JP2022546742A - 蒸気供給方法および装置 - Google Patents

Abstract

本開示の実施形態は、一般に、有機気相堆積システムと、それに関連した基板処理方法とに関する。一実施形態では、処理システムは、リッドアセンブリおよび複数の材料供給システムを備える。リッドアセンブリは、第１の表面および第１の表面の反対側の第２の表面を有するリッド板と、第１の表面に結合されたシャワーヘッドアセンブリとを含む。シャワーヘッドアセンブリは複数のシャワーヘッドを備える。複数の材料供給システムは、個々に、複数のシャワーヘッドのうちの１つまたは複数に流体連結されており、リッド板の第２の表面に配設されている。材料供給システムの各々が、供給ラインと、供給ラインに配設された供給ラインバルブと、供給ラインバルブとシャワーヘッドとの間のポイントにおいて供給ラインに流体結合されたバイパスラインと、バイパスラインに配設されたバイパスバルブとを備える。【選択図】図２Ｂ

Description

本明細書で説明される実施形態は、一般に電子デバイス生産に関し、より詳細には電子デバイス生産に関連する有機気相堆積システムおよび基板処理方法に関する。

相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）画像センサなどの集積有機光電デバイスの製造では、有機気相堆積がますます重要になっている。ＣＭＯＳ画像センサ（ＣＩＳ）は、典型的には、対応する複数のＣＭＯＳトランジスタと共に一体的に形成された複数の有機光検知器（ＯＰＤ）を特徴とする。各ＯＰＤ－ＣＭＯＳトランジスタの組合せは、画像センサによって供給された他のピクセル信号と組み合わされたとき画像を形成するように使用され得るピクセル信号をもたらす。典型的には、ＯＰＤは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）電極層など２つの透明電極層の間に挿入された有機光導電性フィルムの１つまたは複数の層を備えるパターンフィルムスタックから形成される。ＣＭＯＳデバイスは、典型的には、従来の半導体デバイス製造プロセスを使用してシリコン基板（たとえばウエハ）上に形成され、次いで、その上に有機光検知器が形成される。有機光導電性フィルムが、典型的には有機気相堆積プロセスを使用して複数のＣＭＯＳデバイスを形成されてマスキングされた基板の上に堆積される。

有機気相堆積プロセスは、一般に、テレビジョンスクリーンなどの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、または太陽電池など有機光検知器の大規模アレイの製造において使用され、有機デバイスは大きな矩形パネル上に形成される。残念ながら、パネル製造において従来使用されている有機気相堆積プロセスを大量の半導体デバイスの製造ラインに組み込むのは難しいことが判明している。

したがって、半導体デバイス製造に一般に使用される基板を処理するのに適切な有機気相堆積システムと、関連する基板処理方法とが、当技術分野において必要とされている。

本開示の実施形態は、一般に、集積有機ＣＭＯＳ画像センサの製造に適する有機気相堆積システムおよび関連する方法に関するものである。

一実施形態では、処理システムは、リッドアセンブリおよび複数の材料供給システムを備える。リッドアセンブリは、第１の表面および第１の表面の反対側の第２の表面を有するリッド板と、第１の表面に結合されたシャワーヘッドアセンブリとを備える。シャワーヘッドアセンブリは複数のシャワーヘッドを備える。ここで、複数の材料供給システムが個々にリッド板の第２の表面上に配設され、複数のシャワーヘッドのうちの１つまたは複数に対して流体結合されている。典型的には、材料供給システムが、個々に、供給ラインと、供給ラインに配設された供給ラインバルブと、供給ラインバルブとシャワーヘッドとの間のポイントにおいて供給ラインに流体結合されたバイパスラインと、バイパスラインに配設されたバイパスバルブとを備える。

本開示の上記に記述された特徴が詳細に理解され得るように、上記で簡単に要約された本開示のより詳細な説明が、いくつかが添付図面に示されている実施形態を参照することによって得られるであろう。しかしながら、添付図面は本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって本発明の範囲を限定するものと見なされるべきではなく、というのは、本開示は、他の同様に有効な実施形態に適合し得るからであることに留意されたい。

断面図で示された処理チャンバと、処理チャンバに流体連結された複数の材料供給システムとを特徴とする、一実施形態による有機気相堆積処理システムの概略図である。 一実施形態による、図１に示された処理チャンバのリッドアセンブリとして使用され得るリッドアセンブリの概略ボトムアップ図である。 一実施形態による、図２Ａのリッドアセンブリの、表を上にした状態の、ラインＡ－Ａに沿った概略断面図である。リッドアセンブリのリッド板に配設された複数の一体化された材料供給システムをさらに示す。 一実施形態による、図２Ｂに描写された蒸気源のうちの１つの拡大断面図である。 一実施形態による、図２Ｂの一部の拡大断面図である。 図１または図２Ｂに描写された蒸気源のうちの１つまたは複数の代わりに使用され得る、別の実施形態による蒸気源の断面図である。 図２Ｂおよび図２Ｄに示されたベローズの代替実施形態の拡大断面図である。 一実施形態による、本明細書に記載の処理システムを使用して基板を処理する方法を説明する流れ図である。

理解を容易にするために、各図に共通の同一要素を示すのに、可能な場合、同一の参照数字が用いられている。１つの態様の要素および特徴は、さらなる詳述なしで、他の態様の中に有益に組み込まれ得ることが企図されている。

本開示の実施形態は、一般に、集積有機ＣＭＯＳ画像センサの製造に適する有機気相堆積システムおよび関連する基板処理方法に関するものである。

図１は、一実施形態による、基板の表面に１つまたは複数の有機材料を堆積するために使用され得る処理システム１００を概略的に示すものである。処理システム１００は、これに流体連結された処理チャンバ１０２（断面で示されている）および複数の材料供給システム１０４を特徴とする。本明細書の「流体連結された」という用語は、２つ以上の要素が流体連結するように、すなわち直接的または間接的に流体を流し得るように直接的または間接的に接続された２つ以上の要素を指すように使用される。

処理チャンバ１０２は、チャンバベース１０８、１つまたは複数の側壁１１０、およびチャンバリッドアセンブリ１１２を備えるチャンバ本体１０６を含む。チャンバリッドアセンブリ１１２は、リッド板１１４と、リッド板１１４に結合されたシャワーヘッドアセンブリ１１６とを含む。ここで、リッド板１１４は、蝶番１１５を使用して１つまたは複数の側壁１１０に結合されているため、枢動すること、旋回すること、または側壁１１０から離れることができ、保守のための接近を許す。他の実施形態では、リッド板１１４は、リッド板１１４の上に配設された、リッド板１１４をつり上げるクレーンを使用して、側壁１１０から離され得る。ここで、チャンバベース１０８、１つまたは複数の側壁１１０、およびシャワーヘッドアセンブリ１１６が、総体として処理空間１１８を画定する。

典型的には、処理空間１１８は、処理空間１１８から過剰な気相有機材料を排出してサブ大気条件に保つ１つまたは複数の専用の真空ポンプなどの真空源１１９に流体連結される。ここで、処理空間１１８と真空源１１９との間の排気ラインに、たとえばスロットルバルブといったバルブ１２０が配設される。バルブ１２０は処理空間１１８の圧力を制御するために使用される。いくつかの実施形態では、処理システム１００は、処理空間１１８と真空源１１９との間に配設された冷却トラップ１２１をさらに含む。冷却トラップ１２１は、冷媒源（図示せず）に対して熱的に結合されてよく、気相有機材料が１つまたは複数の専用真空ポンプに到達してその表面で不必要に凝結することのないように、先に過剰な気相有機材料を凝結させて捕捉するように使用される。

ここにおいて、処理チャンバ１０２は、気相堆積プロセス中に基板１２４を支持して回転させるように処理空間１１８の中に配設された回転可能な基板支持体１２２をさらに含む。いくつかの実施形態では、基板１２４は、シャドウマスクアセンブリ１２８をさらに支持する携帯用静電チャックなどの基板キャリア１２６上に配設される。シャドウマスクアセンブリ１２８は、内部に配設されたシャドウマスク１３２およびマスクフレーム１３０を含み、基板１２４の表面にかかるように、マスクフレーム１３０によって支持されている。基板処理中に、有機材料が、シャドウマスク１３２に配設された開口を通って基板１２４上に堆積される（凝結される）。シャドウマスク１３２の開口を通って基板１２４上に堆積される有機材料は、基板表面に、１つまたは複数のパターニングされた有機材料層を形成する。基板１２４およびシャドウマスクアセンブリ１２８を配設された基板キャリア１２６が、側壁１１０のうちの１つにおける、ドアまたはバルブ（図示せず）によって密閉される開口１３４を通って、基板支持体１２２にロードされたり、基板支持体１２２からアンロードされたりする。

シャワーヘッドアセンブリ１１６が含む複数のシャワーヘッド１３６（４つのシャワーヘッドのうちの２つが示されている）の各々が、気相有機材料を処理空間１１８の中に分散させるように使用され得る。シャワーヘッド１３６の各々が、それぞれのシャワーヘッド１３６の、シャワーヘッドアセンブリ１１６の他のシャワーヘッド１３６の個々に対する温度を別個に制御するように使用され得るヒータ１３８を特徴とする。以下でさらに論じられるように、材料供給システム１０４の構成要素およびシャワーヘッド１３６の温度を制御すると、処理空間１１８への気相有機材料の質量流量に対する制御が容易になる。たとえば、構成要素および／またはシャワーヘッド１３６の温度が上昇すると、それを通る気相有機材料の流れも増加する。したがって、シャワーヘッド１３６の個々の温度を互いに対して別個に制御することができれば、それを通るそれぞれの有機材料の流量の単独制御を有利に助長する。ここで、シャワーヘッド１３６の各々が、隣接して配設されたシャワーヘッド１３６との間に間隙１４０を有し、熱クロストークを低減するかまたは実質的に解消する。

いくつかの実施形態では、シャワーヘッド１３６の各々がリフレクタ１４１によって取り囲まれている。典型的には、リフレクタ１４１の各々が、たとえば鏡面といった高度に研磨された表面を有する金属を含み、これがシャワーヘッドに面する。リフレクタ１４１は、それぞれのシャワーヘッド１３６の内部の熱を阻止するように使用され、たとえばシャワーヘッド１３６の側面から処理空間１１８への放射熱損失を防止し、隣接したシャワーヘッド１３６間の熱クロストークを防止する。図２Ａ～図２Ｂには、シャワーヘッドアセンブリ１１６の代わりに処理チャンバ１０２と共に使用され得るシャワーヘッドアセンブリのさらなる態様が示され、説明されている。

ここで、気相有機材料は、複数の材料供給システム１０４（４つ示されている）を使用してシャワーヘッド１３６の各々に配送される。材料供給システム１０４の各々が、蒸気源１４２と、蒸気源１４２をシャワーヘッド１３６に流体連結する供給ライン１４６とを含む。いくつかの実施形態では、シャワーヘッド１３６の各々が、供給ライン１４６によって、対応する個々の蒸気源１４２と１対１の関係で流体連結されている。他の実施形態では、個々の蒸気源１４２に、２つ以上のシャワーヘッド１３６が、第１の供給ライン１４６に流体連結された第２の供給ライン１４７（想像線で示されている）などを使用して流体連結され得る。

処理システム１００の動作中に、蒸気源１４２は、典型的には有機粉末などの固相有機材料を含有し、これが、真空下で加熱されて、気相へと気化されるかまたは昇華する。ここで、供給ライン１４６は、これと熱的に結合された抵抗加熱要素などのそれぞれのヒータ１４８を使用して加熱される。ヒータ１４８は、蒸気源１４２から供給ライン１４６の長手方向に沿ってシャワーヘッド１３６まで延在してよく、または蒸気源１４２から供給ライン１４６の長手方向の一部に沿ってリッド板１１４まで延在するなどしてよい。ヒータ１４８は、供給ライン１４６における気相有機材料の望ましくない凝結を防止し、いくつかの実施形態では、供給ライン１４６を通る気相有機材料の流量を制御するように使用され得る。

いくつかの実施形態では、材料供給システム１０４のうちの１つまたは複数は、別個に制御される複数のヒータ１４８を特徴とし、ヒータ１４８のそれぞれが、それぞれの蒸気源１４２から、材料供給システム１０４の一部に沿って、対応するシャワーヘッド１３６まで延在する。別個に制御される複数のヒータ１４８は、たとえばそれぞれの蒸気源１４２から対応するシャワーヘッド１３６までのゾーンＡ～Ｅといったマルチゾーン制御加熱システム１４９を形成するように使用される。いくつかの実施形態では、マルチゾーン制御加熱システム１４９は、たとえば、それぞれの蒸気源１４２から、個々の材料供給システム１０４の長手方向に沿って、対応するシャワーヘッド１３６までの温度を均一に維持するように使用される。いくつかの実施形態では、マルチゾーン制御加熱システム１４９は、個々の材料供給システム１０４の温度を、その長手方向に沿って、徐々に、かつ／または漸進的に変化させて（上昇させるかまたは低下させて）、材料供給システム１０４の中の気相前駆体の材料流量を精密に制御するように使用される。

この点で、供給ライン１４６、供給ラインバルブ１５０、結合部、および材料供給システム１０４に対して熱的に結合されたヒータ１４８などの材料供給システム１０４の少なくとも一部は、保温ジャケット１５７などの熱絶縁性材料の内部に配設される。保温ジャケット１５７は、熱絶縁性の可撓性ポリマーなどの任意の適切な材料から形成されてよく、材料供給システム１０４から周囲環境への熱損失を防止するとともに、個人を、材料供給システム１０４と不注意に接触することによる望ましくない熱障害から保護するように使用される。

いくつかの実施形態では、材料供給システム１０４のうちの１つまたは複数が、キャリアガスまたはプッシュガスを使用することなく気相有機材料を処理空間１１８の中へ配送するために、真空状態で動作する。そのような実施形態では、供給ライン１４６において蒸気源１４２とリッド板１１４との間に配設された供給ラインバルブ１５０が開かれ、これを通って気相有機材料が流れることができる。ここで、供給ラインバルブ１５０は、気相堆積材料の流れを通したり止めたりするとともに、望まれるときには蒸気源１４２から処理空間１１８への流れが遮断されるように構成された遮断バルブである。典型的には、供給ラインバルブ１５０は、ヒータ１４８、専用ヒータ（図示せず）、またはその組合せのうちの１つを使用して加熱することにより希望温度に維持され、したがってその内表面に気相有機材料が凝結するのを防止する。

真空状態で動作するとき、気相有機材料の流量は、処理空間１１８と蒸気源１４２との間の圧力差を維持することによって少なくとも部分的に制御される。圧力差は、処理空間に流体連結されたバルブ１２０を使用して、蒸気源１４２の温度を調節してその中の気相有機材料の圧力を調節するか、またはその両方を調節することによって維持され得る。

材料供給システム１０４を真空状態で動作させると、キャリアガスの使用に関連したフィルム汚染または品質リスクを有利に低減する。残念ながら、前述の実施形態では、供給ラインバルブ１５０を閉じた後にも、供給ライン１４６およびシャワーヘッド１３６の中の残留気相有機材料が処理空間１１８に流れ込むことが止まらない。したがって、キャリアガスを使用せずに、材料供給システムを真空状態で動作させているとき、処理空間１１８への気相有機材料の流れを止めるには、所望のものよりも長い時間を要することになり得る。たとえば、供給ラインバルブ１５０を一旦閉じても（または実質的に閉じても）、供給ライン１４６およびシャワーヘッド１３６の中の残留気相有機材料が処理空間１１８の中へ継続的に引き込まれてしまうことがある。処理空間１１８への残留気相有機材料の望ましくない流れがあると、基板ハンドリングが面倒になり、基板表面に望ましくない堆積が生じる恐れがある。望ましくない材料堆積の例は、基板支持体１２２と、それぞれ基板支持体１２２にロードされたり、基板支持体１２２からアンロードされたりする、基板１２４、基板キャリア１２６、およびシャドウマスクアセンブリ１２８の後縁および前縁とにおける基板支持体１２２上での気相有機材料の凝結を含む。したがって、いくつかの実施形態では、材料供給システム１０４のうちの１つまたは複数が、シャワーヘッド１３６および供給ライン１４６から、残留物を、処理空間１１８を通すことなく冷却トラップ１２１へ取り出すように使用され得る処理空間バイパスシステムをさらに備える。

ここで、各バイパスシステムは、バイパスライン１５２と、バイパスライン１５２に配設されたバイパスバルブ１５４とを含む。バイパスライン１５２は、供給ラインバルブ１５０とシャワーヘッド１３６との間のポイントにおいて、それぞれの供給ライン１４６に流体連結されている。バイパスバルブ１５４は、それぞれ、バイパスライン１５２と供給ライン１４６との交差点と、冷却トラップ１２１との間で、バイパスライン１５２に配設されている。

バイパスシステムがオフモード構成で動作しているとき、それぞれの供給ラインバルブ１５０が開かれて、バイパスバルブ１５４が閉じられる。したがって、バイパスシステムがオフモード構成のときには、気相有機材料は、それぞれの蒸気源１４２から対応するシャワーヘッド１３６へ流れる。反対に、バイパスシステムがオンモード構成のときには、それぞれの供給ラインバルブ１５０閉じられて、バイパスバルブ１５４が開かれる。典型的には、処理空間１１８における圧力は、真空源に１１９によってバイパスライン１５２に与えられた負圧よりも高い。したがって、バイパスシステムがオンモード構成のときには、供給ライン１４６およびシャワーヘッド１３６における残留気相有機材料は、バイパスライン１５２の中に、またはバイパスライン１５２の方へ引き込まれ、これによって、シャワーヘッド１３６からの残留材料の流れが停止する。バイパスシステムを使用すると、気相有機材料が処理空間１１８に流れ込むのを迅速に停止することが有利に可能になり、したがって有機気相堆積プロセスに対する精密な制御が可能になる。

他の実施形態では、材料供給システム１０４は、キャリアガスを使用して、蒸気源１４２のうちの１つまたは複数から処理空間１１８への気相有機材料の供給を促進する。たとえば、いくつかの実施形態では、蒸気源１４２の各々が、ガス源１５６に対して（想像線で示されるように）流体連結されている。ガス源１５６は、Ａｒ、Ｎ_２、またはＨｅなどの非反応性キャリアガスを所望の蒸気源１４２に供給して混合し、次いで、気相有機材料を処理空間１１８の中へ運搬するかまたは押し込む。いくつかの実施形態では、材料供給システム１０４、またはたとえば個々の蒸気源１４２およびこれに流体連結された供給ライン１４６といった材料供給システム１０４の一部は、保守運転の前後に、ガス源１５６から供給されるパージガスを使用してパージされる。

いくつかの実施形態では、バイパスライン１５２、バイパスバルブ１５４、それらの間の結合部、およびバイパスライン１５２を供給ライン１４６に流体連結する結合部などの、バイパスシステムの少なくとも一部が、ヒータ１４８を使用して加熱されてよく、保温ジャケット１５７を使用して絶縁され得る。

本明細書の実施形態では、処理システム１００の動作はシステムコントローラ１６０によって指示される。システムコントローラ１６０は、記憶装置１６４（たとえば不揮発性メモリ）およびサポート回路１６６と共に動作可能なプログラム可能中央処理装置（ＣＰＵ）１６２を含む。サポート回路１６６は、通常はＣＰＵ１６２に結合され、キャッシュ、クロック回路、入出力サブシステム、電源等、ならびに、その制御を促進するために処理システム１００の様々な構成要素に結合されたそれらの組合せを備える。ＣＰＵ１６２は、処理システムの様々な構成要素およびサブプロセッサを制御するために工業用の設定で使用されるプログラム可能な論理制御装置（ＰＬＣ）などの任意の形式の汎用コンピュータプロセッサの１つである。ＣＰＵ１６２に結合された記憶装置１６４は非一時的なものであり、典型的には、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスクドライブ、ハードディスク、またはローカルもしくはリモートの任意の他の形式のデジタルストレージなどの、容易に入手可能な記憶装置のうちの１つまたは複数である。

典型的には、記憶装置１６４は、ＣＰＵ１６２によって実行されたとき処理システム１００の動作を促進する命令を含有している非一時的コンピュータ可読記憶媒体（たとえば不揮発性メモリ）の形式である。記憶装置１６４における命令は、本開示の方法を実施するプログラムなどのプログラム製品の形式である。プログラムコードは、複数の異なるプログラム言語のうちの任意の１つに準拠し得る。一例では、本開示は、コンピュータシステムと共に使用されるコンピュータ可読記憶媒体に記憶されたプログラム製品として実施され得る。プログラム製品のプログラムは、実施形態（本明細書に記載の方法を含む）の機能を定義する。

実例となる非一時的コンピュータ可読記憶媒体は、それだけではないが、（ｉ）情報が永久に記憶され得る書込み不可能な記憶媒体（たとえばＣＤ－ＲＯＭドライブによって読取り可能なＣＤ－ＲＯＭディスク、フラッシュメモリ、ＲＯＭチップ、またはたとえばソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）といった任意のタイプのソリッドステート不揮発性半導体メモリデバイスなどの、コンピュータ内部の読取り専用メモリデバイス）と、（ｉｉ）変更可能な情報が記憶される書込み可能記憶媒体（たとえばディスケットドライブの中のフロッピーディスク、ハードディスクドライブ、または任意のタイプのソリッドステートランダムアクセス半導体メモリ）とを含む。そのようなコンピュータ可読記憶媒体は、本明細書に記載の方法の機能を指示するコンピュータ可読命令を担持するときには、本開示の実施形態である。いくつかの実施形態では、本明細書またはその一部に記載の方法は、１つまたは複数の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、または他のタイプのハードウェア実装形態によって行われる。いくつかの他の実施形態では、本明細書に記載の基板処理方法は、ソフトウェアルーチン、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡおよび／または他のタイプのハードウェアの実装形態の組合せによって行われる。

図２Ａ～図２Ｄが概略的に図示する、一実施形態による一体化されたリッドアセンブリ２００の態様は、その上に、材料供給システム２０６の少なくとも一部が配設されている。図２Ａは、一体化されたリッドアセンブリ２００の底部の等角図法である（材料供給システム２０６は示されていない）。図２Ｂは、図２Ａのリッドアセンブリ２００の、表を上にした状態の、ラインＡ－Ａに沿った断面図であり、一体化された材料供給システム２０６をさらに示す。図２Ｃは、図２Ｂの一体化された材料供給システム２０６の一部の拡大断面図である。図２Ｄは、図２Ｂの一体化された材料供給システム２０６の別の部分の拡大断面図である。一体化されたリッドアセンブリ２００、または任意の組合せにおけるその一部は、リッドアセンブリ１１２および材料供給システム１０４の代わりに、図１に描写された処理システム１００と共に使用され得る。

ここで、一体化されたリッドアセンブリ２００は、リッド板２０２、シャワーヘッドアセンブリ２０４、および複数の材料供給システム２０６（図２Ｂに示されている）を含む。リッド板２０２の表面に面する処理空間は、側壁合わせ面２０８、密封リングチャネル２１０、および凹型面２１２を特徴とする。側壁合わせ面２０８は環状のへこみを含む。側壁合わせ面２０８によって画定された境界の内部に密封リングチャネル２１０が形成されている。凹型面２１２は、側壁合わせ面２０８の半径方向の内側に配設されている。典型的には、リッドアセンブリ２００は、密封リングチャネル２１０に配設された密封リング２１１（図２Ｂに示されている）を使用して処理チャンバの１つまたは複数の側壁に対して真空密封される。ここで、リッド板２０２の中に１つまたは複数の冷却コンジット２０９（図２Ｂに示されている）がさら配設されており、冷却源または水源などの冷媒源（図示せず）に結合されたとき、リッド板２０２を希望温度以下に維持するように使用され得る。

シャワーヘッドアセンブリ２０４は複数のシャワーヘッド２１４（４つ示されている）を特徴とする。ここで、シャワーヘッド２１４の各々が、全体的に円筒形のセクタ形状（すなわち円グラフの扇形の形状）を有し、これらが、総体として全体的に円筒形のシャワーヘッドアセンブリ２０４を形成する。シャワーヘッド２１４の各々が、バッキング板２１５（図２Ｂ）と、貫通する複数の開口２２８を有する面板２２６と、バッキング板２１５を面板２２６に接合して、総体として空洞２３２（図２Ｂ）を画定する外周壁２３０とを含む。基板処理中に、気相有機材料が蒸気源２４２から空洞２３２に配送され、複数の開口２２８を通って図１の処理チャンバ１０２などの処理チャンバの処理空間の中に分散される。

典型的には、シャワーヘッド２１４の各々の温度は、シャワーヘッド２１４の各々の中もしくは上に配設された、そうでなければシャワーヘッド２１４と熱連通する、それぞれのヒータ２１６（図２Ｂ）を使用して、他のシャワーヘッド２１４の各々の温度とは別個に制御される。ここで、シャワーヘッド２１４は、約５ｍｍ以上、または約１０ｍｍ以上など、約１ｍｍ以上の幅Ｘ（１）を有する間隙２２２だけ互いに間隔を空けて、熱伝達を防止するかまたは実質的に低減し、したがってそれらの間の熱クロストークを防止するかまたは実質的に低減する。いくつかの実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ２０４は、シャワーヘッド２１４の各々を取り囲む、図１に示されたリフレクタ１４１などのリフレクタをさらに含み、そこからの熱損失を防止するとともに、それらの間の熱クロストークを防止する。

シャワーヘッドアセンブリ２０４がさらに含む複数の第１のマウント２２３は、半径方向の外側に向く外周壁２３０の面に結合されているか、またはこの面から形成されている。複数の第１のマウント２２３は、リッド板に結合された複数の第２のマウント２２４のうちの対応するものと対になり、それぞれの締め具２１８を用いてそれに固定されている。シャワーヘッドアセンブリ２０４の中心は、ここではシャワーヘッド２１４の各々の、半径方向で最も内側の表面であり、この中心を支持する中心ピン２２５は、リッド板２０２に結合されており、そこから下方へ延在する。ここで、複数の第２のマウント２２４は、凹型面２１２から外に向かって延在して、シャワーヘッド２１４を、リッド板２０２から約１０ｍｍ以上など、約５ｍｍ以上の距離Ｘ（２）だけ間隔を空け、したがって熱的に絶縁する。いくつかの実施形態では、複数の第２のマウント２２４および中心ピン２２５の一方または両方が、熱絶縁性材料から形成されており、シャワーヘッド２１４とリッド板２０２との間の熱連通を防止するかまたは実質的に低減する。

材料供給システム２０６（４つのうち２つが示されている）の各々が、蒸気源２４２、供給ライン２４６、供給ラインバルブ２５０、バイパスライン２５２、およびバイパスバルブ２５４を含む。供給ラインバルブ２５０およびバイパスバルブ２５４は、それぞれ結合されたアクチュエータ２５６、２５８を使用して動作される。ここで、個々のシャワーヘッド２１４が、対応する個々の蒸気源２４２と、供給ライン２４６によって１対１の関係で流体連結されている。他の実施形態では、材料供給システム２０６のうちの１つまたは複数が、図１に描写された第２の供給ライン１４７のうちの１つなどの第２の供給ラインを使用して、１つの蒸気源２４２から、２つ以上のシャワーヘッド２１４などの複数のシャワーヘッド２１４に、気相有機材料を配送するように構成されている。

供給ラインバルブ２５０は、それぞれシャワーヘッド２１４と蒸気源２４２との間のポイントにおいて供給ライン２４６に配設されている。バイパスライン２５２は、供給ラインバルブ２５０とシャワーヘッド２１４との間のポイントにおいて、それぞれの供給ライン２４６に流体連結されている。バイパスバルブ２５０は、バイパスライン２５２と供給ライン２４６とのそれぞれの交差点と、図１に描写された真空源１１９または冷却トラップ１２１などの真空源または冷却トラップとの間のポイントにおいて、バイパスライン２５２に配設されている。

いくつかの実施形態では、材料供給システム２０６は、たとえば加圧された「プッシュ」ガスといったキャリアガスを使用して蒸気源２４２からシャワーヘッド２１４への気相有機材料の供給を促進することはない。代わりに、気相有機材料は、図１において上記のように、蒸気源２４２から供給ライン２４６を通って処理空間にまで、それらの間の圧力差によって取り出される。他の実施形態では、材料供給システム２０６のうちの１つまたは複数が、図１に描写されたガス源１５６などのガス源に結合され、キャリアガスまたはパージガスを供給される。

いくつかの実施形態では、供給ラインバルブ２５０およびバイパスバルブ２５４の一方または両方が、「ソフトな」密閉作用または「ハードな」密閉作用を含むデュアルアクションの設計を有する遮断バルブである。ソフトな密閉作用を使用すると、供給ラインバルブ２５０を通る気相有機材料の流れが実質的に制限され、たとえば断面の流量範囲が、約９９％より多いが１００％未満など、約９５％より多く縮小される。ハードな密閉作用を使用すると、供給ラインバルブ２５０を通る気相有機材料の流れが完全に制限され、それぞれの蒸気源２４２からシャワーヘッド２１４への流れが遮断される。典型的には、基板処理の動作中および基板処理の動作の間に、供給ラインバルブ２４４を少なくとも実質的に閉じて、蒸気源２４２から処理空間への気相有機材料の供給を実質的に止めるために、ソフトな密閉作用が使用される。ハードな密閉作用は、典型的には、保守運転中に、材料供給システム２０６が冷えて、供給ラインバルブ２５０冷えてしまうことが許容されるとき、供給ラインバルブ２５０を完全に閉じるように使用される。たとえば、ハードな密閉作用は、蒸気源２４２が、再び有機材料を入れるために大気条件に対して開かれるとき、処理空間の汚染を防止するように使用され得る。同様に、蒸気源２４２に流体連結されている処理チャンバが保守運転のために開かれるとき、蒸気源２４２の大気汚染を防止するためにハードな密閉作用が使用されることがある。ソフトな密閉作用を使用することができることにより、本明細書に記載の比較的高い動作温度に完全に置かれた場合に通常起こり得るバルブに対する損傷が有利に軽減される。したがって、デュアルアクションのバルブ設計により、従来の単一密閉作用の遮断バルブと比較して有効寿命がより長くなる。

この点で、図１に描写された処理システム１００が占有する全体的な洗浄室の設置面積（クリーンルームのシステムが占める水平方向の面積）を縮小するために、材料供給システム２０６の少なくとも一部が、リッド板上に、またはリッド板の上方に配設される。たとえば、いくつかの実施形態では、リッドアセンブリ２００が処理チャンバの壁に配設されたとき、蒸気源２４２、供給ライン２４６、バルブ２５０、２５４およびそれに結合されたそれぞれのアクチュエータ２５６、２５８、ならびにバイパスライン２５２の少なくとも一部のうちの１つまたは複数が、リッド板２０２の上の領域に配設される。

いくつかの実施形態では、アクチュエータ２５６、２５８の一方または両方が、リッド板２０２に対して結合され、上に配設され、またはリッド板２０２に支持され、バルブ２５０、２５４、供給ライン２４６、およびバイパスライン２５２を、それぞれリッド板２０２に対して間隔を置いた関係にして熱的に絶縁する。いくつかの実施形態では、材料供給システム２０６の一部は、蒸気源２４２、供給ライン２４６、バルブ２５０、２５４およびそれに結合されたそれぞれのアクチュエータ２５６、２５８のうちの１つまたは複数を含み、バイパスライン２５２の少なくとも一部は、リッド板２０２に結合されてその上に配設された保護ハウジング２５９（想像線で示される）に取り囲まれている。有利には、一体化されたリッドアセンブリ２００では、蒸気源２４２または供給ライン２４６を取り外さなくても処理チャンバの処理空間の中に到達することができ、保守および洗浄が簡単になる。いくつかの実施形態では、冷却トラップまたは真空源からバイパスライン２５２を取り外さないと、一体化されたリッドアセンブリ２００を処理チャンバから外せないことがある。さらに、蒸気源２４２および材料供給システム２０６の他の構成要素を処理チャンバの近くに配置することにより、供給ラインバルブ２５０とシャワーヘッド２３６との間の供給ライン２４６の長さが短縮され得る。バルブ２５０とシャワーヘッド２３６との間に配設された供給ライン２４６の一部の長さを短縮すると、そうしなければバイパスシステムがオンモード構成のとき排出口に分流されてしまう割高な有機堆積材料の浪費を有利に低減する。

図２Ｃは、図２Ｂの一部の拡大図であり、蒸気源２４２の断面図および供給ライン２４６の一部に注目するものである。ここで、蒸気源２４２は、たとえば有機粉末といった固相有機材料２６２が入った容器２６０を備えるアンプルである。容器２６０は、ハウジング２６４の上部領域を通って配設された出口を通る供給ライン２４６に流体連結されたハウジング２６４に対して密閉式に結合されている。典型的には、蒸気源２４２は、別個に制御される加熱ゾーン２６８ａ～２６８ｆを形成するために使用される容器２６０のまわりおよび下に配設された複数のヒータ２６６を含む。いくつかの実施形態では、別個に制御される加熱ゾーン２６８ａ～２６８ｆは、蒸気源２４２の中の固相有機材料２６２の量が経時的に消耗されるとき、蒸気源２４２に熱均一性をもたらすように使用される。

いくつかの実施形態では、加熱ゾーン２６８ａ～２６８ｆは、アンプルの下部から上部まで、蒸気源２４２の温度を変化させて、中にある有機材料の温度を変化させるように使用される。たとえば、加熱ゾーン２６８ａ～２６８ｆは、容器２６０のベースに向かって配設された固相堆積材料２６２を第１の温度に維持し、容器２６０の頂部に向かって配設されて昇華した気相有機材料を第１の温度よりも高い第２の温度に加熱するように使用され得る。一体化されたリッドアセンブリ２００または処理システム１００と共に使用され得る蒸気源２４２に対する代替実施形態が、図３にさらに示され、説明される。

図２Ｄは、図２Ｂの一部の拡大断面図であり、リッド板２０２を貫通する開口２３８を通って密閉式に延在する供給ライン２４６の一部を特徴とするものである。ここで、供給ライン２４６は、蒸気源２４２に流体連結された第１のコンジット２４６ａと、第１のコンジット２４６ｂをシャワーヘッド２１４に流体連結する第２のコンジット２４６ｂとを備える。ここで、第１のコンジット２４６ａと第２のコンジット２４６ｂとは、ベローズ２４０の上面の下に配設されたスリップフィットタイプ接続２７０を使用して結合されている。示されるように、第１のコンジット２４６ａと第２のコンジット２４６ｂとは、その組み合わせた長さに沿って、蒸気源２４２からシャワーヘッド２１４まで、保温ジャケット２５７の中に配設され得る抵抗加熱要素などのヒータ２４８によって加熱される。いくつかの実施形態では、第２のコンジット２４６ｂは加熱されない。いくつかの実施形態では、ベローズ２４０の下の領域に配設された第１のコンジット２４６ａの一部および第２のコンジット２４６ｂの一方または両方が加熱されない。いくつかの実施形態では、ベローズ２４０の下の領域に配設された第１のコンジット２４６ａの一部および第２のコンジット２４６ｂの一方または両方が、ベローズ２４０と蒸気源２４２との間に配設された供給ライン２４６の一部を加熱するように使用されるヒータ２４８とは無関係のヒータを使用して加熱される。

いくつかの実施形態では、各材料供給システム２０６は、図１に示されて説明されたマルチゾーン制御加熱システム１４９と類似または同一のマルチゾーン制御加熱システムを形成するように使用され得る複数の別個に制御されるヒータ２４８を特徴とする。

この点で、リッド板２０２の開口２３８は、リッド板２０２と供給ライン２４６との間の直接接触を防止するように寸法設定される。たとえば、一実施形態では、供給ライン２４６は、それぞれの開口２３８の壁との間の熱連通を制限するために、その壁から、約３ｍｍ以上、５ｍｍ以上、７ｍｍ以上、９ｍｍ以上、またはたとえば約１０ｍｍ以上などの、約１ｍｍ以上の距離Ｘ（３）だけ間隔を空けている。リッド板２０２と供給ライン２４６との間の熱連通を制限すると、供給ライン２４６の対応する部分における冷点の形成が望ましいように防止され、したがって、その壁における気相有機材料の望ましくない凝結が防止される。第１のコンジット２４６ａと第２のコンジット２４６ｂとを結合し、処理空間の上にリッドアセンブリ２００が配設されるとき処理空間を密封するための代替実施形態が、図４Ａ～図４Ｂに示される。

図３は、それぞれ図１および図２Ａに描写された蒸気源１４２、２４２のうちの１つまたは複数の代わりに使用され得る、別の実施形態による蒸気源３００の拡大断面図である。ここで、蒸気源３００は、内部に固相有機材料３０８を配設された容器３０２を特徴とする。容器３０２は、本明細書に記載の材料供給システムのうちの１つの加熱される供給ラインに結合され得るハウジング３０６に対して密閉式に結合される。蒸気源３００は、ランプ３１２による放射熱エネルギー３１６を、下に配設された固相有機材料３０４に向けるように、対応する光ガイド３１４の中にそれぞれ配設された複数のランプ３１２を備えるランプアセンブリ３１０を特徴とする。放射熱エネルギー３１６は有機材料３０４を気相へと昇華させるように使用され、次いで、有機材料３０４は、蒸気源３００から出口３１８を通って、流体連結された供給ライン（図示せず）に流れる。いくつかの実施形態では、蒸気源３００は、図１に描写されたガス源１５６などのキャリアガス源に流体連結され、このキャリアガスは、気相有機材料と混合されて、これを、供給ラインを通して、供給ラインに流体連結されたシャワーヘッドへ搬送するかまたは押し進める。

いくつかの実施形態では、蒸気源３００の１つまたは複数の特徴が蒸気源２４２の１つまたは複数の特徴と組み合わされ得る。たとえば、いくつかの実施形態では、蒸気源３００は、容器３０２のまわりおよび／または下に配設されたヒータ２６６などの複数のヒータをさらに含む。ヒータは、図２に説明された加熱ゾーン２６８ａ～２６８ｆなどの複数の加熱ゾーンを備えるマルチゾーンヒータを設けるように別個に動作可能であり得る。それらの実施形態では、ヒータ２６６は、有機材料２６２の温度をその昇華点またはその近くに維持するように使用され得、ランプ３１２は、蒸気源３００の表面から気相有機材料が流れることが望まれるときのみ、有機材料の昇華物を急速に蒸発させるように使用され得る。

図４Ａおよび図４Ｂは、図２Ｂおよび図２Ｄにおいて説明されたベローズの代替実施形態を示す概略断面図である。図４Ａにおいて、供給ライン２４６は、供給ライン２４６をリッド板２０２に結合するために供給ライン２４６の周辺に配設された環状金属フランジ４００を使用して、リッド板２０２を通って密閉式に配設されている。ここで、フランジ４００の外径と内径との間の厚さＸ（４）は、供給ライン２４６とリッド板２０２との間の熱伝達に有効な断面積を低減するために約１０ｍｍ未満であり、したがって、それらの間の熱連通を制限する。いくつかの実施形態では、厚さＸ（４）は、約６ｍｍ未満、約４ｍｍ未満など、約８ｍｍ未満であり、たとえば約２ｍｍ未満である。ここで、第１のコンジット２４６ａと第２のコンジット２４６ｂとは、それぞれの終端の間に配設された外部カプラ２４６ｃによって流体連結されている。上記の図１および図２Ａ～図２Ｄに描写された実施形態のうちの１つ、または任意の組合せにおいて、コンジット２４６ａ～２４６ｃのうちの１つまたは複数に対してヒータ（図示せず）が結合され得る。

図４Ｄにおいて、供給ライン２４６は、シリコンガスケットなどの可撓性ガスケット４１０を使用して、リッド板２０２に対して密閉式に結合されており、シリコンガスケットは、供給ライン２４６とリッド板２０２との間にクランプされ、これらに結合されている。ここで、供給ライン２４６は、上記の図１、図２Ａ～図２Ｄ、および図４Ａにおいて上記の実施形態のうちの１つ、または任意の組合せを備える。

図５は、本明細書に記載の有機気相堆積システムの実施形態のいずれか１つ、または組合せを使用して基板を処理する方法５００を説明する流れ図である。

方法５００は、行為５０２において、処理チャンバの処理空間の中に基板を配置することを含む。典型的には、基板は、たとえばシリコンウエハといった、半導体デバイス製造に適するものであり、その上に複数の半導体デバイスが形成される。いくつかの実施形態では、基板は、複数の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタをそれぞれ備える複数の半導体デバイスを備える。いくつかの実施形態では、基板は、複数のＣＭＯＳデバイス上に配設された第１のインジウムスズ酸化物層（ＩＴＯ）などの第１の電極層を備える。いくつかの実施形態では、基板は、基板上に配設された、図１において上記のものなどのシャドウマスクアセンブリと共に基板を移送するように使用される基板キャリア上に配設される。ここで、処理チャンバは、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３、および図４Ａ～図４Ｂにおいて描写された実施形態のうちの１つ、または任意の組合せにおいて上記で示されて説明されたように、一体化されたリッドアセンブリまたはその代替実施形態を備える。

方法５００は、行為５０４において、複数の材料供給システムのそれぞれの材料供給システムを使用して、複数のシャワーヘッドのうちの１つまたは複数に気相有機材料を流すことを含む。方法５００を使用して有機光検知器を形成するために使用され得る適切な有機材料の例は、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）、アルミニウム（Ａｌｑ３）、およびバックミンスターフラーレン（Ｃ_６０）を含む。典型的には、本明細書に記載の材料供給システムを使用して、有機材料を昇華させて気相に維持するには、材料供給システムの構成要素を、６００℃まで、いくつかの実施形態ではそれよりも高い温度に、加熱する必要がある。

方法５００は、行為５０６において、１つまたは複数のシャワーヘッドを通って処理空間の中に分散された１つまたは複数の気相有機材料に基板を暴露することを含む。いくつかの実施形態では、２つ以上の有機材料が、それぞれの蒸気源から処理空間の中へ同時にまたは連続して流れ込む。たとえば、いくつかの実施形態では、１つまたは複数のシャワーヘッドから第１の有機材料が流れ、同時に、第１の有機材料用に使用されていない残りのシャワーヘッドのうちの１つまたは複数から、第１の有機材料とは異なる第２の有機材料が流れる。第１の有機材料と第２の有機材料とが共に処理空間の中へ流れ込んでいるとき、基板支持体が回転されて、これらの有機材料が基板のデバイス側の表面に凝結するときの混合を制御する。典型的には、基板の回転が遅いと、異なる有機材料の混合が不十分になって多層構造の積層物をもたらし、回転がより速ければ、十分に混合された２つ以上の有機材料のより均質な分散をもたらす。

方法５００は、行為５０８において、供給ラインバルブを少なくとも部分的に閉じて、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３、および図４Ａ～図４Ｂの実施形態の１つ、または任意の組合せにおいて上記のものなどのバイパスバルブを開くことにより、１つまたは複数のシャワーヘッドからの気相堆積材料の分散を停止することを含む。

有益なことに、本明細書に記載の実施形態により、大量の半導体デバイスの製造ラインに有機気相堆積プロセスを組み込むことが可能になる。

前述のことは本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他の実施形態およびさらなる実施形態が本発明の基本的範囲から逸脱することなく考案され得、それらの範囲は、続く特許請求の範囲によって決定される。

Claims (20)

1. リッドアセンブリであって、
   第１の表面および前記第１の表面の反対側の第２の表面を有するリッド板、および
   複数のシャワーヘッドを備えて前記第１の表面に結合されたシャワーヘッドアセンブリ
   を備えるリッドアセンブリと、
   前記リッド板の前記第２の表面に配設された複数の材料供給システムであって、当該複数の材料供給システムは、前記複数のシャワーヘッドのうちの１つまたは複数に個々に流体連結され、当該複数の材料供給システムは、個々に、
   供給ライン、
   前記供給ラインに配設された供給ラインバルブ、
   前記供給ラインバルブと前記シャワーヘッドとの間のポイントにおいて前記供給ラインに流体連結されたバイパスライン、および
   前記バイパスラインに配設されたバイパスバルブ
   を備える、複数の材料供給システムと
   処理システム。
2. 前記個々のシャワーヘッドが個々の蒸気源に対して１対１の関係で流体連結されている、請求項１に記載の処理システム。
3. 前記材料供給システムが、個々に、対応する光ガイドの中にそれぞれ配設された複数のランプを備える蒸気源をさらに備える、請求項１に記載の処理システム。
4. 前記供給ラインが、前記リッド板に形成された対応する開口を通って配設されており、
   前記リッド板の前記開口と前記供給ラインとが、それらの間の接触を防止するようにそれぞれ寸法設定されている、
   請求項１に記載の処理システム。
5. プロセッサによって実行されたとき基板を処理する方法を実行するための命令を記憶した非一時的コンピュータ可読媒体をさらに備える処理システムであって、前記方法が、
   リッドアセンブリを備える処理チャンバの処理空間の中に基板を配置することと、
   前記基板を回転させることと、
   前記複数の材料供給システムのそれぞれの材料供給システムを使用して、前記複数のシャワーヘッドのうちの１つまたは複数に気相堆積材料を流すことと、
   回転する前記基板を、前記複数のシャワーヘッドのうちの１つまたは複数を通って前記処理空間の中に分散された１つまたは複数の気相有機材料に暴露することと、
   前記１つまたは複数のシャワーヘッドからの前記気相有機材料の流れを止めることであって、
   前記供給ラインバルブを少なくとも部分的に閉じること、および
   前記バイパスバルブを開くこと
   を含む、前記気相有機材料の流れを止めることと
   を含む、請求項１に記載の処理システム。
6. 前記複数のシャワーヘッドの各々が、これに熱連通して配設された対応するヒータを使用して別個に加熱され、前記複数のシャワーヘッドの各々が、隣接して配設されたシャワーヘッドから約１ｍｍ以上の間隙で離隔されている、請求項５に記載の処理システム。
7. 前記複数の材料供給システムのうちの１つまたは複数が、複数の別個に制御されるヒータを備え、前記複数の別個に制御されるヒータが、それぞれ前記供給ラインのうちの一部と熱連通して、前記材料供給システムの気相前駆体源と、これに流体連結した対応するシャワーヘッドとの間に、対応する、複数の別個に制御される加熱ゾーンを設ける、請求項５に記載の処理システム。
8. 前記バイパスラインが前記供給ラインを真空源に流体連結する、請求項１に記載の処理システム。
9. プロセッサによって実行されたとき基板を処理する方法を実行するための命令を記憶した非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記方法が、
   リッドアセンブリを備える処理システムの処理空間の中に基板を配置することと、
   複数の材料供給システムのそれぞれの材料供給システムを使用して、複数のシャワーヘッドのうちの１つまたは複数に気相堆積材料を流すことと、
   前記基板を、前記複数のシャワーヘッドのうちの１つまたは複数を通って前記処理空間の中に分散された１つまたは複数の気相有機材料に暴露することと、
   前記１つまたは複数のシャワーヘッドからの前記１つまたは複数の気相有機材料の流れを止めることであって、
   供給ラインバルブを少なくとも部分的に閉じること、および
   バイパスバルブを開くこと
   を含む、前記１つまたは複数の気相有機材料の流れを止めることと
   を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
10. 前記処理システムが、
    前記リッドアセンブリであって、
    第１の表面および前記第１の表面の反対側の第２の表面を有するリッド板、および
    前記複数のシャワーヘッドを備えて前記第１の表面に結合されたシャワーヘッドアセンブリ
    を備える前記リッドアセンブリと、
    前記リッド板の前記第２の表面に配設された複数の材料供給システムであって、当該複数の材料供給システムが、個々に、前記複数のシャワーヘッドのうちの１つまたは複数に流体連結され、当該材料供給システムは、個々に、
    供給ライン、
    前記供給ラインに配設された前記供給ラインバルブ、
    前記供給ラインバルブと前記シャワーヘッドとの間のポイントにおいて前記供給ラインに流体連結されたバイパスライン、および
    前記バイパスラインに配設された前記バイパスバルブ
    を備える、材料供給システムと
    を備える、請求項９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
11. 前記個々のシャワーヘッドが個々の蒸気源に対して１対１の関係で流体連結されている、請求項１０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
12. 前記材料供給システムが、個々に、対応する光ガイドの中にそれぞれ配設された複数のランプを備える蒸気源をさらに備え、前記方法が、前記ランプから放射エネルギーを方向付けて、前記蒸気源の中に配設された堆積材料を気化させることをさらに含む、請求項１０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
13. 前記供給ラインが、前記リッド板に形成された対応する開口を通って配設されており、
    前記リッド板の前記開口と前記供給ラインとが、それらの間の接触を防止するようにそれぞれ寸法設定されている、
    請求項１０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
14. 前記複数のシャワーヘッドの各々が、これに熱連通して配設された対応するヒータを使用して別個に加熱され、前記複数のシャワーヘッドの各々が、隣接して配設されたシャワーヘッドから約１ｍｍ以上の間隙で離隔されている、請求項１０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
15. 前記複数の材料供給システムのうちの１つまたは複数が、複数の別個に制御されるヒータを備え、前記複数の別個に制御されるヒータが、それぞれ前記供給ラインのうちの一部と熱連通して、前記材料供給システムの気相前駆体源と、これに流体連結した対応するシャワーヘッドとの間に、対応する、複数の別個に制御される加熱ゾーンを設ける、請求項１０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
16. 前記バイパスラインが前記供給ラインを真空源に流体連結する、請求項１０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
17. リッドアセンブリを備える処理システムの処理空間の中に基板を配置することと、
    複数の材料供給システムのそれぞれの材料供給システムを使用して、複数のシャワーヘッドのうちの１つまたは複数に気相有機材料を流すことと、
    前記基板を、前記１つまたは複数のシャワーヘッドを通って前記処理空間の中に分散された１つまたは複数の気相有機材料に暴露することと、
    前記１つまたは複数のシャワーヘッドからの前記１つまたは複数の気相有機材料の流れを止めることであって、
    供給ラインバルブを少なくとも部分的に閉じること、および
    バイパスバルブを開くこと
    を含む、前記１つまたは複数の気相有機材料の流れを止めることと
    を含む、基板を処理する方法。
18. 前記処理システムが、
    第１の表面および前記第１の表面の反対側の第２の表面を有するリッド板、および
    前記複数のシャワーヘッドを備えて前記第１の表面に結合されたシャワーヘッドアセンブリ
    を備える前記リッドアセンブリと、
    前記リッド板の前記第２の表面に配設された複数の材料供給システムとを備え、前記複数の材料供給システムが、個々に、前記複数のシャワーヘッドのうちの１つまたは複数に流体連結され、前記材料供給システムは、個々に、
    供給ライン、
    前記供給ラインに配設された前記供給ラインバルブ、
    前記供給ラインバルブと前記シャワーヘッドとの間のポイントにおいて前記供給ラインに流体連結されたバイパスライン、および
    前記バイパスラインに配設された前記バイパスバルブを備える、
    請求項１７に記載の方法。
19. 前記供給ラインが、前記リッド板に形成された対応する開口を通って配設されており、
    前記リッド板の前記開口と前記供給ラインとが、それらの間の接触を防止するようにそれぞれ寸法設定されている、
    請求項１８に記載の方法。
20. 前記材料供給システムが、個々に、蒸気源をさらに備え、前記蒸気源が、対応する光ガイドの中にそれぞれ配設された複数のランプを備え、前記方法が、前記ランプから放射エネルギーを方向付けて、前記蒸気源の中に配設された堆積材料を気化させることをさらに含む、請求項１８に記載の方法。

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