JP2022546477A - 光学回折構成要素 - Google Patents
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Abstract
光学回折構成要素（３９）は、周期的な格子構造プロファイルを有する。回折構造レベルの配置は、格子構造プロファイルによって回折される２つの異なるターゲット波長の周りの波長範囲が、互いに破壊的に干渉する３つの異なる位相を有する放射成分を有するようなものである。回折構造レベル（Ｎ0、Ｎ1、Ｎ2）は、周期進行方向ｘに沿って規則的に繰り返される回折格子構造プロファイルの格子周期（Ｐ）のトポグラフィを事前定義する。これらは、中立回折構造レベル（Ｎ0）と、中立回折構造レベルに対して高い正の回折構造レベル（Ｎ1）と、中立回折構造レベルに対して低い負の回折構造レベル（Ｎ2）とを含む。格子周期（Ｐ）内で、中立回折構造レベル（Ｎ0）は、格子周期（Ｐ）の広がりの５０％未満である周期進行方向（ｘ）に沿った広がりを有する。２つのターゲット波長間の差異は５０％未満である。その結果、特に迷光抑制のための用途の可能性を拡大した光学回折構成要素が得られる。【選択図】図７
Description
本特許出願は、ドイツ特許出願ＤＥ１０ ２０１９ ２１３ ０６３．１の優先権を主張するものであり、その内容は参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は、光学回折構成要素に関する。
さらに、本発明は、そのような光学回折構成要素を含む投影露光装置のＥＵＶコレクター（ＥＵＶ ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ：ＥＵＶ集光器）、そのようなＥＵＶコレクターを含む照明系、そのような照明系を含む光学系、そのような光学系を含む投影露光装置、およびそのような投影露光装置を用いて構造化構成要素を作成するための方法、ならびにこの方式で作成された構造化構成要素に関する。
光学格子（ｏｐｔｉｃａｌ ｇｒａｔｉｎｇ：光学回折格子）の形式の光学回折構成要素を含むＥＵＶコレクターは、ＷＯ２０１７／２０７４０１Ａ１およびＷＯ２０１４／１１４４０５Ａ２から知られている。ＥＵＶ投影露光装置においてＩＲ波長を抑制するための光学格子の実施形態は、出版物"Multilayer EUV optics with integrated IR-suppression gratings", T. Feigl et al., 2016 EUVL Workshop, Berkeley, June 13-16, 2016から知られている。ＥＰ１５４０４２３Ｂ１は、ＥＵＶリソグラフィシステムにおいて使用帯域外の放射を抑制するための格子（ｇｒａｔｉｎｇ：回折格子）ベースのスペクトルフィルタについて説明している。米国特許出願公開第２０１４／０１３１５８６号は、マスク検査システムのための位相格子について説明している。ＤＥ１０２００９０４４４６２Ａ１は、ＥＵＶ照明系内で赤外線放射を回折するための格子構造を含む光学フィルタ要素について説明している。技術論文"Multilevel blazed gratings in resonance domain: an alternative to the classical fabrication approach" by M. Oliva et al., OPTICS EXPRESS, Vol. 19, No. 15, 2011, pages 1473 to 1475、および技術論文"Highly efficient three-level blazed grating in the resonance domain" by M. Oliva et al., OPTICS LETTERS Vol. 35, No. 16, 2010, pages 2774 to 2776は、ブレーズド格子の様々な変形形態について説明している。技術論文"Diffractive elements designed to suppress unwanted zeroth order due to surface depth error" by V. Kettunen et al., Journal of Modern Optics 51, 14, 2111-2123, 2004は、プロファイル深度誤差による不要な０次回折を抑制するための回折要素を開示している。米国特許第９，５５１，９４１（Ｂ２）号は、ＥＵＶリソグラフィ装置のための照明系、および照明系のためのファセットミラーを開示している。ＷＯ９６／１３９４２Ａ１は、ディスプレイパネルのための照明系を開示している。米国特許第５，１６２，９４３号は、回折格子を備えた像読取装置を開示している。米国特許出願公開第２００９／０２８９２０５号は、ＥＵＶコレクターミラーの形式のＥＵＶ作成方法のためのミラーを開示している。ＤＥ１０２０１８２１８９８１Ａ１は、投影露光装置のＥＵＶコレクターのための光学格子を開示している。
使用光の波長とは異なる波長の迷光を抑制するために、光学格子を使用することができる。その場合、迷光は、光学格子によって光トラップ（ビームダンプ）に向かって回折され得る（回折させられ得る）一方で、使用光は別の経路をたどる。
本発明の目的は、導入部で述べたタイプの光学回折構成要素を、特に迷光抑制のための用途の可能性を拡大するように開発することである。
この目的は、請求項１で指定された特徴を有する光学回折構成要素を用いた本発明によって達成される。
本発明によれば、３レベル構造の場合、中立回折構造レベル（ｎｅｕｔｒａｌ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｌｅｖｅｌ：ニュートラル回折構造レベル）の広がりと格子周期の全広がりとの間の広がり比は、事前定義された抑制要件で異なるターゲット波長の抑制を実現するようにターゲットを絞った方式で使用され得る自由度を構成することが理解される。この場合、格子周期内の中立回折構造レベルが格子周期の広がりの厳密に５０％である回折構造レベルの配置と比較して、適合が比較的小さいと、驚くべきことに、比較的小さい程度に異なる波長によって、異なるターゲット波長を制御できる可能性が生まれる。
位相の異なる３つの放射成分の破壊的干渉の条件を満たすために、構造深度ｄ0は、平均ターゲット波長の４分の１の（λ／４）領域内とすることができ、正の回折構造レベルは、中立回折構造レベルに対して構造深度ｄ0だけ高く、またはそれぞれ負の回折構造レベルは、中立回折構造レベルに対して構造深度ｄ0だけ低い。回折構造レベルの広がりおよび構造深度は、２つのターゲット波長に応じて、両方の波長の場合に３つの異なる位相が抑制されるように選択され得る。格子周期内の中立回折構造レベルの広がりは、格子周期の広がりの４９．９５％未満である可能性があり、４９％未満である可能性があり、４５％未満である可能性があり、４０％未満である可能性があり、３５％未満である可能性があり、３０％未満である可能性があり、２５％未満である可能性があり、２０％未満である可能性があり、格子周期の広がりの１５％未満である可能性がある。格子周期内の中立回折構造レベルの広がりは、格子周期の広がりの５％を超える可能性がある。
比較的小さい程度に異なる２つのターゲット波長間の差異は５０％未満である。第１の大きい方のターゲット波長をλ１で指定し、第２の小さい方のターゲット波長をλ２で指定する場合、λ１－λ２は、０．５λ１未満になる。
比較的小さい程度に異なる２つのターゲット波長λ１とλ２との間の代替の差異基準は、
（λ１－λ２）2／（λ１＋λ２）2＜２０％
であり、この基準は、本発明による光学回折構成要素によって順守されるべきであり、上記の基準「２つのターゲット波長間の差異が５０％未満」に取って代わることができる。
（λ１－λ２）2／（λ１＋λ２）2＜２０％
であり、この基準は、本発明による光学回折構成要素によって順守されるべきであり、上記の基準「２つのターゲット波長間の差異が５０％未満」に取って代わることができる。
ここでは、次式、（λ１－λ２）2／（λ１＋λ２）2＜１５％、＜１２％、＜１０％、＜８％、＜５％、＜４％、＜３％、＜２％、またはそれ以外の場合は１％未満（＜１％）、を真とすることができる。
より大きい程度に異なる２つの波長を抑制するために具現化された光学回折構成要素の代替実施形態では、より大きい程度に異なる２つのターゲット波長間の差異が５０％より大きいことが真である。その場合、λ１－λ２が０．５λ１より大きいことが真である。
この差異は、６０％を超える可能性があり、７０％を超える可能性があり、８０％を超える可能性がある。
より大きい程度に異なる２つの波長の抑制に関するこの基準も、前述の基準「比較的小さい程度に異なる波長」と同様に、次のように表すことができる。
（λ１－λ２）2／（λ１＋λ２）2＞２０％
（λ１－λ２）2／（λ１＋λ２）2＞２０％
この差異（（λ１－λ２）2／（λ１＋λ２）2はさらに大きくなる可能性があり、３０％を超える可能性があり、５０％を超える可能性があり、８０％を超える可能性もある。
光学回折構成要素は、上記の基準「比較的小さい差異」または「より大きい差異」のいずれかを満たす２つの異なるターゲット波長を有する３つの異なるターゲット波長を抑制するように設計され得る。代替として、３つのターゲット波長のうちの２つが一方の基準「より大きい差異」を満たすように制御されること、および３つのターゲット波長の中の他の２つのターゲット波長が他方の基準「より大きい差異」を満たすように制御されることが可能である。
２つのターゲット波長または３つのターゲット波長のうちの２つは、たとえば、１０．２μｍと１０．６μｍ、および／または１０．６μｍと１．０４６μｍであり得る。
請求項２に記載の、格子周期内において一方の正の回折構造レベルの広がりと他方の負の回折構造レベルの広がりが同一であることは、両方のターゲット波長に対して良好な抑制結果をもたらす。
それに対応して、請求項３に記載の同一の絶対構造深度についても、同じことが当てはまる。
請求項４および５に記載の２つの異なるターゲット波長を有する放射は、光学回折構成要素によって共同して抑制され得る。差異は、５％を超える可能性があり、１０％を超える可能性があり、１５％を超える可能性があり、２０％を超える可能性があり、２５％を超える可能性があり、３０％を超える可能性があり、３５％を超える可能性があり、４０％を超える可能性があり、４５％を超える可能性がある。２つのターゲット波長間の差異は５０％未満であり、１０％未満である可能性もある。２つのターゲット波長は、たとえば、１μｍ～１０．１μｍの間の波長帯域内である可能性がある。
請求項６に記載の格子周期の広がりは、光学回折構成要素の作成を単純化する。
請求項７に記載の回折構造レベルの鏡面対称（ｍｉｒｒｏｒ－ｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌ：ミラー対称）配置も同様に、作成の簡素化につながる。
請求項８に記載のＥＵＶコレクターの利点は、光学回折構成要素に関してすでに上記で説明した利点に対応する。これらの利点は、特に、レーザ誘起放電によってプラズマが作成されるＥＵＶ光源と組み合わせて使用する場合に明らかである。
これは、特に、請求項９に記載のＥＵＶコレクターミラーに適用される。少なくとも１つのターゲット波長の放射は、迷光とも呼ばれる。
請求項１０に記載の照明系の利点は、本発明によるＥＵＶコレクターに関してすでに上記で説明した利点に対応する。ＥＵＶ使用光は、光学回折構成要素によって正確には抑制されず、すなわち、抑制すべき迷光とは異なる波長を有する。
照明系は、迷光除去位置の領域、たとえばこの目的のために設けられたビームダンプの領域に迷光の均一な分布をもたらすように、上記のように具現化された光学回折構成要素を用いて作製され得る。代替としてまたは追加として、特に、照明系の照明ビーム経路の特定の区間において、たとえば瞳平面の領域において、使用光の事前定義された分布関数を保証することが可能である。
請求項１１に記載の光学系、請求項１２に記載の投影露光装置、請求項１３に記載の作成方法、および請求項１４に記載のマイクロ構造化（ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ：微細構造化）またはナノ構造化（ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ）構成要素の利点は、本発明によるコレクターに関してすでに上記で説明した利点に対応する。
特に、半導体構成要素、たとえば、メモリチップ、またはデータを処理するためのチップは、投影露光装置を使用して作成され得る。
本発明の例示的な実施形態について、図面を参照して以下でより詳細に説明する。前記図面は以下の通りである。
マイクロリソグラフィのための投影露光装置１は、以下でさらに詳細に説明する、照明光または結像光３のための光源２を備える。光源２は、たとえば５ｎｍ～３０ｎｍの間、具体的には５ｎｍ～１５ｎｍの間の波長範囲の光を作成するＥＵＶ光源である。以下では、照明光または結像光３を、ＥＵＶ使用光とも呼ぶ。
具体的には、光源２は、波長１３．５ｎｍの光源または波長６．９ｎｍの光源であり得る。他のＥＵＶ波長も可能である。照明光３のビーム経路は、図３に非常に概略的に示されている。
照明光学ユニット６は、照明光３を光源２から物体平面５内の物体視野４に誘導するために使用される。前記照明光学ユニットは、図１に極めて概略的に示されている視野ファセットミラーＦＦと、同様に極めて概略的に示されている、照明光３のビーム経路の下流に置かれた瞳ファセットミラーＰＦとを備える。照明光学ユニットの瞳平面６ａ内に配置された瞳ファセットミラーＰＦと物体視野４との間の照明光３のビーム経路に、斜入射用の視野形成ミラー６ｂ（ＧＩミラー、斜入射ミラー）が配置されている。このようなＧＩミラー６ｂは必須ではない。
瞳ファセットミラーＰＦの瞳ファセット（これ以上詳細には図示せず）は、伝達光学ユニットの一部であり、伝達光学ユニットは、視野ファセットミラーＦＦの視野ファセット（同様に図示せず）を物体視野４に互いに重なり合うように伝達、具体的には結像する（ｉｍａｇｅ）。先行技術から知られている実施形態は、一方では視野ファセットミラーＦＦに使用され得、他方では瞳ファセットミラーＰＦに使用され得る。例として、そのような照明光学ユニットは、ＤＥ１０ ２００９ ０４５ ０９６Ａ１から知られている。
投影光学ユニットまたは結像光学ユニット７を使用して、物体視野４が、事前定義された縮小スケールで像平面９内の像視野８に結像される。この目的のために使用され得る投影光学ユニットは、たとえばＤＥ１０ ２０１２ ２０２ ６７５Ａ１から知られている。
投影露光装置１、および投影光学ユニット７の様々な実施形態の説明を容易にするために、図面にデカルトｘｙｚ座標系が示されており、図に示す構成要素のそれぞれの位置関係は、このデカルトｘｙｚ座標系から明らかである。図１において、ｘ方向は、図面の平面に垂直に後方に向かって進行する。ｙ方向は、図１の左に向かって進行し、ｚ方向は、図１の上方に進行する。物体平面５は、ｘｙ平面に平行に広がっている。
物体視野４および像視野８は長方形である。代替として、物体視野４および像視野８が屈曲または湾曲した実施形態を有すること、すなわち具体的には、部分的にリング形状であることも可能である。物体視野４および像視野８は、１より大きいｘ／ｙアスペクト比を有する。したがって、物体視野４は、ｘ方向に長い物体視野寸法を有し、ｙ方向に短い物体視野寸法を有する。これらの物体視野寸法は、視野座標ｘおよびｙに沿って延在する。
先行技術から知られている例示的な実施形態の１つを、投影光学ユニット７に使用することができる。この場合に結像されるものは、レチクルとも呼ばれる反射マスク１０の一部であり、物体視野４と一致する。レチクル１０は、レチクルホルダ１０ａによって保持される。レチクルホルダ１０ａは、レチクル変位ドライブ１０ｂによって変位される。
投影光学ユニット７による結像は、基板ホルダ１２によって保持された、ウェーハの形式の基板１１の表面上に実装される。基板ホルダ１２は、ウェーハまたは基板変位ドライブ１２ａによって変位される。
図１は、レチクル１０と投影光学ユニット７との間の、前記投影光学ユニットに入る照明光３のビーム１３、および投影光学ユニット７と基板１１との間の、投影光学ユニット７から出る照明光３のビーム１４を概略的に示す。投影光学ユニット７の像視野側の開口数（ＮＡ）は、図１の縮尺で再現されていない。
投影露光装置１は、スキャナタイプの装置である。投影露光装置１の動作中、レチクル１０と基板１１の両方がｙ方向に走査される。基板１１の個々の露光間にレチクル１０および基板１１のｙ方向への段階的変位が行われるステッパタイプの投影露光装置１も可能である。これらの変位は、変位ドライブ１０ｂおよび１２ａの適切な作動によって互いに同期して行われる。
図２は、光源２の詳細を示す。
光源２は、ＬＰＰ（ｌａｓｅｒ ｐｒｏｄｕｃｅｄ ｐｌａｓｍａ：レーザ生成プラズマ）光源である。プラズマを作成する目的で、スズ液滴生成器１６によって、スズ液滴１５が一連の連続液滴として生成される。スズ液滴１５の軌道は、ＥＵＶ使用光３の主光線方向１７に対して横方向に延在する。ここで、スズ液滴１５は、スズ液滴生成器１６とスズ捕捉デバイス１８との間を自由に落下し、前記液滴は、プラズマ源領域１９を通過する。ＥＵＶ使用光３は、プラズマ源領域１９によって放出される。スズ液滴１５がプラズマ源領域１９内に到達すると、スズ液滴１５はそこで、ポンプ光源２１からのポンプ光２０によって衝突される。ポンプ光源２１は、たとえばＣＯ2レーザの形式の赤外線レーザ光源であり得る。異なるＩＲレーザ源、具体的には固体レーザ、たとえばＮｄ：ＹＡＧレーザも可能である。ポンプ光源２１は、光プレパルスを作成するための光源ユニットと、主光パルスを作成するための光源ユニットとを備えることができる。一方の光プレパルスおよび他方の主光パルスは、異なる光波長を有することができる。
ポンプ光２０は、制御された方法で傾斜可能なミラーであり得るミラー２２を経由し、集束レンズ要素２３を経由して、プラズマ源領域１９に伝達される。ＥＵＶ使用光３を放出するプラズマは、プラズマ源領域１９内に到達するスズ液滴１５からのポンプ光衝突によって作成される。図２では、プラズマ源領域１９と視野ファセットミラーＦＦとの間のＥＵＶ使用光３のビーム経路を、ＥＵＶ使用光がコレクターミラー２４によって反射される範囲で示しており、コレクターミラー２４は以下ではＥＵＶコレクター２４とも呼ばれる。ＥＵＶコレクター２４は、集束レンズ要素２３を経由してプラズマ源領域１９に向けて集束されるポンプ光２０のための中央通過開口２５を備える。コレクター２４は、楕円体ミラーとして具現化され、コレクター２４の一方の楕円体焦点に配置される、プラズマ源領域１９によって放出されたＥＵＶ使用光３を、コレクター２４の他方の楕円体焦点に配置されるＥＵＶ使用光３の中間焦点２６に伝達する。
視野ファセットミラーＦＦは、ＥＵＶ使用光３の遠視野の領域内の、ＥＵＶ使用光３のビーム経路における中間焦点２６の下流に置かれる。
ＥＵＶコレクター２４、ならびにスズ液滴生成器１６、スズ捕捉デバイス１８、および集束レンズ要素２３であり得る、光源２のさらなる構成要素は、真空ハウジング２７内に配置される。真空ハウジング２７は、中間焦点２６の領域内に通過開口２８を有する。真空ハウジング２７は、真空ハウジング２７へのポンプ光２０の入口の領域に、光プレパルスおよび主光パルスのためのポンプ光入口窓２９を備える。
図３は、光源２のプラズマ源領域１９と、中間焦点２６が配置されている中間焦点平面２６ａとの間の、具体的には、長波長の放射、たとえば光プレパルスおよび／または主光パルスの波長を有するＩＲ放射の、第１にＥＵＶ使用光すなわち照明光３の誘導を、第２に迷光３０の誘導を、極めて抽象的に示す。同時に図３は、プラズマ源領域１９へのポンプ光２０の横方向誘導、すなわち、ＥＵＶコレクター２４内に通過開口２５のタイプの通過開口を必要としない誘導の変形形態を示す。使用光３と迷光３０はどちらも、プラズマ源領域１９から発せられる。使用光３と迷光３０はどちらも、ＥＵＶコレクター２４の衝突面３３全体の表面区画３１、３２に入射する。表面区画３１、３２は、ＥＵＶコレクター２４の、同様に図において３３によって示された格子表面の区画であり、迷光放射３０を回折的にダンプするための光学格子は、前記格子表面上に配置される。光学格子の実施形態を以下に説明する。格子表面は、迷光３０が衝突する表面区画３１、３２の位置に排他的に配置され得るか、または代替として、衝突表面３３のより大きい区画をカバーすることもでき、さらなる変形形態では、衝突表面３３全体をカバーすることもできる。
図４は、２つの異なるターゲット波長、すなわち、一方の光源２からの光プレパルスの波と他方の光源２からの主光パルスの波長とを抑制するための光学回折構成要素３４の実施形態を示す。光学回折構成要素３４は、周期進行方向ｘに沿った格子周期Ｐを有する光学格子として具現化されている。図４は、周期進行方向ｘに対してプロットされた光学格子３４の構造高さｄを示す。構造深度ｄは、周期進行方向ｘと比較して大幅に拡大されたスケーリングで示されている。構造深度ｄの典型的な桁数は、数マイクロメートルである。周期Ｐの典型的な桁数は、ミリメートルの範囲、たとえば、０．５～１０ｍｍの範囲、たとえば、１ｍｍ～４ｍｍの範囲にある。
いくつかの事例において、構造深度値ｄは、計算された精度で以下のように示され、マイクロメートルで示される場合の構造深度は、通常、小数点以下２桁に丸めるだけで十分である。
光学回折構成要素３４の格子構造プロファイルは、図４においてＮ0、Ｎ1、およびＮ2によって示されている厳密に３つの回折構造レベルを伴う回折構造を有する。回折構造レベルＮ0～Ｎ2は、参照平面（ｄ＝０）に対して異なる構造深度ｄNiを事前定義する。回折構造レベルＮ1は、構造深度（構造の高さ）ｄN1＝ｄ0が２．５９９０４μｍ（または２．６０μｍ）である正の回折構造レベルである。回折構造レベルＮ0は、構造深度ｄN0が０である中立回折構造レベルとして具現化される。したがって、回折構造レベルＮ0は、参照平面のレベルにある。回折構造レベルＮ2は、負の回折構造レベルとして具現化され、中立回折構造レベルＮ0に対して、絶対値で２．５９９０４μｍの構造深度ｄN2＝－ｄ0だけ低い。したがって、負の回折構造レベルＮ2の構造深度については、ｄN2＝－２．５９９０４μｍが成り立つ。
光学格子３４の回折構造は、格子構造プロファイルによって回折される（回折させられる）λ１、たとえば光プレパルスと、λ２、たとえば主光パルスとの２つのターゲット波長の周りの波長範囲が、互いに破壊的に干渉する３つの異なる位相を伴う放射成分を有するように、配置される。
回折構造レベルＮ0～Ｎ2は、周期進行方向ｘに沿って規則的に繰り返される格子構造プロファイルの格子周期のトポグラフィ（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ：地形）を事前定義する。
図４による図示の実施形態は、格子周期内の異なる回折構造レベルＮiの以下の順序（ｓｅｑｕｅｎｃｅ：順序、連続するもの）、すなわちＮ0、Ｎ1、Ｎ0、Ｎ2を示す。この順序のサイクル的な入替えまたはミラーリングも可能である。
格子周期Ｐ内において、中立回折構造レベルＮ0は、全格子周期Ｐの広がりの５０％未満となる、周期進行方向ｘに沿った全広がりａ0を有する。したがって、正の回折構造レベルＮ1の広がりａ1と、負の回折構造レベルＮ2の広がりａ2との合計は、中立回折構造レベルＮ0の全広がりよりも大きい。
図４では、光学格子３４は、異なる回折構造レベルＮi間の理想的な急勾配の側壁によって示されている。
格子周期Ｐ内の異なる回折構造レベルＮiのそれぞれの広がりａ0、ａ1、ａ2を維持する回折構造レベルＮiの変位も可能である。これに関して、たとえば、図４に示す対称的な配置とは異なり、正の回折構造レベルＮ1を、周期進行方向ｘに沿って等しく遠方まで延在する２つの中立回折構造レベルＮ0間に非対称に配置することができ、その結果、周期進行方向ｘにおける正の回折構造レベルＮ1の上流および下流の中立回折構造レベルは、周期進行方向に沿って相互に異なる広がりを有する。格子周期Ｐ内で互いに分離された２つの中立回折構造レベルＮ0の代わりに、厳密に１つの中立回折構造レベルＮ0を提供することも可能であり、その場合、周期進行方向ｘに沿った前記厳密に１つの中立回折構造レベルの広がりａ0は、格子周期Ｐのｘ－広がり（ｘ－ｅｘｔｅｎｔ）の５０％未満である。
光学回折構成要素３４の基本的な特性を以下表に示す。
この場合、ａ０は、格子周期Ｐにおける中立回折構造レベルＮ0の全広がりと格子周期Ｐの広がりとの間の比率を表す。
ａ１（＝ａ２）は、格子周期Ｐの全広がりに対する、格子周期Ｐ内の正の回折構造レベルＮ1の広がりおよび負の回折構造レベルＮ2の広がりの比率比を表す。周期進行方向ｘに沿った、一方の正の回折構造レベルＮ１の広がりａ１と、他方の負の回折構造レベルＮ２の広がりａ２は、厳密に等しい。
ｄ0は、一方の正の回折構造レベルＮ1の絶対構造深度、および他方の負の回折構造レベルＮ2の絶対構造深度を表す。
λ１、λ２は、抑制すべき２つのターゲット波長を表す。
回折構造レベルＮ0、Ｎ1、Ｎ2の広がりａ0、ａ1、およびａ2、ならびに構造深度ｄ0は、ターゲット波長λ１とλ２の両方について、回折構造レベルＮiを原因として格子構造プロファイルでの反射時に生成される異なる位相を伴う３つの放射成分を追加したときにいずれの場合も破壊的な干渉が発生するように選択される。放射成分の実部および虚部を示す矢印図では、波長が２つのターゲット波長のいずれかに対応する場合、３つの寄与は合計でゼロになる。
パラメータｄ0、ａ0、ａ1、およびａ2は、ターゲット波長λ１とλ２の両方について次式が満たされるように設計される。
この式は、格子への放射の法線入射の事例に適用される。非法線入射のパラメータの適応は、当業者には明らかである。この適応は、構成要素によって異なる可能性がある。
図５は、波長範囲１０．０～１１．０μｍにおける様々な格子の変形形態の波長依存反射率Ｒをダイアグラムで示す。光学回折構成要素３４の反射率（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ：反射性）３５は一点鎖線で示されている。２つのターゲット波長λ１およびλ２に対して、１０桁を超える抑制（１０-11）が発生する。
比較のために、図５はまた、本発明によるものではないさらなる光学回折構成要素の反射率、具体的には、バイナリ格子、すなわち格子周期内に同一の広がりの厳密に２つの回折構造レベルを伴う格子の反射率（反射率３６）と、中立回折構造レベルが格子周期全体の広がりの厳密に５０％であり、構造深度２．６５μｍである３つの回折構造レベルを伴う光学回折構成要素の反射率３７と、この場合も中立回折構造レベルが格子周期全体の広がりの厳密に５０％であり、構造深度ｄ＝２．６０μｍである３つの回折構造レベルを伴う対応する光学回折構成要素の反射率３８とを示す。
反射率３６は、ターゲット波長λ２で狭帯域の抑制を示す。反射率３７および３８は、第１にターゲット波長λ２（反射率３７）、第２に１０．４μｍ（反射率３８）でのより広帯域の抑制を示す。
図６～図９は、光学回折構成要素のさらなる実施形態を示す。
この場合、図６および図７は、３つの回折構造レベルＮ0、Ｎ1、Ｎ2の広がり分布の第１の設計の２つの実施形態を示し、中立回折構造レベルは、格子周期Ｐの全広がりと比較して、比較的小さい全広がりを有する。
この場合、図６は、３つの回折構造レベルＮiの非対称設計を有する光学回折構成要素３９を示し、周期進行方向ｘにおいて、中立回折構造レベルＮ0の後に、最初に正の回折構造レベルＮ1、次に負の回折構造レベルＮ2が続く。
したがって、図６による設計の場合、格子周期Ｐ内には、厳密に１つの中立回折構造レベルＮ0が存在する。
図７による光学回折構成要素４０の場合、格子周期Ｐにおいて、回折構造レベルＮiは互いにＮ0、Ｎ1、Ｎ0、Ｎ2のように続く。したがって、順序に関して、これは、図４による光学回折構成要素３４の実施形態に対応する。
図７による設計の場合、正の回折構造レベルＮ1は、この場合も、等しい長さの広がりを有する２つの中立回折構造レベルＮ0間に対称的に位置する。
図８および図９による光学回折構成要素４１、４２は、図４による光学回折構成要素３４と、パラメータの詳細のみが異なる。
光学回折構成要素３９から４１の基本的なパラメータを、光学回折構成要素３４に関する上記の表に対応する方法で以下表に示す。
図６～図９による光学格子３９～４２は、２つの大きく異なるターゲット波長λ１、λ２、すなわち、１０．６μｍの領域内の第１のターゲット波長λ１および１．０４６μｍの領域内の第２のターゲット波長λ２を抑制するように設計されている。
図１０および図１１では、厳密に１つのターゲット波長、すなわち１０．６μｍでの波長λ１を抑制するように設計された３つの回折構造レベルを伴う光学回折構成要素３９～４２の抑制性能が、この場合も、本発明によるものではない光学格子と比較して示されている。
図１０は、波長範囲１０μｍ～１１μｍでの反射率Ｒを示し、図１１は、波長範囲１．０μｍ～１．１μｍでの反射率を示す。
図６および図７による光学回折構成要素３９、４０につながる２つの設計は、図１０および図１１の反射率４３として示される、同じ抑制効果を生み出す。１０-7よりも良好な抑制は、ターゲット波長λ１（図１０）とターゲット波長λ２（図１１）との両方で発生する。
光学回折構成要素４１の反射率４４は、２つのターゲット波長において同様に良好な抑制効果を有し、光学回折構成要素４１のこの設計の場合、１．０７μｍ（サイド最小値（ｓｉｄｅ ｍｉｎｉｍｕｍ）４５）の領域内で追加の抑制が起こる。
光学回折構成要素４２もまた、２つのターゲット波長λ１、λ２の領域において、光学回折構成要素３９、４０の反射率（反射率４６）に匹敵する抑制を有し、抑制のさらなるサイド最小値４７が、約１．０２μｍの波長で追加で存在する。
光学回折構成要素４１、４２の場合、ターゲット波長λ１、λ２の領域での抑制は、光学回折構成要素３９、４０と比較して幾分広い帯域幅を有する。
上記で説明した光学格子の構造化は、たとえばＥＵＶコレクター２４によって反射される赤外波長を有する迷光放射がゼロ次で破壊的に干渉し、したがって、迷光強度がゼロ次で抑制されるという効果を有する可能性がある。この場合、上記の光学回折構成要素は、一般的に反射構成要素として使用される。
ＥＵＶコレクター２４の本体は、アルミニウムから製造され得る。この本体の代替材料は、銅、構成銅および／もしくはアルミニウム（ｃｏｎｓｔｉｔｕｅｎｔ ｃｏｐｐｅｒ ａｎｄ／ｏｒ ａｌｕｍｉｎｕｍ：銅および／もしくはアルミニウムの成分）を含む合金、または粉末冶金によって作成された、銅および酸化アルミニウムもしくはシリコンの合金である。
マイクロ構造化またはナノ構造化構成要素を作成するために、投影露光装置１は、以下のように使用される。最初に、反射マスク１０またはレチクル、および基板またはウェーハ１１が提供される。続いて、投影露光装置１を用いて、レチクル１０上の構造が、ウェーハ１１の感光層上に投影される。次いで、感光層を現像することによって、ウェーハ１１上にマイクロ構造またはナノ構造、したがってマイクロ構造化構成要素が作成される。
Claims (14)
- － 参照平面（ｄ＝０）に対して異なる構造深度（ｄ）を事前定義する厳密に３つの回折構造レベル（Ｎ0、Ｎ1、Ｎ2）を有する回折構造を備えた周期的な格子構造プロファイルを有する、光学回折構成要素（３４、３９、４０、４１、４２）であって、
－ 前記回折構造の配置が、前記格子構造プロファイルによって回折される２つの異なるターゲット波長（λ１、λ２）の周りの波長範囲が、互いに破壊的に干渉する３つの異なる位相を有する放射成分を有するようなものであり、
－ 前記回折構造レベル（Ｎ0、Ｎ1、Ｎ2）が、周期進行方向（ｘ）に沿って規則的に繰り返される前記格子構造プロファイルの格子周期（Ｐ）のトポグラフィを事前定義し、
－ 前記３つの回折構造レベル（Ｎ0、Ｎ1、Ｎ2）が、
－－ 構造深度０に対応する中立回折構造レベル（Ｎ0）と、
－－ 前記中立回折構造レベル（Ｎ0）に対して高い正の回折構造レベル（Ｎ1）と、
－－ 前記中立回折構造レベル（Ｎ0）に対して低い負の回折構造レベル（Ｎ2）と
を含み、
－ 前記格子周期（Ｐ）内で、前記中立回折構造レベル（Ｎ0）が、前記格子周期（Ｐ）の広がりの５０％未満である周期進行方向（ｘ）に沿った広がり（ａ0）を有し、
－ 前記２つのターゲット波長間の差異が５０％未満である、光学回折構成要素（３４、３９、４０、４１、４２）。 - 前記正の回折構造レベル（Ｎ1）および前記負の回折構造レベル（Ｎ2）が、前記周期進行方向（ｘ）に沿って同じ広がりを有する（ａ１＝ａ２）ことを特徴とする、請求項１に記載の光学回折構成要素。
- 前記正の回折構造レベル（Ｎ1）および前記負の回折構造レベル（Ｎ2）が、前記参照平面（ｄ＝０）に対して同じ絶対構造深度（ｄ0）を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の光学回折構成要素。
- 前記２つのターゲット波長（λ１、λ２）が少なくとも１％だけ異なることを特徴とする、請求項１～３のいずれか１項に記載の光学回折構成要素。
- 前記２つのターゲット波長が少なくとも１０％だけ異なることを特徴とする、請求項１～４のいずれか１項に記載の光学回折構成要素。
- 前記格子周期（Ｐ）が前記周期進行方向（ｘ）に沿って０．５ｍｍ～５ｍｍの範囲の広がりを有することを特徴とする、請求項１～５のいずれか１項に記載の光学回折構成要素。
- 前記回折構造レベル（Ｎ0、Ｎ1、Ｎ2）の鏡面対称配置が得られるような、前記周期進行方向（ｘ）における前記回折構造レベル（Ｎ0、Ｎ1、Ｎ2）の順序を特徴とする、請求項１～６のいずれか１項に記載の光学回折構成要素。
- 請求項１～７のいずれか１項に記載の光学回折構成要素（３４、３９、４０、４１、４２）を備えるＥＵＶ投影露光装置において使用するためのＥＵＶコレクター（２４）。
- コレクターミラーが、前記コレクターミラーがＥＵＶ放射（３）を焦点領域（２６）に向けて誘導するような方法で具現化され、前記光学回折構成要素が、前記光学回折構成要素が少なくとも１つのターゲット波長の放射（３０）を前記焦点領域（２６）から遠ざけるように誘導するような方法で具現化されることを特徴とする、請求項８に記載のＥＵＶコレクターミラー。
- 請求項８または９に記載のＥＵＶコレクター（２４）を含み、結像されるべき物体（１０）が配置可能である物体視野（４）を、照明光（３）としてのＥＵＶ使用光を用いて照明するための照明光学ユニット（６）を含む、照明系。
- 請求項１０に記載の照明系を含み、結像されるべき前記物体（１０）の一部が基板（１１）上に結像される前記基板（１１）が配置可能である像視野（８）に、前記物体視野（４）を結像するための投影光学ユニット（７）を含む、光学系。
- 請求項１１に記載の光学系を含み、ＥＵＶ光源（２）を含む、投影露光装置（１）。
- 次の方法ステップ、すなわち、
－ レチクル（１０）およびウェーハ（１１）を提供するステップと、
－ 請求項１２に記載の前記投影露光装置を用いて、前記レチクル（１０）上の構造を、
前記ウェーハ（１１）の感光層上に投影するステップと、
－ 前記ウェーハ（１１）上にマイクロ構造および／またはナノ構造を作成するステップと
を含む、構造化構成要素を作成するための方法。 - 請求項１３に記載の方法に従って作成される、構造化構成要素。
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Family Cites Families (20)
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| AU2003251669A1 (en) | 2002-08-26 | 2004-03-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Grating based spectral filter for eliminating out of band radiation in an extreme ultra-violet lithography system |
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| US10678140B2 (en) * | 2015-08-25 | 2020-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Suppression filter, radiation collector and radiation source for a lithographic apparatus; method of determining a separation distance between at least two reflective surface levels of a suppression filter |
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