JP2023001103A - 炭化珪素ウエハ及び半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一面及びその反対面である他面を含む炭化珪素ウエハであって、前記一面の平均Rmax粗さは2.0nm以下であり、前記一面の平均Ra粗さは0.1nm以下であり、周縁領域は、前記炭化珪素ウエハの周縁から中心方向に向かう距離が前記炭化珪素ウエハの半径に対して5%~75%である領域であり、中心領域は、前記炭化珪素ウエハの中心から前記炭化珪素ウエハの半径に対して25%の半径を有する領域であり、前記一面の周縁領域の平均Rmax粗さと、前記一面の中心領域の平均Rmax粗さとの差が0.01nm~0.5nmである炭化珪素ウエハを提供する。
【選択図】図6
Description
一面及びその反対面である他面を含む炭化珪素ウエハであって、
前記一面の平均Rmax粗さは2.0nm以下であり、
前記一面の平均Ra粗さは0.1nm以下であり、
周縁領域は、前記炭化珪素ウエハの周縁から中心方向に向かう距離が前記炭化珪素ウエハの半径に対して5%~75%である領域であり、
中心領域は、前記炭化珪素ウエハの中心から前記炭化珪素ウエハの半径に対して25%の半径を有する領域であり、
前記一面の周縁領域の平均Rmax粗さと、前記一面の中心領域の平均Rmax粗さとの差が0.01nm~0.5nmであってもよい。
上記による炭化珪素ウエハと;
前記炭化珪素ウエハの一面上に形成されたエピタキシャル層と;を含むことができる。
上記による炭化珪素ウエハと;
前記炭化珪素ウエハの一面上に配置されたエピタキシャル層と;
前記エピタキシャル層を間に置いて前記炭化珪素ウエハと反対側に配置されたバリア領域と;
前記エピタキシャル層と接するソース電極と;前記バリア領域上に配置されたゲート電極と;
前記炭化珪素ウエハの他面上に配置されたドレイン電極と;を含むことができる。
上記の目的を達成するために、具現例に係る炭化珪素ウエハ10は、
一面11及びその反対面である他面12を含む炭化珪素ウエハであって、
前記一面の平均Rmax粗さは2.0nm以下であり、
前記一面の平均Ra粗さは0.1nm以下であり、
周縁領域は、前記炭化珪素ウエハの周縁から中心方向に向かう距離が前記炭化珪素ウエハの半径に対して5%~75%である領域であり、
中心領域は、前記炭化珪素ウエハの中心から前記炭化珪素ウエハの半径に対して25%の半径を有する領域であり、
前記一面の周縁領域の平均Rmax粗さと、前記一面の中心領域の平均Rmax粗さとの差が0.01nm~0.5nmであってもよい。
H=Td/(Tt×100)
(上記式1で、Hはヘイズであり、Tdは拡散透過率であり、Ttは全光線透過率である。)
上記の目的を達成するために、具現例に係る炭化珪素ウエハの製造方法は、
内部空間を有する反応容器200に原料300と炭化珪素種結晶110を離隔して配置する準備ステップと;
前記内部空間の温度、圧力及び雰囲気を調節して前記原料を昇華させ、前記炭化珪素種結晶から成長した炭化珪素インゴット100を設ける成長ステップと;
前記反応容器を冷却させ、前記炭化珪素インゴットを回収する冷却ステップと;
前記回収された炭化珪素インゴットを切断して炭化珪素ウエハを設ける切断ステップと;を含み、
前記反応容器の外面を囲む断熱材400、及び前記内部空間の温度を調節する加熱部600を含み、
前記成長ステップは、前記内部空間を常温から第1温度まで昇温させる昇温過程と;第1温度から第2温度まで昇温させる第1成長過程と;前記第2温度を維持する第2成長過程と;を含んで炭化珪素インゴットを設け、
前記第1温度は、前記内部空間の減圧が始まる温度であり、
前記第2温度は、前記内部空間の減圧が完了し、前記減圧された圧力下で炭化珪素インゴットの成長を誘導する温度であり、
温度差は、前記内部空間の上部の温度と下部の温度との差であり、
前記第2温度において前記温度差は160℃~240℃である。
上記の目的を達成するために、具現例に係るエピタキシャルウエハの製造方法は、
前記方法により製造された炭化珪素ウエハ10が配置された成長容器内にエピタキシャル成長のための原料ガスを注入し、化学気相蒸着法により前記ウエハの一面11上にエピタキシャル層を成長させる成長ステップを含む。
上記の目的を達成するために、具現例に係る半導体素子は
上記による炭化珪素ウエハ10と;
前記炭化珪素ウエハの一面上に配置されたエピタキシャル層20と;
前記エピタキシャル層を間に置いて前記炭化珪素ウエハと対向するように配置されたバリア領域30と;
前記エピタキシャル層と接するソース電極41と;前記バリア領域上に配置されたゲート電極42と;
前記炭化珪素ウエハの他面上に配置されたドレイン電極43と;を含む。
図2に炭化珪素インゴット製造装置の一例を示したように、反応容器200の内部空間の下部に原料物質300である炭化珪素粉末を装入し、その上部に炭化珪素種結晶110を配置した。この時、炭化珪素種結晶は、6インチの4H-炭化珪素結晶からなるものを適用し、C面((000-1)面)が内部空間の下部の炭化珪素原料に向かうように通常の方法により固定した。
前記実施例で、CMP処理時の条件を前記表1に変更して炭化珪素ウエハを設けた。
前記実施例及び比較例で製造された炭化珪素ウエハの平均Ra粗さ、平均Rmax粗さの特性をAFM機器(Park System社のXE-150)を通じて測定し、全光線透過率及びヘイズをNIPPON DENSHOKU社のHaze Meter NDH5000W装置のD65標準光源を通じて測定し、その結果を図5及び表2に示した。測定時の基準線は、測定区間の粗さ曲線の中心線を示す。前記炭化珪素ウエハの一面の周縁領域は、前記一面の周縁から中心方向に向かう距離が前記炭化珪素ウエハの半径に対して5%~75%である領域であり、前記一面の中心領域は、前記一面の中心から前記炭化珪素ウエハの半径に対して25%の半径を有する領域を示す。
前記実施例及び比較例で製造された炭化珪素ウエハ上に下記のような通常の方法でエピタキシャル層を形成させた。
11 一面
12 他面
100 炭化珪素インゴット
110 種結晶
200 反応容器
210 本体
220 蓋
230 内部空間の上部
240 内部空間の下部
300 原料
400 断熱材
500 反応チャンバー、石英管
600 加熱手段
700 真空排気装置
800 マスフローコントローラ
810 配管
Claims (10)
- 一面及びその反対面である他面を含む炭化珪素ウエハであって、
前記一面の平均Rmax粗さは2.0nm以下であり、
前記一面の平均Ra粗さは0.1nm以下であり、
周縁領域は、前記炭化珪素ウエハの周縁から中心方向に向かう距離が前記炭化珪素ウエハの半径に対して5%~75%である領域であり、
中心領域は、前記炭化珪素ウエハの中心から前記炭化珪素ウエハの半径に対して25%の半径を有する領域であり、
前記一面の周縁領域の平均Rmax粗さと、前記一面の中心領域の平均Rmax粗さとの差が0.01nm~0.5nmである、炭化珪素ウエハ。 - D65標準光源に対する全光線透過率が10%~40%である、請求項1に記載の炭化珪素ウエハ。
- 前記一面の平均Rmax粗さは1.5nm以下である、請求項1に記載の炭化珪素ウエハ。
- 前記一面の周縁領域の平均Ra粗さと、前記一面の中心領域の平均Ra粗さとの差が0.08nm以下である、請求項1に記載の炭化珪素ウエハ。
- D65標準光源に対するヘイズが0.3%~0.5%である、請求項1に記載の炭化珪素ウエハ。
- 前記炭化珪素ウエハの平均Ra粗さが0.07nm以下である、請求項1に記載の炭化珪素ウエハ。
- 前記一面は表面に炭素原子に比べて珪素原子層がより露出するSi面である、請求項1に記載の炭化珪素ウエハ。
- 前記炭化珪素ウエハは、直径が4インチ以上であり、4H-炭化珪素を含む、請求項1に記載の炭化珪素ウエハ。
- 請求項1に記載の炭化珪素ウエハと;
前記炭化珪素ウエハの一面上に形成されたエピタキシャル層と;を含む、エピタキシャルウエハ。 - 請求項1に記載の炭化珪素ウエハと;
前記炭化珪素ウエハの一面上に配置されたエピタキシャル層と;
前記エピタキシャル層を間に置いて前記炭化珪素ウエハと反対側に配置されたバリア領域と;
前記エピタキシャル層と接するソース電極と;前記バリア領域上に配置されたゲート電極と;
前記炭化珪素ウエハの他面上に配置されたドレイン電極と;を含む、半導体素子。
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JP2016139685A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 日立金属株式会社 | 単結晶炭化珪素基板、単結晶炭化珪素基板の製造方法、および単結晶炭化珪素基板の検査方法 |
WO2019111507A1 (ja) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板 |
KR102192525B1 (ko) * | 2020-02-28 | 2020-12-17 | 에스케이씨 주식회사 | 웨이퍼, 에피택셜 웨이퍼 및 이의 제조방법 |
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KR100780843B1 (ko) * | 2006-08-28 | 2007-11-30 | 주식회사 실트론 | 고품위 열처리 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
KR101936171B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2019-04-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 및 탄화규소 에피 웨이퍼 |
WO2015129867A1 (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | 新日鐵住金株式会社 | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 |
WO2016010126A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 新日鐵住金株式会社 | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2016139685A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 日立金属株式会社 | 単結晶炭化珪素基板、単結晶炭化珪素基板の製造方法、および単結晶炭化珪素基板の検査方法 |
WO2019111507A1 (ja) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板 |
KR102192525B1 (ko) * | 2020-02-28 | 2020-12-17 | 에스케이씨 주식회사 | 웨이퍼, 에피택셜 웨이퍼 및 이의 제조방법 |
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