JP2022531039A - 複合集電体、電極シート、電気化学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
導電層である二層アルミ箔の間に、POホットメルトフィルムを絶縁層として介在させ、熱圧着により複合集電体を得る。ここで、熱圧着の温度は85℃であり、熱圧着の圧力は0.6MPaであり、熱圧着の時間は20sであった。アルミ箔の厚さは5000nmであり、絶縁層の厚さは2μmである。
実施例2は、実施例1の製造工程と略同様であるが、絶縁層の厚さが50μmである点で相違している。
実施例3は、実施例1の製造工程と略同様であるが、絶縁層の厚さが25μmである点で相違している。
実施例4は、実施例1の製造工程と略同様であるが、絶縁層の厚さが30μmである点で相違している。
ポリマー層であるPETフィルムの両面にPOホットメルト層を塗布して形成し、絶縁層を得る。ここで、PETフィルムの厚さは2μmであり、POホットメルト層の厚さは2μmであり、絶縁層の厚さは6μmである。絶縁層と導電層としてのアルミ箔とを熱圧着によって複合し、複合集電体を得る。ここで、アルミ箔の厚さは5000nmであり、熱圧着の温度は85℃であり、熱圧着の圧力は0.6MPaであり、熱圧着の時間は20sであった。
実施例6は、実施例5の製造工程と略同様であるが、PETフィルムの厚さが6μmであり、絶縁層の厚さが10μmである点で相違している。
実施例7は、実施例5の製造工程と略同様であるが、PETフィルムの厚さが10μmであり、絶縁層の厚さが14μmである点で相違している。
実施例8と実施例5の製造工程は略同様であるが、PETフィルムの厚さが12μmであり、絶縁層の厚さが16μmである点で相違している。
導電層であるアルミ層を蒸着法により離型PETフィルム表面に堆積させて、アルミめっき離型PETフィルムを得る。ここで、離型PETフィルムの厚さは36μmであり、離型PETフィルムの表面には有機ケイ素離型剤が塗布されており、アルミ層の厚さは20nmであり、アルミめっき真空度は2.0×10-2Paであり、アルミめっきの速度は1nm/sである。ポリマー層であるPETフィルムの両面にPOホットメルト層を塗布して形成し、絶縁層を得る。ここで、PETフィルムの厚さは12μmであり、POホットメルト層の厚さは2μmであり、絶縁層厚さは16μmである。絶縁層がアルミ層と貼り合わされるように、絶縁層とアルミめっき離型PETフィルムとを熱圧着により複合し、その後、離型PETフィルムを剥離して複合集電体を得る。ここで、熱圧着の温度は85℃であり、熱圧着の圧力は0.6MPaであり、熱圧着の時間は20sであった。
実施例10は、実施例9の調製工程と略同様であるが、アルミ層の厚さが500nmである点で相違している。
実施例11は、実施例9の調製工程と略同様であるが、アルミ層の厚さが1000nmである点で相違している。
実施例12は、実施例9の調製工程と略同様であるが、アルミ層の厚さが3000nmである点で相違している。
ポリマー層であるPETフィルムの両面にEAAホットメルト層を塗布して形成し、絶縁層を得る。ここで、PETフィルムの厚さは12μmであり、EAAホットメルト層の厚さは2μmであり、絶縁層の厚さは16μmである。絶縁層と導電層としてのアルミ箔とを熱圧着によって複合して、複合集電体を得る。ここで、アルミ箔の厚さは3000nmであり、熱圧着の温度は85℃であり、熱圧着の圧力は0.6MPaであり、熱圧着の時間20sであった。
実施例14は、実施例13の調製工程と略同様であるが、ホットメルトの種類がEVAである点で相違している。
実施例15は、実施例13の調製工程と略同様であるが、ホットメルトの種類がEVOHである点で相違している。
実施例16は、実施例12と略同様であるが、導電層が銅箔である点で相違している。
導電層であるアルミ層を、ポリマー層であるPETフィルムの表面に蒸着法により堆積させて、複合集電体を得る。PETフィルムの厚さは12μmであり、アルミめっきの厚さは1000nmであり、アルミめっき真空度が2.0×10-2Paであり、アルミめっきの速度が1nm/sである。
10、210 絶縁層
30、230 導電層
11、211、221 第1表面
12、212、223 第2表面
220 ポリマー層
240 ホットメルト層
Claims (12)
- 絶縁層と、導電層とを含む複合集電体であって、
前記絶縁層は、ホットメルト層又はポリマー層とホットメルト層とが積層されてなる複合膜層であり、
前記導電層は、前記絶縁層の少なくとも1つの表面に設けられ且つ前記ホットメルト層に接着されることを特徴とする複合集電体。 - 前記絶縁層の厚さは、2μm~50μmであることを特徴とする請求項1に記載の複合集電体。
- 前記複合膜層は、前記ポリマー層と、前記ポリマー層の対向する両側に設けられたホットメルト層とを含み、前記導電層は、各ホットメルト層の前記ポリマー層とは後ろ向きの側に設けられることを特徴とする請求項1に記載の複合集電体。
- 前記ポリマー層の厚さは、2μm~12μmであり、前記ホットメルト層の厚さは、0.5μm~5μmであることを特徴とする請求項3に記載の複合集電体。
- 前記ポリマー層は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ(p-フタロイル-p-フェニレンジアミン)、及びポリイミドから選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載の複合集電体。
- 前記ホットメルト層におけるホットメルトは、ポリオレフィン、エチレン-プロピレン共重合体、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-ビニルアルコール共重合体、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、スチレン-イソプレン-スチレン共重合体、スチレン-ブタジエン-スチレン共重合体、スチレン-(エチレン-ブチレン)-スチレン共重合体、及びスチレン-(エチレン-プロピレン)-スチレン共重合体からなる群より選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載の複合集電体。
- 前記導電層の厚さは、20~5000nmであることを特徴とする請求項1に記載の複合集電体。
- 前記導電層は、金属導電層及び非金属導電層の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項1に記載の複合集電体。
- 前記金属導電層は、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、チタン、銀、金、コバルト、クロム、モリブデン、タングステン及びこれらの合金の少なくとも1つを含み、
前記非金属導電層は、グラファイト、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)、及びこれらの混合物のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項8に記載の複合集電体。 - 請求項1~9の何れか一項に記載の前記複合集電体と、
前記複合集電体の導電層の前記絶縁層とは後ろ向きの側に設けられた活性物質層と、
を備える電極シート。 - 請求項10に記載の電極シートを備える電気化学装置。
- 請求項11に記載の電気化学装置を備える電子機器。
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