JP2022187270A5 - - Google Patents

Claims (28)

1. 主面を有する基台と、
   前記主面に実装され、前記主面に平行な光軸を有する複数の半導体レーザチップと、
   各々が、前記複数の半導体レーザチップの各々の出射点からの出射光を反射する反射面を有する複数のミラーと、
   各々が、前記複数のミラーの各々の反射面からの反射光を受ける複数のレンズ部を有する光学部材とを備え、
   前記主面の平面視で、前記反射面における前記出射光の中心位置から、前記複数のレンズ部のうち前記反射面に対応するレンズ部の中心位置までの距離を第１の距離としたとき、
   前記複数のレンズ部のうち前記複数のレンズ部が配置されているレンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対する前記第１の距離よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対する前記第１の距離の方が大きく、
   前記複数のレンズ部の各々からの出力光は、前記レンズ領域より面積が小さい所定面領域の内部に照射され、
   前記反射光の光軸の方向と前記主面に垂直な方向とのなす角を第１の角としたとき、
   前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対応する前記反射光に対する前記第１の角よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対応する前記反射光に対する前記第１の角の方が大きい
   発光装置。
2. 前記第１の角は、前記レンズ領域の中心位置から、前記複数のレンズ部のうち前記反射光を受けるレンズ部の中心位置までの距離が大きくなるにしたがって大きくなる
   請求項１に記載の発光装置。
3. 前記主面に垂直な方向と前記反射面に垂直な方向とのなす角と、前記複数のミラーでの当該なす角の平均値との差の絶対値を第３の差としたとき、
   前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対応する前記反射面に対する前記第３の差よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対応する前記反射面に対する前記第３の差の方が大きい
   請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記第３の差は、前記レンズ領域の中心位置から、前記複数のレンズ部のうち前記反射面に対応するレンズ部の中心位置までの距離が大きくなるにしたがって大きくなる
   請求項３に記載の発光装置。
5. 前記反射面に垂直な方向を前記主面に投射した方向は、すべての前記複数のミラーにおいて同一方向である
   請求項３又は４に記載の発光装置。
6. 前記反射面に垂直な方向を前記主面に投射した方向と、前記反射面への前記出射光の入射方向とのなす角は、すべての前記複数のミラーにおいて同一角度である
   請求項３又は４に記載の発光装置。
7. 前記主面上に配置される複数の支持部をさらに備え、
   前記複数のミラーは、それぞれ複数の支持部に立て掛けられる
   請求項３又は４に記載の発光装置。
8. 主面を有する基台と、
   前記主面に実装され、前記主面に平行な光軸を有する複数の半導体レーザチップと、
   各々が、前記複数の半導体レーザチップの各々の出射点からの出射光を反射する反射面を有する複数のミラーと、
   各々が、前記複数のミラーの各々の反射面からの反射光を受ける複数のレンズ部を有する光学部材とを備え、
   前記主面の平面視で、前記反射面における前記出射光の中心位置から、前記複数のレンズ部のうち前記反射面に対応するレンズ部の中心位置までの距離を第１の距離としたとき、
   前記複数のレンズ部のうち前記複数のレンズ部が配置されているレンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対する前記第１の距離よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対する前記第１の距離の方が大きく、
   前記複数のレンズ部の各々からの出力光は、前記レンズ領域より面積が小さい所定面領域の内部に照射され、
   前記反射面に垂直な方向を前記主面に投射した方向と、前記出射光の方向とのなす角を第２の角としたとき、
   前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対応する前記反射面に対する前記第２の角よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対応する前記反射面に対する前記第２の角の方が大きい
   発光装置。
9. 前記第２の角は、前記レンズ領域の中心位置から前記複数のレンズ部のうち前記反射面に対応するレンズ部の中心位置までの距離が大きくなるにしたがって大きくなる
   請求項８に記載の発光装置。
10. 前記反射面に垂直な方向を前記主面に投射した方向は、すべての前記複数のミラーにおいて同一方向である
    請求項８又は９に記載の発光装置。
11. 前記反射面に垂直な方向の前記主面に対する角度は、すべての前記複数のミラーにおいて同一角度である
    請求項８又は９に記載の発光装置。
12. 主面を有する基台と、
    前記主面に実装され、前記主面に平行な光軸を有する複数の半導体レーザチップと、
    各々が、前記複数の半導体レーザチップの各々の出射点からの出射光を反射する反射面を有する複数のミラーと、
    各々が、前記複数のミラーの各々の反射面からの反射光を受ける複数のレンズ部を有する光学部材とを備え、
    前記主面の平面視で、前記反射面における前記出射光の中心位置から、前記複数のレンズ部のうち前記反射面に対応するレンズ部の中心位置までの距離を第１の距離としたとき、
    前記複数のレンズ部のうち前記複数のレンズ部が配置されているレンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対する前記第１の距離よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対する前記第１の距離の方が大きく、
    前記複数のレンズ部の各々からの出力光は、前記レンズ領域より面積が小さい所定面領域の内部に照射され、
    前記複数のレンズ部の各々の光軸の方向と、前記主面に垂直な方向とのなす角を第３の角としたとき、
    前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の中心位置から最も近いレンズ部に対する前記第３の角よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対する前記第３の角の方が大きい
    発光装置。
13. 前記第３の角は、前記レンズ領域の中心位置から前記複数のレンズ部の各々の中心位置までの距離が大きくなるにしたがって大きくなる
    請求項１２に記載の発光装置。
14. 前記複数のレンズ部の各々の光軸の方向と、前記複数のレンズ部の各々に入射する前記反射光の光軸の方向とのなす角を第４の角としたとき、
    前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対する前記第４の角よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対する前記第４の角の方が大きい
    請求項１２又は１３に記載の発光装置。
15. 前記第４の角は、前記レンズ領域の中心位置から、前記複数のレンズ部の各々の中心位置までの距離が大きくなるにしたがって大きくなる
    請求項１４に記載の発光装置。
16. 前記複数のレンズ部の各々の光軸は、前記所定面領域と交わる
    請求項１２又は１３に記載の発光装置。
17. 前記主面の平面視で、前記レンズ領域の中心位置と、前記複数のレンズ部の各々と対応する前記反射面上での前記出射光の中心位置とを結ぶ線分上に、前記複数のレンズ部の各々の表面において前記複数のレンズ部の各々の光軸が通る点の位置がある
    請求項１２又は１３に記載の発光装置。
18. 主面を有する基台と、
    前記主面に実装され、前記主面に平行な光軸を有する複数の半導体レーザチップと、
    各々が、前記複数の半導体レーザチップの各々の出射点からの出射光を反射する反射面を有する複数のミラーと、
    各々が、前記複数のミラーの各々の反射面からの反射光を受ける複数のレンズ部を有する光学部材とを備え、
    前記主面の平面視で、前記反射面における前記出射光の中心位置から、前記複数のレンズ部のうち前記反射面に対応するレンズ部の中心位置までの距離を第１の距離としたとき、
    前記複数のレンズ部のうち前記複数のレンズ部が配置されているレンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対する前記第１の距離よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対する前記第１の距離の方が大きく、
    前記複数のレンズ部の各々からの出力光は、前記レンズ領域より面積が小さい所定面領域の内部に照射され
    前記主面から前記複数の半導体レーザチップの各々の前記出射点までの高さと、前記主面から前記複数の半導体レーザチップの各々の前記出射点までの高さの平均値との差の絶対値を第１の差としたとき、
    前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対応する前記出射点に対する前記第１の差よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対応する前記出射点に対する前記第１の差の方が大きい
    発光装置。
19. 前記第１の差は、前記レンズ領域の中心位置から、前記複数のレンズ部のうち前記出射点に対応するレンズ部の中心位置までの距離が大きくなるにしたがって大きくなる
    請求項１８に記載の発光装置。
20. 主面を有する基台と、
    前記主面に実装され、前記主面に平行な光軸を有する複数の半導体レーザチップと、
    各々が、前記複数の半導体レーザチップの各々の出射点からの出射光を反射する反射面を有する複数のミラーと、
    各々が、前記複数のミラーの各々の反射面からの反射光を受ける複数のレンズ部を有する光学部材とを備え、
    前記主面の平面視で、前記反射面における前記出射光の中心位置から、前記複数のレンズ部のうち前記反射面に対応するレンズ部の中心位置までの距離を第１の距離としたとき、
    前記複数のレンズ部のうち前記複数のレンズ部が配置されているレンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対する前記第１の距離よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対する前記第１の距離の方が大きく、
    前記複数のレンズ部の各々からの出力光は、前記レンズ領域より面積が小さい所定面領域の内部に照射され、
    前記主面から前記反射面の中心位置までの高さと、前記主面から前記反射面の中心位置までの高さの前記複数のミラーでの平均値との差の絶対値を第２の差としたとき、
    前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対応する前記反射面に対する前記第２の差よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対応する前記反射面に対する第２の差の方が大きい
    発光装置。
21. 前記第２の差は、前記レンズ領域の中心位置から、前記複数のレンズ部のうち前記複数のミラーの各々に対応するレンズ部の中心位置までの距離が大きくなるにしたがって大きくなる
    請求項２０に記載の発光装置。
22. 前記主面の平面視において、前記複数のレンズ部の各々の中心位置と、前記複数のレンズ部の各々に対応する前記反射面の中心位置とは、一致する
    請求項１８～２１のいずれか１項に記載の発光装置。
23. 前記第１の距離は、前記出射光の中心位置から、前記レンズ領域の中心位置までの距離が大きくなるにしたがって大きくなる、
    請求項１～２２のいずれか１項に記載の発光装置。
24. 前記出力光は、集光ビームである
    請求項１～２３のいずれか１項に記載の発光装置。
25. 前記主面の平面視で、前記反射面の中心位置から、前記複数のレンズ部のうち前記反射面に対応するレンズ部の中心位置までの距離を第２の距離としたとき、
    前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の中心位置に最も近いレンズ部に対する前記第２の距離よりも、前記複数のレンズ部のうち前記レンズ領域の最も外側に位置するレンズ部に対する前記第２の距離の方が大きい
    請求項１～２４のいずれか１項に記載の発光装置。
26. 前記第２の距離は、前記反射面の中心位置から前記レンズ領域の中心位置まで距離が大きくなるにしたがって大きくなる
    請求項２５に記載の発光装置。
27. 前記所定面領域におけるすべての前記出力光を重ね合わせた遠視野像が円形である
    請求項１～２６のいずれか１項に記載の発光装置。
28. 前記出力光の断面形状は、前記所定面領域において長軸方向を有し、前記長軸方向は、
    すべての前記出力光において均等に分散している
    請求項２７に記載の発光装置。