JP2022536014A - 基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び研磨装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の主表面を研磨する際、研磨液を供給する貫通孔の開口が障害とならず、基板を精度よく研磨をする。【解決手段】基板の研磨処理を含む基板の製造方法は、基板を、研磨パッドを備えた上定盤と下定盤とにより挟んで前記上定盤と前記下定盤を回転させながら前記研磨パッドで前記基板の主表面を研磨するステップと、前記主表面を研磨する際、前記上定盤の回転中心軸が通る前記上定盤の中心孔の内周面に研磨液を供給して前記研磨液を前記内周面に沿って下降させ、前記上定盤と前記下定盤の隙間から前記研磨液を前記基板と前記研磨パッドとの間に供給するステップと、を有する。前記内周面には、前記研磨液の下降速度を抑制する下降速度抑制手段が設けられている。【選択図】図３

Description

本発明は、基板の研磨処理を含む基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法、及び基板を研磨する研磨装置に関する。

今日、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）記録装置等には、データ記録のためにハードディスク装置(ＨＤＤ：Hard Disk Drive)が内蔵されている。
ハードディスク装置では、基板に磁性層が設けられた磁気ディスクが用いられ、磁気ディスクの面上を僅かに浮上させた磁気ヘッドで磁性層に磁気記録情報が記録され、あるいは読み取られる。ハードディスク装置では、記憶容量を増大させるために、磁気記録密度の増大が図られており、この磁気記録密度の増大を可能にするために、磁気ディスクの基板として用いる基板の主表面の表面凹凸は可能な限り小さくなっている。したがって、磁気ディスクに用いる基板の製造では、精度の高い研磨が行われる。

研磨装置では、例えば、基板を、研磨パッドを備えた上定盤と下定盤とにより挟んで上定盤と下定盤を回転させながら研磨パッドで基板の主表面を研磨する。その際、研磨液が研磨パッドと基板の主表面の間に供給される。研磨液には、コロイダルシリカ等の粒径の細かい研磨砥粒を含む。研磨液は、例えば、上定盤を貫通するように空けられた複数の貫通孔を通して研磨液のタンクから基板の主表面上に供給される。上定盤と下定盤とにより挟まれた基板は、上定盤と下定盤との間で、自転しながら上定盤の回転中心軸の周りに公転運動するように移動するため、上定盤に設けられた研磨液を供給する貫通孔は、基板の移動する領域に分散して複数設けられている（例えば、特許文献１の図２参照）。

特許第６３７１３１０号公報

ところで、近年、クラウド向けのデータセンターにおける記憶容量の大容量化のために、各ＨＤＤ装置において従来に比べてよりいっそう、記憶容量の大容量化が望まれている。
今日の磁気ディスクでは、磁気ヘッドの磁気ディスクに対する浮上距離を極小化して、多くの磁気ディスクがＨＤＤ装置に搭載されるが、上記ＨＤＤ装置の記憶容量の大容量化には十分対応できていない。このため、ＨＤＤ装置に搭載される磁気ディスクの枚数を増加することが考えられる。磁気ディスクの枚数を増やすためには、磁気ディスクの中で最も厚い基板の厚さを薄くすることが効果的である。この場合、基板を薄くするので、上定盤と下定盤とにより挟んで基板を研磨する際に用いる基板を保持するキャリアも、基板の厚さに合わせて薄くする必要がある。しかし、キャリアの厚さを薄くすると、キャリアの剛性が低下して、曲げ変形により、キャリアの端が上定盤の研磨液を供給する貫通孔の開口に引っ掛かり、開口周りに設けられた研磨パッドを損傷することが生じる場合がある。この結果、基板に研磨キズや研磨ムラなどが発生して精度の高い研磨ができない。すなわち、研磨中、研磨液を供給する貫通孔の開口が障害となって、キャリアによって保持された基板を精度よく研磨することができない。

そこで、本発明は、基板の主表面を研磨する際、研磨液を供給する貫通孔の開口が障害とならず、基板を精度よく研磨をすることができる基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び研磨装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様は、基板の研磨処理を含む基板の製造方法である。当該製造方法は、
基板を、研磨パッドを備えた上定盤と下定盤とにより挟んで前記上定盤と前記下定盤を回転させながら前記研磨パッドで前記基板の主表面を研磨するステップと、
前記主表面を研磨する際、前記上定盤の回転中心軸が通る前記上定盤の中心孔の内周面に研磨液を供給して前記研磨液を前記内周面に沿って下降させ、前記上定盤と前記下定盤の隙間から前記研磨液を前記基板と前記研磨パッドとの間に供給するステップと、を有する研磨処理を含む。
前記内周面には、前記研磨液の下降速度を抑制する下降速度抑制手段が設けられている。

前記下定盤と対向する前記上定盤の下側対向面には、前記中心孔の開口以外に前記研磨液を供給するための開口が設けられていない、ことが好ましい。

前記中心孔には、前記下定盤と対向する前記上定盤の下側対向面に近づくに連れて孔断面積が大きくなるように、前記内周面が前記下側対向面に対して角度０度以上９０度未満で傾斜した傾斜部が、前記開口の周に沿って設けられている、ことが好ましい。

前記内周面は、前記下降速度抑制手段として、凹凸部を備える、ことが好ましい。

前記凹凸部は、前記内周面上を溝状に延びる凹部を備える、ことが好ましい。

前記基板は、板状のキャリアに設けられた内孔内に保持され、
前記キャリアは、前記主表面の研磨中、前記基板を保持した状態で、前記上定盤と前記下定盤に挟まれ、前記キャリアの外周部分が、前記上定盤の前記中心孔の開口の縁の位置よりも前記回転中心軸の側を通って前記開口から流れる前記研磨液を受けるように、前記上定盤に対して配置され、
前記キャリアは、前記キャリアの外周を形成する外枠部と、前記外枠部に囲まれた平板部とを備え、
前記外枠部及び前記平板部の周上の一部は、前記開口の縁の位置よりも前記回転中心軸の側に位置し、
前記外枠部は、前記平板部に対して隆起している、ことが好ましい。

前記基板の研磨を開始する前に、前記上定盤と前記下定盤の前記隙間の少なくとも一部に前記研磨液を含ませた状態で、前記基板の研磨を開始する、ことも好ましい。

前記基板の研磨を開始する前に、前記下定盤上に配置された前記キャリア、及び前記キャリアに保持された前記基板が接する前記下定盤の領域に、前記研磨液を供給すること、例えば、散布することが好ましい。

前記基板は、磁気ディスク用基板の素となるディスク形状の板である、ことが好ましい。

本発明の他の一態様は、前記基板の製造方法における前記研磨処理を行うステップと、前記研磨処理後の前記基板の表面に磁性膜を形成するステップと、を含む磁気ディスクの製造方法である。
例えば、当該製造方法は、
基板を、研磨パッドを備えた上定盤と下定盤とにより挟んで前記上定盤と前記下定盤を回転させながら前記研磨パッドで前記基板の主表面を研磨するステップと、
前記主表面を研磨する際、前記上定盤の回転中心軸が通る前記上定盤の中心孔の内周面に研磨液を供給して、前記研磨液を前記内周面に下降させつつ、前記内周面に設けられた下降速度抑制手段で前記研磨液の下降速度を抑制して、前記上定盤と前記下定盤の隙間から前記研磨液を前記基板と前記研磨パッドとの間に供給するステップと、
研磨された前記基板の表面に磁性膜を形成することにより磁気ディスクを製造するステップと、を有する。

本発明の他の一態様は、基板を研磨する研磨装置である。当該研磨装置は、
研磨パッドを備え、基板の主表面を両側から挟むように構成された上定盤及び下定盤と、
前記上定盤と前記下定盤により挟まれる前記基板に対して、前記上定盤と前記下定盤を前記主表面の研磨のために回転させるように構成された回転機構と、
前記主表面を研磨する際、前記上定盤の回転中心軸が通る前記上定盤の中心孔の内周面に研磨液を供給するように構成された研磨液供給機構と、
前記内周面に設けられ、前記内周面に沿って下降する前記研磨液の下降速度を抑制するように構成された下降速度抑制手段と、を備え、
前記中心孔は、前記下降速度抑制手段により前記下降速度が抑制された前記研磨液を、前記上定盤と前記下定盤の隙間から前記研磨液を前記基板と前記研磨パッドとの間に供給するように構成されている。

前記下定盤と対向する前記上定盤の下側対向面には、前記中心孔の開口以外に前記研磨液を供給するための開口が設けられていない、ことが好ましい

前記中心孔には、前記下定盤と対向する前記上定盤の下側対向面に近づくに連れて孔断面積が大きくなるように、前記内周面が前記下側対向面に対して０度以上９０度未満で傾斜した傾斜部が、前記開口の周に沿って設けられている、ことが好ましい。

前記内周面の少なくとも一部は、前記下降速度抑制手段として、凹凸部を備える、ことが好ましい。

前記凹凸部は、前記内周面上を溝状に延びる凹部を備える、ことが好ましい。

上述の基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び研磨装置によれば、基板の主表面を研磨する際、研磨液を供給する貫通孔の開口が障害とならず、基板を精度よく研磨をすることができる。

一実施形態の研磨装置の分解斜視図である。 図１に示す研磨装置の断面図である。 （ａ），（ｂ）は、一実施形態の基板の製造方法で用いる下降速度制御部を示す図である。 一実施形態の基板の製造方法で用いるキャリアの構成と、キャリアと上定盤の配置を説明する図である。

以下、本発明の基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び研磨装置について詳細に説明する。

上述したように、基板を、研磨パッドを備えた上定盤と下定盤とにより挟んで上定盤と下定盤を回転させながら研磨パッドで基板の主表面を研磨する際、研磨液を供給する貫通孔の開口が、基板を保持するキャリアの動きの障害となって、開口周りの研磨パッドを損傷させて精度の高い研磨がし難くなることから、本実施形態では、研磨液を供給する貫通孔の開口を、従来と異なる場所に配置する。具体的には、上定盤の回転中心軸が通る上定盤の中心孔の内周面に研磨液を供給して研磨液を内周面の表面を伝わらせつつ下降させ、下定盤に対向した上定盤の下側対向面の側にある中心孔の開口から研磨液を上定盤と下定盤の隙間に流入させ、この隙間から研磨液を基板と研磨パッドとの間に供給する。すなわち、研磨液は中心孔の内周面の表面を伝わらせつつ下降させて、上定盤と下定盤の隙間に研磨液を供給する。しかし、内周面を下降した研磨液が中心孔の開口において、上定盤の下側対向面に沿うように流れの向きを変えにくく、研磨液の多くが下定盤の上側対向面の側に流下して、上定盤の下側対向面を流れる研磨液は少ない、といった不都合が生じ易い。この原因として、内周面を下降する研磨液の下降速度が速いため、研磨液が上定盤の下側対向面に沿って流れの向きを変えず、研磨液の大部分が下定盤の上側対向面の側に流下し易いことが判明した。このため、本実施形態では、中心孔の内周面に、研磨液の下降速度を抑制する下降速度抑制手段が設けられる。下降速度抑制手段が設けられるとは、例えば、中心孔の内周面に凹部及び／又は凸部などを含む凹凸部、あるいは傾斜部を設けることを含み、さらに、内周面を流れる研磨液の内周面との接触時間を長くして下降速度を抑制するために、研磨液を内周面に供給する配管の出口の向きを、水平方向（内周面の周方向）、水平方向と直交する上方向、あるいは、水平方向あるいは上方向に対して傾斜した方向に向けることも含む。これにより、下定盤の上側対向面に、さらには、上定盤の下側対向面に、研磨液の適正量を供給することができる。しかも、研磨液を供給するための孔の開口が、上定盤の下側対向面の、基板と接する領域に設けられないので、開口の縁周辺にある研磨パッドをキャリアが損傷させることはない。このため、基板を精度よく研磨することができる。以下の説明では、研磨対象の基板をガラス板Ｇとするが、基板は、ガラス製に限らず、アルミニウム合金等の金属製基板や、シリコン製基板であってもよい。

図１は、研磨装置（両面研磨装置）の分解斜視図である。図２は、研磨装置の断面図である。図１に示す研磨装置１は、上下一対の定盤、すなわち上定盤４０および下定盤６０を有している。上定盤４０および下定盤６０の間に円環状のガラス板Ｇが狭持され、上定盤４０および下定盤６０を回転操作することにより、ガラス板Ｇと各定盤とを相対的に移動させることで、このガラス板Ｇの両主表面を研磨することができる。なお、ガラス板Ｇと定盤に設けられた研磨パッドとの間に、研磨砥粒を含んだ研磨液が供給される。
上定盤４０には、上定盤４０の回転中心軸が通る中心孔４２が設けられている。さらに、上定盤４０及び下定盤６０には、上定盤４０と下定盤６０を主表面の研磨のために回転させるように構成された回転機構として、上定盤４０を回転させる回転シャフト４４及び下定盤６０を回転させる回転シャフト６４が接続され、回転シャフト４４，６４に、駆動モータ５０が接続されている。以降、上定盤４０及び下定盤６０を総称して説明するとき、単に定盤という。

図１及び図２を参照して研磨装置１の構成をさらに具体的に説明する。図２では、回転シャフト４４の図示は省略されている。
研磨装置１において、下定盤６０の上側対向面および上定盤４０の下側対向面には、研磨パッド１０が貼り付けられている。図１では、研磨パッド１０はシート状に記されている。研磨パッド１０には、例えば、発泡ウレタン樹脂等を用いることができる。
キャリア３０は、円板状のガラス板Ｇを上定盤４０と下定盤６０で挟んでガラス板Ｇの主表面を研磨処理する際に、ガラス板Ｇを保持するための保持穴を有する。具体的には、キャリア３０は、外周部に設けられて太陽歯車６１及び内歯車６２に噛合する歯部３１と、ガラス板Ｇを収容し保持するための１または複数の保持穴（内孔）３２とを有する。太陽歯車６１、外縁に設けられた内歯車６２および円板状のキャリア３０は全体として、中心軸ＣＴＲを中心とする遊星歯車機構を構成する。円板状のキャリア３０は、内周側で太陽歯車６１に噛合し、かつ外周側で内歯車６２に噛合するとともに、ガラス板Ｇを１または複数を収容し保持する。下定盤６０上では、キャリア３０が遊星歯車として自転しながら公転し、ガラス板Ｇと下定盤６０とが相対的に移動させられる。例えば、太陽歯車６１が反時計回りの方向に回転すれば、キャリア３０は時計回りの方向に回転し、内歯車６２は反時計回りの方向に回転する。その結果、下定盤６０に設けられた研磨パッド１０とガラス板Ｇの間に相対運動が生じる。同様にして、ガラス板Ｇと上定盤４０とを相対的に移動させてもよい。

上記相対運動の動作中には、上定盤４０がキャリア３０に保持されたガラス板Ｇに対して（つまり、鉛直方向に）所定の圧力で押圧し、これによりガラス板Ｇに対して研磨パッド１０が押圧される。
ガラス板Ｇの主表面を研磨する際、上定盤４０の回転中心軸ＣＴＲが通る上定盤４０の中心孔４２の内周面４２ａに研磨液を供給するように構成された研磨液供給機構が設けられている。研磨装置１は、研磨液供給機構として、研磨液を貯留する供給タンク７１、供給タンク７１から、研磨液を上定盤４０の中心孔４２の内周面４２ａに供給するポンプ（不図示）、及び１または複数の配管７２とを備える。
このような構成の研磨装置１において、中心孔４２の内周面４２ａには、内周面４２ａに沿って下降する研磨液の下降速度を抑制する下降速度抑制部４２ｂが設けられている。

研磨装置１は上述のように構成されるので、基板の研磨処理を含む基板の製造方法では、ガラス板Ｇを、研磨パッド１０を備えた上定盤４０と下定盤６０とにより挟んで上定盤４０と下定盤６０を回転させながら研磨パッド１０でガラス板Ｇの主表面を研磨する。ガラス板Ｇの主表面を研磨する際、上定盤４０の回転中心軸ＣＴＲが通る上定盤４０の中心孔４２の内周面４２ａに研磨液を供給して研磨液を内周面４２ａに沿って下降させ、上定盤４０と下定盤６０の隙間から研磨液をガラス板Ｇと研磨パッド１０との間に供給する。内周面４２ａには下降速度抑制部４２ｂが設けられているので、研磨液の下降速度を抑制することができる。このため、中心孔４２の開口において研磨液が内周面４２ａから離脱して、下方に流下する量を少なくすることができ、上定盤４０の下側対向面に供給される量が多くなる。このため、上定盤４０に設けられた研磨パッド１０とガラス板Ｇの間に供給される研磨液の量が増大し、精度の良い研磨を行うことができる。
したがって、上定盤４０のガラス板Ｇを研磨する面の側には、中心孔４２の開口以外に研磨液を供給するための開口が設けられていないことが好ましい。これによりキャリア３０の端が開口に引っ掛かり、開口周りに設けられた研磨パッドを損傷することが生じない。したがって、研磨キズや研磨ムラなどが発生せず精度の高い研磨が可能となる。
なお、上記の通り本発明では上定盤４０と下定盤６０の隙間から研磨液を高効率で供給できるため、上記隙間を小さくすることが可能となる。したがって、本発明は上記隙間が１ｍｍ以下の場合に用いることが好ましく、０．７ｍｍ以下の場合に用いるとより好ましく、０．６ｍｍ以下の場合に用いるとより一層好ましい。

上定盤４０と下定盤６０の間隙は、ガラス板Ｇの厚さに応じて定まる。ガラス板Ｇを、ＨＤＤ装置の磁気ディスクの基板として用いる場合、ＨＤＤ装置に搭載される磁気ディスクの枚数の増加のために、ガラス板Ｇの厚さを例えば０．７ｍｍ以下、より好ましくは０．６ｍｍ以下とする。このようなガラス板Ｇの厚さで定まる上定盤４０と下定盤６０の間隙は極めて狭い。このような狭い隙間を区切る上定盤４０の下側対向面及び下定盤６０の上側対向面に、上述の実施形態では、効率よく研磨液を供給することができる。

図３（ａ）は、下降速度制御部４２ｂの好ましい一実施形態を示す図である。図３（ａ）に示す下降速度制御部４２ｂは、上定盤４０の下側対向面に対する傾斜角度θが０度以上９０度未満で傾斜した傾斜面である傾斜部４２ｃである。すなわち、中心孔４２には、上定盤４０の下側対向面に近づくに連れて孔断面積が大きくなるように、内周面４２ａが上定盤４０の下側対向面に対して傾斜角度θが０度以上９０度未満で傾斜した傾斜部４２ｃが、開口の周に沿って設けられている。
研磨液Ｓが表面張力によって伝わって流れる内周面４２ａが、傾斜部４２ｃになり、研磨液Ｓの下降速度が低下して、水平方向の速度成分が生じる。このため、中心孔４２の開口において研磨液Ｓが内周面４２ａから離脱して、下方に流下する量を少なくすることができ、上定盤４０の下側対向面に供給される量が多くなる。このため、上定盤４０に設けられる研磨パッド１０とガラス板Ｇの間に供給される研磨液Ｓの量が増大し、研磨ムラ等を抑え研磨を精度よく行うことができる。
傾斜部４２ｃの上定盤４０の下側対向面に対する傾斜角度θは、１５度～７５度であることが、上定盤４０の下側対向面に研磨液Ｓを供給する量を多くする点から好ましい。また、傾斜部４２ｃの、上定盤４０の厚さ方向に沿った長さは、中心孔４２の、上定盤４０の厚さ方向に沿った長さで３ｍｍ以上であることが、研磨液Ｓの下降速度を低下させて、上定盤４０の下側対向面に研磨液Ｓを供給する量を多くする点から好ましい。上記長さの上限は特にないが、傾斜部４２ｃによって上定盤４０の面積が狭くなりすぎるのを防止するため、例えば１０ｃｍ以下とするとなおよい。
また、傾斜部４２ｃは、図３（ａ）に示すように、傾斜角度θが一定の面であるが、別の一実施形態では、傾斜角度θは、変化してもよく、例えば、下方に向かうに連れて傾斜角度θが小さくなる丸まった湾曲面や、所定の曲率半径を有するラウンド形状であってもよい。上記曲率半径は例えば３ｍｍ～５０ｍｍである。

図３（ｂ）は、下降速度制御部４２ｂの好ましい別の一実施形態を示す図である。図３（ｂ）に示す下降速度制御部４２ｂは、凹凸部４２ｄである。凹凸部４２ｄは、突出した壁あるいは突起、凹み等を含み、研磨液Ｓの下降速度を低下させる凹凸であればよい。換言すれば、凸部及び／又は凹部であればよい。図３（ｂ）に示す凹凸部４２ｄは、凹んだ２つの凹みである。
また、別の一実施形態では、凹凸部４２ｄは、内周面４２ａ上を溝状に延びる凹部を備える。溝は、溝の両側の側壁が平行な面であってもよく、非平行な面であってもよく、溝の断面形状は特に限定されない。溝の数も、１つに限定されず、複数であってもよい。溝幅は、例えば、０．５ｍｍ～５０ｍｍである。複数の溝における溝間隔も特に限定されないが、溝間隔は，例えば、０．５ｍｍ～１０ｍｍである。また、溝深さは、例えば、０．５ｍｍ～３０ｍｍである。
溝は、内周面４２ａを１周するものでもよく、１周することなく、途中で途切れるものであってもよい。また、溝の延在方向は、下側対向面に平行であってもよく、傾斜してもよい。
別の一実施形態では、凹凸部４２ｄは、内周面４２ａ上をリッジ状に延びる凸部を備える。凸部は、両側の側壁が平行な面であってもよく、非平行な面であってもよく、凸部の断面形状は特に限定されない。凸部の数も、１つに限定されず、複数であってもよい。凸部の幅は、例えば、０．５ｍｍ～５０ｍｍである。複数の凸部における凸部間隔は特に限定されないが、凸部間隔は，例えば、０．５ｍｍ～１０ｍｍである。また、凸部の高さは、例えば、０．５ｍｍ～３０ｍｍである。

図４は、別の一実施形態のキャリア３０の構成と、キャリア３０と上定盤４０の配置を説明する図である。キャリア３０は図１に示すように、ガラス板Ｇを、保持穴（内孔）３２内に保持する板状部材である。
図４に示す実施形態によれば、キャリア３０は、ガラス板Ｇの主表面の研磨中、ガラス板Ｇを保持した状態で、上定盤４０と下定盤６０に挟まれ、キャリア３０の外周部分が、中心孔４２の開口の縁の位置よりも回転中心軸ＣＴＲの側を通って中心孔４２の開口から流下する研磨液を受けるように、上定盤４０に対して配置される。このときキャリア３０の外周部分は、キャリア３０の外周を形成する外枠部３４と、外枠部３４に囲まれた平板部３６とを備える。外枠部３４及び平板部３６の周上の一部は、開口の縁の位置よりも回転中心軸ＣＴＲの側に位置する。外枠部３４は、平板部３６に対して隆起している（外枠部３４は、平板部３６の平面の法線方向に突出している）。このように、外枠部３４が隆起しているので、キャリア３０に流下した研磨液Ｓは、キャリア３０の外側に流れ出しにくくなり、下定盤６０に設けられる研磨パッド１０とガラス板Ｇの間に供給され易くなる。このため、下定盤６０と接するガラス板Ｇの研磨は研磨ムラが生じ難く、精度の良い研磨を行うことができる。
このようなキャリア３０の外枠部３４と平板部３６は、一つの部材で一体的に構成されてよいし、複数の部材を組み合わせて構成されたものでもよい。
なお、上定盤４０と下定盤４２の間の隙間が狭く、研磨液Ｓがこの隙間からあふれるような場合、内周面４２ａを伝った研磨液Ｓが押し出されるようになって入りにくい。このような場合、外枠部３４及び平板部３６を有する構成のキャリア３０では、外枠部３４によって研磨液Ｓは漏れに難くなるので、研磨を効率よく行うことができる。キャリア３０は、上記隙間が１ｍｍ以下の場合に用いることが好ましく、０．７ｍｍ以下の場合に用いるとより好ましく、０．６ｍｍ以下の場合に用いるとより一層好ましい。

上述の実施形態では、中心孔４２の開口から研磨液Ｓを供給するので、上定盤４０及び下定盤６０の回転中心軸ＣＴＲから離れるほど、研磨初期時に、中心孔４２の開口から供給される研磨液Ｓの量は少ない。このため、研磨初期において、回転中心軸ＣＴＲから離れ他場所にあるガラス板Ｇの研磨を効率よく行うために、一実施形態によれば、ガラス板Ｇの研磨を開始する前に、上定盤４０と下定盤６０の隙間の少なくとも一部に研磨液Ｓを含ませた状態で、ガラス板Ｇの研磨を開始することが好ましい。例えば、ガラス板Ｇの研磨を開始する前に、下定盤６０上に配置されたキャリア３０、及びキャリア３０に保持されたガラス板Ｇが接する下定盤６０の領域に、研磨液Ｓを供給する、ことが好ましい。研磨液Ｓの供給方法は、特に制限されないが、例えば散布である。

ガラス板Ｇは、例えば、磁気ディスク用基板の素となるディスク形状の板である。磁気ディスク用基板は、主表面の表面粗さは極めて小さいので、研磨ムラがなく研磨を精度よくできる上述の研磨を行うガラス板の製造方法は、磁気ディスク用基板の素となるディスク形状の板を研磨対象とするときに有益である。
上述の実施形態によって製造されたガラス板の表面に磁性膜を形成することにより磁気ディスクが製造される。

以上、本発明の基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び研磨装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。

１ 研磨装置
１０ 研磨パッド
３０ キャリア
３１ 歯部
３２ 保持穴
４０ 上定盤
４２ 下定盤
４２ａ 内周面
４２ｂ 下降速度抑制部
４２ｃ 傾斜部
４２ｄ 凹凸部
４４，６４ 回転シャフト
５０ 駆動モータ
６０ 下定盤
６１ 太陽歯車
６２ 内歯車
７１ 供給タンク
７２ 配管

Claims (15)

1. 基板の研磨処理を含む基板の製造方法であって、
   基板を、研磨パッドを備えた上定盤と下定盤とにより挟んで前記上定盤と前記下定盤を回転させながら前記研磨パッドで前記基板の主表面を研磨するステップと、
   前記主表面を研磨する際、前記上定盤の回転中心軸が通る前記上定盤の中心孔の内周面に研磨液を供給して前記研磨液を前記内周面に沿って下降させ、前記上定盤と前記下定盤の隙間から前記研磨液を前記基板と前記研磨パッドとの間に供給するステップと、を有する研磨処理を含み、
   前記内周面には、前記研磨液の下降速度を抑制する下降速度抑制手段が設けられている、ことを特徴とする基板の製造方法。
2. 前記下定盤に対向する前記上定盤の下側対向面には、前記中心孔の開口以外に前記研磨液を供給するための開口が設けられていない、請求項１に記載の基板の製造方法。
3. 前記中心孔には、前記下定盤に対向する前記上定盤の下側対向面に近づくに連れて孔断面積が大きくなるように、前記内周面が前記下側対向面に対して角度０度以上９０度未満で傾斜した傾斜部が、前記中心孔の開口の周に沿って設けられている、請求項１または２に記載の基板の製造方法。
4. 前記内周面は、前記下降速度抑制手段として、凹凸部を備える、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
5. 前記凹凸部は、前記内周面上を溝状に延びる凹部を備える、請求項４に記載の基板の製造方法。
6. 前記基板は、板状のキャリアに設けられた内孔内に保持され、
   前記キャリアは、前記主表面の研磨中、前記基板を保持した状態で、前記上定盤と前記下定盤に挟まれ、前記キャリアの外周部分が、前記上定盤の前記中心孔の開口の縁の位置よりも前記回転中心軸の側を通って前記開口から流れる前記研磨液を受けるように、前記上定盤に対して配置され、
   前記キャリアは、前記キャリアの外周を形成する外枠部と、前記外枠部に囲まれた平板部とを備え、
   前記外枠部及び前記平板部の周上の一部は、前記開口の縁の位置よりも前記回転中心軸の側に位置し、
   
   前記外枠部は、前記平板部に対して隆起している、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
7. 前記基板の研磨を開始する前に、前記上定盤と前記下定盤の前記隙間の少なくとも一部に前記研磨液を含ませた状態で、前記基板の研磨を開始する、請求項１～６のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
8. 前記基板の研磨を開始する前に、前記下定盤上に配置された前記キャリア、及び前記キャリアに保持された前記基板が接する前記下定盤の領域に、前記研磨液を供給する、請求項６に記載の基板の製造方法。
9. 前記基板は、磁気ディスク用基板の素となるディスク形状の板である、請求項１～７のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
10. 請求項１～９のいずれか１項に記載の基板の製造方法における前記研磨処理を行うステップと、
    前記研磨処理後の前記基板の表面に磁性膜を形成するステップと、を有することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
11. 基板を研磨する研磨装置であって、
    研磨パッドを備え、基板の主表面を両側から挟むように構成された上定盤及び下定盤と、
    前記上定盤と前記下定盤により挟まれる前記基板に対して、前記上定盤と前記下定盤を前記主表面の研磨のために回転させるように構成された回転機構と、
    前記主表面を研磨する際、前記上定盤の回転中心軸が通る前記上定盤の中心孔の内周面に研磨液を供給するように構成された研磨液供給機構と、
    前記内周面に設けられ、前記内周面に沿って下降する前記研磨液の下降速度を抑制するように構成された下降速度抑制手段と、を備え、
    前記中心孔は、前記下降速度抑制手段により前記下降速度が抑制された前記研磨液を、前記上定盤と前記下定盤の隙間から前記研磨液を前記基板と前記研磨パッドとの間に供給するように構成されている、ことを特徴とする研磨装置。
12. 前記下定盤と対向する前記上定盤の下側対向面には、前記中心孔の開口以外に前記研磨液を供給するための開口が設けられていない、請求項１１に記載の研磨装置。
13. 前記中心孔には、前記下定盤と対向する前記上定盤の下側対向面に近づくに連れて孔断面積が大きくなるように、前記内周面が前記下側対向面に対して角度０度以上９０度未満で傾斜した傾斜部が、前記中心孔の開口の周に沿って設けられている、請求項１１または１２に記載の研磨装置。
14. 前記内周面の少なくとも一部は、前記下降速度抑制手段として、凹凸部を備える、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の研磨装置。
15. 前記凹凸部は、前記内周面上を溝状に延びる凹部を備える、請求項１４に記載の研磨装置。

Images