JP2022507384A - 高温性能を備えた押出しコンデンサフィルム、その製造法、およびそれを含む物品 - Google Patents

Abstract

６５．０～９９．８５質量％の高温コポリカーボネートと、０．０５～０．５質量％の第１の粗面化剤と、０．１～１５．０質量％の有機スリップ剤とを含む組成物であって、それぞれの量は、組成物の全質量に対してであって、その合計は１００質量％であり、更に、前記高温コポリカーボネートの、水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対する炭素原子の数比は１．１２未満、望ましくは０．８３から１．１２未満であり、前記有機スリップ剤は、四ステアリン酸ペンタエリトリトール、六ステアリン酸ジペンタエリトリトール、三ステアリン酸グリセロール、高密度ポリエチレン、ポリメチルペンテン、ポリ（カーボネート－シロキサン）、またはこれらの組み合わせを含む。

Description

本願は、２０１８年１１月１８日出願の欧州特許第１８２０６３５５．２号に対する優先権およびその利益を主張するものであり、その内容は全て本件に引用して援用する。

本発明は、押出しコンデンサフィルムと、また特に、この押出しポリマーフィルムを含むコンデンサと、このフィルムおよびコンデンサの製造法とに関する。

高い体積エネルギー密度、高い作動温度、および長い寿命を備えた静電フィルムコンデンサは、パルス電力、自動車、および産業電子工学における重要な要素である。基本的にコンデンサは、電気絶縁性（誘電体）フィルムの薄い層で隔てられた２枚の平行した導電板を備えたエネルギー貯蔵デバイスである。導電板に電圧をかけると、誘電体内の電界により電荷が移動してエネルギーが貯蔵される。コンデンサに貯蔵されるエネルギーの量は、フィルムの形成に使用する絶縁材料の誘電率および破壊電圧と、フィルムの大きさ（総面積および厚さ）によって決まる。コンデンサに蓄積できるエネルギーの総量を大きくするには、フィルムの誘電率と破壊電圧を大きく、フィルムの厚さを小さくする。コンデンサ内の誘電材料の物理的特性はコンデンサの性能を決める主な要因であるため、コンデンサ内の誘電材料の物理的特性の１つ以上を改善するとコンデンサコンポーネントの対応する性能を改善することができ、一般に、それを組み込んだ電子装置または製品の性能と寿命の向上につながる。

国際公開第２０１７／１９６９２２号

高温用途用に設計したコンデンサは、高温ポリマー（本願で言うところの、１７０℃以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を持つポリマーを含む）の薄膜から作ることができる。多くの高温ポリマーは、室温において好ましくない絶縁破壊強さを持ち、その絶縁破壊強さはポリマーが加熱されるにつれて低下する。更に、押出しによる、このようなポリマーの高品質な薄膜の製造は、当該技術において長年求められてきた。押出しは効率的な工程と考えられるが、フィルムが非常に薄いため、その製造、取扱い、および輸送は非常に困難である。

従って、高温コンデンサフィルムとその製造法、即ち、高温用途で使用するための、優れた電気的特性、特に、高い絶縁破壊強さを備えたフィルムを製造できる製造法が求められている。このようなフィルムを工業規模で押出しにより製造できるならば、更に有益と考えられる。

本件に開示の組成物は、６５．０～９９．８５質量％の高温（high heat）コポリカーボネートと、０．０５～０．５質量％の第１の粗面化剤（roughening agent）と、０．１～１５．０質量％の有機スリップ剤とを含み、高温コポリカーボネートは、低温（low heat）モノマーから誘導した低温ビスフェノール基と、高温ビスフェノールモノマーから誘導した高温ビスフェノール基とを含み、低温モノマーは、そのホモポリカーボネートが、ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従った昇温速度１℃／分での測定で、１５５℃未満のＴｇを持ち、高温ビスフェノールモノマーは、少なくとも、そのホモポリカーボネートが、ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従った昇温速度１℃／分での測定で、１５５℃以上のＴｇを持ち、更に、高温コポリカーボネートの、水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対する炭素原子の数比は１．１２未満、望ましくは０．８３から１．１２未満であり、有機スリップ剤は、四ステアリン酸ペンタエリトリトール、六ステアリン酸ジペンタエリトリトール、三ステアリン酸グリセロール、高密度ポリエチレン、ポリメチルペンテン、ポリ（カーボネート－シロキサン）、またはこれらの組み合わせを含み、それぞれの量は組成物の全質量に対してであって、その合計は１００質量％である。

別の態様では、前記組成物を含む押出しフィルムを開示する。詳細には、前記組成物を用いて押出しコンデンサフィルムを製造することができる。

上記の押出しフィルムを含むコンデンサを開示する。

更に、前記押出しフィルムを含む電子デバイスを開示する。

上記およびその他の特徴の例は、後述の詳細な記述に示す。

ＡＳＴＭ Ｄ１８９４で求めた測定静的ＣＯＦ（ｙ軸）に対する滑り性ランク（slip rank）（ｘ軸）を示すグラフである。 測定Ｒａ－Ｉ（ｙ軸）に対する滑り性ランク（ｘ軸）を示すグラフである。 測定Ｒｚ－Ｉ（ｙ軸）に対する滑り性ランク（ｘ軸）を示すグラフである。 ３００Ｖ／ｕｍでのクリアリングカウント（ｙ軸）とＲａ－Ｉ（ｘ軸）との関係を示すグラフである。 ３００Ｖ／ｕｍでのクリアリングカウント（ｙ軸）とＲｚ－Ｉ（ｘ軸）との関係を示すグラフである。 ３００Ｖ／ｕｍでのクリアリングカウント（ｙ軸）と滑り性ランク（rating）（ｘ軸）との関係を示すグラフである。 電圧／μｍの関数としてクリアリングカウントの累積数を示すグラフである。 大面積電極の、電圧／μｍに対するクリアリングの累積数を示すグラフである。 電気的クリアリングカウント試験装置の構造を示す図である。 Bosch試験装置の試験ローラ構造を示す略図である。

本発明の発明者は、押出しによる極めて薄い高温コンデンサフィルムの製造を可能とする組成物を発見した。このフィルム形成組成物は、水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対して特定の炭素原子数比を持つ高温ポリカーボネートと、スリップ剤と、粗面化剤とを特定の量で含むものである。良好な流動性、機械的強さ、電気的特性、および摩擦特性を有利に併せ持つよう、各成分とその量を調整する。押出しによるコンデンサフィルムの製造に使用可能な配合物において、これらの特性を併せ持つことは著しく困難であった。発明者は、押出し、マスターロールへの巻取り、金属化、スリッティング、および最終的に乾式（dry）巻回型コンデンサへ巻取る工程の際に、フィルムの滑りを良く、扱い易くすると同時に、巻回型コンデンサの体積効率とフィルムの絶縁破壊強さ（breakdown strength）が最大となるようフィルムの表面粗さを最適化することが重要であると気付いたため、摩擦特性に特に着目した。

この高温フィルムは、軟化または溶融することなく１４０～１５０℃の温度に容易に耐えられるため、外部冷却の必要性を低減し、またはそれを除くこともでき、車両重量を減らすことができる。機械的には、このフィルムは、低い摩擦係数（＜０．６）と適度な引裂き抵抗（＞７０ＭＰａ）を持つことができ、非常に薄い（厚さ１０μｍ未満）フィルムの製造および取扱いが可能で、高い作動温度でも安定である。電気的には、このフィルムは、高い絶縁破壊強さ（３００Ｖ／ミクロンよりも大きい）、高い誘電率（２．５よりも大きい）、低い散逸率（１％未満）、および良好な自己クリアリング（self-clearing）を持つことができる。

このフィルムは特に自動車産業において有用であり、そこでは特に、ボンネット下の環境中１４０～１５０℃で、またはその付近の周囲温度で作動可能な、高温乾式フィルムコンデンサが必要とされる。車両寿命の間、高温において電気容量、誘電体絶縁抵抗、および定格電圧を維持できる高温コンデンサは、付属の冷却コンポーネントを少なく、または除くことができ、更に、システムの複雑さとシステム自重（system vehicle weight）の両方を減らすことができる。高温コンデンサは設計の柔軟性を高め、重要なコンポーネントの近くにコンデンサを配置し、より効率的にパッケージすることができる。

先に述べたように、押出しによる極めて薄い高温コンデンサフィルムの製造に使用可能な組成物は、高温コポリカーボネートと、少なくとも第１の粗面化剤と、スリップ剤とを含んでいる。

文中で使用している“コポリカーボネート”は、少なくとも２種類の異なるカルボナート基、例えば、２、３、または４種類の異なるカルボナート基を含む。文中で使用している“高温（high heat）コポリカーボネート”は、低温ビスフェノール基と高温ビスフェノール基とを含むコポリカーボネートである。低温ビスフェノール基は、炭素原子が１９個未満の低温ビスフェノールモノマーから誘導する。低温ビスフェノールモノマーは、そのモノマーのホモポリカーボネートが１５５℃未満のＴｇを持つモノマーである。高温ビスフェノール基は、炭素原子が１９個以上の高温ビスフェノールモノマーから誘導する。高温ビスフェノールモノマーは、そのモノマーのホモポリカーボネートが１５５℃以上のＴｇを持つモノマーである。望ましくは、低温ビスフェノールモノマーは、そのホモポリカーボネートが１５０℃未満または１４５℃未満のＴｇを持つモノマーであり、高温ビスフェノールモノマーは、そのホモポリカーボネートが１６０℃以上または１６５℃以上のＴｇを持つモノマーである。低温モノマーから生成したホモポリカーボネートは８０℃の最低Ｔｇを持つことができる。高温モノマーから生成したホモポリカーボネートは４００℃の最高Ｔｇを持つことができる。

ある態様において、高温コポリカーボネートは、１７０～２５０℃、１７５℃～２４０℃、１８０℃～２４０℃、または１９０℃～２４０℃のＴｇを持つ。ホモポリカーボネートおよびコポリカーボネートのそれぞれのＴｇは、ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従い、昇温速度１℃／分、周波数１Ｈｚでの、動的機械分析（dynamic mechanical analysis ：ＤＭＡ）によって求めることができる。

炭素数の条件について更に詳しく述べるならば、本フィルムで使用する高温コポリカーボネートは、構造式（１）で示される低温ビスフェノールカルボナート単位を含んでいる。

式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立してＣ_１～６アルキル、Ｃ_２～６アルケニル、Ｃ_３～６シクロアルキル、またはＣ_１～３アルコキシであり、ｐおよびｑはそれぞれ独立して０～４であり、Ｘ^ａは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（Ｏ）－、－Ｓ（Ｏ）_２－、－Ｃ（Ｏ）－、構造式 －Ｃ（Ｒ^ｃ）（Ｒ^ｄ）－ （式中、Ｒ^cおよびＲ^ｄはそれぞれ独立して、水素またはＣ_１～３アルキルである）で示されるＣ_１～６アルキリデン、または、構造式 －Ｃ（＝Ｒ^ｅ）－ （式中、Ｒ^ｅは二価のＣ_１～５炭化水素基である）で示される基である。Ｘ^ａ基の例としては、メチレン、エチリデン、ネオペンチリデン、およびイソプロピリデンが挙げられる。それぞれのＣ_６アリーレン基の架橋基Ｘ^ａとカルボナート酸素原子は、Ｃ_６アリーレン基上において互いに、オルト、メタ、またはパラ（望ましくはパラ）位に配置することができる。

ある態様において、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立してＣ_１～２アルキル基であり、ｐおよびｑはそれぞれ独立して０～１であり、Ｘ^ａは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ（Ｏ）－、－Ｓ（Ｏ）_２－、－Ｃ（Ｏ）－、構造式 －Ｃ（Ｒ^ｃ）（Ｒ^ｄ）－ （式中、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄはそれぞれ独立して水素またはＣ_１～３アルキルである）で示されるＣ_１～６アルキリデン、または、構造式 －Ｃ（＝Ｒ^ｅ）－ （式中、Ｒ^ｅは二価のＣ_１～５炭化水素基である）で示される基である。

ある態様において、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立してメチル基であり、ｐおよびｑはそれぞれ独立して０または１であり、Ｘ^ａは、単結合、または、構造式 －Ｃ（Ｒ^ｃ）（Ｒ^ｄ）－ （式中、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄはそれぞれ独立して水素またはメチルである）で示されるＣ_１～６アルキリデンである。

ある態様において、ｐおよびｑはそれぞれ１であり、Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれＣ_１～３アルキル基、望ましくは、それぞれの環上の酸素に対してメタ位にあるメチルである。ビスフェノールカルボナート単位（１）は、ビスフェノールＡから誘導することができ、このとき、ｐおよびｑはいずれも０であり、Ｘ^ａはイソプロピリデンである。

低温カルボナート単位（１）は、対応するジヒドロキシ（ビスフェノール）化合物から作ることができる。第１のカルボナート単位（１）の製造に使用できる特定のビスフェノール化合物のいくつかの具体例は、例えば、国際公開第２０１３／１７５４４８Ａ１号、米国特許出願公開第２０１４／０２９５３６３号、および国際公開第２０１４／０７２９２３号に記載されている。少なくとも１つのビスフェノール化合物を含む組み合わせも使用できる。望ましい態様において、低温ビスフェノール化合物は、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）エタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン（“ビスフェノールＡ”または“ＢＰＡ”）、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－ｎ－ブタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシ－２－メチルフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ヒドロキシ－ｔ－ブチルフェニル）プロパン、またはこれらの組み合わせである。ある態様において、低温モノマーはビスフェノールＡであり、これにより構造式（１ａ）で示される低温ビスフェノール基が得られる。

コポリカーボネート中の高温カルボナート単位は、構造式（２）で示されるものである。

式中、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄはそれぞれ独立して、Ｃ_１～１２アルキル、Ｃ_２～１２アルケニル、Ｃ_３～８シクロアルキル、またはＣ_１～１２アルコキシであり、ｍおよびｎはそれぞれ独立して０～４の整数であり、Ｘ^ｂはＣ_３～８シクロアルキレン、縮合Ｃ_６～１８シクロアルキレン、構造式 －Ｊ^１－Ｇ－Ｊ^２－ （式中、Ｊ^１およびＪ^２は同じまたは異なるＣ_１～６アルキレン基であり、Ｇは、Ｃ_３～１２シクロアルキレン、Ｃ_３～１２シクロアルキリデン、またはＣ_６～１６アリーレンである）で示される基、構造式 －Ｃ（Ｒ^ｃ）（Ｒ^ｄ）－ （式中、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄはそれぞれ独立して、水素、Ｃ_１～２４アルキル、Ｃ_４～１２シクロアルキル、Ｃ_６～１２アリール、Ｃ_７～１２アリールアルキレン、Ｃ_７～１２ヘテロアリールアルキレン、Ｃ_７～１２アルキルアリーレン、Ｃ_１～１２ヘテロアルキル、Ｃ_３～１２ヘテロシクロアルキル、またはＣ_７～１２ヘテロアリールである）で示されるＣ_{１２～２５}アルキリデン、構造式 －Ｃ（＝Ｒ^ｅ）－ （式中、Ｒ^ｅは、二価のＣ_７～３１炭化水素基、Ｃ_３～１８シクロアルキリデン、縮合Ｃ_７～１８シクロアルキリデン、または縮合Ｃ_６～１８ヘテロシクロアルキリデンである）で示される基である。

このような高温ビスフェノール基の例としては、構造式（２a）～（２ｇ）で示される基が挙げられる。

式中、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄはそれぞれ独立して、Ｃ_１～１２アルキル、Ｃ_２～１２アルケニル、Ｃ_３～８シクロアルキル、またはＣ_１～１２アルコキシであり、それぞれのＲ^ｆは水素であり、または２つのＲ^ｆでカルボニル基となっており、それぞれのＲ^３は独立してＣ_１～６アルキルであり、Ｒ^４は、水素、Ｃ_１～６アルキル、または、必要に応じて１～５個のＣ_１～６アルキル基で置換されたフェニルであり、Ｒ^６は独立して、Ｃ_１～３アルキルまたはフェニル、望ましくはメチルであり、Ｘ^ａは、Ｃ_６～１２多環アリール、Ｃ_３～１８モノまたはポリシクロアルキレン、Ｃ_３～１８モノまたはポリシクロアルキリデン、－Ｃ（Ｒ^ｆ）（Ｒ^ｇ）－ （式中、Ｒ^ｆは、水素、Ｃ_１～１２アルキル、またはＣ_６～１２アリールであり、Ｒ^ｇは、Ｃ_６～１０アルキル、Ｃ_６～８シクロアルキル、またはＣ_６～１２アリールである）、または －（Ｑ^ａ）_ｘ－Ｇ－（Ｑ^ｂ）_ｙ－ （式中、Ｑ^ａおよびＱ^ｂはそれぞれ独立してＣ_１～３アルキレンであり、ＧはＣ_３～１０シクロアルキレンであり、ｘは０または１であり、ｙは０または１である）であり、ｊ、ｍ、およびｎはそれぞれ独立して０～４である。高温ビスフェノール基の組み合わせも使用可能である。

ある実施形態において、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄはそれぞれ独立してＣ_１～３アルキルまたはＣ_１～３アルコキシであり、それぞれのＲ^６はメチルであり、それぞれのＲ^３は独立してＣ_１～３アルキルであり、Ｒ^４はメチルまたはフェニルであり、それぞれのＲ^６は独立してＣ_１～３アルキルまたはフェニル、望ましくはメチルであり、Ｘ^ａは、Ｃ_６～１２多環アリール、Ｃ_３～１８モノまたはポリシクロアルキレン、Ｃ_３～１８モノまたはポリシクロアルキリデン、－Ｃ（Ｒ^ｆ）（Ｒ^ｇ）－ （式中、Ｒ^ｆは、水素、Ｃ_１～１２アルキル、またはＣ_６～１２アリールであり、Ｒ^ｇは、Ｃ_６～１０アルキル、Ｃ_６～８シクロアルキル、またはＣ_６～１２アリールである）、または －（Ｑ^１）_ｘ－Ｇ－（Ｑ^２）_ｙ－基 （式中、Ｑ^１およびＱ^２はそれぞれ独立してＣ_１～３アルキレンであり、ＧはＣ_３～１０シクロアルキレンであり、ｘは０または１であり、ｙは０または１である）であり、ｊ、ｍ、およびｎはそれぞれ独立して０または１である。

高温ビスフェノール基の例としては、構造式（２ｈ）～（２ｓ）で示されるものが挙げられる。

式中、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄは構造式（２ｈ）～（２ｓ）で定義したものと同じであり、それぞれのＲ^２は独立して水素またはＣ_１～４アルキルであり、ｍおよびｎはそれぞれ独立して０～４であり、それぞれのＲ^３は独立してＣ_１～４アルキルまたは水素であり、Ｒ^４はＣ_１～６アルキル、または、必要に応じて１～５個のＣ_１～６アルキル基で置換されたフェニルであり、ｇは０～１０である。望ましい態様において、二価基のそれぞれの結合は、連鎖基、つまりＸ^ａに対してパラ位にある。別の望ましい態様において、Ｒ^ｃおよびＲ^ｄはそれぞれ独立してＣ_１～３アルキルまたはＣ_１～３アルコキシであり、それぞれのＲ^２はメチルであり、ｘは０または１であり、ｙは１であり、ｍおよびｎはそれぞれ独立して０または１である。

再度、炭素数の条件についてより詳しく述べるならば、高温ビスフェノール基は、望ましくは構造式（２ｔ）で示されるものである。

式中、Ｒ^４はメチルまたはフェニルである。望ましくは、高温ビスフェノール基は、２－フェニル－３，３’－ビス（４－ヒドロキシフェニル）フタルイミジン（ＰＰＰＢＰ）または１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン（ＢＰ－ＴＭＣ、ビスフェノールイソホロン（ＢＰＩ）としても知られる）から誘導する。

望ましい態様において、高温コポリカーボネートは、Ｎ－フェニルフェノールフタレイニルビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノンビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、またはこれらの組み合わせとすることができる。

低温カルボナート単位（１）と高温カルボナート単位（２）との相対モル比は、後でより詳しく論じる炭素数パラメータに、このコポリカーボネートが合致するという条件で、Ｔｇ、加水分解安定性、衝撃強さ、延性、流動性（flow）、誘電特性、その他考慮すべき事項など、コポリカーボネートに望まれる特性に応じて、９９：１～１：９９に変えることができる。例えば、低温カルボナート単位（ｌ）：高温カルボナート単位（２）のモル比は、９０：１０～１０：９０、８０：２０～２０：８０、７０：３０～３０：７０、または６０：４０～４０：６０とすることができる。詳細な態様において、コポリカーボネートは、６０～８０モルパーセント（mol％）の低温カルボナート単位（１）と、２０～４０mol％の高温カルボナート単位（２）とを含み、または２５～６５mol％の低温カルボナート単位（１）と、４５～７５mol％の高温カルボナート単位（２）とを含む。ある態様において、コポリカーボネートはＰＰＰＢＰ－ＢＰＡまたはＢＰＩ－ＢＰＡ、望ましくはＰＰＰ－ＢＰＡであって、低温カルボナート単位（１）と高温カルボナート単位（２）のモル比は９９：１～５０：５０または８０：２０～４５：５５とすることができる。ある態様において、コポリカーボネートは、３５～５５mol％の低温カルボナート単位（１）と、４５～６５mol％の高温カルボナート単位（２）とを含む。別の態様において、コポリカーボネートはＢＰＡまたはＢＰＩ－ＢＰＡ、望ましくはＢＰＩ－ＢＰであって、低温カルボナート単位（１）と高温カルボナート単位（２）のモル比は２０：８０～６０：４０または３０：７０～５０：５０とすることができる。ある態様において、コポリカーボネートは、３５～６５mol％の低温カルボナート単位（１）と、５５～６５mol％の高温カルボナート単位（２）とを含む。

コポリカーボネート中に別のカルボナート単位、例えば、ポリ（カーボネート－シロキサン）に関連して後に述べるような、また、例えば、米国特許第８１１４９２９Ｂ２号に記載されているような、ポリジメチルシロキサンブロックなどのポリシロキサンブロックを含むカルボナート基が存在していても良い。ポリシロキサンブロックを含むカルボナート単位の存在量は、コポリカーボネート中の単位の全モル数に対して、１～２５mol％とすることができる。更に別のカルボナート単位が、相対的に少量で、例えば、コポリカーボネート中の単位の全モル数に対して１０mol％未満、５mol％未満、または１mol％未満の量で存在していても良い。更に別の実施形態において、コポリカーボネートには別の種類の繰り返し単位は存在しない。ある実施形態において、他のカルボナート単位は存在しない。

コポリカーボネートの製造法は知られており、例えば、界面重合や溶融重合などの工程を含む。ポリカーボネートの末端基は、その末端基がフィルム形成組成物の望ましい特性に著しく悪影響を及ぼさない限り、全ての種類が使用できると考えられる。重合の際に分岐剤を加えると、分枝ポリカーボネートブロックが調製できる。コポリカーボネートの製造法、末端基、分岐剤は、例えば、国際公開第２０１３／１７５４４８Ａ１号、米国特許出願公開第２０１４／０２９５３６３号、および国際公開第２０１４／０７２９２３号に記載されている。

高温コポリカーボネートは、１万～２０万ドルトン（Ｄａ）、２万～１０万Ｄａ、５，０００～１０万Ｄａ、より望ましくは１万～６５，０００Ｄａ、または１５，０００～３５，０００Ｄａの質量平均分子量を持つことができる。これらの値は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、架橋スチレン－ジビニルベンゼンカラムを使用し、ビスフェノールＡホモポリカーボネート標準で較正を行って測定したものである。ＧＰＣ試料は、濃度１ｍｇ／ｍｌに調製し、流速１．５ｍｌ／分で溶出する。流動性の異なるコポリカーボネートを組み合わせて用いることで、全体的に望ましい流動性とすることができる。本発明の発明者は、他の望ましい機械的および電気的特性と共に、適度な自己クリアリングを達成するには、高温コポリカーボネートの、水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対する炭素原子の数比が１．１２未満、望ましくは０．８３から１．１２未満であると良いことを発見した。自己クリアリングは、電圧下での絶縁破壊によって瞬間的短絡が起きた故障領域を消去する、コンデンサの性能である。理論によって束縛されるものではないが、良好な自己クリアリング性能を持つフィルムは、故障領域周囲の電極を蒸発させる、または“焼き払う（burn off）”（“一次クリアリング”）のに十分な表面酸素含量を持つと考えられる。例えば、蒸発した電極と、短絡で生じた誘電体の副生成物は、一酸化炭素および二酸化炭素ガスを生じることがある。適切な自己クリアリング性能を持たない組成物は炭素堆積物（“チャー”）を生じる。この炭素堆積物は導電性で、誘電材料を通る漏れ径路となって、二次クリアリングやコンデンサの壊滅的な故障を引き起こすことがある。自己クリアリングは、少なくともその一部が、材料特性と、コンデンサ設計および構造仕様の両方によって決まるため、定量の難しい性能属性である。しかし、チャーが溜まりにくい材料、例えば、Ｎ_２下、熱重量分析（thermogravimetric analysis：ＴＧＡ）で求めたチャー生成量が１５％未満の材料は、自己クリアリングが良好であることが認められている。水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対する炭素原子の数比が１．５４であると、適度な自己クリアリングが得られる。水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対する炭素原子の数比が０．５である（例えば、ＢＯＰＰのように）と、適度な自己クリアリングとなるが、先に述べたように、その材料のＴｇは高温用途には低すぎてしまう。有益なことに、高温コポリカーボネートの、水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対する炭素原子の数比が１.１１未満、１．０７未満、０．８３２～１．１１、または０．８５５～１.０７であると、適度な自己クリアリング性と高温用途に適したＴｇとを備えたフィルムが得られることが分かった。

組成物中の高温コポリカーボネートの量は、組成物の全質量に対して６５.０～９９．８５質量％に変えることができる。この範囲内で、その量は、使用する特定の高温コポリカーボネート、粗面化剤、およびスリップ剤、また、先に述べたようなフィルムの望ましい特性に応じて変わる。例えば、組成物の全質量に対して、７５．０～９９．０質量％、８５．０～９８．０質量％、または９０～９６質量％の高温コポリカーボネートを用いると、良好な取扱い性が達成できる。

前述の高温コポリカーボネートに加えて、フィルムには、高温コポリカーボネート以外の追加のポリカーボネートを必要に応じて更に加えることができる。追加ポリカーボネートを用いてフィルム形成組成物の流動性を調節することができる。追加ポリカーボネートは、構造式（１）で示されるカルボナート単位を含むことができる。追加ポリカーボネートは、ホモポリカーボネートでもコポリカーボネートでも良い。望ましい態様において、追加ポリカーボネートはホモポリマー、特にビスフェノールＡホモポリマーである。追加ポリカーボネートは、クロロホルム中、２５℃での測定で、０．３～１．５ｄｌ／ｇｍ、望ましくは０．４５～１．０ｄｌ／ｇｍの固有粘度を持つことができる。追加ポリカーボネートは、前述のＧＰＣによる測定で、１万～３５万Ｄａ、１９，０００～２１，０００Ｄａ、または３０万～３２万ＤａのＭｗを持つことができる。流動性の異なる追加ポリカーボネートの組み合わせを用いて全体的に望ましい流動性を達成しても良い。使用する場合、追加ポリカーボネートの存在量は、組成物の全質量に対して、例えば、１～５０質量％、１～３５質量％、５～５０質量％、５～３５質量％、１～２５質量％、または５～２５質量％とすることができる。追加のポリカーボネート、望ましくはビスフェノールＡホモポリマーの存在量は、組成物の全質量に対して０．５～３５質量％とすることができる。

一部の態様では、１つ以上の高温コポリカーボネート以外のポリカーボネートは存在しない。具体的には、ビスフェノールＡポリカーボネートなどの追加の低温ポリカーボネートは存在しない。低温ポリカーボネートを何も加えないと、熱老化など、１つ以上の特性を改善できると考えられる。

重要な特徴として、本フィルムは更に、有機スリップ剤と粗面化剤を組み合わせて含んでいる。驚くことに、有機スリップ剤と粗面化剤の２つを組み合わせると、取扱い性と誘電特性の組み合わせが最も良いフィルムが得られることが分かった。先に述べたように、コンデンサ用の薄い押出しフィルムのフィルム取扱い性は、当該技術において長年の課題であった。薄いフィルムは互いに接着し易いため層を分けておくことが難しく、このフィルムを産業規模で貯蔵および使用することは困難である。更に、付着によってフィルムに皺が生じ、これはコンデンサフィルムの性能に有害である。スリップ剤は、フィルムの表面特性を修正して、フィルム層と他の面との摩擦を小さくすることができる。

有機スリップ剤を単独で使用するとフィルムの取扱い性を改善できるが、有機スリップ剤の量が増えると電気的特性が低下することがある。更に、スリップ剤が多すぎると、金属とフィルムとの接着性が悪くなることがある。また、後述の巻回型コンデンサを平板化する場合、過剰のスリップ剤によって巻回型コンデンサのわん状変形（telescoping）が起こることがある。しかし、驚くことに、有機スリップ剤を粗面化剤と併用すると、取扱い性が向上すると同時に良好な誘電特性が維持できることが分かった。文中で使用している“粗面化剤”とは、フィルムの表面に表面粗さ、即ち、物理的テクスチャを与える試剤である。理論によって束縛されるものではないが、表面を粗くすると更に固着防止性が生じて、フィルムが扱い易くなると考えられる。

スリップ剤について述べるならば、スリップ剤として作用することが知られている全ての材料が、本フィルムでの使用に適しているわけではないことが分かっている。例えば、エチレンビス（ステアロアミド）（ポリカーボネート組成物での使用が知られているスリップ剤）は、一ステアリン酸グリセロール（データは示されていない）と同じように適していない。ヒドロキノンの二（ジフェニル）リン酸エステルやビスフェノールＡの二（ジフェニル）リン酸エステルなどの二官能または多官能芳香族リン酸エステルなど、他の既知のスリップ剤もＴｇを低下させるため（データは示されていない）適していない。その他、適さないスリップ剤としては、ポリ（α－オレフィン）および様々なフッ素化ポリマーが挙げられる。

適したスリップ剤は、移動性でも非移動性でも良い。理論によって束縛しようとするものではないが、移動性スリップ剤は、フィルム表面へ移動できるように、高温コポリカーボネートに対してある程度の非相溶性を持つと考えられる。例えば、加工の間、スリップ剤は融解物に溶けているが、組成物が冷えるにつれてスリップ剤は表面へ移動し、フィルム表面に潤滑層を形成することができる。移動性スリップ剤の使用量は、非移動性スリップ剤よりも少なく、例えば、組成物の全質量に対して０．０１～５質量％とすることができる。非移動性スリップ剤は溶融物に可溶化せず、高温ポリカーボネートのＴｇと同程度のＴｇ、例えば、ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従った、昇温速度１℃／分、周波数１Ｈｚでの動的機械分析（ＤＭＡ）による測定で、１５０℃より大きい、１７０℃より大きい、１７５℃～２４０℃、１８０℃～２４０℃、または１９０℃～２４０℃のＴｇを持つことができ、あるいは、高温コポリカーボネートとは混和しないポリマー系スリップ剤であっても良い。非移動性スリップ剤の使用量は、組成物の全質量に対して１～１５質量％とすることができる。ただし、当然のことであるが、移動性および非移動性という用語は便宜上使用しているものであり、ある程度高分子量の化合物は移動性と非移動性の間にあるということができる。

移動性スリップ剤としては、４，５－エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチルなどのフタル酸エステル；エポキシ化大豆油；シリコーン油などのシリコーン類；多官能エステル、例えば、ジ、トリ、またはテトラ（Ｃ_{１２～３６}アルキル）エステルなどの多官能脂肪酸エステル、例えば、トリステアリン（tristearin）または四ステアリン酸ペンタエリトリトールなど；ステアリン酸ステアリルなどの、Ｃ_{１２～３６}カルボン酸の（Ｃ_{１２～３６}アルキル）エステル；ポリプロピレングリコールポリマー、ポリ（エチレングリコール－コ－プロピレングリコール）共重合体、または前述のグリコールポリマーの少なくとも１つを含む組み合わせ；あるいは、蜜ろう、モンタンろう、パラフィンろうなどのワックス類が挙げられる。これらの材料の存在量は、組成物の全質量に対して０．０１～５質量％とすることができる。望ましい態様において、スリップ剤は、多価アルコールの、ジ、トリ、テトラ、またはそれ以上のＣ_{１２～３６}脂肪酸エステル、例えば、四ステアリン酸ペンタエリトリトール、六ステアリン酸ジペンタエリトリトール、三ステアリン酸グリセロール、またはこれらの組み合わせなどであって、その存在量は、組成物の全質量に対して０．０１～５質量％または０．１～３質量％である。

適当なポリマー系スリップ剤としては、ポリメチルペンテン、スチレン系共重合体（スチレン－アクリロニトリル共重合体（ＳＡＮ）、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレン（ＳＥＢＳ）など）、ポリ（カーボネート－シロキサン）、またはこれらの組み合わせが挙げられる。これらの材料の使用量は、組成物の全質量に対して１～１５質量％または３～１０質量％とすることができる。

望ましい非移動性スリップ剤はポリ（カーボネート－シロキサン）である。ある態様において、本組成物は、１～１５質量％、望ましくは３～１０質量％のポリ（カーボネート－シロキサン）を含むことができる。ポリ（カーボネート－シロキサン）は、構造式（１）で示されるカルボナートブロックと、構造式（３）で示される繰り返しジオルガノシロキサン単位を含むシロキサンブロックとを含むものである。

式中、それぞれのＲは独立して一価のＣ_１～１３有機基である。例えば、Ｒは、Ｃ_１～１３アルキル、Ｃ_１～１３アルコキシ、Ｃ_２～１３アルケニル、Ｃ_２～１３アルケニルオキシ、Ｃ_３～６シクロアルキル、Ｃ_３～６シクロアルコキシ、Ｃ_６～１４アリール、Ｃ_６～１０アリールオキシ、Ｃ_７～１３アリールアルキレン、Ｃ_７～１３アリールアルキレンオキシ、Ｃ_７～１３アルキルアリーレン、またはＣ_７～１３アルキルアリーレンオキシとすることができる。前述の基は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素、あるいはこれらの組み合わせで完全にまたは部分的にハロゲン化されていても良い。ある態様において、透明なポリ（カーボネート－シロキサン）が好ましい場合、Ｒはハロゲンで置換されていない。同じ共重合体中に、前述のＲ基を組み合わせたものを用いても良い。

構造式（３）中のＥの値は、熱可塑性組成物中の各成分の種類および相対量、組成物の望ましい特性など、考慮すべき事柄に応じて幅広く変えることができる。Ｅの平均値は、２～１，０００、望ましくは２～５００、２～２００、２～１２５、５～８０、または１０～７０である。ある態様において、Ｅの平均値は１０～８０または１０～４０であり、更に別の態様において、Ｅの平均値は４０～８０または４０～７０である。Ｅの値が低い、例えば、４０未満の場合、相対的に大量のポリ（カーボネート－シロキサン）を使用することが望ましいと考えられる。反対に、Ｅの値が高い、例えば、４０を超える場合、相対的に少量のポリ（カーボネート－シロキサン）を使用することができる。第１および第２（またはそれ以上）のポリ（カーボネート－シロキサン）の組み合わせを使用しても良く、このときの第１共重合体のＥの平均値は第２共重合体のＥの平均値よりも小さい。

ある態様において、シロキサンブロックは構造式（４）または（５）で示されるものである。

式中、Ｅは構造式（３）で定義されたものと同じであり、それぞれのＲは同じでも異なっていても良く、構造式（３）で定義されたものと同じであり、Ａｒは同じでも異なっていても良く、置換または非置換Ｃ_６～３０アリーレンであって、その結合は芳香族基に直接結合しており、それぞれのＲ^５は独立して二価のＣ_１～３０有機基である。シロキサンブロックは、対応するジヒドロキシ化合物の反応残基である。構造式（４）中のＡｒ基は、Ｃ_６～３０ジヒドロキシアリーレン化合物、例えば、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）エタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）オクタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－ｎ－ブタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシ－１－メチルフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（４－ヒドロキシフェニルスルフィド）、および１，１－ビス（４－ヒドロキシ－ｔ－ブチルフェニル）プロパン、またはこれらの組み合わせから誘導することができる。詳細な態様において、シロキサンブロックは構造式（５ａ）で示されるものである。

式中、ＲおよびＥは構造式（３）で定義されたものと同じであり、Ｒ^６は二価のＣ_２８脂肪族基であり、それぞれのＭは同じでも異なっていても良く、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ_１～８アルキルチオ、Ｃ_１～８アルキル、Ｃ_１～８アルコキシ、Ｃ_２～８アルケニル、Ｃ_２～８アルケニルオキシ、Ｃ_３～８シクロアルキル、Ｃ_３～８シクロアルコキシ、Ｃ_６～１０アリール、Ｃ_６～１０アリールオキシ、Ｃ_７～１２アリールアルキレン、Ｃ_７～１２アリールアルキレンオキシ、Ｃ_７～１２アルキルアリーレン、またはＣ_７～１２アルキルアリーレンオキシであって良く、それぞれのｎは独立して、０、１、２、３、または４である。ある態様において、Ｍは、ブロモまたはクロロ、アルキル（メチル、エチル、プロピルなど）、アルコキシ（メトキシ、エトキシ、プロポキシなど）、またはアリール（フェニル、クロロフェニル、トリルなど）であり、Ｒ^６は、ジメチレン、トリメチレン、またはテトラメチレンであり、Ｒは、Ｃ_１～８アルキル、ハロアルキル（トリフルオロプロピルなど）、シアノアルキル、またはアリール（フェニル、クロロフェニル、トリルなど）である。別の態様において、Ｒは、メチル、またはメチルとトリフルオロプロピルとの組み合わせ、あるいはメチルとフェニルとの組み合わせである。更に別の態様において、Ｒはメチルであり、Ｍはメトキシであり、ｎは１であり、Ｒ^６は二価のＣ_１～Ｃ_３脂肪族基である。具体的なシロキサンブロックは、構造式（５ｂ）、（５ｃ）、または（５ｄ）で示されるもの、またはこれらを含む組み合わせであり、

式中、Ｅの平均値は、２～２００、２～１２５、５～１２５、５～１００、５～５０、２０～８０、または５～２０である。

不透明または透明なポリ（カーボネート－シロキサン）が使用可能であり、透明な共重合体は、ビスフェノールＡから誘導したカルボナート単位（１）と、繰り返しシロキサン単位（５ｂ）、（５ｃ）、（５ｄ）、またはこれらの組み合わせ（望ましくは構造式５ｂのもの）とを含むことができ、このとき、Ｅの平均値は４～５０、４～１５、５～１５、６～１５、または７～１０である。透明な共重合体は、米国特許出願公開第２００４／００３９１４５Ａ１号に記載の管型反応器法、または、ポリ（シロキサン－カーボネート）共重合体の合成に使用できる、米国特許第６，７２３，８６４号に記載の方法の、一方または両方を用いて製造可能である。（カーボネート－シロキサン）のその他の製造法は、例えば、欧州特許第０５２４７３１Ａ１号、５頁、調製法２、または米国特許第８３８９６６２号に記載されている。

ポリ（カーボネート－シロキサン）は、５０～９９質量％のカルボナート単位と１～５０質量％のシロキサン単位を含むことができる。この範囲内で、ポリ（カーボネート－シロキサン）は、７０～９８質量％、より望ましくは７５～９７質量％のカルボナート単位と、２～３０質量％、より望ましくは３～２５質量％のシロキサン単位を含むことができる。ポリ（カーボネート－シロキサン）は、架橋スチレン－ジビニルベンゼンカラムを使用し、試料濃度を１ｍｇ／ｍｌとし、ビスフェノールＡポリカーボネート標準で較正した、ゲル浸透クロマトグラフィーによる測定で、２，０００～１０万Ｄａ、望ましくは５,０００～５万ＤａのＭｗを持つことができる。ポリ（カーボネート－シロキサン）は、３００℃／１．２ｋｇでの測定で、１～５０立方ｃｍ／１０分（ｃｃ／１０分）、望ましくは２～３０ｃｃ／１０分の溶融体積流量（melt volume flow rate）を持つことができる。流動性の異なるポリ（カーボネート－シロキサン）の混合物を用いて、全体的に好ましい流動性とすることができる。

次に、スリップ剤と併用する粗面化剤について述べるならば、第１のタイプの粗面化剤は、フィルム表面から物理的に突出して表面に粗さを与える粒子状材料である。無機微粒子、例えば、合成シリカ、石灰石、天然シリカ、タルク、ゼオライトなどをポリマー組成物に加えることは知られている。しかし、本発明の発明者は、有機粗面化剤を用いると優れた結果が得られることに気付いた。理論によって束縛するものではないが、無機微粒子は凝集して、押出し工程の際にメルトフィルタ（melt filter）を目詰まりさせ、コンデンサフィルムの製造を妨げると考えられる。また、無機微粒子が凝集し易いとフィルム中に電気的弱点を生じ、フィルムの電気的性能の低下につながることがある。一方、有機粗面化剤は、微粒子状有機粗面化剤が組成物全体により均一に分散して、押出しの際にメルトフィルタを詰まらせないよう、高温コポリカーボネートと相溶性にすることができる。更に、微粒子状有機粗面化剤は無機微粒子よりも柔軟性または伸縮性があり、これによってもフィルタの目詰まりを防ぐと考えられる。他方、有機微粒子は、コンデンサフィルムの誘電特性に悪影響を及ぼすことがある。

発明者は、柔軟な有機粗面化剤により、良好な加工性、取扱い性、および誘電特性の都合の良い組み合わせが得られることを発見した。本件で用いる“柔軟性”とは、粗面化剤が圧力下では変形し、または形状が変わるが、その粒子の形は保てることを意味する。このような粒子となる材料は１０～９０、例えば５０～８０のショア（Shore）OOデュロメータ硬度（Durometer rating）を持つことができる。この基準に合う第１の粗面化剤は、架橋シリコーン、望ましくはシルセスキオキサン、より望ましくはポリメチルシルセスキオキサンとすることができる。シルセスキオキサンは、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含み、四面体の頂点がＳｉとなったかご形構造物である。シルセスキオキサンは、６、８、１０、および１２個のＳｉ頂点を持つ分子構造、更に、ポリマー構造を持つことができる。かご形構造は、それぞれ、Ｔ_６、Ｔ_８、Ｔ_１０、およびＴ_１２（Ｔ＝四面体頂点）と呼ばれることもある。Ｔ_８かご形は、化学式 ［Ｒ－ＳｉＯ_１．５］_８ （または、Ｒ_８Ｓｉ_８Ｏ_１２に等しい）で示される。それぞれのＳｉ中心は３つのオキソ基と結合し、このオキソ基は他のＳｉ中心とも結合している。Ｓｉ上の４番目の基はＲ基である。それぞれのＲ基は独立して、Ｃ_１～８アルキル、Ｃ_１～８アルキレン、アクリラート、メタクリラート、ヒドロキシル、またはエポキシドとすることができる。

微粒子状架橋シリコーンは、例えば、Momentive Performance Chemicalsより、TOSPEARLの商標名で市販されている。TOSPEARLなどの架橋シリコーンは球状で、柔軟なゲル様のコンシステンシーを持つため、細かいフィルタを使用する工程にも適応できる。例えば、組成物をメルトフィルタ（例えば、５μｍのフィルタ）に通す場合、この粗面化剤はフィルタを目詰まりさせず、無機微粒子を粗面化剤として用いた場合に起こる問題が避けられる。

有機粗面化剤の粒子、特に、シルセスキオキサンなどの架橋シリコーンは、規則的な形（例えば、球状）や不規則な形など、どのような形状であっても良い。微粒子状有機粗面化剤の直径はフィルムの厚さに応じて変えることができ、望ましい粗さとなるように選ぶ。文中で使用している“直径”とは、球状粒子の直径、または、球形でない粒子と同じ体積を持つ球の直径を指す。微粒子状有機粗面化剤は、０．１～５μｍ、例えば０．２～３μｍまたは０．５～２μｍ、別の態様において０．１～１μｍまたは０．２～０．８μｍ、更に別の態様において１～３μｍの平均直径を持つことができる。ある態様において、微粒子状有機粗面化剤は、０．１～５μｍ、例えば０．２～３μｍまたは０．５～２μｍ、別の態様において０．１～１μｍまたは０．２～０．８μｍ、更に別の態様において１～３μｍの平均直径を持つことができる。望ましくは、粒子は、製造が容易になるよう、５μｍ以下の最大直径を持つ。粒子は更に、狭い粒度分布を持つことができ、例えば、最小直径と最大直径との差は０．２～２．０μｍ、０．３～１μｍ、または０．４～０．８μｍである。平均（Average）、平均（mean）、最少、および最大直径は、粒子試料の走査型電子顕微鏡分析により、クールタカウンタにより、あるいは、吸光度と粒子濃度との比例関係をストークスの沈降方程式と組み合わせて使用し、光透過率から測定値を求める、重力加速度および遠心加速度を用いた液相光沈降法（liquid phase photosedimentation）によって求めることができる。

第２のタイプの粗面化剤は、コポリカーボネートおよび必要に応じて追加したポリカーボネートと部分的に混和性のポリマーであって、コンデンサフィルムの機械的特性、誘電特性、または加工性にあまり悪影響を及ぼさないように選ぶ。理論によって束縛するものではないが、このようなポリマー粗面化剤は、コポリカーボネートと、必要に応じて追加したポリカーボネートとを含む連続相中に混和しない島（islands）を生成すると考えられる。理論によって束縛するものではないが、加工の際、特に押出しの際、この島は小さく微細になり、フィルム表面へ移動して押出しフィルムに粗さを生じると考えられる。第２粗面化剤の島は、フィルム表面に不均一に分配される。

第２粗面化剤は環状オレフィン共重合体（ＣＯＣ）とすることができる。ＣＯＣは、例えば、環状オレフィンモノマー（８，９，１０－トリノルボルナ－２－エン（ノルボルネン）、１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ－オクタヒドロ－１，４：５，８－ジメタノナフタレン（テトラシクロドデセン）など）と、非環状オレフィン系モノマー（エテンなど）との連鎖重合により、または、様々な環状モノマーを開環メタセシス重合後に水素化することによって製造できる。１種類のモノマーを使用する後者の材料も、文中で使用している用語の、ＣＯＣの範疇に含まれる。環状オレフィンモノマーは環内二重結合（二重結合の両方の炭素原子が環内にある）または環外二重結合（炭素結合の一方は環内にあるが、もう一方はそうではない）を含む。ＣＯＣの製造に使用できる環状オレフィンモノマーの例としては、ノルボルネンおよびその誘導体（２－ノルボルネン、５－メチル－２－ノルボルネン、５，５－ジメチル－２－ノルボルネン、５－ブチル－２－ノルボルネン、５－エチリデン－２－ノルボルネン、５－メトキシカルボニル－２－ノルボルネン、５－シアノ－２－ノルボルネン、５－メチル－５－メトキシカルボニル－２－ノルボルネン、５－フェニル－２－ノルボルネンなど）と、シクロペンタジエンおよびその誘導体（ジシクロペンタジエン、２，３－ジヒドロシクロペンタジエンなど）が挙げられる。他の環状オレフィンモノマーは、米国特許第５０８７６７７号に記載されている。環状オレフィンモノマーを１つ以上含む組み合わせも使用できる。

非環状オレフィンモノマーは、モノマー中に存在する環の完全に外に二重結合を含むものである。非環状オレフィンモノマーの例としては、１～２０個の炭素原子、望ましくは１～１２個の炭素原子、最も望ましくは１～６個の炭素原子を含むアルケンが挙げられる。α－オレフィン、例えば、エチレン、１－プロペン、および１－ブテンが望ましい。他の非環状オレフィンモノマーとしては、４－メチル－１－ペンテン、１－ヘキセン、１－オクテン、１－デセン、１－ドデセン、１－テトラデセン、１－ヘキサデセン、１－オクタデセンおよび１－エイコセン、１，４－ヘキサジエン、４－メチル－１，４－ヘキサジエン、５－メチル－１，４－ヘキサジエン、１，７－オクタジエン、５－エチリデン－２－ノルボルネン、および５－ビニル－２－ノルボルネンが挙げられる。望ましくは、非環状オレフィンモノマーはエチレンである。

望ましい態様において、ＣＯＣは環状オレフィンモノマーとエチレンとの共重合体である。別の態様において、ＣＯＣはノルボルネンとエチレンとの共重合体である。ＣＯＣは、ポリマーの総モル数に対して、少なくとも１５モルパーセント（mol％）の、環状オレフィンモノマーから誘導した単位、あるいは１５～９０mol％または１５～４０mol％の、不飽和環状モノマーから誘導した単位を含むことができる。ＣＯＣは、６０～１８０℃、６０～１５０℃、７０～１００℃、または１００～１８０℃のＴｇを持つことができる。ＣＯＣは、ＩＳＯ ７５、パート１および２に従った、０．４５ＭＰａでの測定で、１２０～１７５℃の熱たわみ温度を持つことができる。適当なＣＯＣは、Topas Advanced Polymersより、TOPASの商標名で販売されている。

フィルム中、即ち、フィルムの製造に用いる組成物中におけるそれぞれのコポリカーボネートとＣＯＣの相対量は、望ましい特性を持つフィルムが得られるよう変えることができる。全ての成分の合計が１００質量％に等しくなるとして、ＣＯＣの存在量は、１～３０質量％、１～２０質量％、または１～１５質量％、望ましくは２～１０質量％とすることができる。

望ましい態様において、フィルム形成組成物は、高温ポリカーボネートと、有機スリップ剤と、第１粗面化剤と、必要に応じて第２粗面化剤とを含み、必要に応じてビスフェノールＡホモポリマーと、必要に応じて酸化防止剤とを含む。高温コポリカーボネートは、組成物の全質量の６５．０～９９．８５質量％で存在でき、水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対する炭素原子の数比は０．８３から１．１２未満である。高温ポリカーボネートは、望ましくは、Ｎ－フェニルフェノールフタレイニルビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノンビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、またはこれらの組み合わせである。有機スリップ剤は、組成物の全質量の０．１～１５．０質量％で存在でき、望ましくは、四ステアリン酸ペンタエリトリトール、六ステアリン酸ジペンタエリトリトール、三ステアリン酸グリセロール、高密度ポリエチレン、ポリメチルペンテン、またはポリ（カーボネート－シロキサン）、あるいはこれらの組み合わせである。有機スリップ剤がポリ（カーボネート－シロキサン）である場合、フィルム形成組成物中におけるポリ（カーボネート－シロキサン）の望ましい量は、組成物の全質量の５．０～１５．０質量％である。有機スリップ剤がポリ（カーボネート－シロキサン）以外である場合、フィルム形成組成物中の有機スリップ剤の望ましい量は、組成物の全質量の０．１～５．０質量％である。組成物の全質量に対してそれぞれ、第１粗面化剤の存在量は０．０５～０．５質量％、第２粗面化剤の存在量は２．０～１０．０質量％とすることができる。

酸化防止剤の存在量は、組成物の全質量に対して０．０２～０．０６質量％とすることができる。

フィルム形成組成物および押出しフィルムに含まれるある種の金属イオンの濃度が低いと良好な電気的特性が得られる。つまり、フィルム形成組成物およびフィルムに含まれるアルミニウム、カルシウム、クロム、マグネシウム、鉄、ニッケル、カリウム、マンガン、モリブデン、ナトリウム、チタン、および亜鉛のそれぞれの質量は、５０ｐｐｍ未満、望ましくは４０ｐｐｍ、３０ｐｐｍ、２０ｐｐｍ、または１０ｐｐｍ未満とすることができる。ある態様において、フィルム形成組成物およびフィルム中のアルミニウム、カルシウム、クロム、マグネシウム、鉄、ニッケル、カリウム、マンガン、モリブデン、ナトリウム、チタン、および亜鉛の総量は１０ｐｐｍ未満である。コポリカーボネートと、必要に応じて追加するポリカーボネートの他に、フィルム形成組成物およびフィルムには、コンデンサフィルムに通常加えられる様々な添加剤を、これらの添加剤がフィルム形成組成物およびフィルムの望ましい特性、特に絶縁破壊強さにあまり悪影響を与えないように選ばれているならば、加えることができる。この理由により、イオン性の添加剤は望ましくは使用しない。使用可能な添加剤としては、耐衝撃性改良剤、流動性改良剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、可塑剤、滑剤、離型剤、防曇剤、抗菌剤、放射線安定剤、非イオン性難燃剤、アンチドリップ剤、またはこれらの組み合わせが挙げられる。一般に、それぞれの添加剤は、効果があることが一般的に知られている量、例えば、０．００５～５質量％の量で使用される。ある態様において、添加剤の総量は、フィルム形成組成物またはフィルムの全質量に対して０．０１～５質量％とすることができる。

酸化防止剤としては、有機亜リン酸エステル（亜リン酸トリス（ノニルフェニル）、亜リン酸トリス（２，４－ジ－ｔ－ブチルフェニル）、二亜リン酸ビス（２，４－ジ－ｔ－ブチルフェニル）ペンタエリトリトール、二亜リン酸ジステアリルペンタエリトリトールなど）；アルキル化モノフェノールまたはポリフェノール；ポリフェノールとジエンとのアルキル化反応生成物（テトラキス［メチレン（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシヒドロケイ皮酸）］メタンなど）；ｐ－クレゾールまたはジシクロペンタジエンのブチル化反応生成物；アルキル化ヒドロキノン；ヒドロキシル化チオジフェニルエーテル；アルキリデンビスフェノール；ベンジル化合物；β－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸と一価または多価アルコールとのエステル；β－（５－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）プロピオン酸と一価または多価アルコールとのエステル；チオアルキルまたはチオアリール化合物のエステル（チオプロピオン酸ジステアリル、チオプロピオン酸ジラウリル、チオジプロピオン酸ジトリデシルなど）、３－（３，５－ｄｉ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸オクタデシル、テトラキス３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸ペンタエリトリトール（pentaerythrityl）；β－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸のアミド、または前述の酸化防止剤の少なくとも１つを含む組み合わせが挙げられる。酸化防止剤の使用量は、フィルム形成組成物またはフィルムの全質量に対して０．０１～０．２質量％とすることができる。

熱安定剤添加物としては、有機亜リン酸エステル（例えば、亜リン酸トリフェニル、亜リン酸トリス（２，６－ジメチルフェニル）、亜リン酸トリス（混合モノおよびジノニルフェニル）など）、ホスホン酸エステル（例えば、ホスホン酸ジメチルベンゼンなど）、リン酸エステル（例えば、リン酸トリメチルなど）、または、前述の熱安定剤の少なくとも１つを含む組み合わせが挙げられる。熱安定剤は、IRGAPHOS 168として市販されている、亜リン酸トリス（２，４－ジ－ｔ－ブチルフェニル）であっても良い。熱安定剤の使用量は、フィルム形成組成物またはフィルムの全質量に対して０．０１～５質量％とすることができる。

ある態様において、押出しフィルムは、６５．０～９９．８５質量％の高温コポリカーボネートと、５．０～１５．０質量％のポリ（カーボネート－シロキサン）スリップ剤と、０．１～５．０質量％の、ポリ（カーボネート－シロキサン）スリップ剤以外の有機スリップ剤と、必要に応じて、０．０２～０．０６質量％の酸化防止剤とを含み、このとき、それぞれの量は組成物の全質量に対してであって、その合計は１００質量％であり、高温コポリカーボネートの、水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対する炭素原子の数比は１．１２未満、望ましくは０．８３から１．１２未満である。

ある態様において、押出しフィルムは、６５．０～９９．８５質量％の高温コポリカーボネートと、２．０～１０．０質量％の環状オレフィン共重合体粗面化剤と、０．１～５．０質量％の有機スリップ剤と、必要に応じて、０．０２～０．０６質量％の酸化防止剤とを含み、このとき、それぞれの量は組成物の全質量に対してであって、その合計は１００質量％であり、高温コポリカーボネートの、水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対する炭素原子の数比は１．１２未満、望ましくは０．８３から１．１２未満である。

コンデンサフィルムは、フィルム形成組成物を押出して製造する。フィルム形成組成物は、良く混和した混合物ができるような条件下で成分を混合することにより調製できる。このような条件には、単軸または二軸型押出機、ミキシングボウル、または同様に成分に剪断力を加えられる混合装置内で溶融混合する工程がしばしば含まれる。二軸押出機は、単軸押出機よりも混合性能および自己清掃性能（self-wiping capability）が良いため望ましいことが多い。押出機の少なくとも１つの排出口を通過する際に混合物を減圧して、組成物中の揮発性不純物を除去することはしばしば有益である。溶融前に成分を乾燥することもしばしば有益である。ポリマーの分解を少なく、または分解させないようにする一方、十分に溶融させて、未溶融成分の全くない良く混和したポリマー混合物ができるよう、溶融工程は２４０～３６０℃で行うことができる。ポリマー混合物は、キャンドルフィルタまたはスクリーンフィルタを用いて溶融濾過（melt filtered）し、好ましくない黒いちりや異質な汚染物質を除くことができる。

フィルム形成組成物は、従来から熱可塑性組成物で使用されている、フラットダイ（flat die）を用いる押出機を使って押し出すことができる。押出しキャストフィルム法は、前述のフィルム形成組成物を押出機中で溶融する工程と、溶融したフィルム形成組成物を、リップ間隙の狭い（small lip gap separation）フラットダイを通して搬送する工程と、必要に応じて、相対的に高い巻取り速度でフィルムを延伸する工程と、フィルム形成組成物を冷却／固化して最終的なフィルムを形成する工程とを含むことができる。押出機は、単軸または二軸構造のものとすることができ、メルトポンプを用いて、ダイを通る、一定した、脈動しないポリマーの流れを生じることができる。ダイリップ間隙は１００～２００μｍ程度に小さくすることができ、巻取りローラは、最大２００メートル（ｍ）／分の速度で作動させることができる。この設計には、フィルムを焼戻し（temper）／焼鈍し（anneal）して、凍結される（frozen-in）内部応力の発生を少なくするための、加熱ローラを追加しても良い。フィルム端をトリミングし、張力を制御した巻取り装置を用いて、フィルムをロールに巻くことができる。ダイを通る溶融ポリマーの流れを一定および均一にする精度、フィルムの製造に使用するポリマーのレオロジー特性、ポリマーおよび装置の両方の清浄度、巻取り装置の機械的特性は全て、比較的薄い押出しフィルムの良好な製造に寄与すると考えられる。

押出しキャストフィルム法は有益なことに、スケールアップ（大規模製造など）が容易な一段階工程とすることができる。溶融押出しは、少なくとも次の理由で溶液流延法よりも有利である。ある種の高温コポリカーボネートフィルムの溶液流延法について述べられたものはあるが、そのフィルムが大規模製造であるという記述はない。溶液流延法はまた、溶媒を使用する必要があり、これにより加工コストが上がり、ＶＯＣｓを発生させ、廃棄物管理の懸念が生じることがある。驚くことに、高分子量または高Ｔｇのポリマーであることを考慮に入れても、ポリマーの環境を、材料の熱分解または機械的分解を起こすおそれのある必要以上の温度にしないように、押出し工程を設計することができる。溶融物用の濾過装置を使用すると、溶融物から適切に除去されないとフィルムの品質、つまりフィルムの誘電特性に悪影響を及ぼすおそれのある粒子状汚染物質を実質的に含まないフィルムができる。この方法で製造されたフィルムは薄く（厚さ１０μｍ以下）、全体的に厚さが均一で平らである。皺やたるみのないフィルムを製造することができる。

溶融したフィルム形成組成物は、メルトポンプを使って、押出機ダイを通して搬送することができる。ある態様において、２５０～５００℃、例えば３００～４５０℃の温度でフィルムを押し出し、押出しフィルムを一軸延伸して誘電体基板フィルムを製造する。ある態様において、フィルム形成組成物の成分を配合、溶融、および密接に混合後、メルトフィルタ（例えば、２～１５μｍまたは３～５μｍ）に通して濾過し、１５μｍを超える、１０μｍを超える、望ましくは５μｍを超える、または望ましくは３μｍを超える大きさの粒子を除去し、前述の温度でフラットダイを通して押し出す。フィルムはダイから出ると同時に流れ方向に引き延ばされ、２５０μｍ（ダイリップ開口部）からフィルムの最終的な厚さである３～１５μｍとなる。フィルムは後に述べるように直接金属化しても良く、あるいは貯蔵または輸送のため巻取りロールに巻き取っても良い。ある態様において、フィルムは、少なくとも１０メートル、または１００～１万ｍの長さと、少なくとも３００ｍｍ、または３００～３，０００ｍｍの幅を持つことができる。フィルムを押し出す速度は変えることができる。商業的な態様では、フィルムの押出し速度は１０ポンド／時間（４．５ｋｇ／時間）から１０００ポンド／時間（４５０ｋｇ／時間）まで変えることができる。押出機のダイプレートからフィルムを引き出す速度（巻取り速度）は１０ｍ／分～３００ｍ／分の範囲とすることができる。

本ポリマーフィルムはどのような非晶質フィルムの用途にも使用できるが、コンデンサや他の電子デバイスを製造するための金属化に特に適している。フィルムは、その少なくとも一方の側を金属化することができる。フィルムの使用目的に応じて様々な金属および金属合金、例えば、銅、アルミニウム、銀、金、ニッケル、亜鉛、チタン、クロム、バナジウム、白金、タンタル、ニオブ、黄銅、または前述のものの少なくとも１つを含む組み合わせが使用できる。フィルムは少なくとも一方の側、つまり、後で詳しく述べるように、光学的プロフィロメトリー（表面粗さ測定法：profilometry）でそれぞれ定義および測定する、表面粗さＲａ、Ｒｚ、またはＲｙを備えている側を金属化する。ポリマーフィルムの金属化法は知られており、例えば、真空金属蒸着（vacuum metal vapor deposition）、金属スパッタリング、プラズマ処理、電子ビーム処理、化学酸化、または還元反応、更に、無電解湿式化学析出法（electroless wet-chemical deposition）が挙げられる。従来の無電解めっき法でフィルムの両側を金属化しても良い。別の態様では、模様のある金属層を、例えばインクジェット印刷法でフィルム表面に形成することができる。

金属化層の厚さは金属化フィルムの使用目的によって決まり、例えば、０．１～１０００ｎｍ、０．５～５００ｎｍ、または１～１０ｎｍとすることができる。ある態様において、金属フィルムの厚さは、１～３０００オングストローム（Å）、１～２０００Å、または１～１０００Åとすることができる。導電性金属を用いる場合、フィルム上の金属層の抵抗率は、ＡＳＴＭ Ｄ２５７による測定で、０．１～１０００オーム（Ω）／平方（Ohm per square）、または２．０～１２５．０Ω／平方の範囲で変えることができる。

このようにして製造したフィルムおよび金属化フィルムは様々な有利な物理的特性を備えている。

この押出しフィルムは非常に薄く、１～１０μｍ、１～７μｍ、３～７μｍ、または３～５μｍの厚さとすることができる。

ある態様において、非金属化フィルムの絶縁破壊強さは、１５０℃において、７００ Ｖ／μｍよりも大きく、望ましくは７００～１２５０Ｖ／μｍ、より望ましくは７８０～１０００Ｖ／μｍ、更に望ましくは７５０～９００Ｖ／μｍである。ある態様において、フィルムの絶縁破壊強さは、１５０℃において、環状オレフィン共重合体を含まない同様のフィルムよりも１５～５０％大きい。

非金属化フィルムのＴｇは、ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従った、昇温速度１℃／分、周波数１Ｈｚでの測定で、１５０～２５０℃、１７０～２５０℃、１７５℃～２４０℃、１８０℃～２４０℃、または１９０℃～２４０℃、望ましくは１８０～２５０℃とすることができる。従って、この押出しフィルムは高温（high heat）用途、例えば、自動車などの輸送機械用の巻回型コンデンサに適している。

Bosch試験クリアリングカウント（Bosch Test clearing count）（後に述べる試験法）を、３００Ｖ／μｍにおいて０～１０とすることができる。

非金属化フィルムは高い比誘電率、より詳しくは、１ｋＨｚ、２０℃、相対湿度５０％での測定で、２．５よりも大きい、望ましくは２．５～３．４の比誘電率を持つことができる。

非金属化フィルムは、１ｋＨｚ、２０℃、相対湿度５０％での測定で、０．１以下、または０．０１以下の散逸率を持つことができる。

非金属化フィルムの厚さの均一性は、ある特定の範囲に亘ってフィルムの厚さの変動を測定することで求められる。ある態様において、非金属化フィルムの厚さの変動は、測定した領域全体のフィルムの平均厚さに対して、プラスまたはマイナス（＋／－）１０％以下、あるいは＋／－９％以下、＋／－８％以下、＋／－６％以下、または＋／－５％、＋／－４％、＋／－３％、＋／－２％、＋／－１％以下とすることができる。ある態様では、厚さの変動を、＋／－１％程まで小さくすることができる。

非金属化フィルム表面の粗さは、光学的プロフィロメトリーによって表面粗さ特性値を測定することで、より詳しくは算術平均粗さ（Ｒａ）、最大高さ表面粗さ（Ｒｙ）、および交差点平均高さ（Ｒｚ）で定量化することができる。押出しフィルムの表面粗さを最適化することで、押出し、マスターロールへの巻取り、金属化、スリッティング、および乾式巻回型コンデンサへの最終的な巻取りの際の、フィルムの滑りを良くし、また扱い易くする。取扱い、巻取り、またコンデンサの平坦化に良い滑り性のレベルとするには、より高い表面粗さが好ましい。滑り性能に対するＲａおよびＲｚの関係をそれぞれ図２および図３に示す。一方、巻回型コンデンサの体積効率とフィルムの絶縁破壊強さを最大化するのに最も適したフィルムの表面粗さは、できるだけ小さいことである。図４および図５に示すように、表面粗さが大きいと絶縁破壊数が多くなる。従って、望ましい表面粗さは、押出しおよびマスターロールへの巻取りの際に、更に、適用できるならば、金属化、スリッティング、および乾式巻回型コンデンサへの巻取りの際に、滑りが良く、取り扱い易いよう最適化しつつ、可能な限りＲａ、Ｒｙ、またはＲｚ（望ましくは３つ全て）を小さくしたものである。ある態様において、非金属化フィルムは、光学的プロフィロメトリーによる測定で、フィルムの平均厚さの＋／－３％未満、＋／－２％未満、または＋／－１％程までに低い平均Ｒａを持った表面を持つことができる。別の態様において、非金属化フィルムは、０．０１～０．０４％の平均または絶対Ｒａと、０．０５～０．２の平均または絶対Ｒｚと、０．０５～０．３５の平均または絶対Ｒｙを持った表面を持つことができる。別の態様において、非金属化フィルムは、フィルムの平均厚さの＋／－３％未満、＋／－２％未満、または＋／－１％程までに低い平均Ｒａと、０．０５～０．２の平均または絶対Ｒｚと、０．０５～０．３５の平均または絶対Ｒｙを持った表面を持つことができる。

フィルムおよび金属化フィルムは本質的に無溶媒、つまり、含まれる２５０Ｄａ未満の分子量を持つ化合物を、１，０００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、または２５０ｐｐｍ未満とすることができる。

フィルムおよび金属化フィルムは、ポリカーボネート層中に含まれるアルミニウム、カルシウム、クロム、マグネシウム、鉄、ニッケル、カリウム、マンガン、モリブデン、ナトリウム、チタン、および亜鉛のそれぞれを、５０ｐｐｍ未満、２５ｐｐｍ未満、または１０ｐｐｍ未満とすることができる。

この金属化フィルムはどのような金属化フィルムの用途にも使用できるが、電気的用途、例えば、コンデンサまたは回路材料として特に適している。

高エネルギー密度で高電圧の無極性コンデンサは、円筒形に巻いた金属化ポリマーフィルムを用いて製造することができる。より詳細な態様において、ポリマーフィルムを押出し後、真空チャンバ内で蒸着して、移動するポリマーフィルム上に銅やアルミニウムなどの導電性金属を、例えば、１Å～１０００ｎｍ、１～３０００Å、または１～１０００Åの厚さに吹き付けて金属化する。押出しフィルム上の金属の抵抗率は、ＡＳＴＭ Ｄ２５７による測定で、０．１Ω／平方～１００Ω／平方の範囲とすることができる。最後に末端に金属化を行う際にコンデンサの電極の電気的短絡が起きないよう、金属化フィルムを交互に重ねた層（コンデンサを組み立てた際）の両側の（opposite）縁に非金属化部分が残るように、金属化工程を行う前に押出しフィルムを適切にマスキングして、フィルム幅の縁に金属化しないマージンを作ることができる。

次に、２枚重ねた金属化ポリマーフィルムを管状に巻いてコンデンサを製造することができる。電気配線をそれぞれの金属層に繋ぐ。より詳細な態様において、２本の別々の金属化フィルムのロールをコンデンサ巻取機内に置き、層が、ポリマー組成物／金属化層／ポリマー組成物／金属化層の順に並ぶよう、共にマンドレル（後に除去できる）にしっかりと巻き付け、典型的なコンデンサの構造、即ち、２枚の金属層で挟まれた誘電体を作る。両側に非金属化マージンを設けて、２本のフィルムロールを巻く。

コンデンサを巻取る程度は、希望するコンデンサの物理的大きさや希望する電気容量に応じて変わる。２本のロールをきつく巻くと、早期の故障に繋がる空気の閉じ込めを避けることができる。個々のコンデンサは、異物による誘電体フィルム層間の接点の汚染の可能性を低くするため、また、誘電体に入り込む湿気を少なくするため、少なくともクラス１００のクリーンルーム環境（ＨＥＰＡフィルタを設置）内で加工することができる。電気巻取機（Electric winding）を用いると、それぞれのコンデンサにより均一な張力を保つことができる。次に、コンデンサの端を縛り、両側の開いたトレイ内に固定して、フィルム層の巻き戻りを防止し、また円筒の縁または端に、導電性元素、例えば、亜鉛含量の高いはんだを、次に、９０％のスズと１０％の亜鉛から成る通常の軟らかなエンドスプレーはんだ（end spray solder）をスプレーできるようにする。最初のスプレーで金属化表面を擦り、誘電体フィルム上の金属層（metallization）との接触を良くするための溝を作る。エンドスプレーを組み合わせると終端（final termination）との接着が更に良くなる。次に、導電性の、例えば、アルミニウムリード線をそれぞれの端にはんだ付けして終端を作ることができる。一方の終端を缶の底にスポット溶接し、他方の終端を蓋にストレートビード溶接（parallel welded）することができる。真空充填装置内でコンデンサに含浸液（例えば、イソプロピルフェニルスルホン）を充填し、閉じることができる。

他のコンデンサ構造も可能である。例えば、コンデンサは、重ねて配置した少なくとも１つの第１および第２電極と、第１および第２電極の間に、それぞれと少なくとも部分的に接するよう配置した押出しフィルムとを含む平坦構造とすることができる。追加の押出しフィルムと電極層を、交互に配置した層として加えても良い。つまり、電子デバイスを作るための多層構造物も、ポリマー組成物／金属層／誘電体層を含む本発明の範囲に含まれ、このとき、誘電体層は、文中に述べられているポリマー組成物フィルムでも、他の誘電材料であっても良い。必要に応じて、追加の層（例えば、追加の交互に並んだ誘電体／金属層）を加えることができる。

押出しフィルム、金属化フィルム、およびフィルムを含むコンデンサは様々な用途、例えば、輸送（航空、陸上、および海上）用途に有用である。最新の電気およびハイブリッド電気輸送の設計では、バッテリまたは燃料電池からの直流（ＤＣ）を駆動モータのための高圧交流（ＡＣ）に変換する電力回路の部品として、二軸延伸ポリプロピレン（ＢＯＰＰ）フィルムを含む大型コンデンサを使用している。これらのＢＯＰＰコンデンサは、電力損失を小さくするため車両のボンネット下に設置されるが、エンジンルーム内の温度はＢＯＰＰを溶融させる程に高い。現在の解決法は、ＢＯＰＰコンデンサの溶融を防ぐ電子ユニットへの特別な専用冷却ループを設けることである。このような冷却ループの追加は非常にコストがかかり、また自動車を重くする。本コンデンサフィルムは、回生ブレーキによるバッテリの再充電と、駆動装置への電力供給の両方が可能な、電気自動車およびハイブリッド車（例えば、自転車、モペッド、オートバイ、自動車、トラックを含む）を実現する、インバータ／コンバータユニットを作る上で有用である。インバータは、バッテリからの低電圧（＜２５０Ｖ）ＤＣ出力を、駆動モータを効率良く作動させるために必要な高電圧（＞６００Ｖ）ＡＣ出力へ変換する回路の一部である。これらのコンデンサは、エンジンルームからの外部加熱と回路抵抗による内部加熱の両者による高温環境中で作動することが望ましい。本コンデンサフィルムおよびこのフィルムを含むコンデンサは、車両用途で用いられる高温（例えば、１４０～１５０℃）に耐えることができる。

以下の実施例により、本開示内容を更に詳しく説明するが、これらに限定するものではない。

実施例で使用する材料を表１に示す。

＜製造方法＞
指示されている場合を除き、全ての組成物は、Werner & Pfleiderer同方向回転二軸押出機（長さ／直径（Ｌ／Ｄ）比＝３０／１、ダイフェース付近に真空ポートを設置）で混和した。二軸押出機は、ポリマー組成物を良く混ぜ合わせるために十分な分配および分散混合要素を備えている。組成物を、２８５～３３０℃の温度で混和したが、本方法はこの温度範囲に限定されないことは明らかであろう。溶融物の流れが脈動しないようメルトポンプを利用し、２５ミリメートル（ｍｍ）の単軸押出機を用いてフィルムを押出した。２９０～３５０℃の温度でダイ中の溶融物圧力が最適となるように、メルトポンプを調節した。ダイ間隙を１００～３００μｍとした、４５０ｍｍ幅の垂直Ｔダイを通して溶融物を押し出した。溶融物カーテンを磨いた冷却ロール上に排出し、流れ方向に延伸して３～１５μｍの厚さとした。均一で一定したフィルム厚さとなるよう、メルトポンプの排出量と下流の装置の巻取り速度が釣り合うようにゲージを調整した。

＜試験方法＞
フィルムの摩擦係数（ＣｏＦ）を、ＡＳＴＭ Ｄ１８９４に従い、２つの面上、一方は、アルミニウムから作成した金属化２００ｇ Boppそり（６３．５ｍｍ×６３．５ｍｍの面）、またはそれぞれの試料自体の上で測定した。パラメータは以下のとおりであった。（１）テーブルは強化ガラス（１５０ｍｍ×６００ｍｍ）、（２）試験速度は１５０ｍｍ／秒、（３）試験伸長は５０ｍｍ、（４）ロードセルは１０Ｎ、（５）試料毎に５回測定、（６）Bluehill 3ソフトウェアを備えた Instron試験ラック。二軸延伸ポリプロピレン（ＢＯＰＰ、１０ｍｍ）を裁断し、金属化面を下向きにして試料と接するようそりに取り付けた。フィルム試料は強化ガラステーブルに固定した。フィルム同士（Against Self）：（１）フィルム試料を、ロール面の“外側”を下にしてそりに取り付けた。（２）フィルム試料を強化ガラステーブルに、ロール面の“内側”を上にして固定した。（３）トランスデューサからの初期ピーク負荷に基づいて静的ＣｏＦを計算した。（４）伸長の間の平均負荷から動的ＣｏＦを計算した。

トラウザー引裂き試験法（Trouser Tear Test procedure）ＩＳＯ ６３８３－１を用いて引裂き抵抗を測定した。結果は、５回測定した平均をニュートン／ミリメートル（Ｎ／ｍｍ）で示した。パラメータは以下のとおりであった。（１）試験速度：２００ｍｍ／秒、（２）試験伸長：５０ｍｍ、（３）ロードセル：１０Ｎ、（４）試料毎に５回測定、（５）Bluehill 3ソフトウェアを備えたInstron試験ラック、（６）１０ｍｍのフィルム試料を２５ｍｍ×２００ｍｍのストリップに裁断、（７）引裂き開始部として、試料の幅の狭い辺に３０ｍｍの切り込みを作成、（８）空気圧グリップを用いて、試料のそれぞれの端を固定、（９）脱イオン化エアガンを用いて試料から静電気を除去、（１０）オペレータの選択した負荷／伸長曲線の面積から平均引裂き強さ（tear）を計算した。

ＣＯＦまたは一群の押出しフィルム内での比較滑り性（comparative slip）を測定する別の測定法として、フィルム同士の滑り性を主観的に評価する手法を開発した。５人のオペレータが、フィルムロールの皺を目視検査し、フィルム同士がどの程度良く滑るかを見て、滑り性のレベルをランク付けし、フィルムの滑り性レベルを１～３（１＝低い滑り性、２＝中程度の滑り性、３＝高い滑り性。高レベル（高い滑り性）は取扱い性が良いことを示す）の段階で評価した。平均とした（average rated）レベルを報告する。滑りによるランク付け（slip forced ranking）も５人のオペレータを用いて行った。試験した各グループ内で、平均値を１～１３に規格化した。ランク付けは規格化した値（１＝低い滑り性、１３＝最も高い滑り性（良好な取扱い性））の平均で報告した。ＣＯＦ測定を行ってその結果を下に示すが、図１は、ＡＳＴＭ Ｄ１８９４で求めた測定静的ＣＯＦ（ｙ軸）と、滑り性ランク（ｘ軸）を示すグラフである。このグラフから、静的ＣＯＦと滑り性ランクがあまり良く相関しないことがわかる。滑り性ランク付けはフィルム取扱い性の観測可能なひとつの評価法であり、フィルムを取り扱う上での実際的要求を良く反映していることから、好ましい配合物を決める上では滑り性ランク付けにより重みを置くことができる。

表面粗さは、Keyence共焦点顕微鏡を用いて求めた。５０倍対物レンズを用いて、一次粗さ像を Keyence VK-200に取り込んだ。表面のずれを小さくするため、試料を平らなポリカーボネート製の板（plaque）上に固定した。レーザー測定モードとし、ステージ高調節装置を用いてフィルムの頂面を焦点内に入れた。走査範囲をフィルム頂面の１μｍ上からフィルム頂面の１μｍ下までに手動でセットした。走査範囲の合計がフィルムの厚さを超えることはなかった。データ収集の際、フィルムの底部側の画像を取り込まないよう、目標Ｚ走査範囲を２～４μｍとした。視野全体が目標走査範囲内に捕らえられない場合、フラットな画像が得られるよう試料をＸおよびＹ方向に移動させた。走査範囲を設定後、走査範囲全体が良好な明るさおよびコントラスト設定となるようオートゲインを行った。高精度設定ではダブルスキャンオプションを使用した。Ｚステップ高さは０．１μｍであった。これらの設定の下で５０倍対物レンズを用い、２８０～３００ｍｍ×２００ｍｍをデータ分析の視野として測定を行った。１つの５０ｍｍ×１００ｍｍ試料を用い、様々な位置で５回の個別の測定を行った。ＪＩＳ Ｂ０６０１：１９９４標準計算法に従い、それぞれの画像について表面粗さ測定を行った。マルチライン走査分析用テンプレートを用いて、５回の個別の走査のそれぞれについて求めた平均値を計算し、報告した。この分析は、それぞれの画像を流れ方向に横切る６０本のラインを含んでおり、Ｒａ（算術平均粗さ）、Ｒｙ（最大高さ）、Ｒｚ（交差点平均高さ）、およびＲＭＳ（二乗平均平方根粗さ）のそれぞれの値の平均を報告した。得られた画像の前処理は、Keyenceの推奨に従って、自動ティルト補正；自動ノイズ除去；高さカットレベル（height cut level）；および、ＤＣＬ／ＢＣＬレベルのステップを含む。ＪＩＳ Ｂ０６０１：１９９４に基づいて、Ｒａ、Ｔｙ、Ｒｚ、およびＲＭＳを求めた。粗さ曲線補正：高さデータは、ティルト補正した表面の粗さ測定を行って発生させた。これにより、ライン粗さ断面曲線から表面粗さを求めることができる。表面粗さから、高さデータに対する最小二乗法を用いてベースラインを決定し、そのベースラインからの各高さデータポイントの距離を求めた。Ｒａ計算により、基準面と測定面との高差の絶対値を求め、次に、粗さ曲面上の各点と基準面との距離の平均を求めた。Ｒｙ計算は、基準面と、粗さ曲面上の各点との距離を比較し、最も高いピークの高さ（Ｙｐ）と、最も低い谷の深さ（Ｙｖ）の合計を求めることによって行った。Ｒｚ値は、最も高い５つのピークの高さの絶対値の平均と、最も低い５つの谷の深さの絶対値の平均との合計から求めた。ＲＭＳ計算は、基準面と粗さ曲面との差の、二乗の合計の平方根を示したものである。

電気的特性は、Bosch試験（電気的クリアリングカウント）を使用し、１５０Ｖ／μｍ、２００Ｖ／μｍ、２５０Ｖ／μｍ、３００Ｖ／μｍ、３５０Ｖ／μｍ、４００Ｖ／μｍ、および４５０Ｖ／μｍで求めた。表に挙げた値は、特定の電圧レベル（１５０Ｖ／μｍ、２００Ｖ／μｍ、２５０Ｖ／μｍ、３００Ｖ／μｍ、３５０Ｖ／μｍ、および４００Ｖ／μｍ）でのクリアリングカウントである。クリアリングカウントはカウント／ｍ^２で求め、電圧レベル毎に５回の試験の平均を報告する。それぞれの試験は、レベル毎に試験した１平方メートルから成る。Bosch試験は、特定の電圧レベルで生じるフィルム中の絶縁破壊の数を測定できる、連続式絶縁破壊試験法（continuous electrical break down test procedure）および装置である。使用したBosch試験装置の構造を図９に示す。図９では、供給するフィルム（供試フィルム）をローラ１に巻き、金属化した対極フィルムをローラ２に巻く。図９は更に、接地ローラ３、接地ローラ４、高電位ローラ５、テンション（tensioning）ローラ６、および巻取りローラ７を示している。ローラ３、４、および６は接地している。２つの電気絶縁セグメント１０、１２と、絶縁セグメント１０、１２の間の導電セグメント１４を含む、試験ローラ８の概略側面図を図１０に示す。導電セグメント１４の長さは２００ｍｍである。供試フィルムを、対極フィルム２の接地金属化層と、磨いたスチールローラとの間に挟んだ。供試フィルムと、付随する接地金属化フィルム（対極）を、１０メートル／分で装置を通してロールからロールへ巻き取った。高電位ローラ５の電位は、TREK 20/20C 増幅器を接続した BK Precision 1788B 電力供給装置を用いて制御した。Labview ソフトウェア制御インターフェースを National instruments NI-9223 電圧入力モジュールと接続して使用し、特定電圧での電圧／電流スパイクを測定して絶縁破壊カウント数を求めた。特定の電圧レベル１００～５００Ｖ／ミクロンについて、５０Ｖ／ｍｍの増加率で、フィルムの１平方メートルの絶縁破壊カウントの数と位置を記録した。試料を５回試験（合計５平方メートルを試験）し、電圧レベル毎に平均クリアリングカウント／平方メートルを報告する。試験に用いたパラメータは以下のとおりであった。供試フィルムの幅／金属セグメント長さは２００ｍｍ、フィルムの線速度は１０ｍ／分、Trek Power Amplifier & BK Precision 1788B 電源（２０ｋＶ以下）；National Instrument DAQ モジュール（NI-9223、NI-9263）；Labview データ収集および制御；電圧レベルは、１００、１５０、２００、２５０、３００、３５０、４００Ｖ／ｍｍ；フィルム長さは５ｍ／電圧レベル；各電圧レベルで１ｍ^２を試験；各電圧レベルを５回繰り返した（合計５ｍ^２）；レベル毎の平均クリアリングカウント／ｍ^２を報告した。

＜滑り性ランク付けに対する表面粗さおよびクリアリングカウント＞
図２は、様々な配合物に関する、測定Ｒａ－Ｉ（ｙ軸）と滑り性ランク（ｘ軸）を示すグラフである。相関性があり、Ｒａ－Ｉが大きくなると滑り性ランク付けが良くなることを示している。図３は、測定Ｒｚ－Ｉ（ｙ軸）と滑り性ランク（ｘ軸）を示すグラフである。Ｒｚ－Ｉが大きくなると滑り性ランク付けが良くなる。

図４および図５は、ＰＰＰＢＰ－ＢＰＡポリマー配合物における、３００Ｖ／ｕｍでのクリアリングカウント（ｙ軸）と、Ｒａ－Ｉ（ｘ軸、図４）およびＲｚ－Ｉ（ｘ軸、図５）の関係を示すグラフである。図４および５はいずれも、クリアリングカウントが最も高い３つの例（四角形）が中程の範囲のＲａ－ＩおよびＲｚ－Ｉを持つことを示している。これらの配合物は、ＣＯＣとＳＥＢＳとの組み合わせを含んでいる。架橋ポリシルセスキオキサン粒子とスリップ剤とを含み、カウントの低い（５未満）３つの配合物（三角形）は、Ｒａ－Ｉの範囲の端と、Ｒｚ－Ｉの中程の範囲の低い位置のいずれかに見られる。

図６は、３００Ｖ／ｕｍにおけるクリアリングカウント（ｙ軸）と滑り性ランク（ｘ軸）との関係を示すグラフである。図６は、高い滑り性ランクと高いクリアリングカウント（電気的性能がより不良）が相関することを示している。クリアリングカウントが最も高い３つの実施例（四角形）はＣＯＣとＳＥＢＳの組み合わせを含んでおり、滑り性ランクはそれぞれ１０．０以上である。一方、滑り性ランクが良好（５～１０）でカウントの低い（５未満）３つの配合物（三角形）はそれぞれ、架橋ポリシルセスキオキサン粒子とスリップ剤との組み合わせを含んでいる。

＜実施例１～４３＞
実施例１～４３の配合物および結果を表２～４に示す。別途指示のない限り、フィルムは７μｍの厚さに押し出した。各成分の量は質量部である。

組成物毎に５つの試料からデータを取り、ＣｏＦ、引裂き強さ、粗さ、および電気的クリアリングカウント試験に関する５つの値の平均を示した。

比較用配合物は、スリップ剤（ＳＥＢＳ、ＰＣ－Ｓｉ、またはＰＥＴＳ）、粗面化剤（ＣＯＣ、ＰＭＳＳ－１、またはＰＭＳＳ－２）を何も加えない（with none of）もので、アスタリスク（*）付きで示した。

入手時のＢＰＡ／ＢＰＩ高温共重合体は、０．３５質量％のＰＥＴＳと、未知量の亜リン酸トリフェニル酸化防止剤とを含んでいた。ＢＰＡ／ＢＰＩを含む配合物について表中に示されているＰＥＴＳの値は、ＢＰＡ／ＢＰＩ中に存在した量と、加えた全ての量との合計を計算したものである。ＢＰＡ／ＢＰＩを含む配合物について表中に示されているＡＯの量は添加した量のみである。

先に論じたように、ダイの条が見える、または欠陥の数の多いフィルムは、電気的データの信頼性が低かった。実施例４、８、２８、および２９は、Bosch試験でのクリアリングカウントが高く、妥当と考えられる原因はダイの条であった。ダイの条は他の測定値には影響しないようであった。

実施例２０～２６は厚さ５μｍで、電圧レベルを厚さについて標準化（normalized）しても、電気的クリアリングカウントは僅かに高くシフトするようである（can sift）。厚さの違いはより高いクリアリングカウントの原因と成り得るが、他の測定値には影響しないと考えられる。

実施例１～７は、高温コポリカーボネートと、ＢＰＡホモポリカーボネートと、スリップ剤とを含む、７μｍのフィルムについて、微粒子状架橋ポリメチルシルセスキオキサンを加えるとフィルムの滑り性評価は良くなるが、電気的クリアリングカウントが僅かに上昇することを示している。微粒子状架橋ポリメチルシルセスキオキサンの量を増やすとフィルムの滑り性評価は更に上がるが、電気的クリアリングカウントが著しく上昇する（実施例２に対する実施例３、および実施例６に対する実施例７）。

実施例２７～３１では、電気的クリアリングカウントが大幅に低下することを期待して、微粒子状架橋ポリメチルシルセスキオキサンの量を０．０５質量パーセント（質量％）まで減らしたが、低下はあまり大きくなかった。更に、微粒子状架橋ポリメチルシルセスキオキサンの量を０．５質量％に増やすと、驚くことに、電気的クリアリングカウントは劇的には上昇しなかった。

粗面化剤のみを含み、スリップ剤を含んでいない実施例３３～３５は、１０～１２の範囲の滑り性ランクと、電気的クリアリングカウントのあまり大きくない上昇を示した。

実施例３６～４３は、ビスフェノールＡホモポリカーボネートを使用しないいくつかの配合物において、滑り性ランクは１０～１２であり、電気的クリアリングカウントが上昇することを示している。

図７は、実施例２７（ＰＭＳＳ－１を含む）および実施例３０（ＰＭＳＳ－２を含む）の、電圧／μｍの関数としてクリアリングカウントの累積数を示すグラフである。

ＰＣ－Ｓｉ（ｏ）とＰＭＳＳ－１とＰＥＴＳとを含む、実施例３１のフィルムから製造した大面積電極の、クリアリングの電圧／μｍに対するクリアリングの累積数を図８に示す。

全体として、実施例は、粗面化剤とスリップ剤とを組み合わせると、効率の良いフィルムの製造および取扱いが可能となり、同時に、高負荷量の粗面化剤またはスリップ剤に伴う、電気的クリアリングカウントの上昇が起きないことを示している。

本発明の開示内容を、以下の態様で更に説明する。

態様１：６５．０～９９．８５質量％の高温コポリカーボネートと、０．０５～０．５質量％の第１粗面化剤と、０．１～１５．０質量％の有機スリップ剤と、必要に応じて、２．０～１０．０質量％の第２粗面化剤と、必要に応じて、１.０～５０．０質量％のビスフェノールＡホモポリマーと、必要に応じて、０．０２～０．０６質量％の酸化防止剤とを含む組成物であって、このときそれぞれの量は組成物の全質量に対してであって、その合計は１００質量％であり、高温コポリカーボネートの、水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対する炭素原子の数比は１．１２未満、望ましくは０．８３から１.１２未満であり、第１粗面化剤は、微粒子状架橋シリコーンを含み、有機スリップ剤は、四ステアリン酸ペンタエリトリトール、六ステアリン酸ジペンタエリトリトール、三ステアリン酸グリセロール、高密度ポリエチレン、ポリメチルペンテン、ポリ（カーボネート－シロキサン）、またはこれらの組み合わせを含む。高温コポリカーボネートは、低温モノマーから誘導した低温ビスフェノール基と、高温ビスフェノールモノマーから誘導した高温ビスフェノール基とを含むことができ、低温モノマーは、そのホモポリカーボネートが、ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従った昇温速度１℃／分での測定で、１５５℃未満のＴｇを持ち、高温ビスフェノールモノマーは、そのホモポリカーボネートが少なくとも、ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従った昇温速度１℃／分での測定で、１５５℃以上のＴｇを持つ。

態様２：態様１の組成物であって、高温コポリカーボネートは、Ｎ－フェニルフェノールフタレイニルビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノンビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、またはこれらの組み合わせである。

態様３：態様１または態様２の組成物であって、高温コポリカーボネート組成物は、ＡＳＴＭ Ｄ１４９に従った、ボール電極を用いる測定で、７００Ｖ／μｍよりも大きい絶縁破壊強さを持つフィルムである。

態様４：態様１～３のいずれか１つ以上の組成物であって、第１粗面化剤は、粒子試料の走査型電子顕微鏡による測定で、０．５～２．５μｍの平均粒径を持つ微粒子状ポリメチルシルセスキオキサンを含む。

態様５：態様１～４のいずれか１つ以上の組成物であって、第２粗面化剤が存在し、第２粗面化剤は環状オレフィン共重合体を含む。

態様６：態様１～５のいずれか１つ以上の組成物であって、有機スリップ剤は、５．０～１５．０質量％のポリ（カーボネート－シロキサン）を含む。

態様７：態様１～６のいずれか１つ以上の組成物であって、有機スリップ剤は、０．１～１質量％の四ステアリン酸ペンタエリトリトールと、３．０～１０質量％のポリ（カーボネート－シロキサン）とを含む。

態様８：態様１～７のいずれか１つ以上の組成物であって、ビスフェノールＡホモポリマーが存在し、その量は望ましくは１．０～３５．０質量％である。

態様９：態様１～８のいずれか１つ以上の組成物であって、６５．０～９９．８５質量％の高温コポリカーボネートと、０．１～１質量％の四ステアリン酸ペンタエリトリトールと、３．０～１０質量％のポリ（カーボネート－シロキサン）と、０．０５～０．５質量％の微粒子状ポリメチルシルセスキオキサン粗面化剤とを含み、このときそれぞれの量は組成物の全質量に対してであって、その合計は１００質量％であり、高温コポリカーボネートは、Ｎ－フェニルフェノールフタレイニルビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノンビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、またはこれらの組み合わせを含み、微粒子状ポリメチルシルセスキオキサン粗面化剤は、走査型電子顕微鏡による測定で、０．５～２．５μｍの平均粒径を持つ。

態様１０：前記態様のいずれか１つの組成物であって、組成物の全質量に対して２．０～１０．０質量％の量の第２粗面化剤を更に含み、第２粗面化剤は環状オレフィン共重合体を含む。

態様１１：前記態様のいずれか１つの組成物であって、組成物の全質量に対して１．０～５０．０質量％の量、望ましくは１．０～３５．０質量％の量のビスフェノールＡホモポリマーを更に含む。

態様１２：前記態様のいずれか１つの組成物であって、組成物の全質量に対して０．０２～０．０６質量％の量の酸化防止剤を更に含む。

態様１３：態様１～１２のいずれか１つ以上の組成物を含む押出しフィルム。

態様１４：１～１０μｍ、１～７μｍ、３～７μｍ、または３～５μｍの厚さを持つ、態様１３の押出しフィルム。

態様１５：態様９～１２の１つの押出しフィルムであって、このフィルムは、ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従った測定で１７０～２５０℃のＴｇと、３００Ｖ／μｍで０～１０の Bosch試験クリアリングカウントと、２．５よりも大きい比誘電率と、１．０％未満の散逸率と、の少なくとも１つの特性、望ましくは全ての特性を備えている。

態様１６：態様１３～１５のいずれか１つ以上のフィルムと、このフィルムに接している導電性金属層とを含むコンデンサであって、望ましくは、導電層は２．０～１２５．０Ω／平方メートルの抵抗率を持つ。

態様１７：態様１３～１５の１つの押出しフィルム、または態様１６のコンデンサを含む電子デバイス。

単数形“a”、“an”、および“the”は、文脈が明らかにそうでないことを示していない限り、複数の指示対象を含む。“または（or）”は、文脈が明らかにそうでないことを示していない限り、“および／または（and／or）”を意味する。“その組み合わせ（combination thereof）”は非限定（open）であり、挙げられている成分または特性、必要に応じて、挙げられていない類似または同等の成分または特性も含めて、その少なくとも１つを含む全ての組み合わせを含む。文中で使用している用語“第１（first）”、“第２（second）”等、“一次（primary）”、“二次（secondary）”等は、順番、品質、または重要度を何ら示すものではなく、ある要素と別の要素とを識別するために使用する。同じ要素または特性を対象とする全ての範囲の終点はそこに含まれ、また独立して組み合わせ可能である（例えば、“２５質量％以下、または５質量％から２０質量％”の範囲は、終点と、“５質量％から２５質量％”など、この範囲の中にある全ての値を含む）。より広い範囲に加えて、より狭い範囲またはより詳細な群を開示することは、より広い範囲またはより大きい群の否定ではない。“組み合わせ（combination）”は、混合物（blends、mixtures）、合金、反応生成物などを含む。

別途定義のない限り、文中で使用する技術および科学用語は、本発明の属する技術分野の当業者に通常理解されているものと同じ意味を持つ。化合物は標準命名法を用いて記述する。指示された任意の基で置換されていない位置は全て、指示された結合、または水素原子で満たされたその価数を持つものとする。２つの文字または記号に挟まれていないダッシュ（"－"）は、置換基の結合に使われる位置を示すために使用する。例えば、－ＣＨＯは、カルボニル基の炭素で結合している。

文中で使用している用語“ヒドロカルビル”および“炭化水素”は、必要に応じて１～３個のヘテロ原子、例えば、酸素、窒素、ハロゲン、ケイ素、硫黄、またはこれらの組み合わせを含む、炭素と水素から成る置換基を広く指しており、“アルキル”は、直鎖または分枝鎖状飽和一価炭化水素基を意味し、“アルキレン”は、直鎖または分枝鎖状飽和二価炭化水素基を意味し、“アルキリデン”は、２つの価標がひとつの共通炭素原子上にある、直鎖または分枝鎖状飽和二価炭化水素基を意味し、“アルケニル”は、炭素－炭素二重結合で結合した少なくとも２個の炭素を含む、直鎖または分枝鎖状一価炭化水素基を意味し、“シクロアルキル”は、少なくとも３個の炭素原子を含む、非芳香族一価単環または多環式炭化水素基を意味し、“アルケニル”は、不飽和度が少なくとも１である、少なくとも２個の炭素原子を含む二価炭化水素基を意味し、“アリール”は、１つ以上の芳香環中に炭素のみを含む芳香族一価基を意味し、“アリーレン”は、１つ以上の芳香環中に炭素のみを含む芳香族二価基を意味し、“アルキルアリーレン”は、先に定義したアルキル基で置換されたアリーレン基を意味し、アルキルアリーレン基の例は４－メチルフェニレンであり、“アリールアルキレン”は、先に定義したアリール基で置換されたアルキレン基を意味し、アリールアルキレン基の例はベンジルであり、“アシル”は、カルボニル炭素橋（－Ｃ（＝Ｏ）－）を経て結合している、示された数の炭素原子を含む先に定義したアルキル基を意味し、“アルコキシ”は、酸素橋（－Ｏ－）を経て結合している、示された数の炭素原子を含む先に定義したアルキル基を意味し、“アリールオキシ”は、酸素橋（－Ｏ－）を経て結合している、示された数の炭素原子を含む先に定義したアリール基を意味し、“アルキルアリーレンオキシ”は、酸素橋（－Ｏ－）を経て結合しているアルキルアリーレン基を意味し、“アリールアルキレンオキシ”は、酸素橋を経て結合しているアリールアルキレンを意味し、“アルケニルオキシ”は、酸素橋を経て結合しているアルケニル基を意味し、“シクロアルコキシ”は、酸素橋を経て結合している、少なくとも３個の炭素原子を含む非芳香族一価単環または多環式炭化水素基を意味する。文中で使用している“縮合した（fused）”は、示された基が、Ｃ_３～８脂環、Ｃ_６～１３芳香族環、またはＣ_２～１２芳香族複素環基に縮合していることを意味する。

別途指示のない限り、前述のそれぞれの基は、置換によってその化合物の合成、安定性、または使用に著しい悪影響がない限り、置換されていても置換されていなくても良い。文中で使用している用語“置換された”は、指定された原子または基上の少なくとも１つの水素が、指定された原子の通常の価数を超えないという条件で、別の基で置き換えられていることを意味する。置換基がオキソ（即ち、＝Ｏ）の場合、その原子上の２つの水素が置き換えられる。置換によってその化合物の合成または使用に著しい悪影響がない限り、置換基を組み合わせても良い。“置換”位置に存在できる基の例としては、シアノ；ニトロ；アルカノイル（アシルなどのＣ_２～６アルカノイル基など）；カルボキサミド；Ｃ_１～６またはＣ_１～３アルキル、シクロアルキル、アルケニル、およびアルキニル（少なくとも１つの不飽和結合と、２～８または２～６個の炭素原子を含む基など）；Ｃ_１～６またはＣ_１～３アルコキシ；Ｃ_６～１０アリールオキシ（フェノキシなど）；Ｃ_１～６アルキルチオ；Ｃ_１～６またはＣ_１～３アルキルスルフィニル；Ｃ_１～６またはＣ_１～３アルキルスルホニル；アミノジ（Ｃ_１～６またはＣ_１～３）アルキル；少なくとも１個の芳香族環を含むＣ_６～１２アリール（例えば、フェニル、ビフェニル、ナフチルなど。それぞれの環は置換または非置換芳香族環）；１～３個の個別の、または縮合した環と、６～１８個の環員炭素原子を含むＣ_７～１９アリールアルキル；または、１～３個の個別の、または縮合した環と、６～１８個の環員炭素原子を含むアリールアルキレンオキシ（アリールアルキレンオキシの一例はベンジルオキシである）が挙げられる（但し、これらに限定しない）。特定の基に関して示されている炭素原子の数は置換基も含んでいる。

引用されている特許、特許出願、その他の参考文献は全て、その内容を全て本件に引用して援用する。本願中の用語が援用している参考文献の用語と矛盾する、または一致しない場合は、本願の用語を優先する。

特定の態様について述べてきたが、現時点で予想されていない、または予想されていないと考えられる代替（alternatives）、変更（modifications）、変化（variations）、改善（improvements）、および実質的同等物が、出願者や他の当業者によって考案されることがある。従って、出願時の、および修正の可能性のある添付請求項は、これらの代替、変更、変化、改善、および実質的同等物を全て包含するものとする。

Claims (15)

1. 組成物であって、前記組成物が、
   ６５．０～９９．８５質量％の高温（high heat）コポリカーボネートと、
   ０．１～１５．０質量％の有機スリップ剤と、
   ０．０５～０．５質量％の粗面化剤（roughening agent）と、
   を含み、
   前記高温コポリカーボネートが、
   低温（low heat）モノマーから誘導した低温ビスフェノール基と、
   高温ビスフェノールモノマーから誘導した高温ビスフェノール基と、
   を含み、
   前記低温モノマーは、そのホモポリカーボネートが、ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従った昇温速度１℃／分での測定で、１５５℃未満のＴｇを持ち、
   前記高温ビスフェノールモノマーは、そのホモポリカーボネートが、ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従った昇温速度１℃／分での測定で、１５５℃以上のＴｇを持ち、
   更に、前記高温コポリカーボネートの、水素、酸素、およびフッ素原子の合計に対する炭素原子の数比が１．１２未満、望ましくは０．８３から１．１２未満であり、
   前記有機スリップ剤が、四ステアリン酸ペンタエリトリトール、六ステアリン酸ジペンタエリトリトール、三ステアリン酸グリセロール、高密度ポリエチレン、ポリメチルペンテン、ポリ（カーボネート－シロキサン）、またはこれらの組み合わせを含み、
   前記粗面化剤が微粒子状架橋シリコーンを含み、
   それぞれの前記の量が前記組成物の全質量に対してであって、その合計が１００質量％であることを特徴とする組成物。
2. 請求項１に記載の組成物であって、前記粗面化剤が、走査型電子顕微鏡による測定で、０．５～２．５μｍの平均粒径を持つポリメチルシルセスキオキサンを含むことを特徴とする組成物。
3. 請求項１または２に記載の組成物であって、前記高温コポリカーボネートが、ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従った昇温速度１℃／分での測定で、１７０～２５０℃、１７５℃～２４０℃、１８０℃～２４０℃、または１９０℃～２４０℃のガラス転移温度を持つことを特徴とする組成物。
4. 前記請求項のいずれかに記載の組成物であって、前記高温コポリカーボネートが、Ｎ－フェニルフェノールフタレイニルビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノンビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、またはこれらの組み合わせであることを特徴とする組成物。
5. 前記請求項のいずれかに記載の組成物であって、前記有機スリップ剤が、
   ０．１～１質量％の四ステアリン酸ペンタエリトリトールと、
   ３．０～１０質量％のポリ（カーボネート－シロキサン）と、
   を含むことを特徴とする組成物。
6. 前記請求項のいずれかに記載の組成物であって、前記組成物が、
   ６５．０～９９．８５質量％の高温コポリカーボネートと、
   ０．１～１質量％の四ステアリン酸ペンタエリトリトールと、
   ３．０～１０質量％のポリ（カーボネート－シロキサン）と、
   ０．０５～０．５質量％の微粒子状ポリメチルシルセスキオキサン粗面化剤と、
   を含み、
   前記高温コポリカーボネートが、Ｎ－フェニルフェノールフタレイニルビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノンビスフェノール－ビスフェノールＡコポリカーボネート、またはこれらの組み合わせを含み、
   前記微粒子状ポリメチルシルセスキオキサン粗面化剤が、走査型電子顕微鏡による測定で、０．５～２．５μｍの平均粒径を持ち、
   それぞれの前記の量が前記組成物の全質量に対してであって、その合計が１００質量％であることを特徴とする組成物。
7. 前記請求項のいずれかに記載の組成物であって、前記組成物の全質量に対して２．０～１０．０質量％の量の第２の粗面化剤を更に含み、前記第２粗面化剤が、環状オレフィン共重合体を含むことを特徴とする組成物。
8. 前記請求項のいずれかに記載の組成物であって、前記組成物の全質量に対して１．０～５０．０質量％の量、望ましくは１．０～３５．０質量％の量のビスフェノールＡホモポリマーを更に含むことを特徴とする組成物。
9. 前記請求項のいずれかに記載の組成物であって、前記組成物の全質量に対して０．０２～０．０６質量％の量の酸化防止剤を更に含むことを特徴とする組成物。
10. 前記請求項のいずれかに記載の組成物を含むことを特徴とする押出しフィルム。
11. 請求項１０に記載の押出しフィルムであって、１～１０μｍ、１～７μｍ、３～７μｍ、または３～５μｍの厚さを持つことを特徴とする押出しフィルム。
12. 請求項１０または１１に記載の押出しフィルムであって、ＡＳＴＭ Ｄ１４９に従った、ボール電極を用いた測定で、７００Ｖ／μｍよりも大きい絶縁破壊強さ（breakdown strength）を持つことを特徴とする押出しフィルム。
13. 請求項１０～１２のいずれかに記載の押出しフィルムであって、前記フィルムが、
    ＡＳＴＭ Ｅ１６４０－１３に従った測定で、１７０～２５０℃のガラス転移温度と、
    ３００Ｖ／μｍで０～１０の Bosch試験クリアリングカウントと、
    ２．５よりも大きい比誘電率と、
    １．０％未満の散逸率と、
    の少なくとも１つの特性、望ましくは全ての特性を備えていることを特徴とする押出しフィルム。
14. コンデンサであって、前記コンデンサが、
    請求項１０～１３のいずれかに記載の押出しフィルムと、
    前記フィルムと接している導電性金属層と、
    を含み、
    望ましくは、前記導電層が、２．０～１２５．０Ω／平方（Ω per square）の抵抗率を持つことを特徴とするコンデンサ。
15. 請求項１４に記載のコンデンサを含むことを特徴とする電子デバイス。
    

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