電極として、導電層１３２ａと導電層１３１と導電層１３８ｄの
積層構造を有していてもよい。
なお、図示しないが、図８に示す端子部を有す表示装置において、表示素子として液晶素
子を用いる場合には、偏光板、バックライト等の構成を適宜設けることができる。
なお、本実施の形態は、ほかの実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用可能なトランジスタの他の構成例に
ついて、図９を用いて説明する。なお、図９に示すトランジスタにおいて、実施の形態１
と同様の機能を有する要素の材料、形成方法については、実施の形態１の説明を参酌する
ことができる。
図９（Ａ）に示すトランジスタ１９０は、トランジスタ１３０と比較して、導電層１３９
及び絶縁層１４１を有する点で相違している。導電層１３９は、絶縁層１４０上に設けら
れ、酸化物半導体層１３６と重なる領域を有する。また絶縁層１４１は、導電層１３９及
び絶縁層１４０を覆って設けられている。
導電層１３９は、酸化物半導体層１３６を挟んで導電層１３２とは反対側に位置しており
、トランジスタ１９０の第２のゲート電極として機能させることができる。このような構
成として、導電層１３２と導電層１３９に同じ電位を与えることで、トランジスタ１９０
のオン電流を高めることができる。また導電層１３２及び導電層１３９の一方にしきい値
電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジス
タのしきい値電圧を制御することができる。
導電層１３９としては、酸化物を含む導電性材料を用いることが好ましい。これにより、
導電層１３９を構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下で成膜することで、絶縁
層１４０に酸素を供給することができる。好適には、成膜ガス中の酸素ガスの割合を９０
％以上１００％以下の範囲とすることが好ましい。絶縁層１４０に供給された酸素は、後
の熱処理により酸化物半導体層１３６に供給され、酸化物半導体層１３６中の酸素欠損の
低減を図ることができる。
特に、導電層１３９には低抵抗化された酸化物半導体を用いることが好ましい。このとき
、絶縁層１４１に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好まし
い。絶縁層１４１の成膜中、またはその後の熱処理によって導電層１３９中に水素が供給
され、導電層１３９の電気抵抗を効果的に低減することができる。
図９（Ｂ）に示すトランジスタ１９２は、トップゲート構造のトランジスタである。
トランジスタ１９２は、絶縁層１２４上に形成された酸化物半導体層１３６と、酸化物半
導体層１３６上の絶縁層１９６と、絶縁層１９６を介して酸化物半導体層１３６と重なる
導電層１９８とを有する。また、絶縁層１４０は、酸化物半導体層１３６の上面及び側端
部、絶縁層１９６の側面、及び導電層１９８を覆って設けられている。導電層１３８ａ及
び導電層１３８ｂは、絶縁層１４０上に設けられている。導電層１３８ａ及び導電層１３
８ｂは、絶縁層１４０に設けられた開口部を介して、酸化物半導体層１３６と電気的に接
続されている。
なお、ここでは絶縁層１９６が導電層１９８をマスクとして加工され、絶縁層１９６の上
面形状が、導電層１９８の上面形状と略一致する場合の例を示しているが、絶縁層１９６
は酸化物半導体層１３６の上面及び側端部を覆って設けられていてもよい。
トランジスタ１９２は、導電層１９８と導電層１３８ａまたは導電層１３８ｂとの物理的
な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である。
図９（Ｃ）に示すトランジスタ１９４は、トランジスタ１９２と比較して、導電層１３２
及び絶縁層１３４を有している点で相違している。導電層１３２は絶縁層１２４上に設け
られ、酸化物半導体層１３６と重なる領域を有する。また絶縁層１３４は、導電層１３２
及び絶縁層１２４を覆って設けられている。
導電層１３２は、上記導電層１３９と同様にトランジスタの第２のゲート電極として機能
させることができる。そのため、オン電流を高めることや、しきい値電圧を制御すること
などが可能である。
なお、本実施の形態は、ほかの実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、ほかの実施の形態と異なる表示装置の構成例について、図１０を参照
して説明する。
図１０（Ａ）は、本実施の形態の表示装置２２０Ａの構成例を示す斜視図である。表示装
置２２０Ａは、第１の基板１１０と第２の基板１５４によって封止された画素部１０２と
、端子部１０４と、端子部１０４に電気的に接続されたＩＣチップ２２４を有する基板２
２６と、ＩＣチップ２２４に電気的に接続されたＦＰＣ１０６とを有する。表示装置２２
０Ａでは、端子部１０４の電極と、基板２２６の一端に配置されたＩＣチップ２２４の配
線とが電気的に接続され、基板２２６の他端に配置されたＩＣチップ２２４の配線と、Ｆ
ＰＣ１０６とが電気的に接続されることで、端子部１０４とＦＰＣ１０６とが電気的に接
続している。
表示装置２２０Ａにおいて、基板２２６に、外付けの周辺駆動回路としてＩＣチップ２２
４が実装されている。ＩＣチップ２２４の配線は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）又は異
方性導電ペースト（ＡＣＰ）等の接続体によって端子部１０４の電極と電気的に接続され
ている。基板２２６にＩＣチップ２２４を設けることで、第１の基板１１０の上方にゲー
ト駆動回路又はソース駆動回路等の駆動回路を設ける場合と比較して画素部１０２の面積
を拡大することができ、表示装置を狭額縁化することが可能となる。
また、表示装置２２０Ａにおいて、ＩＣチップ２２４を有する基板２２６を介して、ＦＰ
Ｃ１０６を実装することで、ＩＣチップを実装したＦＰＣ１０６を端子部１０４に接続さ
せる場合と比較して、ＦＰＣを小型化させることができる。これによって、表示装置２２
０Ａを電子機器に組み込む際に、ＦＰＣ１０６を折り曲げるためのスペースを省スペース
化することができるため、さらに小型化した電子機器を実現できる。
画素部１０２の駆動回路として外付けのＩＣチップと、ＦＰＣとを実装する場合、ＩＣチ
ップとＦＰＣとの実装に要される端子部のマージンが大きくなる場合がある。そこで、図
１０に示すように、ＩＣチップ２２４を有する基板２２６を介してＦＰＣ１０６を実装す
ることで、端子部１０４に必要とされるマージンを縮小することができる。このような構
成は、複数のＩＣチップを実装する場合に特に効果的である。なお、ＦＰＣ１０６として
さらにＩＣチップを有するＦＰＣを適用してもよい。
なお、ＦＰＣ１０６の配置は、図１０（Ａ）に限られず、例えば図１０（Ｂ）に示す表示
装置２２０Ｂのように、基板２２６と接続された一端と対向する他端を端子部１０４側に
配置してもよい。
なお、本実施の形態に示す表示装置２２０Ａ、２２０Ｂがタッチセンサ等のセンサを有す
る場合、ＩＣチップ２２４としてセンサ駆動回路を実装させてもよい。また、本実施の形
態に示す表示装置２２０Ａ、２２０Ｂにおいて基板２２６には、基板１１０に適用可能な
材料を援用することができる。
なお、本実施の形態は、ほかの実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる電子機器について、図
１１を用いて説明する。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパー
ソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカ
メラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生
装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
本発明の一態様の電子機器は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の
内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。
本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、
二次電池を充電することができると好ましい。
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオ
ンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラ
ジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる
。
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信する
ことで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及
び二次電池を有する場合、アンテナを非接触電力伝送に用いてもよい。
本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数
、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、
放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有
していてもよい。
本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（
静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレン
ダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行す
る機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機
能等を有することができる。
さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を
表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または複数の表示部に視
差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有することができる
。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画または動画を撮影する機能、撮影
した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部または電子機
器に内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能等を有することができ
る。なお、本発明の一態様の電子機器が有する機能はこれらに限定されず、様々な機能を
有することができる。
図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示
す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行
うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。
表示部７０００は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。本発明の一態様に
より、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図１１（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。図１１（Ａ）に示す携帯電話機７１１０は、筐
体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ
７１０５、マイク７１０６、カメラ７１０７等を有する。
携帯電話機７１１０は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは
文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れるこ
とで行うことができる。
また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００に
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
また、携帯電話機内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けること
で、携帯電話機の向き（縦か横か）を判断して、表示部７０００の画面表示の向きを自動
的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部７
０００を触れること、操作ボタン７１０３の操作、またはマイク７１０６を用いた音声入
力等により行うこともできる。
図１１（Ｂ）に携帯情報端末の一例を示す。図１１（Ｂ）に示す携帯情報端末７２１０は
、筐体７２０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、ス
ピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部７０
００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７
０００に触れることで行うことができる。
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等か
ら選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ
用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子
メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの
種々のアプリケーションを実行することができる。
携帯情報端末７２１０は、文字及び画像情報等をその複数の面に表示することができる。
例えば、３つの操作ボタン７２０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７２０３を他の面
に表示することができる。図１１（Ｂ）では、携帯情報端末７２１０の上側に操作ボタン
７２０２が表示され、携帯情報端末７２１０の横側に情報７２０３が表示される例を示す
。なお、例えば携帯情報端末７２１０の横側に操作ボタン７２０２を表示し、例えば携帯
情報端末７２１０の上側に情報７２０３を表示してもよい。また、携帯情報端末７２１０
の３面以上に情報を表示してもよい。
情報７２０３の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知
、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名
、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報７２０３
が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい
。
図１１（Ｃ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７３００は、筐体７３
０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７３０３により筐体７３
０１を支持した構成を示している。
図１１（Ｃ）に示すテレビジョン装置７３００の操作は、筐体７３０１が備える操作スイ
ッチや、別体のリモコン操作機７３１１により行うことができる。または、表示部７００
０にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作しても
よい。リモコン操作機７３１１は、当該リモコン操作機７３１１から出力する情報を表示
する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７３１１が備える操作キーまたはタッチ
パネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示され
る映像を操作することができる。
なお、テレビジョン装置７３００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無
線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双
方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能であ
る。
図１１（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）に、可撓性を有し、曲げることのできる表示部７００１を
有する携帯情報端末の一例を示す。
表示部７００１は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。また、表示部７０
０１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報
端末を操作することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備え、且
つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図１１（Ｄ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド
７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バン
ド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有
するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００
１またはバンド７８０１等と重ねて配置してもよい。
バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、
携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。
操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシ
ステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。
また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケー
ションを起動することができる。
また、携帯情報端末７８００は、通信規格に準拠した近距離無線通信を実行することが可
能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリ
ーで通話することもできる。
また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８
０２を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うこと
ができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形
態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行
ってもよい。
図１１（Ｅ）、（Ｆ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図１１（Ｅ）で
は、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図１１（Ｆ）では、表示部７
００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端
末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使
用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の
汚れ及び傷つきを抑制できる。なお、図１１（Ｅ）、（Ｆ）では携帯情報端末７６５０を
２つ折りにした構成を示しているが、携帯情報端末７６５０は３つ折りにしてもよいし、
４つ折り以上にしてもよい。また、携帯情報端末７６５０は、操作ボタン、外部接続ポー
ト、スピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。
本発明の一態様を用いて作製された表示装置を用いることで、可撓性を有する電子機器を
信頼性高く作製することができる。または、本発明の一態様を用いて作製された表示装置
を用いることで、電子機器を低コストで作製することができる。
本実施の形態は、ほかの実施の形態と適宜組み合わせることができる。
７０ 光
１００ 表示装置
１０２ 画素部
１０４ 端子部
１０６ ＦＰＣ
１０８ 接続体
１１０ 基板
１１２ 接着層
１１４ 接着層
１１６ 基板
１１８ａ 偏光板
１１８ｂ 偏光板
１１９ バックライト
１２０ 支持基板
１２１ 前駆層
１２２ 樹脂層
１２２ａ 樹脂層
１２２ｂ 樹脂層
１２３ 領域
１２４ 絶縁層
１３０ トランジスタ
１３１ 導電層
１３２ 導電層
１３２ａ 導電層
１３４ 絶縁層
１３６ 酸化物半導体層
１３８ａ 導電層
１３８ｂ 導電層
１３８ｃ 導電層
１３８ｄ 導電層
１３９ 導電層
１４０ 絶縁層
１４１ 絶縁層
１４２ 絶縁層
１４４ 電極
１４６ 絶縁層
１４８ 電極
１４９ 液晶
１５０ 液晶素子
１５２ 樹脂層
１５４ 基板
１５５ 樹脂層
１５６ 接着層
１６０ 支持基板
１６２ 樹脂層
１６２ａ 樹脂層
１６２ｂ 樹脂層
１６４ 絶縁層
１６６ ブラックマトリクス
１６８ カラーフィルタ
１７０ 発光素子
１７２ 導電層
１７３ 絶縁層
１７４ ＥＬ層
１７６ 導電層
１７８ 樹脂
１８０ 絶縁層
１９０ トランジスタ
１９２ トランジスタ
１９４ トランジスタ
１９６ 絶縁層
１９８ 導電層
２００ 表示装置
２１０ 表示装置
２２０Ａ 表示装置
２２０Ｂ 表示装置
２２４ ＩＣチップ
２２６ 基板
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７１０７ カメラ
７１１０ 携帯電話機
７２０１ 筐体
７２０２ 操作ボタン
７２０３ 情報
７２１０ 携帯情報端末
７３００ テレビジョン装置
７３０１ 筐体
７３０３ スタンド
７３１１ リモコン操作機
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ

Claims (1)

  1. 可撓性を有する第１の基板と、
    前記第１の基板上方の、端子部及び画素部と、
    前記端子部上方の樹脂層と、
    前記端子部及び前記画素部上方の第２の基板と、
    ＦＰＣと、を有し、
    前記画素部は、トランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続された表示素子とを有し、
    前記端子部は、前記トランジスタのソース及びドレイン、又は、ゲートの少なくとも一方と同層の導電層を有し、
    前記ＦＰＣは、前記導電層と電気的に接続され、
    前記ＦＰＣは、前記画素部と重なる領域と、前記導電層を介して前記樹脂層と重なる領域とを有する表示装置。
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