JP2022525367A - 集積回路におけるダイ間通信のためのスペーサ - Google Patents

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Abstract

マルチ・ダイ集積回路デバイスおよびマルチ・ダイ集積回路デバイスを製造する方法は、基板を伴う。２つ以上のダイは、マルチ・ダイ集積回路の機能を実装する構成要素を含む。構成要素は、論理ゲートを含む。マルチ・ダイ集積回路デバイスはまた、基板と２つ以上のダイのそれぞれとの間に配置されたスペーサを含む。２つ以上のダイのそれぞれは、スペーサの孔を通してスペーサと直接電気的に接触することなく、基板と直接電気的に接触する。

Description

本発明は、集積回路に関し、より詳細には、集積回路におけるダイ間通信のためのスペーサに関する。
典型的には、集積回路は、フォトリソグラフィ・プロセスによって単一のウエハ上に製造される。ウエハは、それぞれがダイと呼ばれる多くの個片にカット（すなわち、ダイシング）される。各ダイは、一般に、回路のコピーである。ダイがより複雑になりサイズが増大し続けるにつれて、ダイの歩留まりは、低下していく。これは、所与の欠陥密度に対して、ダイの密度が高くなると、ランダム欠陥の可能性が高くなるためである。歩留まり損失を減らす手法には、ダイを分割して密度を減らし、結果として欠陥を減らすことが含まれる。しかしながら、単一のダイの構成要素を２つ以上のダイに分割するには、十分に高いレートでダイ間の通信を増やす必要がある。シリコン（Ｓｉ）ブリッジは、ダイを相互接続するために使用されてきたが、組立てにおいて重大な課題をもたらしている。ダイを相互接続するＳｉインターポーザには、Ｓｉ貫通ビア（ＴＳＶ）プロセスが必要であり、組立ての課題も生じている。さらに、Ｓｉインターポーザは、電力供給および信号の完全性の問題を引き起こす可能性もある。
本発明の実施形態は、基板と、マルチ・ダイ集積回路の機能を実装する構成要素を含む２つ以上のダイとを伴う、マルチ・ダイ集積回路デバイスおよびマルチ・ダイ集積回路デバイスを製造する方法を対象とする。構成要素は、論理ゲートを含む。マルチ・ダイ集積回路デバイスはまた、基板と２つ以上のダイのそれぞれとの間に配置されたスペーサを含む。２つ以上のダイのそれぞれは、スペーサの孔を通してスペーサと直接電気的に接触することなく、基板と直接電気的に接触する。
本明細書全体を通して説明される例は、以下の図面および説明を参照することにより、よりよく理解されるであろう。図中の構成要素は、必ずしも縮尺どおりではない。さらに、図において、同様の参照番号は、異なる図を通して対応する部分を示す。
本発明の一実施形態によるダイ間通信のためのスペーサを示す図である。 ダイ間通信を容易にするスペーサの詳細を示す図である。 ダイ間通信を容易にするスペーサの態様を詳細に示す図である。 本発明の一実施形態によるダイ間通信のためのスペーサを有する集積回路の断面図である。 本発明の一実施形態によるキャパシタを含むダイ間通信のためのスペーサの断面図である。 本発明の一実施形態によるスペーサを用いてダイ間通信を実装することを含む、集積回路開発を実行するためのシステムのブロック図である。 本発明の一実施形態によるスペーサを含むマルチ・ダイ集積回路を製造する方法のプロセス・フローである。
前述したように、集積回路の構成要素を１つのダイから２つ以上に分散することにより、各ダイの欠陥を減らすことができ、したがって歩留まり損失を減らすことができる。集積回路の機能を２つ以上のダイに分散するには、十分に高いレートでのダイ間通信が必要である。Ｓｉブリッジは、ダイ間通信に対する従来の手法である。Ｓｉブリッジは、ダイが接合されているのと同じ側で、１つのダイを別のダイに直接配線する。ブリッジは、基板への電気的接続を行わない。インターポーザは、別の従来の手法であり、複数のダイ間の相互接続を容易にする。電気的貫通部（例えば、ＴＳＶ）は、インターポーザの一部であり、インターポーザを介して電気的接続を行い、インターポーザは、基板との電気的接続を行う。前述したように、Ｓｉブリッジおよびインターポーザは、組立ての課題を引き起こす。本明細書で詳述する本発明の実施形態は、集積回路におけるダイ間通信のためのスペーサに関する。インターポーザとは異なり、本明細書で詳述する本発明の１つまたは複数の実施形態に従って製造されるスペーサは、電気的貫通部を必要としない。各ダイは、スペーサの孔を貫通して、スペーサの、ダイとは反対側の基板に直接接触する導電性ポストを有する。
図１は、ダイ間通信のためのスペーサ１１０を示す。集積回路１００は、４つのダイ１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、１３０ｄ（全体的に１３０と呼ばれる）に細分されている。本発明の代替の実施形態では、集積回路１００は、２つ以上のダイ１３０に細分することができ、４つに限定されない。スペーサ１１０の外周は、ダイ１３０の組合せを囲む外周よりも大きい。本発明の代替の実施形態では、スペーサ１１０の外周は、図３に示すように、ダイ１３０の組合せを囲む外周よりも小さくすることができ、またはスペーサ１１０の外周とダイ１３０を囲む外周とを同じサイズにすることができる。各ダイ１３０は、いくつかの構成要素１３５ａ～１３５ｎ（全体的に１３５と呼ばれる）を含む。各ダイ１３０内の構成要素１３５（例えば、論理ゲート、バッファ、ラッチ）は、集積回路１００の機能を実装するために従来の仕方で相互接続されている。さらに、本明細書で詳述する本発明の実施形態に従って設計および製造されたスペーサ１１０に基づいて、各ダイ１３０の構成要素１３５は、スペーサ１１０の配線１１５に基づいてマルチ・ダイ集積回路１００の別のダイ１３０の構成要素１３５と通信することができる。ダイ１３０は、配線１１５によって相互接続されているのと同じ側で（すなわち、図１の図によると各ダイ１３０の下で）接合されている。
図１に示す例によると、配線１１５は、例えば、ダイ１３０ａと、ダイ１３０ｂおよび１３０ｃとの間の通信を容易にするが、ダイ１３０ａとダイ１３０ｄとの間の通信を容易にしない。例えば、ダイ１３０ａとダイ１３０ｄとの間、またはダイ１３０ｂとダイ１３０ｃとの間の通信を容易にするために、必要に応じて、斜め配線１１５をスペーサ１１０に含めることができる。図１に示す例示的な配線１１５は、排他的ではなく説明的であることが意図されており、配線１１５の代替構成による追加のダイ間通信を限定するものではない。配線１１５は、５０～５００ギガヘルツ（ＧＨｚ）の範囲の通信速度を容易にすることができる。ダイ間通信を容易にする配線１１５を含むスペーサ１１０は、ダイ１３０と基板１２０（例えば、有機積層体）との間に配置されている。スペーサ１１０の特徴は、図２を参照してさらに詳述される。
図２は、ダイ間通信を容易にするスペーサ１１０の詳細を示す。スペーサ１１０が製造される材料は、ガラス、Ｓｉ、セラミック、または有機低熱膨張係数（ＣＴＥ）材料とすることができる。ダイ間通信を容易にする配線１１５が示されている。デュアル・ダマシン・プロセスを使用して形成された、１５～２０ミクロン程度のピッチ（すなわち、ワイヤ間の距離）を有する、多層の（例えば、４～１０層程度の）ワイヤが存在することができる。
パッド１１３は、スペーサ１１０をダイ１３０に機械的に接続する働きをする。パッド１１３は、図２のスペーサ１１０上に示されている。具体的には、パッド１１３は、スペーサ１１０のパッシベーション酸化物層５２０（図５）内の銅（Ｃｕ）マイクロ・パッドとすることができる。本発明の別の実施形態によると、図４に示すように、パッド１１３は、ダイ１３０上に存在することができ、はんだキャップ４３０を有するマイクロ・ピラー４２０がスペーサ１１０上に存在することができる。Ｓｉスペーサ１１０は、スペーサ１１０内の層として形成されたキャパシタ５１０（図５）を含むことができる。有機、ガラス、またはセラミックのスペーサ１１０は、薄膜キャパシタを含むことができる。その場合、パッド１１３は、ダイ１３０とキャパシタとの間の電気的接続部としても機能する。配線１１５の端部にあるパッド１１４は、配線１１５によって相互接続されたダイ１３０間の電気接続部を形成する。例えば、ダイ間通信を容易にするために、約３５００～５０００個のパッド１１４が存在することができる。パッド１１３、１１４は、図２に示すものとは異なる形状とすることができる。スペーサ１１０の、基板１２０と同じ側に、補強要素であるスパー（ｓｐａｒ）を追加することができる。スペーサ１１０は、図３を参照してさらに論じる孔１１７も含む。
図３は、ダイ間通信のためのスペーサ１１０を示す。スペーサ１１０の外周は、ダイ１３０の組合せを囲む外周よりも小さい。基板１２０が下にあり、ダイ１３０が上にある例示的なスペーサ１１０の図を示す図１とは異なり、図３は、説明の目的でスペーサ１１０の下にダイ１３０を示す。したがって、ダイ１３０を相互接続するスペーサ１１０の高密度配線１１５は、図３に示す図では見えない。加えて、図３の図によるとスペーサ１１０の上にある基板１２０は、示されていない。ポスト３１０がダイ１３０上に示されている。スペーサ１１０の孔１１７のいくつかは、スペーサ１１０の反対側で基板１２０に直接接触するダイ１３０のこれらの導電性ポスト３１０の貫通を容易にする。図３に示す実施形態によると、スペーサ１１０の外周は、ダイ１３０を囲む外周よりも小さいため、ダイ１３０は、スペーサ１１０の外周の外側にも導電性ポスト３１０を有する。これらの導電性ポスト３１０は、スペーサ１１０の孔１１７を貫通することなく基板１２０に接触する。
例示的な実施形態によると、孔１１７は、円形として示されているが、孔１１７は、スペーサ１１０に接触することなく導電性ポスト３１０の貫通を容易にする任意の形状とすることができる。すなわち、例えば、円形の孔１１７の直径は、孔１１７を貫通する導電性ポスト３１０の直径よりも２０ミクロン程度大きくすることができる。孔１１７は、直径が１００ミクロン程度である。スペーサ１１０の材料がＳｉである場合、孔１１７をパッシベーションして、導電性ポスト３１０との短絡を防止することができる。孔１１７は、導電性ポスト３１０が本質的に孔１１７の中心に位置するように、導電性ポスト３１０と整列するように形成される。ダイ１３０とスペーサ１１０との間には、導電性ポスト３１０よりも多くの孔１１７がある（ただし、図３に示す本発明の実施形態のように、スペーサ１１０の外周の外側に追加のポスト３１０があってもよい）。図４を参照して論じたように、導電性ポスト３１０のための貫通部として機能しない孔１１７、および孔１１７の導電性ポスト３１０外側部分には、アンダーフィル４１０（図４）を施与することができる。
図４は、ダイ間通信のためのスペーサ１１０を有する集積回路１００の断面図を示す。本断面図は、スペーサ１１０の配線１１５を用いて相互接続された２つのダイ１３０を示す。図４に示す例示的なスペーサ１１０の外周は、ダイ１３０を囲む外周と同じである。ダイ１３０の一部である導電性ポスト３１０は、各ダイ１３０を基板１２０に接続するように延在して示されている。導電性ポスト３１０は、例えば、Ｃｕとすることができる。前述したように、導電性ポスト３１０は、スペーサ１１０の孔１１７（図２および図３）をふさがない。代わりに、導電性ポスト３１０は、導電性ポスト３１０がスペーサ１１０を貫通するが接触しないように、孔１１７の直径よりも小さい直径を有する。例えば、導電性ポスト３１０の直径は、８０ミクロン程度とすることができるが、前述したように、孔１１７の直径は、１００ミクロン程度とすることができる。基板１２０に到達するためにスペーサ１１０の厚さと少なくとも同じでなければならない導電性ポスト３１０の高さは、１５０～２００ミクロン程度とすることができる。また前述したように、すべての孔が導電性ポスト３１０を通すために使用されるわけではない。他の孔１１７は、スペーサ１１０の両側からのアンダーフィル４１０の施与を容易にする。
スペーサ１１０とダイ１３０との間のパッド１１３が示されている。配線１１５とダイ１３０との間のパッド１１４、ならびに配線１１５の態様は、アンダーフィル４１０のために図４では見えない。前述したように、導電性ポスト３１０よりも多くの孔１１７がある。アンダーフィル４１０は、図示されるように、スペーサ孔１１７内の導電性ポスト３１０の周りの空き領域に施与することができる。アンダーフィル４１０は、基板１２０上に施与されるポリマ物質である。毛管作用により、アンダーフィル４１０が各ダイ１３０と基板１２０との間（スペーサ１１０の孔１１７内）に引き込まれる。熱硬化により、ダイ１３０と基板１２０が機械的に結合される。アンダーフィル４１０は、配線１１５のような相互接続構造を封止し、はんだ接合部に応力を集中させるのではなく、ダイ１３０全体にわたって応力を均一に分散させる。したがって、アンダーフィル４１０は、各ダイ１３０と基板１２０との間のＣＴＥの不一致を吸収し、はんだ接合および相互接続を初期故障から保護する応力バッファとして機能する。図４に示す本発明の例示的な実施形態によると、パッド１１３は、ダイ１３０上にある。ダイ１３０とスペーサ１１０との間の１つの接続の詳細図が示すように、はんだキャップ４３０を有するスペーサ１１０のマイクロ・ピラー４２０は、ダイ１３０のパッド１１３と接続することができる。マイクロ・ピラー４２０は、１０ミクロン程度の深さとすることができる。
図５は、キャパシタ５１０を含むダイ間通信のためのスペーサ１１０の断面図を示す。パッシベーション酸化物５２０がキャパシタ５１０の上に示されている。拡大図は、酸化物５２０内のパッド１１３を示す。キャパシタ５１０を形成するために、ディープ・トレンチ（ＤＴ）形成または金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）構成を使用することができる。キャパシタは、ＭＩＭ構成によると、スペーサ１１０の断面積の最大９５パーセントを占めることができる。ＤＴキャパシタ５１０は、２０～１００ミクロン程度の幅とすることができるが、ＭＩＭキャパシタ５１０は、０．５～１０ミクロン程度の幅とすることができる。図５に示すように、キャパシタ５１０は、スペーサ１１０の孔１１７の周囲に形成されている。
図６は、スペーサ１１０とのダイ間通信を実装することを含む集積回路開発を実行するためのシステム６００のブロック図である。システム６００は、最終的にマルチ・ダイ集積回路１００に製造される設計を生成するために使用される処理回路６１０およびメモリ６１５を含む。機能、電力、タイミングの要件を満たす設計の開発に関わるフェーズ（例えば、論理設計、論理合成、物理合成）は、新しいものではなく、ここでは詳細に説明しない。物理合成およびレイアウトのフェーズは、集積回路１００が最終的に複数のダイ１３０に分割されることを考慮に入れることができることに留意されたい。最終的な物理レイアウトは、半導体製造業者（例えば、ファウンドリ）に提供される。マスクは、最終的な物理レイアウトに基づいて、集積回路１００の各ダイ１３０の各層に対して生成される。その後、一連のマスク順にウエハが処理される。この処理には、フォトリソグラフィおよびエッチングが含まれる。製造について、図７を参照してさらに論じる。
図７は、スペーサ１１０を含むマルチ・ダイ集積回路１００を製造する方法のプロセス・フローである。一般に、最終設計の複数のコピーを有するウエハが製造され、各ダイが集積回路１００の１つのコピーになるように切断（すなわち、ダイシング）される。マルチ・ダイ構成の場合、各ダイは、スペーサ１１０を介して互いに通信するダイ１３０にさらに細分される。ブロック７１０において、プロセスは、最終的な物理レイアウトに基づいてリソグラフィ用のマスクを製造することを含む。ブロック７２０において、ウエハを製造することは、マスクを使用して、フォトリソグラフィおよびエッチングを実行することを含む。ウエハがダイ１３０にダイシングされると、ブロック７３０において、各ダイの試験および選別が実行され、不良ダイが除去される。前述したように、デバイスを複数のダイ１３０に細分する理由の１つは、不良を減らすことである。ブロック７４０において、本発明の１つまたは複数の実施形態によるスペーサ１１０は、前に論じたようにダイ１３０と基板との間に結合され、結果としてダイ間通信を有する集積回路１００が得られる。
本明細書で使用された用語は、特定の実施形態のみを説明するためのものであり、本発明を限定することは意図されていない。本明細書で使用されるように、単数形の「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、文脈上明白にそうでないと示されない限り、複数形も含むことが意図されている。用語「備える」または「備えている」あるいはその両方は、本明細書で使用される場合、記載された特徴、完全体、ステップ、動作、要素、または構成要素あるいはその組合せの存在を指定するが、１つまたは複数の他の特徴、完全体、ステップ、動作、要素、構成要素、またはそれらのグループあるいはその組合せの存在もしくは追加を排除するものではないことをさらに理解されるであろう。
以下の特許請求の範囲における、すべての手段またはステップに加えて機能要素の対応する構造、材料、行為、および均等物は、具体的に特許請求される他の特許請求される要素と組み合せて機能を実行するための任意の構造、材料、または行為を含むことが意図されている。本発明の説明は、例示の目的で提示されているが、網羅的であること、または開示された形態の本発明に限定されることは意図されていない。本発明の範囲および思想から逸脱することなく、多くの変更形態および変形形態が当業者には明らかであろう。実施形態は、本発明の原理および実際の適用を最も良く説明するために、および当業者が企図された特定の使用に適した様々な変更を伴う様々な実施形態について本発明を理解することができるように選択され、説明された。
本明細書に示されたフロー図は、一例に過ぎない。本発明の思想から逸脱することなく、この図または本明細書に記載されたステップ（または動作）に対して多くの変形形態があってもよい。例えば、ステップは、異なる順序で実行されてもよく、またはステップは、追加、削除、もしくは修正されてもよい。これらの変形形態はすべて、特許請求される本発明の一部とみなされる。
本発明に対する好ましい実施形態について説明してきたが、当業者は、現在および将来の両方において、添付の特許請求の範囲内にある様々な改良および強化を行うことができることを理解されるであろう。これらの特許請求の範囲は、最初に説明した本発明に対する適切な保護を維持するように解釈されるべきである。
本発明の様々な実施形態の説明は、例示の目的で提示されているが、網羅的であること、または開示された実施形態に限定されることは意図されていない。上記の実施形態の範囲および思想から逸脱することなく、当業者には多くの変更形態および変形形態が明らかであろう。本明細書で使用される用語は、実施形態の原理、実際の適用、または市場で見出される技術に対する技術的改良を最も良く説明するために、あるいは当業者が本明細書に開示された実施形態を理解することができるように選択された。
本発明は、任意の可能な技術的詳細レベルの統合において、システム、方法、またはコンピュータ・プログラム製品、あるいはその組合せであってもよい。コンピュータ・プログラム製品は、プロセッサに本発明の態様を実行させるためのコンピュータ可読プログラム命令を有するコンピュータ可読記憶媒体を含むことができる。
コンピュータ可読記憶媒体は、命令実行装置による使用のための命令を保持および記憶することができる有形の装置とすることができる。コンピュータ可読記憶媒体は、例えば、電子記憶装置、磁気記憶装置、光記憶装置、電磁記憶装置、半導体記憶装置、または前述のものの任意の適切な組合せであってもよいが、これらに限定されない。コンピュータ可読記憶媒体のより具体的な例の非網羅的なリストには、ポータブル・コンピュータ・ディスケット、ハード・ディスク、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、消去可能プログラム可能読み取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭまたはフラッシュ・メモリ）、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）、ポータブル・コンパクト・ディスク読み取り専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、メモリ・スティック、フロッピー（Ｒ）・ディスク、パンチ・カードまたは命令が記録された溝内の隆起構造などの機械的に符号化されたデバイス、および前述したものの任意の適切な組合せが含まれる。本明細書で使用されるようなコンピュータ可読記憶媒体は、電波もしくは他の自由に伝播する電磁波、導波路もしくは他の伝送媒体を通して伝播する電磁波（例えば、光ファイバ・ケーブルを通過する光パルス）、またはワイヤを通して送信される電気信号などの、それ自体が一過性の信号であると解釈されるべきではない。
本明細書に記載されるコンピュータ可読プログラム命令は、コンピュータ可読記憶媒体からそれぞれのコンピューティング／処理装置に、あるいはネットワーク、例えばインターネット、ローカル・エリア・ネットワーク、ワイド・エリア・ネットワークまたはワイヤレス・ネットワークあるいはその組合せを介して外部コンピュータもしくは外部記憶装置にダウンロードすることができる。ネットワークは、銅伝送ケーブル、光伝送ファイバ、無線伝送、ルータ、ファイアウォール、スイッチ、ゲートウェイ・コンピュータ、またはエッジ・サーバあるいはその組合せを含むことができる。各コンピューティング／処理装置のネットワーク・アダプタ・カードまたはネットワーク・インターフェースは、ネットワークからコンピュータ可読プログラム命令を受信し、それぞれのコンピューティング／処理装置内のコンピュータ可読記憶媒体に記憶するためにコンピュータ可読プログラム命令を転送する。
本発明の動作を実行するためのコンピュータ可読プログラム命令は、アセンブラ命令、命令セット・アーキテクチャ（ＩＳＡ）命令、機械命令、機械依存命令、マイクロコード、ファームウェア命令、状態設定データ、集積回路の構成データ、または、Ｓｍａｌｌｔａｌｋ（Ｒ）、Ｃ＋＋などのオブジェクト指向プログラミング言語、および「Ｃ」プログラミング言語などの手続き型プログラミング言語もしくは同様のプログラミング言語を含む、１つまたは複数のプログラミング言語の任意の組合せで記述されたソースコードあるいはオブジェクトコードのいずれかであってもよい。コンピュータ可読プログラム命令は、完全にユーザのコンピュータ上で、一部がユーザのコンピュータ上で、スタンド・アローンのソフトウェアパッケージとして、一部がユーザのコンピュータ上でかつ一部が遠隔コンピュータ上で、または完全にリモート・コンピュータもしくはサーバ上で実行することができる。後者のシナリオでは、リモート・コンピュータは、ローカル・エリア・ネットワーク（ＬＡＮ）もしくはワイド・エリア・ネットワーク（ＷＡＮ）を含む任意のタイプのネットワークを介してユーザのコンピュータに接続されてもよく、または接続は、（例えば、インターネット・サービス・プロバイダを使用してインターネットを介して）外部コンピュータに対して行われてもよい。一部の実施形態では、例えば、プログラマブル・ロジック回路、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）、またはプログラマブル・ロジック・アレイ（ＰＬＡ）を含む電子回路は、本発明の態様を実行するために、コンピュータ可読プログラム命令の状態情報を利用して電子回路を個人専用にすることによってコンピュータ可読プログラム命令を実行することができる。
本発明の態様は、本発明の実施形態による方法、装置（システム）、およびコンピュータ・プログラム製品の流れ図またはブロック図あるいはその両方を参照して本明細書で説明されている。流れ図またはブロック図あるいはその両方の各ブロック、および流れ図またはブロック図あるいはその両方のブロックの組合せは、コンピュータ可読プログラム命令によって実施することができることを理解されよう。
これらのコンピュータ可読プログラム命令は、汎用コンピュータ、専用コンピュータ、または他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサに提供され、コンピュータまたは他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサを介して実行される命令が、流れ図またはブロック図あるいはその両方のブロックにおいて指定された機能／行為を実施するための手段を作成するように機械を生成することができる。これらのコンピュータ可読プログラム命令は、内部に命令が記憶されたコンピュータ可読記憶媒体が、流れ図またはブロック図あるいはその両方のブロックにおいて指定された機能／行為の態様を実施する命令を含む製造品を構成するように、コンピュータ、プログラム可能なデータ処理装置、または他の装置あるいはその組合せを特定のやり方で機能させるように指示することができるコンピュータ可読記憶媒体に記憶することもできる。
コンピュータ可読プログラム命令は、コンピュータ、他のプログラム可能なデータ処理装置、または他の装置にロードされて、コンピュータ、他のプログラム可能な装置、または他の装置上で実行される命令が、流れ図またはブロック図あるいはその両方のブロックにおいて指定された機能／行為を実施するように、一連の動作ステップをコンピュータ、他のプログラム可能な装置、または他の装置上で実行させて、コンピュータ実装プロセスを生成することもできる。
図中の流れ図およびブロック図は、本発明の様々な実施形態によるシステム、方法、およびコンピュータ・プログラム製品の可能な実施態様のアーキテクチャ、機能、および動作を示す。これに関連して、流れ図またはブロック図の各ブロックは、指定された論理機能を実装するための１つまたは複数の実行可能な命令を構成するモジュール、セグメント、または命令の一部を表すことができる。一部の代替の実施態様では、ブロックに示された機能は、図に示された順序とは異なって行われてもよい。例えば、連続して示されている２つのブロックは、実際には、実質的に同時に実行されてもよく、またはブロックは、関与する機能に応じて、時には逆の順序で実行されてもよい。ブロック図または流れ図あるいはその両方の各ブロック、およびブロック図または流れ図あるいはその両方のブロックの組合せは、指定された機能もしくは行為を実行する、または専用のハードウェアおよびコンピュータ命令の組合せを実行する専用のハードウェア・ベースのシステムによって実施することができることにも留意されたい。

Claims (20)

  1. マルチ・ダイ集積回路デバイスであって、
    基板と、
    前記マルチ・ダイ集積回路の機能を実装する構成要素を備える２つ以上のダイであって、前記構成要素が論理ゲートを含む、前記２つ以上のダイと、
    前記基板と前記２つ以上のダイのそれぞれとの間に配置されたスペーサであって、前記２つ以上のダイのそれぞれが、前記スペーサの孔を通して前記スペーサと直接電気的に接触することなく、前記基板と直接電気的に接触する、前記スペーサと、
    を備える、マルチ・ダイ集積回路デバイス。
  2. 前記スペーサが、前記２つ以上のダイのうちの１つを前記２つ以上のダイのうちの別の１つに接続する配線を含む、請求項１に記載のデバイス。
  3. 前記配線が、前記配線の各端部を前記２つ以上のダイのうちの前記１つまたは前記別の１つに電気的に接続するためのパッドを含む、請求項２に記載のデバイス。
  4. 前記スペーサが、前記スペーサを前記２つ以上のダイのうちの１つに機械的に接続するための機械的パッドを含む、請求項１に記載のデバイス。
  5. 前記２つ以上のダイのそれぞれが、前記スペーサの前記孔をそれぞれ貫通する導電性ポストを介して前記基板と電気的に接触する、請求項１に記載のデバイス。
  6. 前記導電性ポストが銅である、請求項５に記載のデバイス。
  7. 前記スペーサが第２の組の孔を含み、ポリマ物質が前記第２の組の孔に施与されている、請求項１に記載のデバイス。
  8. 前記スペーサがキャパシタを含み、前記スペーサが前記キャパシタの上に酸化物を含む、請求項１に記載のデバイス。
  9. 前記スペーサが、シリコン、ガラス、セラミック、または有機低熱膨張係数（ＣＴＥ）材料である、請求項１に記載のデバイス。
  10. 前記スペーサの前記孔がパッシベーションされている、請求項１に記載のデバイス。
  11. マルチ・ダイ集積回路を製造する方法であって、
    前記マルチ・ダイ集積回路の機能を実装する構成要素を備える２つ以上のダイを製造することであって、前記構成要素が論理ゲートを含む、前記２つ以上のダイを製造することと、
    スペーサを製造し、前記２つ以上のダイのそれぞれが、前記スペーサの孔を通して前記スペーサと直接電気的に接触することなく基板と直接電気的に接触するように、前記基板と前記２つ以上のダイのそれぞれとの間に前記スペーサを配置することと、
    を含む、方法。
  12. 前記スペーサを前記製造することが、前記スペーサの、前記２つ以上のダイと同じ側に配線を配置して、前記２つ以上のダイのうちの１つを前記２つ以上のダイのうちの別の１つに接続することを含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記配線の各端部を前記２つ以上のダイのうちの前記１つまたは前記別の１つに電気的に接続するために電気的パッドを配置することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記スペーサを前記製造することが、前記スペーサの、前記２つ以上のダイと同じ側に機械的パッドを配置して、前記スペーサを前記２つ以上のダイのうちの１つに機械的に接続することを含む、請求項１１に記載の方法。
  15. 前記スペーサを前記製造することが、前記２つ以上のダイのそれぞれが、前記スペーサの前記孔をそれぞれ貫通する導電性ポストを介して前記基板と電気的に接触するように前記孔を位置決めすることを含む、請求項１１に記載の方法。
  16. 前記スペーサを前記製造することが、前記孔のサイズを前記導電性ポストの直径よりも大きくすることを含む、請求項１５に記載の方法。
  17. 前記スペーサを前記製造することが、第２の組の孔を形成することを含む、請求項１１に記載の方法。
  18. 前記スペーサを前記製造することが、ディープ・トレンチ形成もしくは金属－絶縁体－金属構成を使用して、または薄膜としてキャパシタを形成することを含み、前記キャパシタを前記形成することが、前記キャパシタ上に酸化物層を形成することを含む、請求項１１に記載の方法。
  19. 前記スペーサを前記製造することが、前記スペーサの材料としてシリコン、ガラス、セラミック、または有機低熱膨張係数（ＣＴＥ）材料を使用することを含む、請求項１１に記載の方法。
  20. 前記スペーサを前記製造することが、前記スペーサの前記孔をパッシベーションすることを含む、請求項１１に記載の方法。
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