JP2023034385A - 光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】小型且つ簡易な構成で被走査面上における光量ムラを低減することができる光走査装置を提供する。【解決手段】本発明に係る光走査装置は、光束を偏向して被走査面を主走査方向に走査する偏向器と、偏向器によって偏向された光束を被走査面に導光すると共に、軸上像高と最軸外像高とで主走査方向における部分倍率が互いに異なるように構成されている結像光学系とを備え、軸上光束の主光線の第１の偏向点における反射率に対する、一方の側における最軸外光束のマージナル光線に対する第２の偏向点における反射率の比の値をΔＲ１、第１の偏向点における反射率に対する、他方の側における最軸外光束のマージナル光線に対する第３の偏向点における反射率の比の値をΔＲ２としたとき、１．０５≦｜ΔＲ１｜≦１．５０１．０５≦｜ΔＲ２｜≦１．５０なる条件を満たすことを特徴とする。【選択図】 図４

Description

本発明は、光走査装置及び画像形成装置に関する。

従来、軸上像高と軸外像高とで光束による走査速度が互いに異なる非等速走査特性を有するように構成することで小型化を図った光走査装置が知られている。
そのような光走査装置では、軸上像高と軸外像高との間における走査速度の違いに伴って、単位面積当たりの露光量が被走査面上の各像高において異なることで光量ムラが発生することが知られている。
特許文献１は、軸上像高を走査する光束と軸外像高を走査する光束とのそれぞれに対する光源の発光時間を互いに異ならせることで、被走査面上における光量ムラを低減する光走査装置を開示している。

特開２００７－２９２９１８号公報

しかしながら特許文献１に開示されている光走査装置では、光源の発光時間を制御するための制御部を新たに設ける必要があるため、構成が複雑化すると共に、大型化してしまう。
そこで本発明は、小型且つ簡易な構成で被走査面上における光量ムラを低減することができる光走査装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。

本発明に係る光走査装置は、光束を偏向して被走査面を主走査方向に走査する偏向器と、偏向器によって偏向された光束を被走査面に導光すると共に、軸上像高と最軸外像高とで主走査方向における部分倍率が互いに異なるように構成されている結像光学系とを備え、軸上光束の主光線に対する偏向器の偏向面上の第１の偏向点における反射率に対する、偏向面上の第１の偏向点に対して主走査方向における一方の側において最も離間した第１の最軸外光束のマージナル光線に対する第２の偏向点における反射率の比の値をΔＲ_１、第１の偏向点における反射率に対する、偏向面上の第１の偏向点に対して主走査方向における他方の側において最も離間した第２の最軸外光束のマージナル光線に対する第３の偏向点における反射率の比の値をΔＲ_２としたとき、
１．０５≦｜ΔＲ_１｜≦１．５０
１．０５≦｜ΔＲ_２｜≦１．５０
なる条件を満たすことを特徴とする。

本発明によれば、小型且つ簡易な構成で被走査面上における光量ムラを低減することができる光走査装置及び画像形成装置を提供することができる。

第一実施形態に係る光走査装置の模式的主走査断面図及び一部拡大模式的副走査断面図。 第一実施形態に係る光走査装置における部分倍率ずれの像高依存性を示した図。 偏向器の偏向面において成膜を行うための真空蒸着装置の模式的断面図及び一部拡大模式的断面図。 第一実施形態に係る光走査装置が備える偏向器の偏向面の反射率の入射角度依存性を示した図。 第一実施形態に係る光走査装置における主走査及び副走査ＬＳＦ深度中心位置の像高依存性を示した図。 第一実施形態に係る光走査装置による被走査面上における光量分布を示した図。 第二実施形態に係る光走査装置の模式的主走査断面図及び一部拡大模式的副走査断面図。 第二実施形態に係る光走査装置における部分倍率ずれの像高依存性を示した図。 第二実施形態に係る光走査装置が備える偏向器の偏向面の反射率の入射角度依存性を示した図。 第二実施形態に係る光走査装置における主走査及び副走査ＬＳＦ深度中心位置の像高依存性を示した図。 第二実施形態に係る光走査装置による被走査面上における光量分布を示した図。 第三実施形態に係る光走査装置の模式的主走査断面図及び一部拡大模式的副走査断面図。 第三実施形態に係る光走査装置における部分倍率ずれの像高依存性を示した図。 第三実施形態に係る光走査装置が備える偏向器の偏向面の反射率の入射角度依存性を示した図。 第三実施形態に係る光走査装置における主走査及び副走査ＬＳＦ深度中心位置の像高依存性を示した図。 第三実施形態に係る光走査装置による被走査面上における光量分布を示した図。 実施形態に係る画像形成装置の要部副走査断面図。 従来の光走査装置が備える偏向器の偏向面の反射率の入射角度依存性及び当該光走査装置による被走査面上における光量分布を示した図。

以下に、本実施形態に係る光走査装置を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお以下に示す図面は、本実施形態を容易に理解できるようにするために、実際とは異なる縮尺で描かれている場合がある。
また以下の説明において、主走査方向とは、偏向器の回転軸及び光学系の光軸に垂直な方向（偏向器によって光束が偏向走査される方向）である。副走査方向とは、偏向器の回転軸に平行な方向である。主走査断面とは、副走査方向に垂直な断面である。副走査断面とは、主走査方向に垂直な断面である。

［第一実施形態］
従来、被走査面上を非等速で走査するような特性を有するように設計することで小型化を図った光走査装置が知られている。
そしてそのような光走査装置では、各像高において走査速度の違いに応じて単位面積当たりの露光量が異なるため、被走査面上において光量ムラが発生してしまうことが知られている。

また、そのような光走査装置において発生する光量ムラを低減するための方法も種々提案されている。例えば、各像高において光源の発光時間を異ならせることで、被走査面上における光量ムラを低減する方法が提案されている。
しかしながら、当該方法において光源の発光時間を変化させるためには、光源に対して電気的な制御を行う制御部を新たに設ける必要が生じる。

また、そのような光走査装置が搭載される画像形成装置において、被走査面の位置に各像高で光感度が異なる感光ドラムを配置することで、形成される画像において光量ムラを低減する方法も提案されている。
しかしながら当該方法では、そのように各像高で光感度が異なる特殊なドラム部材を設ける必要が生じる。

すなわち、上記に挙げた方法のいずれにおいても新たな構成部品やソフトウェアを設ける必要があるため、構成が複雑化したり、サイズやコストが増大してしまう。
そこで本実施形態は、被走査面上を非等速で走査する特性を有しながら、複雑な構成を必要とすることなく被走査面上において均一な光量分布を実現することができる光走査装置を提供することを目的としている。

図１（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、第一実施形態に係る光走査装置１００の模式的主走査断面図及び一部拡大模式的副走査断面図を示している。

本実施形態に係る光走査装置１００は、光源１０１、絞り１０２、入射光学素子１０３、偏向器１０４及び結像光学素子１０５を備えている。
なお本実施形態に係る光走査装置１００では、絞り１０２及び入射光学素子１０３によって入射光学系７５が構成され、結像光学素子１０５によって結像光学系８５が構成される。

光源１０１としては、例えば半導体レーザーを用いることができ、発光点の数は一つであっても複数であってもよい。
絞り１０２は、楕円状の開口部を有しており、光源１０１から出射した光束の主走査方向及び副走査方向それぞれにおける光束径を制限する。

入射光学素子１０３は、主走査断面内において正の屈折力を有しており、絞り１０２を通過した光束を主走査断面内において平行光束に変換する。なおここで、平行光束とは厳密な平行光束だけでなく、弱発散光束や弱収束光束等の略平行光束も含むものとする。本実施形態に係る光走査装置１００では、絞り１０２を通過した光束が弱収束光束に変換されることで、結像光学素子１０５に必要な屈折力を低減している。
また入射光学素子１０３は、副走査断面内において正の屈折力を有しており、絞り１０２を通過した光束を副走査断面内において偏向器１０４の偏向面１０４ａの近傍に集光することで主走査方向に長い線像を形成する。
なお本実施形態に係る光走査装置１００では、偏向器１０４へ入射する際の光束の主走査断面内における幅は、偏向器１０４の偏向面１０４ａの主走査断面内における幅よりも小さくなっている。

結像光学素子１０５は、主走査断面内及び副走査断面内それぞれにおいて正の屈折力を有しており、偏向器１０４によって偏向された光束を主走査断面内及び副走査断面内それぞれにおいて集光することで、被走査面１０６の近傍にスポット状の像を形成する。
具体的には、結像光学素子１０５は、入射面及び出射面の二つの光学面（レンズ面）を有しており、偏向器１０４の偏向面１０４ａによって偏向された光束が主走査断面内において被走査面１０６上を所望の走査特性で走査するように構成されている。
また結像光学素子１０５は、副走査断面内において偏向器１０４の偏向面１０４ａの近傍と被走査面１０６の近傍とを互いに共役の関係にすることで、面倒れ補償（すなわち、偏向面１０４ａが倒れた際の被走査面１０６上における副走査方向の走査位置ずれの低減）を行っている。

このようにして、光源１０１から出射した光束は、絞り１０２及び入射光学素子１０３を通過した後、偏向器１０４の偏向面１０４ａに入射する。
そして、偏向器１０４の偏向面１０４ａによって反射偏向された光束は、結像光学素子１０５によって被走査面１０６に導光される。
本実施形態に係る光走査装置１００では、偏向器１０４を不図示の駆動部によって一定速度で回転させることによって被走査面１０６上を矢印Ｓｃで示される主走査方向に光走査することで、被走査面１０６上に静電潜像が形成される。

また本実施形態に係る光走査装置１００では、偏向器１０４が所定の走査角度となった際に偏向された光束を不図示の同期検知光学系によって不図示の同期検知センサーへ導光している。
そして、同期検知センサーによって取得された同期検知信号に基づいて、偏向器１０４の回転速度が一定になるように制御している。

なお本実施形態に係る光走査装置１００において入射光学素子１０３の代わりに、例えばカップリングレンズとシリンドリカルレンズとの複数の光学素子を設けても構わない。
また本実施形態に係る光走査装置１００において入射光学素子１０３及び結像光学素子１０５としてはそれぞれ、射出成型によって形成されたプラスチックモールドレンズを用いているが、これに限らずガラスモールドレンズを用いてもよい。
モールドレンズは、非球面形状の形成が容易であると共に、大量生産にも適しているため、モールドレンズを用いることで入射光学素子１０３及び結像光学素子１０５それぞれの生産性及び光学性能の向上を図ることができる。

次に、本実施形態に係る光走査装置１００の諸元値を以下の表１、表２及び表３に示す。

表３に示されているように、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられている入射光学素子１０３の入射面は、回折格子が形成された回折面に設計されている。
これにより、プラスチック材料を用いた射出成型で形成されている入射光学素子１０３を、環境変動による屈折力の変化を半導体レーザーから出射する光束の波長の変化に伴う回折パワーの変化によって補償する、所謂温度補償光学系とすることができる。

入射光学素子１０３の入射面において、入射光学素子１０３の光軸との交点を原点とし、主走査断面内及び副走査断面内それぞれにおいて当該光軸と直交する軸をＹ軸及びＺ軸としたとき、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられている入射光学素子１０３の入射面に形成されている回折面は、以下の式（１）に表されるような位相関数によって定義される。

ここで、φは位相関数、Ｍは回折次数、λは設計波長である。なお、本実施形態に係る光走査装置１００では、１次回折光（すなわち、回折次数Ｍは１）を用いており、設計波長λは７９０ｎｍとなっている。

また、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられている結像光学素子１０５の入射面及び出射面の母線形状は、Ｙの１０次までの関数で表すことができる非球面形状によって構成されている。
具体的には、結像光学素子１０５の入射面及び出射面それぞれにおいて、結像光学素子１０５の光軸との交点を原点とし、光軸方向をＸ軸、主走査断面内において当該光軸と直交する軸をＹ軸としたとき、母線形状が以下の式（２）のように定義される。

ここで、Ｒは母線曲率半径、Ｋ、Ｂ_３、Ｂ_４、Ｂ_５、Ｂ_６、Ｂ_７、Ｂ_８、Ｂ_９及びＢ_１０は非球面係数である。

また、結像光学素子１０５の入射面及び出射面それぞれにおいて、結像光学素子１０５の光軸との交点を原点とし、副走査断面内において当該光軸と直交する軸をＺ軸としたとき、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられている結像光学素子１０５の入射面及び出射面の子線形状は、以下の式（３）のように定義される。

ここで、Ｓは母線方向の各位置における母線の法線を含み主走査断面に垂直な面内に定義される子線形状である。

また、結像光学素子１０５の入射面及び出射面それぞれにおける結像光学素子１０５の光軸から主走査方向にＹだけ離間した位置での副走査断面内における曲率半径、すなわち子線曲率半径ｒ’は、以下の式（４）のように定義される。

ここで、ｒは光軸上における子線曲率半径、Ｅ_１、Ｅ_２、Ｅ_３、Ｅ_４、Ｅ_５、Ｅ_６、Ｅ_７、Ｅ_８、Ｅ_９及びＥ_１０は子線変化係数である。

なお本実施形態に係る光走査装置１００では、光学面の形状を上記に示した式（１）乃至（４）によって定義したが、本発明の権利の範囲はこれに制限されるものではない。

以上のように、式（２）は、主走査断面（ＸＹ断面）内における光学面の形状（母線形状）を示しており、式（３）は、任意の像高Ｙにおける副走査断面（ＸＺ断面）内における光学面の形状（子線形状）を示している。
そしてこのとき、式（４）に示したように、光学面の子線曲率半径ｒ’は、Ｙの値に応じて変化する。

次に、本実施形態に係る光走査装置１００における走査特性について説明する。
本実施形態に係る光走査装置１００に設けられている結像光学素子１０５は、通過する走査光束が被走査面１０６上において等速性を有さないような走査特性を有している。
そして、結像光学素子１０５がこのような走査特性を有することによって結像光学素子１０５を偏向器１０４に近接して配置することを可能にすることで、結像光学素子１０５の小径化及び光走査装置１００の小型化を実現することができる。

具体的には、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられている結像光学素子１０５が有する走査特性は、以下の式（５）のように表される。

ここで、偏向器１０４による走査角度をθ［ｒａｄ］、走査角度θの方向に偏向された光束の被走査面１０６上での主走査方向における集光位置（像高）をＹ［ｍｍ］、軸上像高における結像係数をＫＫ［ｍｍ／ｒａｄ］としている。

なお、本実施形態に係る光走査装置１００では、軸上像高とは光軸上の像高（Ｙ＝０）を指し、走査角度θ＝０に対応する。
また、軸外像高とは光軸外の像高（Ｙ≠０）、すなわち走査角度θ≠０に対応し、最軸外像高とは走査角度θが最大（最大走査画角）となるときの像高を指す。

また、式（５）における結像係数ＫＫは、結像光学素子１０５に完全平行光束が入射する場合の走査特性（ｆθ特性）Ｙ＝ｆθにおけるｆに相当する係数である。
すなわち結像係数ＫＫは、結像光学素子１０５に完全平行光束以外の光束が入射する場合に、ｆθ特性と同様に像高Ｙと走査角度θとを互いに比例関係にするための係数である。
なお本実施形態に係る光走査装置１００では、結像光学素子１０５へ入射する光束を主走査方向において弱収束光束に設定しており、それに合わせるように軸上像高における結像係数ＫＫを設定している。

また式（５）におけるαは、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられている結像光学素子１０５の走査特性を決定するための係数（以下、走査特性係数と称する。）であり、表１に示されているように、正の値に設定されている。
例えばα＝０の場合には、式（５）はＹ＝ＫＫ・θとなることから、従来の光走査装置に用いられる結像光学素子の走査特性であるＹ＝ｆθに対応する。

また、式（５）の両辺を走査角度θで微分すると、以下の式（６）で示されるような走査角度θでの被走査面１０６上における光束の走査速度が得られる。

また、式（６）の両辺を軸上像高における走査速度ｄＹ／ｄθ（θ＝０）、すなわち結像係数ＫＫによって除すると、以下の式（７）が得られる。

ここで式（７）に示されている（ｄＹ／ｄθ）／ＫＫは、軸上像高に対する各軸外像高における等速性からのずれ量、すなわち軸上像高における部分倍率に対する軸外像高における部分倍率の比の値（部分倍率ずれ）に対応する。
すなわち本実施形態に係る光走査装置１００のようにα＝０を満たさない場合には、式（６）に示されているように、軸上像高と軸外像高とで光束による走査速度が互いに異なることとなる。
換言すると、本実施形態に係る光走査装置１００では、結像光学系８５は、軸上像高と軸外像高とで主走査方向における部分倍率が互いに異なるように構成されている。

図２は、本実施形態に係る光走査装置１００における部分倍率ずれの像高依存性を示している。

図２に示されているように、本実施形態に係る光走査装置１００では、部分倍率は、主走査方向に沿って軸上像高から一方の最軸外像高に行くにつれて大きくなると共に、軸上像高から他方の最軸外像高に行くにつれて大きくなる。
すなわち本実施形態に係る光走査装置１００では、軸外像高における走査速度が軸上像高に比べて大きくなるように設定されている。

これにより、軸外像高における走査位置（単位時間当たりの走査距離）は部分倍率ずれに応じて間延びしてしまう。
そのため、偏向器１０４を等角速度で回転させながら被走査面１０６を光走査した場合には、被走査面１０６上における主走査方向の光量分布においてムラが発生してしまう。
また、式（７）からもわかるように、本実施形態に係る光走査装置１００における部分倍率ずれは、像高に関して二次関数的なプロファイルを呈する。

次に、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられている偏向器１０４の構成について説明する。

上述のように本実施形態に係る光走査装置１００では、偏向器１０４を一定の速度で回転させることによって入射光学素子１０３を通過した光束を走査角度θを変えながら偏向することで、被走査面１０６上を光走査している。
このとき、偏向面１０４ａへの光束の入射角度は、偏向される走査角度θに応じて異なる。そのため、偏向面１０４ａの反射率に適切な入射角度依存性を付与することによって、上述の非等速走査に伴う被走査面１０６上における光量ムラを低減することが可能となる。
なおここで、偏向面１０４ａへの光束の入射角度は、偏向面１０４ａへの当該光束の主光線の入射方向が偏向面１０４ａの法線方向に対して成す角度（鋭角）として定義する。

具体的に本実施形態に係る光走査装置１００では、被走査面１０６上の軸上像高を走査するように偏向器１０４によって偏向される光束（以下、軸上光束と称する。）の主光線の偏向面１０４ａ上の偏向点（以下、軸上偏向点と称する。）への入射角度は、約４５．０°となっている。
また主走査方向の一方の側において軸上偏向点から最も離間した、被走査面１０６上の一方の最軸外像高（書き始め側）を走査するように偏向器１０４によって偏向される光束（以下、最軸外光束と称する。）のマージナル光線の偏向面１０４ａ上の偏向点（以下、最軸外偏向点と称する。）への入射角度は、約１９．５°となっている。
また主走査方向の他方の側において軸上偏向点から最も離間した、被走査面１０６上の他方の最軸外像高（書き終わり側）を走査するように偏向器１０４によって偏向される最軸外光束のマージナル光線の偏向面１０４ａ上の最軸外偏向点への入射角度は、約７０．５°となっている。

また本実施形態に係る光走査装置１００では、偏向器１０４としては、樹脂成形によって形成された基板上に適切な反射率角度特性を有する反射膜が設けられた偏向面を四つ有するポリゴンミラー（多面鏡）が用いられる。
しかしながら、これに限らず金属やガラスによって形成された基板上に適切な反射率角度特性を有する反射膜を設けることによっても、本実施形態の効果を得ることができる。

また、ポリゴンミラーに限らず、例えばガルバノミラー等の反射素子に適切な反射率角度特性を有する反射膜を設けることによっても、本実施形態の効果を得ることができる。
また、偏向面の数も四つに限られることは無く、例えば五つ以上の偏向面を有するポリゴンミラーにおいても本実施形態の効果を得ることができる。

次に、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられる偏向器１０４の偏向面１０４ａに形成される反射膜の構成について説明する。

上述のように、非等速走査に伴う被走査面１０６上における光量ムラは、偏向面１０４ａへの光束の入射角度に応じて反射率が変化するような特性を偏向面１０４ａに付与することで、低減することができる。
本実施形態に係る光走査装置１００では、具体的には、走査速度が大きくなる軸外像高を走査するように偏向される光束（以下、軸外光束と称する。）の入射角度に対して、反射率を増大させるような反射率角度特性を有する反射膜を偏向面１０４ａに付与すればよい。
すなわち、軸上光束の入射角度に比べて小さい又は大きい入射角度において、反射率を増大させるような反射率角度特性を有する反射膜を偏向面１０４ａに付与すればよい。

図３（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられる偏向器１０４の偏向面１０４ａにおいて成膜を行うための真空蒸着装置２００の模式的断面図及び一部拡大模式的断面図を示している。

真空蒸着装置２００には、内部を真空状態に維持することができる成膜室２０１と、成膜室２０１を排気する真空ポンプ等から構成される排気系２０２とが設けられている。
そして成膜室２０１には、公転軸２０３を中心に公転駆動が可能な公転部品２０４が配置されており、駆動機構２０５によってギア２０６を介して公転部品２０４の公転駆動が行われる。

偏向器１０４は、中心に形成されている孔を成膜室２０１に設けられている自転軸部品２０７が貫通するように複数積層されて配置される。
そして、そのように複数の偏向器１０４が配置された自転軸部品２０７が、公転部品２０４に対して角度Ｓθをなすように傾けて設置され、不図示の駆動機構によって自転軸部品２０７の自転駆動が行われる。
このように、公転部品２０４が公転駆動すると共に自転軸部品２０７が自転駆動することによって、偏向器１０４が自公転駆動した状態で偏向面１０４ａにおいて成膜が行われる。

また真空蒸着装置２００には、ライナー２０８、イオン銃２０９及び水晶膜厚センサー２１０が設けられている。
さらに成膜室２０１には、酸素ガスを導入するための不図示のアルゴン導入ライン及び酸素導入ラインが設けられている。
そしてライナー２０８は、公転軸２０３から距離ＯＦＳだけ離間すると共に、偏向器１０４から高さＳＬだけ離間した位置に配置される。

また図３（ｂ）に示されているように、複数の偏向器１０４は自転軸部品２０７の軸方向に沿って、偏向面１０４ａに垂直な面１０４ｂが上方を向くと共に、スペーサ２１１を介して互いに対して隙間Ｇだけ離間するように配置される。
なお、偏向器１０４の偏向面１０４ａ上に反射膜を成膜するための成膜方法については、何ら限定されることはなく、公知の成膜技術である真空蒸着法やスパッタリング法等を用いれば所定の特性を有する反射膜を成膜することができる。

次に、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられる偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与される反射膜の構成を以下の表４に示す。

表４に示されているように、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられる偏向器１０４の偏向面１０４ａには、五層の多層膜から形成される反射膜が付与されている。
具体的には、所定の樹脂で形成されている母材である第０層と金属層である第２層との間において光学性能に影響を与えずに密着性を向上させるための下地層（密着層）として低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）で成膜された第１層が形成されている。

そして、第１層上において、金属層として金属材料Ａｌ（アルミニウム）を主成分として成膜された第２層、低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第３層（第１の低屈折率誘電体層）、高屈折率誘電体材料Ｔａ_２Ｏ_５（五酸化タンタル）で成膜された第４層（高屈折率誘電体層）、最表層として低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第５層（第２の低屈折率誘電体層）の順に積層されるように多層膜が形成されている。なお、ここでいう主成分とは、当該成分が９５％以上含まれていることを指す。
換言すると、本実施形態に係る光走査装置１００では、偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与される反射膜を形成する多層膜は、基板側から順に、下地層、金属層、第１の低屈折率誘電体層、高屈折率誘電体層及び第２の低屈折率誘電体層を含んでいる。

なお低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２は、波長λ＝７９０ｎｍにおける屈折率１．４５を有しており、高屈折率誘電体材料Ｔａ_２Ｏ_５は、波長λ＝７９０ｎｍにおける屈折率１．９９を有している。
また、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられる偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与される反射膜における膜構成や膜構造は、上記に限られない。
また表４に示されている各層の物理膜厚とは、各層に成膜されている膜の厚さを示している。

そして偏向面１０４ａにおいて多層膜の成膜を行う際には、成膜室２０１の圧力が１．３×１０^－２Ｐａまで減圧されるように排気系２０２によって排気を行った後、ライナー２０８によって上記の各材料を偏向面１０４ａに蒸着する。
また成膜速度は、水晶膜厚センサー２１０によって制御され、具体的には金属材料Ａｌ、低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２及び高屈折率誘電体材料Ｔａ_２Ｏ_５それぞれにおいて２．５ｎｍ／ｓｅｃ、１．６ｎｍ／ｓｅｃ及び０．４ｎｍ／ｓｅｃに設定されている。
また低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２及び高屈折率誘電体材料Ｔａ_２Ｏ_５の成膜を行う際には、イオン銃２０９によってイオンアシストを行っている。

図４は、本実施形態に係る光走査装置１００に設けられている偏向器１０４の偏向面１０４ａの反射率の入射角度依存性を示している。なお図４では、Ｐ偏光成分についての反射率のみを示している。

図４に示されているように、本実施形態に係る光走査装置１００では、一方の最軸外光束及び他方の最軸外光束それぞれのマージナル光線の偏向面１０４ａ上の最軸外偏向点への入射角度である１９．５°及び７０．５°近傍において反射率が相対的に大きくなるような特性が設定されている。
一方、軸上光束の主光線の偏向面１０４ａ上の軸上偏向点への入射角度である４５．０°近傍では、反射率が相対的に小さくなるような特性が設定されている。

なお本実施形態に係る光走査装置１００では、偏向器１０４の偏向面１０４ａの反射率は、図４に示されているように入射角度に対して直線的な変化ではなく、上述の走査速度の変化に応じた曲線的な変化を呈している。
これは、被走査面１０６上における走査速度の増大に伴う露光量の低下を相殺するためである。

ここで、偏向器１０４の偏向面１０４ａ上の軸上偏向点（第１の偏向点）における反射率に対する、主走査方向の一方の側での最軸外偏向点（第２の偏向点）における反射率の比の値をΔＲ_１とする。
また、軸上偏向点における反射率に対する、主走査方向の他方の側での最軸外偏向点（第３の偏向点）における反射率の比の値をΔＲ_２とする。
このとき本実施形態に係る光走査装置１００では、以下の条件式（８）及び（９）が満たされている。

条件式（８）又は条件式（９）の上限値を上回るほど軸上偏向点に対する最軸外偏向点の反射率の比の値が大きくなると、偏向面１０４ａにおいてそのような反射率角度特性を実現する膜構成を有する反射膜を形成することが困難となる。
一方、条件式（８）又は条件式（９）の下限値を下回るほど軸上偏向点に対する最軸外偏向点の反射率の比の値が小さくなると、本実施形態に係る光走査装置１００のような非等速走査特性によって生じる被走査面１０６上における光量ムラを十分に低減することが困難となる。

なお本実施形態に係る光走査装置１００では、以下の条件式（８ａ）及び（９ａ）が満たされていることが好ましい。

また本実施形態に係る光走査装置１００では、以下の条件式（８ｂ）及び（９ｂ）が満たされていることがより好ましい。

なお本実施形態に係る光走査装置１００では、｜ΔＲ_１｜＝１．２０及び｜ΔＲ_２｜＝１．１８であることから、条件式（８）乃至（８ｂ）及び条件式（９）乃至（９ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。

図５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本実施形態に係る光走査装置１００における主走査方向及び副走査方向のＬＳＦ（Ｌｉｎｅ Ｓｐｒｅａｄ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）深度中心位置（以下、主走査ＬＳＦ深度中心位置及び副走査ＬＳＦ深度中心位置と称する。）の像高依存性を示している。
ここでＬＳＦ深度中心位置とは、被走査面１０６の近傍において結像光学系８５の光軸方向にデフォーカスを行った際に、ＬＳＦスポット径が所定の大きさ（スライスレベル）以下となる前側ピント許容位置と後側ピント許容位置との間の領域の中心位置のことを指す。

なお、主走査方向におけるＬＳＦスポット径とは、スポットプロファイルを各像高において副走査方向に積算した光量プロファイルを、その最大値に対して１３．５％の位置でスライスした時の幅のことを指す。
また、副走査方向におけるＬＳＦスポット径とは、スポットプロファイルを各像高において主走査方向に積算した光量プロファイルを、その最大値に対して１３．５％の位置でスライスした時の幅のことを指す。
また本実施形態に係る光走査装置１００では、主走査方向及び副走査方向双方において、像高全域にわたって１２０μｍをスライスレベルに設定している。

図５（ａ）及び（ｂ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置１００では、主走査方向及び副走査方向それぞれにおいて全像高にわたってＬＳＦ深度中心位置は±１ｍｍ以内になっており、良好な結像性能を達成できていることがわかる。

図６は、本実施形態に係る光走査装置１００による被走査面１０６上における光量分布を示している。
なお図６に示されている光量分布は、軸上像高における光量を１００％として正規化して示している。

図６に示されているように、本実施形態に係る光走査装置１００による被走査面１０６上における光量分布では、全像高にわたって１００％±約５％の範囲に光量が維持されており、略均一な光量分布を実現できていることがわかる。

図１８（ａ）は、従来の光走査装置に設けられている偏向器の偏向面の反射率の入射角度依存性を示している。
また図１８（ｂ）は、従来の光走査装置による被走査面上における光量分布を示している。
なお、ここでの従来の光走査装置は、偏向器１０４の代わりに一般的なアルミ製のポリゴンミラーを用いていること以外は、本実施形態に係る光走査装置１００と同一の構成を有している。

図１８（ａ）に示されているように、従来の光走査装置では、軸上偏向点における反射率に対する一方の最軸外偏向点における反射率の比の値ΔＲ_１は、１．０２となっている。
また、軸上偏向点における反射率に対する他方の最軸外偏向点における反射率の比の値ΔＲ_２は、１．０２となっている。
そして図１８（ｂ）に示されているように、軸上像高に対して双方の最軸外像高において光量は最大である約１７％低下しており、被走査面上において光量ムラが低減できていないことがわかる。

また本実施形態に係る光走査装置１００では、以下の条件式（１０）乃至（１５）の少なくとも一つが満たされていることが好ましい。

ここで、ΔＹ_１はΔＲ_１に対応する最軸外光束（第１の最軸外光束）が到達する最軸外像高（第１の最軸外像高）における部分倍率ずれの大きさ、ΔＹ_２はΔＲ_２に対応する最軸外光束（第２の最軸外光束）が到達する最軸外像高（第２の最軸外像高）における部分倍率ずれの大きさである。
また、ψは入射光学系７５の光軸が結像光学系８５の光軸に対してなす角度（ラジアン）である。
また、θ_ｅｘは偏向面１０４ａの反射率の入射角度依存性において最小値を取るときの角度（ラジアン）であり、換言すると、軸上光束及び軸外光束それぞれの主光線に対する偏向面１０４ａ上の偏向点のうち反射率が最も小さい偏向点に入射する際の主光線の入射角度である。

条件式（１０）又は条件式（１１）の上限値を上回るほど本実施形態に係る光走査装置１００における部分倍率ずれが大きくなると、被走査面１０６上における光量分布を均一化させるための偏向面１０４ａにおける反射率角度特性を実現する膜構成を有する反射膜を形成することが困難となる。
一方、条件式（１０）又は条件式（１１）の下限値を下回るほど本実施形態に係る光走査装置１００における部分倍率ずれが小さくなると、等速走査系に近づくため、結像光学素子１０５を偏向器１０４に近接して配置した場合に結像性能が悪化してしまう。

また、条件式（１２）又は条件式（１３）の上限値を上回るほど本実施形態に係る光走査装置１００における部分倍率ずれが大きくなる、若しくは軸上偏向点における反射率に対する最軸外偏向点における反射率の比の値が小さくなると、被走査面１０６上の軸外像高における部分倍率ずれに伴う光量の低下を補正しきれなくなってしまう。
一方、条件式（１２）又は条件式（１３）の下限値を下回るほど本実施形態に係る光走査装置１００における部分倍率ずれが小さくなる、若しくは軸上偏向点における反射率に対する最軸外偏向点における反射率の比の値が大きくなると、被走査面１０６上の軸外像高における部分倍率ずれによる光量の低下を過剰に補正してしまうことで、軸外像高において光量の上昇が発生してしまう。

また、条件式（１４）の上限値を上回るほど入射光学系７５の光軸が結像光学系８５の光軸に対してなす角度が大きくなると、一方の最軸外像高を走査するように偏向される最軸外光束の偏向器１０４への入射角度が小さくなり過ぎてしまい、偏向面１０４ａ上において当該最軸外光束がケラレてしまう。
一方、条件式（１４）の下限値を下回るほど入射光学系７５の光軸が結像光学系８５の光軸に対してなす角度が小さくなると、入射光学系７５を通過する光束の光路と結像光学素子１０５とが互いに干渉してしまうため、同期検知光学系の光路を確保することが困難となる。或いは、入射光学系７５を通過する光束の光路と入射光学系７５に近い側の軸外像高を走査するように結像光学系８５を通過する光束の光路とが互いに干渉してしまうため、光走査装置１００の小型化が困難となる。

また、条件式（１５）の上限値を上回る、若しくは下限値を下回るほど偏向面１０４ａの反射率の入射角度依存性において最小値を取るときの角度が軸上偏向点における入射角度からずれると、被走査面１０６上における光量分布を均一化させるための偏向面１０４ａにおける反射率角度特性を実現する膜構成が複雑化してしまう。或いは、被走査面１０６上における光量分布において一方の軸外像高と他方の軸外像高との間での非対称な成分が大きくなってしまう。

なお本実施形態に係る光走査装置１００では、以下の条件式（１０ａ）乃至（１５ａ）の少なくとも一つが満たされていることがより好ましい。

また本実施形態に係る光走査装置１００では、以下の条件式（１０ｂ）乃至（１５ｂ）の少なくとも一つが満たされていることがさらにより好ましい。

なお本実施形態に係る光走査装置１００では、｜ΔＹ_１｜＝１.２９、｜ΔＹ_２｜＝１．２９であることから、条件式（１０）乃至（１０ｂ）及び（１１）乃至（１１ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。
また本実施形態に係る光走査装置１００では、｜ΔＹ_１／ΔＲ_１｜＝１．０７、｜ΔＹ_２／ΔＲ_２｜＝１．０９であることから、条件式（１２）乃至（１２ｂ）及び（１３）乃至（１３ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。
また本実施形態に係る光走査装置１００では、｜ψ｜＝１．５７ラジアン、｜θ_ｅｘ｜＝０．８３ラジアンであることから、条件式（１４）乃至（１４ｂ）及び（１５）乃至（１５ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。

以上のように、本実施形態に係る光走査装置１００では、表１乃至表３に示されている光学系の構成に対して、表４に示されている構成を有する反射膜を偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与することで、被走査面１０６上における光量ムラを低減することができる。

なお本実施形態に係る光走査装置１００では、金属層として金属材料Ａｌを主成分として成膜された層を用いているが、これに限らず、銅、銀又は金を主成分として形成されている層を用いても構わない。

また本実施形態に係る光走査装置１００では、偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与される反射膜を形成する多層膜は、基板側から順に、下地層、金属層、第１の低屈折率誘電体層、高屈折率誘電体層及び第２の低屈折率誘電体層を含んでいる。
しかしながらこれに限らず、偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与される反射膜を形成する多層膜は、基板側から順に、下地層、金属層、第１の高屈折率誘電体層、低屈折率誘電体層及び第２の高屈折率誘電体層を含んでいても構わない。

また本実施形態に係る光走査装置１００では、低屈折率誘電体層を形成する低屈折率誘電体材料としてＳｉＯ_２を用いているが、これに限らず、ＭｇＦ_２（フッ化マグネシウム）を用いてもよく、ＳｉＯ_２とＭｇＦ_２との双方を用いても構わない。

また本実施形態に係る光走査装置１００では、高屈折率誘電体層を形成する高屈折率誘電体材料としてＴａ_２Ｏ_５を用いているが、これに限らず、Ｎｂ_２Ｏ_５（五酸化ニオブ）、ＴｉＯ_２（二酸化チタン）、ＺｒＯ_２（酸化ジルコニウム）、ＨｆＯ_２（酸化ハフニウム）及びＡｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）のいずれかを用いてもよい。さらに、高屈折率誘電体層を上記の高屈折率誘電体材料の複数を用いて形成しても構わない。

［第二実施形態］
図７（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、第二実施形態に係る光走査装置３００の模式的主走査断面図及び一部拡大模式的副走査断面図を示している。
なお、本実施形態に係る光走査装置３００は第一実施形態に係る光走査装置１００と同一の構成を有しているため、同一の部材には同一の符番を付して説明を省略する。

また、本実施形態に係る光走査装置３００の諸元値を以下の表５、表６及び表７に示す。

表５に示されているように、本実施形態に係る光走査装置３００では、入射光学系７５の光軸が結像光学系８５の光軸に対してなす角度ψが、１．２２２ラジアン（約７０°）となっている。
そのため本実施形態に係る光走査装置３００では、軸上光束の主光線の偏向器１０４上の軸上偏向点への入射角度は、約３５°となっている。

図８は、本実施形態に係る光走査装置３００における部分倍率ずれの像高依存性を示している。
図８に示されているように、本実施形態に係る光走査装置３００では、最軸外像高において軸上像高に対して最大である約１３０％の部分倍率ずれが発生している。

次に、本実施形態に係る光走査装置３００に設けられる偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与される反射膜の構成を以下の表８に示す。

表８に示されているように、本実施形態に係る光走査装置３００に設けられる偏向器１０４の偏向面１０４ａには、九層の多層膜から形成される反射膜が付与されている。
具体的には、所定の樹脂で形成されている母材である第０層と金属層である第２層との間において光学性能に影響を与えずに密着性を向上させるための下地層（密着層）として低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第１層が形成されている。
そして、第１層上において、金属層として金属材料Ａｌを主成分として成膜された第２層、低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第３層、高屈折率誘電体材料Ｔａ_２Ｏ_５で成膜された第４層、低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第５層、高屈折率誘電体材料Ｔａ_２Ｏ_５で成膜された第６層、低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第７層、高屈折率誘電体材料Ｔａ_２Ｏ_５で成膜された第８層、最表層として低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第９層の順に積層されるように多層膜が形成されている。

図９は、本実施形態に係る光走査装置３００に設けられている偏向器１０４の偏向面１０４ａの反射率の入射角度依存性を示している。なお図９では、Ｐ偏光成分についての反射率のみを示している。

上述のように、本実施形態に係る光走査装置３００では、軸上光束の主光線の偏向面１０４ａ上の軸上偏向点への入射角度は、約３５°となっている。
そのため本実施形態に係る光走査装置３００では、図９に示されているように、当該反射率が最小値を取る角度が約３５°となるように、上記のように九層の多層膜から形成される反射膜を偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与している。

図１０（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本実施形態に係る光走査装置３００における主走査及び副走査ＬＳＦ深度中心位置の像高依存性を示している。
図１０（ａ）及び（ｂ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置３００では、主走査方向及び副走査方向それぞれにおいて全像高にわたってＬＳＦ深度中心位置は±１ｍｍ以内になっており、良好な結像性能を達成できていることがわかる。

図１１は、本実施形態に係る光走査装置３００による被走査面１０６上における光量分布を示している。
なお図１１に示されている光量分布は、軸上像高における光量を１００％として正規化して示している。

図１１に示されているように、本実施形態に係る光走査装置３００による被走査面１０６上における光量分布では、全像高にわたって１００％乃至約１０９％の範囲に光量が維持されており、略均一な光量分布を実現できていることがわかる。

また本実施形態に係る光走査装置３００では、｜ΔＲ_１｜＝１．２６及び｜ΔＲ_２｜＝１．２６であることから、条件式（８）乃至（８ｂ）及び条件式（９）乃至（９ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。
また本実施形態に係る光走査装置３００では、｜ΔＹ_１｜＝１．３０、｜ΔＹ_２｜＝１．３０であることから、条件式（１０）乃至（１０ｂ）及び（１１）乃至（１１ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。

また本実施形態に係る光走査装置３００では、｜ΔＹ_１／ΔＲ_１｜＝１．０３、｜ΔＹ_２／ΔＲ_２｜＝１．０３であることから、条件式（１２）乃至（１２ｂ）及び（１３）乃至（１３ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。
また本実施形態に係る光走査装置３００では、｜ψ｜＝１．２２ラジアン、｜θ_ｅｘ｜＝０．６１ラジアンであることから、条件式（１４）乃至（１４ｂ）及び（１５）乃至（１５ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。

以上のように、本実施形態に係る光走査装置３００では、表５乃至表７に示されている光学系の構成に対して、表８に示されている構成を有する反射膜を偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与することで、被走査面１０６上における光量ムラを低減することができる。

［第三実施形態］
図１２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、第三実施形態に係る光走査装置４００の模式的主走査断面図及び一部拡大模式的副走査断面図を示している。
なお、本実施形態に係る光走査装置４００は第一実施形態に係る光走査装置１００と同一の構成を有しているため、同一の部材には同一の符番を付して説明を省略する。

また、本実施形態に係る光走査装置４００の諸元値を以下の表９、表１０及び表１１に示す。

表９に示されているように、本実施形態に係る光走査装置４００では、入射光学系７５の光軸が結像光学系８５の光軸に対してなす角度ψが、１．７４５ラジアン（約１００°）となっている。
そのため本実施形態に係る光走査装置４００では、軸上光束の主光線の偏向器１０４上の軸上偏向点への入射角度は、約５０°となっている。

図１３は、本実施形態に係る光走査装置４００における部分倍率ずれの像高依存性を示している。
図１３に示されているように、本実施形態に係る光走査装置４００では、最軸外像高において軸上像高に対して最大である約１２９％の部分倍率ずれが発生している。

次に、本実施形態に係る光走査装置４００に設けられる偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与される反射膜の構成を以下の表１２に示す。

表１２に示されているように、本実施形態に係る光走査装置４００に設けられる偏向器１０４の偏向面１０４ａには、九層の多層膜から形成される反射膜が付与されている。
具体的には、所定の樹脂で形成されている母材である第０層と金属層である第２層との間において光学性能に影響を与えずに密着性を向上させるための下地層（密着層）として低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第１層が形成されている。
そして、第１層上において、金属層として金属材料Ａｌを主成分として成膜された第２層、低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第３層、高屈折率誘電体材料Ｔａ_２Ｏ_５で成膜された第４層、低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第５層、高屈折率誘電体材料Ｔａ_２Ｏ_５で成膜された第６層、低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第７層、高屈折率誘電体材料Ｔａ_２Ｏ_５で成膜された第８層、最表層として低屈折率誘電体材料ＳｉＯ_２で成膜された第９層の順に積層されるように多層膜が形成されている。

図１４は、本実施形態に係る光走査装置４００に設けられている偏向器１０４の偏向面１０４ａの反射率の入射角度依存性を示している。なお図１４では、Ｐ偏光成分についての反射率のみを示している。

上述のように、本実施形態に係る光走査装置４００では、軸上光束の主光線の偏向面１０４ａ上の軸上偏向点への入射角度は、約５０°となっている。
そのため本実施形態に係る光走査装置４００では、図１４に示されているように、当該反射率が最小値を取る角度が約５０°となるように、上記のように九層の多層膜から形成される反射膜を偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与している。

図１５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本実施形態に係る光走査装置４００における主走査及び副走査ＬＳＦ深度中心位置の像高依存性を示している。
図１５（ａ）及び（ｂ）に示されているように、本実施形態に係る光走査装置４００では、主走査方向及び副走査方向それぞれにおいて全像高にわたってＬＳＦ深度中心位置は±１ｍｍ以内になっており、良好な結像性能を達成できていることが分かる。

図１６は、本実施形態に係る光走査装置４００による被走査面１０６上における光量分布を示している。
なお図１６に示されている光量分布は、軸上像高における光量を１００％として正規化して示している。

図１６に示されているように、本実施形態に係る光走査装置４００による被走査面１０６上における光量分布では、全像高にわたって約１００％乃至約１０８％の範囲に光量が維持されており、略均一な光量分布を実現できていることがわかる。

また本実施形態に係る光走査装置４００では、｜ΔＲ_１｜＝１．３２及び｜ΔＲ_２｜＝１．２８であることから、条件式（８）乃至（８ｂ）及び条件式（９）乃至（９ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。
また本実施形態に係る光走査装置４００では、｜ΔＹ_１｜＝１．２９、｜ΔＹ_２｜＝１．２９であることから、条件式（１０）乃至（１０ｂ）及び（１１）乃至（１１ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。

また本実施形態に係る光走査装置４００では、｜ΔＹ_１／ΔＲ_１｜＝０．９７、｜ΔＹ_２／ΔＲ_２｜＝１．０１であることから、条件式（１２）乃至（１２ｂ）及び（１３）乃至（１３ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。
また本実施形態に係る光走査装置４００では、｜ψ｜＝１．７５ラジアン、｜θ_ｅｘ｜＝０．９２ラジアンであることから、条件式（１４）乃至（１４ｂ）及び（１５）乃至（１５ｂ）のいずれも満たされていることがわかる。

以上のように、本実施形態に係る光走査装置４００では、表９乃至表１１に示されている光学系の構成に対して、表１２に示されている構成を有する反射膜を偏向器１０４の偏向面１０４ａに付与することで、被走査面１０６上における光量ムラを低減することができる。

また、第一乃至第三実施形態に係る光走査装置それぞれにおける条件式（８）乃至（１５）に対応する値を以下の表１３に示す。

以上、好ましい実施形態について説明したが、これらの実施形態に限定されることはなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

［画像形成装置］
図１７は、第一乃至第三実施形態のいずれかに係る光走査装置である光走査ユニット５００が搭載された画像形成装置５０４の要部副走査断面図を示している。

画像形成装置５０４には、パーソナルコンピュータ等の外部機器５１７から出力したコードデータＤｃが入力される。このコードデータＤｃは、画像形成装置５０４内のプリンタコントローラ５１１によって、画像データ（ドットデータ）Ｄｉに変換される。この画像データＤｉは、光走査ユニット５００に入力される。そして、この光走査ユニット５００からは、画像データＤｉに応じて変調された光ビーム５０３が出射され、この光ビーム５０３によって感光ドラム５０１の感光面が主走査方向に走査される。

静電潜像担持体（感光体）たる感光ドラム５０１は、モーター５１５によって時計廻りに回転させられる。そして、この回転に伴って、感光ドラム５０１の感光面が光ビーム５０３に対して、主走査方向と直交する副走査方向に移動する。感光ドラム５０１の上方には、感光ドラム５０１の表面を一様に帯電せしめる帯電ローラ５０２が表面に当接するように設けられている。そして、帯電ローラ５０２によって帯電された感光ドラム５０１の表面に、光走査ユニット５００によって走査される光ビーム５０３が照射されるようになっている。

先に説明したように、光ビーム５０３は、画像データＤｉに基づいて変調されており、この光ビーム５０３を照射することによって、感光ドラム５０１の表面に静電潜像を形成せしめる。この静電潜像は、光ビーム５０３の照射位置よりもさらに感光ドラム５０１の回転方向の下流側で感光ドラム５０１に当接するように配設された現像器５０７によってトナー像として現像される。

現像器５０７によって現像されたトナー像は、感光ドラム５０１の下方で、感光ドラム５０１に対向するように配設された転写ローラ（転写器）５０８によって被転写材たる用紙５１２上に転写される。用紙５１２は感光ドラム５０１の前方（図１７において右側）の用紙カセット５０９内に収納されているが、手差しでも給紙が可能である。用紙カセット５０９の端部には、給紙ローラ５１０が配設されており、用紙カセット５０９内の用紙５１２を搬送路へ送り込む。

以上のようにして、未定着トナー像が転写された用紙５１２は、さらに感光ドラム５０１後方（図１７において左側）の定着器５５０へと搬送される。定着器５５０は、内部に定着ヒータ（不図示）を有する定着ローラ５１３と定着ローラ５１３に圧接するように配設された加圧ローラ５１４とで構成されている。転写部から搬送されてきた用紙５１２を定着ローラ５１３と加圧ローラ５１４との圧接部にて加圧しながら加熱することにより用紙５１２上の未定着トナー像は定着せしめられる。更に定着器５５０の後方には排紙ローラ５１６が配設されており、定着された用紙５１２が画像形成装置５０４の外部に排出せしめられる。

なおプリンタコントローラ５１１は、データの変換だけでなく、モーター５１５を始め画像形成装置５０４内の各部や、光走査ユニット５００内のポリゴンモーターなどの制御も行う。

８５ 結像光学系
１００ 光走査装置
１０４ 偏向器
１０４ａ 偏向面
１０６ 被走査面

Claims (16)

1. 光束を偏向して被走査面を主走査方向に走査する偏向器と、
   該偏向器によって偏向された光束を前記被走査面に導光すると共に、軸上像高と最軸外像高とで主走査方向における部分倍率が互いに異なるように構成されている結像光学系とを備え、
   軸上光束の主光線に対する前記偏向器の偏向面上の第１の偏向点における反射率に対する、前記偏向面上の該第１の偏向点に対して主走査方向における一方の側において最も離間した第１の最軸外光束のマージナル光線に対する第２の偏向点における反射率の比の値をΔＲ_１、該第１の偏向点における反射率に対する、前記偏向面上の該第１の偏向点に対して主走査方向における他方の側において最も離間した第２の最軸外光束のマージナル光線に対する第３の偏向点における反射率の比の値をΔＲ_２としたとき、
   １．０５≦｜ΔＲ_１｜≦１．５０
   １．０５≦｜ΔＲ_２｜≦１．５０
   なる条件を満たすことを特徴とする光走査装置。
2. 前記反射率は、主走査方向に沿って前記第１の偏向点から前記第２の偏向点に行くにつれて大きくなると共に、前記第１の偏向点から前記第３の偏向点に行くにつれて大きくなることを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
3. 前記軸上像高における前記部分倍率に対する、前記第１の最軸外光束が到達する第１の前記最軸外像高における前記部分倍率の比の値をΔＹ_１、前記軸上像高における前記部分倍率に対する、前記第２の最軸外光束が到達する第２の前記最軸外像高における前記部分倍率の比の値をΔＹ_２としたとき、
   １．０５≦｜ΔＹ_１｜≦１．５０
   １．０５≦｜ΔＹ_２｜≦１．５０
   なる条件を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の光走査装置。
4. 前記部分倍率は、主走査方向に沿って前記軸上像高から前記第１の最軸外像高に行くにつれて大きくなると共に、前記軸上像高から前記第２の最軸外像高に行くにつれて大きくなることを特徴とする請求項３に記載の光走査装置。
5. 前記軸上像高における前記部分倍率に対する、前記第１の最軸外光束が到達する第１の前記最軸外像高における前記部分倍率の比の値をΔＹ_１、前記軸上像高における前記部分倍率に対する、前記第２の最軸外光束が到達する第２の前記最軸外像高における前記部分倍率の比の値をΔＹ_２としたとき、
   ０．８０≦｜ΔＹ_１／ΔＲ_１｜≦１．２０
   ０．８０≦｜ΔＹ_２／ΔＲ_２｜≦１．２０
   なる条件を満たすことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の光走査装置。
6. 前記偏向器に対して光束を入射させる入射光学系を備え、
   該入射光学系の光軸が前記結像光学系の光軸に対してなす角度をψ（ラジアン）としたとき、
   １．０４≦｜ψ｜≦２．００
   なる条件を満たすことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の光走査装置。
7. 前記軸上光束及び軸外光束それぞれの主光線に対する前記偏向面上の偏向点のうち反射率が最も小さい前記偏向点に入射する際の前記主光線の入射角度をθ_ｅｘとしたとき、
   ０．３４≦｜θ_ｅｘ｜≦１．１４
   なる条件を満たすことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の光走査装置。
8. 主走査断面内において、前記偏向面に入射する際の光束の幅は前記偏向面の幅よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の光走査装置。
9. 前記偏向面は、基板上に多層膜が形成されている面であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の光走査装置。
10. 前記基板は、樹脂で形成されている基板であることを特徴とする請求項９に記載の光走査装置。
11. 前記多層膜は、前記基板側から順に、下地層、金属層、第１の低屈折率誘電体層、高屈折率誘電体層及び第２の低屈折率誘電体層を含むか、若しくは下地層、金属層、第１の高屈折率誘電体層、低屈折率誘電体層及び第２の高屈折率誘電体層を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の光走査装置。
12. 前記低屈折率誘電体層は、二酸化ケイ素及びフッ化マグネシウムの少なくとも一方で形成されている層であることを特徴とする請求項１１に記載の光走査装置。
13. 前記高屈折率誘電体層は、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、二酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウムの少なくとも一つで形成されている層であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の光走査装置。
14. 前記偏向器は、多面鏡であることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載の光走査装置。
15. 請求項１乃至１４の何れか一項に記載の光走査装置と、該光走査装置により前記被走査面に形成される静電潜像をトナー像として現像する現像器と、現像された前記トナー像を被転写材に転写する転写器と、転写された前記トナー像を前記被転写材に定着させる定着器とを備えることを特徴とする画像形成装置。
16. 請求項１乃至１４の何れか一項に記載の光走査装置と、外部機器から出力された信号を画像データに変換して該光走査装置に入力するプリンタコントローラとを備えることを特徴とする画像形成装置。

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