JP2023022106A - 面位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法、および基板処理システム - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 140
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 400
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 124
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 32
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 28
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 52
- 101100340317 Arabidopsis thaliana IDL1 gene Proteins 0.000 description 26
- 101100340318 Arabidopsis thaliana IDL2 gene Proteins 0.000 description 25
- 230000006870 function Effects 0.000 description 23
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 241000473391 Archosargus rhomboidalis Species 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/026—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by measuring distance between sensor and object
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/03—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by measuring coordinates of points
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0608—Height gauges
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
- G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
- G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0938—Using specific optical elements
- G02B27/095—Refractive optical elements
- G02B27/0972—Prisms
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/283—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
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- G02B5/00—Optical elements other than lenses
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- G02B5/18—Diffraction gratings
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7034—Leveling
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
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- G02B21/241—Devices for focusing
- G02B21/245—Devices for focusing using auxiliary sources, detectors
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
投影光学系の光軸方向に沿った感光性基板の面位置(被露光面の面位置)を検出する装置として、例えば斜入射型の面位置検出装置が知られている(特許文献1を参照)。
本発明の第2の態様のデバイス製造方法は、基板の表面上にレジストを形成すること、請求項20または請求項21に記載の露光装置を用いて、前記基板の表面に形成された前記レジストの表面の位置を検出し、前記レジス卜の前記表面を前記投影光学系の光軸方向の所定の位置に設定して、露光パターンを露光すること、前記レジストを現像すること、前記現像により形成されたレジストパターンに基づいて、前記基板 の表面を加工すること、を含む。
本発明の第3の態様の基板処理システムは、基板を処理対象とする基板処理システムであって、前記基板を載置する第1ステージ、および前記基板の表面における複数箇所の、前記表面と交差する方向における位置を計測する請求項1から請求項19までのいずれか一項に記載の面位置検出装置を有する計測装置と、前記計測装置による前記計測が終了した前記基板を載置する第2ステージを備え、前記第2ステージに載置された前記基板を露光する露光装置とを備え、前記露光装置は、前記計測装置による計測結果を少なくとも用いて、前記基板の前記交差する方向における位置を変更しつつ前記露光を行う。
本明細書において、「結像関係」とは、1つの領域内の任意の1点を発した光が、光学系を介して他の1つの領域内の1点を中心とする光学系の解像度程度の範囲内に集光する関係をいう。
本明細書において、「正弦波関数」とは、正弦関数(sin)または余弦関数(cos)に対して所定の定数が加わり、値がすべて非負となっている関数をいう。
図1は、第1実施形態の面位置検出装置100の構成を概略的に示す図である。図1では、面位置検出装置100に載置される被計測物Wの表面(以下、「被検面」ともいう)WAに垂直な方向(法線方向)にZ軸を、Z軸に垂直な面内、すなわち被検面WAに平行な面内において図1の紙面に平行にX軸を、図1の紙面に垂直にY軸を設定している。
尚、図1乃至図3では、各レンズ群のレンズは1枚のみ図示しているが、各レンズ群は1枚以上のレンズから構成されてもよい。
被計測物WはステージSTに載置されており、ステージSTのXYZ位置は、不図示の干渉計またはエンコーダーにより計測されている。
本明細書では、ミラー19、受光側第1レンズ群20、シリンドリカルレンズ21、受光側第2レンズ群22、受光プリズム23、リレー光学系(24,26)、複合分離部材25、偏光分離プリズム27、および光検出部28a,28bの全て、または一部を、総称して受光部RSとも呼ぶ。
なお、プリズム16aとプリズム16b、およびプリズム16cとプリズム16dは、それぞれ分離された2つのプリズムではなく、一体的なプリズムの入射面または射出面の形状が、光軸AX2の+Y側と-Y側とで異なるものであっても良い。
また、検出光分割部材16の光軸AX2方向の一方の側または他方の側に、+1次回折光DPおよび-1次回折光DMのみを選択的に透過する回折光選択フィルタを設けても良い。この場合には、回折格子14aとして、+1次回折光DPおよび-1次回折光DM以外の回折光を発生する回折格子を使用してもよい。
被検面WAへの検出光の入射角θ(被検面WAの法線NVに対する入射光の角度)は、例えば80度以上90度未満の大きな角度に設定されている。光軸AX3は、光軸AX2がミラー18により反射(鏡映)されたものである。尚、入射角θは80度未満であっても90度以上であってもよい。
換言すれば、第1検出光DL1と第2検出光DL2とは、+X方向に方向成分を有する方向から斜入射で被検面WAに重畳して照射され、被検面WA上に照射領域IAを形成する。
また、光量分布IDL1と光量分布IDL2とは、共にY方向の所定の範囲内で一定である。
被検面WAの面内におけるX方向を、第1方向と解釈してもよい。また、被検面WAの面内におけるY方向を、第2方向と解釈してもよい。
受光プリズム23の入射面23aは、照射領域IAの中心を含むYZ平面に関して回折格子板14上の回折格子14aと対称な位置に配置される。
なお、幅Dwxの大きな検出領域DAからの反射光を、狭い幅Swxの開口部SLに集光させるために、受光側第1レンズ群20および受光側第2レンズ群22が構成する光学系の瞳面RP1またはその近傍に、シリンドリカルレンズ21を設けてもよい。ここで瞳面RP1とは、被検面WA上の異なる位置から同一の方向に射出する複数の光線がほぼ1点に集まる面である。
入射面23a内におけるx2方向を、第3方向と解釈してもよい。また、入射面23a内におけるY方向を、第4方向と解釈してもよい。
瞳面RP1を第1瞳面と解釈してもよい。
なお、偏光分離プリズム27の光軸AX6を中心とする回転方向は、偏光分離プリズム27の偏光分離面27aに対するP偏光およびS偏光が、被検面WAに対するP偏光およびS偏光と一致するように設定する。
光検出部28a、28b、およびその受光面29a,29bに形成される開口部SLの像の詳細については、後述する。
複合分離部材25は、機能的には光軸AX6に沿って入射側の光分離部材25aと、射出側の分光部材25bとに分かれる。
なお、分光部材25bは、波長に応じて屈折力が異なる1つのプリズムで形成されていてもよい。
なお、図7では、煩雑さを避けるために、第2検出光DL2、および第2検出光DL2が分光された検出光DL2a~DL2cの図示を省略している。
なお、上述のとおり、入射面23aの面内方向であるx2軸は、被検面WA内のX軸と結像関係にある。従って、受光面29aの面内方向のx3軸は、被検面WA内のX軸とも結像関係にある。z3軸は、Y軸およびx3軸と直交する方向の軸である。
光路を直線上に展開して示している図2においては、受光面29aの面内方向のx3軸が、便宜的にZ軸と一致するように記載されている点に留意されたい。
入射面23a内におけるx2方向を、第3方向と解釈してもよい。また、入射面23a内におけるY方向を、第4方向と解釈してもよい。
瞳面RP2を第2瞳面と解釈してもよい。
受光面29a内におけるx3方向を、第5方向と解釈してもよい。また、受光面29a内におけるY方向を、第6方向と解釈してもよい。
受光面29a上で、Y方向に離れて形成される像IM1a~IM1cと像IM2a~IM2cとは、それぞれ、複合分離部材25の光分離部材25aにより相互にY方向に微小角度だけ偏向された第1検出光DL1と第2検出光DL2とにより形成された像である。第1検出光DL1および第2検出光DL2は、分光部材25bにより、各波長ごとに相互にY方向と直交する方向に微小角度偏向された検出光DL1a~DL1c、および検出光DL2a~DL2cに分光されている。従って、受光面29a上に形成される開口部SLの像も、波長に応じてx3方向に異なる位置に形成される。
一方の、像IM2aは、第2検出光DL2のうちの第1波長の光による像であり、像IM2bは、第2検出光DL2のうちの第2波長の光による像であり、像IM2cは、第2検出光DL2のうちの第3波長の光による像である。
しかし、第1検出光DL1および第2検出光DL2に含まれる光の波長は、離散的な3波長に限られるわけではなく、離散的な4以上の異なる波長を含んでいてもよい。この場合には、第1検出光DL1による像IM1a~IM1c、および第2検出光DL2による像IMIM2a~IM2cの数は4以上になる。
また、第1検出光DL1および第2検出光DL2に含まれる光の波長は、離散的な複数の波長に限られるわけではなく、離散的或いは連続的な複数の波長帯域であってもよい。
受光面29a、29bにおける複数の像IM1a~IM1c、IMIM2a~IM2cのそれぞれのx3方向の幅を、Y方向の幅よりも狭くすることにより、第1検出光DL1および第2検出光DL2を、さらに高精度に分光して受光することができる。
また、受光面29bに形成される開口部SLのS偏光成分の像についても、上述の受光面29aに形成される開口部SLのP偏光成分の像と同様であるので、説明を省略する。
なお、従来の多くの面位置検出装置と異なり、被検面WAのZ方向の位置が変動しても、受光面29aにおける各像IM1a~IM1cおよびIM2a~IM2cの位置は変動しないことに留意されたい。
S2b = A1-A1×cos{2π(Z-Za)/FZ)}・・・(2)
Zaは、光電変換信号S1bを最大とし光電変換信号S2bを最小とする被検面WAのZ位置である。図9に示したZbは、Zaの+Z側のZaに近接した位置にあって、光電変換信号S1bを最小とし光電変換信号S2bを最大とする被検面WAのZ位置である。
Zt = Za+FZ×cos-1{(S2t-S1t)/(2×A1)}/2π・・・(3)
A1 = (S2t+S1t)/2・・・(4)
cos-1は、逆余弦関数である。
すなわち、第1実施形態の面位置検出装置100では、被検面WAの反射率の変動を受けにくい、高精度な面位置検出装置を実現することができる。
また、不図示の制御部がステージSTを制御してX方向およびY方向に走査させつつ、被検面WAのZ方向の位置を検出することにより、Z方向に関する位置情報を被検面WAの全面に渡って取得してもよい。
以上の第1実施形態においては、面位置検出装置100は、被計測物Wの被検面WAに垂直なZ方向の位置を検出するものとしている。しかし、被検面WAに垂直な方向の位置に限られるわけではなく、被検面WAと交差する方向の位置を検出してもよい。
第1実施形態においては、図6に示した、受光プリズム23の入射面23a上の開口部SLの長手方向は、Y方向と一致している。しかし、開口部SLの長手方向は必ずしもY方向と一致している必要はなく、入射面23aの面内でY方向から所定角度ずれていても良く、図6においてx2方向、すなわち被検面WA上のX方向と結像関係にある方向と交差する方向であれば良い。この場合、被検面WA上の検出領域DA、受光面29a、29b上に形成される開口部SLの各像(IM1a~IM1cおよびIM2a~IM2c等)も、その長手方向がY方向から所定角度ずれたものとなる。これに対応するためには、受光面29a、29b内の各光電変換部の形状を、各像(IM1a~IM1cおよびIM2a~IM2c等)を包含する形状とするとともに、回折格子14aを構成する上述の略矩形のパターンの長手方向をY方向から所定角度ずらすと良い。
ただし、光量分布IDL1および光量分布IDL2を、共にY方向またはY方向から所定角度回転した方向の所定の範囲内で一定とすることにより、被検面WAの反射率がY方向に大きく変動する場合であっても反射率の変動の影響を受けにくくなる。この結果、さらに高精度な面位置の検出を行うことができる。
第1検出光DL1と第2検出光DL2とは、必ずしも等しい入射角θで被検面WAに入射しなくてもよい。例えば、第1検出光DL1と第2検出光DL2の入射角が多少異なっていても良い。この場合には、それぞれに含まれる+1次回折光DPと-1次回折光DMの入射角の差を調整するプリズム等の光学部材を追加することにより、被検面WA上の第1検出光DL1と第2検出光DL2の光量分布のX方向の周期FXを一致させることができる。
ただし、第1検出光DL1と第2検出光DL2の入射角を等しくすることで、そのような光学部材の追加が不要になり、光学系を簡素化できるというメリットがある。
被検面WAの照射領域IAにおける、第1検出光DL1と第2検出光DL2との光量の和は、必ずしもX方向に沿って一定でなくても良い。上述のとおり、第1検出光DL1と第2検出光DL2とは、光検出部28a、28bの受光面29a、29bの異なる位置で受光される。このため、光検出部28a、28bにおいて、容易に第1検出光DL1と第2検出光DL2とに対する光電変換の感度を別々に設定してもよい。
ただし、被検面WAの照射領域IAにおける、第1検出光DL1と第2検出光DL2との光量の和を一定とすることで、光検出部28a、28bや演算部PUによる感度の調整を省略することができ、面位置検出装置100の構成を簡素化できる。
第1実施形態の面位置検出装置100においては、受光プリズム23の入射面23aに遮光部OFと開口部SLが形成され、開口部SLが被検面WA上の検出領域DAを規定するものとしている。しかし、被検面WAと開口部SLと受光面29a、29bは結像関係(共役)にあるので、遮光部OFを設ける代わりに受光面29a、29b内の受光領域(光電変換を行う領域)を限定してもよい。すなわち、各受光領域のx3方向の幅を、Y方向の幅よりも狭く設定してもよい。あるいは、光検出部28aとして2次元撮像センサを使用する場合には、遮光部OFを設ける代わりに、演算部PUが開口部SLに相当する受光ピクセルからの光電変換信号のみを用いて被検面WAの面位置の算出を行えばよい。すなわち、演算部PUは、2次元撮像センサのうち、x3方向の幅がY方向の幅よりも狭い範囲内の受光ピクセルからの光電変換信号を用いて、被検面WAの面位置を算出してもよい。尚、このときには、複合分離部材25を省略してもよい。或いは、光源10からの検出光を単色光としてもよい。
第1実施形態の面位置検出装置100においては、送光部に検出光分割部材16を配置したが、第1検出光DL1と第2検出光DL2を分割する部材は、送光部の瞳面TPに配置される検出光分割部材16に限られるわけではない。
例えば、検出光分割部材16を用いることなく、被検面WA上において第1検出光DL1と第2検出光DL2とが重畳して形成されるように、光学系を構成しても良い。
また、検出光分割部材16は、上述の複数のプリズムにより構成されるものに限らず、例えば、平行でない複数の反射面から成る分割ミラーを用いてもよい。
次に、第2実施形態の面位置検出装置100aについて説明する。ただし、第2実施形態の面位置検出装置100aは、その大部分が上述の第1実施形態の面位置検出装置100と共通するので、以下、相違点のみを説明し、共通点については説明を省略する。
第2実施形態の面位置検出装置100aでは、図4(a)に示した第1実施形態での検出光分割部材16に代えて、図10(a)に示す検出光分割部材161を使用する。
その結果、検出光分割部材161は、瞳面TPにおいて検出光をY方向に第1検出光DL10、第2検出光DL20、第3検出光DL30の3つの検出光に分割する。そして、検出光分割部材161は、第1検出光DL10、第2検出光DL20、および第3検出光DL30の進行方向をz1方向に微小角だけ偏向させる。
検出光分割部材161による第1検出光DL10、第2検出光DL20、および第3検出光DL30の偏向量を適切に設定することにより、光量分布IDL10、IDL20、およびIDL30は、相互にそれらの強度変調の周期FX2の1/3ずつずれた光量分布となっている。
図11(b)は、一例として、被検面WAのZ軸方向の位置(横軸)と、第1検出光DL10の第2波長成分による像IM10bの光電変換信号S10b、第2検出光DL20の第2波長成分による像IM20bの光電変換信号S20b、および第3検出光DL30の第2波長成分による像IM30bの光電変換信号S30bとの関係を示す図である。
光電変換信号S10b、光電変換信号S20b、および光電変換信号S30bは、共に被検面WAのZ軸方向の位置に対して周期FZと振幅A2が等しく、位相が周期FZの1/3だけずれた以下の式(5)から式(7)で表される信号となる。
S20b = A2+A2×cos{2π(Z-Zc)/FZ2)-2π/3}・・・(6)
S30b = A2+A2×cos{2π(Z-Zc)/FZ2)-4π/3}・・・(7)
Zcは、光電変換信号S10bを最大とする被検面WAのZ位置である。図11(b)に示したZdは、Zcの+Z側に周期FZ2だけ離れた位置である。
Zu1 = FZ2×[cos-1{(S10u-A2)/A2}]/2π + Zc・・・(8)
Zu2 = FZ2×[cos-1{(S20u-A2)/A2}+2π/3]/2π+ Zc・・・(9)
Zu3 = FZ2×[cos-1{(S20u-A2)/A2}+4π/3]/2π+ Zc・・・(10)
A2 = (S10u+S20u+S30u)/3・・・(11)
Zu = (Zu1+Zu2+Zu3)/3・・・(12)
第2実施形態においても、検出領域DAのX方向の幅Dwxを、光量分布IDL10から光量分布IDL30のX方向の周期FX2の半分よりも短くすると、被検面WAがZ方向に変動した際の光電変換信号S10bから光電変換信号S30bの変動を大きくすることができる。この結果、検出精度を一層向上させることができる。
なお、上述の第1実施形態の各変形例において説明した構成性は、適宜必要な変更を加えた上で第2実施形態の面位置検出装置にも適用してもよい。
この構成により、被検面WAの反射率の変動を受けにくい、高精度な面位置検出装置100を実現することができる。
尚、第1及び第2実施形態の面位置検出装置において、被検面WAの位置情報を求めなくてもよい。一例として、第1及び第2実施形態の面位置検出装置は、被検面WAの位置情報を求めずに被検面WAの分光反射率分布を計測してもよい。
図12は、第3実施形態の露光装置200の概略を示す図である。第3実施形態の露光装置200は、半導体ウエハまたは表示デバイス用の基板(以下、合わせて「基板」と呼ぶ)WFの表面上に形成されたフォトレジスト(レジスト)PRに、露光パターンを露光転写するための露光装置である。露光装置200は、上述の第1実施形態または第2実施形態の面位置検出装置100、100aを備えている。面位置検出装置100、100aは、基板WFを上述の被計測物Wとして扱い、基板WFの表面に形成されたフォトレジストの表面を上述の被検面WAとして扱う。
図12のXYZ軸の方向は、投影光学系57の光軸AXPと平行な方向をZ軸方向としている。
上述の露光動作においては、マスク52上に描画されている原版(マスクパターン)に露光光源50からの照明光が、照明光学系51を介して照射される。その結果、原版の像が投影光学系57を介して基板WF上のレジストPRに投影され、レジストPRに露光パターンが露光される。
露光動作がステップ露光の場合には、1ショットの露光中には基板ステージ59は静止され、各ショットの間に基板ステージ59はX方向またはY方向に所定距離だけ移動する。
干渉計58a、58b、63a、63b、62は、いずれも干渉計に限らず、位置計測用のエンコーダーであってもよい。
図13は、第4実施形態の基板処理システム300を含む、基板処理ラインの概略を示す図である。基板処理システム300は、上述の第1実施形態、第2実施形態または各変形例の面位置検出装置100、100aと、上述の第2実施形態の露光装置200と、データ保持装置110とを備えている。
面位置検出装置100が計測した基板WFの表面の位置情報、あるいはさらに反射率の情報は、データ保持装置110に送信され、一時的に保管される。
この構成により、基板WFの表面での反射率分布に起因する計測誤差を小さく抑えて、投影光学系57に対して基板WFのレジストPRが形成された表面を高精度に位置合わせすることができる。これにより、基板WF上に良好な露光パターンを形成することができる。
第5実施形態のデバイス製造方法について、図14を用いて説明する。第5実施形態のデバイス製造方法は、上述の第3実施形態の露光装置200、または第4実施形態の基板処理システム300を用いて、デバイスを製造する方法である。従って、第3実施形態の露光装置200、および第4実施形態の基板処理システム300の動作の詳細については、上述の記載を参照されたい。
従って、ステップS105の終了後に、次工程に移行し、再びステップS100からステップS105を繰り返して実行することにより、多数の層からなるデバイス(半導体集積回路、表示デバイス等)を製造することができる。
この構成により、基板WFの表面での反射率分布に起因する計測誤差を小さく抑えて、投影光学系57に対して基板WFのレジストPRが形成された表面を高精度に位置合わせすることができる。これにより、基板WF上に良好な露光パターンを形成することができ、ひいては、高性能なデバイスを製造することができる。
この構成により、基板WFの表面での反射率分布に起因する計測誤差を小さく抑えて、投影光学系57に対して基板WFのレジストPRが形成された表面を高精度に位置合わせすることができる。これにより、基板WF上に良好な露光パターンを形成することができ、ひいては、高性能なデバイスを製造することができる。
Claims (23)
- 被検面と交差する軸に沿った前記被検面の位置情報を求める面位置検出装置において、
光源からの光のうち第1検出光と第2検出光とを互いに異なる方向から前記被検面に投射する第1光学系と、
前記被検面で反射された前記第1及び第2検出光を受光する受光面を備える第2光学系と
を備え、
前記第1検出光によって前記被検面上に形成される第1光パターンの強度分布と、前記第2検出光によって前記被検面上に形成される第2光パターンの強度分布とは互いに異なる
面位置検出装置。 - 請求項1に記載の面位置検出装置において、
前記第1光パターンの光強度は、前記被検面上の強度変化方向において変化しており、
前記第2光パターンの光強度は、前記被検面上の前記強度変化方向において変化している、面位置検出装置。 - 請求項2に記載の面位置検出装置において、
前記第1光パターンの光強度は、前記被検面上の前記強度変化方向と交差する方向において一定であり、
前記第2光パターンの光強度は、前記被検面上の前記強度変化方向と交差する方向において一定である、面位置検出装置。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の面位置検出装置において、
前記被検面上の1点における前記第1光パターンの光強度と、前記1点における前記第2光パターンの光強度とは互いに異なる、面位置検出装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の面位置検出装置において、
前記第1検出光は、互いに異なる方向から前記被検面に入射する複数の光を含み、
前記第1検出光の前記複数の光は、前記第1光パターンとして第1干渉縞を形成する、面位置検出装置。 - 請求項5に記載の面位置検出装置において、
前記第2検出光は、互いに異なる方向から前記被検面に入射する複数の光を含み、
前記第2検出光の前記複数の光は、前記第2光パターンとして第2干渉縞を形成する、面位置検出装置。 - 請求項6に記載の面位置検出装置において、
前記被検面上における前記第1干渉縞と前記第2干渉縞との位相は互いに異なる、面位置検出装置。 - 請求項5から請求項7までのいずれか一項に記載の面位置検出装置において、
前記第1光学系は、前記光源からの光を分岐して前記第1検出光の複数の光を生成する光分岐部材を含む、面位置検出装置。 - 請求項8に記載の面位置検出装置において、
前記光分岐部材は、前記光源からの光を分岐して前記第2検出光の複数の光を生成する、面位置検出装置。 - 請求項8又は9に記載の面位置検出装置において、
前記光分岐部材は、光源からの光を回折する、面位置検出装置。 - 請求項8から請求項10までのいずれか一項に記載の面位置検出装置において、
前記第1光学系は、前記光分岐部材からの光を分割して前記第1検出光と前記第2検出光とを生成する光分割部材を含む、面位置検出装置。 - 請求項11に記載の面位置検出装置において、
前記第1光学系は、前記光分割部材から互いに異なる方向に射出される前記第1及び第2検出光を集光する集光部材を含む、面位置検出装置。 - 請求項12に記載の面位置検出装置において、
前記光分割部材は、前記集光部材の瞳面における第1部分から射出される前記第1検出光と、前記瞳面における前記第1部分とは異なる第2部分から射出される前記第2検出光とを互いに異なる方向に射出する、面位置検出装置。 - 請求項1から請求項13までのいずれか一項に記載の面位置検出装置において、
前記第2光学系には、前記被検面で反射されて互いに異なる方向に進行する第1及び第2検出光が入射する、面位置検出装置。 - 請求項14に記載の面位置検出装置において、
前記第2光学系は、前記被検面と光学的に共役な面を形成する結像光学系を含む、面位置検出装置。 - 請求項15に記載の面位置検出装置において、
前記第2光学系は、前記被検面と光学的に共役な面に配置された開口部を有する遮光部材を備える、面位置検出装置。 - 請求項16に記載の面位置検出装置において、
前記開口部は、前記結像光学系によって前記共役な面に形成される前記第1光パターンの像の光強度が変化する方向、及び前記結像光学系によって前記共役な面に形成される前記第2光パターンの像の光強度が変化する方向と交差する方向に延びる、面位置検出装置。 - 請求項17に記載の面位置検出装置において、
前記第2光学系は、前記光強度が変化する方向に屈折力を有するシリンドリカル光学部材を備える、面位置検出装置。 - 請求項14から請求項18までのいずれか一項に記載の面位置検出装置において、
前記第1及び第2検出光は、前記受光面上において互いに異なる位置に入射する、面位置検出装置。 - 投影光学系と、
基板を載置し移動せしめる基板ステージと、
前記被検面として前記基板の表面の位置を検出する請求項1から請求項19までのいずれか一項に記載の面位置検出装置と、
を備える、露光装置。 - 請求項20に記載の露光装置において、
前記基板ステージに載置された基板が前記面位置検出装置と対向する位置において、前記基板ステージの少なくとも一部の、前記投影光学系の光軸方向の位置を計測する第1位置計測部と、
前記基板ステージに載置された基板が前記投影光学系と対向する位置において、前記基板ステージの少なくとも一部の前記光軸方向の位置を計測する第2位置計測部と、
を備える、露光装置。 - 基板の表面上にレジストを形成すること、
請求項20または請求項21に記載の露光装置を用いて、前記基板の表面に形成された前記レジストの表面の位置を検出し、前記レジストの前記表面を前記投影光学系の光軸方向の所定の位置に設定して、露光パターンを露光すること、
前記レジストを現像すること、
前記現像により形成されたレジストパターンに基づいて、前記基板の表面を加工すること、
を含む、デバイス製造方法。 - 基板を処理対象とする基板処理システムであって、
前記基板を載置する第1ステージ、および前記基板の表面における複数箇所の、前記表面と交差する方向における位置を計測する請求項1から請求項19までのいずれか一項に記載の面位置検出装置を有する計測装置と、
前記計測装置による前記計測が終了した前記基板を載置する第2ステージを備え、前記第2ステージに載置された前記基板を露光する露光装置とを備え、
前記露光装置は、前記計測装置による計測結果を少なくとも用いて、前記基板の前記交差する方向における位置を変更しつつ前記露光を行う、基板処理システム。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022183082A JP7435703B2 (ja) | 2019-02-21 | 2022-11-16 | 面位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法、および基板処理システム |
JP2024015552A JP2024050791A (ja) | 2019-02-21 | 2024-02-05 | 面位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法、および基板処理システム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/006506 WO2020170382A1 (ja) | 2019-02-21 | 2019-02-21 | 面位置検出装置、露光装置、基板処理システム、およびデバイス製造方法 |
JP2021501222A JP7180745B2 (ja) | 2019-02-21 | 2019-02-21 | 面位置検出装置、露光装置、基板処理システム、およびデバイス製造方法 |
JP2022183082A JP7435703B2 (ja) | 2019-02-21 | 2022-11-16 | 面位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法、および基板処理システム |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021501222A Division JP7180745B2 (ja) | 2019-02-21 | 2019-02-21 | 面位置検出装置、露光装置、基板処理システム、およびデバイス製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024015552A Division JP2024050791A (ja) | 2019-02-21 | 2024-02-05 | 面位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法、および基板処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023022106A true JP2023022106A (ja) | 2023-02-14 |
JP7435703B2 JP7435703B2 (ja) | 2024-02-21 |
Family
ID=72144107
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---|---|---|---|
JP2021501222A Active JP7180745B2 (ja) | 2019-02-21 | 2019-02-21 | 面位置検出装置、露光装置、基板処理システム、およびデバイス製造方法 |
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Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2021501222A Active JP7180745B2 (ja) | 2019-02-21 | 2019-02-21 | 面位置検出装置、露光装置、基板処理システム、およびデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220216119A1 (ja) |
EP (1) | EP3929529B1 (ja) |
JP (3) | JP7180745B2 (ja) |
KR (1) | KR20210129077A (ja) |
CN (1) | CN113490831B (ja) |
WO (1) | WO2020170382A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019102723A1 (ja) * | 2017-11-22 | 2019-05-31 | 富士フイルム株式会社 | 観察装置、観察装置の作動方法、及び観察制御プログラム |
JP7180745B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2022-11-30 | 株式会社ニコン | 面位置検出装置、露光装置、基板処理システム、およびデバイス製造方法 |
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-
2019
- 2019-02-21 JP JP2021501222A patent/JP7180745B2/ja active Active
- 2019-02-21 EP EP19915683.7A patent/EP3929529B1/en active Active
- 2019-02-21 CN CN201980092258.XA patent/CN113490831B/zh active Active
- 2019-02-21 KR KR1020217027580A patent/KR20210129077A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-02-21 US US17/429,650 patent/US20220216119A1/en active Pending
- 2019-02-21 WO PCT/JP2019/006506 patent/WO2020170382A1/ja unknown
-
2022
- 2022-11-16 JP JP2022183082A patent/JP7435703B2/ja active Active
-
2024
- 2024-02-05 JP JP2024015552A patent/JP2024050791A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7180745B2 (ja) | 2022-11-30 |
CN113490831B (zh) | 2024-08-09 |
WO2020170382A1 (ja) | 2020-08-27 |
US20220216119A1 (en) | 2022-07-07 |
KR20210129077A (ko) | 2021-10-27 |
CN113490831A (zh) | 2021-10-08 |
EP3929529A4 (en) | 2022-10-12 |
JP2024050791A (ja) | 2024-04-10 |
JPWO2020170382A1 (ja) | 2020-08-27 |
EP3929529B1 (en) | 2024-09-25 |
TW202040095A (zh) | 2020-11-01 |
JP7435703B2 (ja) | 2024-02-21 |
EP3929529A1 (en) | 2021-12-29 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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