JP2023034910A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】平坦性に優れたビルトアップ層を有する配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、絶縁層２と絶縁層２の両面に積層されている金属箔とを備える基板を用意することと、絶縁層２および金属箔を貫く貫通孔２０を形成することと、金属箔の表面の全面および貫通孔２０の内壁に第１めっき膜３１を形成することと、第１めっき膜３１の上に、樹脂シートを積層することと、樹脂シートを加圧することにより、第１めっき膜３１に囲まれている貫通孔２０の内部に樹脂シートから染み出した樹脂４を充填することと、樹脂シートを除去することと、絶縁層２の両面それぞれに、貫通孔２０の内部に充填されている樹脂４の表面を被覆する第２めっき膜１０ｂを形成することと、を含んでいる。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関する。

特許文献１には、スルーホールを有する基板のスルーホール内に穴埋め充填ペーストを充填硬化させたプリント配線場の製造方法が開示されている。高粘度の孔埋め充填ペーストがスルーホール内にローラー式スキージを用いて圧入、充填され、充填完了後に硬化されている。

特開２００１－２９８２５７号公報

特許文献１に開示の高粘度の充填ペーストのスルーホール内への充填では、硬化後のスルーホールの表面に凹みが発生する場合がある。スルーホール近傍のビルトアップ層の平坦性が損なわれ、回路内の接続不良などの問題が生じることがある。

本発明の配線基板の製造方法は、絶縁層と前記絶縁層の両面に積層されている金属箔とを備える基板を用意することと、前記絶縁層および前記金属箔を貫く貫通孔を形成することと、前記金属箔の表面の全面および前記貫通孔の内壁に第１めっき膜を形成することと、前記第１めっき膜の上に、樹脂シートを積層することと、前記樹脂シートを加圧することにより、前記第１めっき膜に囲まれている前記貫通孔の内部に前記樹脂シートから染み出した樹脂を充填することと、前記樹脂シートを除去することと、前記絶縁層の両面それぞれに、前記貫通孔の前記内部に充填されている前記樹脂の表面を被覆する第２めっき膜を形成することと、を含んでいる。

本発明の実施形態によれば、スルーホール表面およびスルーホール近傍のビルトアップ層の平坦性が保持されている配線基板を適切に製造できる配線基板の製造方法が提供されると考えられる。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図１のII部の拡大図。 本発明の一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例の一部を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例の一部を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例の一部を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例の一部を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例の一部を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例の一部を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例の一部を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例の一部を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例の一部を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す断面図。 一実施形態の製造方法で製造中の配線基板の一例を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板の製造方法が図面を参照しながら説明される。図１は、一実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図であり、図２は、図１のII部の拡大図である。図３Ａ～図３Ｎは、配線基板１００を製造するための方法の一例を示している図である。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の製造方法で製造され得る配線基板の一例に過ぎない。本実施形態の配線基板の製造方法で製造される配線基板の積層構造、ならびに、導体層および絶縁層それぞれの数などは、図１の配線基板１００の積層構造、ならびに配線基板１００に含まれる導体層および絶縁層それぞれの数に限定されるものではない。

図１および図２に示されるように、配線基板１００は、絶縁層２と、絶縁層２の両面それぞれに形成されている２つの導体層（導体層１１および導体層１２）と、を含んでいる。絶縁層２、導体層１１、および導体層１２によって配線基板１００のコア基板１が構成されている。絶縁層２は、第１面２ａおよび第１面２ａと反対側の第２面２ｂを有しており、さらに、第１面２ａと第２面２ｂとの間で絶縁層２を厚さ方向に貫いている貫通孔２０を有している。導体層１１は絶縁層２の第１面２ａ上に形成されており、導体層１２は第２面２ｂ上に形成されている。絶縁層２の第１面２ａ上および導体層１１上には、２つの絶縁層２１それぞれと２つの導体層１３それぞれとが交互に積層されており、絶縁層２の第２面２ｂ上および導体層１２上には、２つの絶縁層２２それぞれと２つの導体層１４それぞれとが交互に積層されている。二組の絶縁層２１と導体層１３、および、二組の絶縁層２２と導体層１４は、それぞれ絶縁層２の第１面２ａ側および第２面２ｂ側において配線基板１００のビルドアップ部を構成している。

なお、実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層２から遠い側は「外側」、「上側」若しくは「上方」、または単に「上」とも称され、絶縁層２に近い側は「内側」、「下側」若しくは「下方」、または単に「下」とも称される。さらに、各導体層および各絶縁層において絶縁層２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層２側を向く表面は「下面」とも称される。

二組の導体層１３および絶縁層２１のうちの外側の導体層１３および絶縁層２１の上にはソルダーレジスト５が形成されている。同様に、二組の導体層１４および絶縁層２２のうちの外側の導体層１４および絶縁層２２の上にもソルダーレジスト５が形成されている。各ソルダーレジスト５には、導体層１３の一部または導体層１４の一部を露出させる開口が設けられている。ソルダーレジスト５は、例えば、感光性のエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などで形成される。

絶縁層２１および絶縁層２２それぞれには各絶縁層を貫通するビア導体２ｄが形成されている。絶縁層２１を貫通するビア導体２ｄは導体層１３同士または導体層１３と導体層１１とを接続している。絶縁層２２を貫通するビア導体２ｄは導体層１４同士または導体層１４と導体層１２とを接続している。

配線基板１００は、さらに、導体層１１および導体層１２同士を物理的および電気的に接続するスルーホール導体３を含んでいる。スルーホール導体３は、絶縁層２の貫通孔２０内に形成されている。図１の配線基板１００は、複数のスルーホール導体３を含んでいる。一部のスルーホール導体３の真上にビア導体２ｄが積層されている。スルーホール導体３と、そのスルーホール導体３と平面視で重なっていて積層されている複数のビア導体２ｄとによって配線基板１００の一方の表面から他方の表面まで貫く貫通導体が形成されている。なお「平面視」は、実施形態の配線基板をその厚さ方向に沿う視線で見ることを意味している。

スルーホール導体３は、貫通孔２０の内壁に沿ってその内壁を覆っており、貫通孔２０の内部を完全に埋めずに貫通孔２０の内壁上で所定の厚さを有している。すなわち、スルーホール導体３は、スルーホール導体３を絶縁層２の厚さ方向に貫く空洞３０を有しており、全体として貫通孔２０の内壁に沿う筒状の形体を有している。空洞３０は、貫通孔２０の内部において、スルーホール導体３を構成する膜体（第１めっき膜３１）によって占められていない領域でもある。

配線基板１００は、さらに、空洞３０を埋めている樹脂４を含んでいる。空洞３０は、好ましくは樹脂４によって略完全に埋められている。空洞３０が樹脂４で埋められており、また、後述されるように、樹脂４の表面４ｃが平坦であるため、図１および図２の例のように、貫通孔２０の真上に安定してビア導体２ｄが形成され得る。また、貫通孔２０の内部全体がスルーホール導体３で埋められる場合と比べて短い時間で貫通孔２０の内部が埋められることがある。また、樹脂４として、絶縁層２が有する熱膨張率と近い熱膨張率を有する樹脂などを選択することによって、絶縁層２内に生じる熱応力を軽減できることがある。しかし樹脂４の材料は、空洞３０を満たし得るものであれば特に限定されない。樹脂４は非導電性であっても導電性であってもよい。樹脂４は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、若しくはフェノール樹脂などの絶縁性樹脂、または、銀粒子などの導電性粒子とエポキシ樹脂などとを含む導電性ペースト若しくは導電性インクであってもよい。

絶縁層２および絶縁層２１、２２は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）またはフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂が例示される。図１の例では、絶縁層２は、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材（補強材）２ｃを含んでいる。各絶縁層は、さらに、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、またはムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）を含み得る。

導体層１１～１４、ならびに、スルーホール導体３およびビア導体２ｄは、銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。導体層１３、１４、およびビア導体２ｄは、図１の例では２層構造を有しているが、単層構造または任意の層数の積層構造を有し得る。図１の導体層１３、１４、およびビア導体２ｄそれぞれは、例えば無電解めっきまたはスパッタリングなどによって形成される金属膜と、金属膜を給電層として用いる電解めっきによって形成されるめっき膜とを含んでいる。各ビア導体２ｄは、導体層１３または導体層１４と一体的に形成されている。

図１および図２の例では、スルーホール導体３は、第１めっき膜３１により、貫通孔２０の内壁上に、内壁を覆うように形成されている。すなわち、第１めっき膜３１は、絶縁層２の厚さ方向を軸方向として有する筒状の形状で形成されている。第１めっき膜３１は、例えば、貫通孔２０の内壁上に形成されている無電解めっき膜と、無電解めっき膜を給電層として用いて、貫通孔２０において無電解めっき膜の内側に無電解めっき膜を覆うように形成される電解めっき膜と、から構成されるめっき膜である。しかし、スルーホール導体３は、１以上の任意の数の層数のめっき膜で形成され得る。なお、図１および図２では、第１めっき膜３１は、めっき膜として単層で示されている。

本実施形態では、導体層１１および導体層１２は、それぞれ、３層以下の層数を有する積層構造を有している。図１および図２の配線基板１００では、導体層１１および導体層１２それぞれが有する積層構造は、３層構造である。図２に拡大して示されているように、この３層構造は、金属箔１０ｃ、金属膜（第２めっき膜）１０ｂ、および金属膜１０ａで構成されている。これらの金属箔１０ｃ、金属膜１０ｂ、および金属膜１０ａは、絶縁層２の第１面２ａおよび第２面２ｂ上にそれぞれ、金属箔１０ｃ、金属膜１０ｂ、および金属膜１０ａの順で積層されている。しかし、導体層１１および導体層１２は、３層構造の代わりに、例えば、金属箔１０ｃと金属箔１０ｃ上に形成されている厚い金属膜１０ｂとで構成されるような２層構造で形成されていてもよい。

金属箔１０ｃは、任意の金属で形成され得、例えば銅箔やニッケル箔などの箔体である。金属箔１０ｃは、例えば、熱圧着によって絶縁層２に接合されている銅箔である。金属膜１０ｂは、例えば銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。金属膜１０ｂは、例えば、無電解めっきによって形成される無電解めっき膜である。金属膜１０ｂは、スパッタリングで形成される金属膜であってもよい。金属膜１０ａは、例えば銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。金属膜１０ａは、例えば、金属膜１０ｂおよび金属箔１０ｃを給電層として用いる電解めっきにより形成される電解めっき膜である。

導体層１１～１４は、それぞれ、任意の導体パターンを含み得る。図１の例では、導体層１１および導体層１２は、導体パッド１ａおよび複数の配線パターン１ｂを含んでいる。導体パッド１ａは、平面視でスルーホール導体３と重なる位置に設けられている。すなわち、導体パッド１ａは、スルーホール導体３の所謂スルーホールパッドの機能を有している。導体パッド１ａは、また、平面視で貫通孔２０および空洞３０と重なる位置に設けられている。導体パッド１ａは、貫通孔２０および空洞３０を塞いでいる。したがって、導体パッド１ａは、スルーホール導体３の所謂蓋パッドでもある。貫通孔２０および空洞３０は、導体層１１が有する導体パッド１ａと導体層１２が有する導体パッド１ａとに挟まれている。蓋パッドである導体パッド１ａが設けられているため、スルーホール導体３の直上にビア導体２ｄを設けることができる。配線基板の小型化が実現されると考えられる。ビア導体２ｄとスルーホール導体３とが、安定的にかつ強固に、電気的に接続されると考えられる。

図２を参照して、上述のように、導体パッド１ａは、金属箔１０ｃ、金属膜１０ｂおよび金属膜１０ａを含む三層で構成されており、かつ、貫通孔２０および空洞３０を、絶縁層２の第１面２ａ側および第２面２ｂ側の両方で塞いでいる。したがって、導体層１１および導体層１２それぞれに含まれる導体パッド１ａは、スルーホール導体３と直接接している。図２の例では、スルーホール導体３は、その端面３ｃが金属膜１０ｂにおける金属膜１０ａと反対側の表面１０ｂ１と接するように金属膜１０ｂと接続されている。

スルーホール導体３と導体パッド１ａとは、一体的に形成されていない。スルーホール導体３と導体パッド１ａとの間には界面が存在する。スルーホール導体３を構成する第１めっき膜３１は、金属膜１０ａ、金属膜１０ｂおよび金属箔１０ｃのいずれとも一体的に形成されていない。第１めっき膜３１は、後述されるように金属膜１０ｂよりも先に形成されているため、金属膜１０ｂとの間に界面を有している。

筒状の形状で形成されているスルーホール導体３（第１めっき膜３１）は、絶縁層２だけでなく金属箔１０ｃも貫通している。図２に示されるように、筒状の第１めっき膜３１の端面３ｃと空洞３０を埋めている樹脂４の表面４ｃは、金属膜１０ｂの表面１０ｂ１に接している。本実施形態では、樹脂４の表面４ｃは、絶縁層２の第１面２ａおよび第２面２ｂと略平行となるように形成されている。そして、筒状の第１めっき膜３１の端面３ｃと樹脂４の表面４ｃとが略面一に形成されている。スルーホール導体３の端面３ｃと樹脂４の表面４ｃとが構成する、導体パッド１ａとのあいだの界面が高い平坦性を有している。本実施形態では、スルーホール表面の平坦性が高く保たれているため、スルーホール上に導体パッド１ａを介してビア導体２ｄを積層することができる。配線基板の実装密度が高まると考えられる。

本実施形態では、さらに、スルーホール導体３の端面３ｃおよび樹脂４の表面４ｃとで構成されるスルーホール表面は、絶縁層２の第１面２ａから略一定の高さを保って形成されている。スルーホール表面に凹部が生じていない。スルーホール表面は、図２に示されるように、金属箔１０ｃにおける金属膜１０ｂと対向する表面１０ｃ１と、略面一になるように形成されている。スルーホール表面および金属箔１０ｃの表面１０ｃ１上に、金属膜１０ｂおよび金属膜１０ａが形成されている。したがって、金属膜１０ｂおよび金属膜１０ａも高い平坦性かつ絶縁層２の第１面２ａから略一定の高さで形成される。導体パッド１ａにおける凹部の発生が抑制されるため、導体パッド１ａとその上に形成されるビア導体２ｄとのあいだの接合が安定すると考えられる。スルーホールとその上に形成される導体回路との接合信頼性が向上し、接続信頼性の高い配線基板１００が得られ得る。

スルーホール導体３の端面３ｃと樹脂４の表面４ｃと金属箔１０ｃの表面１０ｃ１とは、略面一になるように形成されるが、平坦性のさらなる向上のために、端面３ｃと表面４ｃと表面１０ｃ１とで構成される表面は、加工された加工面であってもよい。例えば、該表面に対して、切削や研摩などの機械加工などが行われてもよい。したがって、端面３ｃと表面４ｃと表面１０ｃ１は、研摩処理が施された研磨面であってもよい。

図１および図２に示されている配線基板１００を例に用いて、一実施形態の配線基板の製造方法が、図３Ａ～図３Ｎを参照して説明される。なお、以下に説明される製造方法において形成される各構成要素は、特に異なる記載が無い限り、図１の配線基板１００の説明において対応する構成要素の材料として例示された材料を用いて形成され得る。

図３Ａに示されるように、絶縁層２と絶縁層２の両面に積層されている金属箔１０ｃとを備える基板（出発基板）が用意される。絶縁層２は、例えばエポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、またはフェノール樹脂などの任意の絶縁性樹脂によって形成されている。絶縁層２は芯材２ｃを含んでいる。しかし、絶縁層２は芯材２ｃを含んでいなくてもよい。金属箔１０ｃは、例えば銅やニッケルなどの任意の金属から形成されている。金属箔１０ｃは、例えば熱圧着などの任意の方法で絶縁層２の両面それぞれに接合されている。例えば、出発基板として、両面銅張積層板が用意されてもよい。

図３Ｂに示されるように、絶縁層２および金属箔１０ｃを貫く貫通孔２０が形成される。貫通孔２０は、例えば、炭酸ガスレーザー光などのレーザー光を、絶縁層２の第１面２ａ側および／または第２面２ｂ側から照射することによって形成され得る。貫通孔２０はまた、ドリル加工によって形成されてもよい。貫通孔２０は任意の形成方法を用いて形成されてよい。

図３Ｃに示されるように、金属箔１０ｃにおける絶縁層２と反対側の表面１０ｃ１の全面および貫通孔２０を向いて露出する端面、ならびに貫通孔２０の内壁に、第１めっき膜３１が形成される。第１めっき膜３１は、例えば、無電解めっき膜と電解めっき膜とで形成される。無電解めっきによって銅またはニッケルなどの任意の金属からなる無電解めっき膜が形成された後、この無電解めっき膜を給電層として用いる電解めっきによって、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。無電解めっき膜の代わりに、スパッタリングによって形成されるスパッタリング膜などの金属膜が形成されてもよい。第１めっき膜３１は、単層のめっき膜で形成されていてもよい。所望の厚さを有する第１めっき膜３１が形成される。

金属箔１０ｃの貫通孔２０に露出している端面上および貫通孔２０の内壁上への第１めっき膜３１の形成により、貫通孔２０内に、第１めっき膜３１によって構成されていて空洞３０を中央部に有するスルーホール導体３が形成される。絶縁層２の第１面２ａおよび第２面２ｂ上には、それぞれ、金属箔１０ｃおよび第１めっき膜３１が順に積層されている。

続いて、絶縁層２の第１面２ａ側および第２面２ｂ側のそれぞれの表面の第１めっき膜３１上に離型フィルム８が設けられる。離型フィルム８は、図３Ｃに示されている製造途中の配線基板の上側および下側の両側において、上面および下面それぞれの全体を覆うように全面にそれぞれ積層される。したがって、離型フィルム８は、空洞３０の上も被覆している。離型フィルム８は、空洞３０の内部には積層されない。この状態の製造途中の配線基板の一部が図３Ｄに示されている。図３Ｄは、図３Ｃに示されている配線基板のうちのIIIＤ部に対応する部分のみを拡大して示す図である。以下で参照される図３Ｅ～図３Ｌもまた、各工程における図３ＣのIIIＤ部に相当する部分のみを拡大して示している。

図３Ｄに示されるように、離型フィルム８が、第１めっき膜３１の、絶縁層２の第１面２ａ側および第２面２ｂ側の表面に貼り付けられる。なお、以下で図３Ｅ～図３Ｋを参照して説明される製造工程では、絶縁層２の第１面２ａ側および第２面２ｂ側の両方の側で、同じ処理工程が行われ得る。したがって、以下の図３Ｄ～図３Ｋに関する説明では、主に、第１面２ａ側に関する説明が行われ、第２面２ｂ側に関しての説明は省略され得る。また、図３Ｄ～図３Ｋにおいて、第２面２ｂ側の符号は省略されている。

離型フィルム８は、第１めっき膜３１の上面、および、空洞３０上を被覆している。離型フィルム８は、第１めっき膜３１と強固に接着せず、しかし、第１めっき膜３１と密着し得る材料を少なくとも用いて設けられる。したがって、離型フィルム８と第１めっき膜３１とは、比較的弱い力で容易に分離され得る。例えば、離型フィルム８は、例えば、粘着層と粘着層に積層された接合層とを含んでいてもよい。粘着層は、前述のように、第１めっき膜３１と強固に接着しないが、十分に密着し得る材料で形成される。例えば、粘着層には、例えばアクリル樹脂が用いられ得る。一方、接合層は、後述される樹脂シート９（図３Ｆ参照）に対して十分な接着性を発現し得る材料で形成される。接合層には、例えばポリイミド樹脂が用いられ得る。離型フィルム８がこのような二層構造である場合、粘着層側が第１めっき膜３１に対向するように離型フィルム８が第１めっき膜３１上に載置され得る。しかし、離型フィルム８は、接合層を含まない単層で構成されていてもよい。離型フィルム８は、第１めっき膜３１への密着性を有していればよい。

次いで、図３Ｅに示されるように、離型フィルム８に開口８ａが形成される。開口８ａは、平面視で空洞３０と重なる位置に、空洞３０の面積よりも大きな面積で形成される。したがって、開口８ａは、空洞３０を露出させると共に、空洞３０の周縁部の第１めっき膜３１の上面も露出させている。開口８ａの形成は、レーザー加工によって行われ得る。レーザー光が、絶縁層２の第１面２ａ側から、空洞３０の周縁部の第１めっき膜３１に向かって照射される。第１めっき膜３１の上面の一部および空洞３０が露出する。

次いで、図３Ｆに示されるように、開口８ａが形成された離型フィルム８上であって、絶縁層２の第１面２ａ側および第２面２ｂ側それぞれの表面全面に樹脂シート９が積層される。すなわち、樹脂シート９は、離型フィルム８の上面、ならびに、開口８ａから露出されている第１めっき膜３１の上および空洞３０の上を被覆している。樹脂シート９は、後述する工程後に空洞３０を埋める樹脂４（図３Ｇ参照）となる樹脂材料で構成されている。このような樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、若しくはフェノール樹脂などの絶縁性樹脂などが挙げられる。例えば、樹脂シート９は、このような絶縁性樹脂材料を含む半硬化絶縁樹脂シートである。

図３Ｇに示されるように、絶縁層２の第１面２ａ側および第２面２ｂ側の両方から樹脂シート９を加圧することにより、樹脂シート９から染み出した樹脂４が空洞３０内に充填される。加圧は、真空プレス装置５０を用いて、例えば加熱を伴いながら行われ得る。真空プレスの条件、すなわち昇温速度や圧力、加圧タイミングなどは、使用する樹脂シート９の材料に応じて適宜調整され得る。空洞３０内への樹脂４の充填後、空洞３０内の樹脂４ならびに離型フィルム８上および第１めっき膜３１上の樹脂シート９が固化される。空洞３０内が、固化された樹脂材料すなわち樹脂４で充填される。

空洞３０内への樹脂材料の充填を、真空プレスを用いて行うことにより、スルーホールがファインピッチで形成されている場合や、スルーホールのアスペクト比（スルーホールの直径に対するコア基板の厚みの比）が大きい場合、また、直径の異なるスルーホールが混在している場合などにも、スルーホール内への樹脂材料の均一な充填が行われ得る。また、真空プレスを用いて充填を行うことにより、充填される樹脂材料の樹脂硬化に伴って生成され得る揮発成分や、また、樹脂材料内に含まれ得る空気は、常時真空引きで排出され得る。このため、充填され、固化された後の樹脂４内にボイドが発生してしまうなどの不具合が生じる虞が少ない。

次いで、図３Ｈに示されるように、固化された樹脂シート９に開口９ａが設けられる。開口９ａは、絶縁層２の第１面２ａ側から、空洞３０の周縁部の第１めっき膜３１に向かってレーザー光を照射することによって行われる。図３Ｈの例では、開口９ａは、離型フィルム８に形成されている開口８ａと平面視で略重なる位置に形成されているが、開口９ａは、開口８ａの内壁を露出するように形成されればよい。レーザー光の照射により、空洞３０の周縁部の第１めっき膜３１上に積層されていた固化された樹脂シート９が、第１めっき膜３１上から除去される。この開口９ａの形成により、図３Ｅで示される工程で一旦露出されていた、第１めっき膜３１の上面の一部が、再び露出される。

樹脂シート９に開口９ａを設ける本工程はさらに、空洞３０から凸状に突出している部分の固化された樹脂シート９をレーザーにより除去することを含んでいる。さらに、本実施形態においては、除去は、空洞３０内に充填された樹脂４の表面側の一部を除去することも含む。すなわち、本実施形態においては、空洞３０内の樹脂４の絶縁層２の厚さ方向の長さである樹脂４の高さは、開口９ａの形成によって露出された第１めっき膜３１の上面の高さより低くされる。好ましくは、樹脂４の表面側の除去は、樹脂４の表面４ｃが、金属箔１０ｃの、第１めっき膜３１と対向している表面１０ｃ１と略面一となるまで行われる。

図３Ｉに示されるように、離型フィルム８が、その上に積層されている樹脂シート９と共に、第１めっき膜３１の上面から除去される。例えば、離型フィルム８上に積層されている樹脂シート９部分の表面が治工具などに吸着され、絶縁層２と反対側に引き上げられることにより、樹脂シート９および離型フィルム８が除去され得る。離型フィルム８は、第１めっき膜３１の上面に強固に接着せずに密着しているため、離型フィルム８や離型フィルム８の残渣などが第１めっき膜３１の上面上に残ることなく、離型フィルム８と樹脂シート９とが同時に剥離され得る。第１めっき膜３１の上面全体が露出される。

続いて、図３Ｊに示されるように、絶縁層２の第１面２ａ側および第２面２ｂ側のそれぞれの表面の第１めっき膜３１が除去される。除去は、好ましくは、エッチングにより行われ得る。本工程により、絶縁層２に積層されている金属箔１０ｃの表面１０ｃ１の高さより高い位置に形成されている第１めっき膜３１が表面全体において除去される。絶縁層２の上に積層されている金属箔１０ｃの表面１０ｃ１が露出され、スルーホール導体３の端面３ｃの高さと、金属箔１０ｃの表面１０ｃ１の高さとが略面一となる。

図３Ｈで示された樹脂シート９への開口９ａの形成工程により、開口９ａから露出している空洞３０内の樹脂４の表面４ｃの高さは、金属箔１０ｃの表面１０ｃ１の高さと略等しくなるように形成されている。したがって、図３Ｊに示されるように、絶縁層２上の金属箔１０ｃの表面１０ｃ１と、スルーホール導体３の端面３ｃと、空洞３０内の樹脂４の表面４ｃとは、略面一に形成されている。

任意には、表面の第１めっき膜３１の除去後に、製造途中の配線基板の両側の表面全体が研磨されてもよい。すなわち、表面の第１めっき膜３１が除去された製造途中の配線基板の表面を構成していて、略面一に形成されている、金属箔１０ｃの表面１０ｃ１およびスルーホール導体３の端面３ｃおよび空洞３０内の樹脂４の表面４ｃからなる面が研磨され得る。金属箔１０ｃの表面１０ｃ１およびスルーホール導体３の端面３ｃおよび空洞３０内の樹脂４の表面４ｃのそれぞれの高さがさらに良好に略面一に合わせられる。樹脂４が充填されているスルーホール導体３を含む製造途中の配線基板の表面の平坦性がさらに向上されると考えられる。研磨の方法としては、例えば化学機械研摩（ＣＭＰ）、ベルトサンダーによる研摩やバフ研摩などが挙げられるがこれらに限定される訳ではない。

図３Ｋに示されるように、表面の第１めっき膜３１が除去された製造途中の配線基板の表面であって、金属箔１０ｃの表面１０ｃ１およびスルーホール導体３の端面３ｃおよび空洞３０内の樹脂４の表面４ｃからなる表面全面の上に、金属膜（第２めっき膜）１０ｂが形成される。金属膜１０ｂは、例えば、銅またはニッケルなどの任意の金属からなる無電解めっき膜である。金属膜１０ｂは、スパッタリングによって形成されるスパッタリング膜などであってもよい。上述のように、金属箔１０ｃの表面１０ｃ１およびスルーホール導体３の端面３ｃおよび空洞３０内の樹脂４の表面４ｃは略面一に形成されているため、金属膜１０ｂも良好な平坦性で、絶縁層２の表面と平行に均一な厚さで形成される。

図３Ｌおよび図３Ｍに示されるように、絶縁層２の第１面２ａ側および第２面２ｂ側の表面それぞれに、所定の導体パターンを有する、金属箔１０ｃ、金属膜１０ｂ（第２めっき膜）および金属膜１０ａを含む導体層（導体層１１および導体層１２）が形成される。なお、図３Ｍは、導体層１１および導体層１２の形成後の製造途上の配線基板の全体を示している。例えば、金属膜１０ｂを給電層として用いる電解めっきによって金属膜１０ａが形成される。その結果、３層構造の導体層１１および導体層１２がそれぞれ形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層１１および導体層１２をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板１が得られる。金属膜１０ｂが良好な平坦性で形成されているため、金属膜１０ｂ上の金属膜１０ａも平坦かつ安定して形成され得る。平坦性に優れた導体パッド１ａがスルーホール導体３上に形成されている。

導体層１１および導体層１２は、セミアディティブ法で形成されてもよい。この場合、金属膜１０ｂ上に、所定の箇所に開口を有するめっきレジスト（図示せず）が形成され、開口内に電解めっき膜（金属膜１０ａ）が形成される。金属膜１０ａを含む導体層１１および導体層１２がそれぞれ形成される。その後、めっきレジストが除去され、不要部分の金属箔１０ｃおよび金属膜１０ｂがエッチングで除去される。

導体層１１および導体層１２が微細な配線パターンを含むように形成される場合、図３Ｋで示された工程における金属膜１０ｂの形成の前に、金属箔１０ｃの厚さが、研磨またはハーフエッチングなどによって薄くされてもよい。導体層内の各導体パターン同士の分離のために不要部分の金属箔１０ｃおよび金属膜１０ｂをエッチングで除去するための処理時間を短くすることができる。配線パターンの幅方向のエッチングの過剰な進行が抑制され、微細な幅の配線パターンが得られる場合がある。

導体層１１および導体層１２は、三層構造を含んでいなくてもよい。例えば、電解めっきによる金属膜１０ａの形成を行わずに、金属膜１０ｂを厚く形成し、不要部分をエッチングで処理することにより、導体パターンを形成してもよい。

図１の配線基板１００が製造される場合、図３Ｎに示されるように、絶縁層２の第１面２ａ側に絶縁層２１および導体層１３が形成され、絶縁層２の第２面２ｂ側に絶縁層２２および導体層１４が形成される。絶縁層２１および絶縁層２２の形成では、絶縁層２の第１面２ａおよび導体層１１の上、ならびに絶縁層２の第２面２ｂおよび導体層１２の上に、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が積層され、加熱および加圧される。その結果、絶縁層２１および絶縁層２２が形成される。各絶縁層には、ビア導体２ｄを形成するための貫通孔２ｅが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。

導体層１３および導体層１４は、それぞれ、例えばセミアディティブ法によって形成される。すなわち、絶縁層２１および絶縁層２２の表面、および貫通孔２ｅ内に無電解めっきやスパッタリングによって金属膜が形成される。その金属膜を給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによってめっき膜が形成される。その後、金属膜の不要部分が例えばエッチングなどで除去される。その結果、配線パターン１３ｂなどの所定の導体パターンを含む導体層１３、および配線パターン１４ｂなどの所定の導体パターンを含む導体層１４が形成される。貫通孔２ｅ内にはビア導体２ｄが形成される。

その後、図３Ｎを参照して説明された方法と同様の方法で、絶縁層２の第１面２ａ側にさらに一組の絶縁層２１および導体層１３が形成され、絶縁層２の第２面２ｂ側にさらに一組の絶縁層２２および導体層１４が形成される。続いて、二組の導体層１３および絶縁層２１のうちの外側の導体層１３および絶縁層２１の上にソルダーレジスト５が形成される。二組の導体層１４および絶縁層２２のうちの外側の導体層１４および絶縁層２２の上にもソルダーレジスト５が形成される。ソルダーレジスト５は、例えば感光性のエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを塗布したり噴霧したりフィルム状態で積層したりすることによって形成される。そして、例えば露光および現像、またはレーザー加工などによって、導体層１３の一部または導体層１４の一部を露出させる開口が各ソルダーレジスト５に形成される。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１００が完成する。

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

１００ 配線基板
１０ａ 金属膜
１０ｂ 金属膜（第２めっき膜）
１０ｂ１ 金属膜の表面
１０ｃ 金属箔
１０ｃ１ 金属箔の表面
１ｂ 配線パターン
１１、１２、１３、１４ 導体層
２、２１、２２ 絶縁層
２０ 貫通孔
３ スルーホール導体
３ｃ スルーホール導体の端面
３０ 空洞
３１ 第１めっき膜
４ 樹脂
４ｃ 樹脂の表面
８ 離型フィルム
８ａ 離型フィルムの開口
９ 樹脂シート
９ａ 樹脂シートの開口

Claims (12)

1. 絶縁層と前記絶縁層の両面に積層されている金属箔とを備える基板を用意することと、
   前記絶縁層および前記金属箔を貫く貫通孔を形成することと、
   前記金属箔の表面の全面および前記貫通孔の内壁に第１めっき膜を形成することと、
   前記第１めっき膜の上に、樹脂シートを積層することと、
   前記樹脂シートを加圧することにより、前記第１めっき膜に囲まれている前記貫通孔の内部に前記樹脂シートから染み出した樹脂を充填することと、
   前記樹脂シートを除去することと、
   前記絶縁層の両面それぞれに、前記貫通孔の前記内部に充填されている前記樹脂の表面を被覆する第２めっき膜を形成することと
   を含む配線基板の製造方法。
2. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、さらに、
   前記絶縁層の両面それぞれに、その上に前記樹脂シートが積層される離型フィルムを、前記第１めっき膜を覆うように貼り付けることと、
   前記樹脂シートの積層の前に、前記離型フィルムに、前記貫通孔を露出する開口を設けることと
   を含んでいる。
3. 請求項２記載の配線基板の製造方法であって、前記樹脂シートを除去することが、前記樹脂シートに、前記離型フィルムに設けられた前記開口の内壁を露出させる開口を設けることと、前記離型フィルムを前記第１めっき膜から剥離することによって行われる。
4. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記樹脂シートの除去後に露出している前記第１めっき膜を除去して、前記樹脂の前記表面と前記金属箔の前記表面とを揃えることを含んでいる。
5. 請求項４記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記絶縁層の両面それぞれに、前記金属箔および前記第２めっき膜を含む導体回路を形成することを含んでいる。
6. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記樹脂シートを加圧することは、真空プレスによって行われる。
7. 請求項２記載の配線基板の製造方法であって、前記離型フィルムに前記開口を設けることは、レーザー加工によって行われる。
8. 請求項３記載の配線基板の製造方法であって、前記樹脂シートに前記開口を設けることは、レーザー加工によって行われる。
9. 請求項８記載の配線基板の製造方法であって、前記樹脂シートに前記開口を設けることは、前記レーザー加工によって、前記貫通孔の前記内部に充填されている前記樹脂の表面の一部を除去して、前記樹脂の前記表面を前記第１めっき膜の上面よりも凹ませることを含んでいる。
10. 請求項４記載の配線基板の製造方法であって、前記第１めっき膜を除去することは、エッチングによって行われる。
11. 請求項４記載の配線基板の製造方法であって、前記第１めっき膜の除去の後に、前記金属箔および前記樹脂の表面を研磨することをさらに含んでいる。
12. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記樹脂シートの前記第１めっき膜の上への積層は、前記絶縁層の両側それぞれにおいて行われる。

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