JP2023014475A - 酸素含有Ａｌ４ＳｉＣ４粉末及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】炭素含有耐火物の添加剤として使用されるＡｌ４ＳｉＣ４粉末の機能を向上させることができるＡｌ４ＳｉＣ４粉末を提供する。【解決手段】粉末Ｘ線回折においてＡｌ４ＳｉＣ４が検出され、かつ電子顕微鏡附属の元素分析器により酸素を含有することが検出される酸素含有Ａｌ４ＳｉＣ４粉末である。【選択図】図２
Description
本発明は、酸素含有Ａｌ４ＳｉＣ４粉末及びその製造方法に関する。
Ａｌ４ＳｉＣ４粉末は、アルミニウムとシリコンからなる炭化物であり、近年、炭素含有耐火物の新たな添加剤として注目されている。Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の添加効果として、耐火物組織の緻密化が挙げられている。耐火物組織の緻密化は、耐火物の組織中に存在するＡｌ４ＳｉＣ４粉末が雰囲気中のＣＯガスと反応することによって起こると推定されている。すなわち、（１）式に示すように、高温下でＡｌ４ＳｉＣ４粉末からＡｌを含むガスが発生して耐火物組織中の空隙に拡散し、ＣＯガスと反応して再びＡｌ２Ｏ３として凝縮し、空隙を埋めることによってもたらされると推定されている。
Ａｌ４ＳｉＣ４＋６ＣＯ→２Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＣ＋９Ｃ （１）
Ａｌ４ＳｉＣ４＋６ＣＯ→２Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＣ＋９Ｃ （１）
Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の製造方法として、特許文献１には、アルミニウム粉末、ケイ素粉末、炭素粉末を混合し、混合物を不活性ガス雰囲気下で焼成してＡｌ４ＳｉＣ４粉末を製造する方法が開示されている。
Ａｌ４ＳｉＣ４の合成は、以下の２段階で行われると推定されている。すなわち、加熱による温度上昇と共に、まず（２）式及び（３）式のようにＡｌ４Ｃ３とＳｉＣが生成し、その後、（４）式のようにＡｌ４Ｃ３とＳｉＣが反応してＡｌ４ＳｉＣ４が生成する。
４Ａｌ＋３Ｃ→Ａｌ４Ｃ３ （２）
Ｓｉ＋Ｃ→ＳｉＣ （３）
Ａｌ４Ｃ３＋ＳｉＣ→Ａｌ４ＳｉＣ４ （４）
４Ａｌ＋３Ｃ→Ａｌ４Ｃ３ （２）
Ｓｉ＋Ｃ→ＳｉＣ （３）
Ａｌ４Ｃ３＋ＳｉＣ→Ａｌ４ＳｉＣ４ （４）
ところで、近年、例えば炭素含有耐火物の添加剤として使用されるＡｌ４ＳｉＣ４粉末の機能を向上させることが要請されている。
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、例えば炭素含有耐火物の添加剤として使用されるＡｌ４ＳｉＣ４粉末の機能を向上させることができるＡｌ４ＳｉＣ４粉末及びその製造方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明の一態様は、粉末Ｘ線回折においてＡｌ４ＳｉＣ４が検出され、かつ電子顕微鏡附属の元素分析器により酸素を含有することが検出される酸素含有Ａｌ４ＳｉＣ４粉末である。
本発明の他の態様は、アルミニウム粉末、ケイ素粉末、炭素粉末を混合し、混合物を純度９９．９９％以上９９．９９９％以下のアルゴンガス雰囲気下で焼成する酸素含有Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の製造方法である。
本発明によれば、Ａｌ４ＳｉＣ４の結晶格子内に酸素が固溶状態で存在するので、Ａｌ４ＳｉＣ４の結晶格子の安定性が高まり、Ａｌ４ＳｉＣ４の結晶格子内の電子移動の特性が向上する。このため、例えば炭素含有耐火物の添加剤として使用されるＡｌ４ＳｉＣ４粉末の機能を向上させることができる。
以下、添付図面に基づいて、本発明の実施形態の酸素含有Ａｌ４ＳｉＣ４粉末及びその製造方法を詳細に説明する。ただし、本発明は種々の形態で具体化することができ、本明細書に記載される実施形態に限定されるものではない。本実施形態は、明細書の開示を十分にすることによって、当業者が発明を十分に理解できるようにする意図をもって提供されるものである。
（Ａｌ４ＳｉＣ４粉末）
（Ａｌ４ＳｉＣ４粉末）
まず、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末を説明する。本実施形態のＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、アルミニウム粉末、ケイ素粉末、及び炭素粉末を混合し、混合物を焼成することで得られる。
本実施形態のＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、粉末Ｘ線回折においてＡｌ４ＳｉＣ４が検出される。そして、本実施形態のＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、電子顕微鏡附属の元素分析器により酸素を含有することが検出される。
本実施形態のＡｌ４ＳｉＣ４粉末において、Ａｌ４ＳｉＣ４の結晶格子内に酸素が固溶状態で存在する。このため、Ａｌ４ＳｉＣ４の結晶格子の安定性が高まり、結晶格子内の電子移動の特性が向上する。したがって、例えば炭素含有耐火物の添加剤として使用されるＡｌ４ＳｉＣ４粉末の機能を向上させることができる。
これを詳述するに、Ａｌ４ＳｉＣ４の結晶格子の安定性が高まると、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の耐水和性が向上し（水分によって崩壊しにくくなり）、強度特性（靭性や耐スポール性）が向上する。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末を耐火物に添加すると、耐火物の耐水和性が向上し、強度特性が向上する。また、Ａｌ４ＳｉＣ４の結晶格子内の電子移動の特性が向上すると、導電性、熱伝導率が向上する。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末を耐火物に添加すると、耐火物の熱伝導率が向上し、温度勾配に起因する耐火物の割れを防止することができる。
上記のように酸素は、Ａｌ４ＳｉＣ４の結晶格子内に酸素が固溶状態で存在する。結晶格子内の酸素の位置には周期性がなく、酸素は結晶格子内にランダムに存在すると考えられる。なぜならば、結晶格子内の酸素の位置に周期性があれば、粉末Ｘ線回折において、Ａｌ－Ｓｉ－Ｏ－Ｃ系化合物の鉱物相が実質的に検出されるが、Ａｌ－Ｓｉ－Ｏ－Ｃ系化合物の鉱物相が実質的に検出されないからである。
上記のように、本実施形態のＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、粉末Ｘ線回折においてＡｌ４ＳｉＣ４が検出される。粉末Ｘ線回折には、ＣｕＫα線を用いた。粉末Ｘ線回折は、以下の条件で行った。
上記のＣｕＫα線による粉末Ｘ線回折は、株式会社リガク社製のRINT2000を用いて行い、横軸をＸ線入射角２θ（°）、縦軸を回折強度（cps）としたグラフに測定した回折強度をプロットした。鉱物組成の解析には、株式会社リガク社製の「統合粉末Ｘ線解析ソフトウェア PDXL」ver.2.7.3.0を用いた。
また、上記のように、本実施形態のＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、電子顕微鏡附属の元素分析器により酸素を含有することが検出される。電子顕微鏡附属の元素分析器には、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）附属のエネルギー分散型Ｘ線分光装置（ＥＤＳ）を用いた。そして、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末から試料を作成し、試料に電子ビームを照射し、発生するＸ線のエネルギーをスペクトル分析して、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末に含まれる元素（アルミニウム、ケイ素、炭素、酸素）を定性・定量分析した。試料の作成には、乳鉢で微粉砕したＡｌ４ＳｉＣ４粉末をエタノールを溶媒とする分散媒に展開し、ＴＥＭ観察用のグリッドに粉末をすくい取ってキャストする分散法を採用した。ＴＥＭ附属のＥＤＳには、日本電子株式会社製のＪＥＤ－２３００ Ｓｅｒｉｅｓを用いた。元素の定性・定量分析には、日本電子株式会社製のソフトウェア「Standard Analysis」を用いた。
ＴＥＭ附属のＥＤＳによって検出されるＡｌ４ＳｉＣ４粉末の酸素含有量は、３～１０原子パーセント（ａｔ％）であることが望ましい。原子パーセントは、構成元素比（モル比）を百分率で表したものである。酸素含有量が３原子パーセント未満であると、酸素によるＡｌ４ＳｉＣ４結晶格子の固溶強化が十分に起こらず、耐水和性の低下や強度低下を招くおそれがあるのに対し、酸素含有量が３原子パーセント以上では、Ａｌ４ＳｉＣ４の結晶格子の安定性が十分に高まり、結晶格子内の電子移動の特性が向上する。酸素含有量が１０原子パーセントを超えると、酸素が結晶格子内に周期性を持って存在（すなわちＡｌ－Ｓｉ－Ｏ－Ｃ系化合物として存在）し易くなる。酸素含有量の最適な範囲は、３～１０原子パーセントである。
（酸素含有Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の製造方法）
（酸素含有Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の製造方法）
以下にＡｌ４ＳｉＣ４粉末の製造方法を説明する。出発原料には、アルミニウム粉末、ケイ素粉末、炭素粉末を用いる。純度と生産効率の面から、アルミニウム粉末には金属Ａｌ粉末を用い、ケイ素粉末には金属Ｓｉ粉末を用い、炭素粉末には、カーボンブラック、鱗状黒鉛等を用いることが望ましい。
上記のアルミニウム粉末、ケイ素粉末、炭素粉末は、それぞれに含まれるアルミニウム、ケイ素、炭素のモル比が４：１：４になるような量に秤量される。
次に、アルミニウム源、ケイ素源、炭素源を乾式ヘンシェルミキサー等の混合機を用いて混合する。混合時間は特に限定されるものではないが、原料を充分に混合するために５分以上混合するのが望ましい。
次に、混合原料を坩堝に装填し、坩堝を抵抗加熱炉、管状炉等のバッチ炉又はトンネル炉等の連続炉に入れ、混合原料を１６５０～１９００℃の温度で１～１０時間、アルゴンガス雰囲気下で焼成する。
アルゴンガスの純度は、９９．９９％以上９９．９９９９４％以下、望ましくは９９．９９％以上９９．９９９％以下である。Ａｌ４ＳｉＣ４粉末に存在する酸素は、アルゴンガスに不純物として含まれる酸素に由来する。アルゴンガスの純度を９９．９９９％以下にすると、アルゴンガスに不純物として含まれる酸素量が増えるので、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の酸素含有量を３原子パーセント以上にすることができる。アルゴンガスの純度を９９．９９％未満にすると、アルゴンガスに不純物として含まれる酸素や窒素によって炉が傷むおそれがある。アルゴンガスの純度の最適範囲は、９９.９９％以上９９．９９９％以下である。
焼成によってＡｌ４ＳｉＣ４が合成される。Ａｌ４ＳｉＣ４の合成は、以下の２段階で行われると推定される。すなわち、焼成による温度上昇と共に、まず（２）式及び（３）式のようにＡｌ４Ｃ３とＳｉＣが生成し、その後、１３００℃以上において（４）式のようにＡｌ４Ｃ３とＳｉＣが反応してＡｌ４ＳｉＣ４が生成する。
４Ａｌ＋３Ｃ→Ａｌ４Ｃ３ （２）
Ｓｉ＋Ｃ→ＳｉＣ （３）
Ａｌ４Ｃ３＋ＳｉＣ→Ａｌ４ＳｉＣ４ （４）
４Ａｌ＋３Ｃ→Ａｌ４Ｃ３ （２）
Ｓｉ＋Ｃ→ＳｉＣ （３）
Ａｌ４Ｃ３＋ＳｉＣ→Ａｌ４ＳｉＣ４ （４）
Ａｌ４ＳｉＣ４の合成後、炉から坩堝を取り出し、坩堝からＡｌ４ＳｉＣ４組成物を取り出す。Ａｌ４ＳｉＣ４組成物をロールクラッシャーで乾式粉砕すれば、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末が得られる。
本実施形態のＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、炭素含有耐火物の添加剤として使用でき、また、例えば酸化防止剤としても使用することもできる。
金属Ａｌ粉末（－７５μｍ）、金属Ｓｉ粉末（－４５μｍ）、カーボンブラック（６０～２８０ｎｍ）をＡｌ：Ｓｉ：Ｃ＝４：１：４のモル理論比で配合し、乾式ヘンシェルミキサーで１０分間混合した。混合原料を坩堝に装填し、混合原料を９９．９９％の純度のアルゴンガスの気流（３Ｌ／ｍｉｎ）中で１８００℃まで加熱し、１８００℃を１０時間保持した。
炉への電力の供給を停止し、坩堝を周囲温度まで冷却した。冷却後、炉から坩堝を取り出し、坩堝から合成したＡｌ４ＳｉＣ４を取り出し、ロールクラッシャーで乾式粉砕した。
得られたＡｌ４ＳｉＣ４粉末の物性を粉末Ｘ線回折によって測定した。粉末Ｘ線回折による測定方法は、上述の方法に従った。
図１は、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末をＸ線回折分析して得られたチャートである。横軸は入射角２θ（単位：°）、縦軸は回折強度（単位：ｃｐｓ）である。図１に示すように、鉱物相としてＡｌ４ＳｉＣ４が検出される。その一方、Ａｌ－Ｓｉ－Ｏ－Ｃ系化合物が検出されなかった。なお、図１の△Ｋβの微小ピークはＫβ（Ｘ線由来）の微小ピークである。
次に、ＴＥＭ附属のＥＤＳによってＡｌ４ＳｉＣ４粉末の元素を定性・定量分析した。ＴＥＭ附属のＥＤＳによる分析方法は、上述の方法に従った。
図２は、計測粒子のＴＥＭ写真を示す。図３は、図２の×の箇所のエネルギー分散Ｘ線スペクトルを示す。図３に示すように、構成元素は、炭素、酸素、アルミニウム、ケイ素であった。
各元素の含有量は、図３の各元素のスペクトルのピークを積算することで定量化される。含有量の平均値をとるために、図２の×の箇所を２０箇所変化させた。定量化の結果、酸素含有量は４．８０原子パーセント、アルミニウム含有量は４３．８９原子パーセント、ケイ素含有量は１１．９５原子パーセント、炭素含有量は４５．９８原子パーセントであった。Ａｌ４ＳｉＣ４の理論構成を原子パーセントで表すと、アルミニウム含有量：ケイ素含有量：炭素含有量＝４４：１１：４４である。定量化したこれらの含有量は概ね理論構成に一致した。
アルゴンガスに純度９９．９９９％のものを用いた。これ以外は、実施例１と同様の方法を用いてＡｌ４ＳｉＣ４粉末を得た。
得られたＡｌ４ＳｉＣ４粉末の酸素含有量は３．３４原子パーセント、アルミニウム含有量は４７．２１原子パーセント、ケイ素含有量は１０．４７原子パーセント、炭素含有量は４４．５８原子パーセントであった。
アルゴンガスに純度９９．９９９９％のものを用いた。これ以外は、実施例１と同様の方法を用いてＡｌ４ＳｉＣ４粉末を得た。
得られたＡｌ４ＳｉＣ４粉末の酸素含有量は２．８８原子パーセント、アルミニウム含有量は４４．２３原子パーセント、ケイ素含有量は９．５８原子パーセント、炭素含有量は４１．２８原子パーセントであった。
アルゴンガスに純度９９．９９９９４％のものを用いた。これ以外は、実施例１と同様の方法を用いてＡｌ４ＳｉＣ４粉末を得た。
得られたＡｌ４ＳｉＣ４粉末の酸素含有量は２．６１原子パーセント、アルミニウム含有量は４２．５３原子パーセント、ケイ素含有量は１０．２５原子パーセント、炭素含有量は４２．８３原子パーセントであった。
以上の結果を表１にまとめた。
以上の結果を表１にまとめた。
実施例１～４で得られたＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、酸素を含有した。実施例１，２で得られたＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、酸素含有量が３原子パーセント以上であった。
図４のグラフにアルゴンガスの純度と酸素含有量との関係をプロットした。横軸はアルゴンガスの純度であり、縦軸は酸素含有量である。図４に示すように、アルゴンガスの純度と酸素含有量には、アルゴンガスの純度が高くなると酸素含有量が低くなるという相関関係があった。
Claims (3)
- 粉末Ｘ線回折においてＡｌ４ＳｉＣ４が検出され、
かつ電子顕微鏡附属の元素分析器により酸素を含有することが検出される酸素含有Ａｌ４ＳｉＣ４粉末。 - 酸素含有量が３～１０原子パーセント（ａｔ％）であることを特徴とする請求項１に記載の酸素含有Ａｌ４ＳｉＣ４粉末。
- アルミニウム粉末、ケイ素粉末、炭素粉末を混合し、混合物を純度９９．９９％以上９９．９９９％以下のアルゴンガス雰囲気下で焼成する酸素含有Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の製造方法。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009190961A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Okayama Ceramics Gijutsu Shinko Zaidan | 複合炭化物およびその合成方法 |
| JP2017030980A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-09 | 太平洋セメント株式会社 | 炭化ケイ素粉末 |
| WO2019049784A1 (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-14 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 被覆ＳｉＣナノ粒子を用いたＳｉＣセラミックス及びその製造方法 |
| JP2020029390A (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | アルミニウムシリコンカーバイドの製造方法 |
| JP2020100522A (ja) * | 2018-12-20 | 2020-07-02 | 一般財団法人岡山セラミックス技術振興財団 | Ａｌ４ＳｉＣ４の製造方法 |
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| JP2009190961A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Okayama Ceramics Gijutsu Shinko Zaidan | 複合炭化物およびその合成方法 |
| JP2017030980A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-09 | 太平洋セメント株式会社 | 炭化ケイ素粉末 |
| WO2019049784A1 (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-14 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 被覆ＳｉＣナノ粒子を用いたＳｉＣセラミックス及びその製造方法 |
| JP2020029390A (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | アルミニウムシリコンカーバイドの製造方法 |
| JP2020100522A (ja) * | 2018-12-20 | 2020-07-02 | 一般財団法人岡山セラミックス技術振興財団 | Ａｌ４ＳｉＣ４の製造方法 |
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