JP2023039620A - 回収装置および回収方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体デバイスの端部の不純物を精度良く自動で回収することができる回収装置および回収方法を提供する。【解決手段】本実施形態による回収装置は、基板を載置可能なステージを備える。磁場生成部は、磁性流体と回収液とを含む第１液体を磁場によって保持し、基板の少なくとも端部に第１液体を接触させる。回収部は、第１液体を磁場生成部から回収する。分離部は、第１液体から回収液を分離させる。【選択図】図１

Description

本実施形態は回収装置および回収方法に関する。
半導体デバイスが不要な金属で汚染された場合、半導体デバイスの性能劣化またはその製造工程における不具合を引き起こす。このような金属汚染による不良原因および不良箇所を特定するために、ＩＣＰ－ＭＳ（Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry）等のような金属分析装置が用いられる場合がある。金属分析装置は、半導体デバイス上の被測定部位を、液体を染み込ませたふき取り材で拭取って金属汚染を回収し、あるいは、半導体デバイス上に液体を走査してから金属汚染を含んだ液体を回収し、その回収された液体に含まれる金属成分を質量分析する。
液体で金属を回収するためには、半導体デバイスの被測定部を拭き取り材で拭取る方法、あるいは、ノズルに保持した液体で半導体デバイスの表面を走査する方法がある。しかし、これらの従来の方法では、半導体デバイスの端部（ベベル部）の金属を精度良く自動で回収することが困難であった。
特開昭６２－１６０７１９号公報 特表２００３－５２４２９３号公報
半導体デバイスの端部の不純物を精度良く自動で回収することができる回収装置および回収方法を提供する。
本実施形態による回収装置は、基板を載置可能なステージを備える。磁場生成部は、磁性流体と回収液とを含む第１液体を磁場によって保持し、基板の少なくとも端部に第１液体を接触させる。回収部は、第１液体を磁場生成部から回収する。分離部は、第１液体から回収液を分離させる。
第１実施形態による金属分析装置の構成例を示すブロック図。 本実施形態による液体の回収方法の一例を示すフロー図。 本実施形態の変形例１による磁場生成部の構成例を示す斜視図。 本実施形態の変形例２による磁場生成部の構成例を示す斜視図。 磁場生成部と磁場生成部との間の液体の様子を示す図。 半導体基板の端部を液体に接触させる様子を示す図。 液体を容器へ回収する様子を示す図。 回収液を磁性流体から分離させる様子を示す図。 回収液を分析装置へ搬送する様子を示す図。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による金属分析装置１の構成例を示すブロック図である。金属分析装置１は、例えば、ＩＣＰ－ＭＳ等の分析装置でよい。尚、データや制御信号の流れは破線矢印で示している。液体の流れは実線矢印で示している。
金属分析装置１は、回収装置２と、分析装置３とを備える。回収装置２は、ステージ２１と、磁場生成部２２ａ、２２ｂ、２５と、回収部２３と、容器２４と、液体供給部２６と、液体貯留部２７と、コントローラ２８と、メモリ２９とを備えている。尚、回収装置２は、常圧雰囲気または減圧雰囲気中にあってもよい。
ステージ２１は、半導体基板Ｗを載置可能であり、かつ、半導体基板Ｗを矢印Ａ１に示す方向に回転させることができる。ステージ２１は、駆動部Ｄによって回転駆動される。駆動部Ｄは、コントローラ２８によって制御される。
磁場生成部２２ａおよび磁場生成部２２ｂは、ステージ２１の横に、互いにＺ方向（略鉛直方向）に対向するように配置されている。磁場生成部２２ａと磁場生成部２２ｂとの間の間隙（即ち、対向面間の距離）Ｇは、ステージ２１上の半導体基板Ｗの高さとほぼ同じレベルに配置される。また、間隙Ｇは、磁場生成部２２ａおよび磁場生成部２２ｂが半導体基板Ｗに接触しないように、半導体基板Ｗの厚みよりも広くなっている。これにより、ステージ２１または磁場生成部２２ａ、２２ｂをＸ方向（略水平方向）に相対的に移動させることによって半導体基板Ｗを間隙Ｇに差し込むことができる。
磁場生成部２２ａおよび磁場生成部２２ｂは、磁性流体と回収液とを含む液体５を磁場によって間隙Ｇに保持する。間隙Ｇに半導体基板Ｗを差し込むことによって、半導体基板Ｗの少なくとも端部（ベベル部）に液体５を接触させる。半導体基板Ｗの端部に液体５を接触させながら、半導体基板Ｗを回転させることによって、半導体基板Ｗの端部にある金属汚染を液体５に溶出させ取り込むことができる。
磁場生成部２２ａ、２２ｂは、例えば、電磁石であり、コントローラ２８によって間隙Ｇに印加される磁場を制御する。例えば、コントローラ２８の制御を受けて磁場生成部２２ａ、２２ｂに所定の電力が供給されると、磁場生成部２２ａ、２２ｂはオン状態になり、間隙Ｇに所定の強さの磁場が発生する。コントローラ２８が磁場の強さを制御することによって、液体５は、磁場生成部２２ａと磁場生成部２２ｂとの間に亘って連続するように保持され得る。即ち、液体５は、自重に対して磁場によって対抗し、間隙Ｇに保持され得る。一方、磁場生成部２２ａ、２２ｂへの電力が遮断され磁場生成部２２ａ、２２ｂがオフ状態になると、間隙Ｇの磁場が消失する。これにより、液体５は、間隙Ｇに保持されず、自重で回収部２３へ流れ落ちる。
液体５は、磁性流体と回収液とを含む液体である。磁性流体は、強磁性体粒子または常磁性体粒子に界面活性剤を吸着させることで磁性粒子を液体中に分散させた液体である。強磁性体粒子または常磁性体粒子は、例えば、マグネタイト（Ｆｅ３Ｏ４）粒子、鉄粒子、コバルト粒子等でよい。強磁性体粒子または常磁性体粒子の粒径は、例えば、約１０ｎｍである。界面活性剤は、オレイン酸等を原料として生成され、強磁性体粒子または常磁性体粒子の凝集を抑制するために、１層もしくは２層の被膜を作るように強磁性体粒子または常磁性体粒子に吸着する。また、強磁性体粒子または常磁性体粒子は、酸性環境あるいは酸性液体に耐性を持つような被膜を有する必要がある。
磁性流体は、磁場に反応する液体であり、磁場を印加することによってその形や位置が或る程度制御され得る。従って、磁性流体に回収液を混合させた液体５も、磁場を印加することによってその形や位置が或る程度制御され得る。磁性流体の粘度は、磁場印加環境において磁場の大きさによって形を保持することができる程度であればよい。
回収液は、質量分析の対象となる物質（例えば、金属）を溶解させる液体である。回収液は、特に限定しないが、例えば、ＨＦ、ＨＣＬ、ＨＮＯ３、Ｈ２Ｏ２のいずれかを含む液体でよい。金属汚染が例えば、酸化還元電位の低いＮａ等である場合、回収液はＨＦとＨ２Ｏの混合液でよい。ＨＦとＨ２Ｏの混合液では回収効率が低い金属汚染（例えば、酸化還元電位の高いＣｕ、Ａｇ等）である場合、回収液としては、ＨＦとＨＣＬとＨ２Ｏ２、またはＨＦとＨＮＯ３とＨＣｌの混合液を用いればよい。
液体５における磁性流体および回収液の濃度は、磁場に反応して形状を保持可能であり、かつ、金属汚染を溶解可能な程度である。例えば、液体５における磁性流体の濃度は、おおよそ１０ｗｔ％であり、回収液の濃度は、金属汚染元素種に依って、コンマ数ｗｔ％～数十ｗｔ％と適宜調整可能である。
また、液体５から回収液を分離後、磁性流体から強磁性粒子または常磁性粒子のみを取り出して洗浄することによって、強磁性粒子または常磁性粒子を繰り返し再利用してもよい。これにより、液体５にかかるコストを低減させることができる。
質量分析の対象となる物質は、金属であればいずれの元素でもよい。
回収部２３は、磁場生成部２２ａ、２２ｂと分離部の容器２４との間を連結して液体５を磁場生成部２２ａ、２２ｂから容器２４へ流す器具である。例えば、回収部２３は、Ｕ次またはＶ次の樋、円筒形の管であってもよい。回収部２３は、非磁性体であり、かつ、液体５に対して耐腐食性の材料で構成されている。回収部２３には、例えば、非磁性のフッ素樹脂が用いられる。
容器２４は、回収部２３からの液体５を滞留させる器具である。容器２４は、非磁性体であり、かつ、液体５に対して耐腐食性の材料で構成されている。容器２４には、例えば、非磁性のフッ素樹脂が用いられ、椀形状を有する。尚、容器２４は、磁場生成部２５と協働して分離部として機能する。容器２４は、特に限定しないが、例えば、開口部が広く、かつ、底に近づくに従って狭くなるような、逆円錘あるいは逆多角錘等の形状を有する。
磁場生成部２５は、容器２４の外部から容器２４に滞留する液体５に磁場を印加する。磁場生成部２５は、磁場生成部２２ａ、２２ｂと同様に、例えば、電磁石であり、コントローラ２８によって液体５に印加する磁場を制御する。例えば、コントローラ２８の制御を受けて磁場生成部２５に所定電力が供給されると、磁場生成部２５がオン状態になり、所定の強度の磁場が発生する。磁場生成部２５は、液体５に磁場を印加することによって、液体５のうち磁性流体を容器２４内で偏在させ、磁性流体と回収液とを分離する。例えば、磁場生成部２５は、磁性流体を容器２４の底部に引き寄せ、逆に回収液を容器２４の上方に分離させる。回収液は、容器２４において上澄み液として磁性流体とは別に分離される。
磁場生成部２５は、液体５を磁性流体と回収液とに分離可能な程度の大きさの磁場を生成する。一方、磁場生成部２２ａ、２２ｂは、磁性流体と回収液とを分離させず、かつ、液体５を間隙Ｇに保持できる程度の大きさの磁場を生成する。よって、磁場生成部２５は、磁場生成部２２ａ、２２ｂに比べて強い磁場を生成し、この磁場を液体５に印加する。
液体供給部２６は、磁場生成部２２ａ、２２ｂに液体５を供給する。例えば、液体供給部２６は、液体５を貯留する液体貯留部２７と配管で接続されており、液体５を液体貯留部２７から吸引して、磁場生成部２２ａと磁場生成部２２ｂとの間に供給する。このとき、磁場生成部２２ａ、２２ｂが間隙Ｇに磁場を印加していれば、液体５は、間隙Ｇに保持され得る。
液体供給部２６は、液体５を通過させる管状体でよい。液体貯留部２７は、液体５を貯留可能なコンテナでよい。液体供給部２６および液体貯留部２７も、非磁性体であり、かつ、液体５に対して耐腐食性の材料で構成されている。液体供給部２６および液体貯留部２７には、例えば、非磁性のフッ素樹脂が用いられる。
配管２０は、容器２４内と分析装置３との間を接続し、回収液を容器２４から分析装置３へ搬送する。配管２０には、図示しないポンプが設けられ、回収液を容器２４から分析装置３へ搬送可能にする。配管２０も、非磁性体であり、かつ、液体５に対して耐腐食性の材料で構成されている。配管２０には、例えば、非磁性のフッ素樹脂が用いられる。
分析装置（例えば、ＩＣＰ－ＭＳ装置）３は、プラズマトーチ１２１と、質量分析部１２４とを備える。分析装置３は、回収液に含まれる分析対象の金属（元素）の含有量を特定するために、回収液を気化して定量分析する。プラズマトーチ１２１は、配管２０からの回収液を気化し、キャリアガスと混合してプラズマでイオン化する。質量分析部１２４は、イオン化されたガスから回収液に含まれている不純物の元素の信号強度（スペクトル）を検出する。質量分析部１２４は、不純物のイオンを検出し、その検出結果に基づく定量分析を行う。また、質量分析部１２４は、定量分析によって得られた結果データに基づいて演算を実行する演算部１２５を含む。演算部１２５には、例えば、コンピュータ等を用いればよい。また、本実施形態において分析装置３が用いられているが、分析装置３は、ＩＣＰ－ＭＳ装置のほか、ＩＣＰ－ＯＥＳ（ＩＣＰ－Optical Emission Spectrometer）を用いてもよい。この場合、ＩＣＰ－ＯＥＳ部は、気化された回収液から得られる光波長（スペクトル）に基づいて不純物の元素の含有量を特定する。対象元素は、例えば、シリコン、メタル等の元素である。
コントローラ２８は、例えば、パーソナルコンピュータで構成してもよく、あるいは、ＣＰＵ等の半導体チップで構成してもよい。コントローラ２８は、回収装置２に含まれていてもよいが、回収装置２とは別体に設けられていてもよい。さらに、コントローラ２８は、分析装置３に設けられていてもよい。
メモリ２９は、ステージ２１の回転数の情報、磁場生成部２２ａ、２２ｂ、２５へ供給する電力の情報、液体供給部２６からの液体５の供給量の情報等を格納している。また、メモリ２９は、半導体基板Ｗの座標情報、磁場生成部２２ａ、２２ｂ、２５の磁場の生成動作を示すシーケンス等を格納する。また、メモリ２９は、その他、回収装置２を制御するためのプログラムを格納する。メモリ２９内のこれらの情報は、コントローラ２８が回収装置２の各構成要素を制御するために用いられる。メモリ２９は、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ(Solid State Drive)等でよい。
次に、液体５の回収方法について説明する。
図２は、本実施形態による液体５の回収方法の一例を示すフロー図である。
まず、半導体基板Ｗをステージ２１上に載置する（Ｓ１０）。
次に、磁場生成部２２ａ、２２ｂの両方に電力供給し、磁場を発生させる（Ｓ２０）。磁場生成部２２ａ、２２ｂは、間隙Ｇに磁場を発生する。
次に、液体供給部２６が所定量の液体５を磁場生成部２２ａ、２２ｂの間隙Ｇに供給する。液体供給部２６は液体５を磁場生成部２２ｂの上面に供給すればよい。磁場生成部２２ａ、２２ｂは、図４に示すように、磁場により液体５を間隙Ｇに亘って連続するように保持する（Ｓ３０）。図４は、磁場生成部２２ａと磁場生成部２２ｂとの間の液体５の様子を示す図である。コントローラ２８は、間隙Ｇに亘って液体５を保持するように磁場生成部２２ａ、２２ｂの磁場を調整する。
次に、ステージ２１が半導体基板Ｗを回転させながら、その端部（ベベル部）を間隙Ｇへ挿入する。これにより、図５に示すように、半導体基板Ｗの端部を液体５に接触させる（Ｓ４０）。図５は、半導体基板Ｗの端部を液体５に接触させる様子を示す図である。半導体基板Ｗの回転速度は、液体５が吹き飛ばされず、かつ、液体５が端部を走査できる程度の速度であり、例えば、約７ｍｍ／秒程度である。このとき、液体５は、回収液を含むので、半導体基板Ｗの端部に付着する金属汚染を溶解して取り込むことができる。尚、半導体基板Ｗと液体５とを相対的に移動させればよいので、液体５を半導体基板Ｗの周囲に対して回転移動させてもよい。また、液体５を半導体基板Ｗに近づけるように移動させてもよい。即ち、半導体基板Ｗに対して磁場生成部２２ａ、２２ｂを移動させてもよい。
半導体基板Ｗをさらに間隙Ｇへ挿入し、液体５で半導体基板Ｗの表面および裏面を走査してもよい。これにより、回収装置２は、半導体基板Ｗの表面および裏面にある金属汚染も溶解して取り込むこともできる。ここで、半導体基板Ｗが間隙Ｇに差し込まれると、液体５は、半導体基板Ｗの表面側と裏面側とで分離されるが、磁場によって間隙Ｇに保持され得る。尚、半導体基板Ｗの端部（ベベル部）の走査と半導体基板Ｗの表面および裏面の走査とは、互いに異なる液体５を用いて別々に実行してもよい。これにより、半導体基板Ｗの端部の不純物の検出と、半導体基板Ｗの表面および裏面の不純物の検出とをそれぞれ別々に実行することができる。一方、半導体基板Ｗの端部を含む全面を液体５で走査してもよい。これにより、半導体基板Ｗ全体の不純物を検出することができる。
このように、半導体基板Ｗを回転させながらその端部に液体５を所定時間接触させる。これにより、半導体基板Ｗの端部に液体５を走査させ、その端部の不純物を回収することができる。次に、半導体基板Ｗを液体５から離間し、半導体基板Ｗの回転を停止させる。
次に、磁場生成部２２ｂの電力供給を大きくし、かつ、磁場生成部２２ａに対する電力供給を小さくしあるいは停止させる。これにより、磁場生成部２２ａは、磁場を弱めあるいは停止し、磁場生成部２２ｂが磁場を強めて液体５を引き付ける。これにより、液体５は、磁場生成部２２ｂの磁場および液体５の自重によって磁場生成部２２ｂ側へ偏る。さらに、磁場生成部２２ａの電力供給を停止することによって、液体５は、図６に示すように、回収部２３を介して容器２４へ回収される（Ｓ５０）。図６は、液体５を容器２４へ回収する様子を示す図である。あるいは、磁場生成部２５に電力を供給することによって、磁場生成部２５の磁場によって、液体５を容器２４へ引き寄せてもよい。
次に、磁場生成部２５に電力供給し、磁場を発生させる。磁場生成部２５が容器２４内に回収された液体５に磁場を印加することによって、図７に示すように、磁性流体５ａを引き寄せ、液体５のうち磁性流体５ａを容器２４内で偏在させる。図７は、磁性流体は容器２４の底部へ引き寄せられ、逆に回収液５ｂは上方へ移動し、磁性流体５ａから分離させる（Ｓ６０）。図７は、回収液５ｂを磁性流体５ａから分離させる様子を示す図である。
次に、配管２０は、図８に示すように、分離された回収液５ｂのみを分析装置３へ搬送する（Ｓ７０）。図８は、回収液５ｂを分析装置３へ搬送する様子を示す図である。この回収液５ｂは、半導体基板Ｗの端部に付着していた金属汚染を含有する。尚、液体５に含まれる磁性流体５ａの量および回収液５ｂの量のそれぞれの比率は予め決まっている。また、液体５の供給量も予め決まっている。さらに、容器４の形状および容積も予め判明している。従って、容器４内において、分離された回収液５ｂの高さ位置はほぼ判明している。配管２０の開口端は、容器２４の所定の高さ位置に配置すれば、分離された回収液５ａのみを分析装置３へ搬送することができる。
尚、液体５から回収液５ｂを分離後、磁性流体５ａから強磁性粒子または常磁性粒子のみを取り出して洗浄してもよい。これにより、強磁性粒子または常磁性粒子を繰り返し再利用することができる。
その後、分析装置３が回収液５ｂを質量分析する（Ｓ８０）。分析装置３が回収液５ｂから得られた元素の信号強度に基づいて回収液５ｂに含まれる不純物の質量分析を実行する。
本実施形態によれば、液体５は、磁性流体５ａおよび回収液５ｂを含む液体であり、磁性流体５ａに回収液５ｂとしての機能を付与した液体となっている。磁場生成部２２ａ、２２ｂが液体５に磁場を印加することによって、それらの間の間隙Ｇに液体５を保持することができる。これにより、半導体基板Ｗの端部（ベベル部）に液体５を接触させながら半導体基板Ｗを回転させ、半導体基板Ｗの端部の不純物を液体５に取り込むことができる。
もし、拭き取り材を用いて回収液を回収する場合、回収作業が煩雑となり自動化することができない。また、拭き取り材の回収液に他の不純物が混入し易く、正確な質量分析の妨げとなる。
もし、ノズルで回収液を半導体基板Ｗの表面に走査させる場合、親水性の半導体基板Ｗでは、半導体基板Ｗの端部のみの不純物を回収しようとしても、回収液が半導体基板Ｗの表面に引きずられ、半導体基板Ｗの表面の不純物も回収してしまう。従って、この場合、半導体基板Ｗの端部のみの不純物を回収することが困難である。
これに対し、本実施形態によれば、磁場生成部２２ａ、２２ｂの間の間隙Ｇに磁場によって液体５を保持し、半導体基板Ｗの端部（ベベル部）に液体５を接触させることができる。この場合、半導体基板Ｗが親水性であっても、半導体基板Ｗの端部のみの不純物を液体５に取り込むことができる。また、回収装置２は、液体５の供給、保持および回収を自動で実行することができる。さらに、回収装置２は、液体５から回収液の分離も自動で行うことができ、拭き取り材を用いないので他の余計な不純物が混入することも抑制できる。回収液を分離（抽出）するために磁場を用いており、他の溶媒を必要としない。よって、回収液内の不純物濃度が低下しないため、不純物の質量分析を正確に実行することができる。
（変形例１）
図３Ａは、本実施形態の変形例１による磁場生成部２２ｂの構成例を示す斜視図である。尚、磁場生成部２２ａは、第１実施形態のそれと同じ構成でよい。あるいは、図３Ａの磁場生成部２２ｂと同じ構成でもよい。
変形例１による磁場生成部２２ｂは、液体供給部を兼ねており、磁場の生成および液体の供給の両方を実行することができる。例えば、磁場生成部２２ｂは、中心部に磁場を生成する柱状体２２ｂ＿１と、柱状体２２ｂ＿１の周囲に設けられた管状体２２ｂ＿３とを含む。柱状体２２ｂ＿１と管状体２２ｂ＿３との間には液体５を通過させる中空の空洞２２ｂ＿２がある。
柱状体２２ｂ＿１および／または管状体２２ｂ＿３が電力供給を受けて磁場を生成する。液体５は、矢印Ａ２２＿１に示すように空洞２２ｂ＿２から柱状体２２ｂ＿１上に供給される。これにより、磁場生成部２２ａと磁場生成部２２ｂは、それらの間に液体５を保持することができる。
変形例１によれば、液体供給部２６が不要となる。また、磁場生成部２２ｂと液体供給部とが一体となっているため、液体５を磁場生成部２２ｂ上に確実に供給することができる。
（変形例２）
図３Ｂは、本実施形態の変形例２による磁場生成部２２ｂの構成例を示す斜視図である。尚、磁場生成部２２ａは、第１実施形態のそれと同じ構成でよい。あるいは、図３Ｂの磁場生成部２２ｂと同じ構成でもよい。
変形例２による磁場生成部２２ｂは、液体供給部を兼ねており、磁場の生成および液体の供給の両方を実行することができる。例えば、磁場生成部２２ｂは、中心部に液体５を通過させる中空の空洞２２ｂ＿４がある。磁場を生成する管状体２２ｂ＿５は、空洞２２ｂ＿４の周囲に設けられている。管状体２２ｂ＿５は、厚く形成されており、開口端において磁場を充分に印加することができるように構成されている。即ち、磁場生成部２２ｂは、中心部に液体５を通過させる中空の空洞２２ｂ＿４を有する管状体２２ｂ＿５である。
管状体２２ｂ＿５が電力供給を受けて磁場を生成する。液体５は、矢印Ａ２２＿２に示すように空洞２２ｂ＿４から管状体２２ｂ＿５の開口端上に供給される。これにより、磁場生成部２２ａと磁場生成部２２ｂは、それらの間に液体５を保持することができる。
変形例２によれば、液体供給部２６が不要となる。また、磁場生成部２２ｂと液体供給部とが一体となっているため、液体５を磁場生成部２２ｂ上に確実に供給することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１ 金属分析装置、２ 回収装置、３ 分析装置、２１ ステージ、２２ａ、２２ｂ、２５ 磁場生成部、２３ 回収部、２４ 容器、２６ 液体供給部、２７ 液体貯留部、２８ コントローラ、２９ メモリ

Claims (10)

  1. 基板を載置可能なステージと、
    磁性流体と回収液とを含む第１液体を磁場によって保持し、前記基板の少なくとも端部に前記第１液体を接触させる磁場生成部と、
    前記第１液体を前記磁場生成部から回収する回収部と、
    前記第１液体から前記回収液を分離させる分離部と、を備える回収装置。
  2. 前記磁場生成部は、互いに対向する第１磁場生成部と第２磁場生成部とを具備し、
    前記第１および第２磁場生成部は、前記第１液体が該第１磁場生成部と該第２磁場生成部との間に亘って連続するように前記第１液体を保持する、請求項１に記載の回収装置。
  3. 前記第１磁場生成部と前記第２磁場生成部との間の間隔は、前記基板の厚みよりも広い、請求項２に記載の回収装置。
  4. 前記回収部は、前記磁場生成部と前記分離部との間を連結して前記第１液体を前記磁場生成部から前記分離部へ流す器具である、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の回収装置。
  5. 前記分離部は、
    前記回収部からの前記第１液体を滞留させる容器と、
    前記容器の外部から前記第１液体に磁場を印加する第３磁場生成部を備える、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の回収装置。
  6. 前記第３磁場生成部は、前記第１液体に磁場を印加することによって、該第１液体の前記磁性流体を前記容器内で偏在させ、前記磁性流体と前記回収液とを分離する、請求項５に記載の回収装置。
  7. 前記第３磁場生成部は、前記第１および第２磁場生成部よりも強い磁場を前記第１液体に印加する、請求項５または請求項６に記載の回収装置。
  8. 前記磁場生成部に前記第１液体を供給する供給部をさらに備える、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の回収装置。
  9. 前記磁場生成部は、前記第１液体を通過させる管状体である、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の回収装置。
  10. 基板を載置可能なステージと、磁性流体と回収液とを含む第１液体を磁場によって保持する磁場生成部と、前記第１液体を前記磁場生成部から回収する回収部と、前記第１液体から前記回収液を分離させる分離部と、を備える回収装置を用いた回収方法であって、
    前記磁場生成部に磁場を発生させて前記第１液体を前記磁場生成部に保持し、
    前記基板の少なくとも端部に前記第１液体を接触させ、
    前記磁場生成部の磁場を停止して、前記第１液体を前記磁場生成部から前記回収部を介して前記分離部へ回収し、
    前記分離部において前記第１液体から前記回収液を分離させることを具備する回収方法。



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