JP2022502288A - 槽の変形の検出 - Google Patents
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Abstract
Description
チャンバ容積の減少の間に生成され、したがって、槽ベースの任意の復元力に加えて、造形プラットフォームから槽ベースを引き離す負圧は、したがって、槽ベースに付着する、物体のレイヤの剥離を補助する。負圧の値は、好ましくはセンサ(特に圧力センサ)を用いて検出され、過剰な負圧またはチャンバ中の圧力の過度に急速な変化による、作り出される物体または槽ベースへの損傷を回避するように、必要に応じて制限できる。
それによって影響されることがある抑制物質レイヤの厚さは、重要なプロセスパラメータであり、例えば印刷速度に作用する。
US2018/0194080A1は、連続、及び非連続の統合を使用して3次元の対象物を生成する方法を開示している。
AT518566A1は、寸法的に安定した対象物を形成するための装置を開示している。
US2015/0064298A1は、ステリオリソグラフィ装置を開示している。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載の事項を、そのまま、付記しておく。
[1] 輻射によって硬化可能な物質(S)から物体(K)をレイヤごとに構築するシステムのための装置(1)であって、
輻射によって硬化可能な物質(S)を収容するための槽ベース(2)を有する槽(3)を備え、
前記槽ベース(2)より上に配置され、前記槽ベース(2)に対して高さ調節可能である造形プラットフォーム(4)を備え、
前記槽ベース(2)と協働するセンサ(5)を備え、
ここで、前記槽ベース(2)は少なくとも部分的に可撓性であるように構成されている装置(1)において、
前記装置(1)にはチャンバ(6)が設けられ、
前記チャンバ(6)は前記槽ベース(2)の下側によって範囲が定められ、
前記センサ(5)は、前記チャンバ(6)の容積変化を検出し、前記容積変化の符号を決定することができるセンサ信号を提供するように適合されている、装置(1)。
[2] 前記センサ(5)は、前記チャンバの容積または前記容積変化に直接的または間接的に比例する測定変数を定量的に検出し、前記測定変数をセンサ信号として提供するように適合されていることを特徴とする、[1]に記載の装置。
[3] 前記センサ(5)は、
前記チャンバ(6)中に収容された圧縮性媒体(M)の圧力および/または圧力変化を検出するよう適合された圧力センサ(5a)であり、圧力変化は前記容積変化に対応し、および/または、
前記チャンバ(6)中に収容された流体の前記チャンバ(6)中に含まれる物質の量の前記物質の量の変化を検出するように適合および配置された流量センサであり、物質の量の変化は前記容積変化に対応し、
ここで、前記センサ(5)は、検出された圧力および/もしくは検出された圧力変化、ならびに/または検出された物質の量の変化を、測定変数およびセンサ信号として提供するように適合されていることを特徴とする、[2]に記載の装置。
[4] 前記センサ(5)は、前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号を処理するように適合された処理ユニット(8)に接続されていることを特徴とする、[1]〜[3]のいずれか一項に記載の装置(1)。
[5] 前記センサ(5)は、前記処理ユニット(8)を介して、前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)のための駆動ユニット(9)に、および/または前記輻射によって硬化可能な物質(S)の照射のために設けられた輻射源(11)のための制御ユニット(10)に接続されており、
前記処理ユニット(8)は、前記センサ(5)によって提供されるセンサ信号に応じて、前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)のための駆動ユニット(9)および/または前記輻射源(11)のための制御ユニット(10)を制御するように適合されていることを特徴とする、[4]に記載の装置(1)。
[6] 前記チャンバ(6)は、
前記チャンバ(6)中の静止圧力を設定するための少なくとも1つの調節可能な圧力源(18)に、および/または
前記チャンバ(6)中の温度を設定するための調節可能な加熱装置(19)に、および/または
前記チャンバ(6)への前記輻射によって硬化可能な物質(S)の凝固プロセスの少なくとも局所的な操作のためのプロセス媒体(Mp)の調節可能な供給のための調節可能なプロセス物質源(20)に、および/または
前記チャンバ(6)中に気流を生成するための気流源(21)に接続されていることを特徴とする、[1]〜[5]のいずれか一項に記載の装置(1)。
[7] 前記センサ(5)は、前記処理ユニット(8)を介して、前記調節可能な圧力源(18)に、および/または前記調節可能な加熱装置(19)に、および/または前記調節可能なプロセス物質源(20)に、および/または前記気流源(21)に接続され、
前記処理ユニット(8)は、前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて、前記圧力源(18)を、および/または前記加熱装置(19)を、および/または前記プロセス物質源(20)を、および/または前記気流源(21)を制御するように適合されていることを特徴とする、[4]に従属する[6]に記載の装置(1)。
[8] 前記槽ベース(2)は、少なくとも部分的に輻射に透過性であり、好ましくは可撓性の、張力がかかった箔(13a)を備えることを特徴とする、[1]〜[7]のいずれか一項に記載の装置(1)。
[9] 前記槽ベース(2)は、プロセス媒体(Mp)に対して半透過性、透過性であるように構成されることを特徴とする、[1]〜[8]のいずれか一項に記載の装置(1)。
[10] 前記槽ベース(2)の少なくとも一部分は、輻射に少なくとも部分的に透過性、特に透明であるキャリアプレート(15)上に載置されていることを特徴とする、[1]〜[9]のいずれか一項に記載の装置(1)。
[11] 前記キャリアプレート(15)は、プロセス媒体(Mp)に対して透過性であるように構成されるか、または隆起部(16)間のプロセス媒体(Mp)の通路のために前記槽ベース(2)上に載置される前記隆起部(16)を備えることを特徴とする、[10]に記載の装置(1)。
[12] 前記槽ベース(2)上に、前記槽(3)中で移動可能なドクターブレード(23)が設けられていることを特徴とする、[1]〜[11]のいずれか一項に記載の装置(1)。
[13] 前記センサ(5)は、処理ユニット(8)を介して、前記ドクターブレード(23)の駆動ユニット(24)に接続され、
前記処理ユニット(8)は、前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて、前記ドクターブレード(23)の前記駆動ユニット(24)を制御するように適合されていることを特徴とする、[4]に従属する[12]に記載の装置(1)。
[14] 前記槽ベース(2)は、前記チャンバ(6)のチャンバハウジング(7)の開放可能な、特に取り外し可能なカバー(22)であることを特徴とする、[1]〜[13]のいずれか一項に記載の装置(1)。
[15] 輻射によって硬化可能であり、槽ベース(2)を備える槽(3)中に収容される物質(S)から物体(K)をレイヤごとに構築するための方法であって、形成されるべき前記物体(K)の各レイヤ(K1、・・・Kn)に対して、
前記槽ベース(2)に対する造形プラットフォーム(4)が高さ調節可能であり、前記造形プラットフォーム(4)は前記槽ベース(2)上のある高さまで動き、この高さは、少なくとも前記物体(K)の形成されるべきレイヤ(Kn+1)の厚さの範囲で、前記造形プラットフォーム(4)または前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)と前記槽ベース(2)との間の距離を規定し、
前記輻射によって硬化可能な物質(S)は、前記物体(K)のレイヤ(Kn+1)を形成するように照射によって、輻射源(11)により選択的に硬化され、前記物体(K)の硬化されたレイヤ(Kn+1)を有する前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)は、硬化したレイヤが前記造形プラットフォーム(4)に付着し、前記物体(K)の硬化されたレイヤ(Kn+1)と前記槽ベース(2)との間に次のレイヤ(Kn+2)を形成するための空間を生成するように前記槽ベース(2)の静止位置から離れて移動され、
ここで、前記槽ベース(2)は少なくとも部分的に可撓性であるように構成され、少なくとも1つのプロセスパラメータは、前記槽ベース(2)と協働するセンサ(5)によって検出される、方法において、
前記センサ(5)がチャンバ(6)の容積変化を検出し、容積変化の符号を決定できるセンサ信号を提供し、
前記チャンバ(6)は、前記槽ベース(2)の下側によって範囲が定められ、
前記チャンバ(6)の容積は、前記静止位置から前記槽ベース(2)のプロセス依存ゆがみによって変化し得る、方法。
[16] 前記センサ(5)は、前記チャンバ(6)の容積または容積変化に直接的または間接的に比例する測定変数を定量的に検出し、測定変数をセンサ信号として提供することを特徴とする、[15]に記載の方法。
[17] 前記センサ(5)は、圧力センサ(5a)または流量センサ(5b)であり、
前記チャンバ(6)中の圧縮性媒体(M)の圧力の変化は前記圧力センサ(5a)によって測定変数として検出され、前記圧力の変化は前記容積変化に対応し、または前記チャンバ(6)中に含まれる流体の物質の量の前記物質の量の変化は前記流量センサによって測定変数として検出され、前記物質の量の変化は前記容積変化に対応することを特徴とする、[16]に記載の方法。
[18] 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号は、前記センサ(5)に接続された処理ユニット(8)において処理され、少なくとも1つのプロセスパラメータは、前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて設定されることを特徴とする、[15]〜[17]のいずれか一項に記載の方法。
[19] 前記処理ユニット(8)は、前記センサ信号として提供された、検出された測定変数を予測値と比較し、および/または検出された測定変数の挙動を予測値の挙動と比較し、測定変数と予測値と間の、および/または測定変数の挙動と予測値の挙動との間の差に応じて少なくとも1つのプロセスパラメータを設定することを特徴とする、[16]または[17]に従属する[18]に記載の方法。
[20] 前記センサ(5)によって検出され、前記センサ信号として提供された前記測定変数の変化は、構築プロセスの予測値のシミュレーションモデルで、前記センサ(5)に接続された処理ユニット(8)において処理され、
少なくとも1つのプロセスパラメータは、前記測定変数の少なくとも1つの検出された測定値、および/または前記シミュレーションモデルによって特定されるような、検出された測定値の変化に応じて設定されることを特徴とする、[16]または[17]に従属する[18]に記載の方法。
[21] 前記予測値および/または複数の予測値は、前記処理ユニット(8)によって、少なくとも1つのプロセスパラメータに応じて計算されることを特徴とする、[19]に記載の方法。
[22] 前記シミュレーションモデルは、少なくとも1つの設定されたプロセスパラメータを入力値として考慮することを特徴とする、[20]に記載の方法。
[23] 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に基づいて、
前記槽ベース(2)の静止位置に対する、前記造形プラットフォーム(4)の高さ、および/もしくは物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)の高さ、ならびに/または
前記造形プラットフォーム(4)の運動速度、ならびに/または
前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)のエリアのサイズは、
前記槽ベース(2)が前記造形プラットフォーム(4)の移動によって前記静止位置からゆがめられるときに、前記処理ユニット(8)におけるプロセスパラメータとして決定されることを特徴とする、[18]〜[22]のいずれか一項に記載の方法。
[24] 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて、前記造形プラットフォーム(4)の高さ調整は、前記造形プラットフォーム(4)のための駆動ユニット(9)によって制御され、前記駆動ユニット(9)は、前記造形プラットフォーム(4)および前記処理ユニット(8)に接続され、および/または輻射によって硬化されることが可能な物質(S)の照射は、輻射源(11)のための制御ユニット(10)により、前記処理ユニット(8)によって制御され、前記制御ユニット(10)は、プロセスパラメータとして、前記処理ユニット(8)および前記輻射源(11)に接続されていることを特徴とする、[18]〜[23]のいずれか一項に記載の方法。
[25] 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて、前記処理ユニット(8)によるプロセスパラメータとして、
チャンバ(6)中の静止圧力は、前記チャンバ(6)および前記処理ユニット(8)に接続された少なくとも1つの調節可能な圧力源(18)によって設定され、および/または
前記チャンバ(6)中の温度は、前記チャンバ(6)および前記処理ユニット(8)に接続された少なくとも1つの調節可能な加熱装置(19)によって設定され、および/または
前記チャンバ(6)へのプロセス媒体(Mp)の供給は、前記チャンバ(6)および前記処理ユニット(8)に接続された少なくとも1つの調節可能なプロセス物質源(20)によって設定され、および/または
前記チャンバ(6)中の気流は、前記チャンバ(6)および前記処理ユニット(8)に接続された少なくとも1つの気流源(21)によって設定されることを特徴とする、[18]〜[24]のいずれか一項に記載の方法。
[26] 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号から、
前記槽ベース(2)に付着する、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)の前記槽ベース(2)からの剥離、ならびに/または
前記槽ベース(2)に付着する、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)の前記槽ベース(2)からの剥離高さおよび/もしくは剥離スピード、ならびに/または
前記槽ベース(2)の接触、ならびに/または
前記槽ベース(2)上の槽(3)中で移動可能なドクターブレード(23)の接触圧力、ならびに/または
前記造形プラットフォーム(4)から誤って剥離された物体(K)、および/もしくは
槽の劣化、ならびに/または
抑制媒体(Mi)を前記チャンバ(6)中に、および、輻射によって硬化可能な物質(S)上に供給するとき、前記槽ベース(2)上の前記物体(K)の予期せぬ付着、ならびに/または
前記槽(3)中で前記輻射によって硬化可能な物質(S)の充填レベル、ならびに/または
前記槽(3)を設けること、ならびに/または
前記槽ベース(2)中もしくは前記チャンバ(6)中の亀裂もしくは穴は、前記処理ユニット(8)中でプロセスパラメータとして決定されることを特徴とする、
[18]〜[25]のいずれか一項に記載の方法。
[27] 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて、前記造形プラットフォーム(4)から離れるように前記槽ベース(2)をゆがめさせる負圧は、前記槽ベース(2)に付着する、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)を前記槽ベース(2)から剥離するために、特に前記槽ベース(2)の前記静止位置から離れる高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)の移動中に、前記処理ユニット(8)によって前記チャンバ(6)中に設定されることを特徴とする、[18]〜[26]のいずれか一項に記載の方法。
[28] 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に好ましくは応じて、前記造形プラットフォーム(4)または前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)が前記槽ベース(2)上に接触する前に、前記造形プラットフォーム(4)に向かって槽ベース(2)をゆがめさせる過剰圧力が、前記処理ユニット(8)によって前記チャンバ(6)において設定されることを特徴とする、[18]〜[27]のいずれか一項に記載の方法。
[29] 前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)を有する前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)は、レイヤが前記造形プラットフォーム(4)に、および前記槽ベース(2)に付着して、前記槽ベース(2)の静止位置から離れて移動され、
前記槽ベース(2)からの、前記槽ベースに付着する、前記物体(K)の前記最後に硬化されたレイヤ(Kn)の剥離は、前記センサ(5)によって前記処理ユニット(8)において決定され、
前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)は前記槽ベース(2)の前記静止位置より上の高さ(Zx+1)に移動され、その高さ(Zx+1)は、新たに形成すべき、少なくとも前記物体(K)のレイヤ(Kn+1)の厚さの範囲で、前記物体(K)の前記最後に硬化されたレイヤ(Kn)と前記槽ベース(2)の静止位置との間の距離を規定し、
その後、輻射によって硬化可能な物質(S)は、前記物体(K)の前記新たなレイヤ(Kn+1)を形成するように照射によって、前記輻射源(11)により選択的に硬化されることを特徴とする、[18]〜[28]のいずれか一項に記載の方法。
[30] 抑制媒体(Mi)が前記チャンバ(6)を介して輻射によって硬化可能な物質(S)に供給され、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)を有する前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)は、レイヤが前記造形プラットフォーム(4)に付着して、前記槽ベース(2)の静止位置より上の高さ(Zx+1)に移動され、その高さ(Zx+1)は、新たに形成すべき、少なくとも前記物体(K)のレイヤ(Kn+1)の厚さの範囲で、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)と前記槽ベース(2)の静止位置との間の距離を規定し、一方で、前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)の移動と同時に、輻射によって硬化可能な物質(S)は、前記物体(K)の前記新たなレイヤ(Kn+1)を形成するように照射によって、前記輻射源(11)により選択的に硬化されることを特徴とする、[18]〜[29]のいずれか一項に記載の方法。
[31] 抑制媒体(Mi)が前記チャンバ(6)を介して輻射によって硬化可能な物質(S)に供給され、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)を有する前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)は、そのレイヤが前記造形プラットフォーム(4)に付着して、前記槽ベース(2)の静止位置より上の高さ(Zx+1)に移動され、その高さ(Zx+1)は、新たに形成すべき、少なくとも前記物体(K)のレイヤ(Kn+1)の厚さの範囲で、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)と前記槽ベース(2)の静止位置との間の距離を規定し、その後、輻射によって硬化可能な物質(S)は、前記物体(K)の前記新たなレイヤ(Kn+1)を形成するように照射によって、前記輻射源(11)により選択的に硬化されることを特徴とする、[18]〜[30]のいずれか一項に記載の方法。
Claims (31)
- 輻射によって硬化可能な物質(S)から物体(K)をレイヤごとに構築するシステムのための装置(1)であって、
輻射によって硬化可能な物質(S)を収容するための槽ベース(2)を有する槽(3)を備え、
前記槽ベース(2)より上に配置され、前記槽ベース(2)に対して高さ調節可能である造形プラットフォーム(4)を備え、
前記槽ベース(2)と協働するセンサ(5)を備え、
ここで、前記槽ベース(2)は少なくとも部分的に可撓性であるように構成されている装置(1)において、
前記装置(1)にはチャンバ(6)が設けられ、
前記チャンバ(6)は前記槽ベース(2)の下側によって範囲が定められ、
前記センサ(5)は、前記チャンバ(6)の容積変化を検出し、前記容積変化の符号を決定することができるセンサ信号を提供するように適合されている、装置(1)。 - 前記センサ(5)は、前記チャンバの容積または前記容積変化に直接的または間接的に比例する測定変数を定量的に検出し、前記測定変数をセンサ信号として提供するように適合されていることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記センサ(5)は、
前記チャンバ(6)中に収容された圧縮性媒体(M)の圧力および/または圧力変化を検出するよう適合された圧力センサ(5a)であり、この圧力変化は前記容積変化に対応し、および/または、
前記チャンバ(6)中に収容された流体の前記チャンバ(6)中に含まれる物質の量の前記物質の量の変化を検出するように適合および配置された流量センサであり、この物質の量の変化は前記容積変化に対応し、
ここで、前記センサ(5)は、検出された圧力および/もしくは検出された圧力変化、ならびに/または検出された物質の量の変化を、測定変数およびセンサ信号として提供するように適合されていることを特徴とする、請求項2に記載の装置。 - 前記センサ(5)は、前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号を処理するように適合された処理ユニット(8)に接続されていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記センサ(5)は、前記処理ユニット(8)を介して、前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)のための駆動ユニット(9)に、および/または前記輻射によって硬化可能な物質(S)の照射のために設けられた輻射源(11)のための制御ユニット(10)に接続されており、
前記処理ユニット(8)は、前記センサ(5)によって提供されるセンサ信号に応じて、前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)のための駆動ユニット(9)および/または前記輻射源(11)のための制御ユニット(10)を制御するように適合されていることを特徴とする、請求項4に記載の装置(1)。 - 前記チャンバ(6)は、
前記チャンバ(6)中の静止圧力を設定するための少なくとも1つの調節可能な圧力源(18)に、および/または
前記チャンバ(6)中の温度を設定するための調節可能な加熱装置(19)に、および/または
前記チャンバ(6)への前記輻射によって硬化可能な物質(S)の凝固プロセスの少なくとも局所的な操作のためのプロセス媒体(Mp)の調節可能な供給のための調節可能なプロセス物質源(20)に、および/または
前記チャンバ(6)中に気流を生成するための気流源(21)に接続されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の装置(1)。 - 前記センサ(5)は、前記処理ユニット(8)を介して、前記調節可能な圧力源(18)に、および/または前記調節可能な加熱装置(19)に、および/または前記調節可能なプロセス物質源(20)に、および/または前記気流源(21)に接続され、
前記処理ユニット(8)は、前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて、前記圧力源(18)を、および/または前記加熱装置(19)を、および/または前記プロセス物質源(20)を、および/または前記気流源(21)を制御するように適合されていることを特徴とする、請求項4に従属する請求項6に記載の装置(1)。 - 前記槽ベース(2)は、少なくとも部分的に輻射に透過性であり、好ましくは可撓性の、張力がかかった箔(13a)を備えることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記槽ベース(2)は、プロセス媒体(Mp)に対して半透過性、透過性であるように構成されることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記槽ベース(2)の少なくとも一部分は、輻射に少なくとも部分的に透過性、特に透明であるキャリアプレート(15)上に載置されていることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記キャリアプレート(15)は、プロセス媒体(Mp)に対して透過性であるように構成されるか、または隆起部(16)間のプロセス媒体(Mp)の通路のために前記槽ベース(2)上に載置される前記隆起部(16)を備えることを特徴とする、請求項10に記載の装置(1)。
- 前記槽ベース(2)上に、前記槽(3)中で移動可能なドクターブレード(23)が設けられていることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記センサ(5)は、処理ユニット(8)を介して、前記ドクターブレード(23)の駆動ユニット(24)に接続され、
前記処理ユニット(8)は、前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて、前記ドクターブレード(23)の前記駆動ユニット(24)を制御するように適合されていることを特徴とする、請求項4に従属する請求項12に記載の装置(1)。 - 前記槽ベース(2)は、前記チャンバ(6)のチャンバハウジング(7)の開放可能な、特に取り外し可能なカバー(22)であることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 輻射によって硬化可能であり、槽ベース(2)を備える槽(3)中に収容される物質(S)から物体(K)をレイヤごとに構築するための方法であって、形成されるべき前記物体(K)の各レイヤ(K1、・・・Kn)に対して、
前記槽ベース(2)に対する造形プラットフォーム(4)が高さ調節可能であり、前記造形プラットフォーム(4)は前記槽ベース(2)上のある高さまで動き、この高さは、少なくとも前記物体(K)の形成されるべきレイヤ(Kn+1)の厚さの範囲で、前記造形プラットフォーム(4)または前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)と前記槽ベース(2)との間の距離を規定し、
前記輻射によって硬化可能な物質(S)は、前記物体(K)のレイヤ(Kn+1)を形成するように照射によって、輻射源(11)により選択的に硬化され、前記物体(K)の硬化されたレイヤ(Kn+1)を有する前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)は、硬化したレイヤが前記造形プラットフォーム(4)に付着し、前記物体(K)の硬化されたレイヤ(Kn+1)と前記槽ベース(2)との間に次のレイヤ(Kn+2)を形成するための空間を生成するように前記槽ベース(2)の静止位置から離れて移動され、
ここで、前記槽ベース(2)は少なくとも部分的に可撓性であるように構成され、少なくとも1つのプロセスパラメータは、前記槽ベース(2)と協働するセンサ(5)によって検出される、方法において、
前記センサ(5)がチャンバ(6)の容積変化を検出し、容積変化の符号を決定できるセンサ信号を提供し、
前記チャンバ(6)は、前記槽ベース(2)の下側によって範囲が定められ、
前記チャンバ(6)の容積は、前記静止位置から前記槽ベース(2)のプロセス依存ゆがみによって変化し得る、方法。 - 前記センサ(5)は、前記チャンバ(6)の容積または容積変化に直接的または間接的に比例する測定変数を定量的に検出し、測定変数をセンサ信号として提供することを特徴とする、請求項15に記載の方法。
- 前記センサ(5)は、圧力センサ(5a)または流量センサ(5b)であり、
前記チャンバ(6)中の圧縮性媒体(M)の圧力の変化は前記圧力センサ(5a)によって測定変数として検出され、前記圧力の変化は前記容積変化に対応し、または前記チャンバ(6)中に含まれる流体の物質の量の前記物質の量の変化は前記流量センサによって測定変数として検出され、前記物質の量の変化は前記容積変化に対応することを特徴とする、請求項16に記載の方法。 - 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号は、前記センサ(5)に接続された処理ユニット(8)において処理され、少なくとも1つのプロセスパラメータは、前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて設定されることを特徴とする、請求項15〜17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記処理ユニット(8)は、前記センサ信号として提供された、検出された測定変数を予測値と比較し、および/または検出された測定変数の挙動を予測値の挙動と比較し、測定変数と予測値と間の、および/または測定変数の挙動と予測値の挙動との間の差に応じて少なくとも1つのプロセスパラメータを設定することを特徴とする、請求項16または17に従属する請求項18に記載の方法。
- 前記センサ(5)によって検出され、前記センサ信号として提供された前記測定変数の変化は、構築プロセスの予測値のシミュレーションモデルで、前記センサ(5)に接続された処理ユニット(8)において処理され、
少なくとも1つのプロセスパラメータは、前記測定変数の少なくとも1つの検出された測定値、および/または前記シミュレーションモデルによって特定されるような、検出された測定値の変化に応じて設定されることを特徴とする、請求項16または17に従属する請求項18に記載の方法。 - 前記予測値および/または複数の予測値は、前記処理ユニット(8)によって、少なくとも1つのプロセスパラメータに応じて計算されることを特徴とする、請求項19に記載の方法。
- 前記シミュレーションモデルは、少なくとも1つの設定されたプロセスパラメータを入力値として考慮することを特徴とする、請求項20に記載の方法。
- 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に基づいて、
前記槽ベース(2)の静止位置に対する、前記造形プラットフォーム(4)の高さ、および/もしくは物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)の高さ、ならびに/または
前記造形プラットフォーム(4)の運動速度、ならびに/または
前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)のエリアのサイズは、
前記槽ベース(2)が前記造形プラットフォーム(4)の移動によって前記静止位置からゆがめられるときに、前記処理ユニット(8)におけるプロセスパラメータとして決定されることを特徴とする、請求項18〜22のいずれか一項に記載の方法。 - 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて、前記造形プラットフォーム(4)の高さ調整は、前記造形プラットフォーム(4)のための駆動ユニット(9)によって制御され、前記駆動ユニット(9)は、前記造形プラットフォーム(4)および前記処理ユニット(8)に接続され、および/または輻射によって硬化されることが可能な物質(S)の照射は、輻射源(11)のための制御ユニット(10)により、前記処理ユニット(8)によって制御され、前記制御ユニット(10)は、プロセスパラメータとして、前記処理ユニット(8)および前記輻射源(11)に接続されていることを特徴とする、請求項18〜23のいずれか一項に記載の方法。
- 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて、前記処理ユニット(8)によるプロセスパラメータとして、
チャンバ(6)中の静止圧力は、前記チャンバ(6)および前記処理ユニット(8)に接続された少なくとも1つの調節可能な圧力源(18)によって設定され、および/または
前記チャンバ(6)中の温度は、前記チャンバ(6)および前記処理ユニット(8)に接続された少なくとも1つの調節可能な加熱装置(19)によって設定され、および/または
前記チャンバ(6)へのプロセス媒体(Mp)の供給は、前記チャンバ(6)および前記処理ユニット(8)に接続された少なくとも1つの調節可能なプロセス物質源(20)によって設定され、および/または
前記チャンバ(6)中の気流は、前記チャンバ(6)および前記処理ユニット(8)に接続された少なくとも1つの気流源(21)によって設定されることを特徴とする、請求項18〜24のいずれか一項に記載の方法。 - 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号から、
前記槽ベース(2)に付着する、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)の前記槽ベース(2)からの剥離、ならびに/または
前記槽ベース(2)に付着する、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)の前記槽ベース(2)からの剥離高さおよび/もしくは剥離スピード、ならびに/または
前記槽ベース(2)の接触、ならびに/または
前記槽ベース(2)上の槽(3)中で移動可能なドクターブレード(23)の接触圧力、ならびに/または
前記造形プラットフォーム(4)から誤って剥離された物体(K)、および/もしくは
槽の劣化、ならびに/または
抑制媒体(Mi)を前記チャンバ(6)中に、および、輻射によって硬化可能な物質(S)上に供給するとき、前記槽ベース(2)上の前記物体(K)の予期せぬ付着、ならびに/または
前記槽(3)中で前記輻射によって硬化可能な物質(S)の充填レベル、ならびに/または
前記槽(3)を設けること、ならびに/または
前記槽ベース(2)中もしくは前記チャンバ(6)中の亀裂もしくは穴は、前記処理ユニット(8)中でプロセスパラメータとして決定されることを特徴とする、
請求項18〜25のいずれか一項に記載の方法。 - 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に応じて、前記造形プラットフォーム(4)から離れるように前記槽ベース(2)をゆがめさせる負圧は、前記槽ベース(2)に付着する、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)を前記槽ベース(2)から剥離するために、特に前記槽ベース(2)の前記静止位置から離れる高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)の移動中に、前記処理ユニット(8)によって前記チャンバ(6)中に設定されることを特徴とする、請求項18〜26のいずれか一項に記載の方法。
- 前記センサ(5)によって提供される前記センサ信号に好ましくは応じて、前記造形プラットフォーム(4)または前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)が前記槽ベース(2)上に接触する前に、前記造形プラットフォーム(4)に向かって槽ベース(2)をゆがめさせる過剰圧力が、前記処理ユニット(8)によって前記チャンバ(6)において設定されることを特徴とする、請求項18〜27のいずれか一項に記載の方法。
- 前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)を有する前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)は、レイヤが前記造形プラットフォーム(4)に、および前記槽ベース(2)に付着して、前記槽ベース(2)の静止位置から離れて移動され、
前記槽ベース(2)からの、前記槽ベースに付着する、前記物体(K)の前記最後に硬化されたレイヤ(Kn)の剥離は、前記センサ(5)によって前記処理ユニット(8)において決定され、
前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)は前記槽ベース(2)の前記静止位置より上の高さ(Zx+1)に移動され、その高さ(Zx+1)は、新たに形成すべき、少なくとも前記物体(K)のレイヤ(Kn+1)の厚さの範囲で、前記物体(K)の前記最後に硬化されたレイヤ(Kn)と前記槽ベース(2)の静止位置との間の距離を規定し、
その後、輻射によって硬化可能な物質(S)は、前記物体(K)の前記新たなレイヤ(Kn+1)を形成するように照射によって、前記輻射源(11)により選択的に硬化されることを特徴とする、請求項18〜28のいずれか一項に記載の方法。 - 抑制媒体(Mi)が前記チャンバ(6)を介して輻射によって硬化可能な物質(S)に供給され、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)を有する前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)は、レイヤが前記造形プラットフォーム(4)に付着して、前記槽ベース(2)の静止位置より上の高さ(Zx+1)に移動され、その高さ(Zx+1)は、新たに形成すべき、少なくとも前記物体(K)のレイヤ(Kn+1)の厚さの範囲で、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)と前記槽ベース(2)の静止位置との間の距離を規定し、一方で、前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)の移動と同時に、輻射によって硬化可能な物質(S)は、前記物体(K)の前記新たなレイヤ(Kn+1)を形成するように照射によって、前記輻射源(11)により選択的に硬化されることを特徴とする、請求項18〜29のいずれか一項に記載の方法。
- 抑制媒体(Mi)が前記チャンバ(6)を介して輻射によって硬化可能な物質(S)に供給され、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)を有する前記高さ調節可能な造形プラットフォーム(4)は、そのレイヤが前記造形プラットフォーム(4)に付着して、前記槽ベース(2)の静止位置より上の高さ(Zx+1)に移動され、その高さ(Zx+1)は、新たに形成すべき、少なくとも前記物体(K)のレイヤ(Kn+1)の厚さの範囲で、前記物体(K)の最後に硬化されたレイヤ(Kn)と前記槽ベース(2)の静止位置との間の距離を規定し、その後、輻射によって硬化可能な物質(S)は、前記物体(K)の前記新たなレイヤ(Kn+1)を形成するように照射によって、前記輻射源(11)により選択的に硬化されることを特徴とする、請求項18〜30のいずれか一項に記載の方法。
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